JP2014157964A - 半導体ウェハ加工用粘着テープ及び半導体ウェハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ステルスダイシング工程とガスエッチング工程を、一貫したテープで加工可能となる半導体ウェハ加工用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム上に粘着剤層が設けられた半導体ウェハ加工用粘着テープであって、前記基材フィルムは、８０℃で１時間加熱したときの収縮率が０（０を含む）〜１．０％であり、前記半導体ウェハ加工用粘着テープの引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープを用いる。
【選択図】図１
【解決手段】基材フィルム上に粘着剤層が設けられた半導体ウェハ加工用粘着テープであって、前記基材フィルムは、８０℃で１時間加熱したときの収縮率が０（０を含む）〜１．０％であり、前記半導体ウェハ加工用粘着テープの引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープを用いる。
【選択図】図１
Description
本発明は、ステルスダイシング法により半導体ウェハを個片化後、ガスエッチング法を用いてチップを一括して処理する半導体ウェハの分割方法および、この半導体ウェハの分割方法で使用される半導体ウェハ加工用粘着テープに関するものである。
半導体ウェハは表面に回路が形成された後、ウェハの裏面側に研削加工を施し、ウェハの厚さを調整する裏面研削工程および、ウェハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。
近年、ＩＣカードの普及やＵＳＢメモリの急激な容量アップが進み、チップを重ねる枚数の増加に伴い、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが２００μｍ〜３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
一方、性能向上のためチップを積層する必要性が高まってきたことからチップの薄膜化が進んできたが、それに伴いチップの使用量も増加したため１回の加工で製造できるチップの増加が望まれている。それに対してウェハの大口径化が進み、現在では１２インチ（３００ｍｍ）ウェハを中心に加工されている。しかしながら、更なるチップの加工効率の向上のため１８インチ（４５０ｍｍ）ウェハの加工も検討されてきている。
図３（ａ）、（ｂ）は、小径の半導体ウェハ３１や、大径の半導体ウェハ４１におけるチップの配置図を示す。図３（ａ）に示すような、チップ３３を碁盤目状に並べるチップ配置では、従来のダイシングブレードによるダイシングが可能であった。しかしながら、３００ｍｍ以上のウェハ径では、メモリ系デバイスなど大きいサイズのチップに配線を書き込んでいく場合、ウェハ表面にパターニングを行っていくと使用できない領域が増えることになり、製品として使用できないチップが多発する。そこでチップの取れ高を上げるため、図３（ｂ）に示すように、半導体ウェハ４１の外周部にチップ４３を密に配置する方式に変わりつつある。これまでのチップを等間隔に配置する方式（図３（ａ））から、チップが等方向ではなく様々な方向を向いて配置される方式（図３（ｂ））となるため、スクライブ（ダイシングライン）が直線ではなく、ブレードによる直線的なダイシングは困難となる。
上記の課題に対し、レーザーなどを用いれば直線以外の場合もダイシング可能であり、レーザー光を半導体ウェハ内部に照射して選択的に改質部を形成させながらダイシングラインを形成して改質部を起点として半導体ウェハを切断する、いわゆるステルスダイシング法が提案されている（特許文献１）。しかしながら、レーザーによるチップの分断はチップにダメージを与えてしまうため、チップの抗析強度が上がらないといった問題を抱えている。
上記の課題に対してプラズマダイシングという方法が提案されている（特許文献２）。プラズマダイシングは、マスクで覆っていない箇所をプラズマで選択的にエッチングすることで、半導体ウェハを分割する方法である。このダイシング方法を用いると、選択的にチップの分断が可能であり、スクライブラインが曲がっていても問題なく分断可能な方法である。また、エッチングレートが非常に高いため、近年ではチップの分断に最適なプロセスの１つとされてきた。しかしながら、プラズマダイシングでは、六フッ化硫黄（ＳＦ６）や四フッ化炭素（ＣＦ４）など、ウェハとの反応性が非常に高いフッ素系のガスをプラズマ発生用ガスとして用いており、その高いエッチングレートから、エッチングしない面に対してマスクによる保護が必須であり、事前にレジストやテープによりマスクを行わなければならない。また、プラズマエッチング後にその膜が残った状態であるため、レジスト除去のために大量の溶剤を用いたり、レジストが除去できなかった場合に糊残りとなって不良チップとなってしまったり、様々な問題点が解決されていないため普及していないのが現状である。
また、プラズマダイシング法においては、ウェハはプラズマに曝され発熱して高温となり、半導体ウェハ加工用粘着テープは熱劣化するという問題が生じる。熱劣化した半導体ウェハ加工用粘着テープは、被着体に粘着剤が残着したり、剥離性能が失われてしまい、半導体ウェハ加工用粘着テープとしての機能を果たさなくなる。この問題に対し、耐熱性樹脂の基材フィルムを用いた半導体ウェハ加工用粘着テープが提案されている（特許文献３）。基材フィルムとして耐熱性の高いポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステルフィルムを適用することで、熱劣化を抑制可能である。しかしながら、ポリエステルフィルムはその剛性および表面の平滑性ゆえ、プラズマダイシングの前工程として、バックグラインディングによるウェハ研削を行う際など、固定具であるチャックテーブルへの負圧吸着性が悪く、バックグラインディング時の加工応力によりウェハが十分に固定されないことによるウェハの損傷が懸念されるなど、前後の工程を一貫したテープで行うことが困難であり、簡便に加工を行うことが困難である。
