JPH11160728A - Ｔｆｔアレイ基板の製造方法および液状物質塗布装置 - Google Patents
Ｔｆｔアレイ基板の製造方法および液状物質塗布装置Info
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- JPH11160728A JPH11160728A JP32493397A JP32493397A JPH11160728A JP H11160728 A JPH11160728 A JP H11160728A JP 32493397 A JP32493397 A JP 32493397A JP 32493397 A JP32493397 A JP 32493397A JP H11160728 A JPH11160728 A JP H11160728A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト等の液状物質を塗布するノズルが被
処理基板に接近した際に生じる放電によるＴＦＴアレイ
の回路パターンの静電破壊を防止する。 【解決手段】 被処理基板であるガラス基板１にレジス
ト４を塗布する工程において、ガラス基板１を真空チャ
ック２により水平に保持し、一旦、ノズル３をガラス基
板１端部に近接して停止させ、基板１端部で放電を発生
させるさせるようにしたので、ＴＦＴアレイの回路パタ
ーンが形成されている基板１中央部上にノズル３を接近
させた時に放電６が発生することがなく、回路パターン
の静電破壊を防止することが可能であり、ＴＦＴアレイ
基板の製造歩留まりが向上する。また、レジスト塗布装
置の真空チャック２上方に、ガラス基板１に軟Ｘ線を照
射し、基板１に蓄積された電荷５を除去する軟Ｘ線照射
部を設けてもよい。
処理基板に接近した際に生じる放電によるＴＦＴアレイ
の回路パターンの静電破壊を防止する。 【解決手段】 被処理基板であるガラス基板１にレジス
ト４を塗布する工程において、ガラス基板１を真空チャ
ック２により水平に保持し、一旦、ノズル３をガラス基
板１端部に近接して停止させ、基板１端部で放電を発生
させるさせるようにしたので、ＴＦＴアレイの回路パタ
ーンが形成されている基板１中央部上にノズル３を接近
させた時に放電６が発生することがなく、回路パターン
の静電破壊を防止することが可能であり、ＴＦＴアレイ
基板の製造歩留まりが向上する。また、レジスト塗布装
置の真空チャック２上方に、ガラス基板１に軟Ｘ線を照
射し、基板１に蓄積された電荷５を除去する軟Ｘ線照射
部を設けてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＴアレイ基板
の製造方法およびレジスト等の液状物質をノズルより被
処理基板上に塗布する液状物質塗布装置に関するもので
ある。
の製造方法およびレジスト等の液状物質をノズルより被
処理基板上に塗布する液状物質塗布装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】フラットパネルディスプレイ、中でもア
クティブマトリクス型液晶表示装置は、高度情報化社
会、マルチメディアの時代において中核となるデバイス
の一つとして期待されている。アクティブマトリクス型
液晶表示装置は、通常、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を
含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経
てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基
板と、カラーフィルタ、ブラックマトリクスおよび対向
電極等を有し、ＴＦＴアレイ基板との間に液晶を挟持す
る対向電極基板およびスイッチング素子の駆動回路を備
えており、液晶に選択的に電圧が印加されるように構成
されている。このＴＦＴアレイ基板の製造方法として、
写真製版工程では、薄膜が形成されたガラス基板上にノ
ズルよりレジストを塗布し、このレジスト膜を所望のマ
スクパターンを用いて露光し、現像液で不要なレジスト
を除去する作業を一連の装置内で行っている。図５は、
従来の写真製版工程における一連の装置の一部であるレ
ジスト塗布装置の動作を示す模式図である。図におい
