JPH05150458A - 支持体の上に構造を写真平板的に製造するための方法 - Google Patents
支持体の上に構造を写真平板的に製造するための方法Info
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- JPH05150458A JPH05150458A JP3298081A JP29808191A JPH05150458A JP H05150458 A JPH05150458 A JP H05150458A JP 3298081 A JP3298081 A JP 3298081A JP 29808191 A JP29808191 A JP 29808191A JP H05150458 A JPH05150458 A JP H05150458A
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- Japan
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- exposed
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Ink Jet (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の課題は、構造の側縁の急峻性を高く
することにある。この課題は、意図する構造形成に対応
するドライレジストフィルムを有する支持体が短時間に
わたり露光され、次いで支持体が迅速に加熱されること
により解決される。 【構成】 本発明は、支持体がドライレジストフィルム
を有する、例えばインキジェットプリンタのインキジェ
ットヘッドにおいてインキ供給チャネルの構造を製造す
るためのある支持体の上に構造を写真平板的に製造する
方法に関する。
することにある。この課題は、意図する構造形成に対応
するドライレジストフィルムを有する支持体が短時間に
わたり露光され、次いで支持体が迅速に加熱されること
により解決される。 【構成】 本発明は、支持体がドライレジストフィルム
を有する、例えばインキジェットプリンタのインキジェ
ットヘッドにおいてインキ供給チャネルの構造を製造す
るためのある支持体の上に構造を写真平板的に製造する
方法に関する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、支持体がドライレジス
トフィルムを有する、例えばインキジェットプリンタの
インキジェットヘッドにおいてインキ供給チャネルの構
造を製造するためのある支持体の上に構造を写真平板的
に製造する方法に関する。
トフィルムを有する、例えばインキジェットプリンタの
インキジェットヘッドにおいてインキ供給チャネルの構
造を製造するためのある支持体の上に構造を写真平板的
に製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板等の支持体の上に構造を製造するこ
とは、特にインキ印字ヘッドの場合のようにできるだけ
小さくするためにチャネル又はチャネルの間に位置する
ウェブが密に隣接している場合には高い精度を必要とす
る。構造の製造はスクリーン印刷技術又はエッチング技
術により行われることが可能である。しかしこれによ
り、所要の高い精度が常に保証されるわけではない。特
に、高い分解能を得るために、意図する構造の側縁が非
常に急峻である場合には保証されない。
とは、特にインキ印字ヘッドの場合のようにできるだけ
小さくするためにチャネル又はチャネルの間に位置する
ウェブが密に隣接している場合には高い精度を必要とす
る。構造の製造はスクリーン印刷技術又はエッチング技
術により行われることが可能である。しかしこれによ
り、所要の高い精度が常に保証されるわけではない。特
に、高い分解能を得るために、意図する構造の側縁が非
常に急峻である場合には保証されない。
【０００３】支持体の上に構造を製造するための方法と
して写真平板的方法も公知である。この方法では、ドラ
イレジストフィルムを有する支持体が設けられ、ドライ
レジストフィルムにおける、現像後に隆起部となる個
所、すなわちインキ印字ヘッドにおいてはインキチャネ
ルの間の残存領域を形成する個所が露光される。ドライ
レジストフィルムにおける露光されない領域は粘性の塊
であり、この塊は通常は保護用カバーフィルムで被覆さ
れている。このような構造体を露光すると、保護用カバ
ーフィルムにより光の一部が偏向され、従って現像後に
形成される側縁は支持体の表面に対してただ近似的に垂
直にすぎない。これに対する改善は保護用カバーフィル
ムを除去しておくと得られる。何故ならばこの場合には
光の散乱が僅かであるからである。
して写真平板的方法も公知である。この方法では、ドラ
イレジストフィルムを有する支持体が設けられ、ドライ
レジストフィルムにおける、現像後に隆起部となる個
所、すなわちインキ印字ヘッドにおいてはインキチャネ
ルの間の残存領域を形成する個所が露光される。ドライ
レジストフィルムにおける露光されない領域は粘性の塊
であり、この塊は通常は保護用カバーフィルムで被覆さ
れている。このような構造体を露光すると、保護用カバ
ーフィルムにより光の一部が偏向され、従って現像後に
形成される側縁は支持体の表面に対してただ近似的に垂
直にすぎない。これに対する改善は保護用カバーフィル
ムを除去しておくと得られる。何故ならばこの場合には
光の散乱が僅かであるからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】構造の側縁の急峻性を
再度改善することが可能であるように前記の構造体すな
わちレジストが装着されている支持体を処理することに
ある。
再度改善することが可能であるように前記の構造体すな