一方、近年では、前述したステルスダイシング法による加工の後に、ウェハへ付与するエネルギーを抑え、エッチングレートを制御した、ガスエッチング法を組合せた加工方法が新たに提案されている。ガスエッチング法のひとつとして、例えばガスクラスターエッチング法があり、ガスクラスターエッチングとは、真空雰囲気に向けてガスを吹き付けてガス分子のクラスターを形成し、ウェハに衝突させることでウェハの処理を行う方法である（特許文献４）。ウェハに衝突したクラスターはウェハへ運動エネルギーを付与した後、分解されてガス分子となり飛散する。これにより、ウェハ表面をエッチングすることができ、ステルスダイシング法による加工後に該エッチング処理を施すことでレーザーによる改質部を除去し、抗折強度の向上が期待できる。また、ガスエッチング法では、反応性ガスとして、三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ3）が用いられ、Ｃｌ-Ｆの結合が非常に小さいことから、四フッ化炭素（ＣＦ４）などのプラズマ発生用ガスのように事前にイオン化させる必要がないため、基板へのダメージが極めて小さく、マスクによる保護を必要とせず、簡便にチップの分断加工を行うことが可能となる。
ガスエッチング法においては、プラズマダイシング法と同様に、ウェハ加工を行う際、ウェハとガス分子の化学反応により発熱を伴う。このような発熱を伴う加工方法において、熱による半導体ウェハ加工テープの収縮を原因とする、ウェハの反りや、カーフシュリンクによるチップ同士の接触による不良発生を抑制する必要がある。このようなウェハ反りやカーフシュリンクを抑制するために、熱収縮率が低い半導体ウェハ加工用粘着テープが提案されている（特許文献５）。しかしながら、これら耐熱性の高いテープは、前述したプラズマダイシング時と同様、基材フィルムとしてポリイミドフィルムなど、剛性が高い基材フィルムが使用されている。そのため、ステルスダイシング法とガスエッチング法を連続して行うような工程の場合、ステルスダイシング加工時に、テープ延伸による改質部を起点としたチップ分割ができない問題が生じる。
上記のステルスダイシング法とガスエッチング法を連続して行うような工程に対し、一般的にステルスダイシングで提案されているテープ（特許文献６）や、一般的なブレードダイシングで提案されているテープ（特許文献７）を適用した場合、ステルスダイシングは可能であるが、ガスエッチング時のカーフシュリンクが大きく、チップを破損させてしまう。このように、一連の工程を一貫したテープで行うことは難易度が高く、テープの転写が都度必要となるなど、簡便に加工を行うことが困難である問題を抱えている。
本発明は、ステルスダイシング工程とガスエッチング工程を、一貫したテープで加工可能となる半導体ウェハ加工用粘着テープを提供することを目的としている。すなわち、本発明では、ステルスダイシング工程時では、テープ延伸によるチップ分割を円滑に行うことができ、その後のガスエッチング工程では、ウェハとガスの化学反応による発熱が生じても、カーフシュリンクが発生することがない半導体ウェハ加工用粘着テープを提供することを目的とする。
前述した目的を達成するために、以下の発明を提供する。
（１）基材フィルム上に粘着剤層が設けられた半導体ウェハ加工用粘着テープであって、前記基材フィルムは、８０℃で１時間加熱したときの収縮率が０（０を含む）〜１．０％であり、前記半導体ウェハ加工用粘着テープの引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。（ただし、収縮率はＪＩＳＫ７１３３に規定される方法で測定し、収縮率＝（加熱前の寸法−加熱後の寸法）／加熱前の寸法×１００（％）とする）
（２）前記粘着剤層が、側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むエネルギー線硬化型粘着剤で構成されることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（３）前記基材フィルムが、ポリオレフィンを含むことを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（４）前記ポリオレフィンが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン系アイオノマー樹脂からなる群より選択される一つ以上のポリオレフィンであることを特徴とする（３）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（５）（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
（６）（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、（ｄ）エキスパンド後の前記半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記チップの間隔を保持する工程と、（ｅ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｆ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
（７）（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップ用テープに転写し、前記半導体ウェハ加工用粘着テープを剥離させた後、前記チップをピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
（１）基材フィルム上に粘着剤層が設けられた半導体ウェハ加工用粘着テープであって、前記基材フィルムは、８０℃で１時間加熱したときの収縮率が０（０を含む）〜１．０％であり、前記半導体ウェハ加工用粘着テープの引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。（ただし、収縮率はＪＩＳＫ７１３３に規定される方法で測定し、収縮率＝（加熱前の寸法−加熱後の寸法）／加熱前の寸法×１００（％）とする）
（２）前記粘着剤層が、側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むエネルギー線硬化型粘着剤で構成されることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（３）前記基材フィルムが、ポリオレフィンを含むことを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（４）前記ポリオレフィンが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン系アイオノマー樹脂からなる群より選択される一つ以上のポリオレフィンであることを特徴とする（３）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（５）（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
