JP2016115775A - ダイシングシート、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシングシートのたるみを取り除くことが可能で、半導体素子同士の接触を防止できるダイシングシート及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】１００℃で１分加熱することにより収縮し、加熱前のＭＤ方向の第１長さ１００％に対して加熱後のＭＤ方向の第２長さは９５％以下であるダイシングシートに関する。ダイシングシートは、基材及び基材上に配置された粘着剤層を備える。ダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングシートと、粘着剤層上に配置された接着剤層とを備える。【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシングシート、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法に関する。

図１３、図１４に示すように、基材９１１及び基材９１１上に配置された粘着剤層９１２を有するダイシングシート９０１並びに粘着剤層９１２上に配置された接着剤層９０３を有するダイシング・ダイボンドフィルム９１０を用いる半導体装置の製造技術に関して、半導体素子９０５Ａ、９０５Ｂ、９０５Ｃ、……、９０５Ｈ及び改質領域９４１を有するウエハ９０４を接着剤層９０３に圧着し、ダイシングシート９０１を拡張することにより、改質領域９４１を起点にウエハ９０４及び接着剤層９０３を分断する方法などが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。

特開２００２−１９２３７０号公報 特開２００３−３３８４６７号公報

図１５に示すように、拡張を解いた後、周辺部９１２ｂがたるむ。周辺部９１２ｂのたるみを放置すると、半導体素子９０５Ａと半導体素子９０５Ｂ、半導体素子９０５Ｂと半導体素子９０５Ｃ、……半導体素子９０５Ｇと半導体素子９０５Ｈが接触することがある。

本発明は前記課題を解決し、たるみを取り除くことが可能で、半導体素子同士の接触を防止できるダイシングシートを提供することを目的とする。

本発明は、１００℃で１分加熱することにより収縮し、加熱前のＭＤ方向の第１長さ１００％に対して加熱後のＭＤ方向の第２長さは９５％以下であるダイシングシートに関する。第１長さ１００％に対して第２長さは９５％以下であるので、加熱によりたるみを取り除くことが可能で、半導体素子同士の接触を防止できる。

本発明のダイシングシートは、好ましくは次の性質を備える。すなわち、２３℃でＭＤ方向に３％伸ばしたときの引張応力は１Ｎ／ｍｍ^２以上である。１Ｎ／ｍｍ^２以上であると、半導体ウェハ割断時に適度な引張応力がかかるので、半導体ウェハを割断可能で半導体素子同士の間隔をあけることができる。

本発明のダイシングシートは、好ましくは次の性質を備える。すなわち、２３℃でＭＤ方向に６％伸ばしたときの引張応力は１．５Ｎ／ｍｍ^２以上である。１．５Ｎ／ｍｍ^２以上であると、半導体ウェハ割断時に適度な引張応力がかかるので、半導体ウェハを割断可能で半導体素子同士の間隔をあけることができる。

本発明のダイシングシートの厚みは、好ましくは４０μｍ〜２００μｍである。本発明のダイシングシートは、通常、基材及び基材上に配置された粘着剤層を備える。

本発明はまた、ダイシングシートと、粘着剤層上に配置された接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンドフィルムに関する。接着剤層のガラス転移温度は、好ましくは０℃以上である。好ましくは、粘着剤層が、接着剤層と接した中央部及び中央部の周辺に配置された周辺部を備える。

本発明はまた、分割体を準備する工程と、ダイシングシートを拡張することにより、改質領域を起点に分割ウエハ及び接着剤層を分断する工程と、分割ウエハ及び接着剤層を分断する工程の後に、周辺部を加熱する工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。分割体は、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び接着剤層上に配置された分割ウエハを備える。分割ウエハが改質領域を備える。

