KR20230174171A - 다이싱 테이프 및 다이싱 테이프를 사용하는, 반도체칩 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이싱 테이프 및 다이싱 테이프를 사용하는, 반도체칩 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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메구루 후루카와
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Abstract

[과제] 상온 익스팬드 직후에 커프폭이 좁아지는 것을 억제함과 함께, 상온 익스팬드 후의 히트 슈링크 공정에 있어서, 종래보다 단시간에 충분히 또한 균일하게 가열 수축시킬 수 있어, 인접하는 다이 본딩 필름(접착제층)끼리가 접촉하여 재유착하는 것이나 반도체칩의 에지가 손상되는 것을 억제할 수 있을 정도로, 커프폭을 충분히 보지할 수 있는 다이싱 테이프, 및 당해 다이싱 테이프를 사용하는 반도체칩 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것.
[해결 수단] 기재 필름과, 당해 기재 필름 상에 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층을 구비한 다이싱 테이프로서, 상기 기재 필름은, MD 방향에 있어서, 9MPa 이상 18MPa 이하의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도, 50% 이상의 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율, 및 20% 이상의 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률을 가지며, 상기 점착제층은, 0.45K·㎠/W 이하의 열저항을 가진다.

Description

다이싱 테이프 및 다이싱 테이프를 사용하는, 반도체칩 및 반도체 장치의 제조 방법{DICING TAPE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR CHIPS AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING DICING TAPE}
본 발명은, 반도체 장치의 제조 공정에서 사용할 수 있는 다이싱 테이프에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에 있어서는, 다이싱 테이프, 또는 당해 다이싱 테이프와 다이 본딩 필름이 일체화된 다이싱 다이 본딩 필름이 사용된다.
다이싱 테이프는, 기재(基材) 필름 상에 점착제층이 마련된 구조를 가지고 있고, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 다이싱에 의해 개편화된 반도체칩이 비산하지 않도록 고정, 보지(保持)하는 용도로 이용된다. 개편화된 반도체칩은, 그 후, 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리되고, 별도 준비한 접착제나 접착 필름을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판, 또는 다른 반도체칩 등의 피착체에 고착된다.
다이싱 다이 본딩 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층 상에 다이 본딩 필름(이하, 「접착제층」이라고 하는 경우가 있음)이 박리 가능하게 마련된 것이다. 반도체 장치의 제조에 있어서는, 다이싱 다이 본딩 필름의 다이 본딩 필름 상에 반도체 웨이퍼가 첩합(貼合)된다. 반도체 웨이퍼 및 다이 본딩 필름은, 그 후, 분할되어, 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리(픽업)되고, 다이 본딩 필름을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판, 또는 다른 반도체칩 등의 피착체에 고착된다.
반도체 웨이퍼를 분할하는 방법으로서, 종래, 고속 회전하는 다이싱 블레이드에 의한 풀 커트 절단 방법이 행해지고 있었다. 그러나, 근래에는, 반도체 웨이퍼가 박막화되어, 절단 시의 깨짐을 방지하는 것을 목적으로 하여, SDBG(Stealth Dicing Before Griding)라고 불리는 방법이 행해지고 있다.
이 방법에서는, 예를 들면, 먼저, 반도체 웨이퍼의 다이싱 예정 라인에 레이저광을 조사하여, 반도체 웨이퍼를 완전히 절단하지 않고, 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 소정의 깊이의 개질 영역을 형성하고, 그 후, 연삭량을 적절히 조정하면서 이면 연삭을 행함으로써, 복수의 반도체칩으로 개편화한다. 그 후, 개편화된 반도체칩을 다이싱 다이 본딩 필름에 첩부(貼付)하고, 저온 하(예를 들면, -30℃∼0℃)에서 다이싱 테이프를 익스팬드(이하, 「쿨 익스팬드」라고 하는 경우가 있음)함으로써, 저온에서 취성화(脆性化)된 다이 본딩 필름을 개개의 반도체칩의 형상에 따라 할단(割斷)한다. 이어서, 다이싱 테이프를 상온 부근에서 익스팬드(이하, 「상온 익스팬드」라고 하는 경우가 있음)하여 인접하는 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩 사이의 간격(이하, 「커프폭」이라고 하는 경우가 있음)을 넓히고, 마지막으로 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 픽업에 의해 박리함으로써, 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 얻을 수 있다.
그러나, 상기 SDBG에 의한 방법에서는, 사용하는 다이싱 테이프의 성능에 따라서는, 상기 상온 익스팬드 공정의 익스팬드량의 상승에 따라, 다이싱 테이프의 익스팬드 링으로 밀어 올려진 부분이 신장되어, 상온 익스팬드 후에 확장 테이블을 강하시켜 익스팬드 상태를 해제했을 때에 당해 부분에 늘어짐이 생겨 버리고, 늘어짐을 방치하면, 인접하는 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩 사이의 간격(커프폭)이 좁혀지거나, 불균일하게 되어, 상온 익스팬드 직후의 커프폭을 충분히 유지할 수 없다는 문제가 생기는 경우가 있었다. 커프폭이 충분히 유지되지 않을 경우, 나중의 픽업 공정에 있어서, 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 적절히 픽업할 수 없는 경우가 있어, 예를 들면, 반도체칩의 픽업 시에, 당해 반도체칩과 그에 인접하는 반도체칩에 있어서 칩간 접촉에 기인하는 손상이나 접착제층끼리의 접촉에 기인하는 재유착 등이 생겨, 픽업 수율이 저하하는 경우가 있다.
그래서, 상기 문제를 해결하는 방법으로서, 익스팬드에 의해 다이 본딩 필름(접착제층)을 할단하고, 익스팬드 상태를 해제한 후에, 다이싱 테이프의 늘어진 부분을 가열함으로써 수축시켜, 인접하는 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩 사이의 간격(커프폭)을 보지하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1∼3).
특허문헌 1에서는, 다이싱 테이프의 늘어짐을 없애는 것이 가능하고, 반도체칩끼리의 접촉을 방지할 수 있는 다이싱 테이프를 제공하는 것을 목적으로, 다이 본딩 필름과, 다이 본딩 필름 상에 배치된 적층부 및 적층부의 주변에 배치된 주변부를 구비하는 다이싱 테이프를 구비하고, 주변부의 130℃∼160℃에 있어서의 수축률이 0.1% 이상인 다이싱·다이 본딩 필름이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 2에서는, 늘어짐을 없애는 것이 가능하고, 반도체 소자끼리의 접촉을 방지할 수 있는 다이싱 시트를 제공하는 것을 목적으로, 100℃에서 1분 가열함으로써 수축하여, 가열 전의 MD 방향의 제 1 길이 100%에 대하여 가열 후의 MD 방향의 제 2 길이는 95% 이하인 다이싱 시트가 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 3에서는, 열수축률이 낮고, 테이프의 방향에 상관없이 균일하게 수축함으로써, 주름이 잡히지 않고, 또한 칩 위치가 어긋나지 않고, 커프폭이 균일하게 확장하는 반도체 가공용 테이프를 제공하는 것을 목적으로, 100℃에 있어서 10초간 가열했을 때의 테이프의 길이 방향 및 폭 방향의 쌍방의 열수축률이 0% 이상 20% 이하이고, 또한, 길이 방향 및 폭 방향의 열수축률 중 어느 것이 0.1% 이상일 때, 길이 방향의 열수축률/폭 방향의 열수축률=0.01 이상 100 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프가 개시되어 있다.
일본공개특허 특개2015-211081호 공보 일본공개특허 특개2016-115775호 공보 국제공개 제2016/152957호 공보
그런데, 상온 익스팬드에 의해 생긴 다이싱 테이프의 늘어짐을 가열 수축(이하, 「히트 슈링크」라고 하는 경우가 있음)에 의해 제거하는 방법으로서는, 일반적으로, 할단된 복수의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩(다이)이 첩착(貼着)된 영역보다 외측 부분의 늘어짐이 생긴 다이싱 테이프에 대하여, 한 쌍의 열풍 분출 노즐을 주회시킴으로써, 당해 다이싱 테이프의 점착제층면측으로부터 열풍을 쐬어 가열하여 수축시키는 방법이 이용된다. 이 히트 슈링크 공정을 이용한 방법에 의해, 다이싱 테이프의 외측 부분보다 내측의 영역(할단된 복수의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩(다이)이 첩착된 영역)은, 소정 정도의 장력이 작용하는 긴장 상태에 이르므로, 상온 익스팬드했을 때에 형성, 확보되어 있던 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 간격(커프폭)을 보지할 수 있다. 그러면, 나중의 픽업 공정에 있어서, 다이싱 테이프의 점착제층으로부터, 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 인접하는 반도체칩과 상호 간섭시키지 않고 박리할 수 있어, 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 수율 좋게 얻을 수 있다.
상기 특허문헌 1에 기재된 다이싱 테이프에서는, 130℃∼160℃에 있어서의 수축률이 0.1% 이상으로 되어 있어, 늘어짐이 생긴 다이싱 테이프의 주변부에 대하여 수축을 발생시키기 위해서는 비교적 높은 가열 온도와 긴 가열 시간이 필요하게 되어 있다. 그 때문에, 가열 드라이어 등의 열풍이 반도체 웨이퍼 외주 근방의 다이 본딩 필름(접착제층)까지 영향을 미쳐, 다이 본딩 필름의 일부가 융해되어, 할단된 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩에 있어서, 인접하는 다이 본딩 필름(접착제층)끼리의 접촉에 기인하는 재유착이나 반도체칩의 에지 손상 등이 생겨, 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 픽업 수율이 저하할 우려가 있었다.
또한, 상기 특허문헌 2에 기재된 다이싱 시트에서는, 100℃에서 1분 가열함으로써 수축하여, 가열 전의 MD 방향의 제 1 길이 100%에 대하여 가열 후의 MD 방향의 제 2 길이는 95% 이하로 되어 있다. 또한, 상기 특허문헌 3에 기재된 반도체 가공용 테이프에서는, 100℃에 있어서 10초간 가열했을 때의 테이프의 길이 방향 및 폭 방향의 쌍방의 열수축률이 0% 이상 20% 이하로 되어 있다. 그러나, 열풍 분출 노즐을 주회시켜 가열한 경우, 다이싱 시트나 반도체 가공용 테이프의 표면 부근의 온도는 서서히 상승해 가기 때문에, 다이싱 테이프나 반도체 가공용 테이프의 주변부의 모든 개소의 늘어짐을 없애기 위해서는 시간이 걸린다는 문제가 있었다. 또한, 커프폭의 보지성에 있어서도, 충분하다고는 할 수 없는 경우가 있었다.
그래서, 본 발명은, 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 수율 좋게 제조하는 관점에서, 상온 익스팬드 직후에 커프폭이 좁아지는 것을 억제함과 함께, 상온 익스팬드 후의 히트 슈링크 공정에 있어서, 종래보다 단시간에 충분히 또한 균일하게 가열 수축시키는 것을 가능하게 하여, 인접하는 다이 본딩 필름(접착제층)끼리가 접촉하여 재유착하는 것이나 반도체칩의 에지가 손상되는 것을 억제할 수 있을 정도로, 커프폭을 충분히 보지할 수 있는 다이싱 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 다른 목적으로 하는 바는, 당해 다이싱 테이프를 사용하는, 반도체칩 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 실시형태를 이하에 기재한다.
[형태 1]
기재 필름과, 당해 기재 필름 상에 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층을 구비한 다이싱 테이프로서,
상기 기재 필름은, MD 방향에 있어서,
(1) 9MPa 이상 18MPa 이하의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도,
(2) 50% 이상의, 식
100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율(%)=[(A-B)/A)]×100 (1)
(식 중, A는, 기재 필름을 23℃에 있어서 100% 연신했을 때의 인장 하중이며, B는, 기재 필름을 23℃에 있어서 100% 연신하고, 그 상태 그대로 100초간 보지한 후의 인장 하중이다.)
로 나타내어지는, 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율, 및
(3) 20% 이상의, 식
100% 연신 100초 보지 후의 열수축률(%)=[(C-D)/C]×100 (2)
(식 중, C는, 소정의 간격으로 표선이 그어진 기재 필름을 23℃에 있어서 100% 연신하고, 그 상태 그대로 100초간 보지했을 때의 당해 표선의 간격이며, D는, 소정의 간격으로 표선이 그어진 기재 필름을 23℃에 있어서 100% 연신하고, 그 상태 그대로 100초간 보지한 후에, 텐션프리의 상태로 80℃의 온도 분위기에서 60초간 가열하여 수축시킨 후의 당해 표선의 간격이다.)
로 나타내어지는, 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률
을 가지며,
상기 점착제층은,
0.45K·㎠/W 이하의 열저항을 가지는, 다이싱 테이프.
[형태 2]
상기 기재 필름은, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)를 함유한 수지 조성물로 구성되는 수지 필름인, 형태 1에 기재된 다이싱 테이프.
[형태 3]
상기 점착제층은, 0.35K·㎠/W 이하의 열저항을 가지는, 형태 1 또는 2에 기재된 다이싱 테이프.
[형태 4]
상기 점착제층은,
(1) 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물,
(2) 상기 (1)의 점착제 조성물에 추가로 열전도성 필러를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물,
(3) 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 활성 에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제, 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물, 및,
(4) 상기 (3)의 점착제 조성물에 추가로 열전도성 필러를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물
로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는, 형태 1∼3 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
[형태 5]
형태 1∼4 중 어느 하나의 다이싱 테이프를 사용하는, 반도체칩 및 반도체 장치의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 상온 익스팬드 직후에 커프폭이 좁아지는 것을 억제함과 함께, 상온 익스팬드 후의 히트 슈링크 공정에 있어서, 다이싱 테이프를 종래보다 단시간에 충분히 또한 균일하게 가열 수축시키는 것이 가능해지기 때문에, 인접하는 다이 본딩 필름(접착제층)끼리가 접촉하여 재유착하는 것이나 반도체칩의 에지가 손상되는 것을 억제할 수 있을 정도로까지, 넓힌 커프폭을 충분히 보지할 수 있고, 그 결과, 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 픽업성이 우수한 다이싱 테이프가 제공된다.
도 1은, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프의 기재 필름의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 2는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 3은, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프를 다이 본딩 필름과 첩합한 구성의 다이싱 다이 본딩 필름의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4는, 다이싱 테이프의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다.
도 5는, 반도체칩의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다.
도 6은, 다이싱 다이 본딩 필름의 외연부에 링 프레임(웨이퍼 링), 다이 본딩 필름 중심부에 개편화된 반도체 웨이퍼가 첩부된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 7의 (a)∼(f)는, 레이저광 조사에 의해 복수의 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 연삭 공정 및 복수의 할단된 반도체 웨이퍼의 다이싱 다이 본딩 필름에의 첩합 공정의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 8의 (a)∼(f)는, 다이싱 다이 본딩 필름이 첩합된 복수의 할단된 박막 반도체 웨이퍼를 이용한 반도체칩의 제조예를 나타낸 단면도이다.
도 9는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프를, 다이 본딩 필름과 첩합한 구성의 다이싱 다이 본딩 필름을 이용하여 제조된 반도체칩을 이용한 적층 구성의 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다.
도 10은, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프를, 다이 본딩 필름과 첩합한 구성의 다이싱 다이 본딩 필름을 이용하여 제조된 반도체칩을 이용한 다른 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다.
도 11은, 익스팬드 후에 있어서의 반도체칩 사이의 간격(커프폭)의 측정 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 12는, 도 11에 있어서의 반도체 웨이퍼의 중심부의 확대 평면도이다.
이하, 필요에 따라 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시형태에 관하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
<다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본딩 필름의 구성>
도 1의 (a)∼(d)는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프의 기재 필름(1)의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 본 실시형태의 다이싱 테이프의 기재 필름(1)은 단일의 수지 조성물의 단층(도 1의 (a) 1-A 참조)이어도 되고, 동일 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체(도 1의 (b) 1-B 참조)여도 되며, 상이한 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체(도 1의 (c) 1-C, (d) 1-D 참조)여도 된다. 복수층으로 이루어지는 적층체로 하는 경우, 층수는, 특별히 한정되지 않지만, 2층 이상 5층 이하의 범위인 것이 바람직하다.
도 2는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)는, 기재 필름(1)의 제 1 면의 위에 점착제층(2)을 구비한 구성을 가지고 있다. 또한, 도시는 하지 않지만, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 이형성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다.
기재 필름(1)은, MD 방향에 있어서, (1) 9MPa 이상 18MPa 이하의 범위의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도, (2) 50% 이상의 23℃에 있어서의 100% 연신 100초 보지 후의 응력 완화율, 및 (3) 20% 이상의 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률을 가진다.
본 명세서에 있어서의 「MD(Machine Direction) 방향」이란, 기재 필름(1)의 제막(製膜) 시에 있어서의 흐름(길이) 방향을 의미한다.
또한, 본 발명에 있어서의 「100% 연신」이란, 기재 필름(1)을 연신 전의 길이의 2배의 길이가 될 때까지 연신하는 것이다. 구체적으로는, 예를 들면, 인장 압축 시험기를 이용하여, 기재 필름(1)의 시험편의 길이(MD) 방향의 양단을 척간의 초기 거리 50㎜가 되도록 척으로 고정하고, 당해 척간 거리가 100㎜가 될 때까지 기재 필름(1)의 시험편을 인장하여, 연신하는 것을 의미한다.
또한, 본 발명에 있어서의 「100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율」이란, 23℃의 온도 조건에서 기재 필름(1)을 100% 연신한 시점의 인장 하중(응력)값에 대한, 100% 연신 시부터, 당해 100%의 연신 변형을 부여한 상태 그대로 100초간 보지한 후의 인장 하중(응력)값까지의 감소량의 비율이다. 즉, 기재 필름(1)의 MD 방향에 있어서, 23℃의 온도 조건에서 100% 연신했을 때의 인장 하중(응력)값을 A, 23℃의 온도 조건에서 100% 연신하고, 당해 100%의 연신 변형을 부여한 상태 그대로 100초간 보지한 후의 인장 하중(응력)값을 B라고 했을 때에, 하기 식
100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율(%)=[(A-B)/A]×100
으로부터 산출되는 값을 말한다. 기재 필름(1)이 연신되는 방향은, MD 방향이고, 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율은 50% 이상이면 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상기 「23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율」을, 간단히 「응력 완화율」이라고 하는 경우가 있다.
또한, 본 발명에 있어서의 「100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률」이란, 23℃에 있어서 100% 연신하고, 당해 100% 연신 변형을 부여한 상태 그대로 100초간 보지한 기재 필름(1)을, 텐션프리의 상태로 하여 80℃에서 가열했을 때의, 가열 전의 기재 필름(1)이 어느 길이 부분에 대한, 가열에 의해 수축한 길이의 비율이다. 즉, 기재 필름(1)의 MD 방향에 있어서, 소정의 간격으로 2개의 표선이 그어진 기재 필름(1)을 23℃에 있어서 100% 연신하고, 당해 100% 연신 변형을 부여한 상태 그대로 100초간 보지했을 때의 당해 표선의 간격을 C, 소정의 간격으로 2개의 표선이 그어진 기재 필름(1)을 23℃에 있어서 100% 연신하고, 당해 100% 연신 변형을 부여한 상태 그대로 100초간 보지한 후에, 텐션프리의 상태로 80℃의 온도 분위기에서 60초간 가열하여 수축시킨 후의 당해 표선의 간격을 D라고 했을 때에, 하기 식
100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률(%)=[(C-D)/C]×100
으로부터 산출되는 값을 말한다. 기재 필름(1)이 연신되는 방향은, MD 방향이고, 기재 필름(1)의 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률은 20% 이상이면 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상기 「80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률」을, 간단히 「열수축률」이라고 하는 경우가 있다.
본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 상기 기재 필름(1) 상에 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층(2)을 구비하지만, 상기 점착제층(2)은, 0.91K·㎠/W 이하의 열저항을 가진다.
상기 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층(2)은, 예를 들면, 자외선(UV) 등의 활성 에너지선을 조사함으로써 경화·수축하여 피착체에 대한 점착력이 저하하는 성질을 가진다.
본 발명에 있어서의 점착제층(2)의 「열저항」이란, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 두께를 L(㎛), 점착제층(2)을 총 두께가 1㎜가 되도록 적층한 점착제층만으로 이루어지는 적층체를 제작하고, 쿄토전자공업사제의 신속 열전도율계 "QTM-500(형식)"을 이용하여 핫 와이어법에 의해 측정한 당해 적층체의 열전도율을 λ(W/m·K)라고 했을 때에, 하기 식
열저항(K·㎠/W)=(L/100)/λ
로부터 산출되는 값을 말한다. 상기 점착제층(2)의 열저항은, 그 값이 작으면 작을수록, 점착제층(2)의 열전도성이 보다 양호한 것을 의미한다. 즉, 상술한 바와 같이 다이싱 테이프(10)의 히트 슈링크 공정에 있어서는, 늘어짐이 생긴 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)면측으로부터 열풍을 쐬어 가열하여 수축시키는 방법이 이용되지만, 상기 점착제층(2)의 열저항의 값이 작으면 작을수록, 가해진 열을 점착제층(2)으로부터 기재 필름(1)에, 보다 효율적으로 전할 수 있기 때문에, 단시간에 기재 필름(1)을 균일하게 또한 충분히 가열 수축시키기에 알맞다.