わちレジストが装着されている支持体を処理することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明によ
り、意図する構造形成に対応するドライレジストフィル
ムを有する支持体が短時間にわたり露光され、次いで支
持体が迅速に加熱されることにより解決される。
り、意図する構造形成に対応するドライレジストフィル
ムを有する支持体が短時間にわたり露光され、次いで支
持体が迅速に加熱されることにより解決される。
【０００６】短時間の露光と迅速な加熱とにより、後に
形成される側縁が凹状になることが回避され、これによ
り急峻な側縁が得られる。ほぼ垂直な側縁は、露光が、
フィルタリングされた光により行われることにより得ら
れる。この場合、光の波長はドライレジストのスペクト
ル感度に整合される。露光後約６０秒経過してからウェ
ーハが約８０−１５０°Ｃにまで約２０から６秒の間に
わたり加熱されると好適であることが分かった。この場
合、ドライレジストフィルムの厚さは約５０μｍであ
る。更に、赤外線照射又は熱板により加熱が行われると
好適であることが分かった。
形成される側縁が凹状になることが回避され、これによ
り急峻な側縁が得られる。ほぼ垂直な側縁は、露光が、
フィルタリングされた光により行われることにより得ら
れる。この場合、光の波長はドライレジストのスペクト
ル感度に整合される。露光後約６０秒経過してからウェ
ーハが約８０−１５０°Ｃにまで約２０から６秒の間に
わたり加熱されると好適であることが分かった。この場
合、ドライレジストフィルムの厚さは約５０μｍであ
る。更に、赤外線照射又は熱板により加熱が行われると
好適であることが分かった。
【０００７】ドライレジストフィルムは基本的に保護用
カバーフィルムを有する。レジストは、露光されていな
い状態では粘性を有するので、保護用カバーフィルムは
非常に強力にレジストに付着する。その結果、カバーフ
ィルムを剥がす際に、露光されないレジストの端縁領域
が持ち上げられる。これは当然望ましいことではない。
改善は、ウェーハが露光前に保護用カバーフィルムを装
着されていることと、ウェーハの端縁領域が使用面を除
いて事前露光されることと、次いで保護用カバーフィル
ムが剥がされることにより得られる。ドライレジストフ
ィルムの表面から露光装置までの間隔を正確に調整する
ために、端縁の露光の他に端縁領域の中の選択されてい
る点が露光されると好適である。これらの点は、露光装
置のための載置点として用いられる。
カバーフィルムを有する。レジストは、露光されていな
い状態では粘性を有するので、保護用カバーフィルムは
非常に強力にレジストに付着する。その結果、カバーフ
ィルムを剥がす際に、露光されないレジストの端縁領域
が持ち上げられる。これは当然望ましいことではない。
改善は、ウェーハが露光前に保護用カバーフィルムを装
着されていることと、ウェーハの端縁領域が使用面を除
いて事前露光されることと、次いで保護用カバーフィル
ムが剥がされることにより得られる。ドライレジストフ
ィルムの表面から露光装置までの間隔を正確に調整する
ために、端縁の露光の他に端縁領域の中の選択されてい
る点が露光されると好適である。これらの点は、露光装
置のための載置点として用いられる。
【０００８】
【実施例】それぞれのステップを示す図１から図７は、
片側にドライレジストフィルム２及び保護用カバーフィ
ルム３を有するシリコン基板１を示す。図３にはマスク
５を有する露光装置４が示されている。図３のステップ
では端縁領域が露光される。この露光のステップに続く
図４のステップでは保護用カバーフィルムの剥がされ
る。次のステップではインキチャネルが実際に製造され
る。インキチャネルを製造するために、図５に示されて
いるこのステップで露光装置６及びマスク７による別の
露光が行われる。このステップに図６のステップが続
く。このステップでは赤外線照射装置８による加熱が行
われる。これに続く図７のステップでは現像が行われ
る。現像後には、露光された領域は残り、露光されなか
った領域は洗い落とされる。次いで、現像残留物を除去
するために反応性イオンエッチングによる事後洗浄を行
うことも可能である。
片側にドライレジストフィルム２及び保護用カバーフィ
ルム３を有するシリコン基板１を示す。図３にはマスク
５を有する露光装置４が示されている。図３のステップ
では端縁領域が露光される。この露光のステップに続く
図４のステップでは保護用カバーフィルムの剥がされ
る。次のステップではインキチャネルが実際に製造され
る。インキチャネルを製造するために、図５に示されて
いるこのステップで露光装置６及びマスク７による別の
露光が行われる。このステップに図６のステップが続
く。このステップでは赤外線照射装置８による加熱が行
われる。これに続く図７のステップでは現像が行われ
る。現像後には、露光された領域は残り、露光されなか
った領域は洗い落とされる。次いで、現像残留物を除去
するために反応性イオンエッチングによる事後洗浄を行
うことも可能である。
【０００９】図８及び図９は、従来の技術による構造の
製造を示す。ドライレジストフィルム１０及び保護用カ
バーフィルム１１を有する基板１２は、マスク１３を有
する露光装置を介して露光される。光線の走行は矢印に
より示されている。結果として、図９のチャネル構造が
得られる。側縁は凹状で丸みを帯びて形成され、従って
平均約８０μｍのチャネル幅が得られる。図１０におい
て、保護用カバーフィルムが露光の前にインキチャネル
構造形成のために除去される。これにより、レジスト１
０に当たる光は偏向されず、従って図１１の構造が得ら
れる。平均のチャネル幅は約６０μｍである。側縁は図
８及び図９の場合より直線状である。
製造を示す。ドライレジストフィルム１０及び保護用カ
