JP2002217084A - ウェハ周辺露光装置およびウェハ周辺露光方法 - Google Patents
ウェハ周辺露光装置およびウェハ周辺露光方法Info
- Publication number
- JP2002217084A JP2002217084A JP2001006107A JP2001006107A JP2002217084A JP 2002217084 A JP2002217084 A JP 2002217084A JP 2001006107 A JP2001006107 A JP 2001006107A JP 2001006107 A JP2001006107 A JP 2001006107A JP 2002217084 A JP2002217084 A JP 2002217084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peripheral
- wafer
- exposure
- adjusting
- exposure light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は半導体ウェハ上に塗布されたレジス
トの周辺部を精度良く露光するためのウェハ周辺部露光
装置に関し、露光面の高さの変動に関わらずレジスト膜
の周辺部を常に適正に露出することを目的とする。 【解決手段】 半導体ウェハ３４の周辺部に向けて露光
光を照射する光学部３６を備える。光学部３６は、光学
部３６の下端と、半導体ウェハ３４の周辺部との距離を
検出する焦点センサ３７を備える。上記の距離が光学部
３６の焦点距離に一致するように、焦点センサ３７の検
出値に基づいて光学部３６を上下させる位置調整機構３
８を備える。
トの周辺部を精度良く露光するためのウェハ周辺部露光
装置に関し、露光面の高さの変動に関わらずレジスト膜
の周辺部を常に適正に露出することを目的とする。 【解決手段】 半導体ウェハ３４の周辺部に向けて露光
光を照射する光学部３６を備える。光学部３６は、光学
部３６の下端と、半導体ウェハ３４の周辺部との距離を
検出する焦点センサ３７を備える。上記の距離が光学部
３６の焦点距離に一致するように、焦点センサ３７の検
出値に基づいて光学部３６を上下させる位置調整機構３
８を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ周辺露光装
置およびウェハ周辺露光方法に係り、特に、半導体ウェ
ハ上に塗布されたレジストの周辺部を精度良く露光する
ためのウェハ周辺部露光装置およびウェハ周辺部露光方
法に関する。
置およびウェハ周辺露光方法に係り、特に、半導体ウェ
ハ上に塗布されたレジストの周辺部を精度良く露光する
ためのウェハ周辺部露光装置およびウェハ周辺部露光方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体装置の製造方法に
おいて、一つの層（ここでは「第ｉ層」とする）を対象
として実行される一般的な処理の流れを表すフローチャ
ートである。図３に示す処理では、先ず、半導体ウェハ
の上にスピンコータによってレジストが塗布される（ス
テップ１００）。
おいて、一つの層（ここでは「第ｉ層」とする）を対象
として実行される一般的な処理の流れを表すフローチャ
ートである。図３に示す処理では、先ず、半導体ウェハ
の上にスピンコータによってレジストが塗布される（ス
テップ１００）。
【０００３】半導体ウェハの周辺部に塗布されたレジス
トは、後工程で半導体ウェハの保持機構などと干渉する
と異物を生じさせる。このような異物の発生を防止する
ため、ウェハ周辺部に塗布されたレジストは、スピンコ
ータの内部で、シンナーによって、１mm程度の幅で除去
される（ステップ１０２）。
トは、後工程で半導体ウェハの保持機構などと干渉する
と異物を生じさせる。このような異物の発生を防止する
ため、ウェハ周辺部に塗布されたレジストは、スピンコ
ータの内部で、シンナーによって、１mm程度の幅で除去
される（ステップ１０２）。
【０００４】次に、半導体ウェハは、ステッパによるパ
ターン露光処理に付される（ステップ１０４）。この露
光処理により、半導体ウェハ上のレジストに、所望のパ
ターンで露光光が照射される。
ターン露光処理に付される（ステップ１０４）。この露
光処理により、半導体ウェハ上のレジストに、所望のパ
ターンで露光光が照射される。
【０００５】半導体ウェハは、更に、周辺露光機による
周辺露光処理に付される（ステップ１０６）。周辺露光
機は、ウェハ周辺部を所望の幅（例えば２mm或いは３m
m）で露光するための装置である。
周辺露光処理に付される（ステップ１０６）。周辺露光
機は、ウェハ周辺部を所望の幅（例えば２mm或いは３m
m）で露光するための装置である。
【０００６】パターン露光処理、および周辺露光処理の
双方が終了すると、次に、レジストの現像工程が行われ
る（ステップ１０８）。この処理が実行されることによ
り、ウェハ周辺部に位置するレジストが所望の幅（２mm
或いは３mm）で除去されると共に、半導体ウェハ上のレ
ジストが所望のパターンにパターニングされる。
双方が終了すると、次に、レジストの現像工程が行われ
る（ステップ１０８）。この処理が実行されることによ
り、ウェハ周辺部に位置するレジストが所望の幅（２mm
或いは３mm）で除去されると共に、半導体ウェハ上のレ
ジストが所望のパターンにパターニングされる。
【０００７】以後、上記の如くパターニングされたレジ
ストをマスクとして、半導体ウェハをエッチングした
り、或いは半導体ウェハに不純物を注入したりする処理
が実行される（ステップ１１０）。
ストをマスクとして、半導体ウェハをエッチングした
り、或いは半導体ウェハに不純物を注入したりする処理
が実行される（ステップ１１０）。
【０００８】図４は、上述した一連の処理により加工さ
れる半導体ウェハの平面図および断面図を示す。より具
体的には、図４（Ａ）は、上記ステップ１０２の処理が
終了した後、すなわち、ウェハ周辺部のレジスト１２が
シンナーにより除去された後の半導体ウェハ１０の平面
