JPH0635173A - 半導体製造用マスクの製造方法 - Google Patents
半導体製造用マスクの製造方法Info
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- JPH0635173A JPH0635173A JP19359392A JP19359392A JPH0635173A JP H0635173 A JPH0635173 A JP H0635173A JP 19359392 A JP19359392 A JP 19359392A JP 19359392 A JP19359392 A JP 19359392A JP H0635173 A JPH0635173 A JP H0635173A
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- Japan
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- resist
- film
- hard mask
- resist film
- conductive light
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハ−ドマスクブランクへレジストが付着する
のを防ぎつつ、マスクパタ−ン欠陥の発生を防止する。 【構成】 ガラス基板２表面上に導電性遮光膜３を介し
てレジスト膜４を形成し、前記レジスト膜４の外周部の
少なくとも一部分を昇華あるいは低剛性化し、前記レジ
スト膜４を含む前記基板２の前記導電性遮光膜３を接地
しレジスト膜４に電子線を選択的に照射する。
のを防ぎつつ、マスクパタ−ン欠陥の発生を防止する。 【構成】 ガラス基板２表面上に導電性遮光膜３を介し
てレジスト膜４を形成し、前記レジスト膜４の外周部の
少なくとも一部分を昇華あるいは低剛性化し、前記レジ
スト膜４を含む前記基板２の前記導電性遮光膜３を接地
しレジスト膜４に電子線を選択的に照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体を製造する際に
用いられる半導体製造用マスクの製造方法に関する。
用いられる半導体製造用マスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造用マスクの製造方法に
ついて、図５〜図８を参照にして説明する。図５は、レ
ジストが塗布されたハ−ドマスクブランクを上面から見
た図であり、図６は、このハ−ドマスクブランクの断面
図である。
ついて、図５〜図８を参照にして説明する。図５は、レ
ジストが塗布されたハ−ドマスクブランクを上面から見
た図であり、図６は、このハ−ドマスクブランクの断面
図である。
【０００３】図６に示すように、半導体製造用マスクに
は、一般にガラス基板２表面にクロム３が被着されたハ
−ドマスクブランク１が用いられる。このハ−ドマスク
ブランクの表面へのレジストの塗布は、基板を回転させ
その表面上のノズルの先端からレジストを落下させて遠
心力によりレジストを表面全体に拡げることによって行
われる。更に、このレジスト膜４が形成されたハ−ドマ
スクブランク１に電子線露光装置を用いて露光処理を行
う場合には、表面に電子線を照射して選択的に感光させ
るが、このとき、レジスト膜４に電荷が蓄積するのを防
ぐ必要がある。これは、電子線を照射している最中にレ
ジスト膜４の内部に電荷が蓄積すると、レジスト膜４が
負の電荷を帯びて、以降に照射される電子線と反発し、
照射経路を曲げるためである。このような電荷の蓄積を
防止する方法として、露光を行う最中に、接地されたア
−スピン５をクロム３に接触させることが行われてい
る。
は、一般にガラス基板２表面にクロム３が被着されたハ
−ドマスクブランク１が用いられる。このハ−ドマスク
ブランクの表面へのレジストの塗布は、基板を回転させ
その表面上のノズルの先端からレジストを落下させて遠
心力によりレジストを表面全体に拡げることによって行
われる。更に、このレジスト膜４が形成されたハ−ドマ
スクブランク１に電子線露光装置を用いて露光処理を行
う場合には、表面に電子線を照射して選択的に感光させ
るが、このとき、レジスト膜４に電荷が蓄積するのを防
ぐ必要がある。これは、電子線を照射している最中にレ
ジスト膜４の内部に電荷が蓄積すると、レジスト膜４が
負の電荷を帯びて、以降に照射される電子線と反発し、
照射経路を曲げるためである。このような電荷の蓄積を
防止する方法として、露光を行う最中に、接地されたア
−スピン５をクロム３に接触させることが行われてい