バーフィルム１１を有する基板１２は、マスク１３を有
する露光装置を介して露光される。光線の走行は矢印に
より示されている。結果として、図９のチャネル構造が
得られる。側縁は凹状で丸みを帯びて形成され、従って
平均約８０μｍのチャネル幅が得られる。図１０におい
て、保護用カバーフィルムが露光の前にインキチャネル
構造形成のために除去される。これにより、レジスト１
０に当たる光は偏向されず、従って図１１の構造が得ら
れる。平均のチャネル幅は約６０μｍである。側縁は図
８及び図９の場合より直線状である。
【００１０】本発明により短時間の露光と、これに続く
迅速な加熱が行われる場合には図１２の構造が得られ
る。図１３のほぼ垂直の側縁は、露光がフィルタにより
行われると得られる。この場合に平均のチャネル幅は僅
か３０μｍである。図１４にはウェーハが示されてい
る。このウェーハの端縁領域１４は事前露光されてい
る。この図は、前述の図５に対応する。端縁領域の露光
により、レジストを変形せずに保護用カバーフィルムを
簡単に剥がすことが可能になる。端縁領域１４の中に
は、多数の基板１５から成るウェーハの使用面がある。
端縁を露光すると同時に点１６、１７、１８が露光され
る。これらの点は、露光装置の載置台を形成する。露光
装置の近接ボールは載置台に密接している。これらの点
は露光後に端縁領域と同様に硬質であるので、ウェーハ
と露光装置との間の平面的補償が可能である。
迅速な加熱が行われる場合には図１２の構造が得られ
る。図１３のほぼ垂直の側縁は、露光がフィルタにより
行われると得られる。この場合に平均のチャネル幅は僅
か３０μｍである。図１４にはウェーハが示されてい
る。このウェーハの端縁領域１４は事前露光されてい
る。この図は、前述の図５に対応する。端縁領域の露光
により、レジストを変形せずに保護用カバーフィルムを
簡単に剥がすことが可能になる。端縁領域１４の中に
は、多数の基板１５から成るウェーハの使用面がある。
端縁を露光すると同時に点１６、１７、１８が露光され
る。これらの点は、露光装置の載置台を形成する。露光
装置の近接ボールは載置台に密接している。これらの点
は露光後に端縁領域と同様に硬質であるので、ウェーハ
と露光装置との間の平面的補償が可能である。
【図１】インキジェットプリンタにおけるインキチャネ
ルの写真平板的製造の原理図である。
ルの写真平板的製造の原理図である。
【図２】インキジェットプリンタにおけるインキチャネ
ルの写真平板的製造の原理図である。
ルの写真平板的製造の原理図である。
【図３】インキジェットプリンタにおけるインキチャネ
ルの写真平板的製造の原理図である。
ルの写真平板的製造の原理図である。
【図４】インキジェットプリンタにおけるインキチャネ
ルの写真平板的製造の原理図である。
ルの写真平板的製造の原理図である。
【図５】インキジェットプリンタにおけるインキチャネ
ルの写真平板的製造の原理図である。
ルの写真平板的製造の原理図である。
【図６】インキジェットプリンタにおけるインキチャネ
ルの写真平板的製造の原理図である。
ルの写真平板的製造の原理図である。
【図７】インキジェットプリンタにおけるインキチャネ
ルの写真平板的製造の原理図である。
ルの写真平板的製造の原理図である。
【図８】１つの方法でのインキチャネルの構造形成の原
理図である。
理図である。
【図９】別の１つの方法でのインキチャネルの構造形成
の原理図である。
の原理図である。
【図１０】別の１つの方法でのインキチャネルの構造形
成の原理図である。
成の原理図である。
【図１１】別の１つの方法でのインキチャネルの構造形
成の原理図である。
成の原理図である。
【図１２】別の１つの方法でのインキチャネルの構造形
成の原理図である。
成の原理図である。
【図１３】別の１つの方法でのインキチャネルの構造形
成の原理図である。
成の原理図である。
【図１４】端縁の露光の原理図である。
１ シリコン基板 ２ ドライレジストフィルム ３ 保護用カバーフィルム ４ 露光装置 ５ マスク ６ 露光装置 ７ マスク ８ 露光された領域 １０ ドライレジストフィルム １１ 保護用カバーフィルム １２ 基板 １３ マスク １４ 端縁領域 １５ 基板 １６、１７、１８ 点
Claims (6)
- 【請求項１】 支持体がドライレジストフィルムを有す
る、例えばインキジェットプリンタのインキジェットヘ
ッドにおいてインキ供給チャネルの構造を製造するため
である支持体の上に構造を写真平板的に製造する方法に
おいて、意図する構造形成に対応するドライレジストフ
ィルムを有する支持体が短時間にわたり露光され、次い
で支持体が迅速に加熱されることを特徴とする支持体の
上に構造を写真平板的に製 する方法。 - 【請求項２】 露光が、フィルタリングされた光により
行われることを特徴とする請求項１に記載の支持体の上
に構造を写真平板的に製造する方法。 - 【請求項３】 露光後約６０秒経過してからウェーハが
約８０−１５０°Ｃにまで約２０から６秒の間にわたり
加熱されることを特徴とする請求項１に記載の支持体の
上に構造を写真平板的に製造する方法。 - 【請求項４】 赤外線照射又は熱板により加熱が行われ
ることを特徴とする請求項３に記載の支持体の上に構造
を写真平板的に製造する方法。 - 【請求項５】 ウェーハが露光前に保護用カバーフィル
ムを装着されていることと、ウェーハの端縁領域が使用
面を除いて事前露光されることと、次いで保護用カバー
フィルムが剥がされることを特徴とする請求項１に記載
の支持体の上に構造を写真平板的に製造する方法。 - 【請求項６】 端縁の露光の他に端縁領域の中の選択さ
れている点が露光されることを特徴とする請求項５に記
