JP6998128B2 - サンプルウエーハ及びウエーハの形状確認方法 - Google Patents
サンプルウエーハ及びウエーハの形状確認方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6998128B2 JP6998128B2 JP2017086127A JP2017086127A JP6998128B2 JP 6998128 B2 JP6998128 B2 JP 6998128B2 JP 2017086127 A JP2017086127 A JP 2017086127A JP 2017086127 A JP2017086127 A JP 2017086127A JP 6998128 B2 JP6998128 B2 JP 6998128B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- sample wafer
- grinding
- sample
- convex portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
その一方で、中央部の被研削面と外周凸部の内側面とのなす角度が大きな角度(例えば、135度)になっている場合においては、ウエーハのデバイスチップとして取得できる領域が小さくなっていることから、ウエーハを分割して取得できるチップの個数が減少してしまうという問題がある。
CPU及びメモリ等の記憶素子等からなる制御手段は、チャックテーブル10及びレーザ光線照射手段11に電気的に接続されており、制御手段の制御の下で、チャックテーブル10の回転動作やレーザ光線照射手段11の移動動作等が制御される。
サンプルウエーハW1を研削する図6に示す研削装置2は、例えば、サンプルウエーハW1を保持する保持テーブル20と、保持テーブル20に保持されたサンプルウエーハW1を研削する研削手段21とを少なくとも備えている。
外径が円形状の保持テーブル20は、図示しない吸引源に連通する保持面20a上でサンプルウエーハW1を吸引保持することができ、鉛直方向の軸心周りに回転可能であると共にY軸方向に往復移動可能となっている。保持テーブル20の保持面20aは、保持テーブル20の回転中心を頂点とする緩やか傾斜を備える円錐面に形成されている。
研削を続行すると、図2に示す改質層M1に沿って研削圧力が作用することで改質層M1を起点にクラックがサンプルウエーハW1の表面Waに向かって伸長し、図7に示す薄化領域W1cは、その内部から割断される。また、薄化領域W1cに加わる研削圧力は、薄化領域W1c内の改質層M1から凸部W1d内の改質層M1にも伝播するため、凸部W1d内の改質層M1を起点にクラックが上下方向に伸長することで凸部W1dは内部から改質層M1に沿って割断される。その結果、サンプルウエーハW1は改質層M1に沿って2つに分割される。分割後も研削を続行し、例えば改質層M1を除去しつつサンプルウエーハW1が仕上げ厚みに形成されると研削が終了する。
次いで、図9に示すサンプルウエーハW1の凸部W1dから薄化領域W1cにかけてサンプルウエーハW1の直径の全体に沿って形成された切断面W1fから外周の凸部W1dと薄化領域W1cとのなす角度θ1を測定する測定工程を行う。測定工程は、例えば、サンプルウエーハW1の切断面W1fに対物レンズ等を含む顕微鏡を対向させて、顕微鏡によって切断面W1fを視覚的に拡大させつつ作業者が観察することで行う。
次いで、測定工程において、図12に示す検査用片W22の切断面W2fから外周凸部W2dと薄化領域W2cとのなす角度θ2を測定することで、サンプルウエーハW2の形状観察を容易に行うことができる。
次いで、測定工程において、図15に示す2つの検査用片W32の各切断面W3fから外周凸部W3dと薄化領域W3cとのなす角度θ3を測定することで、サンプルウエーハW3の形状観察を容易に行うことができる。
次いで、測定工程において、図18に示す検査用片W42の各切断面W4fから外周凸部W4dと薄化領域W4cとのなす角度θ4を測定することで、サンプルウエーハW4の形状観察を容易に行うことができる。
N:ノッチ
W1:サンプルウエーハ M1:改質層 W1c:薄化領域 W1d:外周の凸部 W1f:切断面
1:レーザ加工装置 10:チャックテーブル 100:吸着部 100a:保持面 101:枠体
11:レーザ光線照射手段 111:集光器 111a:集光レンズ 119:レーザ光線発振器
2:研削装置 20:保持テーブル 20a:保持面
21:研削手段 210:スピンドル 211:ハウジング 213:マウント214:研削ホイール 214a:ホイール基台 214b:研削砥石
Claims (2)
- 外周部に凸部と、中央部に薄化領域と、を形成した後に、切断して、該凸部及び該薄化領域の切断面から該凸部と該薄化領域とのなす角度を測定する工程実施用のサンプルウエーハであって、
ウエーハに対して透過性を有するレーザ光線が照射されることでウエーハの内部に少なくともウエーハの該外周部から該中央部にかけてウエーハの直径の全体又は一部に沿った該切断の起点となる改質層が形成されていることを特徴とするサンプルウエーハ。 - 請求項1に記載のサンプルウエーハを用いたウエーハの形状確認方法であって、
該サンプルウエーハの中央部を研削手段で薄化して薄化領域を形成すると共に外周に凸部を形成する研削工程と、
前記改質層を起点にサンプルウエーハを分割してサンプルウエーハの切断面を露出させる切断工程と、
サンプルウエーハの該凸部から該薄化領域にかけてサンプルウエーハの直径の全体又は一部に沿って形成された該切断面から該外周の凸部と該薄化領域とのなす角度を測定する測定工程と、を備えることを特徴とするウエーハの形状確認方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017086127A JP6998128B2 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | サンプルウエーハ及びウエーハの形状確認方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017086127A JP6998128B2 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | サンプルウエーハ及びウエーハの形状確認方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018183792A JP2018183792A (ja) | 2018-11-22 |
JP6998128B2 true JP6998128B2 (ja) | 2022-01-18 |
Family
ID=64356719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017086127A Active JP6998128B2 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | サンプルウエーハ及びウエーハの形状確認方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6998128B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7233308B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2023-03-06 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165817A (ja) | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法 |
-
2017
- 2017-04-25 JP JP2017086127A patent/JP6998128B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165817A (ja) | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018183792A (ja) | 2018-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10056263B2 (en) | Method of processing SiC wafer | |
US10262899B2 (en) | Method of processing wafer | |
KR20170012025A (ko) | 웨이퍼의 박화 방법 | |
JP2006108532A (ja) | ウエーハの研削方法 | |
TWI606506B (zh) | Method for forming a follow-up film wafer | |
TWI677020B (zh) | 光元件晶片之製造方法 | |
JP6013858B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
US20220032503A1 (en) | Si SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD | |
JP7359980B2 (ja) | シリコンウェハの研削後表面のレーザー照射修復装置及び修復方法 | |
JP7347939B2 (ja) | シリコンウェハの表面の研削修復装置及び研削修復方法 | |
KR20150117607A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
JP2020038870A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6998128B2 (ja) | サンプルウエーハ及びウエーハの形状確認方法 | |
JP2018206890A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6970554B2 (ja) | 加工方法 | |
TW202003141A (zh) | 倒角加工方法 | |
JP5916336B2 (ja) | ウエーハの研削方法 | |
US11195757B2 (en) | Wafer processing method | |
JP7166714B2 (ja) | 切削ブレード、切削ブレードの製造方法及び被加工物の加工方法 | |
JP6981773B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6608746B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20190105506A (ko) | 피가공물의 연삭 방법 | |
US20240112902A1 (en) | Processing method of bonded wafer and processing apparatus | |
JP2022076543A (ja) | ウエーハの生成方法 | |
JP2023071253A (ja) | 加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6998128 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |