CN107004589A - 切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切割片及切割·芯片接合薄膜，其能够去除切割片的松弛，可以防止半导体元件彼此接触。涉及一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。切割片具备基材和配置在基材上的粘合剂层。切割·芯片接合薄膜具备切割片和配置在粘合剂层上的粘接剂层。

Description

切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法。
背景技术
关于使用如图13、图14所示的、包含具有基材911和配置在基材911上的粘合剂层912的切割片901、以及配置在粘合剂层912上的粘接剂层903的切割·芯片接合薄膜910的半导体装置的制造技术，已知有如下的方法等：将具有半导体元件905A、905B、905C、……、905H及改性区域941的晶圆904压接在粘接剂层903上，扩展切割片901，从而使晶圆904及粘接剂层903以改性区域941为起点断开(例如参见专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-192370号公报
专利文献1:日本特开2003-338467号公报
发明内容
发明要解决的问题
如图15所示，解除扩展后，周边部912b会松弛。如果对周边部912b的松弛放任不管，则有时半导体元件905A和半导体元件905B、半导体元件905B和半导体元件905C、……半导体元件905G和半导体元件905H会接触。
本发明目的在于解决上述课题，提供一种能够消除松弛、可以防止半导体元件彼此接触的切割片。
用于解决问题的方案
本发明涉及一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。由于相对于第1长度100％，第2长度为95％以下，因此通过加热能够去除松弛，可以防止半导体元件彼此接触。
本发明的切割片优选具有如下性质。即，在23℃下沿MD方向伸长3％时的拉伸应力为1N/mm2以上。为1N/mm2以上时，当割断半导体晶圆时会受到适度的拉伸应力，能够割断半导体晶圆且可以使半导体元件彼此隔开间隔。
本发明的切割片优选具有如下性质。即，在23℃下沿MD方向伸长6％时的拉伸应力为1.5N/mm2以上。为1.5N/mm2以上时，割断半导体晶圆时会受到适度的拉伸应力，因此，能够割断半导体晶圆且可以使半导体元件彼此隔开间隔。
本发明的切割片的厚度优选为40μm～200μm。本发明的切割片通常具备基材和配置在基材上的粘合剂层。
本发明还涉及一种切割·芯片接合薄膜，其具备切割片和配置在粘合剂层上的粘接剂层。粘接剂层的玻璃化转变温度优选为0℃以上。优选粘合剂层具备与粘接剂层接触的中央部和配置在中央部的周边的周边部。
本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序：准备分割体的工序；扩展切割片，从而使分割晶圆及粘接剂层以改性区域为起点断开的工序；在使分割晶圆和粘接剂层断开的工序之后，对周边部进行加热的工序。分割体具备切割·芯片接合薄膜、和配置在粘接剂层上的分割晶圆。分割晶圆具备改性区域。
附图说明
图1为切割片的剖面示意图。
图2为切割·芯片接合薄膜的剖面示意图。
图3为通过激光在半导体晶圆的内部形成改性区域的工序的立体示意图。
图4为分割晶圆的剖面示意图。
图5为层叠体的剖面示意图。
图6为层叠体的剖面示意图。
图7为扩展层叠体的工序的剖面示意图。
图8为分割结构体的剖面示意图。
图9为扩展分割结构体的工序的剖面示意图。
图10为分割结构体的剖面示意图。
图11为带半导体元件的被粘物的剖面示意图。
图12为带半导体元件的被粘物的剖面示意图。
图13为切割·芯片接合薄膜和配置在切割·芯片接合薄膜上的晶圆等的剖面示意图。
图14为通过扩展切割片而使晶圆及粘接剂层断开的工序的剖面示意图。
图15为切割片等的剖面示意图。
图16为试验片的立体示意图。
具体实施方式
以下列举实施方式来详细说明本发明，但本发明并非仅限于这些实施方式。
[实施方式1]
(切割片1)
如图1所示，切割片1具备基材11和配置在基材11上的粘合剂层12。
切割片1具备如下性质。即，通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD(Machine Direction)方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。相对于第1长度100％，第2长度优选为96％以下。另一方面，相对于第1长度100％，第2长度例如为50％以上。
第2长度相对于第1长度的比值可以通过基材11的材料、基材11的制膜方法来控制。其中，基材11的制膜方法给第2长度相对于第1长度的比值带来的影响大。例如，可以通过对基材11进行拉伸来减小第2长度相对于第1长度的比值。
切割片1优选具有如下性质。即，在23℃下沿MD方向伸长3％时的拉伸应力优选为1N/mm2以上。为1N/mm2以上时，割断半导体晶圆时会受到适度的拉伸应力，因此能够割断半导体晶圆且可以使半导体元件彼此隔开间隔。另外，可以维持半导体元件彼此的间隔。在23℃下沿MD方向伸长3％时的拉伸应力的上限为例如15N/mm2。
切割片1优选具有如下性质。即，在23℃下沿MD方向伸长6％时的拉伸应力优选为1.5N/mm2以上。为1.5N/mm2以上时，割断半导体晶圆时会受到适度的拉伸应力，因此能够割断半导体晶圆且可以使半导体元件彼此隔开间隔。另外，可以维持半导体元件彼此的间隔。在23℃下沿MD方向伸长6％时的拉伸应力的上限为例如20N/mm2。
切割片1的厚度优选为40μm以上、更优选为60μm以上。另一方面，切割片1的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下。
