JP2013153088A - ウエハ加工用テープ - Google Patents
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Abstract
ンドによるたわみが収縮可能なウエハ加工用テープを提供すること。
【解決手段】基材フィルム11と粘着剤層12とを有する粘着テープ10を有し、エキスパンドにより、粘着剤層12上に貼合されたウエハWを個々のチップCに対応して分断する際または粘着剤層12上に貼合された接着剤フィルム13および/または接着剤フィルム13に貼合されたウエハWを個々のチップCに対応して分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することにより収縮するウエハ加工用テープ1であって、粘着テープ10の25℃での伸び率が200%以上であって、粘着テープ10を25℃で伸び率200%以上に伸ばした後、100℃に加熱することで伸び率が120%以下に収縮し、収縮した粘着テープ10の25℃での120%に伸ばしたときにかかる力が2N以上である。
【選択図】図1
Description
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持
する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
(b)前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(c)前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
(d)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(e)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
粘着剤層12は、基材シート11上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層12としては特に制限はないが、粘着剤層12上に貼り合わされる接着剤フィルム13に対する剥離力(粘着強度)が、エキスパンド時(接着剤フィルム13および/またはウエハWの分断時)には接着剤フィルム13付きのチップCを保持することができる程度であり、且つ、ピックアップ時には接着剤フィルム13との剥離が容易である特性を有するものであればよい。ピックアップ性を向上させるためには、粘着剤層12は放射線硬化性のものが好ましい。
接着剤フィルム13は、ウエハWが貼り合わされ切断あるいは分断された後、チップCをピックアップする際に、粘着剤層12から剥離してチップCに付着しており、チップCをパッケージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能するものである。
本発明のウエハ加工用テープ1の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤フィルム12を分断する工程を含む半導体装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法(A)〜(H)において好適に使用できる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
(b)前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(c)前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
(d)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(e)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生・BR>カた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープを−15℃〜10℃でエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープを−15℃〜10℃でエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープを−15℃〜10℃でエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
(a)ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
(b)前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(c)前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
(d)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(e)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープを−15℃〜10℃でエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に使用することができる。
ステルスダイシング法を用いた場合の、本発明のウエハ加工用テープの使用方法について、図2〜図5を参照しながら説明する。
基材シートA:エチレン-メタクリル酸共重合体
基材シートB:アイオノマー樹脂共重合体とエチレン-メタクリル酸共重合体の積層
基材シートC:エチレン−酢酸ビニル樹脂共重合体
基材シートD:PPとエチレン−酢酸ビニル樹脂共重合体の積層
基材シートE:アイオノマー樹脂共重合体(Zn架橋系)
基材シートF:PP/エラストマー(イソプレン系)共重合体
基材シートG:PP/エラストマー(ブタジエン系)共重合体
基材シートH:アイオノマー樹脂共重合体(Na架橋系)
粘着剤層組成物a:アクリル系放射線硬化性粘着剤組成物(Tg:−30℃)
粘着剤層組成物b:アクリル系放射線硬化性粘着剤組成物(Tg:−9℃)
基材シートA(厚み80μm)に、有機溶剤に溶解した粘着剤層組成物aを乾燥膜厚が10μmとなるように塗布し、110℃で3分間乾燥させ、粘着テープを作製し実施例1のウエハ加工用テープを得た。
基材シートとして基材シートB(厚み80μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2のウエハ加工用テープを作製した。
基材シートとして基材シートC(厚み100μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3のウエハ加工用テープを作製した。
基材シートとして基材シートD(厚み100μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例4のウエハ加工用テープを作製した。
基材シートとして基材シートE(厚み100μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例5のウエハ加工用テープを作製した。
