JP2753032B2 - 半導体製造用マスクの製造方法及びその製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体を製造する際に用いられるマスク及び
その製造方法に関するものである。

（従来の技術） 半導体製造用マスクには、一般にガラス基板の表面に
クロム膜が被着されたハードマスクブランクが用いられ
る。このハードマスクブランクの表面へのレジストの塗
布は、基板を回転させ、その表面上にノズルの先端から
レジストを落下させて遠心力によりレジストを表面全体
に拡げることによって行われる。

第３図はレジストが塗布されたハードマスクブランク
１を上面から見た平面図であり、第４図はこの正面図で
ある。ガラス基板２の表面に被着されたクロム膜３の表
面に、上述したような方法でレジスト膜４が形成されて
いるが、レジストの持つ表面張力によりハードマスクブ
ランク１の外周部に不要なレジスト4aが付着する。この
レジスト4aは、次のような理由から除去しなければなら
ない。

レジスト膜４が形成されたハードマスクブランク１に
電子線露光装置を用いて露光処理を行う場合には、表面
に電子線を照射して選択的に感光させるが、このときレ
ジスト膜４に電荷が蓄積するのを防ぐ必要がある。これ
は、電子線を照射している最中にレジスト膜４の内部に
電荷が蓄積すると、レジスト膜４が負の電荷を帯びて、
以降に照射される電子線と反発し、照射経路を曲げるた
めである。このような電荷の蓄積を防止する方法とし
て、露光を行う最中に、接地されたアースピン７をクロ
ム膜３に接触させることが行われている。ところが、上
述したようなレジスト4aが外周部に存在すると、図のよ
うにこの接触が妨げられることとなる。この他にも、ハ
ードマスクブランク１を収納あるいは運搬する際に、ケ
ースとこのレジスト4aが擦れてレジストの一部が削り取
られ、塵埃となって製造歩留まりを低下させる。

この不要なレジスト4aを除去するため、従来は特開昭
61−121333や特開昭61−184824に開示されたようなエッ
ジカット法と称される方法が用いられていた。第５図の
ように、チャック20に固定されたハードマスクブランク
１を矢印のように回転させ、ノズル23よりレジスト31を
塗布する最中に、ノズル21よりレジストの溶剤22を周辺
部15に吹付けることによって、この部分へのレジストの
付着を防止している。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながらこのようなエッジカット法には、次のよ
うな問題があった。ノズル21の取り付け角度θの調整が
適性でなかったり、このノズル21から溶剤22を噴出させ
るときの圧力が適正値でない場合等の理由により、溶剤
22やこの溶剤22によって溶かされたレジストが、第６図
のようにレジスト膜14のうちの中央のパターン形成領域
11に跳ね返って、塗布欠陥24を招くことがある。このよ
うな欠陥は、パターンの不良を招き、半導体製品の製造
歩留まりを低下させることとなっていた。

本発明は上記事情に鑑み、ハードマスクブランクの外
周部へレジストが付着するのを防ぎつつ、レジストの塗
布欠陥の発生を防止し得るマスクの製造方法及び製造装
置を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 本発明の半導体製造用マスクの製造方法は、ハードマ
スクブランクの表面にレジストを塗布してレジスト膜を
形成する工程と、この形成されたレジスト膜の外周部の
少なくとも一部分に加熱手段を接触させることによって
局部的に加熱して除去することにより、この部分のレジ
スト膜に覆われていた導電性遮光膜を接地させるべく露
出させる工程とを備えたことを特徴としている。

ここで、この加熱をレジストの昇華温度以上の温度で
行ってもよい。

また本発明の半導体製造用マスクの製造装置は、ハー
ドマスクブランクを載置する台と、熱を発生し、ハード
マスクブランクの端部に付着したレジスト膜の外周部の
少なくとも一部分に接触し局部的に加熱して除去する加
熱手段とを備えたことを特徴としている。

（作用） ハードマスクブランク表面に形成されたレジスト膜の
うち、外周部の少なくとも一部分に加熱手段を接触させ
て局部的に加熱することによって、この部分のレジスト
膜に覆われていた導電性遮光膜が露出し、接地可能な状
態となる。

この加熱をレジストの昇華温度以上で行うことによっ
て、加熱された部分のみのレジスト膜が蒸発して除去さ
れる。このため加熱されたレジスト膜が溶融して、周囲
のレジスト膜に流れることなく、局部的にのみレジスト
の除去がなされる。

このような局部的なレジスト膜の除去は、ハードマス
クブランクを台上に載置し、加熱手段をハードマスクブ
ランクの端部に密着させた状態で、熱を発生させること
によって行われる。

（実施例） 以下、本発明の一実施例による半導体製造用マスクの
製造方法及びその製造装置について第１図を用いて説明
する。

マスクを製造するために用いられるハードマスクブラ
ンク１は、ガラス基板２の表面にクロム膜３が被着され
ており、その表面には上述したような方法でレジストが
塗布されてレジスト膜４が形成されている。そして外周
部には余分なレジスト4aが付着しており、クロム膜３の
端面まで完全に覆われている。レジストは電子線照射用
のもので、ポリマは例えば、ポリ（2,2,2−トリフルオ
ロエチルα−クロロアクリラート）である。第３図のア
ースピン７がクロム膜３と接触できるように、次のよう
にしてこの余分なレジスト4aを除去する。