ダイシングシートの概略断面図である。 ダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。 レーザー光により半導体ウエハの内部に改質領域を形成する工程の概略斜視図である。 分割ウエハの概略断面図である。 積層体の概略断面図である。 積層体の概略断面図である。 積層体をエキスパンドする工程の概略断面図である。 分割構造体の概略断面図である。 分割構造体をエキスパンドする工程の概略断面図である。 分割構造体の概略断面図である。 半導体素子付き被着体の概略断面図である。 半導体素子付き被着体の概略断面図である。 ダイシング・ダイボンドフィルム及びダイシング・ダイボンドフィルム上に配置されたウエハなどの概略断面図である。 ダイシングシートを拡張することによってウエハ及び接着剤層を分断する工程の概略断面図である。 ダイシングシートなどの概略断面図である。 試験片の概略斜視図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

［実施形態１］
（ダイシングシート１）
図１に示すように、ダイシングシート１は、基材１１及び基材１１上に配置された粘着剤層１２を備える。

ダイシングシート１は次の性質を備える。すなわち、１００℃で１分加熱することにより収縮し、加熱前のＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向の第１長さ１００％に対して加熱後のＭＤ方向の第２長さは９５％以下である。第１長さ１００％に対して第２長さは、好ましくは９６％以下である。一方、第１長さ１００％に対して第２長さは、例えば、５０％以上である。

第２長さの第１長さに対する比の値は、基材１１の材料、基材１１の製膜方法によりコントロールできる。なかでも、基材１１の製膜方法が、第２長さの第１長さに対する比の値に与える影響が大きい。例えば、基材１１を延伸することにより、第２長さの第１長さに対する比の値を小さくすることができる。

ダイシングシート１は、好ましくは次の性質を備える。すなわち、２３℃でＭＤ方向に３％伸ばしたときの引張応力は、好ましくは１Ｎ／ｍｍ^２以上である。１Ｎ／ｍｍ^２以上であると、半導体ウェハ割断時に適度な引張応力がかかるので、半導体ウェハを割断可能で半導体素子同士の間隔をあけることができる。また、半導体素子同士の間隔を維持できる。２３℃でＭＤ方向に３％伸ばしたときの引張応力の上限は、例えば、１５Ｎ／ｍｍ^２である。

ダイシングシート１は、好ましくは次の性質を備える。すなわち、２３℃でＭＤ方向に６％伸ばしたときの引張応力は、好ましくは１．５Ｎ／ｍｍ^２以上である。１．５Ｎ／ｍｍ^２以上であると、半導体ウェハ割断時に適度な引張応力がかかるので、半導体ウェハを割断可能で半導体素子同士の間隔をあけることができる。また、半導体素子同士の間隔を維持できる。２３℃でＭＤ方向に６％伸ばしたときの引張応力の上限は、例えば、２０Ｎ／ｍｍ^２である。

ダイシングシート１の厚みは、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上である。一方、ダイシングシート１の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１８０μｍ以下である。

ダイシングシート１の厚みを１００％としたとき、基材１１の厚みは好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上である。一方、基材１１の厚みは好ましくは９８％以下、より好ましくは９５％以下である。

基材１１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニルフィルムなどが挙げられる。

基材１１としては、無延伸フィルム、一軸延伸フィルム、二軸延伸フィルムなどを使用できる。なかでも、異方性がないという理由から、無延伸フィルムが好ましい。

基材１１の構造としては、単層、複層などが挙げられる。

基材１１の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

粘着剤層１２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性接着剤を用いることができる。感圧性接着剤としては、半導体ウエハやガラスなどの汚染をきらう電子部品の超純水やアルコールなどの有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性などの点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などの何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止などの点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーなどの数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。

粘着剤層１２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線などの放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合などの放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分などを含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分などが粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分などは、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線などにより硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどが挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などが挙げられる。

前記放射線硬化型の粘着剤層１２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層１２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料などが挙げられる。放射線照射により着色する化合物の使用割合は、適宜設定できる。