상기 구성의 다이싱 테이프(10)는, 반도체 제조 공정에 있어서는, 예를 들면, 이하와 같이 사용된다. 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에, 블레이드에 의해 표면에 분할 홈이 형성된 반도체 웨이퍼 또는 레이저에 의해 내부에 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼에 대하여 이면 연삭하여 얻어지는, 복수의 개편화된 반도체칩을, 다이 본딩 필름(접착제층)을 개재하여 첩부하여 보지(가고정)하고, 쿨 익스팬드에 의해, 다이 본딩 필름을 개편화된 개개의 반도체칩의 형상에 따라 할단한 후, 상온 익스팬드 및 히트 슈링크 공정에 의해 반도체칩 사이의 커프폭을 충분히 확장하고, 그 후의 픽업 공정에 있어서, 다이싱 테이프의 하면측으로부터 지그를 밀어 올림으로써, 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 얻어진 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩은, 당해 다이 본딩 필름에 의해, 리드 프레임이나 배선 기판, 또는 다른 반도체칩 등의 피착체에 고착된다.
도 3은, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프(10)를 다이 본딩 필름(접착제층)(3)과 첩합하여 일체화한 구성, 이른바 다이싱 다이 본딩 필름의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(20)은, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 다이 본딩 필름(접착제층)(3)이 박리 가능하게 밀착, 적층된 구성을 가지고 있다.
이러한 구성의 다이싱 다이 본딩 필름(20)은, 반도체 제조 공정에 있어서는, 예를 들면, 이하와 같이 사용된다. 다이싱 다이 본딩 필름(20)의, 다이 본딩 필름(3) 상에, 블레이드에 의해 표면에 분할 홈이 형성된 반도체 웨이퍼 또는 레이저에 의해 내부에 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼에 대하여 이면 연삭하여 얻어지는, 복수의 개편화된 반도체칩을 첩부하여 보지(접착)하고, 쿨 익스팬드에 의해, 저온에서 취성화된 다이 본딩 필름(3)을 개편화된 개개의 반도체칩의 형상에 따라 할단하여, 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 얻는다. 이어서, 상온 익스팬드 및 히트 슈링크 공정에 의해 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩 사이의 커프폭을 충분히 확장한 후, 픽업 공정에 의해, 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 얻어진 다이 본딩 필름(접착 필름)(3)을 가지는 반도체칩을, 다이 본딩 필름(접착제층)(3)을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판, 또는 다른 반도체칩 등의 피착체에 고착시킨다. 또한, 도시는 하지 않지만, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면) 및 다이 본딩 필름(3)의 표면(점착제층(2)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 각각 이형성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하여 사용 시에 적절히 박리해도 된다.
<다이싱 테이프>
(기재 필름)
본 발명의 다이싱 테이프(10)에 있어서의 제 1 구성 요건을 구비하는 기재 필름(1)에 관하여, 이하 설명한다.
[기재 필름의 인장 강도]
상기 기재 필름(1)은, 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도가 9MPa 이상 18MPa 이하의 범위이다.
상기 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도가 9MPa 미만인 경우, 다이싱 테이프(10)에 익스팬드에 의해 외부 응력을 가해도 다이 본딩 필름(3)에 충분히 전해지지 않기 때문에, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본딩 필름(3)이 양호하게 할단되지 않을 우려가 있다. 또한, 상기 인장 강도가 과도하게 작으면, 상온 익스팬드 공정에 있어서, 익스팬드 중에 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 간격(커프폭)을 충분히 넓힐 수 없을 우려나, 다이싱 테이프(10)가 연질이 되어, 취급이 곤란해질 우려가 있다.
상기 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도가 18MPa를 넘을 경우, 상기 인장 강도가 과도하게 크면, 다이싱 테이프(10)의 익스팬드가 곤란해질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)의 강성(剛性)이 커져, 픽업성이 뒤떨어질 우려가 있다.
상기 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도가 9MPa 이상 18MPa 이하의 범위에 있음으로써, 다이싱 테이프(10)는, 양호한 익스팬드성을 가진다. 즉, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 후술하는 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층(2) 상에 밀착하고 있는 다이 본딩 필름(3)을 할단하기에 충분한 외부 응력을 다이 본딩 필름(3)에 부여할 수 있음과 함께, 상온 익스팬드 공정에 있어서, 익스팬드 중에 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 간격(커프폭)을 충분히 넓힐 수 있다. 익스팬드성의 관점에서, 상기 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도는, 11MPa 이상 16MPa 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[기재 필름의 응력 완화율]
상기 기재 필름(1)은, 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도가 9MPa 이상 18MPa 이하의 범위에 있는 반면에, 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율은 50% 이상으로 되어 있다. 이에 의해, 다이싱 테이프(10)를 상온 익스팬드했을 때에 기재 필름(1)에 발생한 응력이 충분히 낮은 값까지 조기에 감소하기 때문에, 상기의 적절한 범위의 인장 강도에 의해, 상온 익스팬드 시에 충분히 넓혀진 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 간격(커프폭)에 해당하는 다이싱 테이프만의 부분(다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩이 존재하지 않는 부분)에 있어서, 익스팬드 상태가 해제되었을 때에 탄성에 의해 줄어들려고 하는 힘이 저감, 완화된다. 그 결과, 다음 공정으로 이동할 때나 보관 중에 익스팬드 상태가 해제되는 경우가 있어도, 커프폭은 다소의 줄어듦은 발생하지만, 원래의 간격으로부터 과도하게 줄어드는 경우는 없어, 비교적, 보지되기 쉽다. 또한, 칩에 부착한 접착제층끼리가 접촉하는 것도 방지하기 쉽다. 커프폭의 보지성의 관점에서, 상기 기재 필름(1)의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율은, 55% 이상이 바람직하다.
상기 기재 필름(1)의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율의 상한값에 관해서는, 기재 필름(1)이 적당한 강성을 가지고, 복수의 개편화된 반도체칩을 안정적으로 다이싱 다이 본딩 필름(20)에 첩부하여 적층할 수 있도록 하는 관점, 및 가열했을 때의 인장(연신)에 대한 일정한 복원력을 확보하는 관점에서, 70%인 것이 바람직하고, 65%인 것이 보다 바람직하다.
[기재 필름의 열수축률]
또한, 상기 기재 필름(1)은, 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률이 20% 이상으로 되어 있다. 이에 의해, 다이싱 테이프(10)를 상온 익스팬드했을 때에, 할단된 복수의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩이 첩착된 영역보다 외측 부분에 생긴 늘어짐에 대하여, 열풍을 분사함으로써, 그 늘어짐을 해소·제거하기 쉽게 할 수 있다. 그 결과, 다이싱 테이프(10)의 외측 부분보다 내측의 영역(할단된 복수의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩(다이)이 첩착된 영역)은, 소정 정도의 장력이 작용하는 긴장 상태에 이르므로, 상온 익스팬드했을 때에 형성, 확보되어 있던 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 간격(커프폭)을 보지할 수 있다.
상기 기재 필름(1)의 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률의 상한값에 관해서는, 상기 기재 필름(1)의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율과의 밸런스의 관점에서, 35%인 것이 바람직하고, 30%인 것이 보다 바람직하다.
[기재 필름을 구성하는 수지 조성물]
상기 기재 필름(1)은, 상기 특성, 즉, 인장 강도, 응력 완화율 및 열수축률을 동시에 만족하는 것이면 그 재질이나 형태는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 일 실시형태로서, 구체적으로는, 예를 들면, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)(이하, 간단히 「아이오노머로 이루어지는 수지」 또는 「아이오노머」라고 하는 경우가 있음)와 폴리아미드 수지(PA)를 함유한 수지 조성물로 구성되는 수지 필름을 들 수 있다. 상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)는, 당해 불포화 카르본산이 가지는 카르복실기의 적어도 일부가, 금속(이온)으로 중화된 열가소성 가교 수지이며, 열가소성 비가교 수지인 폴리아미드 수지(PA)와 비교하여, 수지 필름화한 경우, 연신에 대한 가열 시의 복원력이 크고, 상온 익스팬드 공정에 의해 연신된 상태에 열을 가했을 때에, 엔트로피 탄성이 강하게 작용하여, 그 수축 응력은 큰 것이 된다. 따라서, 상온 익스팬드 공정 후에, 할단된 복수의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩이 첩착된 영역보다 외측 부분의 다이싱 테이프(10)에 생긴 늘어짐을 가열 수축에 의해 제거하고, 다이싱 테이프(10)를 그 수축 응력에 의해 긴장시켜, 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 간격(커프폭)을 안정적으로 보지하는 점에서 우수하다. 그 반면에, 상온에 있어서는, 아이오노머 중의 망목(網目) 구조를 갖지 않는 부분에 기인하는 적당한 소성 변형의 용이성, 즉 적당한 응력 완화성도 가지고 있다. 따라서, (1)쿨 익스팬드 공정 후, 한번 익스팬드 상태가 해제되어, 상온으로 되돌려졌을 때, (2)상온 익스팬드 공정 직후, (3) 그 후의 픽업 공정, 마운트 공정 등으로 이행할 때나 보관할 때 등에 있어서, 다이싱 테이프(10)가 수축하기 어려운 경향이 있기 때문에, 커프폭의 축소나 반도체칩에 부착한 접착제층끼리가 접촉하는 것을 방지할 수 있는 점에서 우수하다. 이에 비하여, 열가소성 비가교 수지인 폴리아미드 수지(PA)는, 열가소성 가교 수지인 아이오노머와 비교하여, 수지 필름화한 경우, 연신에 대한 복원력이 작지만, 인장 강도는 큰 것이 된다. 따라서, 상기 아이오노머로 이루어지는 수지에 혼합하여 수지 필름화한 경우, 익스팬드 공정에 있어서 가해진 외부 응력의 전달이 양호하고, 다이 본딩 필름(3)의 할단성이나 다이싱 테이프(10)의 커프폭의 확장성을 보다 향상시키는 점에서 우수하다. 또한, 가열 수축성을 유지하면서 적당한 내열성도 부여할 수 있으므로, 히트 슈링크 공정에 있어서 가열했을 때에, 다이싱 테이프(10)가 필요 이상으로 열변형하는 것도 억제할 수 있다. 따라서, 가열 수축 후에 다이싱 테이프(10)에 있어서, 열 주름과 같은 변형이 저감된 균일한 긴장 상태를 실현할 수 있고, 커프폭의 편차를 억제할 수 있는 점에서도 우수하다.
기재 필름(1)의 재질로서, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)를 포함하는 혼합 수지를 이용한 경우, 기재 필름(1)의 물성은, 가열 수축성과 응력 완화성을 밸런스 좋게 가짐과 함께, 그 양 특성을 유지한 채, 적당한 인장 강도도 겸비한 것이 된다. 이러한 수지 조성물을 이용하여 제막된 수지 필름을 기재 필름(1)으로서 적합하게 제공할 수 있다.
상기 기재 필름(1) 전체에 있어서의 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 합계량은, 상기의 기재 필름(1)의 인장 강도, 응력 완화율 및 열수축률이, 상기의 범위 내인 한, 특별히 한정되지 않지만, 기재 필름(1) 전체를 구성하는 수지 조성물 전량에 대하여, 적어도 65질량% 이상의 비율로 차지하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 75질량%, 더 바람직하게는 85질량%이고, 특히 바람직하게는, 그 비율의 상한값이 되는 100질량%이다.
이와 같은 구성의 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프(10)는, 그 점착제층(2) 상에 다이 본딩 필름(3)이 밀착된 형태에 있어서, 반도체 장치의 제조 공정의 쿨 익스팬드 공정 나아가서는 상온 익스팬드 공정에서 시용하기에 적합하다. 즉, 쿨 익스팬드 공정에 의해, 이미 개편화된 반도체칩 개개의 형상에 따라, 다이 본딩 필름을 양호하게 할단시켜, 소정의 사이즈의 개개의 다이 본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 수율 좋게 얻기에 적합하다. 또한, 상온 익스팬드 공정에 있어서도, 반도체칩 사이의 커프폭을 충분히 확보하는 관점에서 필요한 연신성을 유지한다.
[에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)]
본 실시형태의 기재 필름(1)에 있어서, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)는, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 카르복실기의 일부, 또는 전부가 금속(이온)으로 중화된 것이다.
상기 아이오노머를 구성하는 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체는, 에틸렌과 불포화 카르본산과 불포화 카르본산 알킬에스테르가 공중합한 적어도 3원의 공중합체이며, 추가로 제 4 공중합 성분이 공중합한 4원 이상의 다원 공중합체여도 된다. 또한, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상의 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체를 병용해도 된다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 3원 공중합체를 구성하는 불포화 카르본산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 에타크릴산, 이타콘산, 무수 이타콘산, 푸마르산, 크로톤산, 말레산, 무수 말레산 등의 탄소수가 4∼8인 불포화 카르본산 등을 들 수 있다. 특히, 아크릴산 또는 메타크릴산이 바람직하다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 3원 공중합체를 구성하는 불포화 카르본산 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸(아크릴산 2-메틸-프로필), 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸(메타아크릴산 2-메틸-프로필), 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등의 알킬 부위의 탄소수가 1∼12인 (메타)아크릴산 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 알킬 부위의 탄소수가 1∼4인 (메타)아크릴산 알킬에스테르가 바람직하다. 다이싱 테이프(10)의 익스팬드 시에 있어서의 네킹 현상의 억제를 포함한 균일 확장성의 관점에서, 특히, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸(아크릴산 2-메틸-프로필), 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸(메타아크릴산 2-메틸-프로필) 등이 바람직하다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체가 4원 이상의 다원 공중합체인 경우, 상기 3원 공중합체를 구성하는 에틸렌과 불포화 카르본산과 불포화 카르본산 알킬에스테르 이외에, 다원 공중합체를 형성하는 제 4 공중합 성분을 포함해도 된다. 제 4 공중합 성분으로서는, 불포화 탄화수소(예를 들면, 프로필렌, 부텐, 1,3-부타디엔, 펜텐, 1,3-펜타디엔, 1-헥센 등), 비닐에스테르(예를 들면, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등), 비닐황산이나 비닐질산 등의 산화물, 할로겐 화합물(예를 들면, 염화비닐, 불화비닐 등), 비닐기 함유 1, 2급 아민 화합물, 일산화탄소, 이산화유황 등을 들 수 있다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 형태는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그라프트 공중합체 중 어느 것이어도 되고, 3원 공중합체, 4원 공중합체 중 어느 것이어도 된다. 그 중에서도, 공업적으로 입수 가능한 점에서, 3원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체의 그라프트 공중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 3원 랜덤 공중합체이다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 구체예로서는, 에틸렌·메타크릴산·아크릴산 2-메틸-프로필 공중합체, 에틸렌·메타크릴산·메타크릴산 에틸 등의 3원 공중합체를 들 수 있다. 또한, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체로서 출시되어 있는 시판품을 이용해도 되고, 예를 들면, 미츠이·듀폰폴리케미컬사제의 뉴크렐 시리즈(등록상표) 등을 사용할 수 있다.
상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체 중에 있어서의, 불포화 카르본산 에스테르의 공중합비(질량비)는, 1질량%∼20질량%의 범위인 것이 바람직하고, 익스팬드 공정에 있어서의 연신성, 및 내열성(블로킹, 융착)의 관점에서, 5질량%∼15질량%의 범위인 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태의 기재 필름(1)에 있어서, 수지(IO)로서 이용하는 아이오노머는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체에 포함되는 카르복실기가 금속 이온에 의해 임의의 비율로 가교(중화)된 것이 바람직하다. 산기(酸基)의 중화에 이용되는 금속 이온으로서는, 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온, 루비듐 이온, 세슘 이온, 아연 이온, 마그네슘 이온, 망간 이온 등의 금속 이온을 들 수 있다. 이들 금속 이온 중에서도, 공업화 제품의 입수 용이성으로부터 마그네슘 이온, 나트륨 이온 및 아연 이온이 바람직하고, 나트륨 이온 및 아연 이온이 보다 바람직하다.
상기 아이오노머에 있어서의 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 중화도는, 10몰% 이상 85몰% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 15몰% 이상 82몰% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 상기 중화도를 10몰% 이상으로 함으로써, 다이 본딩 필름을 가지는 반도체 웨이퍼의 할단성을 보다 향상시킬 수 있고, 85몰% 이하로 함으로써, 필름의 제막성을 보다 양호하게 할 수 있다. 또한, 중화도란, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체가 가지는 산기, 특히 카르복실기의 몰수에 대한, 금속 이온의 배합 비율(몰%)이다.
상기 아이오노머로 이루어지는 수지(IO)는, 약 85∼100℃ 정도의 융점을 가지지만, 당해 아이오노머로 이루어지는 수지(IO)의 멜트 플로우 레이트(MFR)는, 0.2g/10분 이상 20.0g/10분 이하의 범위인 것이 바람직하고, 0.5g/10분 이상 20.0g/10분 이하의 범위인 것이 보다 바람직하며, 0.5g/10분 이상 18.0g/10분 이하의 범위인 것이 더 바람직하다. 멜트 플로우 레이트가 상기 범위 내이면, 기재 필름(1)으로서의 제막성이 양호해진다. 또한, MFR은, JIS K7210-1999에 준거한 방법에 의해 190℃, 하중 2160g에서 측정되는 값이다.
본 실시형태의 기재 필름(1)을 구성하는 수지 조성물은, 상술한 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO) 외에, 후술하는 폴리아미드 수지(PA)를 더 포함한다. 기재 필름(1)에 있어서, 상술한 인장 강도, 응력 완화율 및 열수축률의 물성을 밸런스 좋게 안정적으로 발현시키는 관점에서, 상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 질량 비율 (IO):(PA)는, 특별히 한정되지 않지만, 72:28∼95:5의 범위인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 74:26∼92:8의 범위, 더 바람직하게는 80:20∼90:10의 범위이다. 또한, 본 명세서의 수치 범위의 상한, 및 하한은 당해 수치를 임의로 선택하여, 조합하는 것이 가능하다. 아이오노머로 이루어지는 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)를 상기 범위가 되도록 혼합한 수지 조성물에 의해 기재 필름(1)을 구성함으로써, 당해 기재 필름(1)의 내열성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 저온 하(예를 들면, -15℃)에 있어서 신장했을 때의 인장 응력도 증대시킬 수 있고, 당해 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프(10)에 대하여, 쿨 익스팬드 공정에 있어서는, 다이 본딩 필름(3)을 가지는 반도체 웨이퍼를 수율 좋게 개편화할 수 있는 양호한 할단력을 부여할 수 있으며, 게다가 상온 익스팬드 공정에 있어서는, 반도체칩 사이의 커프폭을 충분히 확보할 수 있는 양호한 인장 강도, 연신성 및 응력 완화성을 유지할 수 있고, 히트 슈링크 공정에 있어서는, 확장된 당해 커프폭을 유지할 수 있는 양호한 열수축성을 부여할 수 있다.
[폴리아미드 수지(PA)]
상기 폴리아미드 수지(PA)로서는, 예를 들면, 옥살산, 아디프산, 세바스산, 도데칸산, 테레프탈산, 이소프탈산, 1,4-시클로헥산디카르본산 등의 카르본산과, 에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 1,4-시클로헥실디아민, m-크실릴렌디아민 등의 디아민과의 중축합체, ε-카프로락탐, ω-라우로락탐 등의 환상(環狀) 락탐 개환 중합체, 6-아미노카프론산, 9-아미노노난산, 11-아미노운데칸산, 12-아미노도데칸산 등의 아미노카르본산의 중축합체, 또는 상기 환상 락탐과 디카르본산과 디아민의 공중합체 등을 들 수 있다.
상기 폴리아미드 수지(PA)는, 시판품을 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 나일론 4(융점 268℃), 나일론 6(융점 225℃), 나일론 46(융점 240℃), 나일론 66(융점 265℃), 나일론 610(융점 222℃), 나일론 612(융점 215℃), 나일론 6T(융점 260℃), 나일론 11(융점 185℃), 나일론 12(융점 175℃), 공중합체 나일론(예를 들면, 나일론 6/66, 나일론 6/12, 나일론 6/610, 나일론 66/12, 나일론 6/66/610 등), 나일론 MXD6(융점 237℃), 나일론 46 등을 들 수 있다. 이들 폴리아미드 중에서도, 기재 필름(1)으로서의 제막성 및 기계적 특성의 관점에서, 나일론 6이나 나일론 6/12가 바람직하다.
상기 폴리아미드 수지(PA)의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 기재 필름(1) 전체에 있어서의 상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 상기 폴리아미드 수지(PA)의 질량 비율 (IO):(PA)가 72:28∼95:5의 범위가 되는 양인 것이 바람직하다. 상기 폴리아미드 수지(PA)의 질량 비율이 상기 범위 미만인 경우, 기재 필름(1)의 익스팬드 시의 인장 강도의 증대의 효과가 불충분해질 우려가 있다. 한편, 상기 폴리아미드 수지(PA)의 질량 비율이 상기 범위를 넘을 경우, 기재 필름(1)의 수지 조성물에 따라서는 안정된 제막이 곤란해질 우려나, 히트 슈링크 공정에 있어서의 열수축성이 불충분해질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)의 유연성이 손상되어, 상온 익스팬드 공정에 있어서의 연신성을 유지할 수 없을 우려나, 다이 본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 픽업할 때에, 반도체칩의 균열 등에 의한 픽업 불량이 발생할 우려가 있다. 상기 폴리아미드 수지(PA)의 함유량은, 기재 필름(1) 전체에 있어서의 상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 상기 폴리아미드 수지(PA)의 질량 비율 (IO):(PA)가 74:26∼92:8의 범위가 되는 양인 것이 보다 바람직하고, 80:20∼90:10의 범위가 되는 양인 것이 더 바람직하다.
또한, 기재 필름(1)이 복수층으로 이루어지는 적층체인 경우, 상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 상기 폴리아미드 수지(PA)의 질량 비율이란, 각 층에 있어서의 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 질량 비율과, 기재 필름(1)(적층체) 전체에 있어서의 각 층의 질량 비율로부터 계산되는 기재 필름(1)(적층체) 전체에 있어서의 값을 의미한다.