在将切割片1的厚度设为100％时，基材11的厚度优选50％以上、更优选70％以上。另一方面，基材11的厚度优选98％以下、更优选95％以下。
作为基材11，例如可以列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚酰胺薄膜、聚氨基甲酸酯薄膜、聚偏氯乙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-丙烯酸酯共聚物薄膜、聚氯乙烯薄膜等。
作为基材11，可以使用无拉伸薄膜、单向拉伸薄膜、双向拉伸薄膜等。其中，从不存在各向异性的理由出发，优选无拉伸薄膜。
作为基材11的结构，可以列举出：单层、多层等。
为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，基材11的表面可以实施惯用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化辐射线处理等化学处理或物理处理、利用底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。
作为粘合剂层12的形成中使用的粘合剂，没有特别限定，例如可以使用丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等通常的压敏性粘接剂。作为压敏性粘接剂，从半导体晶圆、玻璃等怕污染的电子部件的利用超纯水、醇等有机溶剂的清洁洗涤性等观点出发，优选以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂。
作为丙烯酸系聚合物，例如可以列举出：将(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳数1～30、特别是碳数4～18的直链状或支链状的烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)中的1种或2种以上用作单体成分的丙烯酸系聚合物等。需要说明的是，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的(甲基)全部为相同的含义。
出于改善内聚力、耐热性等目的，丙烯酸系聚合物可以根据需要包含对应于能够与上述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其它单体成分的单元。作为这样的单体成分，例如可以列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能够共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些能够共聚的单体的用量优选全部单体成分的40重量％以下。
进而，为了使丙烯酸系聚合物交联，也可以根据需要包含多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这样的多官能性单体，例如可以列举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。从粘合特性等观点出发，多官能性单体的用量优选全部单体成分的30重量％以下。
丙烯酸系聚合物可以通过使单一单体或2种以上的单体混合物聚合而得到。聚合也可以以溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式来进行。从防止对清洁的被粘物的污染等观点出发，优选低分子量物质的含量少。从该观点出发，丙烯酸系聚合物的数均分子量优选为30万以上，进一步优选为40万～300万左右。
另外，在上述粘合剂中，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸系聚合物等的数均分子量，也可以适当采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可以列举出：添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓的交联剂并使其反应的方法。使用外部交联剂时，其用量根据与要进行交联的基础聚合物的平衡、进而根据作为粘合剂的使用用途来适当确定。通常优选的是，相对于上述基础聚合物100重量份，配混5重量份左右以下、进而0.1～5重量份。进而，在粘合剂中，根据需要，除了上述成分之外，也可以使用现有公知的各种增粘剂、防老剂等添加剂。
粘合剂层12可以由辐射线固化型粘合剂来形成。辐射线固化型粘合剂可以通过照射紫外线等辐射线来增大交联度、容易地降低其粘合力。
辐射线固化型粘合剂只要具有碳-碳双键等辐射线固化性的官能团且显示粘合性，就可以没有特别限定地使用。作为辐射线固化型粘合剂，例如可以例示出在上述丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等通常的压敏性粘合剂中配混辐射线固化性的单体成分、低聚物成分而成的添加型辐射线固化型粘合剂。
作为要配合的辐射线固化性的单体成分，例如可以列举出：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，辐射线固化性的低聚物成分可以列举出：氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，其分子量在100～30000左右的范围是适当的。辐射线固化性的单体成分、低聚物成分的配合量可以根据上述粘合剂层的种类来适当决定能够降低粘合剂层的粘合力的量。通常，相对于构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物100重量份，为例如5～500重量份、优选40～150重量份左右。