（ダイシング・ダイボンドフィルム１０）
図２に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングシート１と、粘着剤層１２上に配置された接着剤層３とを備える。

粘着剤層１２が、接着剤層３と接した中央部１２ａ及び中央部１２ａの周辺に配置された周辺部１２ｂを備える。中央部１２ａは、放射線照射により硬化された部分である。

接着剤層３は、熱硬化性を備える。

接着剤層３のガラス転移温度は、好ましくは０℃以上、より好ましくは１０℃以上である。０℃以上であると、低温（例えば、０℃以下）環境下で接着剤層３を容易に分断できる。接着剤層３のガラス転移温度の上限は、例えば１００℃である。

接着剤層３のガラス転移温度は、アクリル樹脂のガラス転移温度などによりコントロールできる。

接着剤層３は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。

また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、接着性及び耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。

接着剤層３は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。これにより、熱安定性を向上できる。

熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物などの含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂としては特に限定されず、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

接着剤層３がエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む場合、アクリル樹脂１００重量部に対して、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは１００重量部〜１３００重量部である。

接着剤層３を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。

また、接着剤層３には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。

接着剤層３は、熱硬化触媒を含むことが好ましい。熱硬化触媒の含有量は、アクリル樹脂１００重量部に対し０．０１〜３重量部が好ましく、０．０５〜１重量部がより好ましい。

熱硬化触媒としては特に限定されず、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。

イミダゾール系化合物としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成（株）製）。

トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。

トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン系化合物としては、更にトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。当該トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する化合物としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。

アミノ系化合物としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。

トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。

なお、接着剤層３には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。

接着剤層３は、通常の方法で製造できる。例えば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を乾燥させることで、接着剤層３を製造できる。

接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。

基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。

接着剤層３の製造方法としては、例えば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形して接着剤層３を製造する方法なども好適である。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。

接着剤層３の厚みは特に限定されないが、５μｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましい。接着剤層３の厚みは１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。

接着剤層３は、リードフレームなどの被着体と半導体素子とを接着するダイアタッチフィルムとして使用できる。被着体としては、リードフレーム、インターポーザ、半導体素子などが挙げられる。

接着剤層３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまで接着剤層３を保護する保護材としての機能を有している。セパレータは、接着剤層３に半導体ウエハを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙なども使用可能である。

ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、通常の方法で製造できる。例えば、ダイシングシート１と接着剤層３とを貼り合わせることで、ダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造できる。

ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、半導体装置を製造するために使用できる。

（半導体装置の製造方法）
図３に示すように、半導体ウエハ４Ｐの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ライン４Ｌに沿ってレーザー光１００を照射し、半導体ウエハ４Ｐの内部に改質領域４１を形成する。これにより、分割ウエハ４を得る。

レーザー光１００の照射条件は、例えば、以下の条件の範囲内で適宜調整できる。
（Ａ）レーザー光１００
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体ウエハが載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下

なお、レーザー光１００の照射により改質領域４１を形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報、特開２００３−３３８５６７号公報などに詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。

図４に示すように、分割ウエハ４が、改質領域４１を備える。分割ウエハ４が、半導体素子５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、……、５Ｈをさらに備える。

分割ウエハ４は、表面（おもてめん）、及び表面に対向した裏面で両面が定義される。表面は、回路が設けられた面である。一方、裏面は、回路が設けられていない面である。

分割ウエハ４の裏面を研削して、分割ウエハ４を薄くする。

図５に示すように、接着剤層３に分割ウエハ４を圧着して、積層体２１を得る。積層体２１は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０及び接着剤層３上に配置された分割ウエハ４を備える。