て、１はレジストが塗布される被処理基板であるガラス
基板、２はガラス基板１を水平に保持するテーブルで、
例えば真空チャック、３はガラス基板１の中央部上より
レジストを塗布するノズル、４はレジスト、５はガラス
基板１に蓄積された電荷、６はガラス基板１上に発生し
た放電を示している。
クティブマトリクス型液晶表示装置は、高度情報化社
会、マルチメディアの時代において中核となるデバイス
の一つとして期待されている。アクティブマトリクス型
液晶表示装置は、通常、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を
含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経
てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基
板と、カラーフィルタ、ブラックマトリクスおよび対向
電極等を有し、ＴＦＴアレイ基板との間に液晶を挟持す
る対向電極基板およびスイッチング素子の駆動回路を備
えており、液晶に選択的に電圧が印加されるように構成
されている。このＴＦＴアレイ基板の製造方法として、
写真製版工程では、薄膜が形成されたガラス基板上にノ
ズルよりレジストを塗布し、このレジスト膜を所望のマ
スクパターンを用いて露光し、現像液で不要なレジスト
を除去する作業を一連の装置内で行っている。図５は、
従来の写真製版工程における一連の装置の一部であるレ
ジスト塗布装置の動作を示す模式図である。図におい
て、１はレジストが塗布される被処理基板であるガラス
基板、２はガラス基板１を水平に保持するテーブルで、
例えば真空チャック、３はガラス基板１の中央部上より
レジストを塗布するノズル、４はレジスト、５はガラス
基板１に蓄積された電荷、６はガラス基板１上に発生し
た放電を示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴアレイ基板製造
工程における写真製版工程では、一連の装置内で真空吸
着や基板乾燥等が行われるため、ガラス基板１に電荷５
が蓄積され易い状態となっている。また、レジスト４等
の液状物質を塗布する際には、液状物質の乾燥を防ぎ、
少ない吐出量で広範囲にむらなく塗布するために、液状
物質を塗布するノズル３とガラス基板１の距離をできる
だけ接近させた状態で行うことが望ましい。このため、
帯電したガラス基板１にノズル３のように先端の尖った
構造のものを近づけると、互いの電位差から、ガラス基
板１上で放電６が発生することがあった（図５(b) ）。
レジスト４等の液状物質はガラス基板１の中央部上から
塗布することが多く、ガラス基板１の中央部で放電６が
生じた場合、すでに形成されているＴＦＴアレイの回路
パターンが静電破壊され、不良品となるという問題があ
った。また、帯電したガラス基板１を除電する方法とし
ては、従来より、ガラス基板１上にイオン発生装置を付
設し、ガラス基板１に蓄積された電荷を中和することが
一般的に行われていたが、従来のイオン発生装置は、除
電の効率が悪い、長時間の使用によって発塵する等の問
題があり、極めて清浄な雰囲気が要求される液状物質塗
布装置内に付設することは困難であった。
工程における写真製版工程では、一連の装置内で真空吸
着や基板乾燥等が行われるため、ガラス基板１に電荷５
が蓄積され易い状態となっている。また、レジスト４等
の液状物質を塗布する際には、液状物質の乾燥を防ぎ、
少ない吐出量で広範囲にむらなく塗布するために、液状
物質を塗布するノズル３とガラス基板１の距離をできる
だけ接近させた状態で行うことが望ましい。このため、
帯電したガラス基板１にノズル３のように先端の尖った
構造のものを近づけると、互いの電位差から、ガラス基
板１上で放電６が発生することがあった（図５(b) ）。
レジスト４等の液状物質はガラス基板１の中央部上から
塗布することが多く、ガラス基板１の中央部で放電６が
生じた場合、すでに形成されているＴＦＴアレイの回路
パターンが静電破壊され、不良品となるという問題があ
った。また、帯電したガラス基板１を除電する方法とし
ては、従来より、ガラス基板１上にイオン発生装置を付
設し、ガラス基板１に蓄積された電荷を中和することが
一般的に行われていたが、従来のイオン発生装置は、除