[기타 성분]
상기 기재 필름(1)을 구성하는 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서, 필요에 따라 그 밖의 수지나 각종 첨가제가 첨가되어도 된다. 상기 그 밖의 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체, 에틸렌·α-올레핀 공중합체 등의 에틸렌 공중합체, 폴리올레핀-폴리에테르 블록 공중합체나 폴리에테르에스테르아미드를 들 수 있다. 이와 같은 그 밖의 수지는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 상기 폴리아미드 수지(PA)의 합계 100질량부에 대하여, 예를 들면 20질량부의 비율로 배합할 수 있다. 또한, 상기 첨가제로서는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 안료, 염료, 활제(滑劑), 블로킹 방지제, 방미제(防黴劑), 항균제, 난연제, 난연 조제, 가교제, 가교 조제, 발포제, 발포 조제, 무기 충전제, 섬유 강화재 등을 들 수 있다. 이와 같은 각종 첨가제는, 상기 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 상기 폴리아미드 수지(PA)의 합계 100질량부에 대하여, 예를 들면 5질량부의 비율로 배합할 수 있다.
[기재 필름을 구성하는 수지 조성물의 비카트 연화점]
상기 기재 필름(1)이 단일의 수지 조성물의 단층 또는 동일 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체에 의해 구성되는 경우, 당해 수지 조성물의 비카트 연화점은, 특별히 한정되지 않지만, 열수축성의 관점에서는, 57℃ 이상 80℃ 미만의 범위인 것이 바람직하다. 기재 필름(1)의 상기 수지 조성물의 비카트 연화점이 상기 범위에 있음으로써, 상온 익스팬드 시에 연신된 기재 필름(1)은, 히트 슈링크 공정에 있어서, 예를 들면, 늘어짐 부분의 표면 온도가 약 80℃가 되도록 열풍이 분사되었을 때에, 엔트로피 탄성이 강하게 작용하여, 연신·배향된 분자가 원래의 상태로 되돌아가기 쉬워져, 충분한 열수축성을 나타내는 것이 용이해진다. 그 결과, 다이싱 테이프(10)의 늘어짐을 해소하여 커프폭을 보지하는 것이 용이해진다. 기재 필름(1)의 상기 수지 조성물의 비카트 연화점은, 보다 바람직하게는 60℃ 이상 75℃ 이하의 범위이고, 더 바람직하게는 61℃ 이상 70℃ 이하의 범위이다. 기재 필름(1)의 상기 수지 조성물의 비카트 연화점이 57℃ 미만인 경우에는, 특히 그 값이 과도하게 낮으면, 기재 필름 제막 시나 다이싱 테이프 제조 시에 블로킹을 일으킬 우려가 있다. 히트 슈링크 공정에 있어서, 가열 시에 수지가 과잉으로 연화하여, 유동화되어 버리기 때문에, 다이싱 테이프(10)가 필요 이상으로 변형되어 버릴 우려가 있다. 기재 필름(1)의 상기 수지 조성물의 비카트 연화점이 80℃ 이상인 경우에는, 특히 그 값이 과도하게 높으면, 상온 익스팬드 시에 연신된 기재 필름(1)은, 예를 들면, 늘어짐 부분의 표면 온도가 약 80℃가 되도록 열풍이 분사되었을 때에, 연신·배향된 분자가 원래의 상태로 되돌아가기 어려워져, 다이싱 테이프(10)의 늘어짐이 충분히 해소되지 않고, 커프폭을 보지하는 것이 곤란해질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)의 상기 수지 조성물의 비카트 연화점은, 예를 들면 JIS K7206에 준거한 방법으로 측정할 수 있다.
상기 기재 필름(1)이 상이한 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체에 의해 구성되는 경우, 열수축성의 관점에서는, 각 층을 구성하는 어느 수지 조성물도 그 비카트 연화점은 57℃ 이상 80℃ 미만의 범위인 것이 바람직하지만, 비카트 연화점이 57℃ 이상 80℃ 미만인 수지 조성물로 구성되는 층의 질량이, 기재 필름(1) 전체를 구성하는 수지 조성물 전량에 대하여, 적어도 65질량% 이상의 비율로 차지하고 있으면 되고, 나머지의 35질량% 이하의 질량 비율을 차지하는 층의 수지 조성물의 비카트 연화점은, 57℃ 미만 또는 80℃ 이상이어도 된다. 예를 들면, 나머지의 35질량% 이하의 질량 비율을 차지하는 층의 수지 조성물의 비카트 연화점은, 40℃ 이상 57℃ 미만 또는 80℃ 이상 85℃ 이하의 범위여도 된다.
[기재 필름의 두께]
상기 기재 필름(1)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 다이싱 테이프(10)로서 이용하는 것을 고려하면, 예를 들면, 60㎛ 이상 150㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 70㎛ 이상 120㎛ 이하의 범위이다. 기재 필름(1)의 두께가 60㎛ 미만이면, 다이싱 테이프(10)를 다이싱 공정에 제공할 때에, 링 프레임(웨이퍼 링)의 보지가 불충분해질 우려가 있다. 또한 기재 필름(1)의 두께가 150㎛보다 크면, 기재 필름(1)의 제막 시의 잔류 응력의 개방에 의한 휨이 커질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)이나 다이싱 테이프(10)로서 롤 형상으로 장척(長尺) 권취했을 때에, 감김 코어부에 단차 자국이 생길 우려가 있다.
[기재 필름의 구성]
상기 기재 필름(1)의 구성은, 특별히 한정되지 않고, 단일의 수지 조성물의 단층이어도 되고, 동일 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체여도 되며, 상이한 수지 조성물의 복수층으로 이루어지는 적층체여도 된다. 복수층으로 이루어지는 적층체로 하는 경우, 층수는, 특별히 한정되지 않지만, 2층 이상 5층 이하의 범위인 것이 바람직하고, 2층 또는 3층이 보다 바람직하다.
상기 기재 필름(1)을 복수층으로 이루어지는 적층체로 하는 경우, 예를 들면, 본 실시의 적합한 형태로서 예시한 상술의 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층이 복수 적층된 구성이어도 되고, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에 있어서, 본 실시의 적합한 형태로서 예시한 상술의 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층에, 본 실시의 적합한 형태로서 예시한 상술의 수지 조성물 이외의 다른 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층이 적층된 구성여도 된다.
상기 다른 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층은, 예를 들면, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 폴리프로필렌, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르 3원 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산 알킬에스테르 공중합체, 에틸렌·비닐에스테르 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산 알킬에스테르·일산화탄소 공중합체, 또는 이들 불포화 카르본산 그라프트물로부터 선택되는, 단체 또는 임의의 복수로 이루어지는 블렌드물, 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머 등의 수지 조성물을 이용하여 제막되는 층을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 실시의 적합한 형태의 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)를 함유한 수지 조성물로 이루어지는 수지층과의 밀착성, 기재 필름(1)의 물성의 밸런스 제어 및 범용성의 관점에서는, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르 3원 공중합체, 에틸렌·불포화 카르본산 알킬에스테르 공중합체 및 이들 공중합체의 아이오노머, 에틸렌·α-올레핀 공중합체 등이 바람직하다.
본 실시형태의 기재 필름(1)이 적층 구성으로 이루어지는 경우의 예로서, 구체적으로는, 이하의 2층 구성이나 3층 구성 등의 기재 필름을 들 수 있다.
2층 구성으로서는, 구체적으로는, 예를 들면,
(1)[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합 수지 조성물로 이루어지는 제 1 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합 수지 조성물로 이루어지는 제 2 수지층](동일 수지층의 2층 구성),
(2)[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 1 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 2 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 2 수지층](이종 수지층의 2층 구성),
(3)[에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)로 이루어지는 제 1 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 2 수지층](이종 수지층의 2층 구성),
(4)[에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체(E)로 이루어지는 제 1 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 2 수지층](이종 수지층의 2층 구성),
(5)[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)와 에틸렌·α-올레핀 공중합체(EO)의 혼합 수지 조성물로 이루어지는 제 1 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합 수지 조성물로 이루어지는 제 2 수지층](이종 수지층의 2층 구성),
등의 동일 수지층의 2층 또는 이종 수지층의 2층으로 이루어지는 2층 구성(제 1 수지층/제 2 수지층) 등을 들 수 있다.
3층 구성으로서는, 구체적으로는, 예를 들면,
(6)[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 1 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 2 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 3 수지층](동일 수지층의 3층 구성),
(7)[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 1 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 2 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 2 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 3 수지층](2종류의 이종 수지층의 3층 구성),
(8)[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 1 수지층]/[에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)로 이루어지는 제 2 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 3 수지층)](2종류의 이종 수지층의 3층 구성),
(9)[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 1 수지층]/[에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체(E)로 이루어지는 제 2 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 3 수지층](2종류의 이종 수지층의 3층 구성),
(10)[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 1 수지층]/[에틸렌·α-올레핀 공중합체(EO)로 이루어지는 제 2 수지층]/[본 실시의 적합한 형태의 제 1 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 알킬에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)의 혼합물로 이루어지는 제 3 수지층](2종류의 이종 수지층의 3층 구성),
등의 동일 수지층의 3층 또는 이종 수지층의 3층으로 이루어지는 3층 구성(제 1 수지층/제 2 수지층/제 3 수지층) 등을 들 수 있다.
[기재 필름의 제막 방법]
본 실시형태의 기재 필름(1)의 제막 방법으로서는, 종래로부터 관용의 방법을 채용할 수 있다. 기재 필름(1)의 재질이 되는 각 수지, 필요에 따라 다른 성분을 첨가하여 용융 혼련한 수지 조성물을, 예를 들면, T 다이캐스트 성형법, T 다이닙 성형법, 인플레이션 성형법, 압출 라미네이트법, 캘린더 성형법 등의 각종 성형 방법에 의해, 필름 형상으로 가공하면 된다. 또한, 기재 필름(1)이 복수층으로 이루어지는 적층체의 경우는, 각 층을 캘린더 성형법, 압출법, 인플레이션 성형법 등의 수단에 의해 각각 제막하고, 그들을 열 라미네이트 또는 적절히 접착제에 의한 접착 등의 수단으로 적층함으로써 적층체를 제조할 수 있다. 상기 접착제로서는, 예를 들면, 전술한 각종 에틸렌 공중합체, 또는 이들의 불포화 카르본산 그라프트물로부터 선택되는, 단체 또는 임의의 복수로 이루어지는 블렌드물 등을 들 수 있다. 또한, 각 층의 수지 조성물을 공압출 라미네이트법에 의해 동시에 압출하여 적층체를 제조할 수도 있다. 기재 필름(1)을 복수층으로 이루어지는 적층체로서 제막·제조하는 방법은, 단층 구성으로 동일한 두께의 기재 필름(1)을 제막·제조하는 방법과 비교하여, 압출기 내의 수지 압력이나 모터 부하를 과도하게 증대시키지 않고 압출 유량을 제어할 수 있으므로, 제막 정밀도나 안정 제막의 관점에서 적합하고, 기재 필름(1)에 불필요한 주름을 발생시키는 경우가 없다. 또한, 기재 필름(1)의 제막 속도를 올릴 수도 있는 점이나 각 층에서 상술한 인장 강도, 응력 완화율 및 열수축률 등의 물성도 조정할 수 있으므로, 기재 필름(1) 전체로서, 그들 물성의 밸런스를 제어하기 쉬운 점에서도 적합하다. 또한, 기재 필름(1)의 점착제층(2)과 접하는 측의 면은, 후술하는 점착제층(2)과의 밀착성 향상을 목적으로, 코로나 처리 또는 플라즈마 처리 등이 실시되어도 된다. 또한, 기재 필름(1)의 점착제층(2)과 접하는 측의 면과 반대측의 면은, 기재 필름(1)의 제막 시의 권취의 안정화나 제막 후의 블로킹의 방지를 목적으로, 엠보싱롤에 의한 엠보스 처리 등이 실시되어도 된다.
(점착제층)
본 발명의 다이싱 테이프(10)에 있어서의 제 2 구성 요건인 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층(2)에 관하여, 이하 설명한다.
본 발명자들은, 상온 익스팬드 후의 히트 슈링크 공정에 있어서, 종래보다 단시간에 충분히 또한 균일하게 가열 수축시키는 것을 가능하게 하기 위해서는, 상술한 기재 필름(1)의 제물성을 특정한 범위로 규정하는 것만으로는 불충분하다는 견해 아래, 더 예의 검토한 바, 기재 필름(1)의 위에 위치하는 점착제층(2)의 열저항이 중요한 인자라는 지견을 얻기에 이르렀다. 통상, 히트 슈링크 공정에서는, 열풍은 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)측으로부터 분사되기 때문에, 점착제층(2)의 열저항이 크면, 가해진 열이 기재 필름(1)에 효율적으로 전달되지 않기 때문에, 단시간에 충분히 또한 균일하게 가열 수축시키는 것이 곤란해진다. 따라서, 점착제층(2)의 열저항을 종래보다 작게 하면, 가해진 열이 기재 필름(1)에 효율적으로 전달되므로, 종래보다 단시간에 가열 수축시키는 것이 가능해지고, 그 결과, 종래보다 짧은 택트 타임으로, 인접하는 다이 본딩 필름(접착제층)끼리가 접촉하여 재유착하는 것이나 손상되는 것을 억제할 수 있을 정도로, 커프폭을 충분히 보지할 수 있는 것을 깨달았다.
즉, 본 발명에 있어서의 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층(2)은, 0.45K·㎠/W 이하의 열저항을 가진다. 점착제층(2)의 열저항이 0.45K·㎠/W 상을 넘는 경우, 히트 슈링크 공정에 있어서, 예를 들면, 열풍 분사 노즐의 주회 속도(워크를 보지하는 스테이지의 회전 속도)를 종래보다 빠르게 설정했을 때에, 즉, 택트 타임을 짧게 하려고 했을 때에, 늘어짐이 생긴 다이싱 테이프(10)의 가열 수축이 불충분해지기 때문에, 늘어짐이 충분히 해소되지 않고, 그 결과, 커프폭을 충분히 보지할 수 없을 우려가 있다. 상기 열저항은, 보다 바람직하게는 0.35K·㎠/W 이하, 더 바람직하게는 0.25K·㎠/W 이하이다. 상기 열저항은, 작으면 작을수록 좋지만, 다이싱 테이프로서 필요한 점착제층(2)의 점착 특성 유지의 관점에서는, 그 하한값은, 0.15K·㎠/W이다.
상기 점착제층(2)의 열저항을 저감하는 방법으로서는, 예를 들면, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서, (1) 점착제층(2)의 두께를 가능한 한 얇게 하는, (2) 점착제층(2)의 열전도율의 값을 가능한 한 크게 하는, 방법을 들 수 있다.
본 실시형태의 점착제층(2)은, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 포함하여 이루어진다. 여기서, 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물이란, 자외선(UV) 등의 활성 에너지선을 조사함으로써 경화·수축하여 피착체에 대한 점착력이 저하하는 점착제 조성물을 의미한다. 상기 점착제층(2)에 함유되는 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물로서는, 전형적으로는,
(1) 점착제 조성물 (A1):광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물
(2) 점착제 조성물 (A2):상기 점착제 조성물 (A1)에 추가로 열전도성 필러를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물
(3) 점착제 조성물 (B1):관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 활성 에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제, 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물
(4) 점착제 조성물 (B2):상기 점착제 조성물 (B1)에 추가로 열전도성 필러를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물
의 군으로부터 선택되는 어느 하나의 점착제 조성물을 들 수 있지만, 특별히 이들에 한정되는 것은 아니다.
이들 중에서도, 다이 본딩 필름(3)에의 풀 잔류나 오염의 억제의 관점에서, 점착제 조성물 (A1) 및 점착제 조성물 (A2)가 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 관능기란, 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합과 공존 가능한 열 반응성 관능기를 말한다. 이러한 관능기의 예는, 히드록실기, 카르복실기 및 아미노기 등의 활성 수소기, 및 글리시딜기 등의 활성 수소기와 열 반응하는 관능기이다. 활성 수소기란, 탄소 이외의 질소, 산소 또는 유황 등의 원소와 그것에 직접 결합한 수소를 가지는 관능기를 말한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상기 「광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머」를, 간단히 「활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머」라고 하는 경우가 있다.
(점착제 조성물 (A1))
점착제 조성물 (A1)은, 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물이다.
[광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머]
상기 점착제 조성물 (A1)에 있어서, 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 분자 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 것을 사용한다. 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 제조하는 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상, (메타)아크릴산 알킬에스테르와 관능기 함유 불포화 화합물을 공중합하여 아크릴계 공중합체를 얻고, 그 아크릴계 공중합체가 가지는 관능기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(활성 에너지선 반응성 화합물)을 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
상기 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(활성 에너지선 반응성 화합물)을 부가 반응시키기 전의 상기 아크릴계 공중합체(이하, 「관능기를 가지는 아크릴계 공중합체」라고 하는 경우가 있음)로서는, (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체와 활성 수소기 함유 단량체, 및 또는 글리시딜기 함유 단량체를 포함하는 공중합체를 들 수 있다.
상기 (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체로서는, 탄소수 6 이상 18 이하의 헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트, 펜타데실(메타)아크릴레이트, 헥사데실(메타)아크릴레이트, 헵타데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트, 또는 탄소수 5 이하의 단량체인, 펜틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 상기 활성 수소기 함유 단량체로서는, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트 등의 수산기 함유 단량체, (메타)아크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 단량체, (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N-부틸(메타)아크릴아미드, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메타)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메타)아크릴아미드 등의 아미드계 모노머; 아미노에틸(메타)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, t-부틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 아미노기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 이들 활성 수소기 함유 단량체 성분은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 또한, 글리시딜기 함유 단량체로서는, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 열 반응성 관능기의 함유량은, 특별히 한정은 되지 않지만, 공중합 단량체 성분 전량에 대하여 0.5질량% 이상 50질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기의 단량체를 공중합한 적합한 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체로서는, 구체적으로는, 「2-에틸헥실아크릴레이트와 아크릴산」의 2원 공중합체, 「2-에틸헥실아크릴레이트와 2-히드록시에틸아크릴레이트」의 2원 공중합체, 「2-에틸헥실아크릴레이트와 메타크릴산과 2-히드록시에틸아크릴레이트」의 3원 공중합체, 「n-부틸아크릴레이트와 아크릴산」의 2원 공중합체, 「n-부틸아크릴레이트와 2-히드록시에틸아크릴레이트」의 2원 공중합체, 「n-부틸아크릴레이트와 메타크릴산과 2-히드록시에틸아크릴레이트」의 3원 공중합체, 「2-에틸헥실아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트와 2-히드록시에틸아크릴레이트」의 3원 공중합체, 「2-에틸헥실아크릴레이트와 n-부틸아크릴레이트와 2-히드록시에틸아크릴레이트와 메타크릴산」의 4원 공중합체, 「2-에틸헥실아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트와 2-히드록시에틸아크릴레이트와 메타크릴산」의 4원 공중합체 등을 들 수 있지만, 특별히 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체는, 응집력, 및 내열성 등을 목적으로, 필요에 따라 다른 공중합 단량체 성분을 함유해도 된다. 이와 같은 다른 공중합 단량체 성분으로서는, 구체적으로는, 예를 들면, (메타)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 단량체, 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 스티렌계 단량체, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐에스테르계 단량체, 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체, 염화비닐, 염화비닐리덴 등의 할로겐 원자 함유 단량체, (메타)아크릴산 메톡시에틸, (메타)아크릴산 에톡시에틸 등의 알콕시기 함유 단량체, N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리든, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르폴린, N-비닐카프로락탐, N-(메타)아크릴로일모르폴린 등의 질소 원자 함유 환을 가지는 단량체를 들 수 있다. 이들 다른 공중합 단량체 성분은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 상기 관능기를 가지는 공중합체는, 특별히 한정되지 않지만, 점착제층(2)의 다이 본딩 필름(3)에 대한 초기 밀착성, 자외선 조사 후의 점착제층(2)의 다이 본딩 필름(3)으로부터의 박리성, 박리 시의 다이 본딩 필름(3)에 대한 오염성의 밸런스 제어의 관점에서, 유리 전이 온도(Tg)가 -70℃ 이상 -10℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, -65℃ 이상 -50℃ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
상기 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 상술한 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체를 이용하여, 당해 공중합체가 가지는 관능기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(활성 에너지선 반응성 화합물)을 부가 반응시켜 얻을 수 있다. 이와 같은 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 히드록실기에 대하여 부가 반응을 행하는 경우에는, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 4-메타크릴로일옥시-n-부틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등의 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 카르복실기에 대하여 부가 반응을 행하는 경우에는, 글리시딜(메타)아크릴레이트나 2-(1-아지리디닐)에틸(메타)아크릴레이트 등을 활성 에너지선 반응성 화합물로서 사용할 수 있다. 또한, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 글리시딜기에 대하여 부가 반응을 행하는 경우에는, (메타)아크릴산 등을 활성 에너지선 반응성 화합물로서 사용할 수 있다.
상기 부가 반응으로서는, 그 반응 추적의 용이성(제어의 안정성)이나 기술적 난이도의 관점에서, 아크릴계 공중합체가 측쇄에 가지는 수산기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 이소시아네이트기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물((메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물)을 부가 반응시키는 방법이 가장 적합하다.
