KR20190004657A - 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents

다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법 Download PDF

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KR20190004657A
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나오후미 고사카
가오리 미키
유타 기무라
나오히데 다카모토
겐지 오니시
도시마사 스기무라
고지 아카자와
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

다이 본드 필름(DAF) 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름(DDAF)을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에서 다이싱 테이프 위의 DAF에 대하여 양호하게 할단시킴과 함께 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합한 다이싱 테이프, DDAF 및 반도체 장치 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 인장 시험(시험편 폭 20㎜, 초기 척간 거리 100㎜)에서, 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값에서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있다. 본 발명의 DDAF는, 다이싱 테이프(10)와 그 점착제층(12) 위의 DAF(20)를 포함한다. 본 발명의 반도체 장치 제조 방법은, DDAF의 DAF(20)측에 반도체 웨이퍼 또는 그 분할체를 접합한 후, 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하는 공정을 포함한다.

Description

다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법{DICING TAPE, DICING DIE BOND FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 수반하는 반도체 칩, 즉, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데에, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈를 갖고, 예를 들어 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착하고 있는 다이 본드 필름을 갖는다.
다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 방법의 하나로서, 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여 다이 본드 필름을 할단하기 위한 공정을 거치는 방법이 알려져 있다. 이 방법에서는, 우선, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 위에 반도체 웨이퍼가 접합된다. 이 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 후에 다이 본드 필름과 함께 할단되어 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다. 이어서, 각각이 반도체 칩에 밀착하고 있는 복수의 접착 필름 소편이 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름으로부터 발생하도록 당해 다이 본드 필름을 할단하기 위해서, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프가 익스팬드된다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이 본드 필름에서의 할단 개소에 상당하는 개소에서 다이 본드 필름 위의 반도체 웨이퍼에 있어서도 할단이 발생하고, 다이싱 다이 본드 필름 내지 다이싱 테이프 위에서 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체 칩으로 개편화된다. 이어서, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체 칩이 그것에 밀착하고 있는 칩 상당 사이즈의 다이 본드 필름과 함께, 다이싱 테이프 위에서 픽업된다. 이와 같이 하여, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩이 얻어진다. 이 다이 본드 필름 부착 반도체 칩은, 그 다이 본드 필름을 통해 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다. 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.
일본 특허공개 제2014-158046호 공보 일본 특허공개 제2016-115775호 공보 일본 특허공개 제2016-115804호 공보
전술한 익스팬드 공정에서는, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 다이싱 테이프에 밀착하고 있는 다이 본드 필름에 대해서, 익스팬드되는 다이싱 테이프로부터 할단력을 작용시키는바, 종래, 다이 본드 필름의 할단 예정 개소의 일부가 할단하지 않는 경우가 있다. 또한, 종래, 익스팬드 공정을 거친 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩에 있어서, 그 다이 본드 필름의 단부가 다이싱 테이프로부터 부분적으로 박리하는 경우(즉, 다이싱 테이프로부터의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩 단부의 들뜸이 발생하는 경우)나, 당해 반도체 칩 내지 그 다이 본드 필름이 다이싱 테이프부터 전체적으로 박리하는 경우가 있다. 부분적인 박리 즉 들뜸의 발생은, 익스팬드 공정 후의 세정 공정 등에 있어서, 다이싱 테이프로부터의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩의 의도하지 않은 박리의 원인으로도 될 수 있다. 부분적인 박리 즉 들뜸의 발생은, 픽업 공정에서의 픽업 불량의 원인으로 될 수 있다. 반도체 웨이퍼 표면 내지 반도체 칩 표면에 미리 형성되는 배선 구조가 다층화할수록, 당해 배선 구조 내의 수지 재료와 반도체 칩 본체의 반도체 재료와의 열팽창률 차도 하나의 요인으로 되어 상기한 들뜸이나 박리는 발생하기 쉽다.
본 발명은, 이상과 같은 사정을 기초로 고안된 것으로서, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행해지는 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 테이프에 밀착하고 있는 다이 본드 필름에 대하여 양호하게 할단시킴과 함께 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합한, 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름 및 반도체 장치 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 측면에 의하면, 다이싱 테이프가 제공된다. 이 다이싱 테이프는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖고, 폭 20㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 초기 척간 거리 100㎜로 행해지는 인장 시험에 있어서, 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값에서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있다. 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값에는, 5 내지 30％의 범위 내에 있는 하나의 변형값을 포함한다. 이와 같은 구성의 다이싱 테이프는, 그 점착제층측에 다이 본드 필름이 밀착된 형태에 있어서, 반도체 장치의 제조 과정에서 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데 사용할 수 있다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 전술한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데에는, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정이 실시되는 경우가 있다. 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름에서 익스팬드되는 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력이 15MPa 이상이며 32MPa 이하인 것은, 익스팬드 중의 다이싱 테이프부터 다이 본드 필름에 대하여 충분한 할단력으로서의 인장 응력을 작용시켜 당해 다이 본드 필름을 할단하는 데 적합함과 함께, 익스팬드 후의 다이싱 테이프로부터 할단 후의 다이 본드 필름에 작용하는 잔류 응력이 과대해지는 것을 회피하여, 당해 필름 내지 당해 필름 부착 반도체 칩의 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합하다는 사실을 본 발명자는 알아내었다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다. 그리고, 본 발명의 제1 측면에 따른 다이싱 테이프는, 다이 본드 필름에 할단을 발생시키기 위한 충분한 인장 길이를 확보하는 데 적합한 변형값 5％ 이상이며, 익스팬드 공정에서의 인장 길이가 과대해지는 것을 회피하여 익스팬드 공정을 효율적으로 실시하는 데 적합한 변형값 30％ 이하의 범위의, 적어도 일부의 변형값이며, 전술한 바와 같이 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있다. 이러한 다이싱 테이프는, 그 점착제층측에 다이 본드 필름이 밀착된 형태에 있어서, 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 발생하는 조건에서 익스팬드하기 위한 익스팬드 공정에 사용하는 데 적합하고, 따라서, 익스팬드 공정에서 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름에 대하여 양호하게 할단시킴과 함께 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합하다.
본 발명의 제1 측면에 따른 다이싱 테이프는, 상기 인장 시험에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 변형값이 전술한 바와 같이 5％ 이상인바, 본 다이싱 테이프가 그 점착제층측에 다이 본드 필름이 밀착된 형태에서 익스팬드 공정에 사용되는 경우에 충분한 인장 길이를 확보하기 위해서는, 상기 인장 시험에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 변형값은 바람직하게는 6％ 이상, 보다 바람직하게는 7％ 이상, 보다 바람직하게는 8％ 이상이다. 또한, 본 발명의 제1 측면에 따른 다이싱 테이프는, 상기 인장 시험에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 변형값이 전술한 바와 같이 30％ 이하인바, 본 다이싱 테이프가 그 점착제층측에 다이 본드 필름이 밀착된 형태에서 익스팬드 공정에 사용되는 경우에 필요한 인장 길이가 과대해지는 것을 회피하기 위해서는, 상기 인장 시험에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 변형값은 바람직하게는 20％ 이하, 보다 바람직하게는 17％ 이하, 보다 바람직하게는 15％ 이하, 보다 바람직하게는 13％ 이하이다.
본 발명의 제1 측면에 따른 다이싱 테이프가 상기 인장 시험에서 나타낼 수 있는 인장 응력은, 바람직하게는 20 내지 32MPa이다. 이러한 다이싱 테이프는, 그 점착제층측에 다이 본드 필름이 밀착된 형태에 있어서, 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 익스팬드하기 위한 익스팬드 공정에 사용하는 데 적합하다. 익스팬드 공정에 있어서는, 다이싱 다이 본드 필름에서 익스팬드되는 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력이 15MPa를 초과해서 클수록, 익스팬드 중의 다이싱 테이프부터 다이 본드 필름에 대하여 할단력으로서 작용하는 인장 응력은 큰 경향이 있다.
상기 인장 시험에 있어서는, 온도 조건이 저온일수록, 다이싱 테이프 내지 그 시험편이 나타내는 인장 응력은 큰 경향이 있는바, 당해 인장 시험에서의 온도 조건은, 바람직하게는 -15℃이다. 이와 같은 구성에 의하면, 익스팬드되는 다이싱 테이프에 대해서 -15℃의 온도 조건하에서 발생하는 상대적으로 큰 인장 응력을 할단용 익스팬드 공정에서의 다이 본드 필름에 대한 할단력으로서 이용하기 위해서는, 할단 후의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩간 거리를 길게 늘이기 위한 재차의 익스팬드 공정을 상대적으로 고온(예를 들어 상온)의 조건하에서 다이싱 테이프 발생 인장 응력을 억제하면서 행하는 것이 가능하다.