電の効率が悪い、長時間の使用によって発塵する等の問
題があり、極めて清浄な雰囲気が要求される液状物質塗
布装置内に付設することは困難であった。
【０００４】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、被処理基板にレジスト等の液状
物質を塗布する工程において、ノズルを接近した際に生
じる放電によるＴＦＴアレイの回路パターンの静電破壊
を防止するＴＦＴアレイ基板の製造方法および液状物質
塗布装置を提供し、ＴＦＴアレイ基板の製造歩留まりを
向上させることを目的とする。
ためになされたもので、被処理基板にレジスト等の液状
物質を塗布する工程において、ノズルを接近した際に生
じる放電によるＴＦＴアレイの回路パターンの静電破壊
を防止するＴＦＴアレイ基板の製造方法および液状物質
塗布装置を提供し、ＴＦＴアレイ基板の製造歩留まりを
向上させることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるＴＦＴア
レイ基板の製造方法は、透明絶縁性基板上に形成された
複数本のゲート電極線と交差する複数本のソース電極線
の各交点に設けられた薄膜トランジスタと、この薄膜ト
ランジスタに接続された透明導電膜よりなる画素電極を
備えたＴＦＴアレイ基板の製造方法であって、被処理基
板を水平に保持し、基板上にレジスト等の液状物質を塗
布するノズルを一旦基板端部に近接して停止させ、基板
に蓄積された電荷を基板端部で放電させて基板の帯電量
を減少させた後、ノズルを基板中央部上に移動させ、液
状物質を塗布する工程を含んで製造するようにしたもの
である。また、ノズルを長方形の被処理基板のいずれか
１つの角部に近接して停止させ、基板に蓄積された電荷
を基板角部で放電させるものである。
レイ基板の製造方法は、透明絶縁性基板上に形成された
複数本のゲート電極線と交差する複数本のソース電極線
の各交点に設けられた薄膜トランジスタと、この薄膜ト
ランジスタに接続された透明導電膜よりなる画素電極を
備えたＴＦＴアレイ基板の製造方法であって、被処理基
板を水平に保持し、基板上にレジスト等の液状物質を塗
布するノズルを一旦基板端部に近接して停止させ、基板
に蓄積された電荷を基板端部で放電させて基板の帯電量
を減少させた後、ノズルを基板中央部上に移動させ、液
状物質を塗布する工程を含んで製造するようにしたもの
である。また、ノズルを長方形の被処理基板のいずれか
１つの角部に近接して停止させ、基板に蓄積された電荷
を基板角部で放電させるものである。
【０００６】また、本発明に係わる液状物質塗布装置
は、被処理基板を水平に保持するテーブルと、被処理基
板上に液状物質を吐出するノズルと、このノズルを駆動
する駆動手段と、ノズルに液状物質を供給する液状物質
供給部を備え、ノズルは、基板端部に近接して停止した
後、基板中央部上に移動して停止し、液状物質を塗布す
るものである。また、ノズルは接地されているものであ
る。また、被処理基板を水平に保持するテーブルと、被
処理基板上に液状物質を吐出するノズルと、このノズル
を駆動する駆動手段と、ノズルに液状物質を供給する液
状物質供給部と、テーブル上方に設けられ、基板に軟Ｘ
線を照射し、基板に蓄積された電荷を除去する軟Ｘ線照
射部を備えたものである。また、軟Ｘ線照射部は、任意
の角度で軟Ｘ線の照射が可能なように取り付けられてい
るものである。
は、被処理基板を水平に保持するテーブルと、被処理基
板上に液状物質を吐出するノズルと、このノズルを駆動
する駆動手段と、ノズルに液状物質を供給する液状物質
供給部を備え、ノズルは、基板端部に近接して停止した
後、基板中央部上に移動して停止し、液状物質を塗布す
るものである。また、ノズルは接地されているものであ
る。また、被処理基板を水平に保持するテーブルと、被
処理基板上に液状物質を吐出するノズルと、このノズル
を駆動する駆動手段と、ノズルに液状物質を供給する液
状物質供給部と、テーブル上方に設けられ、基板に軟Ｘ
線を照射し、基板に蓄積された電荷を除去する軟Ｘ線照
射部を備えたものである。また、軟Ｘ線照射部は、任意
の角度で軟Ｘ線の照射が可能なように取り付けられてい
るものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下に、本発明の