또한, 상기 부가 반응을 행할 때에는, 후술하는 폴리이소시아네이트계 가교제나 에폭시계 가교제 등의 가교제에 의해 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 가교시켜, 더 고분자량화하기 위해, 히드록실기, 카르복실기나 글리시딜기 등의 관능기가 잔존하도록 해 두는 것이 바람직하다. 예를 들면, 히드록실기를 측쇄에 가지는 아크릴계 공중합체에 대하여, (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 경우, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 히드록실기(-OH)에 대한 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기(-NCO)의 당량비[(NCO)/(OH)]가 1.0 미만이 되도록 양자의 배합비를 조정하면 된다. 이와 같이 하여, (메타)아크릴로일옥시기 등의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 즉 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 얻을 수 있다.
상기 부가 반응에 있어서는, 탄소-탄소 이중 결합의 활성 에너지선 반응성이 유지되도록, 중합 금지제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 중합 금지제로서는, 히드로퀴논·모노메틸에테르 등의 퀴논계의 중합 금지제가 바람직하다. 중합 금지제의 양은, 특별히 제한되지 않지만, 관능기를 가지는 공중합체와 활성 에너지선 반응성 화합물의 합계량에 대하여, 통상, 0.01질량부 이상 0.1질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.
상기 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 특별히 한정되지 않지만, 수산기가가 12.0㎎KOH/g 이상 55.0㎎KOH/g 이하의 범위인 것이 바람직하다. 수산기가가 상기 범위 내이면, 점착제층(2)의 두께를 얇게 한 경우에 있어서도, 자외선 조사에 의한 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과를 방해하지 않고, 점착제층(2)의 다이 본딩 필름(3)에 대한 초기 밀착성을 확보할 수 있다. 또한, 가교제 첨가에 의해 적절한 가교 구조를 형성할 수 있으므로 점착제층(2)의 응집력을 향상시킬 수 있다. 상기 수산기가는, 보다 바람직하게는 17.0㎎KOH/g 이상 39.0㎎KOH/g 이하의 범위이다.
또한, 상기 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 특별히 한정되지 않지만, 산가가 2.0㎎KOH/g 이상 9.0㎎KOH/g 이하의 범위인 것이 바람직하다. 산가가 상기 범위 내이면, 점착제층(2)의 두께를 얇게 한 경우에 있어서도, 자외선 등의 활성 에너지선 조사에 의한 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과를 방해하지 않고, 점착제층(2)의 다이 본딩 필름(3)에 대한 초기 밀착성을 확보할 수 있다. 상기 산가는, 보다 바람직하게는 2.5㎎KOH/g 이상 8.2㎎KOH/g 이하의 범위이다.
또한, 상기 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 탄소-탄소 이중 결합 함유량은, 자외선 등의 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)에 있어서 충분한 점착력의 저감 효과가 얻어지는 양이면 되고, 활성 에너지선의 조사량 등의 사용 조건 등에 따라 상이하여 일의적이지는 않지만, 예를 들면, 0.85meq/g 이상 1.60meq/g 이하의 범위인 것이 바람직하다. 탄소-탄소 이중 결합 함유량이 0.85meq/g 미만인 경우는 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서의 점착력 저감 효과가 작아져, 접착제층(3)을 가지는 반도체칩의 픽업 불량이 증대할 우려가 있다. 한편, 탄소-탄소 이중 결합 함유량이 1.60meq/g을 넘는 경우는, 아크릴계 점착성 폴리머의 공중합 조성에 따라서는 합성할 때의 중합 또는 반응 시에 겔화하기 쉬워져, 합성이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 탄소-탄소 이중 결합 함유량을 확인하는 경우, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 요오드가를 측정함으로써, 탄소-탄소 이중 결합 함유량을 산출할 수 있다.
또한, 상기 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 20만 이상 200만 이하의 범위의 중량 평균 분자량(Mw)을 가진다. 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)이 20만 미만인 경우에는, 도공성 등을 고려하여, 수천 cP 이상 수만 cP 이하의 고점도의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 용액을 얻는 것이 어려워 바람직하지 않다. 또한, 활성 에너지선 조사 전의 점착제층(2)의 응집력이 작아져, 예를 들면, 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)으로부터 다이 본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 탈리할 때, 다이 본딩 필름(3)을 오염시킬 우려가 있다. 한편, 중량 평균 분자량(Mw)이 200만을 넘는 경우에는, 점착제로서의 특성상, 특별히 문제는 없지만, 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 양산적으로 제조하는 것이 어렵고, 예를 들면, 합성 시에 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머가 겔화하는 경우가 있어, 바람직하지 않다. 상기 중량 평균 분자량(Mw)은, 보다 바람직하게는 30만 이상 150만 이하이다. 여기서, 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
또한, 상기 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1.05 이상 12.0 이하의 범위의 분자량 분포(Mw/Mn)를 가진다. 그 상한값으로서는, 점착제층(2)의 응집력을 향상시키는 관점에서, 10.0 이하가 보다 바람직하고, 2.5 이하가 더 바람직하다. 분자량 분포(Mw/Mn)는 중량 평균 분자량(Mw)과 수평균 분자량(Mn)의 비이다. 중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
상기 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 분자량 분포(Mw/Mn)가 상기 범위 내이면, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 전체 중에서, 가교에 기여하기 어려운 저분자량 성분, 즉, 열 반응성 관능기나 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖지 않는, 또는, 거의 갖지 않는 저분자량 성분이 차지하는 비율이 적은 것이 된다. 따라서, 점착제층(2)의 열저항을 저감하기 위해 점착제층(2)의 두께를 얇게 한 경우에 있어서도, 후술하는 가교제의 첨가에 의해 그 응집력을 충분한 것으로 할 수 있어, 다이 본딩 필름(3)에 대한 초기 밀착성을 확보하는 것이 용이해진다. 또한, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력도 적절히 저감할 수 있음과 함께, 점착제층(2)으로부터 다이 본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 탈리할 때의 다이 본딩 필름(3)의 오염을 억제하는 것도 용이해진다.
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 베이스 폴리머가 되는 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머(관능기를 가지는 아크릴계 공중합체)는, 상술한 단량체의 혼합물을 중합함으로써 얻어지지만, 당해 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상(塊狀) 중합, 현탁 중합 등의 어느 방식으로 행할 수도 있다. 당해 중합의 반응 양식으로서는, 프리 라디칼 중합이나 리빙 라디칼 중합 등을 적합하게 들 수 있지만, 상기의 분자량 분포(Mw/Mn)를 가능한 한 좁게 하는 관점에서는, 중합 정지 반응이나 이동 반응을 수반하지 않는 리빙 라디칼 중합에 의해 중합하는 것이 보다 바람직하다. 이들 중에서도, 반응 양식으로서 리빙 라디칼 중합을 이용한 용액 중합이 특히 적합하다. 프리 라디칼 중합에 의해 중합한 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체를 베이스 폴리머로 하는 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 포함하는 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층(2)은, 적어도 중합 개시제인 유기 과산화물 및 또는 아조 화합물을 포함하는 것이 된다. 또한, 리빙 라디칼 중합에 의해 중합한 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체를 베이스 폴리머로 하는 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 포함하는 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층(2)은, 적어도 중합 개시제인 할로겐화물 및 또는 촉매인 천이 금속 착체를 포함하는 것이 된다. 상기의 유기 과산화물, 아조 화합물, 할로겐화물 및 천이 금속 착체로서는, 공지 내지 관용의 것을 사용할 수 있다.
[광중합 개시제]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A1))은, 상술한 바와 같이, 활성 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 발생하는 광중합 개시제를 포함한다. 광중합 개시제는, 피착물 탈착 시의 점착제층에 대한 활성 에너지선의 조사를 감수하고, 라디칼을 발생시켜, 점착제층(2) 중의 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 탄소-탄소 이중 결합의 가교 반응을 개시시킨다. 그 결과, 활성 에너지선의 조사 하에 있어서 점착제층이, 더 경화·수축함으로써 피착물에 대한 접착력이 저감된다. 광중합 개시제로서는, 자외선 등에 의해 라디칼 활성종을 발생시키는 화합물이 바람직하고, 예를 들면, 알킬페논계 라디칼 중합 개시제, 아실포스핀옥사이드계 라디칼 중합 개시제, 옥심에스테르계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
상기 알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 벤질메틸케탈계 라디칼 중합 개시제, α-히드록시알킬페논계 라디칼 중합 개시제, α-아미노알킬페논계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 벤질메틸케탈계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,2'-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(예를 들면, 상품명:Omnirad651, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 상기 α-히드록시알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온(상품명:Omnirad1173, IGM Resins B.V.사제), 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(상품명:Omnirad184, IGM Resins B.V.사제), 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온(상품명:Omnirad2959, IGM Resins B.V.사제), 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질]페닐}-2-메틸프로판-1-온(상품명Omnirad127, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 상기 α-아미노알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(상품명:Omnirad907, IGM Resins B.V.사제), 2-벤질-2-(디메틸아미노)-4'-모르폴리노부티로페논(상품명:Omnirad369, IGM Resins B.V.사제), 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(상품명:Omnirad379EG, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다.
상기 아실포스핀옥사이드계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드(상품명:OmniradTPO, IGM Resins B.V.사제), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(상품명:Omnirad819, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다.
상기 옥심에스테르계 라디칼 중합 개시제로서는, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(O-벤조일옥심)(상품명:OmniradOXE-01, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다.
상기 광중합 개시제의 첨가량으로서는, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 광중합 개시제의 첨가량이 0.1질량부 미만의 경우에는, 활성 에너지선에 대한 광반응성이 충분하지 않기 때문에 활성 에너지선을 조사해도 아크릴계 점착성 폴리머의 광 라디칼 가교 반응이 충분히 일어나지 않아, 점착제의 경화·수축이 불충분해지고, 그 결과, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서의 점착력 저감 효과가 작아져, 반도체칩의 픽업 불량이 증대할 우려가 있다. 한편, 광중합 개시제의 첨가량이 10.0질량부를 넘는 경우에는, 그 효과는 포화하여, 경제성의 관점에서도 바람직하지 않다. 또한, 광중합 개시제의 종류에 따라서는, 점착제층(2)이 황변하여 외관 불량이 되는 경우가 있다.
또한, 이와 같은 광중합 개시제의 증감제로서, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 4-디메틸아미노벤조산 이소아밀 등의 화합물을 점착제에 첨가해도 된다.
[가교제]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A1))은, 상술한 바와 같이, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고분자량화를 위해 추가로 가교제를 함유한다. 이와 같은 가교제로서는, 특별히 제한되지 않고, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 관능기인 히드록실기, 카르복실기 및 글리시딜기 등과 반응 가능한 관능기를 가지는 공지의 가교제를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 폴리이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민 수지계 가교제, 요소 수지계 가교제, 산 무수 화합물계 가교제, 폴리아민계 가교제, 카르복실기 함유 폴리머계 가교제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응성, 범용성의 관점에서 폴리이소시아네이트계 가교제 또는 에폭시계 가교제를 이용하는 것이 바람직하다. 이들 가교제는, 단독으로 또는 2종 이상 병용해도 된다. 가교제의 배합량은, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상 10질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 0.1질량부 이상 5질량부 이하의 범위이고, 더 바람직하게는 0.5질량부 이상 4질량부 이하의 범위이다.
상기 폴리이소시아네이트계 가교제로서는, 예를 들면, 이소시아누레이트환을 가지는 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 헥사메틸렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 톨릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 크실릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 이소포론디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 에폭시계 가교제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A·에피클로르히드린형의 에폭시 수지, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 글리세린디글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리스리톨폴리글리시딜에리스리톨, 디글리세롤폴리글리시딜에테르, 1,3'-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N, N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물(점착제 조성물 (A1))에 의해 점착제층(2)을 형성한 후에, 상기 가교제와 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 관능기를 반응시키기 위한 에이징의 조건으로서는, 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들면, 온도는 23℃ 이상 80℃ 이하의 범위, 시간은 24시간 이상 168시간 이하의 범위에서 적절히 설정하면 된다.
[기타]
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A1))은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 필요에 따라, 그 밖에, 다관능 아크릴 모노머, 다관능 아크릴 올리고머, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.
(점착제 조성물 (A2))
점착제 조성물 (A2)는, 상기 점착제 조성물 (A1)에 추가로 열전도성 필러를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물이다. 점착제 조성물 (A2)로 이루어지는 점착제층(2)은, 열전도성 필러를 포함하지 않는 점착제 조성물 (A1)로 이루어지는 점착제층(2)과 비교하여, 점착제층(2)의 두께가 동일한 경우, 그 열전도율이 높아지기 때문에, 열저항이 작아진다.
[열전도성 필러]
상기 점착제 조성물 (A2)에 있어서, 열전도성 필러의 재질은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 질화붕소, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 베마이트, 산화마그네슘, 알루미늄, 구리, 다이아몬드 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 범용성의 관점에서, 질화붕소, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 산화마그네슘이 바람직하다.
상기 열전도성 필러의 평균 입자경은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상기 열전도성 필러의 평균 입자경이 0.1㎛ 미만인 경우, 점착제 조성물의 용액의 점도가 높아져, 점착제층(2)의 기재 필름(1)에의 균일 박막 도포가 곤란해질 우려가 있다. 또한, 특히 열전도성 필러의 함유량이 많으면, 점착제층(2)의 점착력이 저하할 우려가 있다. 한편, 상기 열전도성 필러의 평균 입자경이 10㎛를 넘는 경우, 점착제층(2)의 두께가 얇으면, 점착제층(2)의 표면 기복이 커져, 점착제층(2)의 점착력이 저하할 우려가 있다. 점착제층(2)의 점착력이 저하하면 다이 본딩 필름(3)에의 초기 밀착성이나 링 프레임에의 고정력이 저하하여, 첩합 공정이나 익스팬드 공정에 있어서 문제가 생기는 경우가 있다. 상기 열전도성 필러의 평균 입자경은, 0.2㎛ 이상 3㎛ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서, 상기 열전도성 필러의 평균 입자경은, 주사형 전자 현미경(SEM) 또는 투과형 전자 현미경(TEM)으로 상기 열전도성 필러의 입자를 관찰하여, 100개의 입자의 장축 직경을 측정하고, 그 산술 평균값으로서 구하는 것으로 한다.
상기 열전도성 필러의 함유량은, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에 있어서 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 점착제 조성물의 전체 체적에 대하여, 체적 비율로 5% 이상 20% 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상기 열전도성 필러의 함유량이 체적 비율로 5% 미만이면, 충분한 열전도성이 얻어지지 않을 우려가 있다. 한편, 상기 열전도성 필러의 함유량이 체적 비율로 20%를 넘으면, 점착제층(2)의 점착력이 저하하여, 다이 본딩 필름(3)에 대한 초기 밀착성이 저하할 우려가 있다. 또한, 자외선 등의 활성 에너지선을 조사했을 때에, 활성 에너지선의 투과가 일부 방해되어, 점착제층(2)의 점착력이 충분히 저하하지 않을 우려가 있다. 또한, 상기 체적 비율은, 각 재료의 비중을 이용하여 계산할 수 있다.
[분산제]
상기 열전도성 필러를 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머와 혼합하면, 증점하는 경우가 있다. 이것은, 상기 열전도성 필러와 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 상호 작용에 의한다고 생각할 수 있다. 이 때문에, 상기 점착제 조성물 (A2)에는, 증점 현상을 억제하기 위해, 분산제를 첨가해도 된다. 상기 분산제로서는, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머와의 친화성이 양호한 고분자계 분산제가 바람직하다. 상기 고분자계 분산제로서는, 예를 들면, 아크릴계, 비닐계, 폴리에스테르계, 폴리우레탄계, 폴리에테르계, 에폭시계, 폴리스티렌계, 아미노계 등의 고분자 화합물을 들 수 있다. 상기 분산제는, 1종류를 단독으로 이용할 수도 있지만, 2종류 이상을 혼합하여 이용해도 된다.
상기 분산제는, 분산 기능을 높이기 위해 관능기를 가지고 있는 것이 바람직하다. 상기 관능기로서는, 카르복실기, 인산기, 술폰산기, 카르본산 에스테르기, 인산 에스테르기, 술폰산 에스테르기, 히드록실기, 아미노기, 4급 암모늄염기, 아미드기 등을 들 수 있지만, 상기 분산제는, 산성 관능기와 염기성 관능기의 양방을 가지고 있는 양성 분산제인 것이 보다 바람직하다.
상기 분산제의 산성도는, 그 산가를 기준으로 결정하고, 상기 분산제의 염기성도는, 그 아민가를 기준으로 결정한다. 예를 들면, 산가가 20㎎KOH/g 이상인 분산제를 이용함으로써, 상기 점착제 조성물 (A2)의 증점 현상을 방지할 수 있다. 또한, 아민가가 5㎎KOH/g 이상인 분산제를 이용함으로써, 점착제의 보존 시의 점착력의 변화를 방지할 수 있다. 상기 분산제의 산성 관능기는, 상기 열전도성 필러의 염기성 활성점을 덮어, 상기 열전도성 필러와 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 상호 작용을 억제하기 때문에, 상기 점착제 조성물 (A2)의 증점 현상을 방지한다고 생각할 수 있다. 또한, 상기 분산제 중의 염기성 관능기는 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머 중의 산성 관능기와 상호 작용하여, 상기 분산제가 상기 점착 조성물의 계면으로 이행하는 것을 억제하기 때문에, 점착제의 보존 시의 점착력의 변화를 방지한다고 생각할 수 있다.
상기 분산제의 함유량은, 상기 열전도성 필러 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 15질량부 이하의 범위로 하는 것이 바람직하고, 0.3질량부 이상 10질량부 이하의 범위가 보다 바람직하다. 상기 분산제의 함유량이 0.1질량부 미만이면, 충분한 분산성이 얻어지지 않고, 상기 분산제의 함유량이 15질량부를 넘으면, 고온 하에서의 점착력이 저하하기 쉬워, 다이 본딩 필름(3)에 대한 초기 밀착력에의 영향이 우려된다.
(점착제 조성물 (B1))
점착제 조성물 (B1)은, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 활성 에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제, 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물이다. 상기 점착제 조성물 (B1)에 있어서, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머로서는, 상술의 점착제 조성물 (A1)의 설명에 있어서 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체로서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다. 또한, 광중합 개시제 및 가교제에 관해서도, 상술의 점착제 조성물 (A1)의 설명에 있어서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있고, 함유량 등의 사용 양태에 관해서도 마찬가지로 할 수 있다.
[활성 에너지선 경화성 화합물]
상기 점착제 조성물 (B1)의 활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 예를 들면, 활성 에너지선의 조사에 의해 3차원 그물 형상화할 수 있는, 분자 내에 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 가지는 저분자량 화합물이 널리 이용된다. 이와 같은 저분자량 화합물로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르화물; 2-프로페닐-디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 활성 에너지선 경화성의 저분자량 화합물은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
또한, 활성 에너지선 경화성 화합물로서, 상기와 같은 저분자량 화합물 외에, 에폭시아크릴레이트계 올리고머, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 폴리에스테르아크릴레이트계 올리고머 등의 활성 에너지선 경화성 올리고머를 이용할 수도 있다. 에폭시아크릴레이트는, 에폭시 화합물과 (메타)아크릴산의 부가 반응에 의해 합성된다. 우레탄아크릴레이트는, 예를 들면, 폴리올과 폴리이소시아네이트의 부가 반응물에, 말단에 남는 이소시아네이트기를 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트와 반응시켜 (메타)아크릴기를 분자 말단에 도입하여 합성된다. 폴리에스테르아크릴레이트는, 폴리에스테르폴리올과 (메타)아크릴산의 반응에 의해 합성된다. 상기 활성 에너지선 경화성 올리고머는, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과의 관점에서, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지는 것이 바람직하다. 이들 활성 에너지선 경화성 올리고머는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
상기 활성 에너지선 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 특별히 한정되지 않지만, 100 이상 30,000 이하의 범위인 것이 바람직하고, 반도체칩의 오염 억제 및 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과의 양 관점에서, 500 이상 6,000 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
상기 활성 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머 100질량부에 대하여, 5질량부 이상 500질량부 이하, 바람직하게는 50질량부 이상 180질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상기 활성 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위 내인 경우, 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)의 점착력을 적정하게 저하시켜, 다이 본딩 필름(3)을 가지는 반도체칩을 파손 시키지 않고, 픽업을 용이하게 할 수 있다.
(점착제 조성물 (B2))
점착제 조성물 (B2)는, 상기 점착제 조성물 (B1)에 추가로 열전도성 필러를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물이다. 점착제 조성물 (B2)로 이루어지는 점착제층(2)은, 열전도성 필러를 포함하지 않는 점착 조성물 (B1)로 이루어지는 점착제층(2)과 비교하여, 점착제층(2)의 두께가 동일한 경우, 그 열전도율이 높아지기 때문에, 열저항이 작아진다. 상기 점착제 조성물 (B1)에 있어서, 열전도성 필러로서는, 상술의 점착제 조성물 (A2)의 설명에 있어서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있고, 함유량 등의 사용 양태에 관해서도 마찬가지로 할 수 있다. 또한, 분산제에 관해서도, 상술의 점착제 조성물 (A2)의 설명에 있어서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있고, 함유량 등의 사용 양태에 관해서도 마찬가지로 할 수 있다.