図を示す。また、図４（Ｂ）は、半導体ウェハ１０を図
４（Ａ）に示すA-A直線に沿って切断することで得られ
る断面図を示す。図４（Ｂ）に示すように、ウェハ周辺
部のレジスト１２がシンナーによって除去される場合、
レジスト１２の端面には傾斜が形成される。尚、ここで
は、図４（Ｂ）に示すように、レジスト１２が、第１層
膜１４の上に塗布されているものとする。
れる半導体ウェハの平面図および断面図を示す。より具
体的には、図４（Ａ）は、上記ステップ１０２の処理が
終了した後、すなわち、ウェハ周辺部のレジスト１２が
シンナーにより除去された後の半導体ウェハ１０の平面
図を示す。また、図４（Ｂ）は、半導体ウェハ１０を図
４（Ａ）に示すA-A直線に沿って切断することで得られ
る断面図を示す。図４（Ｂ）に示すように、ウェハ周辺
部のレジスト１２がシンナーによって除去される場合、
レジスト１２の端面には傾斜が形成される。尚、ここで
は、図４（Ｂ）に示すように、レジスト１２が、第１層
膜１４の上に塗布されているものとする。
【０００９】図５は、第１層膜１４が、図４（Ｂ）に示
すレジスト１２をマスクとしてエッチングされた場合に
形成される状態を示す。レジスト１２の端面が図４
（Ｂ）に示すように傾斜していると、レジスト１２の最
外周部分は、エッチングの過程でマスクとして十分に機
能しない。このため、このようなレジスト１２がマスク
として用いられると、図５に示すように、第１層膜１４
の端面付近が不十分にエッチングされ、その結果、異物
が発生し易い状態が形成される。
すレジスト１２をマスクとしてエッチングされた場合に
形成される状態を示す。レジスト１２の端面が図４
（Ｂ）に示すように傾斜していると、レジスト１２の最
外周部分は、エッチングの過程でマスクとして十分に機
能しない。このため、このようなレジスト１２がマスク
として用いられると、図５に示すように、第１層膜１４
の端面付近が不十分にエッチングされ、その結果、異物
が発生し易い状態が形成される。
【００１０】図６（Ａ）は、上記ステップ１０８の処理
が終了した後、すなわち、ウェハ周辺部のレジスト１２
が、周辺露光処理および現像処理により除去された後の
半導体ウェハ１０の平面図を示す。また、図６（Ｂ）
は、半導体ウェハ１０を図６（Ａ）に示すA-A直線に沿
って切断することで得られる断面図を示す。
が終了した後、すなわち、ウェハ周辺部のレジスト１２
が、周辺露光処理および現像処理により除去された後の
半導体ウェハ１０の平面図を示す。また、図６（Ｂ）
は、半導体ウェハ１０を図６（Ａ）に示すA-A直線に沿
って切断することで得られる断面図を示す。
【００１１】図６（Ｂ）に示すように、周辺露光処理お
よび現像処理によれば、レジスト１２の周辺部を、その
端面がほぼ垂直となるように除去することができる。こ
のようなレジスト１２がマスクとして用いられる場合、
図７に示すように、第１層膜１４を好適な状態、すなわ
ち、異物を生じさせ難い状態にエッチングすることがで
きる。このため、上述した従来の製造方法によれば、半
導体装置の第ｉ層を適正に加工することができる。
よび現像処理によれば、レジスト１２の周辺部を、その
端面がほぼ垂直となるように除去することができる。こ
のようなレジスト１２がマスクとして用いられる場合、
図７に示すように、第１層膜１４を好適な状態、すなわ
ち、異物を生じさせ難い状態にエッチングすることがで
きる。このため、上述した従来の製造方法によれば、半
導体装置の第ｉ層を適正に加工することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置を製造する過程では、半導体ウェハ１０の上に複数
の層を形成する必要がある。例えば、図８は、半導体ウ
ェハ１０の上に第１層膜１６〜第５層膜２４が形成さ
れ、更にその上にレジスト１２が塗布された状態を示
す。この場合、第５層膜２４の上でレジスト１２の周辺
部分を露光してその周辺部分を除去する必要が生ずる。
装置を製造する過程では、半導体ウェハ１０の上に複数
の層を形成する必要がある。例えば、図８は、半導体ウ
ェハ１０の上に第１層膜１６〜第５層膜２４が形成さ
れ、更にその上にレジスト１２が塗布された状態を示
す。この場合、第５層膜２４の上でレジスト１２の周辺
部分を露光してその周辺部分を除去する必要が生ずる。
【００１３】レジスト１２の周辺部を露光するための従
来の周辺露光機は、露光光の焦点位置が半導体ウェハ１
０の表面位置とほぼ一致するように構成されている。こ
のため、レジスト１２が第５層膜２４の上に形成される
と、周辺露光機から照射される露光光の焦点位置が、レ
ジスト１２の存在する位置と一致しない事態が生ずる。
来の周辺露光機は、露光光の焦点位置が半導体ウェハ１
０の表面位置とほぼ一致するように構成されている。こ
のため、レジスト１２が第５層膜２４の上に形成される
と、周辺露光機から照射される露光光の焦点位置が、レ
ジスト１２の存在する位置と一致しない事態が生ずる。
【００１４】図９は、露光光の焦点位置とレジスト１２
の表面位置とが一致しない場合に、現像工程の後に得ら
れる状態を示す。この場合、レジスト１２の周辺部が適
正に活性化されないため、レジスト１２の端面には、僅
かながら傾斜が形成される。レジスト１２の端面にこの
ような傾斜が形成されていると、図５に示す場合と同様
に、第５層膜２４は、エッチング等の処理の後に異物を
生じさせ易い状態になる。この点、従来の製造方法は、
エッチングの対象膜などの端部から発生する異物の問題
を完全に解決するものではなかった。
の表面位置とが一致しない場合に、現像工程の後に得ら
れる状態を示す。この場合、レジスト１２の周辺部が適
正に活性化されないため、レジスト１２の端面には、僅
かながら傾斜が形成される。レジスト１２の端面にこの
ような傾斜が形成されていると、図５に示す場合と同様
に、第５層膜２４は、エッチング等の処理の後に異物を
生じさせ易い状態になる。この点、従来の製造方法は、
エッチングの対象膜などの端部から発生する異物の問題
を完全に解決するものではなかった。
【００１５】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、レジスト膜が如何なる層の上に形