実施の形態１を図について説明する。図１は、本実施の
形態において作製されるＴＦＴアレイ基板の逆スタガー
型ＴＦＴの構造を示す断面図である。図において、１１
は透明絶縁性基板であるガラス基板、１２はガラス基板
１１上に形成されたゲート電極線、１３は窒化シリコン
（ＳｉＮX ）膜等よりなるゲート絶縁膜、１４はゲート
電極１２上にゲート絶縁膜１３を介して設けられ、その
中央部がチャネルとなるｉ−ａ−Ｓｉ層、１５はｉ−ａ
−Ｓｉ層１４上のソース／ドレイン接点領域に設けら
れ、ｎ型の不純物を含むｎ−ａ−Ｓｉ層、１６はＩＴＯ
等の透明導電膜よりなる画素電極、１７、１８はｉ−ａ
−Ｓｉ層１４およびｎ−ａ−Ｓｉ層１５と共に半導体素
子を形成するソース電極線およびドレイン電極、１９は
保護膜をそれぞれ示す。ＴＦＴアレイ基板は、ガラス基
板１１上に形成された複数本のゲート電極線１２と交差
する複数本のソース電極線１７の各交点に設けられた薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続された
透明導電膜よりなる画素電極１６より構成されているも
のである。さらに、このＴＦＴアレイ基板と、透明電極
およびカラーフィルタ等を有する対向電極基板との間に
液晶を挟持することにより、液晶表示装置が作製され
る。
実施の形態１を図について説明する。図１は、本実施の
形態において作製されるＴＦＴアレイ基板の逆スタガー
型ＴＦＴの構造を示す断面図である。図において、１１
は透明絶縁性基板であるガラス基板、１２はガラス基板
１１上に形成されたゲート電極線、１３は窒化シリコン
（ＳｉＮX ）膜等よりなるゲート絶縁膜、１４はゲート
電極１２上にゲート絶縁膜１３を介して設けられ、その
中央部がチャネルとなるｉ−ａ−Ｓｉ層、１５はｉ−ａ
−Ｓｉ層１４上のソース／ドレイン接点領域に設けら
れ、ｎ型の不純物を含むｎ−ａ−Ｓｉ層、１６はＩＴＯ
等の透明導電膜よりなる画素電極、１７、１８はｉ−ａ
−Ｓｉ層１４およびｎ−ａ−Ｓｉ層１５と共に半導体素
子を形成するソース電極線およびドレイン電極、１９は
保護膜をそれぞれ示す。ＴＦＴアレイ基板は、ガラス基
板１１上に形成された複数本のゲート電極線１２と交差
する複数本のソース電極線１７の各交点に設けられた薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続された
透明導電膜よりなる画素電極１６より構成されているも
のである。さらに、このＴＦＴアレイ基板と、透明電極
およびカラーフィルタ等を有する対向電極基板との間に
液晶を挟持することにより、液晶表示装置が作製され
る。
【０００８】次に、本実施の形態によるＴＦＴアレイ基
板の製造工程を説明する。まず、ガラス基板１１上にＣ
ｒ等の金属膜をスパッタリング法等で成膜し、写真製版
およびエッチングによるパターン形成を行いゲート電極
線１２を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３を介して、
チャネルとなるｉ−ａ−Ｓｉ層１４、ソース／ドレイン
接点領域となるｎ−ａ−Ｓｉ層１５をプラズマＣＶＤ法
により連続成膜し、ｉ−ａ−Ｓｉ層１４およびｎ−ａ−
Ｓｉ層１５をアイランド状にパターニングする。次にＩ
ＴＯ等の透明導電膜をスパッタリング等の方法で成膜
し、パターン形成により画素電極１６を形成する。さら
に、ＣｒおよびＡｌ等を主成分とする金属膜をスパッタ
リング法等により成膜し、パターン形成を行い、ソース
電極線１７、ドレイン電極１８を形成し、これらをマス
クとしてチャネル上の不要なｎ−ａ−Ｓｉ層１５をドラ
イエッチング等により除去し、最後に保護膜１９を形成
して逆スタガー型ＴＦＴを備えたＴＦＴアレイ基板が形
成される。
板の製造工程を説明する。まず、ガラス基板１１上にＣ
ｒ等の金属膜をスパッタリング法等で成膜し、写真製版
およびエッチングによるパターン形成を行いゲート電極
線１２を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３を介して、
チャネルとなるｉ−ａ−Ｓｉ層１４、ソース／ドレイン
接点領域となるｎ−ａ−Ｓｉ層１５をプラズマＣＶＤ法
により連続成膜し、ｉ−ａ−Ｓｉ層１４およびｎ−ａ−
Ｓｉ層１５をアイランド状にパターニングする。次にＩ
