JPS6140102B2 - - Google Patents
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- JPS6140102B2 JPS6140102B2 JP13103079A JP13103079A JPS6140102B2 JP S6140102 B2 JPS6140102 B2 JP S6140102B2 JP 13103079 A JP13103079 A JP 13103079A JP 13103079 A JP13103079 A JP 13103079A JP S6140102 B2 JPS6140102 B2 JP S6140102B2
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- Japan
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- layer
- mask
- positive resist
- repair
- pinhole
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はハードマスクのピンホール修正方法に
関するものである。半導体集積回路特にLSI等の
半導体装置を製造する際には多くの種類のハード
マスクが使用されているが、これらハードマスク
に存在するピンホールは半導体装置の性能や信頼
性或るいは製造歩留りに悪影響を与えるので、ハ
ードマスクの製造工程に於いてピンホールの修正
工程は欠くことのできない工程である。
関するものである。半導体集積回路特にLSI等の
半導体装置を製造する際には多くの種類のハード
マスクが使用されているが、これらハードマスク
に存在するピンホールは半導体装置の性能や信頼
性或るいは製造歩留りに悪影響を与えるので、ハ
ードマスクの製造工程に於いてピンホールの修正
工程は欠くことのできない工程である。
従来該ハードマスクの修正工程に於いて行つて
いた方法はクロムマスクを例にとつて説明する
と、先ず第１図に示すようにガラス基板１上に被
着形成されているクロムマスク層２にピンホール
３が存在するクロムマスクに対して、第２図に示
すようにクロムマスク層２を有する面全面にポジ
レジスト層４を塗着し、スポツト顕微鏡等により
ポジレジスト層４上からクロムマスク層２のピン
ホール３の位置を検出し、引続いて該ピンホール
３を覆う領域のポジレジスト層４に紫外線５等を
照射して露光を行う。次いで該クロムマスクをポ
ジレジストの現像液に浸漬し、前記ポジレジスト
層４の露光領域を溶解除去せしめて、第３図に示
すようにポジレジスト層４に修正窓６を形成す
る。次いで第４図に示すように該マスク面全面に
蒸着等の方法により修正用クロム層７を被着して
後、該クロムマスクを70〜90〔℃〕程度に加熱し
た熱アルカリ溶液等に浸漬して、ポジレジスト層
４を溶解しいわゆるリフトオフ法により、ポジレ
ジスト層４上に被着している修正用クロム層７を
剥離除去し、第５図に示すように前記修正窓６の
底部に於てクロムマスク層２上に直かに被着して
ピンホール３を埋めている修正用クロム層からな
る被覆層８を形成せしめる方法であつた。
いた方法はクロムマスクを例にとつて説明する
と、先ず第１図に示すようにガラス基板１上に被
着形成されているクロムマスク層２にピンホール
３が存在するクロムマスクに対して、第２図に示
すようにクロムマスク層２を有する面全面にポジ
レジスト層４を塗着し、スポツト顕微鏡等により
ポジレジスト層４上からクロムマスク層２のピン
ホール３の位置を検出し、引続いて該ピンホール
３を覆う領域のポジレジスト層４に紫外線５等を
照射して露光を行う。次いで該クロムマスクをポ
ジレジストの現像液に浸漬し、前記ポジレジスト
層４の露光領域を溶解除去せしめて、第３図に示
すようにポジレジスト層４に修正窓６を形成す
る。次いで第４図に示すように該マスク面全面に
蒸着等の方法により修正用クロム層７を被着して
後、該クロムマスクを70〜90〔℃〕程度に加熱し
た熱アルカリ溶液等に浸漬して、ポジレジスト層
４を溶解しいわゆるリフトオフ法により、ポジレ
ジスト層４上に被着している修正用クロム層７を
剥離除去し、第５図に示すように前記修正窓６の
底部に於てクロムマスク層２上に直かに被着して
ピンホール３を埋めている修正用クロム層からな
る被覆層８を形成せしめる方法であつた。
然し上記のような従来方法に於てはポジレジス
ト層４上面が総て修正用クロム層６で覆われてい