図６に示すように、周辺部１２ｂにダイシングリング３１を貼り付ける。

図７に示すように、積層体２１の下方に配置された突き上げ部３３を上昇させることによりダイシングシート１を拡張し、改質領域４１を起点に分割ウエハ４及び接着剤層３を分断する。これにより、ダイシングシート１及び粘着剤層１２上に配置されたダイボンド用チップ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、……、２Ｈを備える分割構造体５１を得る。ダイボンド用チップ２Ａは、接着フィルム２２Ａ及び接着フィルム２２Ａ上に配置された半導体素子５Ａを備える。ダイボンド用チップ２Ｂは、接着フィルム２２Ｂ及び接着フィルム２２Ｂ上に配置された半導体素子５Ｂを備える。ダイボンド用チップ２Ｃは、接着フィルム２２Ｃ及び接着フィルム２２Ｃ上に配置された半導体素子５Ｃを備える。ダイボンド用チップ２Ｄは、接着フィルム２２Ｄ及び接着フィルム２２Ｄ上に配置された半導体素子５Ｄを備える。ダイボンド用チップ２Ｅは、接着フィルム２２Ｅ及び接着フィルム２２
Ｅ上に配置された半導体素子５Ｅを備える。ダイボンド用チップ２Ｆは、接着フィルム２２Ｆ及び接着フィルム２２Ｆ上に配置された半導体素子５Ｆを備える。ダイボンド用チップ２Ｇは、接着フィルム２２Ｇ及び接着フィルム２２Ｇ上に配置された半導体素子５Ｇを備える。ダイボンド用チップ２Ｈは、接着フィルム２２Ｈ及び接着フィルム２２Ｈ上に配置された半導体素子５Ｈを備える。接着フィルム２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、……、２２Ｈが粘着剤層１２と接する。

好ましくは、ダイシングシート１を１０℃以下で拡張する。より好ましくは、０℃以下で拡張する。０℃以下であると、接着剤層３を容易に分断できる。温度の下限は特に限定されず、例えば、−２０℃である。

突き上げ部３３が上昇する速度は、好ましくは０．１ｍｍ／秒以上、より好ましくは１ｍｍ／秒以上である。０．１ｍｍ／秒以上であると、容易に分断できる。一方、エキスパンド速度の上限は特に限定されない。

図８に示すように、突き上げ部３３を下降させる。突き上げ部３３を下降させることにより、周辺部１２ｂにたるみが生じる。

図９に示すように、分割構造体５１の下方に配置された吸着テーブル３２を上昇させることによりダイシングシート１を拡張し、拡張を維持しながら吸着テーブル３２でダイシングシート１を吸引する。

図１０に示すように、吸着テーブル３２でダイシングシート１を吸引しながら、吸着テーブル３２を下降させる。

吸着テーブル３２でダイシングシート１を吸引しながら、周辺部１２ｂに熱風を当てる。周辺部１２ｂに熱風を当てることによりたるみを取り除くことが可能で、ダイボンド用チップ２Ａとダイボンド用チップ２Ｂ、ダイボンド用チップ２Ｂとダイボンド用チップ２Ｃ、……ダイボンド用チップ２Ｇとダイボンド用チップ２Ｈの接触を防止できる。

熱風の温度は、好ましくは２２０℃以上、より好ましくは２５０℃以上である。２２０℃以上であると、周辺部１２ｂを容易に収縮させることができる。一方、熱風の温度は、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３００℃以下で熱する。４００℃以下であると、ダイシングシート１の破損を防止できる。

次いで、粘着剤層１２が紫外線硬化型である場合は、粘着剤層１２に紫外線を照射して、粘着剤層１２を硬化させる。これにより、粘着剤層１２のダイボンド用チップ２に対する粘着力を低下させることができる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間などの条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。粘着剤層１２が紫外線硬化型でない場合は、粘着剤層１２に紫外線を照射する必要はない。

ダイボンド用チップ２Ａをピックアップする。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、ダイボンド用チップ２Ａをニードルによって突き上げ、突き上げられたダイボンド用チップ２Ａをピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。