본 발명의 제1 측면에 따른 다이싱 테이프에 있어서, 상기 인장 시험에서의 인장 속도 조건은, 바람직하게는 10 내지 1000㎜/분, 보다 바람직하게는 100 내지 1000㎜/분의 범위 내에 있다. 본 다이싱 테이프가 그 점착제층측에 다이 본드 필름의 밀착된 형태에서 익스팬드 공정에 사용되는 경우의 공정 속도 나아가서는 반도체 장치의 생산성의 관점에서는, 다이싱 테이프에 있어서 소정의 변형값에서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 발생시키는 상기 인장 시험의 인장 속도 조건은, 바람직하게는 10㎜/분 이상, 보다 바람직하게는 100㎜/분 이상이다. 본 다이싱 테이프가 그 점착제층측에 다이 본드 필름의 밀착된 형태에서 익스팬드 공정에 사용되는 경우에 파단하는 것을 회피하는 관점에서는, 다이싱 테이프에 있어서 소정의 변형값이며 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 발생시키는 상기 인장 시험의 인장 속도 조건은, 바람직하게는 1000㎜/분 이하, 보다 바람직하게는 300㎜/분 이하이다.
본 발명의 제2 측면에 의하면, 다이싱 다이 본드 필름이 제공된다. 이 다이싱 다이 본드 필름은, 본 발명의 제1 측면에 따른 전술한 다이싱 테이프와, 이 다이싱 테이프에서의 점착제층 위의 다이 본드 필름을 포함한다. 본 발명의 제1 측면에 따른 다이싱 테이프를 구비하는 이러한 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 당해 다이싱 테이프를 익스팬드하기 위한 익스팬드 공정에 사용하는 데 적합하며, 따라서, 익스팬드 공정에서 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름에 대하여 양호하게 할단시킴과 함께 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합하다.
본 발명의 제3 측면에 의하면, 반도체 장치 제조 방법이 제공된다. 이 반도체 장치 제조 방법은, 다음의 제1 공정 및 제2 공정을 포함한다. 제1 공정에서는, 다이싱 다이 본드 필름에 대해서, 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼 또는, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼 분할체가 접합된다. 제1 공정에서 사용되는 다이싱 다이 본드 필름은, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프, 및 당해 다이싱 테이프에서의 점착제층 위의 다이 본드 필름을 포함한다. 본 공정에서는, 이러한 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 측에 반도체 웨이퍼 분할체 또는 반도체 웨이퍼가 접합된다. 그리고, 제2 공정에서는, 다이싱 테이프에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 당해 다이싱 테이프를 익스팬드함으로써, 다이 본드 필름을 할단하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는다. 다이싱 테이프의 익스팬드는, 예를 들어 다이싱 다이 본드 필름에 접합되는 반도체 웨이퍼 분할체 또는 반도체 웨이퍼의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 행해진다.
다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름에서 익스팬드되는 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력이 15MPa 이상이며 32MPa 이하인 것은, 익스팬드 중의 다이싱 테이프부터 다이 본드 필름에 대하여 충분한 할단력으로서의 인장 응력을 작용시켜 당해 다이 본드 필름을 할단하는 데 적합함과 함께, 익스팬드 후의 다이싱 테이프로부터 할단 후의 다이 본드 필름에 작용하는 잔류 응력이 과대해지는 것을 회피하여, 당해 필름 내지 당해 필름 부착 반도체 칩의 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합하다는 사실을 본 발명자는 알아내었다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다. 그리고, 본 발명의 제3 측면에 따른 반도체 장치 제조 방법의 제2 공정에서는, 반도체 웨이퍼 분할체 또는 반도체 웨이퍼를 다이 본드 필름측에 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서, 당해 다이싱 테이프는 익스팬드된다. 이러한 제2 공정 즉 익스팬드 공정을 포함하는 본 반도체 장치 제조 방법은, 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름에 대하여 양호하게 할단시킴과 함께 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합하다.
본 반도체 장치 제조 방법의 제2 공정에 있어서는, 온도 조건이 저온일수록, 다이싱 테이프가 나타내는 인장 응력은 큰 경향이 있는바, 당해 제2 공정에서의 온도 조건은, 바람직하게는 0℃ 이하, 보다 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 이와 같은 구성에 의하면, 제2 공정으로 익스팬드되는 다이싱 테이프에 대하여 상대적으로 저온의 조건하에서 발생하는 상대적으로 큰 인장 응력을 할단용 익스팬드 공정에서의 다이 본드 필름에 대한 할단력으로서 이용한 다음에, 할단 후의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩간 거리를 길게 늘이기 위한 재차의 익스팬드 공정을 상대적으로 고온(예를 들어 상온)의 조건하에서 다이싱 테이프 발생 인장 응력을 억제하면서 행하는 것이 가능하다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 단면 모식도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 3은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 5는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 7은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 8은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 9는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 10은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 11은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 12는, 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 다이싱 테이프에 대하여 얻어진 응력-변형 곡선을 나타낸다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름 X의 단면 모식도이다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 테이프(10)와 다이 본드 필름(20)을 포함하는 적층 구조를 갖고, 반도체 장치의 제조에 있어서 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 과정에서의 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 반도체 장치의 제조 과정에서의 가공 대상의 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 예를 들어 원반 형상을 갖는다.
다이싱 테이프(10)는, 기재(11)와 점착제층(12)을 포함하는 적층 구조를 갖고, 폭 20㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 초기 척간 거리 100㎜로 행해지는 인장 시험에 있어서, 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값으로 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있다. 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값에는, 5 내지 30％의 범위 내에 있는 하나의 변형값을 포함한다.
다이싱 테이프(10)의 기재(11)는, 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(11)는, 예를 들어 플라스틱 기재(특히 플라스틱 필름)를 적합하게 사용할 수 있다. 당해 플라스틱 기재의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지, 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 및 에틸렌-헥센 공중합체를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)를 들 수 있다. 기재(11)는, 1종류의 재료로 이루어져도 되고, 2종류 이상의 재료로 이루어져도 된다. 기재(11)는, 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다. 기재(11) 위의 점착제층(12)이 후술하는 바와 같이 자외선 경화형인 경우, 기재(11)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(11)가 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 비연신 필름이어도 되고, 1축 연신 필름이어도 되며, 2축 연신 필름이어도 된다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 시에 다이싱 테이프(10) 내지 기재(11)를 예를 들어 부분적인 가열에 의해 수축시키는 경우에는, 기재(11)는 열수축성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(11)가 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 다이싱 테이프(10) 내지 기재(11)에 대하여 등방적인 열수축성을 실현하기 위해서는, 기재(11)는 2축 연신 필름인 것이 바람직하다. 다이싱 테이프(10) 내지 기재(11)는, 가열 온도 100℃ 및 가열 처리 시간 60초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에 의한 열수축률이 바람직하게는 2 내지 30％, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 보다 바람직하게는 3 내지 20％, 보다 바람직하게는 5 내지 20％이다. 당해 열수축률은, 소위 MD 방향의 열수축률 및 소위 TD 방향의 열수축률 중 적어도 한쪽의 열수축률을 의미하도록 한다.
기재(11)에서의 점착제층(12)측의 표면은, 점착제층(12)과의 밀착성을 높이기 위한 처리가 실시되어 있어도 된다. 그러한 처리로서는, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 및 이온화 방사선 처리 등의 물리적 처리, 크롬산 처리 등의 화학적 처리, 및 하도 처리를 들 수 있다.
기재(11)의 두께는, 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 지지체로서 기재(11)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 보다 바람직하게는 55㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(11)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)은, 점착제를 함유한다. 점착제는, 방사선 조사나 가열 등 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제(점착력 저감형 점착제)여도 되고, 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 대부분 또는 완전히 저감되지 않은 점착제(점착력 비저감형 점착제)여도 되며, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용하여 개편화되는 반도체 칩의 개편화 방법이나 조건 등에 따라 적절하게 선택할 수 있다.
점착제층(12) 중의 점착제로서 점착력 저감형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정이나 사용 과정에 있어서, 점착제층(12)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를, 구분지어 사용하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 다이 본드 필름(20)을 접합할 때나, 다이싱 다이 본드 필름 X가 소정의 웨이퍼 다이싱 공정에 사용될 때에는, 점착제층(12)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태를 이용하여 점착제층(12)으로부터의 다이 본드 필름(20) 등 피착체의 들뜸이나 박리를 억제·방지하는 것이 가능하게 되는 한편, 그보다 뒤에, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 픽업하기 위한 픽업 공정에서는, 점착제층(12)의 점착력을 저감시킨 다음에, 점착제층(12)으로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 적절하게 픽업하는 것이 가능해진다.
이와 같은 점착력 저감형 점착제로서는, 예를 들어 방사선 경화형 점착제(방사선 경화성을 갖는 점착제)나 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(12)에 있어서는, 1종류의 점착력 저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(12)의 전체가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(12)의 일부가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(12)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(12)의 전체가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(12)에서의 소정의 부위(예를 들어, 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 웨이퍼 링의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(12)이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 되고, 적층 구조중의 일부의 층이 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다.
점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제를 사용할 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제(자외선 경화형 점착제)를 특히 적합하게 사용할 수 있다.
