JPS6377056A - フオトマスクの修正方法 - Google Patents
フオトマスクの修正方法Info
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- JPS6377056A JPS6377056A JP61222563A JP22256386A JPS6377056A JP S6377056 A JPS6377056 A JP S6377056A JP 61222563 A JP61222563 A JP 61222563A JP 22256386 A JP22256386 A JP 22256386A JP S6377056 A JPS6377056 A JP S6377056A
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- resist
- chromium film
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
フォトマスク全面にポジレジストを塗布し、欠陥部を露
光してスポット状に窓開けした後、クロム膜を被着する
。次いで、欠陥部上にレジストを滴下してクロム膜を被
覆し、それ以外の露出したクロム膜をエツチング除去し
、更に、レジスト全部を除去する。そうすれば、従来よ
り高品質なフォトマスクが得られる。
光してスポット状に窓開けした後、クロム膜を被着する
。次いで、欠陥部上にレジストを滴下してクロム膜を被
覆し、それ以外の露出したクロム膜をエツチング除去し
、更に、レジスト全部を除去する。そうすれば、従来よ
り高品質なフォトマスクが得られる。
［産業上の利用分野］
本発明はフォトマスクの修正方法の改良に関する。
半導体装置の製造工程において、最も重要な工程の一つ
に微細パターンを写真食刻法で形成する、所謂フォトプ
ロセスがあり、このフォトプロセスではフォトマスクが
欠かせない材料である。このフォトマスクとして、最近
、微細パターン形成に優れたハードマスクが重用されて
おり、更に、ハードマスクは縮小露光装置の実用化と共
にレチクルマスク（５〜１０倍０拡大パターンを設けた
ハードマスク）が重用されている。このようなハードマ
スクやレチクルマスクは、作成時にパターン残りができ
たり、パターン欠陥やピンホールができたりする問題が
ある。且つ、使用時には、パターンが薄い遮光膜で形成
されているため、傷がつき易くて、小さな欠陥ができや
すい欠点がある。そのため、従前より欠陥部を修正する
方法が採られており、そのうち、パターン残りの除去は
比較的簡単におこなうことができるが、遮光パターン内
の欠陥やピンホール、傷の修正は余り簡単でなく、従前
より種々の方法が提案されている。
に微細パターンを写真食刻法で形成する、所謂フォトプ
ロセスがあり、このフォトプロセスではフォトマスクが
欠かせない材料である。このフォトマスクとして、最近
、微細パターン形成に優れたハードマスクが重用されて
おり、更に、ハードマスクは縮小露光装置の実用化と共
にレチクルマスク（５〜１０倍０拡大パターンを設けた
ハードマスク）が重用されている。このようなハードマ
スクやレチクルマスクは、作成時にパターン残りができ
たり、パターン欠陥やピンホールができたりする問題が
ある。且つ、使用時には、パターンが薄い遮光膜で形成
されているため、傷がつき易くて、小さな欠陥ができや
すい欠点がある。そのため、従前より欠陥部を修正する
方法が採られており、そのうち、パターン残りの除去は
比較的簡単におこなうことができるが、遮光パターン内
の欠陥やピンホール、傷の修正は余り簡単でなく、従前
より種々の方法が提案されている。
しかし、その修正法は簡単で、且つ、パターン精度の良
いことが望ましい。
いことが望ましい。
［従来の技術〕
従来のフォトマスクの修正方法のうち、最も汎用されて
いる修正法を第２図（ａｌ〜（８１の工程順断面図に示
している。まず、同図＜ｓ）は欠陥あるパターンを有す
るマスク基板を図示しており、１は石英ガラス基板（透
明基板）、２−１．２−２はクロム膜パターン（遮光膜
パターン）で、２−２は欠陥あるクロム膜パターン、２
０が欠陥部である。
いる修正法を第２図（ａｌ〜（８１の工程順断面図に示
している。まず、同図＜ｓ）は欠陥あるパターンを有す
るマスク基板を図示しており、１は石英ガラス基板（透
明基板）、２−１．２−２はクロム膜パターン（遮光膜
パターン）で、２−２は欠陥あるクロム膜パターン、２
０が欠陥部である。
このような欠陥パターン２−２を修正するためには、最
初、第２図（ｂ）に示すように、ポジレジスト３を全面
に塗布した後、欠陥部２０の部分をスポット露光（矢印
部分）する。そうすると、同図（Ｃ）に示すように、現
像によって露光部分のみレジストが除去されて、スポッ
ト状に窓が開けられる。
初、第２図（ｂ）に示すように、ポジレジスト３を全面
に塗布した後、欠陥部２０の部分をスポット露光（矢印
部分）する。そうすると、同図（Ｃ）に示すように、現