成されている場合であっても、そのレジスト膜の周辺部
を常に適正に露出することのできるウェハ周辺露光装置
を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、
レジスト膜が如何なる層の上に形成されている場合であ
っても、そのレジスト膜の周辺部を常に適正に露出する
ためのウェハ周辺露光方法を提供することを第２の目的
とする。
めになされたもので、レジスト膜が如何なる層の上に形
成されている場合であっても、そのレジスト膜の周辺部
を常に適正に露出することのできるウェハ周辺露光装置
を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、
レジスト膜が如何なる層の上に形成されている場合であ
っても、そのレジスト膜の周辺部を常に適正に露出する
ためのウェハ周辺露光方法を提供することを第２の目的
とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体ウェハの周辺部を露光するためのウェハ周辺露光
装置であって、半導体ウェハの周辺部に向けて露光光を
照射する光学部と、前記周辺部の高さを検出するセンサ
と、前記センサの検出値に基づいて、前記光学部から発
せられる露光光の焦点位置を調整する焦点位置調整機構
と、を含むことを特徴とする。
半導体ウェハの周辺部を露光するためのウェハ周辺露光
装置であって、半導体ウェハの周辺部に向けて露光光を
照射する光学部と、前記周辺部の高さを検出するセンサ
と、前記センサの検出値に基づいて、前記光学部から発
せられる露光光の焦点位置を調整する焦点位置調整機構
と、を含むことを特徴とする。
【００１７】請求項２記載の発明は、請求項１記載のウ
ェハ周辺露光装置であって、前記センサは、前記光学部
と前記周辺部との距離を検出する焦点センサを含み、前
記焦点位置調整機構は、前記光学部から発せられる露光
光の焦点が、前記周辺部の表面高さと一致するように前
記露光光の焦点位置を調整することを特徴とする。
ェハ周辺露光装置であって、前記センサは、前記光学部
と前記周辺部との距離を検出する焦点センサを含み、前
記焦点位置調整機構は、前記光学部から発せられる露光
光の焦点が、前記周辺部の表面高さと一致するように前
記露光光の焦点位置を調整することを特徴とする。
【００１８】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のウェハ周辺露光装置であって、前記焦点位置調整
機構は、前記光学部と前記周辺部の相対位置を調整する
位置調整機構を含むことを特徴とする。
記載のウェハ周辺露光装置であって、前記焦点位置調整
機構は、前記光学部と前記周辺部の相対位置を調整する
位置調整機構を含むことを特徴とする。
【００１９】請求項４記載の発明は、請求項１又は２記
載のウェハ周辺露光装置であって、前記焦点位置調整機
構は、前記光学部から発せられる露光光の焦点距離を調
整するズーム機構を含むことを特徴とする。
載のウェハ周辺露光装置であって、前記焦点位置調整機
構は、前記光学部から発せられる露光光の焦点距離を調
整するズーム機構を含むことを特徴とする。
【００２０】請求項５記載の発明は、半導体ウェハの周
辺部を露光するためのウェハ周辺露光方法であって、半
導体ウェハの周辺部の高さを検出する検出ステップと、
前記周辺部の高さに基づいて、前記周辺部に向けて照射
される露光光の焦点位置を調整する調整ステップと、前
記調整ステップの後に、前記周辺部に向けて露光光を照
射する露光ステップと、を含むことを特徴とする。
辺部を露光するためのウェハ周辺露光方法であって、半
導体ウェハの周辺部の高さを検出する検出ステップと、
前記周辺部の高さに基づいて、前記周辺部に向けて照射
される露光光の焦点位置を調整する調整ステップと、前
記調整ステップの後に、前記周辺部に向けて露光光を照
射する露光ステップと、を含むことを特徴とする。
【００２１】請求項６記載の発明は、請求項５記載のウ
ェハ周辺露光方法であって、前記検出ステップは、露光
光を発する光学部と前記周辺部との距離を検出するステ
ップを含み、前記調整ステップは、前記光学部から発せ
られる露光光の焦点が、前記周辺部の表面高さと一致す
るように前記露光光の焦点位置を調整する焦点調整ステ
ップを含むことを特徴とする。
ェハ周辺露光方法であって、前記検出ステップは、露光
光を発する光学部と前記周辺部との距離を検出するステ
ップを含み、前記調整ステップは、前記光学部から発せ
られる露光光の焦点が、前記周辺部の表面高さと一致す
るように前記露光光の焦点位置を調整する焦点調整ステ
ップを含むことを特徴とする。
【００２２】請求項７記載の発明は、請求項６記載のウ
ェハ周辺露光方法であって、前記焦点調整するステップ
は、前記光学部と前記周辺部の相対位置を調整するステ
ップを含むことを特徴とする。
ェハ周辺露光方法であって、前記焦点調整するステップ
は、前記光学部と前記周辺部の相対位置を調整するステ
ップを含むことを特徴とする。
【００２３】請求項８記載の発明は、請求項６記載のウ
ェハ周辺露光方法であって、前記焦点調整ステップは、
前記光学部が備えるズーム機構を駆動して前記露光光の
焦点距離を調整するステップを含むことを特徴とするも
のである。
ェハ周辺露光方法であって、前記焦点調整ステップは、
前記光学部が備えるズーム機構を駆動して前記露光光の
焦点距離を調整するステップを含むことを特徴とするも
のである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
【００２５】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１のウェハ周辺露光装置の主要部を表す図を示す。図
１に示すように、本実施形態のウェハ周辺露光装置は、
チャック駆動モータ３０を備えている。チャック駆動モ
ータ３０の上にはチャック３２が設けられている。チャ
ック３２は、その上に置かれる半導体ウェハ３４を保持
する部材である。チャック駆動モータ３０は、チャック
