JPH11207171A - 有機汚染除去装置およびこれを用いた液晶表示装置の製造装置 - Google Patents

有機汚染除去装置およびこれを用いた液晶表示装置の製造装置

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JPH11207171A JP1027998A JP1027998A JPH11207171A JP H11207171 A JPH11207171 A JP H11207171A JP 1027998 A JP1027998 A JP 1027998A JP 1027998 A JP1027998 A JP 1027998A JP H11207171 A JPH11207171 A JP H11207171A
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宏二 薮下
Kazuhiko Noguchi
和彦 野口
Takeshi Kubota
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 少ないランプ数で被処理基板全面にUV照射
が可能で、かつ装置面積の小さい有機汚染除去装置を提
供する。 【解決手段】 内部に被処理基板4の長辺よりも若干長
く設定されたエキシマUVランプ1が1本配置されたエ
キシマUVユニット3を、静止している被処理基板4上
で基板面と平行に矢印の方向に走査させ、被処理基板4
全面に均一なUV照射を行う。また、エキシマUVユニ
ット3の走査速度を被処理基板4の端部付近では遅く、
中央部付近では速く切換え、外部からの有機汚染の影響
を受けやすい基板端部でのUV照射時間を長くすること
で、全体として均一な有機汚染除去効果を得ることが可
能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の基
板洗浄工程および写真製版工程等において用いられる有
機汚染除去装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、通常、薄膜トランジス
タ(TFT)を含むスイッチング素子およびこのスイッ
チング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有する
TFTアレイ基板と、透明電極およびカラーフィルタ等
を有し、TFTアレイ基板との間に液晶を挟持する対向
電極基板より構成されている。このTFTアレイ基板の
一般的な製造方法を図5を用いて説明する。図におい
て、21はガラス基板、22はゲート電極、23はゲー
ト絶縁膜、24はi−a−Si膜、25はn−a−Si
膜、26は画素電極、27はソース電極、28はドレイ
ン電極、29はパッシベーション膜をそれぞれ示す。ま
ず、ガラス基板21上にゲート電極22をCr等で形成
した後、ゲート絶縁膜23、i−a−Si膜24および
n−a−Si膜25を連続して成膜し、i−a−Si膜
24およびn−a−Si膜25をアイランド状にパター
ニングする。次にITO等の透明導電膜からなる画素電
極26を成膜し、パターン形成する。さらに、ソース電
極27およびドレイン電極28を形成し、これらをマス
クとしてチャネル上の不要なn−a−Si膜25をドラ
イエッチング等で除去した後、パッシベーション膜29
を形成して、TFTアレイ基板が完成する。
【0003】以上のようなTFTアレイ基板の製造工程
において、成膜前洗浄装置、写真製版装置等には、UV
照射によって基板表面の有機汚染を除去する有機汚染除
去装置が備えられている。例えば成膜前洗浄装置では、
ウェット処理前の基板にUV照射を行うことにより、基
板表面の濡れ性を改善し洗浄処理効果を上げている。ま
た、写真製版装置では、レジスト塗布前の基板にUV照
射を行うことにより有機汚染を除去し、デポ膜とレジス
トの密着力を向上させている。この有機汚染除去のため
のUV照射において、近年、低圧水銀UVランプに変わ
り、エキシマUVランプが注目されている。エキシマU
Vは、172nm波長の紫外線を用いるもので、185
nm波長の低圧水銀UVに比べエネルギーが大きく、よ
り多くの励起酸素を生成し、有機物の分子結合を容易に
切断することができる。このため、エキシマUVは低圧
水銀UVに比べ有機汚染除去能力が高く、短時間照射で
低圧水銀UVと同等の除去効果が得られる。また、赤外