점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제인 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 함유하는, 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체는, 바람직하게는 아크릴산 에스테르 및/또는 메타크릴산 에스테르에서 유래하는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많은 주된 단량체 유닛으로서 포함한다. 이하에서는, 「(메트)아크릴」을 갖고, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」을 나타낸다.
아크릴계 중합체의 단량체 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르, (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산 아릴에스테르 등의 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 및 에이코실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르 및 시클로헥실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 페닐 및 (메트)아크릴산 벤질을 들 수 있다. 아크릴계 중합체를 위한 주 단량체로서의 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 1종류의 (메트)아크릴산 에스테르를 사용해도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산 에스테르를 사용해도 된다. (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에서 적절하게 발현시키는 데는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 주 단량체로서의 (메트)아크릴산 에스테르의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
아크릴계 중합체는, 그 응집력이나 내열성 등을 개질하기 위해서, (메트)아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 단량체 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 글리시딜기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 카르복시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시 에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시 펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산을 들 수 있다. 산 무수물 단량체로서는, 예를 들어 무수 말레산 및 무수 이타콘산을 들 수 있다. 히드록시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 글리시딜기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 글리시딜 및 (메트)아크릴산 메틸글리시딜을 들 수 있다. 술폰산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산을 들 수 있다. 인산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다. 아크릴계 중합체를 위한 당해 다른 단량체로서는, 1종류의 단량체를 사용해도 되고, 2종류 이상의 단량체를 사용해도 된다. (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에서 적절하게 발현시키는 데는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 당해 다른 단량체 성분의 비율은, 바람직하게는 60질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.
아크릴계 중합체는, 그 중합체 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, 주 단량체로서의 (메트)아크릴산 에스테르 등의 단량체 성분과 공중합 가능한 다관능성 단량체에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트(즉 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트), 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 아크릴계 중합체를 위한 다관능성 단량체로서는, 1종류의 다관능성 단량체를 사용해도 되고, 2종류 이상의 다관능성 단량체를 사용해도 된다. 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 다관능성 단량체의 비율은, (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에서 적절하게 발현시키는 데는, 바람직하게는 40질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하이다.
아크릴계 중합체는, 그것을 형성하기 위한 원료 단량체를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합 및 현탁 중합을 들 수 있다. 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X가 사용되는 반도체 장치 제조 방법에서의 고도의 청정성의 관점에서는, 다이싱 테이프(10) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(12) 중의 저분자량 물질은 적은 편이 바람직한바, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 이상, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다.
점착제층(12) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 아크릴계 중합체 등 베이스 중합체의 수 평균 분자량을 높이기 위해서 예를 들어, 외부 가교제를 함유해도 된다. 아크릴계 중합체 등 베이스 중합체와 반응하여 가교 구조를 형성하기 위한 외부 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물(폴리페놀계 화합물 등), 아지리딘 화합물 및 멜라민계 가교제를 들 수 있다. 점착제층(12) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에서의 외부 가교제의 함유량은, 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
방사선 경화형 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 방사선 경화형 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있으며, 분자량 100 내지 30000 정도의 것이 적당하다. 방사선 경화형 점착제 중의 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 총 함유량은, 형성되는 점착제층(12)의 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있는 범위에서 결정되고, 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 예를 들어 5 내지 500질량부이며, 바람직하게는 40 내지 150질량부이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.
점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 중합체 측쇄나, 중합체 주쇄 중, 중합체 주쇄 말단에 갖는 베이스 중합체를 함유하는 내재형의 방사선 경화형 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 형성되는 점착제층(12) 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도하지 않은 경시적 변화를 억제하기 때문에 적합하다.
내재형의 방사선 경화형 점착제에 함유되는 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 그러한 기본 골격을 이루는 아크릴계 중합체로서는, 전술한 아크릴계 중합체를 채용할 수 있다. 아크릴계 중합체에의 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 소정의 관능기(제1 관능기)를 갖는 단량체를 포함하는 원료 단량체를 공중합시켜 아크릴계 중합체를 얻고 난 후, 제1 관능기 사이에서 반응을 발생해서 결합할 수 있는 소정의 관능기(제2 관능기)와 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 중합체에 대해서 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
제1 관능기와 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기를 들 수 있다. 이들 조합 중, 반응 추적의 용이함의 관점에서는, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합이나, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 적합하다. 또한, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 중합체를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높은바, 아크릴계 중합체의 제작 또는 입수의 용이함의 관점에서는, 아크릴계 중합체측의 상기 제1 관능기가 히드록시기이며 또한 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 경우가 보다 적합하다. 이 경우, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합과 제2 관능기인 이소시아네이트기를 병유하는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트를 들 수 있다. 또한, 제1 관능기를 수반하는 아크릴계 중합체로서는, 상기 히드록시기 함유 단량체에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하는 것이 적합하며, 2-히드록시에틸비닐에테르나, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜 모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하는 것도 적합하다.
점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제는, 바람직하게는 광중합 개시제를 함유한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트를 들 수 있다. α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시 프로피오페논, 및 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 들 수 있다. 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1을 들 수 있다. 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 및 아니소인메틸에테르를 들 수 있다. 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈을 들 수 있다. 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐 클로라이드를 들 수 있다. 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페논-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다. 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논을 들 수 있다. 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤을 들 수 있다. 점착제층(12)에서의 방사선 경화형 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100질량부에 대해서 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
점착제층(12)에서의 상기 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제인바, 발포제로서는 다양한 무기계 발포제 및 유기계 발포제를 들 수 있으며, 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 외피 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨 및 아지드류를 들 수 있다. 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄이나 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화 알칸, 아조비스이소부티로니트릴이나 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물, 파라톨루엔술포닐히드라지드나 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물, p-톨루일렌술포닐세미카르바지드나 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물, 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계화합물, 및 N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민이나 N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물을 들 수 있다. 상기와 같은 열팽창성 미소구를 이루기 위한, 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판 및 펜탄을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 외피 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 외피 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴·아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴 및 폴리술폰을 들 수 있다.
전술한 점착력 비저감형 점착제로서는, 예를 들어 점착력 저감형 점착제에 관하여 전술한 방사선 경화형 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제나, 감압형 점착제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(12)에 있어서는, 1종류의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(12)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(12)의 일부가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(12)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(12)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(12)에서의 소정의 부위(예를 들어, 웨이퍼 링의 접착 대상 영역이며, 웨이퍼의 접착 대상 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(12)이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 적층 구조 중의 일부의 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다.
방사선 경화형 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제(방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제)는, 방사선 조사에 의해 점착력이 저감되어 있도록 해도, 함유하는 중합체 성분에 기인하는 점착성을 나타내고, 다이싱 공정 등에 있어서 다이싱 테이프 점착제층에 최저한 필요한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 본 실시 형태에 있어서는, 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 사용하는 경우, 점착제층(12)의 면 확대 방향에 있어서, 점착제층(12)의 전체가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제로 형성되어도 되며, 점착제층(12)의 일부가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제로 형성되고 또한 다른 부분이 방사선 미조사의 방사선 경화형 점착제로 형성되어도 된다.
방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 점착제층(12)의 적어도 일부에 포함하는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 예를 들어 다음과 같은 과정을 거쳐 제조할 수 있다. 우선, 다이싱 테이프(10)의 기재(11) 위에 방사선 경화형 점착제에 의한 점착제층(방사선 경화형 점착제층)을 형성한다. 이어서, 이 방사선 경화형 점착제층의 소정의 일부 또는 전체에 방사선을 조사하여, 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 적어도 일부에 포함하는 점착제층(12)을 형성한다. 그 후, 당해 점착제층(12) 위에 후술하는 다이 본드 필름(20)으로 되는 접착제층을 형성한다. 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 점착제층(12)의 적어도 일부에 포함하는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 혹은 다음과 같은 과정을 거쳐 제조할 수도 있다. 우선, 다이싱 테이프(10)의 기재(11) 위에 방사선 경화형 점착제에 의한 점착제층(방사선 경화형 점착제층)을 형성한다. 이어서, 이 방사선 경화형 점착제층 위에 후술하는 다이 본드 필름(20)으로 되는 접착제층을 형성한다. 그 후, 방사선 경화형 점착제층의 소정의 일부 또는 전체에 방사선을 조사하여, 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제를 적어도 일부에 포함하는 점착제층(12)을 형성한다.
한편, 점착제층(12)에서의 감압형 점착제로서는, 공지 내지 관용의 점착제를 사용할 수 있으며, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 적합하게 사용할 수 있다. 점착제층(12)이 감압형 점착제로서 아크릴계 점착제를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 중합체인 아크릴계 중합체는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많은 주된 단량체 유닛으로서 포함한다. 그러한 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 방사선 경화형 점착제에 관하여 전술한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
점착제층(12) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에는, 전술한 각 성분 외에도, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료나 염료 등의 착색제 등을, 함유해도 된다. 착색제는, 방사선 조사를 받아 착색하는 화합물이어도 된다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 류코 염료를 들 수 있다.