図１１に示すように、ダイボンド用チップ２Ａを被着体６に圧着して、半導体素子付き被着体６１を得る。半導体素子付き被着体６１は、被着体６、被着体６上に配置された接着フィルム２２Ａ及び接着フィルム２２Ａ上に配置された半導体素子５Ａを備える。

圧着温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは９０℃以上である。また、圧着温度は、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下である。

続いて、半導体素子付き被着体６１を加熱することにより接着フィルム２２Ａを熱硬化させて、半導体素子５Ａを被着体６に固着させる。

なお、半導体素子付き被着体６１を加圧下で加熱することにより接着フィルム２２Ａを熱硬化させることが好ましい。加圧下で接着フィルム２２Ａを熱硬化させることにより、接着フィルム２２Ａと被着体６との間に存在するボイドを容易に消滅させることができる。

加圧下で加熱する方法としては、例えば、不活性ガスが充填されたチャンバー内に配置された半導体素子付き被着体６１を加熱する方法などが挙げられる。
加圧雰囲気の圧力は、好ましくは０．５ｋｇ／ｃｍ^２（４．９×１０^−２ＭＰａ）以上、より好ましくは１ｋｇ／ｃｍ^２（９．８×１０^−２ＭＰａ）以上、さらに好ましくは５ｋｇ／ｃｍ^２（４．９×１０^−１ＭＰａ）以上である。０．５ｋｇ／ｃｍ^２以上であると、接着フィルム２２Ａと被着体６との間に存在するボイドを容易に消滅させることができる。加圧雰囲気の圧力は、好ましくは２０ｋｇ／ｃｍ^２（１．９６ＭＰａ）以下、より好ましくは１８ｋｇ／ｃｍ^２（１．７７ＭＰａ）以下、さらに好ましくは１５ｋｇ／ｃｍ^２（１．４７ＭＰａ）以下である。２０ｋｇ／ｃｍ^２以下であると、過度な加圧による接着フィルム２２Ａのはみ出しを抑制できる。

加圧下で加熱する際の加熱温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上、特に好ましくは１７０℃以上である。８０℃以上であると、接着フィルム２２Ａを適度な硬さとすることが可能で、加圧キュアによりボイドを効果的に消失させることができる。加熱温度は、好ましくは２６０℃以下、より好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。２６０℃以下であると、接着フィルム２２Ａの分解を防ぐことができる。

加熱時間は、好ましくは０．１時間以上、より好ましくは０．２時間以上、さらに好ましくは０．５時間以上である。０．１時間以上であると、加圧の効果を充分に得ることができる。加熱時間は、好ましくは２４時間以下、より好ましくは３時間以下、さらに好ましくは１時間以下である。

図１２に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体素子５Ａ上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線などが用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であり、該温度は、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは１７５℃以下である。また、その加熱時間は数秒〜数分間（例えば、１秒〜１分間）行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。

続いて、封止樹脂８により半導体素子５Ａを封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体素子５Ａやボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、好ましくは１６５℃以上、より好ましくは１７０℃以上であり、該加熱温度は、好ましくは１８５℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。

必要に応じて、封止後に更に加熱をしてもよい（後硬化工程）。これにより、封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化できる。加熱温度は適宜設定できる。

（変形例１）
変形例１では、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に半導体ウエハ４Ｐを圧着する。次いで、ダイシング・ダイボンドフィルム１０上に配置された半導体ウエハ４Ｐの内部に改質領域４１を形成して、分割ウエハ４を得る。

（変形例２）
変形例２では、接着フィルム２２Ａを熱硬化することなく、ワイヤーボンディング工程を行う。

（変形例３）
周辺部１２ｂは、放射線照射により硬化された部分である。

（変形例４）
中央部１２ａは、放射線照射により硬化されていない部分である。

以上のとおり、実施形態１の半導体装置の製造方法は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０、及び接着剤層３上に配置された、改質領域４１を備える分割ウエハ４を備える分割体２１を準備する工程と、ダイシングシート１を拡張することにより、改質領域４１を起点に分割ウエハ４及び接着剤層３を分断する工程と、分割ウエハ４及び接着剤層３を分断する工程の後に、周辺部１２ｂを加熱する工程とを含む。実施形態１の半導体装置の製造方法は、分割ウエハ４及び接着剤層３を分断する工程により得られたダイボンド用チップ２Ａを被着体６に圧着する工程などをさらに含む。