線を発生させず、照射時間が短くても除去効果が得られ
るため、膜へのダメージが少ないというメリットがあ
る。さらに、エキシマUVランプを用いた有機汚染除去
装置は、瞬時点灯、点滅点灯が可能なため、基板の処理
をしていない時はランプをオフできるという機能も有し
ている。
【0004】図6および図7は、エキシマUVランプを
用いた従来の有機汚染除去装置を示す側面図である。図
において、1はエキシマUVランプ、2は窓面を形成し
ている石英ガラス、4は被処理基板、5は被処理基板4
を載置するステージ、6は内部にステージ5およびエキ
シマUVランプ1等が設置され、紫外線が外部に漏れる
のを防ぐ外囲器、15は被処理基板4を搬送するローラ
ーである。図6は、静止した被処理基板4上にエキシマ
UVランプ1を多数本配置し、被処理基板4全面に一括
照射する方法を示している。また、図7は、エキシマU
Vランプ1を固定し、被処理基板4をローラー15によ
り処理室内で移動させ、被処理基板4全面にUV照射を
行う方法を示している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、エキシ
マUVランプ1は優れた有機汚染除去効果を有している
が、低圧水銀ランプに比べ価格が高く、ランプ寿命が短
いという問題があった。また、エキシマUVランプ1に
は、石英ガラス2よりなる窓面が必要であり、この石英
ガラス2が高コストの要因の一つとなっていた。例え
ば、図6に示した被処理基板4全面に一括照射で処理す
る方法では、近年の基板の大型化に伴い、エキシマUV
ランプ1が多数必要となり、さらに、エキシマUVラン
プ1を閉じ込める石英ガラス2も大型化が必要であり、
コストが高くなるという問題があった。また、図7に示
したローラー15により被処理基板4を処理室内で移動
させる方法では、エキシマUVランプ1の本数を少なく
できるという利点はあるが、被処理基板4全面にUV照
射を行うためには、処理室は処理方向に対して最低でも
被処理基板4の2倍の大きさが必要となり、装置面積が
大きくなるという問題があった。
【0006】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、少ないランプ数で被処理基板全
面にUV照射が可能で、かつ装置面積の小さい有機汚染
除去装置および液晶表示装置の製造装置を提供するもの
である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる有機汚染
除去装置は、被処理基板を載置するステージと、このス
テージに近接して設置され、石英ガラスよりなる窓面を
有し、内部にエキシマUVランプが1本以上配置された
エキシマUVユニットと、エキシマUVユニットを被処
理基板面に対して平行に走査させる駆動手段と、内部に
ステージおよびエキシマUVユニットが設置され、エキ
シマUVユニットから照射される紫外線が外部に漏れる
のを防ぐ外囲器を備えたものである。また、エキシマU
Vランプの長さは、長方形の被処理基板に対して、上記
エキシマUVユニットの移動方向に交差する被処理基板
の辺よりも若干長く設定されているものである。さら
に、駆動手段は、エキシマUVユニットを、被処理基板
端部において被処理基板中央部よりも遅く走査させるも
のである。
【0008】また、本発明に係わる液晶表示装置の製造
装置は、ガラス基板上に薄膜トランジスタを含むスイッ
チング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ
制御される表示素子を有するTFTアレイ基板と、透明
電極およびカラーフィルタ等を有する対向電極基板の間
に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造装置であっ
て、上記のいずれかに記載の有機汚染除去装置と、ガラ
ス基板に洗浄および写真製版等の処理を行う複数の処理
室と、有機汚染除去装置および各処理室間でガラス基板
を移動させる基板搬送ロボットを備えたものである。
【0009】
【発明の実施の形態】実施の形態1.以下に、本発明の
実施の形態を図について説明する。図1(a) 、(b) は、
本発明の実施の形態1である有機汚染除去装置を示す平
面図および側面図である。図において、1は172nm
波長の紫外線を照射するエキシマUVランプ、2は石英
ガラス、3は内部にエキシマUVランプ1が1本以上配