점착제층(12)의 두께는, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 25㎛이다. 이와 같은 구성은, 예를 들어 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제를 포함하는 경우에 당해 점착제층(12)의 방사선 경화의 전후에서의 다이 본드 필름(20)에 대한 접착력의 균형을 취하는 데 있어서, 적합하다.
이상과 같은 기재(11)와 점착제층(12)을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프(10)는, 전술한 바와 같이, 폭 20㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 초기 척간 거리 100㎜에서 행해지는 인장 시험에 있어서 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값에서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 것이다. 다이싱 테이프(10)를 구비하는 다이싱 다이 본드 필름 X가 익스팬드 공정에 사용되는 경우에 충분한 인장 길이를 확보하기 위해서는, 다이싱 테이프(10)에 대하여, 상기 인장 시험에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 변형값은, 바람직하게는 6％ 이상, 보다 바람직하게는 7％ 이상, 보다 바람직하게는 8％ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(10)를 구비하는 다이싱 다이 본드 필름 X가 익스팬드 공정에 사용되는 경우에 필요한 인장 길이가 과대해지는 것을 회피하기 위해서는, 다이싱 테이프(10)에 대하여, 상기 인장 시험에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 변형값은 바람직하게는 20％ 이하, 보다 바람직하게는 17％ 이하, 보다 바람직하게는 15％ 이하, 보다 바람직하게는 13％ 이하이다. 또한, 다이싱 테이프(10)에 관한 상기 인장 시험에서의 인장 응력은, 전술한 바와 같이 15 내지 32MPa의 범위 내에 있는바, 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내에 있다.
상기 인장 시험에 있어서는, 온도 조건이 저온일수록, 다이싱 테이프(10) 내지 그 시험편이 나타내는 인장 응력은 큰 경향이 있는바, 당해 인장 시험에서의 온도 조건은, 바람직하게는 -15℃이다. 또한, 상기 인장 시험에서의 인장 속도 조건은, 바람직하게는 10 내지 1000㎜/분, 보다 바람직하게는 100 내지 1000㎜/분의 범위 내에 있다. 즉, 다이싱 테이프(10)는, 이들 측정 조건에서 실시되는 인장 시험에 있어서, 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값, 바람직하게는 6％ 이상, 보다 바람직하게는 7％ 이상, 보다 바람직하게는 8％ 이상이며 또한 바람직하게는 20％ 이하, 보다 바람직하게는 17％ 이하, 보다 바람직하게는 15％ 이하, 보다 바람직하게는 13％ 이하의 변형값에서, 15 내지 32MPa, 보다 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는 것이다.
다이싱 테이프(10)의 -15℃에서의 탄성률은, 바람직하게는 500MPa 이상, 보다 바람직하게는 700MPa 이상, 보다 바람직하게는 900MPa 이상, 보다 바람직하게는 1000MPa 이상이다. 이와 같은 구성은, 다이싱 테이프(10)에 관한 상기 인장 시험에 있어서 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값이며 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 발생시키는 데 적합하다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(20)은, 다이 본딩용 열경화성을 나타내는 접착제로서 기능할 수 있는 구성을 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 필름(20)을 이루기 위한 접착제는, 열경화성 수지와 예를 들어 바인더 성분으로서의 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 된다. 다이 본드 필름(20)을 이루기 위한 접착제가, 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우, 당해 점착제는 열경화성 수지(에폭시 수지 등)를 포함할 필요는 없다. 이러한 다이 본드 필름(20)은, 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다.
다이 본드 필름(20)이, 열경화성 수지를 열가소성 수지와 함께 포함하는 경우, 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 및 열경화성 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(20)을 이루기 위해서는, 1종류의 열경화성 수지를 사용해도 되고, 2종류 이상의 열경화성 수지를 사용해도 된다. 다이 본딩 대상의 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다는 이유에서, 다이 본드 필름(20)에 포함되는 열경화성 수지로서는 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜 아민형의 에폭시 수지를 들 수 있다. 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 및 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하며 또한 내열성이 우수한 점에서, 다이 본드 필름(20)에 포함되는 에폭시 수지로서 바람직하다.
에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및 폴리파라옥시 스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 및 노닐페놀노볼락 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 1종류의 페놀 수지를 사용해도 되고, 2종류 이상의 페놀 수지를 사용해도 된다. 페놀노볼락 수지나 페놀아르알킬 수지는, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 경향이 있으므로, 다이 본드 필름(20)에 포함되는 에폭시 수지의 경화제로서 바람직하다.
다이 본드 필름(20)에 있어서, 에폭시 수지와 페놀 수지와의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 페놀 수지는, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 페놀 수지중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2당량이 되는 양으로 포함된다.
다이 본드 필름(20)에 포함되는 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 및 불소 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(20)을 이루기 위해서는, 1종류의 열가소성 수지를 사용해도 되고, 2종류 이상의 열가소성 수지를 사용해도 된다. 다이 본드 필름(20)에 포함되는 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적으며 또한 내열성이 높기 때문에 다이 본드 필름(20)에 의한 접합 신뢰성을 확보하기 쉽다는 이유에서, 아크릴 수지가 바람직하다.
다이 본드 필름(20)에 열가소성 수지로서 포함되는 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많은 주된 단량체 유닛으로서 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제의 한 성분인 아크릴계 중합체에 관하여 상기한 것과 마찬가지의 (메트)아크릴산 에스테르를 사용할 수 있다. 다이 본드 필름(20)에 열가소성 수지로서 포함되는 아크릴 수지는, (메트)아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체에서 유래하는 단량체 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그와 같은 다른 단량체 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 글리시딜기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 단량체나, 각종 다관능성 단량체를 들 수 있으며, 구체적으로는, 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제의 한 성분인 아크릴계 중합체에 관하여 (메트)아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체로서 상기한 것과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다. 다이 본드 필름(20)에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서는, 다이 본드 필름(20)에 포함되는 당해 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르(특히, 알킬기의 탄소수가 4 이하의 (메트)아크릴산 알킬에스테르)와, 카르복시기 함유 단량체와, 질소 원자 함유 단량체와, 다관능성 단량체(특히 폴리글리시딜계 다관능 단량체)와의 공중합체이며, 보다 바람직하게는, 아크릴산 에틸과, 아크릴산 부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트와의 공중합체이다.
다이 본드 필름(20)에서의 열경화성 수지의 함유 비율은, 다이 본드 필름(20)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서, 바람직하게는 5 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.
다이 본드 필름(20)이, 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많은 주된 단량체 유닛으로서 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제의 한 성분인 아크릴계 중합체에 관하여 상기한 것과 마찬가지의 (메트)아크릴산 에스테르를 사용할 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기 및 이소시아네이트기를 들 수 있다. 이들 중, 글리시딜기 및 카르복시기를 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지나 카르복시기 함유 아크릴 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 경화제로서는, 예를 들어 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제의 한 성분으로 되는 경우가 있는 외부 가교제로서 상기한 것을 사용할 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에서의 열경화성 관능기가 글리시딜기일 경우에는, 경화제로서 폴리페놀계 화합물을 적합하게 사용할 수 있는데, 예를 들어 상기한 각종 페놀 수지를 사용할 수 있다.
다이 본딩을 위해서 경화되기 전의 다이 본드 필름(20)에 대하여, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어 다이 본드 필름(20)에 포함되는 전술한 수지의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합할 수 있는 다관능성 화합물을 가교제로서 다이 본드 필름 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(20)에 대하여, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키는 데 있어서, 또한, 내열성의 개선을 도모하는 데 있어서 적합하다. 그와 같은 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트, 및 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물을 들 수 있다. 다이 본드 필름 형성용 수지 조성물에서의 가교제의 함유량은, 당해 가교제와 반응하여 결합할 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대해서, 형성되는 다이 본드 필름(20)의 응집력 향상의 관점에서는 바람직하게는 0.05질량부 이상이며, 형성되는 다이 본드 필름(20)의 접착력 향상의 관점에서는 바람직하게는 7질량부 이하이다. 또한, 다이 본드 필름(20)에서의 가교제로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다.
다이 본드 필름(20)은, 필러를 함유하고 있어도 된다. 다이 본드 필름(20)에 대한 필러의 배합에 의해, 다이 본드 필름(20)의 도전성이나, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있는바, 특히 무기 필러가 바람직하다. 무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 외에, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트를 들 수 있다. 필러는, 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상 등의 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 다이 본드 필름(20)에서의 필러로서는, 1종류의 필러를 사용해도 되고, 2종류이상의 필러를 사용해도 된다.
다이 본드 필름(20)이 필러를 함유하는 경우에서의 당해 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005 내지 10㎛, 보다 바람직하게는 0.005 내지 1㎛이다. 당해 필러의 평균 입경이 0.005㎛ 이상이다라는 구성은, 다이 본드 필름(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 높은 습윤성이나 접착성을 실현하는 데 있어서 적합하다. 당해 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하라는 구성은, 다이 본드 필름(20)에 있어서 충분한 필러 첨가 효과를 향수함과 함께 내열성을 확보하는 데 있어서 적합하다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 구할 수 있다.