另外，作为辐射线固化型粘合剂，除了上述说明的添加型辐射线固化型粘合剂之外，可以列举使用了在聚合物侧链或主链中或者在主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型辐射线固化型粘合剂。内在型辐射线固化型粘合剂不需要含有或不大量含有作为低分子成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不会经时地在粘合剂中移动，可以形成层结构稳定的粘合剂层，故而优选。
上述具有碳-碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键且具有粘合性的聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物作为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸系聚合物的基本骨架，可以列举出上述所例示的丙烯酸系聚合物。
对向上述丙烯酸系聚合物中导入碳-碳双键的方法没有特别限定，可以采用各种方法，但在聚合物侧链中导入碳-碳双键的分子设计容易。例如，可以列举出如下方法：预先使具有官能团的单体与丙烯酸系聚合物共聚，然后，使具有能够与该官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线固化性的状态下进行缩合或加成反应。
作为这些官能团的组合的例子，可以列举出：羧酸基与环氧基、羧酸基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。这些官能团的组合之中，从追踪反应的容易程度出发，羟基与异氰酸酯基的组合是适宜的。另外，只要是通过这些官能团的组合来生成上述具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物的组合，则官能团可以位于丙烯酸系聚合物和上述化合物中的任一侧，但在上述的优选组合中，丙烯酸系聚合物具有羟基且上述化合物具有异氰酸酯基的情况是适宜的。此时，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如可以列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸系聚合物，可以使用将上述例示的含羟基单体、2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚系化合物等共聚而成的聚合物。
上述内在型辐射线固化型粘合剂可以单独使用上述具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸系聚合物)，也可以在不会使特性恶化的程度下配混上述辐射线固化性的单体成分、低聚物成分。辐射线固化性的低聚物成分等通常相对于基础聚合物100重量份在30重量份的范围内、优选在0～10重量份的范围。
上述辐射线固化型粘合剂在利用紫外线等进行固化时含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以列举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚系化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮、2-氯代噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配混量相对于构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物100重量份为例如0.05～20重量份左右。
另外，作为辐射线固化型粘合剂，例如可以列举出：日本特开昭60-196956号公报中公开的、含有具有2个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物与羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐系化合物等光聚合引发剂的橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂等。
上述辐射线固化型的粘合剂层12中，还可以根据需要含有经辐射线照射而着色的化合物。通过使粘合剂层12中含有经辐射线照射而着色的化合物，可以仅使辐射线照射的部分着色。经辐射线照射而着色的化合物是在辐射线照射前为无色或浅色、通过辐射线照射而变为有色的化合物，例如可以列举出：隐色染料等。经辐射线照射而着色的化合物的使用比例可以适宜进行设定。
(切割·芯片接合薄膜10)
如图2所示，切割·芯片接合薄膜10具备：切割片1和设置在粘合剂层12上的粘接剂层3。
粘合剂层12具备与粘接剂层3接触的中央部12a和配置在中央部12a的周边的周边部12b。中央部12a是通过辐射线照射而固化的部分。
粘接剂层3具备热固性。
粘接剂层3的玻璃化转变温度优选为0℃以上、更优选为10℃以上。为0℃以上时，可以使粘接剂层3在低温(例如0℃以下)环境下容易地断开。粘接剂层3的玻璃化转变温度的上限为例如100℃。
粘接剂层3的玻璃化转变温度可以通过丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度等来控制。
粘接剂层3优选包含热塑性树脂。作为热塑性树脂，可以列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙和6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂或氟树脂等。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、可以确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。