分割体２１を準備する工程は、分割ウエハ４を形成するステップを含む。分割ウエハ４を形成するステップは、分割予定ライン４Ｌに沿ってレーザー光１００を照射することにより、半導体ウエハ４Ｐの内部に改質領域４１を形成する段階を含む。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

［基材］
実施例及び比較例で使用した基材Ａ〜Ｇを説明する。基材Ａ〜Ｇの厚みを表１に示す。
基材Ａ：グンゼ社製のファンクレア ＮＲＢ＃１１５（エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム）
基材Ｂ：グンゼ社製のファンクレア ＮＲＢ＃１３５（エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム）
基材Ｃ：オージーフィルム社製のＰＥ−５（エチレン−アクリル酸エステル共重合体フィルム）
基材Ｄ：ロンシール工業社製のＨＬフィルム（ポリ塩化ビニルフィルム）
基材Ｅ：オージーフィルム社製のＰＰ−１（ポリプロピレンフィルム）
基材Ｆ：ポリプロピレン（８０％）ポリエチレン（２０％）２層フィルム
基材Ｇ：ポリプロピレン（８０％）ポリエチレン（２０％）２層フィルム

［ダイシング・ダイボンドフィルムの作製］
（実施例１）
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう。）８６．４部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう。）１３．６部、過酸化ベンゾイル０．２部、及び、トルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＢを得た。アクリル系ポリマーＢに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう。）１４．６部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＢ’を得た。アクリル系ポリマーＢ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤組成物溶液を得た。粘着剤組成物溶液を、離型処理フィルム上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、粘着剤層に、基材Ａを貼り合せた。その後、マスクを介して、粘着剤層のうち１２ｉｎｃｈサイズのウェハが貼り付けられる予定の部分に紫外線を４００ｍＪ／ｃｍ^２照射し、紫外線硬化した。得られたダイシングシートは、基材Ａ、基材Ａ上に配置された粘着剤層を有する。

表２に示した割合でアクリル樹脂、エポキシ樹脂Ａ、エポキシ樹脂Ｂ、フェノール樹脂、シリカ、及び触媒をメチルエチルケトンに溶解して濃度４０〜５０重量％の接着剤組成物溶液を調製した。

各成分の詳細は以下のとおりである。
アクリル樹脂：ナガセケムテックス社製 ＳＧ−７０８−６（Ｔｇ：４℃）
エポキシ樹脂Ａ：東都化成株式会社製 ＫＩ−３０００（固形）
エポキシ樹脂Ｂ：三菱化学株式会社製 ＪＥＲ ＹＬ９８０（液状）
フェノール樹脂：明和化成株式会社製 ＭＥＨ−７８００Ｈ（固形）
シリカ：アドマテックス株式会社製 ＳＥ−２０５０ＭＣ（平均粒径：０．５μｍ）
触媒：北興化学株式会社製 ＴＰＰ−Ｋ

調製した接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚み３０μｍの接着剤塗膜を作製した。接着剤塗膜から、直径３３０ｍｍの円形状の接着剤層を切り出した。

粘着剤層に、円形状の接着剤層を貼り合わせて、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

（実施例２）
基材Ａに代えて基材Ｂを使用したこと以外は実施例１と同様の方法でダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

（実施例３）
基材Ａに代えて基材Ｃを使用したこと以外は実施例１と同様の方法でダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

（実施例４）
基材Ａに代えて基材Ｄを使用したこと以外は実施例１と同様の方法でダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