る。
【０００４】上述したような方法によりレジスト膜４が
形成され露光されるが、レジストの持つ表面張力によ
り、図６に示すようにハ−ドマスクブランク１の外周部
に不要なレジスト４ａが付着し、そのためア−スピン５
をクロム３に接触させることが妨げられる。また、この
不要なレジスト４ａは極めて脆いためくずれ落ち易く、
基板表面に付着してパタ−ン欠陥を生じたり、また露光
装置内部に飛び散ってゴミの原因になり、基板表面に付
着してレジストパタ−ン形成における歩留まりを大幅に
低下させる。
形成され露光されるが、レジストの持つ表面張力によ
り、図６に示すようにハ−ドマスクブランク１の外周部
に不要なレジスト４ａが付着し、そのためア−スピン５
をクロム３に接触させることが妨げられる。また、この
不要なレジスト４ａは極めて脆いためくずれ落ち易く、
基板表面に付着してパタ−ン欠陥を生じたり、また露光
装置内部に飛び散ってゴミの原因になり、基板表面に付
着してレジストパタ−ン形成における歩留まりを大幅に
低下させる。
【０００５】そこで、この不要なレジスト４ａを除去さ
せる方法として、特開昭６１−１２１３３３や特開昭６
１−１８４８２４に開示されたようなエッジカット法と
称される方法が用いられていた。図７に示すように、チ
ャック１０に固定されたハ−ドマスクブランク１を矢印
のように回転させる。そして、レジストを形成するため
のノズル１３よりレジストを塗布すると同時に、レジス
ト溶剤を滴下するためのノズル１１よりレジスト溶剤を
レジスト膜４の外周部に吹き付けることによって、この
部分へのレジストの付着を防止している。
せる方法として、特開昭６１−１２１３３３や特開昭６
１−１８４８２４に開示されたようなエッジカット法と
称される方法が用いられていた。図７に示すように、チ
ャック１０に固定されたハ−ドマスクブランク１を矢印
のように回転させる。そして、レジストを形成するため
のノズル１３よりレジストを塗布すると同時に、レジス
ト溶剤を滴下するためのノズル１１よりレジスト溶剤を
レジスト膜４の外周部に吹き付けることによって、この
部分へのレジストの付着を防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来のエッジカット法には、次のような問題が
あった。
たような従来のエッジカット法には、次のような問題が
あった。
【０００７】レジスト溶剤を滴下するためのノズル１１
の取り付け角度の調整が適切でなかったり、このノズル
１１からレジスト溶剤を噴出させるときの圧力が適性値
でない場合等の理由により、このレジスト溶剤やこのレ
ジスト溶剤によって溶解されたレジストが、図８に示す
ように、レジスト膜４の内の中央のパタ−ン形成領域１
５に跳ね返って、マスクパタ−ン欠陥１４を招くことが
ある。このような欠陥は、パタ−ンの不良を招き、半導
体製品の製造歩留まりを低下させることになっていた。
の取り付け角度の調整が適切でなかったり、このノズル
１１からレジスト溶剤を噴出させるときの圧力が適性値
でない場合等の理由により、このレジスト溶剤やこのレ
ジスト溶剤によって溶解されたレジストが、図８に示す
ように、レジスト膜４の内の中央のパタ−ン形成領域１
５に跳ね返って、マスクパタ−ン欠陥１４を招くことが
ある。このような欠陥は、パタ−ンの不良を招き、半導
体製品の製造歩留まりを低下させることになっていた。
【０００８】そこで、本発明は、上記欠点を鑑みなされ
たもので、ハ−ドマスクブランクへレジストが付着する
のを防ぎつつ、マスクパタ−ン欠陥の発生を防止し得る
半導体製造用マスクの製造方法を提供することを目的と
する。
たもので、ハ−ドマスクブランクへレジストが付着する
のを防ぎつつ、マスクパタ−ン欠陥の発生を防止し得る
半導体製造用マスクの製造方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明では、ガラス基板表面上に導電性遮光膜を
介してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の
外周部の少なくとも一部分を昇華あるいは低剛性化する
工程と、前記レジスト膜を含む前記基板の前記導電性遮
光膜を接地し、前記レジスト膜に電子線を選択的に照射
する工程とを具備することを特徴としている。また、高
エネルギ−線を照射することによって昇華あるいは低剛
性化することを特徴としている。また、前記高エネルギ
−線は紫外線であることを特徴としている。
に、この発明では、ガラス基板表面上に導電性遮光膜を
介してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の
外周部の少なくとも一部分を昇華あるいは低剛性化する
工程と、前記レジスト膜を含む前記基板の前記導電性遮
光膜を接地し、前記レジスト膜に電子線を選択的に照射
する工程とを具備することを特徴としている。また、高
エネルギ−線を照射することによって昇華あるいは低剛
性化することを特徴としている。また、前記高エネルギ
−線は紫外線であることを特徴としている。
【００１０】
【作用】ハ−ドマスクブランク表面に形成されたレジス
ト膜の内、外周部の少なくとも一部分を局部的に高エネ
ルギ−線を照射することによって、この部分のレジスト
膜が主鎖切断され低分子化される。そのため、この部分
のレジスト膜は、昇華或いは剛性が低下する。これによ
って、導電性遮光膜を接地するためのア−スピンが接触
するすることになり、このレジスト膜によって覆われて
いた導電性遮光膜との電気的導通がはかれるようにな
る。したがって、この状態で電子線を照射するので、レ
ジスト膜及び導電性遮光膜への電荷集中及び蓄積が防止
される。
ト膜の内、外周部の少なくとも一部分を局部的に高エネ
ルギ−線を照射することによって、この部分のレジスト
膜が主鎖切断され低分子化される。そのため、この部分
のレジスト膜は、昇華或いは剛性が低下する。これによ
って、導電性遮光膜を接地するためのア−スピンが接触
するすることになり、このレジスト膜によって覆われて
いた導電性遮光膜との電気的導通がはかれるようにな
る。したがって、この状態で電子線を照射するので、レ
ジスト膜及び導電性遮光膜への電荷集中及び蓄積が防止
される。
【００１１】このように、本発明によれば、導電性遮光
膜とア−スピンとの接触に必要な外周部の一部分のみ
が、昇華或いは剛性が低下し、導電性遮光膜との電気的
導通がはかれる。そのため、余分なレジストに起因する
マスクパタ−ン欠陥の発生を防止することができ、欠陥
のない高品質の半導体製造用マスクの製造方法を提供す
ることができ、製造歩留まりを向上させることができ
る。
膜とア−スピンとの接触に必要な外周部の一部分のみ
が、昇華或いは剛性が低下し、導電性遮光膜との電気的
導通がはかれる。そのため、余分なレジストに起因する
マスクパタ−ン欠陥の発生を防止することができ、欠陥
のない高品質の半導体製造用マスクの製造方法を提供す
ることができ、製造歩留まりを向上させることができ
る。
【００１２】
【実施例】この発明の実施例を図１〜図４を参照にし、
詳細に説明する。図１〜図４は、この実施例における半
導体製造用マスクの製造方法を示す図である。
詳細に説明する。図１〜図４は、この実施例における半
導体製造用マスクの製造方法を示す図である。
【００１３】図１に示すように、マスクを製造するため
に用いられるハ−ドマスクブランク１は、ガラス基板２
の表面に導電性遮光膜例えばクロム膜３が被着されてい
る。更に、このクロム膜３上にレジスト膜４が形成され
る。このハ−ドマスクブランクの表面へのレジストの塗
布は、基板を回転させその表面上のノズルの先端からレ
ジストを落下させて遠心力によりレジストを表面全体に
拡げることによって行われる。そして、このレジスト膜
４の外周部には余分なレジスト４ａが付着しており、ク
ロム膜３の端面まで完全に覆われている。このレジスト
膜４は電子線照射用のもので、例えばポリ（２、２、２
−トリフルオロエチルα−クロロアクリラ−ト）等が挙
げられる。ハ−ドマスクブランクを載置するハ−ドマス
クブランク載置台上に、レジスト膜４を含んだハ−ドマ
スクブランク１を載置する。そして、少なくともレジス
ト膜４の外周部に位置する不要なレジスト４ａ上方に高
エネルギ−線発生器７を配置し、高エネルギ−線例えば
紫外線６を余分なレジスト４ａに照射する。これによっ
て、図２に示すように、余分なレジスト４ａが昇華した
り、或いは図３に示すように低分子化し剛性が低下した
状態になる。次に、図４に示すように、導電性遮光膜を
接地するためのア−スピン５を少なくともレジスト膜４
を含んだハ−ドマスクブランク１に接続し、このレジス
ト膜によって覆われていた導電性遮光膜との電気的導通
をはかれるようにする。また、導電性遮光膜はクロム以
外の酸化鉄や酸化クロム等の導電性を有する遮光膜であ
れば他のものであっても良い。また、レジスト膜も電子
線によって選択的に露光されるものであれば他のもので
あっても良い。
に用いられるハ−ドマスクブランク１は、ガラス基板２
の表面に導電性遮光膜例えばクロム膜３が被着されてい
る。更に、このクロム膜３上にレジスト膜４が形成され