作为丙烯酸类树脂，没有特别限定，可列举出将具有碳数30以下、特别是碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的1种或2种以上作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为上述烷基，例如可以列举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
另外，作为形成聚合物(丙烯酸类共聚物)的其它单体，没有特别限定，例如可以列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等之类的含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等之类的酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己基)-甲酯等之类的含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等之类的含磺酸基单体；或者2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等之类的含磷酸基单体。
丙烯酸类树脂中，优选重均分子量为10万以上的丙烯酸类树脂，更优选30万～300万的丙烯酸类树脂，进一步优选50万～200万的丙烯酸类树脂。这是由于，在上述数值范围内时，粘接性和耐热性优异。需要说明的是，重均分子量是利用GPC(凝胶渗透色谱)进行测定并通过聚苯乙烯换算而算出的值。
粘接剂层3优选含有热固性树脂。由此，可以提高热稳定性。
作为热固性树脂，可以列举出：酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂或热固性聚酰亚胺树脂等。特别优选会腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
作为环氧树脂，没有特别限定，可以使用例如：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四(苯基羟基)乙烷型等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂或乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型或者缩水甘油胺型等的环氧树脂。这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型树脂或四(苯基羟基)乙烷型环氧树脂。这是因为，这些环氧树脂富于与作为固化剂的酚醛树脂的反应性、耐热性等优异。
酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂而起作用，例如可以列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。这些酚醛树脂中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为可以提高半导体装置的连接可靠性。
关于环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，例如适宜的是以相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基成为0.5～2.0当量的方式来配混。更适宜的是0.8～1.2当量。即，这是因为，若两者的配合比例在上述范围之外，则不会进行充分的固化反应，固化物的特性变得容易劣化。
粘接剂层3含有环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂时，相对于丙烯酸类树脂100重量份，环氧树脂和酚醛树脂的合计含量优选为100重量份～1300重量份。
在使粘接剂层3预先以某种程度进行交联的情况下，在制作时，可以预先添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。从而可以提高高温下的粘接特性，实现耐热性的改善。
作为交联剂，可以采用现有公知的交联剂。特别是，更优选甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、多元醇与二异氰酸酯的加成物等多异氰酸酯化合物。作为交联剂的添加量，相对于聚合物100重量份，通常优选设为0.05～7重量份。交联剂的量多于7重量份时，粘接力会降低，因而不优选。另一方面，少于0.05重量份时，内聚力不足，因而不优选。另外，在含有这样的多异氰酸酯化合物的同时，也可以根据需要一并含有环氧树脂等其它多官能性化合物。
另外，粘接剂层3中可以根据其用途适当配混无机填充剂。无机填充剂的配混能够实现导电性的赋予、热传导性的提高、弹性模量的调节等。作为无机填充剂，例如可以列举出：二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类；铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属或合金类；其它由炭等形成的各种无机粉末。
粘接剂层3优选含有热固化催化剂。热固化催化剂的含量相对于丙烯酸类树脂100重量份优选为0.01～3重量份、更优选为0.05～1重量份。
作为热固化催化剂，没有特别限制，例如可以列举出：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三苯基硼烷系化合物、三卤代硼烷系化合物等。
作为咪唑系化合物，可以列举出：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪异氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均为四国化成株式会社制)。
作为三苯基膦系化合物，没有特别限制，例如可以列举出：三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有机膦；四苯基溴化鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-ZC)等(均为北兴化学株式会社制)。