접착제층(20)은, 필요에 따라 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 당해 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 및 이온 트랩제를 들 수 있다. 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬 및 브롬화 에폭시 수지를 들 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산 지르코늄(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 600」) 및 규산알루미늄(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 700」)을 들 수 있다. 금속 이온 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물 및 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온과의 사이에서 형성되는 착체의 안정성 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다. 그러한 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3, 5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1-(2',3'-히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, C7-C9-알킬-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시페닐]프로피온에테르, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3- [3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디(1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1, 1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], 2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 및 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트를 들 수 있다. 또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시 안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등의 소정의 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는, 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산 메틸, 피로갈롤 등을 들 수 있다. 이상과 같은 다른 성분으로서는, 1종류의 성분을 사용해도 되고, 2종류 이상의 성분을 사용해도 된다.
다이 본드 필름(20)의 두께는, 예를 들어 1 내지 200㎛의 범위에 있다. 당해 두께의 상한은, 바람직하게는 100㎛, 보다 바람직하게는 80㎛이다. 당해 두께의 하한은, 바람직하게는 3㎛, 보다 바람직하게는 5㎛이다.
이상과 같은 구성을 갖는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 예를 들어 이하와 같이 하여 제작할 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)에 대해서는, 준비한 기재(11) 위에 점착제층(12)을 마련함으로써 제작할 수 있다. 예를 들어 수지제의 기재(11)는, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 제막 방법에 의해 제작할 수 있다. 점착제층(12)은, 점착제층(12) 형성용의 점착제 조성물을 조제한 후, 기재(11) 위 또는 소정의 세퍼레이터(즉 박리 라이너) 위에 당해 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하고, 필요에 따라 당해 점착제 조성물층에 대하여 탈용매 등 함(이때, 필요에 따라 가열 가교시킴)으로써, 형성할 수 있다. 점착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 점착제 조성물층의 탈용매 등을 위한 온도는 예를 들어 80 내지 150℃이고, 시간은 예를 들어 0.5 내지 5분간이다. 점착제층(12)이 세퍼레이터 위에 형성되는 경우에는, 당해 세퍼레이터를 수반하는 점착제층(12)을 기재(11)에 접합한다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프(10)를 제작할 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(20)에 대해서는, 다이 본드 필름(20) 형성용의 접착제 조성물을 조제한 후, 소정의 세퍼레이터 위에 당해 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하고, 필요에 따라 당해 접착제 조성물층에 대하여 탈용매 등을 함으로써, 제작할 수 있다. 접착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 접착제 조성물층의 탈용매 등을 위한 온도는 예를 들어 70 내지 160℃이며, 시간은 예를 들어 1 내지 5분간이다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 제작에 있어서는, 다음에, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)측에 다이 본드 필름(20)을 예를 들어 압착하여 접합한다. 접합 온도는, 예를 들어 30 내지 50℃이며, 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 접합 압력(선압)은, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝이며, 바람직하게는 1 내지 10kgf/㎝이다. 점착제층(12)이 전술한 바와 같은 방사선 경화형 점착제층인 경우에 다이 본드 필름(20)의 접합보다 후에 점착제층(12)에 자외선 등의 방사선을 조사할 때에는, 예를 들어 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 방사선 조사를 행하고, 그 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(조사 영역 R)은, 통상, 점착제층(12)에서의 다이 본드 필름(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
이상과 같이 하여, 예를 들어 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름 X를 제작할 수 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X에는, 다이 본드 필름(20)측에, 적어도 다이 본드 필름(20)을 피복하는 형태로 세퍼레이터(도시생략)가 설치되어 있어도 된다. 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)보다도 다이 본드 필름(20)이 작은 사이즈이고 점착제층(12)에 있어서 다이 본드 필름(20)이 접합되어 있지 않은 영역이 있는 경우에는 예를 들어, 세퍼레이터는, 다이 본드 필름(20) 및 점착제층(12)을 적어도 피복하는 형태로 설치되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 적어도 다이 본드 필름(20)(예를 들어, 다이 본드 필름(20) 및 점착제층(12))이 노출되지 않도록 보호하기 위한 요소이며, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다.
도 2 내지 도 7은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법을 나타낸다.
본 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 우선, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 분할 홈(30a)이 형성된다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1이 반도체 웨이퍼 W의 제2면 Wb측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)이 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성된다. 분할 홈(30a)은 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 2 내지 4에서는 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).
다음으로, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2의, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 대한 접합과, 반도체 웨이퍼 W로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T1의 박리가 행해진다.
다음으로, 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화된다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭 숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다. 반도체 웨이퍼(30A)는, 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 되는 부위를 제2면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에서의 연결부의 두께, 즉, 반도체 웨이퍼(30A)의 제2면 Wb와 분할 홈(30a)의 제2면 Wb측 선단과의 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이며, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다.
다음으로, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 유지된 반도체 웨이퍼(30A)가 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(20)에 대하여 접합된다. 이 후, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T2가 박리된다. 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층인 경우에는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서의 전술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 다이 본드 필름(20)에 대한 접합의 후에, 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(도 1에 도시한 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(12)에서의 다이 본드 필름(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
다음으로, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12) 위에 링 프레임(41)이 점착된 후, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름 X가 익스팬드 장치의 유지구(42)에 고정된다.
다음으로, 상대적으로 저온의 조건하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)이, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 행해지고, 반도체 웨이퍼(30A)가 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(20)이 소편의 다이 본드 필름(21)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되어, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)가, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32MPa, 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 바람직하게는 0.1 내지 100㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 바람직하게는 3 내지 16㎜이다.
본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 얇아서 갈라지기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 다이 본드 필름(20)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소에는, 그와 같은 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 본 공정의 후, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(10)에서의 익스팬드 상태가 해제된다.
다음으로, 상대적으로 고온의 조건하에서 제2 익스팬드 공정이, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 행해지고, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)가 확장된다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가 다시 상승되어, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)가 익스팬드된다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜/초이며, 바람직하게는 0.3 내지 1㎜/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 예를 들어 3 내지 16㎜이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(10)로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능한 정도로, 본 공정에서는 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리를 확장할 수 있다. 본 공정의 후, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(10)에서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(10) 위의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제하기 위해서는, 익스팬드 상태를 해제하기보다 전에, 다이싱 테이프(10)에서의 반도체 칩(31) 유지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.
다음으로, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(10)에서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라 거친 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(10)로부터 픽업한다(픽업 공정). 예를 들어, 픽업 대상의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)에 대하여, 다이싱 테이프(10)의 도면 중 하측에서 픽업 기구의 핀 부재(44)를 상승시켜 다이싱 테이프(10)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 유지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어올리기 속도는 예를 들어 1 내지 100㎜/초이며, 핀 부재(44)의 밀어올리기 양은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.
다음으로, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 픽업된 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이, 소정의 피착체(51)에 대해서 다이 본드 필름(21)을 통해 임시 고착된다. 피착체(51)로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 배선 기판, 및 별도 제작한 반도체 칩을 들 수 있다. 다이 본드 필름(21)의 가 고착 시에서의 25℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대해서 바람직하게는 0.2MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10MPa이다. 다이 본드 필름(21)의 당해 전단 접착력이 0.2MPa 이상이라는 구성은, 후술하는 와이어 본딩 공정에 있어서, 초음파 진동이나 가열에 의해 다이 본드 필름(21)과 반도체 칩(31) 또는 피착체(51)의 접착면에서 전단 변형이 발생하는 것을 억제하여 적절하게 와이어 본딩을 행하는 데 적합하다. 또한, 다이 본드 필름(21)의 임시 고착 시에서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대해서 바람직하게는 0.01MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5MPa이다.
다음으로, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시생략)과 피착체(51)가 갖는 단자부(도시생략)를 본딩 와이어(52)를 통해 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드나 피착체(51)의 단자부와 본딩 와이어(52)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현되어, 다이 본드 필름(21)을 열경화시키지 않도록 행해진다. 본딩 와이어(52)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 구리선을 사용할 수 있다. 와이어 본딩에서의 와이어 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 250℃이며, 바람직하게는 80 내지 220℃이다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분 간이다.
다음으로, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 피착체(51) 위의 반도체 칩(31)이나 본딩 와이어(52)를 보호하기 위한 밀봉 수지(53)에 의해 반도체 칩(31)을 밀봉한다(밀봉 공정). 본 공정에서는, 다이 본드 필름(21)의 열경화가 진행된다. 본 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(53)가 형성된다. 밀봉 수지(53)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용할 수 있다. 본 공정에 있어서, 밀봉 수지(53)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분 간이다. 본 공정(밀봉 공정)에서 밀봉 수지(53)의 경화가 충분하게는 진행되지 않는 경우에는, 본 공정 후에 밀봉 수지(53)를 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정이 행해진다. 밀봉 공정에 있어서 다이 본드 필름(21)이 완전하게는 열경화되지 않는 경우라도, 후경화 공정에 있어서 밀봉 수지(53)와 함께 다이 본드 필름(21)이 완전한 열경화가 가능해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다.