るので、リフトオフに際してポジレジスト層４へ
熱アルカリ液が浸入しにくいために、ポジレジス
ト層４を溶解してその上層の修正用クロム層７を
剥離するのに２〔時間〕以上の長時間を要してい
た。従つて上記方法に於て大量のマスクを処理す
る際には多くの設備が必要になり、又広い面積の
作業場がいるという問題があつた。そこで作業工
数や設備を削減するためにリフトオフの時間を短
縮する方法として、70〜90〔℃〕程度に加熱した
苛性ソーダ（NaOH）等のアルカリ液をマスク面
に噴射させながら、ナイロンブラシ等でこする方
法もあるが、この方法は非常に危険性を伴い、又
マスク層を傷つけたり、更に又修正用クロム層の
細片がマスクパターンの間にはさまつて除去しき
れないという問題があつた。
ト層４上面が総て修正用クロム層６で覆われてい
るので、リフトオフに際してポジレジスト層４へ
熱アルカリ液が浸入しにくいために、ポジレジス
ト層４を溶解してその上層の修正用クロム層７を
剥離するのに２〔時間〕以上の長時間を要してい
た。従つて上記方法に於て大量のマスクを処理す
る際には多くの設備が必要になり、又広い面積の
作業場がいるという問題があつた。そこで作業工
数や設備を削減するためにリフトオフの時間を短
縮する方法として、70〜90〔℃〕程度に加熱した
苛性ソーダ（NaOH）等のアルカリ液をマスク面
に噴射させながら、ナイロンブラシ等でこする方
法もあるが、この方法は非常に危険性を伴い、又
マスク層を傷つけたり、更に又修正用クロム層の
細片がマスクパターンの間にはさまつて除去しき
れないという問題があつた。
本発明は上記のような問題点に鑑み、従来にく
らべて短時間でしかも危険性少なく修正すること
ができ、且つ傷や修正用クロム層の残渣によりマ
スク品質を低下せしめることのないハードマスク
に於けるピンホールの修正方法を提供する。
らべて短時間でしかも危険性少なく修正すること
ができ、且つ傷や修正用クロム層の残渣によりマ
スク品質を低下せしめることのないハードマスク
に於けるピンホールの修正方法を提供する。
即ち本発明はハードマスクのピンホールを修正
するに際して、遮光膜を有するマスク面上に第１
のフオトレジスト層を被着し、該第１のフオトレ
ジスト層に於ける遮光膜のピンホールを覆う領域
にピンホール修正窓を形成して後、該マスク面全
面に修正材料層を被着し、次いで該修正材料層に
於ける前記ピンホール修正窓を覆う領域に第２の
フオトレジスト層を被着して後、該第２のフオト
レジスト層をマスクとして露出している修正材料
層を除去し、次いで前記第２フオトレジスト層及
び第１のフオトレジスト層を除去して、遮光膜の
ピンホール部に修正材料の被覆層を残留せしめる
ことを特徴とする。以下本発明を一実施例につい
て第１図乃至第４図及び第６図乃至第８図の工程
説明用断面図を用いて詳細に説明する。
するに際して、遮光膜を有するマスク面上に第１
のフオトレジスト層を被着し、該第１のフオトレ
ジスト層に於ける遮光膜のピンホールを覆う領域
にピンホール修正窓を形成して後、該マスク面全
面に修正材料層を被着し、次いで該修正材料層に
於ける前記ピンホール修正窓を覆う領域に第２の
フオトレジスト層を被着して後、該第２のフオト
レジスト層をマスクとして露出している修正材料
層を除去し、次いで前記第２フオトレジスト層及
び第１のフオトレジスト層を除去して、遮光膜の
ピンホール部に修正材料の被覆層を残留せしめる
ことを特徴とする。以下本発明を一実施例につい
て第１図乃至第４図及び第６図乃至第８図の工程
説明用断面図を用いて詳細に説明する。
例えば本発明をクロムマスクのピンホール修正
に適用する場合について説明すると、先ず第１図
に示すようにガラス基板１上に被着形成されてい
る500〜600〔Å〕程度の厚さのクロムマスク層２
に通常問題になる大きさ、即ち10〔μｍ中〕以下
程度のピンホール３が存在するクロムマスクに対
して、第２図に示すようにクロムマスク層２を有
する面全面に5000〜6000〔Å〕程度の厚さのポジ
レジスト層４を塗着し、スポツト顕微鏡等により
ポジレジスト層４上からクロムマスク層２のピン
ホール３の位置を検出し、引続いて該ピンホール
３を覆う領域のポジレジスト層４に紫外線５等を
照射して露光を行う。次いで該クロムマスクをポ
ジレジストの現像液に浸漬し、前記ポジレジスト
層４の露光領域を溶解除去せしめて、第３図に示
すようにポジレジスト層４にピンホール３の大き
さをやや上廻る大きさの修正窓６を形成する。次