作为三苯基硼烷系化合物，没有特别限制，例如可以列举出：三(对甲基苯基)膦等。另外，作为三苯基硼烷系化合物，还进一步包括具有三苯基膦结构的三苯基硼烷系化合物。作为该具有三苯基膦结构及三苯基硼烷结构的化合物，没有特别限制，例如可以列举出：四苯基鏻四苯基硼酸盐(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四对三硼酸盐(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸盐(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均为北兴化学株式会社制)。
作为氨基系化合物，没有特别限制，例如可以列举出：单乙醇胺三氟硼酸盐(Stella Chemifa株式会社制)、双氰胺(Nacalai Tesque株式会社制)等。
作为三卤代硼烷系化合物，没有特别限制，例如可以列举出：三氯硼烷等。
需要说明的是，在粘接剂层3中，还可以根据需要适当地配混其它添加剂。作为其它添加剂，例如可以列举出：阻燃剂、硅烷偶联剂或离子捕获剂等。作为阻燃剂，例如可以列举出：三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。作为硅烷偶联剂，例如可以列举出：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。作为离子捕获剂，例如可以列举出：水滑石类、氢氧化铋等。
粘接剂层3可以通过常规方法来制造。例如，可以制作含有上述各成分的粘接剂组合物溶液，将粘接剂组合物溶液按照达到规定厚度的方式涂布在基材隔膜上而形成涂布膜后，使该涂布膜干燥，从而制造粘接剂层3。
作为粘接剂组合物溶液中使用的溶剂，没有特别限制，优选可以均匀地溶解、混炼或分散上述各成分的有机溶剂。例如可以列举出：二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂；甲苯、二甲苯等。对涂布方法没有特别限制。作为溶剂涂覆的方法，例如可以列举出：模涂、凹版涂布、辊涂、反向涂布、逗点涂布、管式刮刀涂布、丝网印刷等。其中，从涂布厚度的均匀性高的观点出发，优选模涂。
作为基材隔膜，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸等。作为粘接剂组合物溶液的涂布方法，例如可以列举出：辊涂覆、丝网涂覆、凹版涂覆等。另外，对涂布膜的干燥条件没有特别限制，例如可以以干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟来进行。
作为粘接剂层3的制造方法，例如将上述各成分用搅拌机混合，将得到的混合物加压成型而制造粘接剂层3的方法等也是合适的。作为搅拌机，可以列举出行星搅拌机等。
对粘接剂层3的厚度没有特别限制，优选为5μm以上，更优选为15μm以上。粘接剂层3的厚度优选为100μm以下，更优选为50μm以下。
粘接剂层3可以作为将引线框等被粘物与半导体元件粘接的芯片贴装薄膜(dieattach film)使用。作为被粘物，可以列举出：引线框、中介层(interposer)、半导体元件等。
粘接剂层3优选被隔膜保护(图中未示出)。隔膜在供于实际使用前具有作为保护粘接剂层3的保护材料的功能。隔膜在将半导体晶圆粘贴到粘接剂层3时被剥掉。作为隔膜，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、通过氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸等。
切割·芯片接合薄膜10可以通过通常的方法来制造。例如，将切割片1和粘接剂层3贴合，从而可以制造切割·芯片接合薄膜10。
切割·芯片接合薄膜10可以为了制造半导体装置而使用。
(半导体装置的制造方法)
如图3所示，使聚光点对准半导体晶圆4P的内部并沿着格子状的预分割线4L照射激光100，在半导体晶圆4P的内部形成改性区域41。从而，得到分割晶圆4。
激光100的照射条件可以在例如以下条件的范围内适当调整。
(A)激光100
(B)聚光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
对激光波长的透射率 100％以下
(C)载置半导体晶圆的载置台的移动速度 280mm/秒以下
需要说明的是，关于通过照射激光100来形成改性区域41的方法，在日本专利第3408805号公报、日本特开2003-338567号公报等中有详细记载，因此此处省略详细的说明。
如图4所示，分割晶圆4具备改性区域41。分割晶圆4还具备半导体元件5A、5B、5C、……、5H。
分割晶圆4以表面(正面)和与表面相对的背面来定义两个面。表面是设置电路的面。另一方面，背面是未设置电路的面。
对分割晶圆4的背面进行研削，从而将分割晶圆4减薄。
如图5所示，在粘接剂层3上压接分割晶圆4，得到层叠体21。层叠体21具备切割·芯片接合薄膜10和配置在粘接剂层3上的分割晶圆4。
如图6所示，在周边部12b粘贴切割环31。
如图7所示，使配置在层叠体21下方的顶起部33上升，从而扩展切割片1，使分割晶圆4及粘接剂层3以改性区域41为起点断开。从而，得到具备切割片1和配置在粘合剂层12上的接合用芯片2A、2B、2C、……、2H的分割结构体51。接合用芯片2A具备粘接薄膜22A和配置在粘接薄膜22A上的半导体元件5A。接合用芯片2B具备粘接薄膜22B和配置在粘接薄膜22B上的半导体元件5B。接合用芯片2C具备粘接薄膜22C和配置在粘接薄膜22C上的半导体元件5C。接合用芯片2D具备粘接薄膜22D和配置在粘接薄膜22D上的半导体元件5D。接合用芯片2E具备粘接薄膜22E和配置在粘接薄膜22E上的半导体元件5E。接合用芯片2F具备粘接薄膜22F和配置在粘接薄膜22F上的半导体元件5F。接合用芯片2G具备粘接薄膜22G和配置在粘接薄膜22G上的半导体元件5G。接合用芯片2H具备粘接薄膜22H和配置在粘接薄膜22H上的半导体元件5H。粘接薄膜22A、22B、22C、……、22H与粘合剂层12接触。