본 실시형태의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않고, 점착제층(2)의 열저항이 0.45K·㎠/W 이하가 되도록, 점착제층(2)의 열전도율의 값에 따라, 적절히 조정하면 되지만, 예를 들면, 4㎛ 이상 15㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 점착제층(2)을 구성하는 점착제 조성물이 열전도성 필러를 포함하지 않는 경우는, 예를 들면, 4㎛ 이상 9㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 점착제층(2)을 구성하는 점착제 조성물이 열전도성 필러를 포함하는 경우는, 예를 들면, 9㎛ 이상 15㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 각각의 경우에 있어서, 점착제층(2)의 두께가 바람직한 하한값을 하회하면, 점착력이 저하하여, 다이 본딩 필름(3)에 대한 초기 밀착성이나 링 프레임에 대한 고정력이 불충분해질 우려가 있다. 한편, 점착제층(2)의 두께가 바람직한 상한값을 넘으면, 열저항이 커져, 히트 슈링크 공정에 있어서, 예를 들면, 열풍 분사 노즐의 주회 속도를 종래보다 빠르게 설정했을 때에, 즉, 택트 타임을 짧게 하려고 했을 때에, 늘어짐이 생긴 다이싱 테이프(10)의 가열 수축이 불충분해지기 때문에, 늘어짐이 충분히 해소되지 않고, 그 결과, 커프폭을 충분히 보지할 수 없을 우려가 있다.
(앵커 코트층)
본 실시형태의 다이싱 테이프(10)에서는, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 제조 조건이나 제조 후의 다이싱 테이프(10)의 사용 조건 등에 따라, 기재 필름(1)과 점착제층(2)의 사이에, 기재 필름(1)의 조성에 맞춘 앵커 코트층을 마련해도 된다. 앵커 코트층을 마련함으로써, 기재 필름(1)과 점착제층(2)의 밀착력이 향상한다.
(박리 라이너)
또한, 점착제층(2)의 기재 필름(1)과는 반대의 표면측(일방의 표면측)에는, 필요에 따라 박리 라이너를 마련해도 된다. 박리 라이너로서 사용할 수 있는 것은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지나, 종이류 등을 들 수 있다. 또한, 박리 라이너의 표면에는, 점착제층(2)의 박리성을 높이기 위해, 실리콘계 박리 처리제, 장쇄 알킬계 박리 처리제, 불소계 박리 처리제 등에 의한 박리 처리를 실시해도 된다. 박리 라이너의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 10㎛∼200㎛의 범위인 것을 적합하게 사용할 수 있다.
(다이싱 테이프의 제조 방법)
도 4는, 다이싱 테이프(10)의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다. 먼저, 박리 라이너를 준비한다(단계 S101:박리 라이너 준비 공정). 다음에, 점착제층(2)의 형성 재료인 점착제층(2)용의 도포 용액(점착제층 형성용 도포 용액)을 제작한다(단계 S102:도포 용액 제작 공정). 도포 용액은, 예를 들면, 점착제층(2)의 구성 성분인 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머와 광중합 개시제와 가교제와 희석 용매를 균일하게 혼합 교반함으로써 제작할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 톨루엔이나 아세트산 에틸 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.
그리고, 단계 S102에서 제작한 점착제층(2)용의 도포 용액을 이용하여, 박리 라이너의 박리 처리면 상에 당해 도포 용액을 도포하여 건조하고, 소정 두께의 점착제층(2)을 형성한다(단계 S103:점착제층 형성 공정). 도포방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이 코터, 콤마 코터(등록상표), 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터 등을 이용하여 도포할 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 건조 온도는 80℃∼150℃의 범위 내, 건조 시간은 0.5분간∼5분간의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 계속해서, 기재 필름(1)을 준비한다(단계 S104:기재 필름 준비 공정). 그리고, 박리 라이너의 위에 형성된 점착제층(2)의 위에, 기재 필름(1)을 첩합한다(단계 S105:기재 필름 첩합 공정). 마지막으로, 형성한 점착제층(2)을 예를 들면 40℃의 환경 하에서 72시간 에이징하여 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머와 가교제를 반응시킴으로써 가교·경화시킨다(단계 S106:열경화 공정). 이상의 공정에 의해 기재 필름(1)의 위에 기재 필름측으로부터 순서대로 점착제층(2), 박리 라이너를 구비한 다이싱 테이프(10)를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 점착제층(2)의 위에 박리 라이너를 구비하고 있는 적층체도 다이싱 테이프(10)라고 하는 경우가 있다.
또한, 상기 기재 필름(1) 상에 점착제층(2)을 형성하는 방법으로서, 박리 라이너의 위에 점착제층(2)용의 도포 용액을 도포하여 건조하고, 그 후, 점착제층(2)의 위에 기재 필름(1)을 첩합하는 방법을 예시했지만, 기재 필름(1) 상에 점착제층(2)용의 도포 용액을 직접 도포하여 건조하는 방법을 이용해도 된다. 안정 생산의 관점에서는, 전자의 방법이 적합하게 이용된다.
본 실시형태의 다이싱 테이프(10)는, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층하고 있는 형태여도 된다. 또한, 이들 형태의 다이싱 테이프(10)를 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 형태여도 된다.
<다이싱 다이 본딩 필름>
본 실시형태의 다이싱 테이프(10)는, 반도체 제조 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 다이 본딩 필름(접착제층)(3)이 박리 가능하게 밀착, 적층된 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 형태로서 사용할 수도 있다. 다이 본딩 필름(접착제층)(3)은, 개편화된 반도체칩을 리드 프레임이나 배선 기판(지지 기판)에 접착·접속하기 위한 것이다. 또한, 반도체칩을 적층하는 경우는, 반도체칩끼리의 접착제층의 역할도 한다.
반도체칩을 적층하는 경우, 1단째의 반도체칩은 다이 본딩 필름(접착제층)(3)에 의해, 단자가 형성된 반도체칩 탑재용 배선 기판에 접착되고, 1단째의 반도체칩의 위에, 추가로 다이 본딩 필름(접착제층)(3)에 의해 2단째의 반도체칩이 접착되어 있다. 1단째의 반도체칩 및 2단째의 반도체칩의 접속 단자는, 와이어를 개재하여 외부 접속 단자와 전기적으로 접속되지만, 1단째의 반도체칩용의 와이어는, 압착(다이 본딩) 시에 다이 본딩 필름(접착제층)(3), 즉, 와이어 매립형 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 안에 매립된다.
(다이 본딩 필름)
상기 다이 본딩 필름(접착제층)(3)은, 열에 의해 경화하는 열경화형의 접착제 조성물로 이루어지는 층이다. 상기 접착제 조성물로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 종래 공지의 재료를 사용할 수 있다. 상기 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 예를 들면, 열가소성 수지로서 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 열경화성 수지로서 에폭시 수지, 및 당해 에폭시 수지에 대한 경화제로서 페놀 수지를 포함하는 수지 조성물에, 경화 촉진제, 무기 필러, 실란 커플링제 등이 첨가되어 이루어지는 열경화성 접착제 조성물을 들 수 있다. 이와 같은 열경화성 접착제 조성물로 이루어지는 다이 본딩 필름(접착제층)(3)은, 반도체칩/지지 기판 사이, 반도체칩/반도체칩 사이의 접착성이 우수하며, 또한 전극 매립성 및/또는 와이어 매립성 등도 부여 가능하고, 또한 다이 본딩 공정에서는 저온에서 접착할 수 있어, 단시간에 우수한 경화가 얻어지는, 밀봉제에 의해 몰드된 후에는 우수한 신뢰성을 가지는 등의 특징이 있어 바람직하다.
와이어가 접착제층 중에 매립되지 않는 형태로 사용되는 범용 다이 본딩 필름과 와이어가 접착제층 중에 매립되는 형태로 사용되는 와이어 매립형 다이 본딩 필름은, 그 접착제 조성물을 구성하는 재료의 종류에 관해서는, 거의 동일한 것이 많지만, 사용하는 재료의 배합 비율, 개개의 재료의 물성·특성 등을, 각각의 목적에 따라 변경함으로써, 범용 다이 본딩 필름용 또는 와이어 매립형 다이 본딩 필름용으로서 커스터마이즈된다. 또한, 최종적인 반도체 장치로서의 신뢰성에 문제가 없는 경우에는, 와이어 매립형 다이 본딩 필름이 범용 다이 본딩 필름으로서 사용되는 경우도 있다. 즉, 와이어 매립형 다이 본딩 필름은, 와이어 매립 용도에 한정되지 않고, 배선 등에 기인하는 요철을 가지는 기판, 리드 프레임 등의 금속 기판 등에 반도체칩을 접착하는 용도로도 마찬가지로 사용 가능하다.
(범용 다이 본딩 필름용 접착제 조성물)
먼저, 범용 다이 본딩 필름용 접착제 조성물의 일례에 관하여 설명하지만, 특별히 이 예에 한정되는 것은 아니다. 접착제 조성물로 형성되는 다이 본딩 필름(3)의 다이 본딩 시의 유동성의 지표로서, 예를 들면, 80℃에서의 전단 점도 특성을 들 수 있지만, 범용 다이 본딩 필름의 경우, 일반적으로, 80℃에서의 전단 점도는, 20,000Pa·s 이상 40,000Pa·s 이하의 범위, 바람직하게는 25,000Pa·s 이상 35,000Pa·s 이하의 범위의 값을 나타낸다. 상기 범용 다이 본딩 필름용 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 접착제 조성물의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a) 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 52질량부 이상 90질량부 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 5질량부 이상 25질량부 이하의 범위, 상기 페놀 수지의 5질량부 이상 23질량부 이하의 범위에서, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b) 경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 0.3질량부 이하의 범위로 포함하고, (c) 무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 5질량부 이상 20질량부 이하의 범위로 포함하는 접착제 조성물을 들 수 있다.
또한, 상기 범용 다이 본딩 필름용 접착제 조성물에는, 피착체에 대한 접착력을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라, 실란 커플링제를 첨가할 수 있다. 상기 실란 커플링제의 첨가량은, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 1.0질량부 이상 7.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상기의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지, 페놀 수지, 경화 촉진제, 무기 필러, 및 실란 커플링제 등에 관해서는, 범용의 다이 본딩 필름용 접착제 조성물의 재료로서 공지 내지 관용의 것을 사용할 수 있다.
(와이어 매립형 다이 본딩 필름용 접착제 조성물)
계속해서, 와이어 매립형 다이 본딩 필름용 접착제 조성물의 일례에 관하여 설명하지만, 특별히 이 예에 한정되는 것은 아니다. 접착제 조성물로 형성되는 다이 본딩 필름(3)의 다이 본딩 시의 유동성의 지표로서, 예를 들면, 80℃에서의 전단 점도 특성을 들 수 있지만, 와이어 매립형 다이 본딩 필름의 경우, 일반적으로, 80℃에서의 전단 점도는, 200Pa·s 이상 11,000Pa·s 이하의 범위, 바람직하게는 2,000Pa·s 이상 7,000Pa·s 이하의 범위의 값을 나타낸다. 상기 와이어 매립형 다이 본딩 필름용 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 접착제 조성물의 수지 성분인 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량을 기준의 100질량부로 한 경우, (a) 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 17질량부 이상 51질량부 이하의 범위, 상기 에폭시 수지를 30질량부 이상 64질량부 이하의 범위, 상기 페놀 수지를 19질량부 이상 53질량부 이하의 범위로, 수지 성분 전량이 100질량부가 되도록 조정되어 포함하고, (b) 경화 촉진제를 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 0.07질량부 이하의 범위로 포함하고, (c) 무기 필러를 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계량 100질량부에 대하여 10질량부 이상 80질량부 이하의 범위로 포함하는 접착제 조성물을 들 수 있다.
또한, 상기 범용 다이 본딩 필름용 접착제 조성물에는, 피착체에 대한 접착력을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라, 실란 커플링제를 첨가할 수 있다. 상기 실란 커플링제의 첨가량은, 접착면에 있어서의 공극의 발생을 억제하는 관점에서, 상기 에폭시 수지와 상기 페놀 수지의 합계 100질량부에 대하여, 0.5질량부 이상 2.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상기의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지, 페놀 수지, 경화 촉진제, 무기 필러, 및 실란 커플링제 등에 관해서는, 와이어 매립형 다이 본딩 필름용 접착제 조성물의 재료로서 공지 내지 관용의 것을 사용할 수 있다.
(다이 본딩 필름(접착제층)의 두께)
상기 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 접착 강도의 확보, 반도체칩 접속용의 와이어를 적절히 매립하기 위해, 또는 기판의 배선 회로 등의 요철을 충분히 충전하기 위해, 5㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 두께가 5㎛ 미만이면, 반도체칩과 리드 프레임이나 배선 기판 등과의 접착력이 불충분해질 우려가 있다. 한편, 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 두께가 200㎛보다 크면 경제적이지 않게 되고 게다가, 반도체 장치의 소형 박막화에의 대응이 불충분해지기 쉽다. 또한, 접착성이 높고, 또한, 반도체 장치를 박형화할 수 있는 점에서, 필름 형상 접착제의 막두께는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 보다 바람직하고, 20㎛ 이상 75㎛ 이하의 범위가 특히 바람직하다.
(다이 본딩 필름의 제조 방법)
상기 다이 본딩 필름(접착제층)(3)은, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조된다. 먼저, 박리 라이너를 준비한다. 또한, 당해 박리 라이너로서는, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 배치하는 박리 라이너와 동일한 것을 사용할 수 있다. 다음에, 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 형성 재료인 다이 본딩 필름(접착제층)(3)용의 도포 용액을 제작한다. 도포 용액은, 예를 들면, 상술한 바와 같은 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 구성 성분인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지, 에폭시 수지에 대한 경화제, 무기 필러, 경화 촉진제, 및 실란 커플링 등을 포함하는 열경화성 수지 조성물과 희석 용매를 균일하게 혼합 분산함으로써 제작할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤이나 시클로헥사논 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.
다음에, 다이 본딩 필름(접착제층)(3)용의 도포 용액을 가지지체(假支持體)가 되는 상기 박리 라이너의 박리 처리면 상에 당해 도포 용액을 도포하여 건조하고, 소정 두께의 다이 본딩 필름(접착제층)(3)을 형성한다. 그 후, 다른 박리 라이너의 박리 처리면을 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 위에 첩합한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이 코터, 콤마 코터(등록상표), 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터 등을 이용하여 도포할 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들면, 건조 온도는 60℃ 이상 200℃ 이하의 범위 내, 건조 시간은 1분간 이상 90분간 이하의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 양면 또는 편면에 박리 라이너를 구비하고 있는 적층체도 다이 본딩 필름(접착제층)(3)이라고 하는 경우가 있다.
(다이싱 다이 본딩 필름의 제조 방법)
상기 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 제조 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 종래 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 다이싱 다이 본딩 필름(20)은, 먼저 다이싱 테이프(10) 및 다이 본딩 필름(3)을 개별적으로 각각 준비하고, 다음에 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 및 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 박리 라이너를 각각 박리하여, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)과 다이 본딩 필름(접착제층)(3)을, 예를 들면, 핫 롤 라미네이터 등의 압착 롤에 의해 압착하여 첩합하면 된다. 첩합 온도로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 10℃ 이상 100℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 첩합 압력(선압)으로서는, 예를 들면 0.1kgf/㎝ 이상 100kgf/㎝ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 다이싱 다이 본딩 필름(20)은, 점착제층(2) 및 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 위에 박리 라이너가 구비된 적층체도 다이싱 다이 본딩 필름(20)이라고 하는 경우가 있다. 다이싱 다이 본딩 필름(20)에 있어서, 점착제층(2) 및 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 위에 구비된 박리 라이너는, 다이싱 다이 본딩 필름(20)을 워크에 제공할 때에, 박리하면 된다.
상기 다이싱 다이 본딩 필름(20)은, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층하고 있는 형태여도 된다. 또한, 이들 형태의 다이싱 다이 본딩 필름(20)을 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 형태여도 된다.
<반도체칩의 제조 방법>
도 5는, 본 실시형태의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 다이 본딩 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이 본딩 필름(20)을 사용한 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다. 또한, 도 6은, 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 다이싱 테이프(10)의 외연부(점착제층(2) 노출부)에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)이, 중심부의 다이 본딩 필름(접착제층)(3) 상에 개편화된 반도체 웨이퍼(복수의 반도체칩)가 첩부된 상태를 나타낸 개략도이다. 또한, 도 7의 (a)∼(f)는, 레이저광 조사에 의해 복수의 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 연삭 공정 및 복수의 할단된 반도체 웨이퍼(복수의 반도체칩)의 다이싱 다이 본딩 필름(20)에의 첩합 공정의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 8의 (a)∼(f)는, 다이싱 다이 본딩 필름(20) 상에 첩합·보지된 복수의 할단된 박막 반도체 웨이퍼로부터, 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩을 얻기 위한, 익스팬드∼픽업까지의 일련의 공정을 포함하는 제조 방법의 일례를 나타낸 단면도이다.
(다이싱 다이 본딩 필름(20)을 사용한 반도체칩의 제조 방법)
다이싱 다이 본딩 필름(20)을 사용한 반도체칩의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 종래부터 공지의 방법에 따르면 되지만, 여기서는, SDBG(Stealth Dicing Before Griding)에 의한 제조 방법을 예로 들어 설명한다.
먼저, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 실리콘을 주성분으로 하는 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa) 상에 복수의 집적 회로(도시는 하지 않음)를 탑재한 반도체 웨이퍼(W)를 준비한다(도 5의 단계 S201:준비 공정). 그리고, 점착면(Ta)을 가지는 웨이퍼 가공용 테이프(백 그라인드 테이프)(T)가 반도체 웨이퍼(W)의 제 1 면(Wa)측에 첩합된다.
이어서, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(T)에 반도체 웨이퍼(W)가 보지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광이 웨이퍼 가공용 테이프(T)와는 반대측, 즉 반도체 웨이퍼의 제 2 면(Wb)측으로부터 반도체 웨이퍼(W)에 대하여, 그 격자 형상의 다이싱 예정 라인(X)을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어브레이션에에 의해 반도체 웨이퍼(W) 내에 개질 영역(30b)이 형성된다(도 5의 단계 S202:개질 영역 형성 공정). 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼(W)를 연삭 공정에 의해 반도체칩 단위로 할단·분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서 레이저광 조사에 의해 다이싱 예정 라인을 따라 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 관해서는, 예를 들면, 일본특허 제3408805호 공보, 일본공개특허 특개2002-192370호 공보, 일본공개특허 특개2003-338567호 공보 등에 개시되어 있는 방법을 참조할 수 있다.
반도체 웨이퍼(W)에 형성되는 다이싱 예정 라인(X)은, 장방형 격자여도 된다. 그 경우에는, 반도체칩이 장방형으로 개편화된다. 개편화된 반도체칩이 장방형인 경우, 장변의 길이(α)와 단변의 길이(β)의 비(α/β)는, 예를 들면 1.2 이상 20 이하의 범위인 것이 바람직하다. 이 비(α/β)의 하한값은, 1.4인 것이 보다 바람직하다. 또한, 장변 및 단변의 길이는, 1㎜ 이상 30㎜ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 3㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하며, 4㎜ 이상 12㎜ 이하의 범위인 것이 더 바람직하다.
이어서, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(T)에 반도체 웨이퍼(W)가 보지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 미리 정해진 두께에 이를 때까지 제 2 면(Wb)으로부터의 연삭 가공에 의해 박막화된다. 여기서, 박막화되는 반도체 웨이퍼(30)의 두께는, 반도체 장치의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 50㎛ 이하의 두께로 조절된다. 본 연삭·박막 화공 정도에 있어서, 박막화된 반도체 웨이퍼(30)는, 연삭 휠의 연삭 부하가 가해졌을 때에, 반도체 웨이퍼(30)가, 도 7의 (b)에서 형성된 개질 영역(30b)을 기점으로 하여 수직 방향으로 균열이 성장하고, 다이싱 예정 라인(X)에 대응한 할단 라인(30c)을 따라, 웨이퍼 가공용 테이프(T) 상에서 복수의 반도체칩(30a)으로 할단, 개편화된다.
이어서, 도 7의 (d), (e)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(T)에 보지된 복수의 반도체칩(30a)이 별도 준비한 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 다이 본딩 필름(3)에 대하여 첩합된다(도 5의 단계 S204:첩합 공정). 본 공정에 있어서는, 원형으로 커트한 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 점착제층(2) 및 다이 본딩 필름(접착제층)(3)으로부터 박리 라이너를 박리한 후, 도 6에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 다이싱 테이프(10)의 외연부(점착제층(2) 노출부)에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)을 첩부함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 상측 중앙부에 적층된 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 위에, 웨이퍼 가공용 테이프(T)에 보지된 복수의 반도체칩(30a)을 첩부한다. 이 다음, 도 7의 (f)에 나타내는 바와 같이, 박막의 복수의 반도체칩(30a)으로부터 웨이퍼 가공용 테이프(T)가 벗겨진다. 첩부는, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다. 첩부 온도는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 20℃ 이상 130℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 반도체칩(30a)의 휨을 작게 하는 관점에서는, 40℃ 이상 100℃ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 첩부 압력은, 특별히 한정되지 않고, 0.1MPa 이상 10.0MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 일정한 내열성도 가지기 때문에, 첩부 온도가 고온이라도, 그 취급에 있어서 특별히 문제가 되는 경우는 없다.
계속해서, 다이싱 다이 본딩 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 링 프레임(40)이 첩부된 후, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 복수의 반도체칩(30a)을 수반하는 당해 다이싱 다이 본딩 필름(20)이 익스팬드 장치의 보지구(41)에 고정된다. 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 할단 라인(30c)으로 할단된 박막의 반도체 웨이퍼(30)(복수의 반도체칩(30a))는, 복수의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩(30a)으로서 개편화 가능하도록, 그 하면측에, 다음 공정에서 다이싱 예정 라인(X)을 따라 할단되게 되는 다이 본딩 필름(3)이 첩부되어 있다.