（６）（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、（ｄ）エキスパンド後の前記半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記チップの間隔を保持する工程と、（ｅ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｆ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
（７）（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップ用テープに転写し、前記半導体ウェハ加工用粘着テープを剥離させた後、前記チップをピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープを用いることで、ステルスダイシング工程とガスエッチング工程を、一貫したテープで加工可能となる。
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１を示す断面図である。半導体ウェハ加工用粘着テープ１は、基材フィルム３と、基材フィルム３上に設けられた粘着剤層５とを有する。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１は、ウェハ１枚分ごとに切断された形態であってもよいし、ウェハ１枚分ごとに切断されたものが複数形成された長尺のシートを、ロール状に巻き取った形態であってもよい。以下に、各層の構成について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１を示す断面図である。半導体ウェハ加工用粘着テープ１は、基材フィルム３と、基材フィルム３上に設けられた粘着剤層５とを有する。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１は、ウェハ１枚分ごとに切断された形態であってもよいし、ウェハ１枚分ごとに切断されたものが複数形成された長尺のシートを、ロール状に巻き取った形態であってもよい。以下に、各層の構成について説明する。
＜基材フィルム＞
基材フィルム３は、８０℃の環境下に１時間おいた場合の収縮率が０（０を含む）〜１．０％であり、半導体ウェハ加工用粘着テープ１の引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであればよく、その材質についてはとくに限定されない。例えば、ポリオレフィン、ポリエステルから選択されるのが好ましい。なお、基材フィルム３の８０℃の環境下に１時間おいた場合の収縮率が０〜１．０％であるとは、基材フィルム３の長さ方向（ＭＤ：Machine Direction）と幅方向（ＴＤ：Transverse Direction）の両方の収縮率が所定の範囲であることを意味する。また、半導体ウェハ加工用粘着テープ１の引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであるとは、半導体ウェハ加工用粘着テープ１の長さ方向と幅方向の両方の引張強さが所定の範囲であることを意味する。
基材フィルム３は、８０℃の環境下に１時間おいた場合の収縮率が０（０を含む）〜１．０％であり、半導体ウェハ加工用粘着テープ１の引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであればよく、その材質についてはとくに限定されない。例えば、ポリオレフィン、ポリエステルから選択されるのが好ましい。なお、基材フィルム３の８０℃の環境下に１時間おいた場合の収縮率が０〜１．０％であるとは、基材フィルム３の長さ方向（ＭＤ：Machine Direction）と幅方向（ＴＤ：Transverse Direction）の両方の収縮率が所定の範囲であることを意味する。また、半導体ウェハ加工用粘着テープ１の引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであるとは、半導体ウェハ加工用粘着テープ１の長さ方向と幅方向の両方の引張強さが所定の範囲であることを意味する。
基材フィルム３を、８０℃の環境下に１時間おいた場合の収縮率が１．０％を超える場合、ガスエッチング工程において基材フィルム３のシュリンクが大きく、チップ同士の接触や、カーフシフト（チップの位置ずれ）が発生し、チップ不良を生じてしまう。
また、半導体ウェハ加工用粘着テープ１の引張強さが３０Ｎ／１０ｍｍ未満である場合、エキスパンド工程において半導体ウェハ加工用粘着テープ１の延伸性が過剰となり、エキスパンドリングの部分で局所的にテープが伸びることで応力緩和が生じるため、テープを均一に拡張することができず、チップを分割することが難しい。また、半導体ウェハ加工用粘着テープ１の引張強さが７０Ｎ／１０ｍｍを超える場合、基材の剛性が高すぎるため、エキスパンド工程において半導体ウェハ加工用粘着テープ１が伸びにくく、十分にチップ間隔が広がらず、チップの分断ができなかったり、後のピックアップ工程にて、ピン突き上げ時にテープが変形しづらく、剥離のきっかけが生じにくいため、チップを取り出すことが困難となる。
基材フィルム３に使用できるポリオレフィンとしては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）、エチレン系アイオノマー樹脂などを使用できる。また、基材フィルム３に使用出来るポリエステルとしては、ポリブチレンテレフタレートなどを使用できる。
なお、図１に示す例では、基材フィルム３は単層であるが、これに限定されず、２種以上の熱可塑性架橋樹脂を積層させた複数層構造であってもよい。基材フィルム３の厚みは特に規定しないが、半導体ウェハ加工用粘着テープ１のエキスパンド工程において引き伸ばし易く、かつ破断しないだけの十分な強度を持つ厚みとして、５０〜２００μｍ程度がよく、１００μｍ〜１５０μｍがより好ましい。
複数層の基材フィルム３の製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。
＜粘着剤層＞
粘着剤層５は、基材フィルム３に粘着剤を塗工して形成することができる。本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１を構成する粘着剤層５は、エキスパンド時において半導体ウェハ１１との剥離を生じない程度の保持性や、ピックアップ時においてチップ２１との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。