优选在10℃以下扩展切割片1。更优选在0℃以下扩展。在0℃以下时，可容易地使粘接剂层3断开。对温度的下限没有特别限制，例如为-20℃。
顶起部33上升的速度优选为0.1mm/秒以上、更优选为1mm/秒以上。为0.1mm/秒以上时，可以容易地断开。另一方面，对扩展速度的上限没有特别限制。
如图8所示，使顶起部33下降。通过使顶起部33下降，周边部12b产生松弛。
如图9所示，通过使配置在分割结构体51下方的吸附台32上升来扩展切割片1，一边保持扩展状态一边用吸附台32吸起切割片1。
如图10所示，一边用吸附台32吸起切割片1一边使吸附台32下降。
一边用吸附台32吸起切割片1一边对周边部12b吹送热风。通过对周边部12b吹送热风，能够去除松弛，可以防止接合用芯片2A与接合用芯片2B、接合用芯片2B与接合用芯片2C、……接合用芯片2G与接合用芯片2H接触。
热风的温度优选为220℃以上、更优选为250℃以上。为220℃以上时，可以容易地使周边部12b收缩。另一方面，关于热风的温度，优选以400℃以下、更优选以300℃以下进行加热。为400℃以下时，可以防止切割片1的破损。
然后，在粘合剂层12为紫外线固化型的情况下，对粘合剂层12照射紫外线而使粘合剂层12固化。从而，可以降低粘合剂层12对接合用芯片2的粘合力。对紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限制，可以根据需要适当设定。在粘合剂层12并非紫外线固化型的情况下，不必对粘合剂层12照射紫外线。
对接合用芯片2A进行拾取。作为拾取的方法，没有特别限制，可以采用现有公知的各种方法。例如可以列举出：将接合用芯片2A用针顶起，通过拾取装置来拾取被顶起的接合用芯片2A的方法等。
如图11所示，将接合用芯片2A压接在被粘物6上，得到带半导体元件的被粘物61。带半导体元件的被粘物61具备被粘物6、配置在被粘物6上的粘接薄膜22A及配置在粘接薄膜22A上的半导体元件5A。
压接温度优选为80℃以上、更优选为90℃以上。另外，压接温度优选为150℃以下、更优选为130℃以下。
然后，对带半导体元件的被粘物61进行加热，从而对粘接薄膜22A进行热固化，使半导体元件5A固着在被粘物6上。
需要说明的是，优选在加压下对带半导体元件的被粘物61进行加热，从而对粘接薄膜22A进行热固化。通过在加压下对粘接薄膜22A进行热固化，可以容易地消除存在于粘接薄膜22A和被粘物6之间的空隙。
作为在加压下进行加热的方法，例如可以列举出：对配置在填充有非活性气体的腔室内的带半导体元件的被粘物61进行加热的方法等。
加压气氛的压力优选为0.5kg/cm2(4.9×10-2MPa)以上、更优选为1kg/cm2(9.8×10-2MPa)以上、进一步优选为5kg/cm2(4.9×10-1MPa)以上。为0.5kg/cm2以上时，可以容易地消除存在于粘接薄膜22A和被粘物6之间的空隙。加压气氛的压力优选为20kg/cm2(1.96MPa)以下、更优选为18kg/cm2(1.77MPa)以下、进一步优选为15kg/cm2(1.47MPa)以下。为20kg/cm2以下时，可以抑制过度加压所致的粘接薄膜22A的渗出。
在加压下加热时的加热温度优选为80℃以上、更优选为100℃以上、进一步优选为120℃以上、特别优选为170℃以上。为80℃以上时，能够将粘接薄膜22A设置为合适的硬度，可以通过加压固化而有效地使空隙消失。加热温度优选为260℃以下、更优选为200℃以下、更优选为180℃以下。为260℃以下时，可以防止粘接薄膜22A的分解。
加热时间优选为0.1小时以上、更优选为0.2小时以上、进一步优选为0.5小时以上。为0.1小时以上时，可以充分得到加压的效果。加热时间优选为24小时以下、更优选为3小时以下、进一步优选为1小时以下。
如图12所示，进行将被粘物6的端子部(内部引线)的前端与半导体元件5A上的电极焊盘(图中未示出)用键合引线7电连接的引线键合工序。作为键合引线7，例如可以使用金线、铝线或铜线等。进行引线键合时的温度优选为80℃以上、更优选为120℃以上，该温度优选为250℃以下、更优选为175℃以下。另外，其加热时间进行数秒～数分钟(例如，1秒～1分钟)。接线通过在加热为所述温度范围内的状态下组合使用基于超声波的振动能量和基于施加加压的压接能量来进行。
然后，进行通过封装树脂8对半导体元件5A进行封装的封装工序。本工序是为了保护被粘物6所搭载的半导体元件5A、键合引线7而进行的。本工序通过用模具对封装用的树脂进行成型而进行。作为封装树脂8，例如使用环氧系树脂。树脂封装时的加热温度优选为165℃以上、更优选为170℃以上，该加热温度优选为185℃以下、更优选为180℃以下。
根据需要，还可以在封装后进一步进行加热(后固化工序)。由此，可以使封装工序中固化不足的封装树脂8完全固化。加热温度可以适当设定。
(变形例1)
变形例1中，在切割·芯片接合薄膜10上压接半导体晶圆4P。然后，在配置于切割·芯片接合薄膜10上的半导体晶圆4P的内部形成改性区域41，得到分割晶圆4。
(变形例2)
变形例2中，不对粘接薄膜22A进行热固化地进行引线键合工序。
(变形例3)
周边部12b为通过辐射线照射而固化的部分。
(变形例4)
中央部12a为未通过辐射线照射而固化的部分。
如上所述，实施方式1的半导体装置的制造方法包括以下工序：准备分割体21的工序，所述分割体具备切割·芯片接合薄膜10、和配置在粘接剂层3上的具备改性区域41的分割晶圆4；扩展切割片1，从而使分割晶圆4及粘接剂层3以改性区域41为起点断开的工序；以及在使分割晶圆4及粘接剂层3断开的工序之后，对周边部12b进行加热的工序。实施方式1的半导体装置的制造方法进一步包括：将在使分割晶圆4及粘接剂层3断开的工序中得到的接合用芯片2A压接在被粘物6上的工序等。