（比較例１）
基材Ａに代えて基材Ｅを使用したこと以外は実施例１と同様の方法でダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

（比較例２）
基材Ａに代えて基材Ｆを使用したこと以外は実施例１と同様の方法でダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

（比較例３）
基材Ａに代えて基材Ｇを使用したこと以外は実施例１と同様の方法でダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。

［評価１］
ダイシングシートについて以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（加熱収縮率）
ダイシング・ダイボンドフィルムから接着剤層を剥がすことにより、ダイシングシートを得た。ダイシングシートから、ＭＤ方向の長さ１５０ｍｍ、幅２５ｍｍの短冊状の試験片５００を切り出した。図１６に示すように、試験片５００に１００ｍｍの間隔で２つの標線５０１ａ、５０１ｂを入れた。竿５０２に試験片５００を吊り下げ、試験片５００を乾燥機で１００℃で１分加熱した。冷却後に、２つの標線５０１ａ、５０１ｂの間隔を測定し、下記式にて加熱収縮率を求めた。
加熱収縮率＝加熱後の標線間距離／加熱前の標線間距離×１００

（３％引張応力）
ダイシング・ダイボンドフィルムから接着剤層を剥がすことにより、ダイシングシートを得た。ダイシングシートから、ＭＤ方向の長さ１５０ｍｍ、幅２５ｍの短冊状の測定片を切り出した。引っ張り試験機（オートグラフ、島津製作所社製）を用いて、２３℃、引張速度３００ｍｍ／分、チャック間距離１００ｍｍの条件下で引張試験を行い、試験片が３％伸びた時点の引張応力を読み取った。

（６％引張応力）
ダイシング・ダイボンドフィルムから接着剤層を剥がすことにより、ダイシングシートを得た。ダイシングシートから、ＭＤ方向の長さ１５０ｍｍ、幅２５ｍの短冊状の測定片を切り出した。引っ張り試験機（オートグラフ、島津製作所社製）を用いて、２３℃、引張速度３００ｍｍ／分、チャック間距離１００ｍｍの条件下で引張試験を行い、試験片が６％伸びた時点の引張応力を読み取った。

［評価２］
ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（初期のピックアップ成功率）
レーザー加工装置として株式会社東京精密製、ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎを用いて、１２ｉｎｃｈサイズの半導体ウェハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿って半導体ウェハの表面（おもてめん）または裏面側からレーザー光を照射し、半導体ウェハの内部に改質領域を形成した。その後、半導体ウェハ表面にバックグラインド用保護テープを貼り合せ、ディスコ社製バックグラインダーＤＧＰ８７６０を用いて半導体ウェハの厚みが３０μｍになるように裏面を研削した。レーザー光照射条件を以下に示す。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒
ダイシング・ダイボンドフィルムに、レーザー光による前処理を行った半導体ウェハ及びダイシングリングを貼り合わせた後、ディスコ社製ダイセパレーターＤＤＳ２３００を用いて半導体ウェハの割断及びダイシングシートの熱収縮を行うことにより、サンプルを得た。すなわち、まずクールエキスパンダーユニットで、エキスパンド温度−１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で半導体ウェハを割断した。
その後、ヒートエキスパンダーユニットで、エキスパンド量１０ｍｍ、ヒート温度２５０℃、風量４０Ｌ／ｍｉｎ、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件でダイシングシートを熱収縮させることにより、サンプルを得た。サンプルについて株式会社新川社製ダイボンダーＳＰＡ−３００を用いてピックアップ評価を行った。すなわち、エキスパンド量３ｍｍ、ニードル本数９本、ニードル突き上げ量４００μｍ、突き上げ速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、突き上げ時間１ｓｅｃの条件で、半導体チップ及び半導体チップと接する接着剤層を有するダイボンド用チップを突き上げる動作を１００回行うことにより、ピックアップ成功回数を評価した。