이어서, 상대적으로 저온(예를 들면, -30℃∼0℃)의 조건 하에서의 제 1 익스팬드 공정, 즉, 쿨 익스팬드 공정이, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이 행해지고, 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 다이 본딩 필름(접착제층)(3)이 반도체칩(30a)의 크기에 대응한 소편의 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)으로 할단되어, 다이 본딩 필름(3a)을 가지는 반도체칩(30a)이 얻어진다(도 5의 단계 S205:쿨 익스팬드 공정). 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재(도시하지 않음)가, 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되고, 개편화된 반도체 웨이퍼(30)(복수의 반도체칩(30a))가 첩합된 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 다이싱 테이프(10)가, 반도체 웨이퍼(30)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 2차원 방향으로 늘어나도록 익스팬드된다. 쿨 익스팬드에 의해 다이싱 테이프(10)의 전방향으로의 인장에 의해 생긴 내부 응력은, 개편화된 반도체 웨이퍼(30)(복수의 반도체칩(30a))에 첩부된 다이 본딩 필름(3)에 외부 응력으로서 전달된다. 이 외부 응력에 의해, 저온에서 취성화된 다이 본딩 필름(3)은, 반도체칩(30a)과 동일한 사이즈의 소편의 다이 본딩 필름(3a)으로 할단되어, 다이 본딩 필름(3a)을 가지는 반도체칩(30a)이 얻어진다.
상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들면, -30℃ 이상 0℃ 이하의 범위이고, 바람직하게는 -20℃ 이상 -5℃ 이하의 범위이며, 보다 바람직하게는 -15℃ 이상 -5℃ 이하의 범위이고, 특히 바람직하게는 -15℃이다. 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재가 상승하는 속도)는, 바람직하게는 0.1㎜/초 이상 1000㎜/초 이하의 범위이고, 보다 바람직하게는 10㎜/초 이상 300㎜/초 이하의 범위이다. 또한, 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드량(중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재의 밀어 올림 높이)은, 바람직하게는 3㎜ 이상 16㎜ 이하의 범위이다.
여기서, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 먼저, 그 기재 필름(1)의 MD 방향에 있어서, 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도가 9MPa 이상 18MPa 이하의 적정한 범위로 조정되어 있으므로, 저온에 있어서도 상응의 인장 강도를 가지고, 쿨 익스팬드에 의해 다이싱 테이프(10)의 전방향으로의 인장에 의해 생긴 내부 응력은, 기재 필름(1) 상의 점착제(2)에 밀착하고 있는 다이 본딩 필름(3)에 외부 응력으로서 효율적으로 전달되며, 그 결과, 다이 본딩 필름(3)이 개편화된 반도체칩의 형상을 따라, 깔끔하게 수율 좋게 할단된다.
상기 쿨 익스팬드 공정 후, 익스팬드 장치의 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재가 하강되어, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다.
이어서, 상대적으로 고온(예를 들면, 10℃∼30℃)의 조건 하에서의 제 2 익스팬드 공정, 즉, 상온 익스팬드 공정이, 도 8의 (d)에 나타내는 바와 같이 행해져, 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a) 사이의 거리(커프폭)가 넓혀진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 원기둥 형상의 테이블(도시하지 않음)이, 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿아 상승되고, 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 다이싱 테이프(10)가 익스팬드 된다(도 5의 단계 S206:상온 익스팬드 공정).
여기서, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 그 기재 필름(1)의 MD 방향에 있어서, 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도가 9MPa 이상 18MPa 이하의 적정한 범위로 조정되어 있으므로, 양호한 익스팬드성을 구비한다. 따라서, 상온 익스팬드 공정에 있어서, 익스팬드 중에 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 간격(커프폭)을 충분히 넓힐 수 있다.
상온 익스팬드 공정에 의해 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a) 사이의 거리(커프폭)를 충분히 확보함으로써, CCD 카메라 등에 의한 반도체칩(30a)의 인식성을 높임과 함께, 픽업 시에 인접하는 반도체칩(30a)끼리가 접촉함으로써 생기는 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)끼리의 재접착을 방지할 수 있다. 그 결과, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)의 픽업성이 향상한다.
상기 상온 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들면 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15℃ 이상 30℃ 이하의 범위이다. 상온 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(원기둥 형상의 테이블이 상승하는 속도)는, 예를 들면 0.1㎜/초 이상 50㎜/초 이하의 범위이고, 바람직하게는 0.3㎜/초 이상 30㎜/초 이하의 범위이다. 또한, 상온 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드량은, 예를 들면 3㎜ 이상 20㎜ 이하의 범위이다.
테이블의 상승에 의해 다이싱 테이프(10)가 상온 익스팬드된 후, 테이블은 다이싱 테이프(10)를 진공 흡착한다. 그리고, 테이블에 의한 그 흡착을 유지한 상태로, 테이블이 워크를 수반하여 하강되어, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(10) 상의 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)의 커프폭이 좁아지는 것을 억제하는 관점에서는, 다이싱 테이프(10)가 테이블에 진공 흡착된 상태로, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 열풍 분사에 의해 가열 수축(히트 슈링크)시켜, 익스팬드로 생긴 다이싱 테이프(10)의 늘어짐을 해소함으로써 긴장 상태를 유지하는 것이 바람직하다.
상기 가열 수축 후, 테이블에 의한 진공 흡착 상태가 해제된다. 상기 열풍의 온도는, 기재 필름(1)의 물성과, 열풍 분출구와 다이싱 테이프의 거리, 및 풍량 등에 따라 조정하면 된지만, 예를 들면 200℃ 이상 250℃ 이하의 범위가 바람직하다. 또한, 열풍 분출구와 다이싱 테이프의 거리는, 예를 들면 15㎜ 이상 25㎜ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 풍량은, 예를 들면 35L/분 이상 45L/분 이하의 범위가 바람직하다. 또한, 히트 슈링크 공정을 행할 때, 익스팬드 장치의 스테이지를, 예를 들면 3°/초 이상 10°/초 이하의 범위의 회전 속도로 회전시키면서, 다이싱 테이프(10)의 반도체칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 따라 열풍 분사를 행한다. 이와 같은 열풍 분사에 의해, 다이싱 테이프(10)의 표면의 온도는, 예를 들면, 60℃ 이상 100℃ 이하의 범위로 조정되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 70℃ 이상 90℃ 이하의 범위이다.
여기서, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 그 기재 필름(1)의 MD 방향에 있어서, 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도가 9MPa 이상 18MPa 이하의 범위에 있는 반면에, 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율이 50% 이상으로 되어 있으므로, 다이싱 테이프(10)를 상온 익스팬드했을 때에 기재 필름(1)에 발생한 응력이 충분히 낮은 값까지 조기에 감소하고, 상기의 적절한 범위의 인장 강도에 의해, 상온 익스팬드 시에 충분히 넓혀진 개개의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩의 간격(커프폭)에 해당하는 다이싱 테이프만의 부분(다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩이 존재하지 않는 부분)에 있어서, 익스팬드 상태가 해제되었을 때에 탄성에 의해 줄어들려고 하는 힘이 저감, 완화된다. 그 결과, 익스팬드 상태가 해제되는 일이 있더라도, 커프폭은 다소의 수축은 발생하지만, 원래의 간격으로부터 과도하게 줄어드는 경우는 없어, 일정량 보지할 수 있다. 또한, 반도체칩에 부착한 접착제층끼리가 접촉하는 것이나 반도체칩끼리의 간섭에 의한 에지의 손상 등을 방지할 수도 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 그 기재 필름(1)의 MD 방향에 있어서, 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률이 20% 이상으로 되어 있는 것에 더하여, 기재 필름(1) 상의 점착제층(2)의 열저항이 0.45K·㎠/W 이하로 되어 있다. 이에 의해, 히트 슈링크 공정에 있어서, 상온 익스팬드 시에 생긴 다이싱 테이프(10)의 늘어짐 부분(할단된 복수의 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩이 첩착된 영역보다 외측 부분)에 대하여, 점착제층(2)측으로부터 열풍을 분사했을 때에, 가해진 열이 기재 필름(1)에 효율적으로 전달되므로, 종래보다 단시간에 그 늘어짐 부분을 가열 수축시켜, 열 주름을 발생 시키지 않고 늘어짐을 제거하는 것이 가능해진다. 그 결과, 히트 슈링크 공정의 택트 타임을 종래보다 단시간화해도, 다이싱 테이프(10)의 늘어짐 부분을, 소정 정도의 장력이 작용하는 긴장 상태에 이르게 하는 것이 가능해져, 인접하는 다이 본딩 필름(접착제층)끼리가 접촉하여 재유착하는 것이나 반도체칩끼리의 간섭에 의해 에지가 손상되는 것을 억제할 수 있을 정도로, 익스팬드로 넓힌 커프폭을 충분히 보지할 수 있다.
이와 같이, 기재 필름(1)의 MD 방향에 있어서, 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도, 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율, 및 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률을 소정의 범위로 하고, 추가로 점착제층(2)의 열저항을 소정의 범위로 함으로써, 상온 익스팬드 직후에 커프폭이 좁아지는 것을 억제함과 함께, 상온 익스팬드 후의 히트 슈링크 공정에 있어서, 다이싱 테이프를 종래보다 단시간에 충분히 또한 균일하게 가열 수축시키는 것이 가능해지기 때문에, 인접하는 다이 본딩 필름(접착제층)끼리가 접촉하여 재유착하는 것이나 반도체칩끼리의 간섭에 의해 에지가 손상되는 것을 억제할 수 있을 정도까지, 익스팬드에 의해 넓힌 커프폭을 충분히 보지할 수 있는 것이다.
계속해서, 다이싱 테이프(10)에 대하여, 기재 필름(1)측으로부터 활성 에너지선을 조사함으로써, 점착제층(2)을 경화·수축시켜, 점착제층(2)의 다이 본딩 필름(3a)에 대한 점착력을 저하시킨다(도 5의 단계 S207:활성 에너지선 조사 공정). 여기서, 상기 조사에 이용하는 활성 에너지선으로서는, 자외선, 가시광선, 적외선, 전자선, β선, γ선 등을 들 수 있다. 이들 활성 에너지선 중에서도, 자외선(UV) 및 전자선(EB)이 바람직하고, 특히 자외선(UV)이 바람직하게 이용된다. 상기 자외선(UV)을 조사하기 위한 광원으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 블랙 라이트, 자외선 형광등, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 카본 아크등, 메탈할라이드 램프, 크세논 램프 등을 이용할 수 있다. 또한, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, 엑시머 램프 또는 싱크로트론 방사광 등도 이용할 수 있다. 상기 자외선(UV)의 조사 광량은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 100mJ/㎠ 이상 2,000mJ/㎠ 이하의 범위인 것이 바람직하며, 300mJ/㎠ 이상 1,000mJ/㎠ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
계속해서, 개편화된 각각의 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을, 다이싱 테이프(10)의 자외선(UV) 조사 후의 점착제층(2)으로부터 떼어내는 소위 픽업을 행한다(도 5의 단계 S208:박리(픽업) 공정).
상기 픽업의 방법으로서는, 예를 들면, 도 8의 (e)에 나타내는 바와 같이, 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)의 제 2 면을 밀어 올림 핀(니들)(60)에 의해 밀어 올림과 함께, 도 8의 (f)에 나타내는 바와 같이, 밀어 올려진 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을, 픽업 장치(도시하지 않음)의 흡착 콜릿(50)에 의해 흡인하여 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 떼어내는 방법 등을 들 수 있다. 이에 의해, 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)이 얻어진다.
픽업 조건으로서는, 실용상, 허용할 수 있는 범위이면 특별히 한정되지 않고, 통상은, 밀어 올림 핀(니들)(60)의 밀어 올림 속도는, 1㎜/초 이상 100㎜/초 이하의 범위 내에서 설정되는 경우가 많지만, 반도체칩(30a)의 두께(반도체 웨이퍼의 두께)가 100㎛로 얇은 경우에는, 박막의 반도체칩(30a)의 손상 억제의 관점에서, 1㎜/초 이상 20㎜/초 이하의 범위 내에서 설정하는 것이 바람직하다. 생산성을 가미한 관점에서는, 5㎜/초 이상 20㎜/초 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 보다 바람직하다.
또한, 반도체칩(30a)이 손상되지 않고 픽업이 가능해지는 밀어 올림 핀의 밀어 올림 높이는, 예를 들면, 상기와 마찬가지의 관점에서, 100㎛ 이상 600㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 바람직하고, 반도체 박막칩에 대한 응력 경감의 관점에서, 100㎛ 이상 450㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 보다 바람직하다. 생산성을 가미한 관점에서는, 100㎛ 이상 350㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 밀어 올림 높이를 보다 작게 할 수 있는 다이싱 테이프는 픽업성이 우수하다고 할 수 있다.
또한, 도 8의 (a)∼(f)에서 설명한 제조 방법은, 다이싱 다이 본딩 필름(20)을 이용한 반도체칩(30a)의 제조 방법의 일례(SDBG)이며, 다이싱 테이프(10)를 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 형태로서 사용하는 방법은, 상기의 방법에 한정되지 않는다. 즉, 다이싱 다이 본딩 필름(20)은, 다이싱 시에, 반도체 웨이퍼(30)에 첩부되는 것이면, 상기의 방법에 한정되지 않고 사용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, DBG, 스텔스 다이싱, SDBG 등의 박막 반도체칩을 얻기 위한 제조 방법에 있어서, 다이 본딩 필름(3)과 일체화하여 다이싱 다이 본딩 필름(20)으로서 이용하기 위한 다이싱 테이프(10)로서 적합하다.
<반도체 장치의 제조 방법>
본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프(10)와 다이 본딩 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이 본딩 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체칩이 탑재된 반도체 장치에 관하여, 이하, 구체적으로 설명한다.
반도체 장치(반도체 패키지)는, 예를 들면, 상술의 다이 본딩 필름(접착제층)(3a)을 가지는 반도체칩(30a)을 반도체칩 탑재용 지지 부재 또는 반도체칩에 가열 압착하여 접착시키고, 그 후, 와이어 본딩 공정과 밀봉재에 의한 밀봉 공정 등의 공정을 거치는 것에 의해 얻을 수 있다.
도 9는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프(10)와 와이어 매립형 다이 본딩 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이 본딩 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체칩이 탑재된 적층 구성의 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다. 도 9에 나타내는 반도체 장치(70)는, 반도체칩 탑재용 지지 기판(71)과, 경화된 다이 본딩 필름(접착제층)(3a1, 3a2)과, 1단째의 반도체칩(30a1)과, 2단째의 반도체칩(30a2)과, 밀봉재(75)를 구비하고 있다. 반도체칩 탑재용 지지 기판(71), 경화된 다이 본딩 필름(3a1) 및 반도체칩(30a1)은, 반도체칩(30a2)의 지지 부재(76)를 구성하고 있다.
반도체칩 탑재용 지지 기판(71)의 일방의 면에는, 외부 접속 단자(72)가 복수 배치되어 있고, 반도체칩 탑재용 지지 기판(71)의 타방의 면에는, 단자(73)가 복수 배치되어 있다. 반도체칩 탑재용 지지 기판(71)은, 반도체칩(30a1) 및 반도체칩(30a2)의 접속 단자(도시 생략)와, 외부 접속 단자(72)를 전기적으로 접속하기 위한 와이어(74)를 가지고 있다. 반도체칩(30a1)은, 경화된 다이 본딩 필름(3a1)에 의해 반도체칩 탑재용 지지 기판(71)에 외부 접속 단자(72)에 유래하는 요철을 매립하는 형태로 접착되어 있다. 반도체칩(30a2)은, 경화된 다이 본딩 필름(3a2)에 의해 반도체칩(30a1)에 접착되어 있다. 반도체칩(30a1), 반도체칩(30a2) 및 와이어(74)는, 밀봉재(75)에 의해 밀봉되어 있다. 이와 같이 와이어 매립형 다이 본딩 필름(3a)은, 반도체칩(30a)을 복수 포개는 적층 구성의 반도체 장치에 적합하게 사용된다.
또한, 도 10은, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프(10)와 범용 다이 본딩 필름(3)을 일체화한 다이싱 다이 본딩 필름(20)을 이용하여 제조된 반도체칩이 탑재된 다른 반도체 장치의 일 양태의 모식 단면도이다. 도 10에 나타내는 반도체 장치(80)는, 반도체칩 탑재용 지지 기판(81)과, 경화된 다이 본딩 필름(3a)과, 반도체칩(30a)과, 밀봉재(85)를 구비하고 있다. 반도체칩 탑재용 지지 기판(81)은, 반도체칩(30a)의 지지 부재이고, 반도체칩(30a)의 접속 단자(도시 생략)와 반도체칩 탑재용 지지 기판(81)의 주면(主面)에 배치된 외부 접속 단자(도시 생략)를 전기적으로 접속하기 위한 와이어(84)를 가지고 있다. 반도체칩(30a)은, 경화된 다이 본딩 필름(3a)에 의해 반도체칩 탑재용 지지 기판(81)에 접착되어 있다. 반도체칩(30a) 및 와이어(84)는, 밀봉재(85)에 의해 밀봉되어 있다.
[실시예]
이하의 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
1. 기재 필름(1)의 제작
기재 필름 1(a)∼(x)를 제작하기 위한 재료로서 하기의 수지를 각각 준비했다.
(에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO))
· 수지 (IO1)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 2-메틸-프로필=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체, Zn2+ 이온에 의한 중화도:60몰%, 융점:86℃, MFR:1g/10분(190℃/2.16kg 하중), 밀도:0.96g/㎤, 비카트 연화점:56℃
· 수지 (IO2)
에틸렌/메타크릴산/아크릴산 2-메틸-프로필=80/10/10의 질량 비율로 이루어지는 3원 공중합체, Zn2+ 이온에 의한 중화도:70몰%, 융점:87℃, MFR:1g/10분(190℃/2.16kg 하중), 밀도:0.96g/㎤, 비카트 연화점:57℃
(폴리아미드 수지(PA))
· 수지 (PA1)
나일론 6, 융점:225℃, 밀도:1.13g/㎤
(기타 수지(C))
· 수지 (TPO)
열가소성 폴리올레핀계 엘라스토머(에틸렌-α-올레핀 랜덤 공중합체), MFR:3.6g/10분(190℃/2.16kg 하중), 밀도:0.87g/㎤, 비카트 연화점:41℃
· 수지 (POPE)
폴리올레핀-폴리에테르 블록 공중합체(고분자형 대전 방지제), 융점:115℃, MFR:15g/10분(190℃/2.16kg 하중)
· 수지 (PP)
랜덤 공중합 폴리프로필렌, 융점 138℃, 비카트 연화점:110℃
· 수지 (LDPE)
저밀도 폴리에틸렌, 융점 116℃, 비카트 연화점:97℃
· 수지 (EVA)
에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아세트산 비닐 함유량 20질량%, 융점 82℃, 밀도:0.94g/㎤, 비카트 연화점:53℃
· 수지 (TPU)
열가소성 폴리우레탄
(기재 필름 1(a))
아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)로서 (IO1), 폴리아미드 수지(PA)로서 (PA1)을 준비했다. 먼저, 상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (PA1)를, (IO1):(PA1)=90:10의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(a)용 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 수지 조성물을, 1종(동일 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 동일 수지의 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(a)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)의 총량과 폴리아미드 수지(PA)의 총량의 질량 비율은, (IO)의 총량:(PA)의 총량=90:10이다.
(기재 필름 1(b))
상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (PA1)를, (IO1):(PA1)=85:15의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지 조성물에 의한 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(b)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)의 총량과 폴리아미드 수지(PA)의 총량의 질량 비율은, (IO)의 총량:(PA)의 총량=85:15이다.
(기재 필름 1(c))
상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (PA1)를, (IO1):(PA1)=80:20의 질량 비율로 드라이 블렌드한 것 이외는, 기재 필름 1(a)와 마찬가지로 하여, 동일 수지 조성물에 의한 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(c)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)의 총량과 폴리아미드 수지(PA)의 총량의 질량 비율은, (IO)의 총량:(PA)의 총량=80:20이다.
(기재 필름 1(d))
상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)로서 (IO1), 폴리아미드 수지(PA)로서 (PA1), 기타 수지(C)로서 열가소성 폴리올레핀계 엘라스토머(에틸렌-α-올레핀 랜덤 공중합체)(TPO)를 준비했다. 먼저, 제 1 수지층, 제 3 수지층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (PA1)를, (IO1):(PA1)=85:15의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(d)의 제 1 수지층, 제 3 수지층용의 수지 조성물을 얻었다.
또한, 제 2 수지층용의 수지로서, 상기 열가소성 폴리올레핀계 엘라스토머(에틸렌-α-올레핀 랜덤 공중합체)=(TPO)를 단독으로 이용했다. 각각의 수지 조성물 및 수지를, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종류의 수지 조성물에 의한 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(d)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)의 총량과 폴리아미드 수지(PA)의 총량의 질량 비율은, (IO)의 총량:(PA)의 총량=85:15이다. 또한, 층 전체에 있어서의 수지(IO)와 수지(PA)의 합계량의 함유 비율은 67질량%이다.
(기재 필름 1(e))
상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)로서 (IO1) 및 (IO2), 폴리아미드 수지(PA)로서 (PA1)을 준비했다. 먼저, 제 1 수지층, 제 3 수지층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (PA1)를, (IO1):(PA1)=90:10의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(e)의 제 1 수지층, 제 3 수지층용의 수지 조성물을 얻었다. 또한, 제 2 수지층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO2)를 단독으로 이용했다. 각각의 수지 조성물 및 수지를, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종류의 수지 조성물에 의한 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(e)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)의 총량과 폴리아미드 수지(PA)의 총량의 질량 비율은, (IO)의 총량:(PA)의 총량=93:7이다.