이상과 같이 하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 피착체(51)에 임시 고착된 후, 다이 본드 필름(21)이 완전한 열경화에 이르지 않고 와이어 본딩 공정이 행해진다. 이와 같은 구성 대신에, 본 발명에서는, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 피착체(51)에 임시 고착된 후, 다이 본드 필름(21)이 열경화되고 나서 와이어 본딩 공정이 행해져도 된다.
본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 도 2의 (d)를 참조하여 전술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 8에 도시한 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 2의 (c)를 참조하여 전술한 과정을 거친 후, 도 8에 도시한 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되어서, 복수의 반도체 칩(31)을 포함해 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 유지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 형성된다. 본 공정에서는, 분할 홈(30a) 그 자체가 제2면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2면 Wb측에서 분할 홈(30a)에 이르기보다 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 숫돌로부터 웨이퍼에 대한 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2면 Wb의 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)를 참조하여 전술한 바와 같이 형성되는 분할 홈(30a)의, 제1면 Wa로부터의 깊이는, 적절하게 결정된다. 도 8에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 이어지는 크랙에 대하여, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 본 발명에서는, 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 다음에, 도 3 내지 도 7을 참조하여 전술한 각 공정이 행해져도 된다.
도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼 분할체(30B가) 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)가, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32MPa, 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 본 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 바람직하게는 1 내지 500㎜/초이다. 또한, 본 공정에서의 익스팬드량은, 바람직하게는 1 내지 10㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(20)이 소편의 다이 본드 필름(21)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 다이 본드 필름(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소가 할단되게 된다.
본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼(30A) 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된다는 전술한 구성 대신에, 이하와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합되어도 된다.
도 10의 (a) 및 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 우선, 반도체 웨이퍼 W에 개질 영역(30b)이 형성된다. 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3이 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광이 웨이퍼 가공용 테이프 T3과는 반대 측으로부터 반도체 웨이퍼 W에 대하여 그 분할 예정 라인을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의하여 반도체 웨이퍼 W 내에 개질 영역(30b)이 형성된다. 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 위에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허공개 제2002-192370호 공보에 상세히 설명되어 있는바, 본 실시 형태에서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
<레이저광 조사 조건>
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q스위치 펄스
반복 주파수 100㎑ 이하
펄스폭 1㎲ 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하
다음으로, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되어, 이에 의해 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)가 형성된다(웨이퍼 박화 공정). 본 발명에서는, 이상과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 다음, 도 3 내지 도 7을 참조하여 전술한 각 공정이 행해져도 된다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는, 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)가, 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32MPa, 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 본 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 바람직하게는 0.1 내지 100㎜/초이다. 또한, 본 공정에서의 익스팬드량은, 바람직하게는 1 내지 10㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(20)이 소편의 다이 본드 필름(21)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙이 형성되어 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 다이 본드 필름(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소가 할단되게 된다.
또한, 본 발명에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 전술한 바와 같이 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데에 사용할 수 있는바, 복수의 반도체 칩을 적층하여 3차원 실장을 하는 경우에서의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데에도 사용할 수 있다. 그러한 3차원 실장에서의 반도체 칩(31) 사이에는, 다이 본드 필름(21)과 함께 스페이서가 개재되어 있어도 되며, 스페이서가 개재되어 있지 않아도 된다.
다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위해 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름에서 익스팬드되는 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력이 15MPa 이상이며 32MPa 이하인 것은, 익스팬드중의 다이싱 테이프부터 다이 본드 필름에 대하여 충분한 할단력으로서의 인장 응력을 작용시켜 당해 다이 본드 필름을 할단하는 데 적합함과 함께, 익스팬드 후의 다이싱 테이프로부터 할단 후의 다이 본드 필름에 작용하는 잔류 응력이 과대해지는 것을 회피하여, 당해 필름 내지 당해 필름 부착 반도체 칩의 다이싱 테이프로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합하다는 사실을, 본 발명자는 알아내었다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다. 그리고, 본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법의 전술한 제1 익스팬드 공정 즉 쿨 익스팬드 공정에서는, 반도체 웨이퍼 분할체(30B) 또는 반도체 웨이퍼(30A)를 다이 본드 필름(20)측에 수반하는 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서, 당해 다이싱 테이프(10)는 익스팬드된다. 이러한 익스팬드 공정을 포함하는 본 반도체 장치 제조 방법은, 다이싱 테이프(10) 위의 다이 본드 필름(20)에 대해서 양호하게 할단시킴과 함께,할단 후의 각 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)에 대하여 다이싱 테이프(10)로부터의 들뜸이나 박리를 억제하는 데 적합하다.
전술한 쿨 익스팬드 공정(제1 익스팬드 공정)에 있어서는, 온도 조건이 저온일수록, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력은 큰 경향이 있는바, 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 전술한 바와 같이, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 이와 같은 구성에 의하면, 쿨 익스팬드 공정에서 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)에 대하여 상대적으로 저온의 조건하에서 발생하는 상대적으로 큰 인장 응력을 할단용의 쿨 익스팬드 공정(제1 익스팬드 공정)에서의 다이 본드 필름(20)에 대한 할단력으로서 이용한 다음, 할단 후의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리를 길게 늘이기 위한 제2 익스팬드 공정을 상대적으로 고온(예를 들어 상온)의 조건하에서 다이싱 테이프 발생 인장 응력을 억제하면서 행하는 것이 가능하다.
전술한 반도체 장치 제조 방법에 사용되는 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이싱 테이프(10)는, 다이 본드 필름(20)에 할단을 발생시키기 위한 충분한 인장 길이를 확보하는 데 적합한 변형값 5％ 이상이며, 익스팬드 공정에서의 인장 길이가 과대해지는 것을 회피하여 익스팬드 공정을 효율적으로 실시하는 데 적합한 변형값 30％ 이하의 범위의, 적어도 일부의 변형값이며, 전술한 바와 같이, 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있다. 이러한 다이싱 테이프(10)는, 그 점착제층(12)측에 다이 본드 필름(20)이 밀착된 형태에 있어서, 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 익스팬드하기 위한 익스팬드 공정(전술한 쿨 익스팬드 공정)에 사용하기에 적합하고, 따라서, 당해 익스팬드 공정에서 다이싱 테이프(10) 위의 다이 본드 필름(20)에 대해서 양호하게 할단시킴과 함께, 할단 후의 각 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)에 대하여 다이싱 테이프(10)로부터의 들뜸이나 박리를 억제하기에 적합하다.
다이싱 테이프(10)는, 전술한 바와 같이, 상기 인장 시험에 있어서, 변형값이 5％ 이상, 바람직하게는 6％ 이상, 보다 바람직하게는 7％ 이상, 보다 바람직하게는 8％ 이상이며, 또한, 30％ 이하, 바람직하게는 20％ 이하, 보다 바람직하게는 17％ 이하, 보다 바람직하게는 15％ 이하, 보다 바람직하게는 13％ 이하의 범위에서, 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있다. 이러한 다이싱 테이프(10)는, 그 점착제층(12)측에 다이 본드 필름(20)이 밀착된 형태에서 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 충분한 인장 길이를 확보하면서도 잡아늘여 길이가 과대해지는 것을 회피하기 위해서, 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 발생하는 데 적합하다.
다이싱 테이프(10)가 상기 인장 시험에서 나타낼 수 있는 인장 응력은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내에 있다. 이러한 다이싱 테이프(10)는, 그 점착제층(12)측에 다이 본드 필름(20)이 밀착된 형태에 있어서, 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 익스팬드하기 위한 익스팬드 공정(전술한 쿨 익스팬드 공정)에 사용하는 데 적합하다. 당해 익스팬드 공정에 있어서는, 다이싱 다이 본드 필름 X에서 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 15MPa를 초과하여 클수록, 익스팬드 중의 다이싱 테이프(10)로부터 다이 본드 필름(20)에 대해서 할단력으로서 작용하는 인장 응력은 큰 경향이 있다.
다이싱 테이프(10)에 관한 상기 인장 시험에 있어서는, 온도 조건이 저온일수록, 다이싱 테이프(10) 내지 그 시험편이 나타내는 인장 응력은 큰 경향이 있는바, 당해 인장 시험에서의 온도 조건은, 바람직하게는 0℃ 이하, 보다 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 이와 같은 구성에 의하면, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)에 대하여 상대적으로 저온의 조건하에서 발생하는 상대적으로 큰 인장 응력을 할단용의 쿨 익스팬드(제1 익스팬드 공정)에서의 다이 본드 필름(20)에 대한 할단력으로서 이용한 다음, 할단 후의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 이격된 거리를 길게 늘이기 위한 재차의 익스팬드 공정(제2 익스팬드 공정)을 상대적으로 고온(예를 들어 상온)의 조건하에서 다이싱 테이프 발생 인장 응력을 억제하면서 행하는 것이 가능하다.