３２と共に、チャック３２上に保持される半導体ウェハ
３４を、紙面に垂直な平面内で回転させることができ
る。
態１のウェハ周辺露光装置の主要部を表す図を示す。図
１に示すように、本実施形態のウェハ周辺露光装置は、
チャック駆動モータ３０を備えている。チャック駆動モ
ータ３０の上にはチャック３２が設けられている。チャ
ック３２は、その上に置かれる半導体ウェハ３４を保持
する部材である。チャック駆動モータ３０は、チャック
３２と共に、チャック３２上に保持される半導体ウェハ
３４を、紙面に垂直な平面内で回転させることができ
る。
【００２６】チャック３２の上方には光学部３６が設け
られている。光学部３６は、その下端部に、半導体ウェ
ハ３４の周辺部に向けて所定幅の露光光を照射する露光
光照射部（図示せず）を備えている。本実施形態のウェ
ハ周辺露光装置は、光学部３６が露光光を発生している
状況下でチャック駆動モータ３０を回転させることによ
り、半導体ウェハ３４の周辺部、より具体的には、半導
体ウェハ３４の最外周に位置する所定幅の環状部分に露
光光を照射することができる。
られている。光学部３６は、その下端部に、半導体ウェ
ハ３４の周辺部に向けて所定幅の露光光を照射する露光
光照射部（図示せず）を備えている。本実施形態のウェ
ハ周辺露光装置は、光学部３６が露光光を発生している
状況下でチャック駆動モータ３０を回転させることによ
り、半導体ウェハ３４の周辺部、より具体的には、半導
体ウェハ３４の最外周に位置する所定幅の環状部分に露
光光を照射することができる。
【００２７】光学部３６は、また、その下端部に焦点セ
ンサ３７を備えている。焦点センサ３７は、光学部３６
の下端部から半導体ウェハ３４の表面までの距離、すな
わち、露光面までの距離を検出することができる。例え
ば、半導体ウェハ３４の表面にレジストが塗布されてい
る場合、焦点センサ３７は、光学部３６の下端部から、
そのレジストの表面までの距離を検出することができ
る。焦点センサ３７により検出された上記の距離は、図
示しない制御ユニットに供給される。
ンサ３７を備えている。焦点センサ３７は、光学部３６
の下端部から半導体ウェハ３４の表面までの距離、すな
わち、露光面までの距離を検出することができる。例え
ば、半導体ウェハ３４の表面にレジストが塗布されてい
る場合、焦点センサ３７は、光学部３６の下端部から、
そのレジストの表面までの距離を検出することができ
る。焦点センサ３７により検出された上記の距離は、図
示しない制御ユニットに供給される。
【００２８】光学部３６は、位置調整機構３８により保
持されている。位置調整機構３８には、光学部３６の位
置を上下に変化させ得る位置調整モータ４０を備えてい
る。位置調整モータ４０は、上記の制御ユニット（図示
せず）によって制御される。
持されている。位置調整機構３８には、光学部３６の位
置を上下に変化させ得る位置調整モータ４０を備えてい
る。位置調整モータ４０は、上記の制御ユニット（図示
せず）によって制御される。
【００２９】本実施形態のウェハ周辺露光装置は、図３
に示すステップ１０６の処理（周辺露光処理）を実行す
る装置である。すなわち、本実施形態のウェハ周辺露光
装置は、図３に示すステップ１００〜１０４の処理が施
された半導体ウェハに周辺露光処理を施すために用いら
れる。そして、本実施形態の装置で処理された半導体ウ
ェハは、以後、図３に示すステップ１０８，１１０など
の処理に付される。ステップ１００〜１０４、１０８お
よび１１０の処理は、従来の処理と異なるところがない
ので、ここではその説明は省略する。
に示すステップ１０６の処理（周辺露光処理）を実行す
る装置である。すなわち、本実施形態のウェハ周辺露光
装置は、図３に示すステップ１００〜１０４の処理が施
された半導体ウェハに周辺露光処理を施すために用いら
れる。そして、本実施形態の装置で処理された半導体ウ
ェハは、以後、図３に示すステップ１０８，１１０など
の処理に付される。ステップ１００〜１０４、１０８お
よび１１０の処理は、従来の処理と異なるところがない
ので、ここではその説明は省略する。
【００３０】以下、図２を参照して、本実施形態のウェ
ハ周辺露光装置が、周辺露光処理の実現に伴って実行す
る一連の処理について説明する。尚、図２に示す一連の
処理は、上記の制御ユニットが、予め記憶しているプロ
グラムに従って動作することにより順次実行される。
ハ周辺露光装置が、周辺露光処理の実現に伴って実行す
る一連の処理について説明する。尚、図２に示す一連の
処理は、上記の制御ユニットが、予め記憶しているプロ
グラムに従って動作することにより順次実行される。
【００３１】図２に示すように、本実施形態のウェハ周
辺露光装置では、先ず、焦点センサ３７の検出結果に基
づいて、光学部３６の下端から半導体ウェハ３６の表面
（露光面）までの距離が検出される（ステップ１２
０）。
辺露光装置では、先ず、焦点センサ３７の検出結果に基
づいて、光学部３６の下端から半導体ウェハ３６の表面
（露光面）までの距離が検出される（ステップ１２
０）。
【００３２】次に、検出された上記の距離に基づいて、
光学部３６の位置が調整される（ステップ１２２）。よ
り具体的には、検出された上記の距離が、予め記憶され
ている光学部３６の焦点距離と一致するように、位置調
整モータ４０が駆動される。その結果、露光面の高さの
変動に関わらず、露光面と光学部３６との相対位置は、
常に最適な関係に制御される。
光学部３６の位置が調整される（ステップ１２２）。よ
り具体的には、検出された上記の距離が、予め記憶され
ている光学部３６の焦点距離と一致するように、位置調
整モータ４０が駆動される。その結果、露光面の高さの
変動に関わらず、露光面と光学部３６との相対位置は、
常に最適な関係に制御される。
【００３３】次に、光学部３６に露光光を発生させ、か
つ、チャック駆動モータ３０を回転させることにより、
半導体ウェハ３４の周辺部を露光する処理が行われる
（ステップ１２４）。この露光処理が実行されることに
より、半導体ウェハ３４上のレジストは、最適な焦点条
件で露光される。従って、以後、現像処理（図３中ステ