第１図（ａ）に示されたハードマスクブランク載置台
12は、ハードマスクブランク１を載置するための台であ
り、加熱手段10はこのレジスト4aのうちのハードマスク
ブランク１の端部に密着可能な断面形状を有しており、
このハードマスクブランク１の端部に付着したレジスト
をその昇華温度（この場合は230℃である）以上の例え
ば300℃にまで加熱することができるものである。

このような加熱手段10を矢印Ａの方向に移動させ、第
１図（ｂ）のようにハードマスクブランク１の端部に約
１秒間密着させる。これにより加熱手段10が密着した部
分のレジストは、局部的に昇華温度以上で加熱されて蒸
発する。従ってレジストが溶融して、付近の領域に流れ
出して塗布欠陥を招くという事態が回避される。

そして第１図（ｃ）のように加熱手段10を矢印Ｂの方
向に移動させると、端部６のレジストが除去されて、こ
の部分のレジストに覆われていたクロム膜３が露出す
る。第２図はこの場合のハードマスクブランク１を上面
から観たものである。加熱手段10が密着した部分６のレ
ジストのみが局部的に除去されており、パターン形成領
域11には全く影響がなくレジストの塗布の欠陥は生じて
いない。

これにより、第１図（ｄ）に示されるようにアースピ
ン７とクロム膜３とが接触可能となる。このようにして
クロム膜３を接地した状態で電子線を照射することによ
り、レジスト膜５への電荷の蓄積が防止される。

このように本実施例によれば、アースピン７とクロム
膜３との接触に必要な端部のみのレジストを局部的に除
去することができるため、パターンを形成する領域に影
響を与えず、レジストの塗布欠陥が招くマスクの不良の
発生を防止することが可能である。従ってこのマスクを
用いて半導体を製品製造する際の歩留まりを向上させる
ことができる。

このようなレジストの加熱除去は、レジストを塗布し
た後に行うレジストの溶剤を蒸発させるためのプリベー
クの前に行うのが好ましい。局部的に加熱したとしても
周囲のレジスト膜にはある程度の熱が伝導されるが、こ
の後にプリベーク（一般に約210℃で行われる）を行う
ことで熱の影響を緩和することができるためである。

上述した実施例は一例であって、本発明の限定するも
のではない。例えばレジストの種類は上述のものに限ら
れず、同様に導電性遮光膜はクロム以外の酸化鉄や酸化
クロム等の導電性を有するものであれば他のものであっ
てもよい。レジストの加熱除去を行う部分は、ハードマ
スクブランクにおける外周部のうち、接地を行うのに好
都合な任意の場所を選ぶこともできる。

また実施例ではレジストの昇華温度以上で加熱してい
るが、これより低い温度でレジストを溶融させて除去す
ることもできる。但しこの場合には、溶けたレジストが
パターン形成領域に流れて塗布欠陥を招かないように配
慮する必要がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の半導体装置製造用マスク
の製造方法は、レジスト膜の外周部の少なくとも一部分
に加熱手段を接触させることによって、ハードマスクブ
ランク外周部に付着した余分なレジストを局部的に加熱
して除去することにより導体膜を露出させるため、他の
領域に全く影響を与えず、レジストの塗布欠陥が招くマ
スクの不良を防止し、半導体製品の製造歩留まりを向上
させることができる。

加熱温度をレジストの昇華温度以上とした場合には、
レジストを局部的に蒸発させて除去することができるた
め、溶融したレジストが周囲のレジスト膜に流れて塗布
欠陥を招くという事態が回避される。

本発明の製造装置を用いて、ハードマスクブランクを
台上に載置し、加熱手段によりハードマスクブランクの
端部に付着したレジスト膜を局部的に加熱する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体製造用マスクの
製造方法の工程順序を示した説明図、第２図はこの製造
方法によって局部的にレジスト膜が除去されたハードマ
スクブランクの外観を示す平面図、第３図はハードマス
クブランクのクロム膜を接地する際の外観を示す平面
図、第４図は第３図の正面図、第５図は従来の半導体製
造用マスクの製造方法を示す説明図、第６図は同製造方
法によって製造されたハードマスクブランクの外観を示
す平面図である。 １…ハードマスクブランク、２…ガラス基板、３…クロ
ム膜、４…レジスト膜、７…アースピン、10…加熱手
段、12…ハードマスクブランク載置台、21…ノズル、22
…レジスト溶剤、24…塗布欠陥。

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ハードマスクブランクの表面にレジストを
   塗布してレジスト膜を形成する工程と、この形成された
   レジスト膜の外周部の少なくとも一部分に加熱手段を接
   触させることによって局部的に加熱して除去することに
   より、この部分のレジスト膜に覆われていた導電性遮光
   膜を接地させるべく露出させる工程とを備えたことを特
   徴とする半導体製造用マスクの製造方法。
2. 【請求項２】前記加熱を、レジストの昇華温度以上の温
   度で行うことを特徴とする請求項１記載の半導体製造用
   マスクの製造方法。
3. 【請求項３】ハードマスクブランクを載置する台と、熱
   を発生し、ハードマスクブランクの端部に付着したレジ
   スト膜の外周部の少なくとも一部分に接触し局部的に加
   熱して除去する加熱手段とを備えたことを特徴とする半
   導体製造用マスクの製造装置。
4. 【請求項４】前記加熱手段は、ハードマスクブランクの
   端部に密着し得る断面形状を有することを特徴とする請
   求項３記載の半導体製造用マスクの製造装置。
5. 【請求項５】前記加熱手段は、レジストの昇華温度以上
   の温度で行うことを特徴とする請求項３記載の半導体製
   造用マスクの製造装置。