다이싱 테이프(10)에 관한 상기 인장 시험에서의 인장 속도 조건은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 10 내지 1000㎜/분, 보다 바람직하게는 100 내지 1000㎜/분의 범위 내에 있다. 다이싱 테이프(10)가 그 점착제층(12)측에 다이 본드 필름(20)의 밀착된 형태에서 익스팬드 공정에 사용되는 경우의 공정 속도 나아가서는 반도체 장치의 생산성의 관점에서는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 소정의 변형값에서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 발생시키는 상기 인장 시험의 인장 속도 조건은, 바람직하게는 10㎜/분 이상, 보다 바람직하게는 100㎜/분 이상이다. 다이싱 테이프(10)가 그 점착제층(12)측에 다이 본드 필름(20)의 밀착된 형태에서 익스팬드 공정에 사용되는 경우에 파단하는 것을 회피하는 관점에서는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 소정의 변형값에서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 발생시키는 상기 인장 시험의 인장 속도 조건은, 바람직하게는 1000㎜/분 이하, 보다 바람직하게는 300㎜/분 이하이다.
실시예
〔실시예 1〕
<다이싱 테이프의 제작>
냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산 2-에틸헥실 100질량부와, 아크릴산 2-히드록시에틸 19질량부와, 중합 개시제인 과산화 벤조일 0.4질량부와, 중합 용매된 톨루엔 80질량부를 포함하는 혼합물을, 60℃에서 10시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 중합체 P1을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 이 중합체 용액의 1.2질량부의 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 첨가한 후, 50℃에서 60시간, 당해 용액을 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 이에 의해, 아크릴계 중합체 P2를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 이 중합체 용액에, 100질량부의 아크릴계 중합체 P2에 대해서 1.3질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄 가부시키가이샤 제조)과, 3질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 184」, BASF사 제조)를 첨가하여, 점착제 용액(점착제 용액 S1)를 조제하였다. 이어서, 실리콘 처리가 실시된 면을 갖는 PET 박리 라이너의 실리콘 처리면 위에 점착제 용액 S1을 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대하여 120℃에서 2분간 가열하여 탈용매하고, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 이 점착제층의 노출면에, 폴리염화비닐 기재(상품명 「V9K」, 두께 100㎛, 아킬레스 가부시키가이샤 제조)를 접합하고, 그 후에 23℃에서 72시간의 보존을 행하고, 다이싱 테이프를 얻었다. 이상과 같이 하여, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 실시예 1의 다이싱 테이프를 제작하였다.
〔실시예 2〕
폴리프로필렌 필름/폴리에틸렌 필름/폴리프로필렌 필름에 3층 구조를 갖는 폴리올레핀계 기재(상품명 「DDZ」, 두께 90㎛, 군제 가부시키가이샤 제조)를 폴리염화비닐 기재(상품명 「V9K」, 아킬레스 가부시키가이샤 제조) 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 다이싱 테이프를 제작하였다.
〔비교예 1〕
폴리염화비닐 기재(상품명 「V9K」, 아킬레스 가부시키가이샤 제조) 대신에 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 기재(상품명 「NED」, 두께 125㎛, 군제 가부시키가이샤 제조)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 다이싱 테이프를 제작하였다.
〔비교예 2〕
폴리염화비닐 기재(상품명 「V9K」, 아킬레스 가부시키가이샤 제조) 대신에 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 기재(상품명 「RB0104」, 두께 130㎛, 구라시키 보세키 가부시키가이샤 제조)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 다이싱 테이프를 제작하였다.
〔실시예 3〕
<다이 본드 필름의 제작>
아크릴 수지(상품명 「SG-708-6」, 유리 전이 온도(Tg) 4℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 100질량부와, 에폭시 수지(상품명 「JER828」, 23℃에서 액상, 미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤 제조) 11질량부와, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」, 23℃에서 고형, 메이와 가세이 가부시키가이샤 제조) 5질량부와, 구 형상 실리카(상품명 「SO-25R」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조) 110질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물 용액 S2를 얻었다. 이어서, 실리콘 처리가 실시된 면을 갖는 PET 박리 라이너의 실리콘 처리 면 위에 접착제 조성물 용액 S2를 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대하여 130℃에서 2분간 가열하여 탈용매하고, 접착제층인 다이 본드 필름(두께 10㎛)을 제작하였다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 1의 다이싱 테이프로부터, PET 박리 라이너를 박리한 후, 노출한 점착제층에 전술한 다이 본드 필름을 접합하였다. 접합에 있어서는, 다이싱 테이프의 중심과 다이 본드 필름의 중심을 위치 정렬하였다. 또한, 접합에는, 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, 다이싱 테이프에서의 점착제층에 대해서 기재의 측으로부터 300mJ/㎠의 자외선을 조사하였다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프와 다이 본드 필름을 포함하는 적층 구조를 갖는 실시예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔실시예 4〕
실시예 1의 다이싱 테이프 대신에 실시예 2의 다이싱 테이프를 사용한 것 이외에는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔비교예 3, 4〕
실시예 1의 다이싱 테이프 대신에 비교예 1 또는 비교예 2의 다이싱 테이프를 사용한 것 이외에는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 비교예 3, 4의 각 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔인장 응력 측정〕
실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 각 다이싱 테이프에 대하여, 이하와 같이 하여 인장 응력을 측정하였다. 우선, 다이싱 테이프의 점착제층에 대해서 기재의 측으로부터 300mJ/㎠의 자외선을 조사하여 당해 점착제층을 경화시킨 후, 당해 다이싱 테이프로부터 다이싱 테이프 시험편(폭 20㎜×길이 140㎜)을 잘라내었다. 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 다이싱 테이프마다, 필요 수의 다이싱 테이프 시험편을 준비하였다. 그리고, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-50NX」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여, 다이싱 테이프 시험편에 대하여 인장 시험을 행하고, 소정의 인장 속도로 신장되는 다이싱 테이프 시험편에 발생하는 인장 응력을 측정하였다. 본 측정에 의해 응력-변형 곡선을 얻었다. 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 100㎜이며, 온도 조건은 -15℃이고, 인장 속도는 10㎜/분, 100㎜/분 또는 1000㎜/분이다. 각 다이싱 테이프 시험편에 대하여 얻어진 응력-변형 곡선을 도 12에 나타낸다. 도 12의 그래프에 있어서, 횡축은 다이싱 테이프 시험편의 변형(％)을 나타내고, 종축은 당해 다이싱 테이프 시험편에 발생하는 인장 응력(MPa)을 나타낸다. 도 12의 그래프에 있어서, 실선 E1은, 실시예 1의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 10㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 일점쇄선 E1'은, 실시예 1의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 100㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 파선 E1"는, 실시예 1의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 1000㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 실선 E2는, 실시예 2의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 10㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 일점쇄선 E2'는, 실시예 2의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 100㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 파선 E2"는, 실시예 2의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 1000㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 실선 C1은, 비교예 1의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 10㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 일점쇄선 C1'는, 비교예 1의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 100㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 파선 C1"는, 비교예 1의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 1000㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 실선 C2는, 비교예 2의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 10㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 일점쇄선 C2'는, 비교예 2의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 100㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타내고, 파선 C2"는, 비교예 2의 다이싱 테이프에서의 인장 속도 1000㎜/분에서의 응력-변형 곡선을 나타낸다.
〔탄성률 측정〕
실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 각 다이싱 테이프에 대하여, 이하와 같이 해서 인장 탄성률을 측정하였다. 우선, 다이싱 테이프의 점착제층에 대해서 기재의 측으로부터 300mJ/㎠의 자외선을 조사하여 당해 점착제층을 경화시킨 후, 당해 다이싱 테이프로부터 다이싱 테이프 시험편(폭 20㎜×길이 140㎜)을 잘라내었다. 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 다이싱 테이프마다, 필요 수의 다이싱 테이프 시험편을 준비하였다. 그리고, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-50NX」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여, 다이싱 테이프 시험편에 대하여 인장 시험을 행하고, 얻어지는 응력-변형 곡선에서의 초기의 기울기(구체적으로는, 인장 시험 개시 후의 변형값 1％까지의 측정 데이터에 기초하여 결정되는 기울기)로부터 인장 탄성률을 산출하였다. 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 100㎜이며, 온도 조건은 -15℃이고, 인장 속도는 10㎜/분, 100㎜/분 또는 1000㎜/분이다. 이러한 측정에 의해 얻어진 인장 탄성률을 표 1에 기재한다.
〔익스팬드 공정의 평가〕
실시예 3, 4 및 비교예 3, 4의 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 이하와 같은 접합 공정과 그 후의 쿨 익스팬드 공정을 행하였다.