像によって露光部分のみレジストが除去されて、スポッ
ト状に窓が開けられる。
次いで、第２図（ｄ）に示すように、その上面から膜厚
数百人のクロムＩＩ！４をスパッタ法で被着する。
数百人のクロムＩＩ！４をスパッタ法で被着する。
しかる後、レジスト３を除去すると、レジスト上のクロ
ム膜も同時にリフトオフされて、同図（Ｑ）に示すよう
に、欠陥パターンのスポット窓部分にのみクロム膜４が
残存して、欠陥部２０ｆＪ＜埋没される。
ム膜も同時にリフトオフされて、同図（Ｑ）に示すよう
に、欠陥パターンのスポット窓部分にのみクロム膜４が
残存して、欠陥部２０ｆＪ＜埋没される。
なお、この修正法は、密着露光用のマスク、縮小露光用
のレチクルのいずれにも適用されている。
のレチクルのいずれにも適用されている。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、この修正方法は第２図（ｄ）、 （ｅｌに説
明しているように、レジスト３を除去して、レジスト上
に被覆したクロム膜を同時にリフトオフによって除去す
る方法であるから、微細なりロムやレジストの残りＲ（
第２図（ｅ）参照）が発生し易く、表面状態は余り良く
ない。それが、結果として、転写パターンの精度を悪く
すると云う問題がある。
明しているように、レジスト３を除去して、レジスト上
に被覆したクロム膜を同時にリフトオフによって除去す
る方法であるから、微細なりロムやレジストの残りＲ（
第２図（ｅ）参照）が発生し易く、表面状態は余り良く
ない。それが、結果として、転写パターンの精度を悪く
すると云う問題がある。
本発明は、このような問題点を解消させて、高精度な転
写パターンが得られるフォトマスクの修正法を提案する
ものである。
写パターンが得られるフォトマスクの修正法を提案する
ものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、ポジレジストを塗布し、欠陥部を露光して
スポット状に窓開けし、その上面にクロム膜を被着する
工程、次いで、欠陥部の該クロム膜上に第２のレジスト
を滴下し、それ以外の露出し７たクロム膜をエツチング
除去し、更に、ポジレジストおよび第２のレジストを除
去する工程からなるフォトマスクの修正方法によって達
成される。
スポット状に窓開けし、その上面にクロム膜を被着する
工程、次いで、欠陥部の該クロム膜上に第２のレジスト
を滴下し、それ以外の露出し７たクロム膜をエツチング
除去し、更に、ポジレジストおよび第２のレジストを除
去する工程からなるフォトマスクの修正方法によって達
成される。
［作用］
即ち、本発明は、従来のようなリフトオフ法ではなくて
、欠陥部を被覆したクロム膜を第２のレジストで被覆し
、それ以外のクロム膜をエツチング除去して、更に、レ
ジストを除去する。そうすれば、リフトオフ法よりも高
精度なパターンが転写できるフォトマスクが得られる。
、欠陥部を被覆したクロム膜を第２のレジストで被覆し
、それ以外のクロム膜をエツチング除去して、更に、レ
ジストを除去する。そうすれば、リフトオフ法よりも高
精度なパターンが転写できるフォトマスクが得られる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明にかかるフォトマスクの
修正法の工程順断面図を示しており、同図（ａ）は欠陥
パターンのあるフォトマスクの断面図で、１は石英ガラ
ス基ｔｆｆｌ、２−１は正常なりロム膜パターンで、２
−２は欠陥あるクロム膜パターン、２０は欠陥部を示し
、第２図（１１）と同一図面である。
修正法の工程順断面図を示しており、同図（ａ）は欠陥
パターンのあるフォトマスクの断面図で、１は石英ガラ
ス基ｔｆｆｌ、２−１は正常なりロム膜パターンで、２
−２は欠陥あるクロム膜パターン、２０は欠陥部を示し
、第２図（１１）と同一図面である。
まず、第１図（ｂ）に示すように、ポジレジスト３を全
面に塗布した後、欠陥部２０の部分をスポット露光（矢
印部分）する。そうすると、同図（Ｃ１に示すように、
現像によって露光部分のみレジストが除去されて、スポ
ット状に窓が形成される。
面に塗布した後、欠陥部２０の部分をスポット露光（矢
印部分）する。そうすると、同図（Ｃ１に示すように、
現像によって露光部分のみレジストが除去されて、スポ
ット状に窓が形成される。
次いで、第１図（ｄ）に示すように、その上面から膜厚
数百人のクロム膜４をスパッタ法で被着する。
数百人のクロム膜４をスパッタ法で被着する。
ここまでは従来と同様の方法である。
次いで、第１図（ａ）に示すように、欠陥部２０の部分
のクロム膜４の上にレジスト５ （第２のレジスト）を
滴下する。このレジスト５はネガでもポジでもどちらで
も良い。次いで、同図（ｆ）に示すように、それ以外の
露出したクロム膜４をエツチング除去する。エツチング
剤は硝酸第２セリウムアンモニウム溶液を用いて、ウェ
ットエツチングをおこなう。
のクロム膜４の上にレジスト５ （第２のレジスト）を
滴下する。このレジスト５はネガでもポジでもどちらで