ップ１０８）が実行されると、半導体ウェハ３４上のレ
ジストは、その端面がほぼ垂直になるようにパターニン
グされる。
つ、チャック駆動モータ３０を回転させることにより、
半導体ウェハ３４の周辺部を露光する処理が行われる
（ステップ１２４）。この露光処理が実行されることに
より、半導体ウェハ３４上のレジストは、最適な焦点条
件で露光される。従って、以後、現像処理（図３中ステ
ップ１０８）が実行されると、半導体ウェハ３４上のレ
ジストは、その端面がほぼ垂直になるようにパターニン
グされる。
【００３４】このように、本実施形態のウェハ周辺露光
装置によれば、露光面の高さの変動に関わらず、半導体
ウェハ３４上のレジストを常に好適な状態にパターニン
グすることができる。従って、本実施形態のウェハ周辺
露光装置を用いることによれば、半導体装置の製造過程
における異物の発生を有効に防止することができる。
装置によれば、露光面の高さの変動に関わらず、半導体
ウェハ３４上のレジストを常に好適な状態にパターニン
グすることができる。従って、本実施形態のウェハ周辺
露光装置を用いることによれば、半導体装置の製造過程
における異物の発生を有効に防止することができる。
【００３５】ところで、上記の実施形態では、焦点セン
サ３７によって検出される光学部３６と露光面との距離
に基づいて光学部３６の位置を調整することとしている
が、光学部３６の位置調整の基礎データは、焦点センサ
３７により検出される上記の距離に限定されるものでは
ない。すなわち、光学部３６の位置は、光学部３６の外
に設けたセンサにより検出される露光面の高さに基づい
て調整することとしてもよい。
サ３７によって検出される光学部３６と露光面との距離
に基づいて光学部３６の位置を調整することとしている
が、光学部３６の位置調整の基礎データは、焦点センサ
３７により検出される上記の距離に限定されるものでは
ない。すなわち、光学部３６の位置は、光学部３６の外
に設けたセンサにより検出される露光面の高さに基づい
て調整することとしてもよい。
【００３６】また、上記の実施形態では、光学部３６の
位置を調整することで最適な焦点条件の実現を図ってい
るが、最適な焦点条件を実現するための手法はこれに限
定されるものではない。例えば、光学部３６を固定し
て、半導体ウェハ３４側を上下に移動させることにより
最適な焦点条件を実現してもよい。また、光学部３６に
ズーム機構を与えて、そのズーム機構により光学部３６
の焦点距離を変化させることにより最適な焦点条件を実
現することとしてもよい。
位置を調整することで最適な焦点条件の実現を図ってい
るが、最適な焦点条件を実現するための手法はこれに限
定されるものではない。例えば、光学部３６を固定し
て、半導体ウェハ３４側を上下に移動させることにより
最適な焦点条件を実現してもよい。また、光学部３６に
ズーム機構を与えて、そのズーム機構により光学部３６
の焦点距離を変化させることにより最適な焦点条件を実
現することとしてもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェハの表面に塗布されるレジストの高さの変
動、すなわち、露光面の高さの変動に関わらず、常に最
適な焦点条件でその周辺部を露光することができる。こ
のため、本発明によれば、半導体装置の品質を安定化さ
せると共に、その歩留まりを高めることができる。
半導体ウェハの表面に塗布されるレジストの高さの変
動、すなわち、露光面の高さの変動に関わらず、常に最
適な焦点条件でその周辺部を露光することができる。こ
のため、本発明によれば、半導体装置の品質を安定化さ
せると共に、その歩留まりを高めることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１のウェハ周辺露光装置
の主要部を表す図である。
の主要部を表す図である。
【図２】 実施の形態１のウェハ周辺露光装置において
実行される一連の処理の内容を表すフローチャートであ
る。
実行される一連の処理の内容を表すフローチャートであ
る。
【図３】 半導体装置の任意の層（第ｉ層）を対象とし
て実行される一般的な処理の流れを表すフローチャート
である。
て実行される一般的な処理の流れを表すフローチャート
である。
【図４】 シンナーにより周辺部が除去されたレジスト
の状態を説明するための図である。
の状態を説明するための図である。
【図５】 図４に示すレジストをマスクとしてエッチン
グ工程が行われた場合に形成される状態を表す図であ
る。
グ工程が行われた場合に形成される状態を表す図であ
る。
【図６】 周辺露光処理および現像処理により周辺部が
除去されたレジストの状態を説明するための図である。
除去されたレジストの状態を説明するための図である。
【図７】 図６に示すレジストをマスクとしてエッチン
グ工程が行われた場合に形成される状態を表す図であ
る。
グ工程が行われた場合に形成される状態を表す図であ
る。
【図８】 従来のウェハ周辺露光方法の問題点を説明す
るための図（その１）である。
るための図（その１）である。
【図９】 従来のウェハ周辺露光方法の問題点を説明す
るための図（その２）である。
るための図（その２）である。
３０ チャック駆動モータ ３２ チャック ３４ 半導体ウェハ ３６ 光学部 ３７ 焦点センサ ３８ 位置調整機構 ４０ 位置調整モータ
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ウェハの周辺部を露光するための
ウェハ周辺露光装置であって、 半導体ウェハの周辺部に向けて露光光を照射する光学部
と、 前記周辺部の高さを検出するセンサと、 前記センサの検出値に基づいて、前記光学部から発せら
れる露光光の焦点位置を調整する焦点位置調整機構と、 を含むことを特徴とするウェハ周辺露光装置。 - 【請求項２】 前記センサは、前記光学部と前記周辺部
との距離を検出する焦点センサを含み、 前記焦点位置調整機構は、前記光学部から発せられる露
光光の焦点が、前記周辺部の表面高さと一致するように
前記露光光の焦点位置を調整することを特徴とする請求