准备分割体21的工序包括形成分割晶圆4的步骤。形成分割晶圆4的步骤包括沿着预分割线4L照射激光100、从而在半导体晶圆4P的内部形成改性区域41的阶段。
实施例
以下使用实施例对本发明进行详细说明，但本发明只要不超出其主旨则不受以下实施例限制。
[基材]
对实施例及比较例中使用的基材A～G进行说明。将基材A～G的厚度示于表1。
基材A：GUNZE株式会社制的Funcrare NRB#115(乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜)
基材B：GUNZE株式会社制的Funcrare NRB#135(乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜)
基材C：OG Film株式会社制的PE-5(乙烯-丙烯酸酯共聚物薄膜)
基材D：Lonseal Corporation制的HL薄膜(聚氯乙烯薄膜)
基材E：OG Film株式会社制的PP-1(聚丙烯薄膜)
基材F：聚丙烯(80％)聚乙烯(20％)2层薄膜
基材G：聚丙烯(80％)聚乙烯(20％)2层薄膜
[切割·芯片接合薄膜的制作]
(实施例1)
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中，加入丙烯酸-2-乙基己酯(以下也称为“2EHA”。)86.4份、丙烯酸-2-羟基乙酯(以下也称为“HEA”。)13.6份、过氧化苯甲酰0.2份、和甲苯65份，在氮气流中在61℃下进行6小时的聚合处理，得到丙烯酸系聚合物B。在丙烯酸系聚合物B中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下也称为“MOI”。)14.6份，在空气气流中在50℃下进行48小时的加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物B’。相对于丙烯酸系聚合物B’100份，加入多异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”、日本聚氨酯株式会社制)2份和光聚合引发剂(商品名“Irgacure651”、Ciba Specialty Chemicals公司制)5份，得到粘合剂组合物溶液。将粘合剂组合物溶液涂布在脱模处理薄膜上，在120℃下加热干燥2分钟，形成厚度30μm的粘合剂层。接着，在粘合剂层上贴合基材A。然后，隔着掩模对粘合剂层中的预定要贴合12英寸尺寸的晶圆的部分照射400mJ/cm2紫外线，从而进行紫外线固化。得到的切割片具有基材A、配置在基材A上的粘合剂层。
按照表2所示的比例将丙烯酸类树脂、环氧树脂A、环氧树脂B、酚醛树脂、二氧化硅、及催化剂溶解于甲乙酮，制备浓度40～50重量％的粘接剂组合物溶液。
各成分的详细情况如下。
丙烯酸类树脂：Nagase ChemteX公司制SG-708-6(Tg：4℃)
环氧树脂A：东都化成株式会社制KI-3000(固态)
环氧树脂B：三菱化学株式会社制JER YL980(液状)
酚醛树脂：明和化成株式会社制MEH-7800H(固态)
二氧化硅：Admatechs株式会社制SE-2050MC(平均粒径：0.5μm)
催化剂：北兴化学株式会社制TPP-K
将制备的粘接剂组合物溶液涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上，然后在130℃下干燥2分钟，从而制作厚度30μm的粘接剂涂膜。从粘接剂涂膜中切出直径330mm的圆形的粘接剂层。
在粘合剂层上贴合圆形的粘接剂层，制作切割·芯片接合薄膜。
(实施例2)
使用基材B来代替基材A，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作切割·芯片接合薄膜。
(实施例3)
使用基材C来代替基材A，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作切割·芯片接合薄膜。
(实施例4)
使用基材D来代替基材A，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作切割·芯片接合薄膜。
(比较例1)
使用基材E来代替基材A，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作切割·芯片接合薄膜。
(比较例2)
使用基材F来代替基材A，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作切割·芯片接合薄膜。
(比较例3)
使用基材G来代替基材A，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作切割·芯片接合薄膜。
[评价1]
对于切割片，进行以下评价。将结果示于表1。
(加热收缩率)
从切割·芯片接合薄膜剥掉粘接剂层，从而得到切割片。从切割片中切出MD方向的长度150mm、宽度25mm的长条状的试验片500。如图16所示，在试验片500中以100mm的间隔画出2条标线501a、501b。将试验片500悬吊在竿502上，将试验片500用干燥机以100℃加热1分钟。冷却后，测定2条标线501a、501b的间隔，通过下述式求出加热收缩率。
加热收缩率＝加热后的标线间距离/加热前的标线间距离×100
(3％拉伸应力)
从切割·芯片接合薄膜剥掉粘接剂层，从而得到切割片。从切割片中切出MD方向的长度150mm、宽度25m的长条状的测定片。用拉伸试验机(autograph、株式会社岛津制作所制)在23℃、拉伸速度300mm/分钟、夹子间距离100mm的条件下进行拉伸试验，读取试验片伸长3％时刻的拉伸应力。
(6％拉伸应力)