も良い。次いで、同図（ｆ）に示すように、それ以外の
露出したクロム膜４をエツチング除去する。エツチング
剤は硝酸第２セリウムアンモニウム溶液を用いて、ウェ
ットエツチングをおこなう。
しかる後、第１図（ｇｌに示すように、ポジレジスト３
とレジスト５を有機溶剤に溶解して除去する。
とレジスト５を有機溶剤に溶解して除去する。
上記が本発明にかかる修正法であるが、この修正法によ
れば、欠陥部が解消して、且つ、表面状態の良好なフォ
トマスクが得られる。このように、本発明は完全な除去
が難しいリフトオフ方法に代わる修正方法で、高品質な
フォトマスクに再生される方法である。
れば、欠陥部が解消して、且つ、表面状態の良好なフォ
トマスクが得られる。このように、本発明は完全な除去
が難しいリフトオフ方法に代わる修正方法で、高品質な
フォトマスクに再生される方法である。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によればフォト
マスクを高精度に再生することができ、ＩＣの高品質化
に貢献するものである。
マスクを高精度に再生することができ、ＩＣの高品質化
に貢献するものである。
第１図（ａ）〜（幻は本発明にかかるマスクの修正工程
順断面図、 第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のマスクの修正工程順断面
図である。 図において、 １は石英ガラス基板、 ２−１．２−２はクロム膜パターン、 ３はポジレジスト、 ４は被覆するクロム膜、 ５は第２のレジスト、 ２０は欠陥部 第１図 オＪ−河にη＼〜るマスクの磨ト正工π７１１を面ｆｆ
ｉ第１ 図。
順断面図、 第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のマスクの修正工程順断面
図である。 図において、 １は石英ガラス基板、 ２−１．２−２はクロム膜パターン、 ３はポジレジスト、 ４は被覆するクロム膜、 ５は第２のレジスト、 ２０は欠陥部 第１図 オＪ−河にη＼〜るマスクの磨ト正工π７１１を面ｆｆ
ｉ第１ 図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フォトマスクの全面にポジレジストを塗布し、欠陥部を
露光してスポット状に窓開けする工程、次いで、上面に
クロム膜を被着する工程、 次いで、欠陥部の該クロム膜上に第２のレジストを滴下
する工程、 次いで、露出したクロム膜をエッチング除去する工程、 次いで、ポジレジストおよび第２のレジストを除去する
工程からなることを特徴とするフォトマスクの修正方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61222563A JPS6377056A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | フオトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61222563A JPS6377056A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | フオトマスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377056A true JPS6377056A (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=16784418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61222563A Pending JPS6377056A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | フオトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6377056A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654439A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Fujitsu Ltd | Hard mask correcting method |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61222563A patent/JPS6377056A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5654439A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Fujitsu Ltd | Hard mask correcting method |
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