(기재 필름 1(f))
상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)로서 (IO1), 폴리아미드 수지(PA)로서 (PA1), 기타 수지(C)로서 열가소성 폴리올레핀계 엘라스토머(에틸렌-α-올레핀 랜덤 공중합체)(TPO) 및 폴리올레핀-폴리에테르 블록 공중합체(POPE)를 준비했다. 먼저, 제 1 수지층, 제 2 수지층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO1) 및 상기 폴리아미드 수지 (PA1)를, (IO1):(PA1)=90:10의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(f)의 제 1 수지층, 제 2 수지층용의 수지 조성물을 얻었다.
또한, 제 3 수지층용의 수지로서, 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO1), 폴리아미드 수지 (PA1), 열가소성 폴리올레핀계 엘라스토머(TPO), 폴리올레핀-폴리에테르 블록 공중합체(POPE)를 각각 76:8:8:8의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 다이스 온도 230℃에서 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(f)의 제 3 수지층용의 수지 조성물을 얻었다. 각각의 수지 조성물을, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 가공 온도 240℃의 조건에서 성형하여, 2종류의 수지 조성물에 의한 3층 구성의 두께 80㎛의 기재 필름 1(f)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/20㎛로 했다. 층 전체에 있어서의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)의 총량과 폴리아미드 수지(PA)의 총량의 질량 비율은, (IO)의 총량:(PA)의 총량=90:10이다. 또한, 층 전체에 있어서의 수지(IO)와 수지(PA)의 합계량의 함유 비율은 95질량%이다.
(기재 필름 1(g))
기타 수지(C)로서, 랜덤 공중합 폴리프로필렌(PP) 및 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)를 준비했다. 제 1 수지층, 제 3 수지층용으로서 랜덤 공중합 폴리프로필렌(PP), 제 2 수지층용으로서 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)를 이용하여, 각각의 수지를, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기에 의해, 2종류의 수지에 의한 3층 구성의 두께 80㎛의 기재 필름 1(g)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=8㎛/64㎛/8㎛로 했다. 층 전체로서의 PP/EVA의 질량 비율은, PP/EVA=20질량%/80질량%이다.
(기재 필름 1(h))
기타 수지(C)로서, 랜덤 공중합 폴리프로필렌(PP) 및 저밀도 폴리에틸렌(LDPE)을 준비했다. 제 1 수지층, 제 3 수지층용으로서 랜덤 공중합 폴리프로필렌(PP), 제 2 수지층용으로서 저밀도 에틸렌(LDPE)을 이용하여, 각각의 수지를, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기에 의해, 2종류의 수지에 의한 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(h)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=10㎛/70㎛/10㎛로 했다. 층 전체로서의 PP/LDPE의 질량 비율은, PP/LDPE=22질량%/78질량%이다.
(기재 필름 1(i))
상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)로서 (IO1), 기타 수지(C)로서 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA) 및 열가소성 폴리우레탄(TPU)을 준비했다. 먼저, 제 2 수지층용의 수지로서, 상기 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지 (IO1) 및 상기 열가소성 폴리우레탄(TPU)을, (IO1):(TPU)=50:50의 질량 비율로 드라이 블렌드했다. 이어서, 2축 압출기의 수지 투입구에 드라이 블렌드한 혼합물을 투입하여, 용융 혼련함으로써, 기재 필름 1(i)의 제 2 수지층용의 수지 조성물을 얻었다. 또한, 제 1 수지층, 제 3 수지층용의 수지로서, 상기 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)를 단독으로 이용했다. 각각의 수지 및 수지 조성물을, 2종(2종류의 수지) 3층 T다이 필름 성형기를 이용하여, 각각의 압출기에 투입하고, 2종류의 수지 조성물에 의한 3층 구성의 두께 90㎛의 기재 필름 1(i)를 제작했다. 각 층의 두께는, 제 1 수지층(점착제층(2)에 접하는 면측)/제 2 수지층/제 3 수지층=30㎛/30㎛/30㎛로 했다. 층 전체로서의 EVA/IO/TPU의 질량 비율은, EVA/IO/TPU=67질량%/16.5/16.5질량%이다.
[기재 필름의 인장 강도]
기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도는, 이하의 방법에 의해 측정했다. 먼저, MD 방향 측정용의 시료(시료수 N=5)로서 길이 100㎜(MD 방향), 폭 10㎜(TD 방향)의 형상의 시험편을 준비했다. 계속해서, 23℃의 온도 조건에서, 미네베아미츠미주식회사제의 인장 압축 시험기(형식:MinebeaTechnoGraph TG-5kN)를 이용하여, 시험편의 길이 방향의 양단을 척간 초기 거리 50㎜가 되도록 척으로 고정하고, 300㎜/분의 속도로 인력 시험을 행하여, 인장 하중-신장 곡선을 측정했다. 그리고, 얻어진 인장 하중-신장 곡선으로부터, 100% 신장 시(척간 거리 100㎜ 시)에 있어서의 인장 하중값을 구하고, 그 값을 기재 필름(1)의 두께로 나누어, 인장 강도(단위:MPa)를 구했다. 시료수 N=5로 측정을 행하고, 그 평균값을 MD 방향의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도로 했다.
[기재 필름의 응력 완화율]
기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율은, 이하의 방법에 의해 측정했다. 먼저, MD 방향 측정용의 시료(시료수 N=5)로서 길이 100㎜(MD 방향), 폭 10㎜(TD 방향)의 형상의 시험편을 준비했다. 계속해서, 23℃의 온도 조건에서, 미네베아미츠미주식회사제의 인장 압축 시험기(형식:MinebeaTechnoGraph TG-5kN)를 이용하여, 시험편의 길이 방향의 양단을 척간 초기 거리 50㎜가 되도록 척으로 고정하고, 300㎜/분의 속도로 인력 시험을 행하여, 100% 연신했을 때의 인장 하중값 A, 및 당해 100%의 연신 변형을 부여한 상태 그대로 100초간 보지한 후의 인장 하중값 B를 구했다. 그리고, 하기 식
100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율(%)=[(A-B)/A]×100
으로부터 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율을 산출했다. 시료수 N=5로 측정을 행하고, 그 평균값을 MD 방향의 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율로 했다.
[기재 필름의 열수축률]
기재 필름(1)의 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률은, 이하의 방법에 의해 측정했다. 먼저, MD 방향 측정용의 시료(시료수 N=5)로서 길이 100㎜(MD 방향), 폭 10㎜(TD 방향)의 형상의 시험편을 준비하고, 50㎜의 간격으로 2개의 표선을 그었다. 계속해서, 23℃의 온도 조건에서, 미네베아미츠미주식회사제의 인장 압축 시험기(형식:MinebeaTechnoGraph TG-5kN)를 이용하여, 시험편의 길이 방향의 양단을 척간 초기 거리 50㎜(초기 표선간 거리)가 되도록 척으로 고정하고, 300㎜/분의 속도로 인력 시험을 행하여, 먼저, 100% 연신하고, 당해 100% 연신 변형을 부여한 상태 그대로 100초간 보지했을 때의 표선의 간격 C를 측정했다. 이어서, 하단의 척을 개방하여 당해 기재 필름(1)의 시험편을 텐션프리의 상태로 하여, 미네베아미츠미주식회사제의 항온조(형식:THB-A13-038) 내에서 80℃에서 1분간 가열한 후에, 다시 당해 표선의 간격 D를 측정했다. 그리고, 하기 식
100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률(%)=[(C-D)/C]×100
으로부터 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률을 산출했다. 시료수 N=5로 측정을 행하고, 그 평균값을 MD 방향의 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률로 했다.
2. 점착제 조성물의 용액의 조제
다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)용의 점착제 조성물로서, 하기의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)∼2(g)의 용액을 조제했다.
또한, 이들 점착제 조성물의 베이스 폴리머(아크릴산 에스테르 공중합체)를 구성하는 공중합 모노머 성분으로서,
· 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA, 분자량:184.3, Tg:-70℃),
· 아크릴산-2히드록시에틸(2-HEA, 분자량:116.12, Tg:-15℃),
· 메타크릴산(MAA, 분자량:86.06, Tg:228℃)
를 준비했다.
또한, 폴리이소시아네이트계 가교제로서, 토소주식회사제의
· TDI계의 폴리이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L-45E, 고형분 농도:45질량%, 용액 중의 이소시아네이트기 함유량:8.05질량%, 고형분 중의 이소시아네이트기 함유량:17.89질량%, 계산상의 이소시아네이트기의 수:평균 2.8개/1분자, 이론상 분자량:656.64),
· HDI계의 폴리이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트HL, 고형분 농도:75질량%, 용액 중의 이소시아네이트기 함유량:12.8질량%, 고형분 중의 이소시아네이트기 함유량:17.07질량%, 계산상의 이소시아네이트기의 수:평균 2.6개/1분자, 이론상 분자량:638.75)
를 준비했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액)
공중합 모노머 성분으로서, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2히드록시에틸(2-HEA), 메타크릴산(MAA)을 준비했다. 이들 공중합 모노머 성분을, 2-EHA/2-HEA/MAA=78.5질량부/21.0질량부/0.5질량부(=425.94mmol/180.85mmol/5.81mmol)의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 프리 라디칼 중합(용액 중합)에 의해, 수산기를 가지는 베이스 폴리머(아크릴산 에스테르 공중합체)의 용액을 합성했다. 얻어진 베이스 폴리머의 Fox의 식으로부터 산출한 Tg는 -60℃이다.
다음에, 이 베이스 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 쇼와전공주식회사제의 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 쇼와전공주식회사제의 이소시아네이트기와 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트(상품명:카렌즈MOI, 분자량:155.15, 이소시아네이트기:1개/1분자, 이중 결합기:1개/1분자) 21.0질량부(135.35mmol:2-HEA에 대하여 74.8mol%)를 배합하고, 2-HEA의 수산기의 일부와 반응시켜, 탄소-탄소 이중 결합을 측쇄에 가지는 아크릴계 점착성 폴리머 (A)의 용액(고형분 농도:50질량%, 중량 평균 분자량(Mw):40만, 분자량 분포(Mw/Mn):9.5, 고형분 수산기가:21.1㎎KOH/g, 고형분 산가:2.7㎎KOH/g, 탄소-탄소 이중 결합 함유량:1.12mmol/g)을 합성했다. 또한, 상기의 반응에 있어서는, 탄소-탄소 이중 결합의 반응성을 유지하기 위한 중합 금지제로서 히드로퀴논·모노메틸에테르를 0.05질량부 이용했다.
계속해서, 상기에서 합성한 아크릴계 점착성 폴리머 (A)의 용액 200질량부(고형분 환산 100질량부)에 대하여, IGM Resins B.V.사제의 α-히드록시알킬페논계 광중합 개시제(상품명:Omnirad184)를 2.0질량부, IGM Resins B.V.사제의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제(상품명:Omnirad819)를 0.4질량부, 가교제로서 토소주식회사제의 TDI계의 폴리이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L-45E, 고형분 농도:45질량%)를 2.56질량부(고형분 환산 1.15질량부, 1.75mmol)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액을 조제했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)의 용액)
공중합 모노머 성분으로서, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2히드록시에틸(2-HEA), 메타크릴산(MAA)을 준비했다. 이들 공중합 모노머 성분을, 2-EHA/2-HEA/MAA=78.5질량부/21.0질량부/0.5질량부(=425.94mmol/180.85mmol/5.81mmol)의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 2-메틸-2-n-부틸테라닐-프로피온산 에틸 및 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 리빙 라디칼 중합(용액 중합)에 의해, 수산기를 가지는 베이스 폴리머(아크릴산 에스테르 공중합체)의 용액을 합성했다. 얻어진 베이스 폴리머의 Fox의 식으로부터 산출한 Tg는 -60℃이다.
다음에, 이 베이스 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 쇼와전공주식회사제의 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 쇼와전공주식회사제의 이소시아네이트기와 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트(상품명:카렌즈MOI, 분자량:155.15, 이소시아네이트기:1개/1분자, 이중 결합기:1개/1분자) 21.0질량부(135.35mmol:2-HEA에 대하여 74.8mol%)를 배합하고, 2-HEA의 수산기의 일부와 반응시켜, 탄소-탄소 이중 결합을 측쇄에 가지는 아크릴계 점착성 폴리머 (B)의 용액(고형분 농도:50질량%, 중량 평균 분자량(Mw):41만, 분자량 분포(Mw/Mn):1.8, 고형분 수산기가:21.1㎎KOH/g, 고형분 산가:2.7㎎KOH/g, 탄소-탄소 이중 결합 함유량:1.12mmol/g)을 합성했다. 또한, 상기의 반응에 있어서는, 탄소-탄소 이중 결합의 반응성을 유지하기 위한 중합 금지제로서 히드로퀴논·모노메틸에테르를 0.05질량부 이용했다.
계속해서, 상기에서 합성한 아크릴계 점착성 폴리머 (B)의 용액 200질량부(고형분 환산 100질량부)에 대하여, IGM Resins B.V.사제의 α-히드록시알킬페논계 광중합 개시제(상품명:Omnirad184)를 2.0질량부, IGM Resins B.V.사제의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제(상품명:Omnirad819)를 0.4질량부, 가교제로서 토소주식회사제의 TDI계의 폴리이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L-45E, 고형분 농도:45질량%)를 2.56질량부(고형분 환산 1.15질량부, 1.75mmol)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)의 용액을 조제했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(c)의 용액)
공중합 모노머 성분으로서, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2히드록시에틸(2-HEA), 메타크릴산(MAA)을 준비했다. 이들 공중합 모노머 성분을, 2-EHA/2-HEA/MAA=78.5질량부/21.0질량부/0.5질량부(=425.94mmol/180.85mmol/5.81mmol)의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 프리 라디칼 중합(용액 중합)에 의해, 수산기를 가지는 베이스 폴리머(아크릴산 에스테르 공중합체)의 용액을 합성했다. 얻어진 베이스 폴리머(아크릴계 점착성 폴리머)의 Fox의 식으로부터 산출한 Tg는 -60℃, 중량 평균 분자량(Mw)은 40만, 분자량 분포(Mw/Mn)는 9.5이다.
다음에, 이 베이스 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 자외선 경화성 우레탄아크릴레이트계 올리고머 120질량부(중량 평균 분자량(Mw):1,000, 수산기가:1㎎KOH/g, 이중 결합 당량:167), 광중합 개시제로서 IGM Resins B.V.사제의 α-아미노알킬페논계 광중합 개시제(상품명:Omnirad369)를 1.0질량부, 가교제로서 토소사제의 이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L-45, 고형분 농도:45질량%)를 11.1질량부(고형분 환산 5.0질량부)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(c)의 용액을 조제했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(d)의 용액)
공중합 모노머 성분으로서, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2히드록시에틸(2-HEA), 메타크릴산(MAA)을 준비했다. 이들 공중합 모노머 성분을, 2-EHA/2-HEA/MAA=78.5질량부/21.0질량부/0.5질량부(=425.94mmol/180.85mmol/5.81mmol)의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 2-메틸-2-n-부틸테라닐-프로피온산 에틸 및 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 리빙 라디칼 중합(용액 중합)에 의해, 수산기를 가지는 베이스 폴리머(아크릴산 에스테르 공중합체)의 용액을 합성했다. 얻어진 베이스 폴리머의 Fox의 식으로부터 산출한 Tg는 -60℃, 중량 평균 분자량(Mw)은 41만, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.8이다.
다음에, 이 베이스 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 자외선 경화성 우레탄아크릴레이트계 올리고머 120질량부(중량 평균 분자량(Mw):1,000, 수산기가:1㎎KOH/g, 이중 결합 당량:167), 광중합 개시제로서 IGM Resins B.V.사제의 α-아미노알킬페논계 광중합 개시제(상품명:Omnirad369)를 1.0질량부, 가교제로서 토소사제의 이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L-45, 고형분 농도:45질량%)를 11.1질량부(고형분 환산 5.0질량부)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(d)의 용액을 조제했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(e)의 용액)
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)의 용액에 대하여, 열전도성 필러로서 산화알루미늄(평균 입자경:1.2㎛, 진비중:3.95)을 체적 비율로 20%, 양성 분산제(빅케미사제, 상품명 "DISPERBYK145")를 열전도성 필러에 대하여 2.34질량부가 되도록 더 배합하고, 교반한 것 이외는 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)의 용액의 조정과 마찬가지로 하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(e)의 용액을 조제했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(f)의 용액)
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)의 용액에 대하여, 열전도성 필러로서 산화알루미늄(평균 입자경:1.2㎛, 진비중:3.95)을 체적 비율로 10%, 양성 분산제(빅케미사제, 상품명 "DISPERBYK145")를 열전도성 필러에 대하여 2.34질량부가 되도록 더 배합하고, 교반한 것 이외는 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)의 용액의 조정과 마찬가지로 하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(f)의 용액을 조제했다.
(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(g)의 용액)
상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(d)의 용액에 대하여, 열전도성 필러로서 산화알루미늄(평균 입자경:1.2㎛, 진비중:3.95)을 체적 비율로 10%, 양성 분산제(빅케미사제, 상품명 "DISPERBYK145")를 열전도성 필러에 대하여 2.34질량부가 되도록 더 배합하고, 교반한 것 이외는 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(d)의 용액의 조정과 마찬가지로 하여, 고형분 농도 22질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(g)의 용액을 조제했다.
[점착제층의 열저항]
점착제층(2)의 열저항은, 이하의 방법에 의해 측정했다. 먼저, 두께 38㎛의 박리 PET 라이너(나카모토팩스사제, 상품명 "NS-38+A")의 박리 처리면측에, 건조 후의 두께가 100㎛가 되도록, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물의 용액을 도포하여, 100℃의 온도에서 3분간 가열함으로써 용제를 건조시킨 후, 그 점착제층의 위에, 두께 50㎛의 박리 PET 라이너(나카모토팩스사제, 상품명 "NS-50-ZW")의 박리 처리면을 포개어, 기재레스의 점착 시트를 제작했다. 그 후, 당해 점착 시트를 23℃의 온도에서 96시간 보존하여 점착제층을 가교, 경화시켰다. 계속해서, 가교, 경화시킨 기재레스의 점착 시트를 길이 150㎜, 폭 50㎜의 크기로 재단하여, 박리 PET 라이너를 모두 박리한 점착제층만의 평가 샘플을 제작하고, 그 평가 샘플을 10매 포개어 총 두께 1㎜의 점착제층만으로 이루어지는 적층체로 하여, 쿄토전자공업사제의 신속 열전도율계 "QTM-500(형식)"을 이용하여, 핫 와이어법에 의해, 박막 측정용 소프트와 조합하여 상기 점착제층만으로 이루어지는 적층체의 열전도율(λ)을 측정했다. 본 측정의 레퍼런스에는, 실리콘 수지, 석영, 지르코니아를 이용했다. 그리고, 하기 식
열저항(K·㎠/W)=(L/100)/λ
로부터, 점착제층(2)의 열저항을 산출했다. 여기서, L은, 실제의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 두께(단위:㎛)이다. 시료수 N=3으로 측정을 행하고, 그 평균값을 점착제층(2)의 열저항으로 했다.
3. 접착제 조성물의 용액의 조제
다이싱 다이 본딩 필름(20)의 다이 본딩 필름(접착제층)(3)용의 접착제 조성물로서, 하기의 접착제 조성물 3(a) 및 3(b)의 용액을 조제했다.
(접착제 조성물 3(a)의 용액)
범용 다이 본딩 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물 3(a)의 용액을 조제, 준비했다. 먼저, 열경화성 수지로서 도토화성주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명:YDCN-700-10, 에폭시 당량 210, 연화점 80℃) 54질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명:미렉스XLC-LL, 수산기 당량:175, 흡수율:1.8%) 46질량부, 무기 필러로서 일본에어로실주식회사제의 실리카(상품명:에어로실R972, 평균 입자경 0.016㎛) 32질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 274질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUC A-1160) 5.0질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUC A-189) 1.7질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠화성주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명:큐어졸2PZ-CN) 0.1질량부 첨가하여, 교반 혼합하고, 100메시의 필터로 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(a)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=73.3질량%:14.4질량%:12.3질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 8.6질량%였다.
(접착제 조성물 3(b)의 용액)
와이어 매립형 다이 본딩 필름용으로서, 이하의 접착제 조성물용액 3(b)의 용액을 조제, 준비했다. 먼저, 열경화성 수지로서 주식회사프린텍제의 비스페놀형 에폭시 수지(상품명:R2710, 에폭시 당량:170, 분자량:340, 상온에서 액상) 26질량부, 도토화성주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명:YDCN-700-10, 에폭시 당량 210, 연화점 80℃) 36질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명:미렉스XLC-LL, 수산기 당량:175, 연화점:77℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:4질량%) 1질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명:HE200C-10, 수산기 당량:200, 연화점:71℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:4질량%) 25질량부, 에어·워터주식회사제의 페놀 수지(상품명:HE910-10, 수산기 당량:101, 연화점:83℃, 흡수율:1질량%, 가열 질량 감소율:3질량%) 12질량부, 무기 필러로서 애드머테크주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명:SC2050-HLG, 평균 입자경:0.50㎛) 15질량부, 애드머테크주식회사제의 실리카 필러 분산액(상품명:SC1030-HJA, 평균 입자경:0.25㎛) 14질량부, 일본에어로실주식회사제의 실리카(상품명:에어로실R972, 평균 입자경:0.016㎛) 1질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.