粘着剤層５は、基材フィルム３に粘着剤を塗工して形成することができる。本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１を構成する粘着剤層５は、エキスパンド時において半導体ウェハ１１との剥離を生じない程度の保持性や、ピックアップ時においてチップ２１との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１において、粘着剤層５を構成する粘着剤の構成はとくに限定されないが、チップ化後のピックアップ性を向上させるために、エネルギー線硬化性のものが好ましく、硬化後にチップ２１との剥離が容易となる材料であることが好ましい。
例えば、粘着剤として、側鎖にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）を含む粘着剤、またはエネルギー線重合性低分子量化合物を含む粘着剤のいずれかを用いることができる。
例えば、粘着剤として、側鎖にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）を含む粘着剤、またはエネルギー線重合性低分子量化合物を含む粘着剤のいずれかを用いることができる。
後述するように、ガスエッチング工程において、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープは、エッチングガスでエッチングする際に、真空状態で加熱されるため、低分子量化合物を含んでいると、低分子量化合物が発泡し、チップの位置がずれる可能性がある。そのため、粘着剤層５として基材フィルム３に塗工する粘着剤として、側鎖にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）を含む粘着剤を使用することが好ましい。また、粘着剤層５に含まれる、分子量３０００以下の低分子量成分は、１０質量％以下であることが好ましい。
粘着剤層５の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましく、５〜１０μｍがより好ましい。
（側鎖にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）を含む粘着剤）
粘着剤層５に塗工される粘着剤は、側鎖にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）１００質量部と、エポキシ樹脂、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂から選ばれる少なくとも１種（Ｂ）０．１〜１０質量部とを主成分として含有してなる。
粘着剤層５に塗工される粘着剤は、側鎖にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）１００質量部と、エポキシ樹脂、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂から選ばれる少なくとも１種（Ｂ）０．１〜１０質量部とを主成分として含有してなる。
なお、ここでエネルギー線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電離性放射線を言う。
本実施形態における、側鎖にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）はどのような製造方法のものでもよい。例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などのエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有し、かつ官能基をもつ化合物（１）と、その官能基と反応し得る官能基及び炭素−炭素二重結合をもつ化合物（２）とを反応させて得られる化合物が用いられる。
このうち、前記のエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合及び官能基を有する化合物（１）は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステル等のエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを反応させて得ることができる。
単量体（（１）−１）としては炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等をあげることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基及びエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を列挙することができる。
化合物（２）が有する官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基等をあげることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などをあげることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などをあげることができ、エポキシ基である場合にはカルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基等をあげることができ、具体例としては単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
化合物（１）と化合物（２）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価等の特性に関して、所望のものを調製することができる。
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶媒としては、ケトン類、エステル類、アルコール類、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般的にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶媒が好ましく、重合開始剤としてはα，α’−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。
この際、必要に応じて、触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度及び重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なおこの反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など従来公知の別の方法でも差し支えない。
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本実施形態において、化合物（Ａ）の分子量は、２０万〜１００万程度が好ましい。分子量が１００万を越えると、放射線照射した場合に、放射線照射後の粘着剤の可撓性がなく、脆くなっているため、ウェハ表面からの剥離時に、ウェハ表面パターンの微細な凹凸部に糊残りを生じる。
分子量が２０万未満では、放射線照射前の凝集力が小さく粘着力が弱いため、ウェハ裏面を研削したり、エッチングする際にエッチング液が浸入しやすくなり、ウェハ表面を汚染するおそれがある。また、放射線照射後も硬化が不十分で、ウェハ表面からの剥離時に、ウェハ表面パターンの微細な凹凸部に糊残りを生じる。これらを極力防止するためには、分子量が２０万以上である方が好ましい。
また、本実施形態において、化合物（Ａ）のエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合の導入量はヨウ素価で０．５〜２０、好ましくは５〜１５とする。ヨウ素価が０．５未満では、放射線照射後の粘着力の低減効果が小さくなるため粘着剤の硬化が不十分で、糊残りの原因となり、ヨウ素価が２０を越えると、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分ではなく、粘着剤が脆くなっており、剥離時に硬化した粘着剤がちぎれて糊残りが生じてしまうほか、化合物（Ａ）そのものの安定性に欠け、製造が困難になるためである。
本実施形態において、（Ａ）のガラス転移点を−７０〜−３５℃、好ましくは−７０〜−４０℃とする。ガラス転移点が−７０℃より低いと、粘着剤の流動性が高く糊残りの原因となってしまい、−３５℃より高いと流動性が不十分で半導体ウェハのパターン面になじみにくく、エキスパンド時に半導体ウェハと剥がれる原因となってしまうためである。
さらに、本実施形態において、化合物（Ａ）の酸価を０．５〜３０、好ましくは１〜２０、また、水酸基価を５〜１００、好ましくは１０〜８０とすると、さらに粘着テープ剥離時の糊残り防止効果に優れた粘着テープが得られる。
つぎに、本実施形態に係る粘着剤に主成分の１つとして、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、またはエポキシ樹脂の群から選ばれる少なくとも１種の化合物（Ｂ）を、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは１〜１０質量部の割合で含有する。化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）及び基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を粘着剤塗布後に向上することができる。
化合物（Ｂ）の添加量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でないため、粘着剤の流動性が高く糊残りの原因となってしまい、また粘着剤面と被着体面がずれやすくウェハ裏面の研削、エキスパンド時に剥がれてしまう。１０質量部を越えると粘着剤の配合及び塗布作業中に架橋構造が急速に形成され、硬化反応が進行するため、作業性が損なわれる。また、粘着剤の柔軟性が損なわれ、パターン面になじみにくくエキスパンド時の剥がれの原因となってしまう。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。本実施形態においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
（エネルギー線重合性低分子量化合物を含む粘着剤）
エネルギー線重合性低分子量化合物を含む粘着剤の主成分としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
この粘着剤としては、アクリル樹脂、エネルギー線重合性低分子量化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製するのが好ましい。
エネルギー線重合性低分子量化合物を含む粘着剤の主成分としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
この粘着剤としては、アクリル樹脂、エネルギー線重合性低分子量化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製するのが好ましい。
エネルギー線重合性低分子量化合物としては、エネルギー線照射によって三次元網状化しうる分子内にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が用いられる。
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。
また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、エネルギー線重合性低分子量化合物として、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
なお、粘着剤層５に塗工される粘着剤には光重合開始剤を添加してもよい。光重合開始剤として、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量は粘着剤１００質量部に対して０．０１〜５質量部が好ましい。
＜用途＞
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１は、ステルスダイシング工程と、その後のガスによるエッチング処理工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものである。したがって、その他の工程や工程の順序などは特に限定されない。例えば、以下の半導体ウェハの分割方法（Ａ）〜（Ｃ）において好適に使用できる。
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１は、ステルスダイシング工程と、その後のガスによるエッチング処理工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものである。したがって、その他の工程や工程の順序などは特に限定されない。例えば、以下の半導体ウェハの分割方法（Ａ）〜（Ｃ）において好適に使用できる。
半導体ウェハの分割方法（Ａ）
（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