項１記載のウェハ周辺露光装置。 - 【請求項３】 前記焦点位置調整機構は、前記光学部と
前記周辺部の相対位置を調整する位置調整機構を含むこ
とを特徴とする請求項１または２記載のウェハ周辺露光
装置。 - 【請求項４】 前記焦点位置調整機構は、前記光学部か
ら発せられる露光光の焦点距離を調整するズーム機構を
含むことを特徴とする請求項１又は２記載のウェハ周辺
露光装置。 - 【請求項５】 半導体ウェハの周辺部を露光するための
ウェハ周辺露光方法であって、 半導体ウェハの周辺部の高さを検出する検出ステップ
と、 前記周辺部の高さに基づいて、前記周辺部に向けて照射
される露光光の焦点位置を調整する調整ステップと、 前記調整ステップの後に、前記周辺部に向けて露光光を
照射する露光ステップと、 を含むことを特徴とするウェハ周辺露光方法。 - 【請求項６】 前記検出ステップは、露光光を発する光
学部と前記周辺部との距離を検出するステップを含み、 前記調整ステップは、前記光学部から発せられる露光光
の焦点が、前記周辺部の表面高さと一致するように前記
露光光の焦点位置を調整する焦点調整ステップを含むこ
とを特徴とする請求項５記載のウェハ周辺露光方法。 - 【請求項７】 前記焦点調整するステップは、前記光学
部と前記周辺部の相対位置を調整するステップを含むこ
とを特徴とする請求項６記載のウェハ周辺露光方法。 - 【請求項８】 前記焦点調整ステップは、前記光学部が
備えるズーム機構を駆動して前記露光光の焦点距離を調
整するステップを含むことを特徴とする請求項６記載の
ウェハ周辺露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006107A JP2002217084A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | ウェハ周辺露光装置およびウェハ周辺露光方法 |
| TW090122338A TWI283893B (en) | 2001-01-15 | 2001-09-10 | System and method for exposing periphery of wafer |
| KR1020010057804A KR100687015B1 (ko) | 2001-01-15 | 2001-09-19 | 웨이퍼 주변 노광 장치 및 웨이퍼 주변 노광 방법 |
| US10/036,505 US6875971B2 (en) | 2001-01-15 | 2002-01-07 | Wafer edge exposure apparatus, and wafer edge exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006107A JP2002217084A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | ウェハ周辺露光装置およびウェハ周辺露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217084A true JP2002217084A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18874050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006107A Pending JP2002217084A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | ウェハ周辺露光装置およびウェハ周辺露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6875971B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002217084A (ja) |
| KR (1) | KR100687015B1 (ja) |
| TW (1) | TWI283893B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016009784A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 昭和電工株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2021015992A (ja) * | 2020-10-29 | 2021-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100536596B1 (ko) * | 2003-03-25 | 2005-12-14 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 가장자리 노광 장치 |
| US20060068930A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Tien-Jui Chi | Compound handle |
| US7786012B2 (en) * | 2007-03-12 | 2010-08-31 | Globalfoundries Inc. | Tapered edge exposure for removal of material from a semiconductor wafer |
| US7901854B2 (en) * | 2009-05-08 | 2011-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer edge exposure unit |
| CN102608861A (zh) * | 2011-01-19 | 2012-07-25 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法 |