る。このハ−ドマスクブランクの表面へのレジストの塗
布は、基板を回転させその表面上のノズルの先端からレ
ジストを落下させて遠心力によりレジストを表面全体に
拡げることによって行われる。そして、このレジスト膜
４の外周部には余分なレジスト４ａが付着しており、ク
ロム膜３の端面まで完全に覆われている。このレジスト
膜４は電子線照射用のもので、例えばポリ（２、２、２
−トリフルオロエチルα−クロロアクリラ−ト）等が挙
げられる。ハ−ドマスクブランクを載置するハ−ドマス
クブランク載置台上に、レジスト膜４を含んだハ−ドマ
スクブランク１を載置する。そして、少なくともレジス
ト膜４の外周部に位置する不要なレジスト４ａ上方に高
エネルギ−線発生器７を配置し、高エネルギ−線例えば
紫外線６を余分なレジスト４ａに照射する。これによっ
て、図２に示すように、余分なレジスト４ａが昇華した
り、或いは図３に示すように低分子化し剛性が低下した
状態になる。次に、図４に示すように、導電性遮光膜を
接地するためのア−スピン５を少なくともレジスト膜４
を含んだハ−ドマスクブランク１に接続し、このレジス
ト膜によって覆われていた導電性遮光膜との電気的導通
をはかれるようにする。また、導電性遮光膜はクロム以
外の酸化鉄や酸化クロム等の導電性を有する遮光膜であ
れば他のものであっても良い。また、レジスト膜も電子
線によって選択的に露光されるものであれば他のもので
あっても良い。
【００１４】また、高エネルギ−線は紫外線の他プラズ
マやレ−ザ−等でも良く、この高エネルギ−線によっ
て、昇華あるいは低剛性化するものであれば他のもので
あっても良い。例えば、昇華あるいは低剛性化するとし
たなら、局部的な照射が行われるレジスト部分のレジス
ト厚を薄くするだけでも良い。
マやレ−ザ−等でも良く、この高エネルギ−線によっ
て、昇華あるいは低剛性化するものであれば他のもので
あっても良い。例えば、昇華あるいは低剛性化するとし
たなら、局部的な照射が行われるレジスト部分のレジス
ト厚を薄くするだけでも良い。
【００１５】また、レジスト膜の局部的な照射を行う部
分は、ハ−ドマスクブランクの外周部の内、接地を行う
のに好都合な場所ならば、任意な場所を選ぶことができ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
分は、ハ−ドマスクブランクの外周部の内、接地を行う
のに好都合な場所ならば、任意な場所を選ぶことができ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法及び
装置を用いれば、ハ−ドマスクブランク外周部に付着し
た余分なレジストに起因する電荷集中及び蓄積マスクパ
タ−ン欠陥の発生を防止することができ、欠陥のない高
品質の半導体製造用マスクの製造方法を提供することが
でき、製造歩留まりを向上させるという効果がある。
装置を用いれば、ハ−ドマスクブランク外周部に付着し
た余分なレジストに起因する電荷集中及び蓄積マスクパ
タ−ン欠陥の発生を防止することができ、欠陥のない高
品質の半導体製造用マスクの製造方法を提供することが
でき、製造歩留まりを向上させるという効果がある。
【図１】本発明の実施例における半導体製造用マスクの
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図２】本発明の実施例における半導体製造用マスクの
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図３】本発明の実施例における半導体製造用マスクの
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図４】本発明の実施例における半導体製造用マスクの
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図５】従来の半導体製造用マスクの製造方法を示す図
である。
である。
【図６】従来の半導体製造用マスクの製造方法を示す図
である。
である。
【図７】従来の半導体製造用マスクの製造方法を示す図
である。
である。
【図８】従来の半導体製造用マスクの製造方法を示す図
である。
である。
１ ハ−ドマスクブランク ２ ガラス基板 ３ 導電性遮光膜 ４ レジスト膜 ４ａ ハ−ドマスクブランクの外周部に形成さ
れた不要なレジスト ５ ア−スピン ６ 高エネルギ−線 ７ 高エネルギ−線発生器 ８ ハ−ドマスクブランク載置台 ９ ハ−ドマスクブランクの外周部 １０ チャック １１ レジスト溶剤を滴下するためのノズル １２ レジスト溶剤 １３ レジストを形成するためのノズル １４ 欠陥 １５ パタ−ン形成領域