ＴＯ等の透明導電膜をスパッタリング等の方法で成膜
し、パターン形成により画素電極１６を形成する。さら
に、ＣｒおよびＡｌ等を主成分とする金属膜をスパッタ
リング法等により成膜し、パターン形成を行い、ソース
電極線１７、ドレイン電極１８を形成し、これらをマス
クとしてチャネル上の不要なｎ−ａ−Ｓｉ層１５をドラ
イエッチング等により除去し、最後に保護膜１９を形成
して逆スタガー型ＴＦＴを備えたＴＦＴアレイ基板が形
成される。
【０００９】本実施の形態では、上述のＴＦＴアレイ基
板製造工程の写真製版工程、例えばＣｒ、Ａｌ等の金属
薄膜が形成されたガラス基板１上にレジスト膜を形成す
る工程において、ノズルが接近した際に生じる放電によ
るＴＦＴアレイの回路パターンの静電破壊を防止するこ
とが可能なＴＦＴアレイ基板の製造方法およびレジスト
塗布装置を提供するものである。図２は、本実施の形態
におけるレジスト塗布装置の動作を示す模式図である。
図において、１はレジストが塗布される被処理基板であ
るガラス基板、２はガラス基板１を水平に保持するテー
ブルで、例えば真空チャック、３はガラス基板１中央部
上にレジスト４を吐出するノズル、５はガラス基板１に
蓄積された電荷、６はガラス基板１上に発生した放電を
示している。なお、このレジスト塗布装置は、ノズル３
にレジスト４を供給するレジスト供給部（図示せず）
と、ノズル３の駆動手段（図示せず）を備えている。次
に、動作を説明する。被処理基板であるガラス基板１は
真空チャック２により水平に保持され、帯電した状態に
ある（図２(a) ）。ノズル３は、一旦、ガラス基板１の
端部に近接して停止し、ガラス基板１に蓄積されている
電荷５を基板１端部で放電させて基板１の帯電量を減少
させる（図２(b) ）。その後、ノズル３は、ガラス基板
１の中央部上に移動して停止し（図２(c) ）、レジスト
４を吐出し、ガラス基板１上にレジスト４が塗布される
（図２(d) ）。この時、ガラス基板１は、電荷５の保有
量が減少しているため、ノズル３が基板１中央部に接近
しても放電６が発生することはない。
板製造工程の写真製版工程、例えばＣｒ、Ａｌ等の金属
薄膜が形成されたガラス基板１上にレジスト膜を形成す
る工程において、ノズルが接近した際に生じる放電によ
るＴＦＴアレイの回路パターンの静電破壊を防止するこ
とが可能なＴＦＴアレイ基板の製造方法およびレジスト
塗布装置を提供するものである。図２は、本実施の形態
におけるレジスト塗布装置の動作を示す模式図である。
図において、１はレジストが塗布される被処理基板であ
るガラス基板、２はガラス基板１を水平に保持するテー
ブルで、例えば真空チャック、３はガラス基板１中央部
上にレジスト４を吐出するノズル、５はガラス基板１に
蓄積された電荷、６はガラス基板１上に発生した放電を
示している。なお、このレジスト塗布装置は、ノズル３
にレジスト４を供給するレジスト供給部（図示せず）
と、ノズル３の駆動手段（図示せず）を備えている。次
に、動作を説明する。被処理基板であるガラス基板１は
真空チャック２により水平に保持され、帯電した状態に
ある（図２(a) ）。ノズル３は、一旦、ガラス基板１の
端部に近接して停止し、ガラス基板１に蓄積されている
電荷５を基板１端部で放電させて基板１の帯電量を減少
させる（図２(b) ）。その後、ノズル３は、ガラス基板
１の中央部上に移動して停止し（図２(c) ）、レジスト
４を吐出し、ガラス基板１上にレジスト４が塗布される
（図２(d) ）。この時、ガラス基板１は、電荷５の保有
量が減少しているため、ノズル３が基板１中央部に接近
しても放電６が発生することはない。
【００１０】なお、ノズル３をガラス基板１端部に近接
して停止させる際に、長方形のガラス基板１のいずれか
１つの角部に近接して停止させ、基板１に蓄積された電
荷５を基板１角部で放電させてもよい。また、図３に示
すように、ノズル３にアース線７を接続し、ノズル３を
接地することにより、放電した電荷５が速やかにノズル
３外部に逃げることができるため、より効果的にガラス
基板１の電荷５を減少させることができる。
して停止させる際に、長方形のガラス基板１のいずれか
１つの角部に近接して停止させ、基板１に蓄積された電
荷５を基板１角部で放電させてもよい。また、図３に示
すように、ノズル３にアース線７を接続し、ノズル３を