접합 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「ELP UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 유지된 반도체 웨이퍼 분할체를 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름에 대하여 접합하고, 그 후, 반도체 웨이퍼 분할체로 웨이퍼 가공용 테이프를 박리하였다. 반도체 웨이퍼 분할체는, 다음과 같이 하여 형성하여 제작한 것이다. 우선, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 링 프레임과 함께 유지된 상태에 있는 Si 미러 웨이퍼(직경 300㎜, 두께 780㎛, 도쿄 가코 가부시키가이샤 제조)에 대하여, 그 한쪽 면의 측으로부터, 다이싱 장치(상품명 「DFD6361」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여 그 회전 블레이드에 의해 개편화용의 분할 홈(폭 20 내지 25㎛, 깊이 50㎛)을 형성하였다. 이어서, 분할 홈 형성면에 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「ELP UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합한 후, 상기 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2」)를 Si 미러 웨이퍼로부터 박리하였다. 이 후, Si 미러 웨이퍼의 다른 쪽 면(분할 홈이 형성되어 있지 않은 면)의 측으로부터의 연삭에 의해 당해 웨이퍼를 두께 20㎛에 이르기까지 박화하였다. 이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼 분할체 (웨이퍼 가공용 테이프에 유지된 상태에 있음)를 형성하였다. 이 반도체 웨이퍼 분할체에는, 복수의 반도체 칩(6㎜×12㎜)이 포함되어 있다.
쿨 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터DDS2300」, 디스코사 제조)를 사용하여, 그 쿨 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 전술한 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프의 점착제층 위에 링 프레임을 점착한 후, 당해 다이싱 다이 본드 필름을 장치 내에 세트하고, 동 장치의 쿨 익스팬드 유닛에서, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 -15℃의 온도 조건하에서 소정의 익스팬드 속도 및 소정의 익스팬드량의 조건에서 익스팬드하였다. 실시예 3, 4 및 비교예 3, 4의 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행한 쿨 익스팬드 공정은, 이하와 같다.
상기 반도체 웨이퍼 분할체를 다이 본드 필름 위에 수반하는 실시예 3의 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드 속도 0.5㎜/초 및 익스팬드량 3㎜의 조건에서 익스팬드한바, 반도체 웨이퍼 분할체의 분할 홈을 따르는 다이 본드 필름 할단 예정 개소는 전역에 걸쳐 할단하고, 또한, 할단 후의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 들뜸은 발생하지 않았다. 본 쿨 익스팬드 공정에 있어서 익스팬드 속도 0.5㎜/초, 익스팬드량 3㎜ 및 -15℃의 조건에서 익스팬드되는 다이싱 테이프(실시예 1의 다이싱 테이프)에 발생하는 인장 응력은, 실시예 1의 다이싱 테이프에 대하여 -15℃의 온도 조건에서의 상기 인장 시험을 인장 속도 50㎜/분의 조건에서 행한 경우의 변형값 12％에 이른 상태의 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력에 상당한다.
상기 반도체 웨이퍼 분할체를 다이 본드 필름 위에 수반하는 실시예 3의 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드 속도 1㎜/초 및 익스팬드량 3㎜의 조건에서 익스팬드한바, 반도체 웨이퍼 분할체의 분할 홈을 따르는 다이 본드 필름 할단 예정 개소는 전역에 걸쳐 할단하고, 또한, 할단 후의 다이 본드 필름에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 들뜸이 발생한 면적은 20％ 정도였다. 본 쿨 익스팬드 공정에 있어서 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드량 3㎜ 및 -15℃의 조건에서 익스팬드되는 다이싱 테이프(실시예 1의 다이싱 테이프)에 발생하는 인장 응력은, 실시예 1의 다이싱 테이프에 대하여 -15℃의 온도 조건에서 행해지는 상기 인장 시험에 있어서 인장 속도 100㎜/분에서 변형값 12％에 이른 상태의 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력에 상당한다.
상기 반도체 웨이퍼 분할체를 다이 본드 필름 위에 수반되는 실시예 4의 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드 속도 1㎜/초 및 익스팬드량 4㎜의 조건에서 익스팬드한바, 반도체 웨이퍼 분할체의 분할 홈을 따르는 다이 본드 필름 할단 예정 개소는 전역에 걸쳐 할단하고, 또한, 할단 후의 다이 본드 필름에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 들뜸은 발생하지 않았다. 본 쿨 익스팬드 공정에 있어서 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드량 4㎜ 및 -15℃의 조건에서 익스팬드되는 다이싱 테이프(실시예 2의 다이싱 테이프)에 발생하는 인장 응력은, 실시예 2의 다이싱 테이프에 대하여 -15℃의 온도 조건에서 행해지는 상기 인장 시험에 있어서 인장 속도 100㎜/분에서 변형값 14％에 이른 상태의 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력에 상당한다.
상기 반도체 웨이퍼 분할체를 다이 본드 필름 위에 수반되는 실시예 4의 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드 속도 1㎜/초 및 익스팬드량 8㎜의 조건에서 익스팬드한바, 반도체 웨이퍼 분할체의 분할 홈을 따르는 다이 본드 필름 할단 예정 개소는 전역에 걸쳐 할단하고, 또한, 할단 후의 다이 본드 필름에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 들뜸은 발생하지 않았다. 본 쿨 익스팬드 공정에 있어서 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드량 8㎜ 및 -15℃의 조건에서 익스팬드되는 다이싱 테이프(실시예 2의 다이싱 테이프)에 발생하는 인장 응력은, 실시예 2의 다이싱 테이프에 대하여 -15℃의 온도 조건에서 행해지는 상기 인장 시험에 있어서 인장 속도 100㎜/분에서 변형값 28％에 이른 상태의 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력에 상당한다.
상기 반도체 웨이퍼 분할체를 다이 본드 필름 위에 수반되는 비교예 3의 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드 속도 1㎜/초 및 익스팬드량 3㎜의 조건에서 익스팬드한바, 반도체 웨이퍼 분할체의 분할 홈을 따르는 다이 본드 필름 할단 예정 개소의 80％ 정도는 할단하지 않았다. 본 쿨 익스팬드 공정에 있어서 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드량 3㎜ 및 -15℃의 조건에서 익스팬드되는 다이싱 테이프(비교예 1의 다이싱 테이프)에 발생하는 인장 응력은, 비교예 1의 다이싱 테이프에 대하여 -15℃의 온도 조건에서 행해지는 상기 인장 시험에 있어서 인장 속도 100㎜/분에서 변형값 12％에 이른 상태의 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력에 상당한다.
상기 반도체 웨이퍼 분할체를 다이 본드 필름 위에 수반되는 비교예 4의 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드 속도 1㎜/초 및 익스팬드량 4㎜의 조건에서 익스팬드한바, 반도체 웨이퍼 분할체의 분할 홈을 따르는 다이 본드 필름 할단 예정 개소의 20％ 정도는 할단하지 않았다. 본쿨 익스팬드 공정에 있어서 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드량 4㎜ 및 -15℃의 조건에서 익스팬드되는 다이싱 테이프(비교예 2의 다이싱 테이프)에 발생하는 인장 응력은, 비교예 2의 다이싱 테이프에 대해서 -15℃의 온도 조건에서 행해지는 상기 인장 시험에 있어서 인장 속도 100㎜/분에서 변형값 14％에 이른 상태의 다이싱 테이프에 발생하는 인장 응력에 상당한다.
Figure pat00001
X: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이싱 테이프
11: 기재
12: 점착제층
20, 21: 다이 본드 필름
W, 30A, 30C: 반도체 웨이퍼
30B: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 분할 홈
30b: 개질 영역
31: 반도체 칩

Claims (10)

  1. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖고,
    폭 20㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 초기 척간 거리 100㎜로 행해지는 인장 시험에 있어서, 5 내지 30％의 범위의 적어도 일부의 변형값에서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는, 다이싱 테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인장 시험에 있어서, 변형값 5 내지 20％의 범위에서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력을 나타낼 수 있는, 다이싱 테이프.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 인장 응력은 20 내지 32MPa인, 다이싱 테이프.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 인장 응력은 20 내지 32MPa인, 다이싱 테이프.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 인장 시험에서의 인장 속도 조건은 10 내지 1000㎜/분의 범위 내에 있는, 다이싱 테이프.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 인장 시험에서의 인장 속도 조건은 10 내지 1000㎜/분의 범위 내에 있는, 다이싱 테이프.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 인장 시험에서의 온도 조건은 -15℃인, 다이싱 테이프.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프에서의 상기 점착제층 위의 다이 본드 필름을 포함하는, 다이싱 다이 본드 필름.
  9. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프, 및 당해 다이싱 테이프에서의 상기 점착제층 위의 다이 본드 필름을 포함하는 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 다이 본드 필름의 측에, 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼, 또는 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼 분할체를 접합하기 위한 제1 공정과,
    상기 다이싱 테이프에 있어서 15 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 상기 다이싱 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 다이 본드 필름을 할단하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위한 제2 공정을
    포함하는, 반도체 장치 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 공정에서의 온도 조건은 0℃ 이하인, 반도체 장치 제조 방법.
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