이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 제 1 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 37질량부, 제 2 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 9질량부, 실란 커플링제로서 GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUC A-1160) 0.7질량부, GE도시바주식회사제의 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUC A-189) 0.3질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠화성주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명:큐어졸2PZ-CN) 0.03질량부 첨가하여, 교반 혼합하고, 100메시의 필터에서 여과한 후, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 조성물 3(b)의 용액을 조제했다. 수지 성분 전량(열가소성 수지, 열경화성 수지 및 가교제의 합계 질량)에 있어서의 각 수지 성분의 함유 비율은, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체:에폭시 수지:페놀 수지=31.5질량%:42.5질량%:26.0질량%였다. 또한, 무기 필러의 함유량은 수지 성분 전량에 대하여 20.5질량%였다.
[다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 80℃에서의 전단 점도의 측정]
접착제 조성물 3(a) 및 3(b)의 용액으로 형성한 각 다이 본딩 필름(접착제층)(3)에 관하여, 하기의 방법에 의해, 80℃에서의 전단 점도를 측정했다.
박리 라이너를 제거한 다이 본딩 필름(접착제층)(3)을 총 두께가 200∼210㎛가 되도록 70℃에서 복수매 첩합하여 적층체를 제작했다. 이어서, 그 적층체를, 두께 방향으로 10㎜×10㎜의 크기로 펀칭하여 측정 샘플로 했다. 계속해서, 동적 점탄성 장치 ARES(레오메트릭·사이언티픽·F·E사제)를 이용하여, 직경 8㎜의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 장착한 후, 측정 샘플을 세팅했다. 측정 샘플에 35℃에서 5%의 변형을 부여하면서, 승온 속도 5℃/분의 조건으로 측정 샘플을 승온하면서 전단 점도를 측정하여, 80℃에서의 전단 점도의 값을 구했다.
4. 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 제작
(실시예 1)
두께 38㎛의 박리 PET 라이너(나카모토팩스사제, 상품명 "NS-38+A")의 박리 처리면측에 건조 후의 점착제층(2)의 두께가 7㎛가 되도록, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 (a)의 용액을 도포하여 100℃의 온도에서 3분간 가열함으로써 용매를 건조시킨 후에, 점착제층(2) 상에 기재 필름 1(a)의 제 1 층측의 표면을 첩합하여, 다이싱 테이프(10)의 원판을 제작했다. 그 후, 다이싱 테이프(10)의 원판을 23℃의 온도에서 96시간 보존하여 점착제층(2)을 가교, 경화시켰다.
이어서, 다이 본딩 필름(접착제층)(3) 형성용의 접착제 조성물 3(a)의 용액을 준비하고, 두께 38㎛의 박리 PET 라이너(나카모토팩스사제, 상품명 "NS-38+A")의 박리 처리면측에 건조 후의 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 두께가 20㎛가 되도록, 상기 접착제 조성물 3(a)의 용액을 도포하여, 먼저 90℃의 온도에서 5분간, 계속해서 140℃의 온도에서 5분간의 2단계로 가열함으로써 용매를 건조시켜, 박리 라이너를 구비한 다이 본딩 필름(접착제층)(3)을 제작했다. 또한, 필요에 따라, 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 건조면측에는 보호 필름(예를 들면, 폴리에틸렌 필름 등)을 첩합해도 된다.
계속해서, 상기에서 제작한 박리 라이너를 구비한 다이 본딩 필름(접착제층)(3)을, 박리 라이너마다 직경 335㎜의 원형으로 커트하고, 당해 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 접착제층 노출면(박리 라이너가 없는 면)을, 박리 라이너를 박리한 상기 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)면에 첩합했다. 첩합 조건은, 온도 23℃, 속도 10㎜/초, 선압 30kgf/㎝로 했다.
마지막으로, 직경 370㎜의 원형으로 다이싱 테이프(10)를 커트함으로써, 직경 370㎜의 원형의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 상측 중심부에 직경 335㎜의 원형의 다이 본딩 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(a))을 제작했다.
(실시예 2∼6)
기재 필름 1(a)를, 각각 표 1∼2에 나타낸 기재 필름 1(b)∼1(f)로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(b)∼DDF(f))을 제작했다.
(실시예 7∼10)
건조 후의 점착제층(2)의 두께를, 표 2, 3에 나타낸 두께로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여, 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(g)∼DDF(j))을 제작했다.
(실시예 11∼16)
활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(a)의 용액을, 각각 표 3, 4에 나타낸 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 2(b)∼2(g)의 용액으로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(k)∼DDF(p))을 제작했다.
(실시예 17)
건조 후의 점착제층(2)의 두께를 15㎛로 변경한 것 이외는 모두 실시예 14와 마찬가지로 하여, 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(q))을 제작했다.
(실시예 18)
접착제 조성물 3(a)의 용액을 접착제 조성물 3(b)의 용액으로 변경하고, 건조 후의 다이 본딩 필름(접착제층)(3)의 두께를 50㎛로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(r))을 제작했다.
(비교예 1∼3)
기재 필름 1(a)를, 각각 표 6에 나타낸 기재 필름 1(g)∼1(i)로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(s)∼DDF(u))을 제작했다.
(비교예 4∼6)
건조 후의 점착제층(2)의 두께를, 표 6, 7에 나타낸 두께로 변경한 것 이외는 모두 실시예 1과 마찬가지로 하여, 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(v)∼DDF(x))을 제작했다.
5. 다이싱 테이프의 평가
상기 실시예 1∼18 및 비교예 1∼6에서 제작한 다이싱 테이프(10)에 관하여, 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(a)∼DDF(x))을 이용하여, 이하에 나타내는 방법으로 평가를 행했다.
5.1 다이 본딩 필름(접착제층) 할단성
먼저, 반도체 웨이퍼(실리콘 미러 웨이퍼, 두께 750㎛, 외경 12인치)(W)를 준비하고, 일방의 면에 시판의 백 그라인드 테이프를 첩부했다. 이어서, 반도체 웨이퍼(W)의 백 그라인드 테이프를 첩부한 측과 반대면으로부터, 주식회사디스코제의 스텔스 다이싱 레이저 소(장치명:DFL7361)를 사용하여, 할단 후의 반도체칩(30a)의 크기가 4.7㎜×7.2㎜의 사이즈가 되도록, 격자 형상의 다이싱 예정 라인을 따라, 이하의 조건에서, 레이저광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼(W)의 소정의 깊이의 위치에 개질 영역(30b)을 형성했다.
· 레이저 조사 조건
(1) 레이저 발진기 형식 : 반도체 레이저 여기(勵起) Q 스위치 고체 레이저
(2) 파장 : 1342㎚
(3) 발진 형식 : 펄스
(4) 주파수 : 90kHz
(5) 출력 : 1.7W
(6) 반도체 웨이퍼의 탑재대의 이동 속도 : 700㎜/초
이어서, 주식회사디스코제의 백 그라인드 장치(장치명:DGP8761)를 사용하여, 백 그라인드 테이프에 보지된 당해 개질 영역(30b)이 형성된 두께 750㎛의 반도체 웨이퍼(W)를 연삭, 박막화함으로써, 두께 30㎛의 개편화된 반도체칩(30a)을 얻었다. 계속해서, 이하의 방법에 의해 쿨 익스팬드 공정을 실시함으로써, 다이 본딩 필름(접착제층) 할단성을 평가했다. 구체적으로는, 두께 30㎛의 반도체칩(30a)의 백 그라인드 테이프가 첩부된 측과는 반대면에, 각 실시예 및 비교예에서 제작한 다이싱 다이 본딩 필름(20)으로부터 박리 라이너를 박리함으로써 노출시킨 다이 본딩 필름(3)이 밀착하도록, 주식회사디스코제의 라미네이트 장치(장치명:DFM2800)를 사용하여, 당해 반도체칩(30a)에 대하여 다이싱 다이 본딩 필름(20)을 라미네이트 온도 70℃, 라미네이트 속도 10㎜/초의 조건으로 첩합함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 외연부의 점착제층(2) 노출부에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)을 첩부한 후, 백 그라인드 테이프를 박리했다. 또한, 여기서, 다이싱 다이 본딩 필름(20)은, 그 기재 필름(1)의 MD 방향과 반도체칩(30a)의 격자 형상의 분할 라인의 세로 라인 방향(기재 필름(1)의 TD 방향과 반도체칩(30a)의 격자 형상의 분할 라인의 가로 라인 방향)이 일치하도록, 반도체칩(30a)에 첩부되어 있다.
상기 링 프레임(웨이퍼 링)(40)에 보지된 반도체칩(30a)을 포함하는 적층체(반도체 웨이퍼(30)/다이 본딩 필름(3)/점착제층(2)/기재 필름(1))를 주식회사디스코제의 익스팬드 장치(장치명:DDS2300 Fully Automatic Die Separator)에 고정했다. 이어서, 이하의 조건에서, 반도체칩(30a)을 수반하는 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 다이싱 테이프(10)(점착제층(2)/기재 필름(1))를 쿨 익스팬드함으로써, 다이 본딩 필름(3)을 할단했다. 이에 의해, 다이 본딩 필름(접착제층)(3)을 가지는 반도체칩(30a)을 얻었다. 또한, 본 실시예에서는, 하기의 조건에서 쿨 익스팬드 공정을 실시했지만, 기재 필름(1)의 물성 및 온도 조건 등에 따라 익스팬드 조건(「익스팬드 속도」 및 「익스팬드량」 등)을 적절히 조정한 다음에 쿨 익스팬드 공정을 실시하면 된다.
· 쿨 익스팬드 공정의 조건
온도 : -15℃, 냉각 시간 : 80초,
익스팬드 속도 : 300㎜/초,
익스팬드량 : 11㎜,
대기 시간 : 0초
쿨 익스팬드 후의 다이 본딩 필름(접착제층)(3)에 관하여, 반도체칩(30a)의 표면측으로부터, 주식회사기엔스제의 광학 현미경(형식:VHX-1000)을 이용하여, 배율 200배로 관찰하는 것에 의해, 할단성을 확인했다. 할단 예정의 변 중, 할단되어 있지 않은 변의 수를 계측했다. 그리고, 할단 예정의 변의 총수와 미할단의 변의 총수로부터, 할단 예정의 변의 총수에 차지하는, 할단된 변의 수의 비율을, 할단율(%)로서 산출했다. 상기 광학 현미경에 의한 관찰은, 다이 본딩 필름(3)의 전면에 대하여 행했다. 이하의 기준에 따라, 다이 본드 필름(접착제층)(3)의 할단성을 평가하고, B 이상의 평가를 할단성이 양호하다고 판단했다.
A : 할단율이 95% 이상 100% 이하였다.
B : 할단율이 90% 이상 95% 미만이었다.
C : 할단율이 85% 이상 90% 미만이었다.
D : 할단율이 85% 미만이었다.
5.2 히트 슈링크 공정 후에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 늘어짐 해소의 정도의 평가
상기 쿨 익스팬드 상태를 해제한 후, 재차, 주식회사디스코제의 익스팬드 장치(장치명:DDS2300 Fully Automatic Die Separator)를 이용하여, 그 히트 익스팬더 유닛으로, 이하의 조건에서, 상온 익스팬드 공정을 실시했다.
· 상온 익스팬드 공정의 조건
온도 : 23℃,
익스팬드 속도 : 30㎜/초,
익스팬드량 : 9㎜,
대기 시간 : 15초
이어서, 익스팬드 상태를 보지한 채, 다이싱 테이프(10)를 흡착 테이블로 흡착시키고, 흡착 테이블에 의한 그 흡착을 보지한 상태로 흡착 테이블을 워크와 함께 하강시켰다. 그리고, 이하의 3 조건에서, 히트 슈링크 공정을 실시하여, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분을 가열 수축(히트 슈링크)시켰다. 다이싱 테이프(10)의 가열 부분의 표면 온도는 80℃였다.
· 히트 슈링크 공정의 조건
[조건 1]
(1) 열풍 온도 : 200℃
(2) 풍량 : 40L/min
(3) 열풍 분출구와 다이싱 테이프(10)의 거리 : 20㎜
(4) 스테이지의 회전 속도 : 7°/초
[조건 2]
(1) 열풍 온도 : 200℃
(2) 풍량 : 40L/min
(3) 열풍 분출구와 다이싱 테이프(10)의 거리 : 20㎜
(4) 스테이지의 회전 속도 : 8°/초
[조건 3]
(1) 열풍 온도 : 200℃
(2) 풍량 : 40L/min
(3) 열풍 분출구와 다이싱 테이프(10)의 거리 : 20㎜
(4) 스테이지의 회전 속도 : 9°/초
계속해서, 흡착 테이블에 의한 흡착으로부터 다이싱 테이프(10)를 해방한 후, 워크를 익스팬드 장치로부터 떼어내고, 평면 형상의 고무 매트의 위에 두어, 가열 수축(히트 슈링크) 후의 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체칩(30a) 보지 영역보다 외측의 원주 부분에 있어서의 늘어짐의 해소의 정도를, 삼파장 형광등의 아래에서, 육안으로 확인했다. 이하의 기준에 따라, 다이싱 테이프(10)의 각각에 관하여 늘어짐의 해소의 정도를 평가하고, B 이상의 평가를 열수축성이 균일하고 양호하다고 판단했다.
A : 늘어짐이 확인되지 않았다.
B : 주름 형상의 늘어짐이 극히 일부에 확인되었지만 경미했다.
C : 주름 형상의 늘어짐, 또는 변형 주름이 명확하게 확인되었다.
5.3 다이싱 테이프(10)의 커프폭의 보지성의 평가
상기의 히트 슈링크 공정 후에, 워크를 익스팬드 장치로부터 떼어내고, 이웃하는 반도체칩(30a) 사이의 거리(커프폭)를, 반도체 웨이퍼(30)의 표면측으로부터, 주식회사기엔스제의 광학 현미경(형식:VHX-1000)을 이용하여, 배율 200배로 관찰, 측정함으로써, 다이싱 테이프(10)의 커프폭의 보지성에 관하여 평가했다.
구체적으로는, 도 11에 나타내는 반도체 웨이퍼(30)의 중심부(31)에 있어서의 인접하는 4개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 하나의 할단 십자 라인부의 4개소(기재 필름(1)의 MD 방향:커프 MD1과 커프 MD2의 2개소, 기재 필름(1)의 TD 방향:커프 TD1과 커프 TD2의 2개소, 도 12 참조), 좌측부(32)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향:커프 MD3∼커프 MD5의 3개소, TD 방향:커프 TD3∼커프 TD6의 4개소, 도시 생략), 우측부(33)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향:커프 MD6∼커프 MD8의 3개소, TD 방향:커프 TD7∼커프 TD10의 4개소, 도시 생략), 상부(34)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향:커프 MD9∼커프 MD12의 4개소, TD 방향:커프 TD11∼커프 TD13의 3개소, 도시 생략), 및 하부(35)에 있어서의 인접하는 6개의 반도체칩(30a)으로 형성되는 2개의 할단 십자 라인부의 7개소(MD 방향:커프 MD13∼커프 MD16의 4개소, TD 방향:커프 TD14∼커프 TD16의 3개소, 도시 생략)의 합계 32개소(MD 방향에 있어서 16개소, TD 방향에 있어서 16개소)에 관하여, 이웃하는 반도체칩(30a) 사이의 이간 거리를 측정하여, MD 방향 16개소의 평균값을 MD 방향 커프폭, TD 방향 16개소의 평균값을 TD 방향 커프폭으로서 각각 산출했다. 이하의 기준에 따라, 다이싱 다이 본딩 필름(20)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 커프폭의 보지성을 평가하고, B 이상의 평가를 커프폭의 보지성이 양호하다고 판단했다.
A : MD 방향 커프폭, TD 방향 커프폭의 어느 값도 30㎛ 이상이었다.
B : MD 방향 커프폭의 값이 30㎛ 이상, TD 방향 커프폭의 값이 25㎛ 이상 30㎛ 미만이거나, 또는, TD 방향 커프폭의 값이 30㎛ 이상, MD 방향 커프폭의 값이 25㎛ 이상 30㎛ 미만이거나, 또는, MD 방향 커프폭, TD 방향 커프폭의 어느 값도 25㎛ 이상 30㎛ 미만 중의 어느 것이었다.
C : MD 방향 커프폭, TD 방향 커프폭의 어느 값이 25㎛ 미만이었다.
5.5 평가 결과
실시예 1∼18 및 비교예 1∼6에서 제작한 각 다이싱 테이프(10)에 관하여, 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(a)∼DDF(x))의 양태로 상기 실장 평가를 행한 결과를, 다이싱 테이프(10)와 다이싱 다이 본딩 필름(20)의 구성 및 사용한 기재 필름(1)과 점착제층(2)의 특성 등과 합쳐 표 1∼7에 나타낸다.
표 1∼5에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족하는 기재 필름(1) 및 점착제층(2)을 구비한 다이싱 테이프(10)를 이용하여 제작한 실시예 1∼18의 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(a)∼DDF(r))은, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 다이 본딩 필름(20)의 할단성이 양호하고, 상온 익스팬드 직후에 커프폭이 좁아지는 것이 억제됨과 함께, 상온 익스팬드 후의 히트 슈링크 공정에 있어서, 열풍을 분출할 때에 스테이지의 회전 속도를 빠르게 하여 택트 타임을 단축화한 경우에 있어서도, 다이싱 테이프(10)의 늘어짐 부분을 균일하게 가열 수축시키는 것이 가능하며, 인접하는 다이 본딩 필름(접착제층)끼리가 접촉하여 재유착하는 것이나 반도체칩의 에지가 손상되는 것을 억제할 수 있을 정도까지, 익스팬드 시에 넓혀진 커프폭이 보지되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 다이 본딩 필름을 가지는 반도체칩 및 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 공정에 제공한 경우, 그들을 수율 좋게 제조할 수 있다.
이에 비하여, 표 6, 7에 나타내는 바와 같이, 기재 필름(1)의 물성값 및 점착제층(2)의 열저항의 요건 중 적어도 어느 것을 충족하지 않는 다이싱 테이프(10)를 이용하여 제작한 비교예 1∼6의 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(s)∼DDF(x))에 관해서는, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 다이 본딩 필름(3)의 할단성, 히트 슈링크 공정에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 늘어짐 해소의 정도 및 커프폭의 보지성의 평가 중의 어느 항목에 있어서 실시예 1∼18의 다이싱 다이 본딩 필름(20)(DDF(a)∼DDF(r))보다 뒤떨어지는 결과인 것이 확인되었다.
1 : 기재 필름
2 : 점착제층
3, 3a1, 3a2 : 다이 본딩 필름(접착제층)
4 : 반도체칩 탑재용 지지 기판
5 : 외부 접속 단자
6 : 단자
10 : 다이싱 테이프
20 : 다이싱 다이 본딩 필름
W, 30 : 반도체 웨이퍼
30a, 30a1, 30a2 : 반도체칩
30b : 개질 영역(도 7의 (c)∼(f), 도 8의 (a), (b)에서는 할단 영역)
31 : 반도체 웨이퍼 중심부
32 : 반도체 웨이퍼 좌측부
33 : 반도체 웨이퍼 우측부
34 : 반도체 웨이퍼 상부
35 : 반도체 웨이퍼 하부
40 : 링 프레임(웨이퍼 링)
41 : 보지구
50 : 흡착 콜릿
60 : 밀어 올림 핀(니들)
70, 80 : 반도체 장치
71, 81 : 반도체칩 탑재용 지지 기판
72 : 외부 접속 단자
73 : 단자
74, 84 : 와이어
75, 85 : 밀봉재
76 : 지지 부재

Claims (5)

  1. 기재 필름과, 당해 기재 필름 상에 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는 점착제층을 구비한 다이싱 테이프로서,
    상기 기재 필름은, MD 방향에 있어서,
    (1) 9MPa 이상 18MPa 이하의 23℃에 있어서의 100% 연신 시의 인장 강도,
    (2) 50% 이상의, 식
    100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율(%)=[(A-B)/A)]×100 (1)
    (식 중, A는, 기재 필름을 23℃에 있어서 100% 연신했을 때의 인장 하중이며, B는, 기재 필름을 23℃에 있어서 100% 연신하고, 그 상태 그대로 100초간 보지한 후의 인장 하중이다.)
    로 나타내어지는, 23℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 응력 완화율, 및
    (3) 20% 이상의, 식
    100% 연신 100초 보지 후의 열수축률(%)=[(C-D)/C]×100 (2)
    (식 중, C는, 소정의 간격으로 표선이 그어진 기재 필름을 23℃에 있어서 100% 연신하고, 그 상태 그대로 100초간 보지했을 때의 당해 표선의 간격이며, D는, 소정의 간격으로 표선이 그어진 기재 필름을 23℃에 있어서 100% 연신하고, 그 상태 그대로 100초간 보지한 후에, 텐션프리의 상태로 80℃의 온도 분위기에서 60초간 가열하여 수축시킨 후의 당해 표선의 간격이다.)
    로 나타내어지는, 80℃에 있어서의 100% 연신 100초간 보지 후의 열수축률
    을 가지며,
    상기 점착제층은, 0.45K·㎠/W 이하의 열저항을 가지는, 다이싱 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재 필름은, 에틸렌·불포화 카르본산·불포화 카르본산 에스테르계 공중합체의 아이오노머로 이루어지는 열가소성 가교 수지(IO)와 폴리아미드 수지(PA)를 함유한 수지 조성물로 구성되는 수지 필름인, 다이싱 테이프.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층은, 0.35K·㎠/W 이하의 열저항을 가지는, 다이싱 테이프.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층은,
    (1) 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물,
    (2) 상기 (1)의 점착제 조성물에 추가로 열전도성 필러를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물,
    (3) 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 활성 에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제, 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물, 및,
    (4) 상기 (3)의 점착제 조성물에 추가로 열전도성 필러를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물
    로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 활성 에너지선 경화성 점착제 조성물을 함유하는, 다이싱 테이프.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 테이프를 사용하는, 반도체칩 및 반도체 장치의 제조 방법.
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