接地することにより、放電した電荷５が速やかにノズル
３外部に逃げることができるため、より効果的にガラス
基板１の電荷５を減少させることができる。
【００１１】以上のように、本実施の形態によれば、帯
電した状態にあるガラス基板１上にレジスト４等の液状
物質を塗布する際に、一旦、ノズル３をガラス基板１端
部に近接して停止させ、基板１端部で放電５を発生させ
るさせるようにしたので、ＴＦＴアレイの回路パターン
が形成されているガラス基板１の中央部上にノズル３を
接近させた時に放電６が発生することがなく、回路パタ
ーンの静電破壊を防止することができる。その結果、Ｔ
ＦＴアレイ基板の製造歩留まりが向上する効果がある。
電した状態にあるガラス基板１上にレジスト４等の液状
物質を塗布する際に、一旦、ノズル３をガラス基板１端
部に近接して停止させ、基板１端部で放電５を発生させ
るさせるようにしたので、ＴＦＴアレイの回路パターン
が形成されているガラス基板１の中央部上にノズル３を
接近させた時に放電６が発生することがなく、回路パタ
ーンの静電破壊を防止することができる。その結果、Ｔ
ＦＴアレイ基板の製造歩留まりが向上する効果がある。
【００１２】実施の形態２．図４は、本発明の実施の形
態２であるレジスト塗布装置を示す模式図である。図に
おいて、８はガラス基板１を水平に保持する真空チャッ
ク２上方に設けられ、ガラス基板１に軟Ｘ線を照射し、
基板１に蓄積された電荷を除去する軟Ｘ線照射部、９は
ノズル３にレジストを供給するレジスト供給部である。
なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明
を省略する。本実施の形態では、真空チャック３に水平
に保持され帯電した状態にあるガラス基板１に、軟Ｘ線
照射部８より軟Ｘ線を照射し、基板１に蓄積された電荷
を除去または低減するものである。この軟Ｘ線の照射
は、従来のイオン発生装置に比べて非常に効率が良く、
発塵することもないため、極めて清浄な雰囲気を必要と
するレジスト塗布装置内の除電に適している。
態２であるレジスト塗布装置を示す模式図である。図に
おいて、８はガラス基板１を水平に保持する真空チャッ
ク２上方に設けられ、ガラス基板１に軟Ｘ線を照射し、
基板１に蓄積された電荷を除去する軟Ｘ線照射部、９は
ノズル３にレジストを供給するレジスト供給部である。
なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明
を省略する。本実施の形態では、真空チャック３に水平
に保持され帯電した状態にあるガラス基板１に、軟Ｘ線
照射部８より軟Ｘ線を照射し、基板１に蓄積された電荷
を除去または低減するものである。この軟Ｘ線の照射
は、従来のイオン発生装置に比べて非常に効率が良く、
発塵することもないため、極めて清浄な雰囲気を必要と
するレジスト塗布装置内の除電に適している。
【００１３】なお、本実施の形態によるレジスト塗布装
置では、軟Ｘ線照射部８を真空チャック２上に１ヵ所に
のみ固定して設けたが、ガラス基板１の搬送経路も含め
た広範囲に数ヵ所設けてもよく、また、軟Ｘ線照射部８
を、任意の角度で軟Ｘ線の照射が可能となるように、首
振り自在に取り付けてもよい。
置では、軟Ｘ線照射部８を真空チャック２上に１ヵ所に
のみ固定して設けたが、ガラス基板１の搬送経路も含め
た広範囲に数ヵ所設けてもよく、また、軟Ｘ線照射部８
を、任意の角度で軟Ｘ線の照射が可能となるように、首
振り自在に取り付けてもよい。
【００１４】なお、上記実施の形態１および２では、レ
ジスト塗布装置について述べたが、本発明はレジスト４
の塗布に限るものではなく、現像液、エッチング液およ
び純水リンス等、他の液状物質をガラス基板１に塗布す
る際にも適用することができ、同様の効果を奏する。
ジスト塗布装置について述べたが、本発明はレジスト４
の塗布に限るものではなく、現像液、エッチング液およ
び純水リンス等、他の液状物質をガラス基板１に塗布す
る際にも適用することができ、同様の効果を奏する。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、被処理
基板にレジスト等の液状物質を塗布する工程において、
一旦、ノズルを被処理基板端部に近接して停止させ、基
板端部で放電を発生させるさせるようにしたので、ＴＦ