れた不要なレジスト ５ ア−スピン ６ 高エネルギ−線 ７ 高エネルギ−線発生器 ８ ハ−ドマスクブランク載置台 ９ ハ−ドマスクブランクの外周部 １０ チャック １１ レジスト溶剤を滴下するためのノズル １２ レジスト溶剤 １３ レジストを形成するためのノズル １４ 欠陥 １５ パタ−ン形成領域
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板表面上に導電性遮光膜を介し
てレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜の外周部の少なくとも一部分を昇華ある
いは低剛性化する工程と、 前記レジスト膜を含む前記基板の前記導電性遮光膜を接
地し、前記レジスト膜に電子線を選択的に照射する工程
とを具備することを特徴とする半導体製造用マスクの製
造方法。 - 【請求項２】 高エネルギ−線を照射することによって
昇華あるいは低剛性化することを特徴とする請求項１記
載の半導体製造用マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記高エネルギ−線は紫外線であること
を特徴とする請求項１及び２記載の半導体製造用マスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19359392A JPH0635173A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 半導体製造用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19359392A JPH0635173A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 半導体製造用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0635173A true JPH0635173A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16310542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19359392A Pending JPH0635173A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 半導体製造用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635173A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028553A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電子線用レジスト膜及び有機導電性膜が積層された被加工基板、該被加工基板の製造方法、及びレジストパターンの形成方法 |
| JP2019114712A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP19359392A patent/JPH0635173A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028553A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電子線用レジスト膜及び有機導電性膜が積層された被加工基板、該被加工基板の製造方法、及びレジストパターンの形成方法 |
| US8563216B2 (en) | 2010-07-23 | 2013-10-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Substrate to be processed having laminated thereon resist film for electron beam and organic conductive film, method for manufacturing the same, and resist patterning process |
| JP2019114712A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
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