いで第４図に示すように該マスク面全面に蒸着或
るいはスパツタリング等の方法により600〜1000
〔Å〕程度の厚さの修正用クロム層７を被着して
後、再び顕微鏡を用いて修正用クロム層７上から
ポジレジスト層４に形成されている修正窓６の位
置を検出し、第６図に示すように修正窓６を覆う
部分の修正用クロム層７上にレジスト吐出装置を
用いてポジレジストを塗着し、１〜２〔μｍ〕程
度の厚さの第２のポジレジストによるマスク層９
を形成する。次いで該クロムマスクを硝酸第二セ
リウム・アンモン或いは過塩素酸等からなるエツ
チング液に30〜60〔秒〕程度浸漬し、第７図に示
すように前記第２のポジレジストによるマスク層
９に覆われていない部分の修正用クロム層７を溶
解除去して第１のポジレジスト層４を露出せしめ
て後、該クロムマスクを70〜90〔℃〕程度に加熱
されたNaOH等からなる熱アルカリ液に30〜60
〔秒〕程度浸漬し、第２のポジレジストによるマ
スク層９及び第１のポジレジスト層４を溶解除去
して、第８図に示すようにクロムマスク層２上に
直かに被着してピンホール３を埋めている修正用
クロム層からなる被覆層８を形成させる。
に適用する場合について説明すると、先ず第１図
に示すようにガラス基板１上に被着形成されてい
る500〜600〔Å〕程度の厚さのクロムマスク層２
に通常問題になる大きさ、即ち10〔μｍ中〕以下
程度のピンホール３が存在するクロムマスクに対
して、第２図に示すようにクロムマスク層２を有
する面全面に5000〜6000〔Å〕程度の厚さのポジ
レジスト層４を塗着し、スポツト顕微鏡等により
ポジレジスト層４上からクロムマスク層２のピン
ホール３の位置を検出し、引続いて該ピンホール
３を覆う領域のポジレジスト層４に紫外線５等を
照射して露光を行う。次いで該クロムマスクをポ
ジレジストの現像液に浸漬し、前記ポジレジスト
層４の露光領域を溶解除去せしめて、第３図に示
すようにポジレジスト層４にピンホール３の大き
さをやや上廻る大きさの修正窓６を形成する。次
いで第４図に示すように該マスク面全面に蒸着或
るいはスパツタリング等の方法により600〜1000
〔Å〕程度の厚さの修正用クロム層７を被着して
後、再び顕微鏡を用いて修正用クロム層７上から
ポジレジスト層４に形成されている修正窓６の位
置を検出し、第６図に示すように修正窓６を覆う
部分の修正用クロム層７上にレジスト吐出装置を
用いてポジレジストを塗着し、１〜２〔μｍ〕程
度の厚さの第２のポジレジストによるマスク層９
を形成する。次いで該クロムマスクを硝酸第二セ
リウム・アンモン或いは過塩素酸等からなるエツ
チング液に30〜60〔秒〕程度浸漬し、第７図に示
すように前記第２のポジレジストによるマスク層
９に覆われていない部分の修正用クロム層７を溶
解除去して第１のポジレジスト層４を露出せしめ
て後、該クロムマスクを70〜90〔℃〕程度に加熱
されたNaOH等からなる熱アルカリ液に30〜60
〔秒〕程度浸漬し、第２のポジレジストによるマ
スク層９及び第１のポジレジスト層４を溶解除去
して、第８図に示すようにクロムマスク層２上に
直かに被着してピンホール３を埋めている修正用
クロム層からなる被覆層８を形成させる。
上記実施例に於ては本発明をクロムマスクのピ
ンホール修正に適用する場合について説明した
が、本発明の方法は酸化クロム、酸化鉄等クロム
以外の遮光膜を有するハードマスクのピンホール
修正にも勿論適用することができる。
ンホール修正に適用する場合について説明した
が、本発明の方法は酸化クロム、酸化鉄等クロム
以外の遮光膜を有するハードマスクのピンホール
修正にも勿論適用することができる。
又上記実施例に於て使用しているポジレジスト
の代りにネガレジストを用いても差しつかえな
い。
の代りにネガレジストを用いても差しつかえな
い。
以上説明したように本発明の方法によれば、従
来のハードマスク修正工程に於て、非常に長時間
を要していたリフトオフ工程に相当するレジスト
除去工程を１〔分〕以内に短縮することができる
ので、使用設備の台数、床面積等は大幅に削減す
ることができると同時に、従来１〔枚〕当り４〜
５〔時間〕を要していたピンホール修正工程全体
も２〔時間〕程度に短縮することができるので、
作業能率は大幅に向上する。そして又ブラツシン
グ等を行う必要もないので作業の安全性が確保で
きると共に、マスク面に傷をつけたり修正材料層
の細片が附着して残ることがなくなるので、ハー
ドマスクの品質を向上せしめることができる。
来のハードマスク修正工程に於て、非常に長時間