置され、石英ガラス2よりなる窓面を有するエキシマU
Vユニット、4は被処理基板で、本実施の形態では長方
形のガラス基板、5は被処理基板4を水平に載置するス
テージであり、このステージ5に近接してエキシマUV
ユニット3が設置されている。また、6は内部にステー
ジ5およびエキシマUVユニット3が設置され、エキシ
マUVユニット3から照射される紫外線が外部に漏れる
のを防ぐ外囲器、7は本実施の形態による有機汚染除去
装置を示す。本実施の形態による有機汚染除去装置7
は、エキシマUVユニット3をステージ5に載置された
被処理基板4面に対して平行に走査させる駆動手段(図
示せず)を備えている。なお、図1(a) の矢印は、エキ
シマUVユニット3の走査方向を示している。
【0010】本実施の形態による有機汚染除去装置7
は、内部に被処理基板4の長辺よりも若干長く設定され
たエキシマUVランプ1が1本配置されたエキシマUV
ユニット3を、静止している被処理基板4上で基板面と
平行に矢印の方向に走査させ、少ないランプ数で、被処
理基板4全面に均一なUV照射を行うものである。エキ
シマUVユニット3内に配置されるエキシマUVランプ
1の本数は1本に限るものではなく、複数本配置しても
良いが、被処理基板4全面一括照射に必要な本数よりも
少ない本数を配置することにより、従来の有機汚染除去
装置(図6)に比べ、低コスト化を図ることが可能とな
る。また、図2は、被処理基板4の短辺よりも若干長く
設定されたエキシマUVランプ1が内部に1本配置され
たエキシマUVユニット3を、被処理基板4の短辺と平
行に配置し、図2(a) に示す矢印の方向に走査させた例
である。この場合には、エキシマUVランプ1の長さは
短くできるが、エキシマUVユニット3を走査させる距
離が長くなる。本実施の形態による有機汚染除去装置
は、図1および図2のどちらの配置方法でも良く、同様
の効果が得られる。
【0011】本実施の形態による有機汚染除去装置7を
液晶表示装置の製造装置に用いた例を以下に説明する。
液晶表示装置は、通常、ガラス基板上に薄膜トランジス
タを含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子
を経てそれぞれ制御される表示素子を有するTFTアレ
イ基板と、透明電極およびカラーフィルタ等を有し、T
FTアレイ基板との間に液晶を挟持する対向電極基板よ
り構成されている。図3は、本実施の形態による有機汚
染除去装置7を用いた液晶表示装置の製造装置である写
真製版装置の配置例を示す図である。図において、8は
スクラブ洗浄室、9は塗布室、10は現像室、11は露
光室、12は加熱冷却室、13は被処理基板4の受け渡
しを行うカセットローダ/アンローダ部、14は有機汚
染除去装置7および各処理室間で被処理基板4を移動さ
せる基板搬送ロボットである。本実施の形態による有機
汚染除去装置7を備え、基板搬送ロボット14により各
処理室への基板の搬入および処理後の搬出を行うように
することで、ローラー15により被処理基板4を搬送す
る従来の有機汚染除去装置(図7)を用いた場合に比
べ、液晶表示装置の製造装置の小型化が可能となる。な
お、本実施の形態による有機汚染除去装置7は、液晶表
示装置の製造装置として、上述の写真製版装置の他に、
成膜前洗浄装置にも用いることができる。
【0012】実施の形態2.以下に、本発明の実施の形
態2における有機汚染除去装置の走査方法を図4を用い
て説明する。図4(a) は、本実施の形態における有機汚
染除去装置のエキシマUVユニット3の走査方向を示す
平面図、図4(b) は、図4(a) に示した被処理基板4内
の接触角分布をAB方向で見た図、図4(c) は、エキシ
マUVユニット3の走査速度の切換を示す図である。
【0013】被処理基板4は、通常、カセットに収納さ
れた状態で保管および搬送されており、被処理基板4の
外周部は、中央部に比べて外部からの有機汚染の影響を
受けやすい。このことは、図4(b) に示すように、被処
理基板4内の接触角分布をA、B方向で見た場合、基板
外周部AおよびBの接触角が基板中央部Cの接触角より
高いことからも明らかである。そこで、本実施の形態で
は、図4(c) に示すように、エキシマUVユニット3の
走査速度を被処理基板4の端部A、B付近では遅く、中
央部C付近では速く切換え、基板端部でのUV照射時間
を長くすることで、全体として均一な有機汚染除去効果
を得ることを可能とした。