基材シートとして基材シートE(厚み150μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例6のウエハ加工用テープを作製した。
粘着剤層組成物として粘着剤層組成物bを用いたこと以外は、実施例6と同様にして、実施例7のウエハ加工用テープを作製した。
基材シートとして基材シートF(厚み100μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例8のウエハ加工用テープを作製した。
基材シートとして基材シートE(厚み80μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例9のウエハ加工用テープを作製した。
基材シートとして基材シートG(厚み100μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1のウエハ加工用テープを作製した。
基材シートとして基材シートH(厚み100μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例2のウエハ加工用テープを作製した。
引張試験装置(JIS B 7721)を使用して、25℃または−10℃にて以下のような引張試験によってウエハ加工用テープの伸び率を測定した。
上記方法により、100℃に加熱後、再び引っ張り速度1000mm/minで引っ張ったときにかかる力を測定した。結果を表1に示す。
半導体ウエハ(厚さ50μm、径300mm)に、レーザー光を照射し、ウエハ内部に改質領域を形成した。レーザー照射後の半導体ウエハ及びステンレス製のリングフレームに、接着剤層(接着剤フィルム)をあらかじめ積層した実施例1〜9及び比較例1,2のウエハ加工用テープをラミネートした。次に、粘着テープの外周部に、内径330mmの樹脂製のエキスパンドリングを貼り付け、エキスパンド装置によりリングを固定し、粘着テープを以下のエキスパンド条件にてエキスパンドした。
エキスパンド速度:100mm/sec
エキスパンド量:20mm
その後、粘着テープに紫外線を照射し、粘着テープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させた。
エキスパンド後に、半導体ウエハとともに接着剤層が分断されたか否かを光学顕微鏡で観察した。結果を表2に示す。表2に示す分断性は、総チップ数に対する、良好に分断された接着剤層の数をパーセンテージで表したものである。なお、レーザー加工後の総チップ数は、約400個であり、チップサイズは10mm×10mmである。
また、参考例1,2として、接着剤層をあらかじめ積層した実施例6、比較例1のウエハ加工用テープに、半導体ウエハ(厚さ50μm、径300mm)を貼り付け、ダイシング装置(DISCO社製 DAD−340)により同様のチップサイズ10mm×10mmに半導体ウエハおよび接着剤層をダイシングしたのちに、ピックアップ試験を行った。結果を表2に示す。
ダイシング速度:50mm/sec
回転数:40000rpm
10:粘着テープ
11:基材シート
12:粘着剤層
13:接着剤フィルム
20:リングフレーム
21:ステージ
22:突き上げ部材
23:半導体チップCが存在する領域とリングフレーム20との間の円環状の領域
24:温風ノズル
Claims (7)
- 基材フィルムと粘着剤層とを有する粘着テープを有し、エキスパンドすることにより、前記粘着剤層上に貼合されたウエハを個々のチップに対応して分断する際または前記粘着剤層上に貼合された接着剤フィルムおよび/または前記接着剤フィルムに貼合されたウエハを個々のチップに対応して分断する際に用いられ、エキスパンド後に加熱することにより収縮するウエハ加工用テープであって、
前記粘着テープは、25℃での伸び率が200%以上であって、25℃で伸び率200%以上に伸ばした後、100℃に加熱することで伸び率が120%以下に収縮し、
1号ダンベル形状(JIS K 6251)で打ち抜いた前記収縮した粘着テープを、標線間距離40mm、引張速度1000mmm/minで、25℃において120%に伸ばしたときにかかる力が、2N以上であることを特徴とするウエハ加工用テープ。 - 前記粘着テープは、−10℃での伸び率が150%以上であって、25℃で伸び率200%まで伸ばし、100℃に加熱することで伸び率が120%以下に収縮し、
1号ダンベル形状(JIS K 6251)で打ち抜いた前記収縮した粘着テープを、標線間距離40mm、引張速度1000mmm/minで、25℃において120%に伸ばしたときにかかる力が、2N以上であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤フィルムとを分断ラインに沿って分断し、複数の接着剤フィルム付き半導体チップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(b)前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
(c)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(d)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(e)ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
(a)ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削する工程と、
(b)前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
(c)前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
(d)70〜80℃で半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの前記粘着剤層に貼合された接着剤フィルムを貼合する工程と、
(e)前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
(f)前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤フィルムを前記半導体チップに対応して分断し、複数の接着剤フィルム付きチップを得る工程と、
(g)前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
(h)前記接着剤半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウエハ加工用テープ。 - −15℃〜10℃でエキスパンドすることを特徴とする請求項2から請求項6のいずれか一項に記載のウエハ加工用テープ。
Priority Applications (1)
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