を要していたリフトオフ工程に相当するレジスト
除去工程を１〔分〕以内に短縮することができる
ので、使用設備の台数、床面積等は大幅に削減す
ることができると同時に、従来１〔枚〕当り４〜
５〔時間〕を要していたピンホール修正工程全体
も２〔時間〕程度に短縮することができるので、
作業能率は大幅に向上する。そして又ブラツシン
グ等を行う必要もないので作業の安全性が確保で
きると共に、マスク面に傷をつけたり修正材料層
の細片が附着して残ることがなくなるので、ハー
ドマスクの品質を向上せしめることができる。
第１図乃至第５図は従来のハードマスク修正方
法の工程説明用断面図で第６図乃至第８図は本発
明に関わる工程説明用断面図である。 図に於て、１はガラス基板、２はクロムマスク
層、３はピンホール、４は第１のポジレジスト
層、５は紫外線、６は修正窓、７は修正用クロム
層、８は修正用クロムからなる被覆層、９は第２
ポジレジストによるマスク層。
法の工程説明用断面図で第６図乃至第８図は本発
明に関わる工程説明用断面図である。 図に於て、１はガラス基板、２はクロムマスク
層、３はピンホール、４は第１のポジレジスト
層、５は紫外線、６は修正窓、７は修正用クロム
層、８は修正用クロムからなる被覆層、９は第２
ポジレジストによるマスク層。
Claims (1)
- １ ハードマスクのピンホールを修正するに際し
て、遮光膜を有するマスク面上に第１のフオトレ
ジスト層を被着し、該第１のフオトレジスト層に
於ける遮光膜のピンホールを覆う領域にピンホー
ル修正窓を形成して後、該マスク面全面に修正材
料層を被着し、次いで該修正材料層に於ける前記
ピンホール修正窓を覆う領域に第２のフオトレジ
スト層を被着して後、該第２のフオトレジスト層
をマスクとして露出している修正材料層を除去
し、次いで前記第２のフオトレジスト層及び第１
のフオトレジスト層を除去して遮光膜のピンホー
ル部に修正材料の被覆層を残留せしめることを特
徴とするハードマスクの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13103079A JPS5654439A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Hard mask correcting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13103079A JPS5654439A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Hard mask correcting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5654439A JPS5654439A (en) | 1981-05-14 |
| JPS6140102B2 true JPS6140102B2 (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=15048366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13103079A Granted JPS5654439A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Hard mask correcting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5654439A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112018A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Correction of pattern |
| JPS6377056A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Fujitsu Ltd | フオトマスクの修正方法 |
-
1979
- 1979-10-11 JP JP13103079A patent/JPS5654439A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5654439A (en) | 1981-05-14 |
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