【0014】なお、上記実施の形態1および2では、被
処理基板4をステージ5に水平に載置したが、被処理基
板4を垂直に立てて保持するようにしても良く、さらに
装置の小型化が図られる。
【0015】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、内部に
エキシマUVランプが1本以上配置されたエキシマUV
ユニットを、被処理基板面に対して平行に走査させるよ
うにしたので、少ないランプ数で被処理基板全面にUV
照射が可能となり、有機汚染除去装置の低コスト化およ
び装置面積の縮小化が図られる。
【0016】また、エキシマUVユニットを、被処理基
板端部において基板中央部よりも遅く走査させるように
したので、外部からの有機汚染の影響を受けやすい基板
端部でのUV照射時間が長くなり、全体として均一な有
機汚染除去効果を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1における有機汚染除去
装置を示す平面図および側面図である。
【図2】 本発明の実施の形態1における有機汚染除去
装置を示す平面図および側面図である。
【図3】 本発明の実施の形態1における有機汚染除去
装置を用いた写真製版装置の配置例を示す図である。
【図4】 本発明の実施の形態2における有機汚染除去
装置の走査方法を示す図である。
【図5】 液晶表示装置を構成する一般的なTFTアレ
イ基板の構造を示す断面図である。
【図6】 従来の有機汚染除去装置を示す側面図であ
る。
【図7】 従来の有機汚染除去装置を示す側面図であ
る。
【符号の説明】
1 エキシマUVランプ、2 石英ガラス、3 エキシ
マUVユニット、4 被処理基板、5 ステージ、6
外囲器、7 有機汚染除去装置、8 スクラブ洗浄室、
9 塗布室、10 現像室、11 露光室、12 加熱
冷却室、13 カセットローダ/アンローダ部、14
基板搬送ロボット、15 ローラー、21 ガラス基
板、22 ゲート電極、23 ゲート絶縁膜、24 i
−a−Si膜、25 n−a−Si膜、26 画素電
極、27 ソース電極、28 ドレイン電極、29 パ
ッシベーション膜。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板を載置するステージ、 上記ステージに近接して設置され、石英ガラスよりなる
    窓面を有し、内部にエキシマUVランプが1本以上配置
    されたエキシマUVユニット、 上記エキシマUVユニットを、上記被処理基板面に対し
    て平行に走査させる駆動手段、 内部に上記ステージおよび上記エキシマUVユニットが
    設置され、上記エキシマUVユニットから照射される紫
    外線が外部に漏れるのを防ぐ外囲器を備えたことを特徴
    とする有機汚染除去装置。
  2. 【請求項2】 エキシマUVランプの長さは、長方形の
    被処理基板に対して、上記エキシマUVユニットの移動
    方向に交差する被処理基板の辺よりも若干長く設定され
    ていることを特徴とする請求項1記載の有機汚染除去装
    置。
  3. 【請求項3】 駆動手段は、エキシマUVユニットを、
    被処理基板端部において上記被処理基板中央部よりも遅
    く走査させることを特徴とする請求項1または請求項2
    に記載の有機汚染除去装置。
  4. 【請求項4】 ガラス基板上に薄膜トランジスタを含む
    スイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそ
    れぞれ制御される表示素子を有するTFTアレイ基板
    と、透明電極およびカラーフィルタ等を有する対向電極
    基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造装置
    であって、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の
    有機汚染除去装置と、上記ガラス基板に洗浄および写真
    製版等の処理を行う複数の処理室と、上記有機汚染除去
    装置および上記各処理室間で上記ガラス基板を移動させ
    る基板搬送ロボットを備えたことを特徴とする液晶表示
    装置の製造装置。
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