从切割·芯片接合薄膜剥掉粘接剂层，从而得到切割片。从切割片中切出MD方向的长度150mm、宽度25m的长条状的测定片。用拉伸试验机(autograph、株式会社岛津制作所制)在23℃、拉伸速度300mm/分钟、夹子间距离100mm的条件下进行拉伸试验，读取试验片伸长6％时刻的拉伸应力。
[评价2]
使用切割·芯片接合薄膜进行以下评价。将结果示于表1。
(初始的拾取成功率)
使用株式会社东京精密制ML300-Integration作为激光加工装置，使聚光点对准12英寸尺寸的半导体晶圆的内部并沿着格子状(10mm×10mm)的预分割线从半导体晶圆的表面(正面)或背面侧照射激光，在半导体晶圆的内部形成改性区域。然后，在半导体晶圆表面贴合背面研磨用保护胶带，用DISCO Corporation制背面研磨机DGP8760对背面进行磨削，使半导体晶圆的厚度达到30μm。激光照射条件如下所示。
(A)激光
(B)聚光用透镜
倍率 50倍
NA 0.55
对激光波长的透射率 60％
(C)载置半导体基板的载置台的移动速度 100mm/秒
在切割·芯片接合薄膜上贴合用激光进行了前处理的半导体晶圆及切割环后，用DISCO Corporation制Die Separator DDS2300进行半导体晶圆的割断及切割片的热收缩，从而得到样品。即，首先用冷扩展单元在扩展温度-15℃、扩展速度200mm/秒、扩展量12mm的条件下切割半导体晶圆。
然后，用热扩展单元在扩展量10mm、加热温度250℃、风量40L/min、加热距离20mm、旋转速度3°/sec的条件下使切割片热收缩，从而得到样品。对于样品，使用株式会社新川制晶片接合机SPA-300进行拾取评价。即，在扩展量3mm、针的根数为9根、针顶起量400μm、顶起速度10mm/sec、顶起时间1sec的条件下，进行100次将具有半导体芯片及与半导体芯片接触的粘接剂层的芯片接合用芯片顶起的动作，从而评价拾取成功次数。
(一周后的拾取成功率)
将样品在23℃下保存1周，然后用同样的方法评价拾取成功次数。
[评价3]
对于粘接剂层，进行以下评价。将结果示于表2。
(玻璃化转变温度)
将粘接剂层在60℃的条件下重叠成厚度达到300μm，然后切出长度30mm、宽度10mm的长条状的测定片。然后，使用动态粘弹性测定装置(RSA(II)、Rheometric Scientific公司制)，在夹子间距离22.5mm、频率1Hz、升温速度10℃/分钟的条件下测定-30℃～100℃下的储能模量及损耗模量，由tanδ的峰值得到玻璃化转变温度。
[表1]
[表2]
附图标记说明
10 切割·芯片接合薄膜
1 切割片
2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H 芯片接合用芯片
3 粘接剂层
4P 半导体晶圆
4L 预分割线
4 分割晶圆
5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H 半导体元件
6 被粘物
7 键合引线
8 封装树脂
11 基材
12 粘合剂层
12a 中央部
12b 周边部
21 层叠体
22A、22B、22C、22D、22E、22F、22G、22H 粘接薄膜
31 切割环
32 吸附台
33 顶起部
41 改性区域
51 分割结构体
61 带半导体元件的被粘物
100 激光
910 切割·芯片接合薄膜
901 切割片
903 粘接剂层
904 晶圆
905A、905B、905C、905D、905E、905F、905G、905H 半导体元件
911 基材
912 粘合剂层
912b 周边部

Claims (10)

1.一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于所述加热前的MD方向的第1长度100％，所述加热后的所述MD方向的第2长度为95％以下。
2.根据权利要求1所述的切割片，其在23℃下沿所述MD方向伸长3％时的拉伸应力为1N/mm2以上。
3.根据权利要求1或2所述的切割片，其在23℃下沿所述MD方向伸长6％时的拉伸应力为1.5N/mm2以上。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的切割片，其厚度为40μm～200μm。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的切割片，其具备基材和配置在所述基材上的粘合剂层。
6.一种切割·芯片接合薄膜，其具备：
权利要求5所述的切割片、和
配置在所述粘合剂层上的粘接剂层。
7.根据权利要求6所述的切割·芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层的玻璃化转变温度为0℃以上。
8.根据权利要求6或7所述的切割·芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层具备与所述粘接剂层接触的中央部和配置在所述中央部的周边的周边部。
9.根据权利要求8所述的切割·芯片接合薄膜，其用于在半导体装置的制造方法中使用，所述半导体装置的制造方法包括以下工序：
准备分割体的工序，所述分割体具备切割·芯片接合薄膜和配置在所述粘接剂层上的具备改性区域的分割晶圆；
扩展所述切割片，从而使所述分割晶圆和所述粘接剂层以所述改性区域为起点断开的工序；以及，
在使所述分割晶圆和所述粘接剂层断开的工序之后，对所述周边部进行加热的工序。
10.一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序：
准备分割体的工序，所述分割体具备权利要求8所述的切割·芯片接合薄膜和配置在所述粘接剂层上的具备改性区域的分割晶圆；
扩展所述切割片，从而使所述分割晶圆和所述粘接剂层以所述改性区域为起点断开的工序；以及，
在使所述分割晶圆和所述粘接剂层断开的工序之后，对所述周边部进行加热的工序。
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