載の支持体の上に構造を写真平板的に製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4033294A DE4033294A1 (de) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | Verfahren zur fotolithographischen herstellung von strukturen auf einem traeger |
| DE4033294.2 | 1990-10-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05150458A true JPH05150458A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=6416668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3298081A Pending JPH05150458A (ja) | 1990-10-19 | 1991-10-18 | 支持体の上に構造を写真平板的に製造するための方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5302495A (ja) |
| JP (1) | JPH05150458A (ja) |
| DE (1) | DE4033294A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1124521C (zh) * | 1996-03-07 | 2003-10-15 | 克拉里安特国际有限公司 | 正性光刻胶组合物的热处理方法 |
| US6335152B1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of RTA furnace for photoresist baking |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3045149A1 (de) * | 1980-11-29 | 1982-07-01 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von reliefkopien |
| JPS58220756A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-22 | Canon Inc | インクジエツト記録ヘツドの製造方法 |
| US4609427A (en) * | 1982-06-25 | 1986-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing ink jet recording head |
| DE3473065D1 (en) * | 1983-11-26 | 1988-09-01 | Basf Ag | Process for the production of resist images and dry resist film for this process |
| US4885232A (en) * | 1985-03-11 | 1989-12-05 | Hoechst Celanese Corporation | High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions |
| US4688052A (en) * | 1985-07-13 | 1987-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording head having a layer of a resin composition curable with an active energy ray |
| EP0259727A3 (de) * | 1986-09-11 | 1989-02-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger strukturierter Schichten auf Epoxidharzbasis |
| DE3731333A1 (de) * | 1987-09-15 | 1989-03-30 | Schering Ag | Verfahren zur herstellung von leiternetzwerken |
| DE3814720A1 (de) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Olympia Aeg | Verfahren zur herstellung einer grundplatte mit durch aetzen hergestellte einarbeitungen fuer einen tintendruckkopf |
-
1990
- 1990-10-19 DE DE4033294A patent/DE4033294A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-10-18 JP JP3298081A patent/JPH05150458A/ja active Pending
- 1991-10-21 US US07/780,156 patent/US5302495A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4033294A1 (de) | 1992-04-23 |
| US5302495A (en) | 1994-04-12 |
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