| US9821348B2 (en) * | 2013-10-22 | 2017-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for water edge exposure and backside cleaning |
| CN104678710B (zh) * | 2013-11-26 | 2017-02-15 | 上海微电子装备有限公司 | 边缘曝光装置 |
| US11378888B1 (en) * | 2021-01-07 | 2022-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lens adjustment for an edge exposure tool |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267160A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-15 | Nikon Corp | 周辺露光装置 |
| JPH08321463A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-12-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 不要レジスト露光装置 |
| JPH09232231A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 不要レジスト露光装置 |
| JPH09260263A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-10-03 | Canon Inc | 周辺露光装置 |
| JPH1097973A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Ushio Inc | 紫外線照射装置 |
| JPH11162833A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 基板周縁露光方法 |
| JPH11214294A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Canon Inc | 周辺露光装置および方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4383757A (en) * | 1979-04-02 | 1983-05-17 | Optimetrix Corporation | Optical focusing system |
| KR960016175B1 (en) * | 1987-08-28 | 1996-12-04 | Tokyo Electron Ltd | Exposing method and apparatus thereof |
| DE68924667T2 (de) | 1988-05-13 | 1996-03-28 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Projektionsbelichtungsvorrichtung. |
| US5168304A (en) * | 1988-08-22 | 1992-12-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP2874280B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1999-03-24 | 株式会社ニコン | 周縁露光装置及び周縁露光方法 |
| US5654553A (en) * | 1993-06-10 | 1997-08-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate |
| US5546179A (en) * | 1994-10-07 | 1996-08-13 | Cheng; David | Method and apparatus for mapping the edge and other characteristics of a workpiece |
| TW316322B (ja) * | 1995-10-02 | 1997-09-21 | Ushio Electric Inc | |
| DE19724903A1 (de) * | 1997-06-12 | 1998-12-17 | Zeiss Carl Fa | Lichtintensitätsmeßanordnung |
| IL135139A0 (en) * | 1997-09-19 | 2001-05-20 | Nikon Corp | Stage apparatus, scanning type exposure apparatus, and device produced with the same |
| JP2001015420A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 半導体ウエハのパターン露光方法およびパターン露光装置 |
| DE10040981A1 (de) * | 1999-09-18 | 2001-03-22 | Nexpress Solutions Llc | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Lage eines Flächen und Kanten aufweisenden Gegenstandes sowie Positioniereinrichtung |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006107A patent/JP2002217084A/ja active Pending