（一週間後のピックアップ成功率）
サンプルを２３℃で１週間保存し、その後同様の方法でピックアップ成功回数を評価した。

［評価３］
接着剤層について以下の評価を行った。結果を表２に示す。

（ガラス転移温度）
接着剤層を６０℃の条件下で厚さ３００μｍになるまで重ねあわせ、次いで長さ３０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状の測定片を切り出した。次に、動的粘弾性測定装置（ＲＳＡ（ＩＩ）、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−３０℃〜１００℃での貯蔵弾性率及び損失弾性率をチャック間距離２２．５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定し、ｔａｎδのピーク値によりガラス転移温度を得た。

１０ ダイシング・ダイボンドフィルム
１ ダイシングシート
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ、２Ｆ、２Ｇ、２Ｈ ダイボンド用チップ
３ 接着剤層
４Ｐ 半導体ウエハ
４Ｌ 分割予定ライン
４ 分割ウエハ
５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ、５Ｅ、５Ｆ、５Ｇ、５Ｈ 半導体素子
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１１ 基材
１２ 粘着剤層
１２ａ 中央部
１２ｂ 周辺部
２１ 積層体
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ、２２Ｅ、２２Ｆ、２２Ｇ、２２Ｈ 接着フィルム
３１ ダイシングリング
３２ 吸着テーブル
３３ 突き上げ部
４１ 改質領域
５１ 分割構造体
６１ 半導体素子付き被着体
１００ レーザー光

９１０ ダイシング・ダイボンドフィルム
９０１ ダイシングシート
９０３ 接着剤層
９０４ ウエハ
９０５Ａ、９０５Ｂ、９０５Ｃ、９０５Ｄ、９０５Ｅ、９０５Ｆ、９０５Ｇ、９０５Ｈ 半導体素子
９１１ 基材
９１２ 粘着剤層
９１２ｂ 周辺部

Claims (10)

1. １００℃で１分加熱することにより収縮し、前記加熱前のＭＤ方向の第１長さ１００％に対して前記加熱後の前記ＭＤ方向の第２長さは９５％以下であるダイシングシート。
2. ２３℃で前記ＭＤ方向に３％伸ばしたときの引張応力は１Ｎ／ｍｍ^２以上である請求項１に記載のダイシングシート。
3. ２３℃で前記ＭＤ方向に６％伸ばしたときの引張応力は１．５Ｎ／ｍｍ^２以上である請求項１又は２に記載のダイシングシート。
4. 厚みは４０μｍ〜２００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のダイシングシート。
5. 基材及び前記基材上に配置された粘着剤層を備える請求項１〜４のいずれかに記載のダイシングシート。
6. 請求項５に記載のダイシングシートと、
   前記粘着剤層上に配置された接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンドフィルム。
7. 前記接着剤層のガラス転移温度は０℃以上である請求項６に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
8. 前記粘着剤層が、前記接着剤層と接した中央部及び前記中央部の周辺に配置された周辺部を備える請求項６又は７に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
9. ダイシング・ダイボンドフィルム、及び前記接着剤層上に配置された、改質領域を備える分割ウエハを備える分割体を準備する工程と、
   前記ダイシングシートを拡張することにより、前記改質領域を起点に前記分割ウエハ及び前記接着剤層を分断する工程と、
   前記分割ウエハ及び前記接着剤層を分断する工程の後に、前記周辺部を加熱する工程とを含む半導体装置の製造方法に使用するための請求項８に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
10. 請求項８に記載のダイシング・ダイボンドフィルム、及び前記接着剤層上に配置された、改質領域を備える分割ウエハを備える分割体を準備する工程と、
    前記ダイシングシートを拡張することにより、前記改質領域を起点に前記分割ウエハ及び前記接着剤層を分断する工程と、
    前記分割ウエハ及び前記接着剤層を分断する工程の後に、前記周辺部を加熱する工程とを含む半導体装置の製造方法。
    
    

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