Ｔアレイの回路パターンが形成されている基板中央部上
にノズルを接近させた時に放電が発生することがなく、
回路パターンの静電破壊を防止することが可能であり、
ＴＦＴアレイ基板の製造歩留まりが向上する。
基板にレジスト等の液状物質を塗布する工程において、
一旦、ノズルを被処理基板端部に近接して停止させ、基
板端部で放電を発生させるさせるようにしたので、ＴＦ
Ｔアレイの回路パターンが形成されている基板中央部上
にノズルを接近させた時に放電が発生することがなく、
回路パターンの静電破壊を防止することが可能であり、
ＴＦＴアレイ基板の製造歩留まりが向上する。
【００１６】また、液状物質塗布装置のテーブル上方
に、被処理基板に軟Ｘ線を照射し、基板に蓄積された電
荷を除去する軟Ｘ線照射部を設けたので、ＴＦＴアレイ
の回路パターンの静電破壊を防止することが可能であ
り、ＴＦＴアレイ基板の製造歩留まりが向上する。
に、被処理基板に軟Ｘ線を照射し、基板に蓄積された電
荷を除去する軟Ｘ線照射部を設けたので、ＴＦＴアレイ
の回路パターンの静電破壊を防止することが可能であ
り、ＴＦＴアレイ基板の製造歩留まりが向上する。
【図１】 本発明の実施の形態１において作製されるＴ
ＦＴアレイ基板を示す断面図である。
ＦＴアレイ基板を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１であるレジスト塗布装
置の動作を示す模式図である。
置の動作を示す模式図である。
【図３】 本発明の実施の形態１であるレジスト塗布装
置のノズルを示す模式図である。
置のノズルを示す模式図である。
【図４】 本発明の実施の形態２であるレジスト塗布装
置を示す模式図である。
置を示す模式図である。
【図５】 従来のレジスト塗布装置の動作を示す模式図
である。
である。
１ ガラス基板、２ 真空チャック、３ ノズル、４
レジスト、５ 電荷、６ 放電、７ アース線、８ 軟
Ｘ線照射部、９ レジスト供給部、１１ ガラス基板、
１２ ゲート電極、１３ ゲート絶縁膜、１４ ｉ−ａ
−Ｓｉ層、１５ ｎ−ａ−Ｓｉ層、１６ 画素電極、１
７ ソース電極、１８ ドレイン電極、１９ 保護膜。
レジスト、５ 電荷、６ 放電、７ アース線、８ 軟
Ｘ線照射部、９ レジスト供給部、１１ ガラス基板、
１２ ゲート電極、１３ ゲート絶縁膜、１４ ｉ−ａ
−Ｓｉ層、１５ ｎ−ａ−Ｓｉ層、１６ 画素電極、１
７ ソース電極、１８ ドレイン電極、１９ 保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２６Ｃ 21/336 ６２７Ｚ
Claims (6)
- 【請求項１】 透明絶縁性基板上に形成された複数本の
ゲート電極線と交差する複数本のソース電極線の各交点
に設けられた薄膜トランジスタと、この薄膜トランジス
タに接続された透明導電膜よりなる画素電極を備えたＴ
ＦＴアレイ基板の製造方法であって、 被処理基板を水平に保持し、上記基板上にレジスト等の
液状物質を塗布するノズルを一旦上記基板端部に近接し
て停止させ、上記基板に蓄積された電荷を上記基板端部
で放電させて上記基板の帯電量を減少させた後、上記ノ
ズルを上記基板中央部上に移動させ、上記液状物質を塗
布する工程を含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板の
製造方法。 - 【請求項２】 ノズルを長方形の被処理基板のいずれか
１つの角部に近接して停止させ、上記基板に蓄積された
電荷を上記基板角部で放電させることを特徴とする請求
項１記載のＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 【請求項３】 被処理基板を水平に保持するテーブル、 上記被処理基板上に液状物質を吐出するノズル、 このノズルを駆動する駆動手段、 上記ノズルに上記液状物質を供給する液状物質供給部を
備え、上記ノズルは、上記基板端部に近接して停止した
後、上記基板中央部上に移動して停止し、上記液状物質
を塗布することを特徴とする液状物質塗布装置。 - 【請求項４】 ノズルは接地されていることを特徴とす