- 2001-09-10 TW TW090122338A patent/TWI283893B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-19 KR KR1020010057804A patent/KR100687015B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-01-07 US US10/036,505 patent/US6875971B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267160A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-15 | Nikon Corp | 周辺露光装置 |
| JPH08321463A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-12-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 不要レジスト露光装置 |
| JPH09232231A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 不要レジスト露光装置 |
| JPH09260263A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-10-03 | Canon Inc | 周辺露光装置 |
| JPH1097973A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Ushio Inc | 紫外線照射装置 |
| JPH11162833A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 基板周縁露光方法 |
| JPH11214294A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Canon Inc | 周辺露光装置および方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016009784A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 昭和電工株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2021015992A (ja) * | 2020-10-29 | 2021-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP7038178B2 (ja) | 2020-10-29 | 2022-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6875971B2 (en) | 2005-04-05 |
| KR100687015B1 (ko) | 2007-02-27 |
| KR20020061478A (ko) | 2002-07-24 |
| US20020092964A1 (en) | 2002-07-18 |
| TWI283893B (en) | 2007-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7824846B2 (en) | Tapered edge bead removal process for immersion lithography | |
| JP2007194484A (ja) | 液浸露光方法 | |
| JP2002217084A (ja) | ウェハ周辺露光装置およびウェハ周辺露光方法 | |
| JP3823805B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2006019722A (ja) | 半導体基板の露光方法、及びこれを用いた露光装置 | |
| US6795162B2 (en) | Method for exposing a peripheral area of a wafer and apparatus for performing the same | |
| JP3218984B2 (ja) | 半導体ウエハ上の不要レジストを除去するためのウエハ周辺露光方法および装置 | |
| JPH053153A (ja) | ウエハ上の不要レジスト露光装置 | |
| JPH01132124A (ja) | 露光方法及びその装置 | |
| JP2009295716A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP2534567B2 (ja) | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 | |
| JP2889300B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JP2003173955A (ja) | ウエハ周辺露光方法および装置 | |
| JP2601335B2 (ja) | ウエハ周辺露光装置 | |
| JPH08335545A (ja) | 露光方法および装置 | |
| JPH09293675A (ja) | 周辺露光装置 | |
| JPH09102451A (ja) | ウエハ周辺露光方法および装置 | |
| JP2665487B2 (ja) | ウエハの周辺部露光装置 | |
| JP4199754B2 (ja) | パターンの露光方法 | |
| US10073360B2 (en) | Edge exposure apparatus | |
| JPH0795518B2 (ja) | ウエハ周辺露光ユニット | |
| JP2022023392A (ja) | マーク形成方法、パターン形成方法、及びリソグラフィ装置 | |
| JPH1092711A (ja) | 周辺露光装置 | |
| KR100350923B1 (ko) | 웨이퍼 주변노광방법 및 장치 | |
| JPH0273621A (ja) | ウエハ周辺露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040302 |