る請求項３記載の液状物質塗布装置。 - 【請求項５】 被処理基板を水平に保持するテーブル、 上記被処理基板上に液状物質を吐出するノズル、 このノズルを駆動する駆動手段、 上記ノズルに上記液状物質を供給する液状物質供給部、 上記テーブル上方に設けられ、上記基板に軟Ｘ線を照射
し、上記基板に蓄積された電荷を除去する軟Ｘ線照射部
を備えたことを特徴とする液状物質塗布装置。 - 【請求項６】 軟Ｘ線照射部は、任意の角度で軟Ｘ線の
照射が可能なように取り付けられていることを特徴とす
る請求項５記載の液状物質塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32493397A JPH11160728A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Ｔｆｔアレイ基板の製造方法および液状物質塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32493397A JPH11160728A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Ｔｆｔアレイ基板の製造方法および液状物質塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160728A true JPH11160728A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18171244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32493397A Pending JPH11160728A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Ｔｆｔアレイ基板の製造方法および液状物質塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11160728A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013157366A1 (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及びフィルタ装置 |
| JP2014154623A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP2017022414A (ja) * | 2016-10-17 | 2017-01-26 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP2020170119A (ja) * | 2019-04-04 | 2020-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 光学フィルムの製造方法及び光学フィルムの製造装置 |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP32493397A patent/JPH11160728A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013157366A1 (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及びフィルタ装置 |
| JP2013222947A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びにフィルタ装置 |
| JP2014154623A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP2017022414A (ja) * | 2016-10-17 | 2017-01-26 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP2020170119A (ja) * | 2019-04-04 | 2020-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 光学フィルムの製造方法及び光学フィルムの製造装置 |
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