半導体ウェハの分割方法（Ｂ）
（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エキスパンド後の前記半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｅ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｆ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エキスパンド後の前記半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｅ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｆ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
半導体ウェハの分割方法（Ｂ）の工程（ｄ）においては、チップの存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域に、温風ノズルなどを用いて９０〜１２０℃の温風を当て、基材フィルムを加熱収縮させる。このことにより、半導体ウェハ加工用粘着テープに、エキスパンドにおいて生じた弛みを除去し、チップの間隔を保持する事ができる。
半導体ウェハの分割方法（Ｃ）
（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップ用テープに転写し、前記半導体ウェハ加工用粘着テープを剥離させた後、前記チップをピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
（ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップ用テープに転写し、前記半導体ウェハ加工用粘着テープを剥離させた後、前記チップをピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
半導体ウェハの分割方法（Ｃ）では、エキスパンドとエッチングを同じ半導体ウェハ加工用粘着テープの上で行うが、チップを別のピックアップ用テープに転写してからピックアップを行う。ピックアップ用テープとして、エネルギー線硬化性または熱硬化性を有する粘着テープを使用することが好ましく、ピックアップ時にはピックアップ用テープの粘着力を低下させることが好ましい。
（使用方法）
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１を、上記半導体ウェハの分割方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープ１を、上記半導体ウェハの分割方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。
図２（ａ）は、半導体ウェハ表面に、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付し、リングフレームに固定された工程を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、半導体ウェハ１１の回路パターンが形成された側に、半導体ウェハ加工用粘着テープ１を貼付すると共に、リングフレーム１３に固定する。また、半導体ウェハ１１は、裏面研削工程を経ており、半導体ウェハ１１の厚さは調節済みである。
図２（ｂ）は、半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程を示す断面図である。半導体ウェハ加工用粘着テープ１が貼合された半導体ウェハ１１を図２（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１１の分割予定部分にレーザー光１５を照射して、半導体ウェハ１１の内部に多光子吸収による改質領域１７を形成する。
図２（ｃ）は、半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、改質領域に沿ってチップに分断する工程を示す断面図である。図２（ｃ）に示すように、リングフレーム１３を固定した状態で、エキスパンド装置の中空円柱形状のエキスパンドリング１９を上昇させ、半導体ウェハ加工用粘着テープ１を拡張（エキスパンド）する。拡張条件としては、エキスパンド速度が、例えば５〜５００ｍｍ／ｓｅｃであり、エキスパンド量が、例えば５〜２５ｍｍである。このように半導体ウェハ加工用粘着テープ１が半導体ウェハ１１の径方向に引き伸ばされることで、半導体ウェハ１１が、改質領域１７を起点としてチップ２１に分断される。
図２（ｄ）は、エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程を示す断面図である。図２（ｄ）に示すように、エキスパンドリング１９を元の位置に戻し、チャックテーブル２５を設置する。ガスエッチングにより、チップ分断面に残存するレーザー光１５による改質領域１７を除去する。チップ２１の間の間隔を広げるため、チャックテーブル２５により、半導体ウェハ加工用粘着テープを多少エキスパンドすることが好ましい。
改質領域１７はもろくなっているため、チップ２１に改質領域１７が残ると、改質領域１７からチップ２１が割れてしまう。改質領域１７や、チップ２１の表面の凹凸を除去することで、チップ２１の抗折強度が高まる。ガスエッチングの例は、１Ｐａ程度まで減圧したチャンバー内に、２００℃に加熱した三フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガスを、０．３〜２．０ＭＰａの圧力で吹き付ける方法が挙げられる。この際、冷却水がチャックテーブル２５内を循環しており、チャックテーブル２５は冷却されるが、半導体ウェハ加工用粘着テープは、７０〜８０℃程度まで加熱される。
図２（ｅ）は、半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着しているチップを、ピックアップする工程を示す断面図である。半導体ウェハ加工用粘着テープ１に対して、基材フィルム３の側から粘着剤層５にエネルギー線を照射し、粘着剤層を硬化させる。その後、図２（ｅ）に示すように、吸着コレット２７で吸着および保持することにより、チップ２１を半導体ウェハ加工用粘着テープ１から剥離する。
（本実施形態に係る効果）
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープを用いることで、ステルスダイシング工程時には、テープ延伸によるチップ分割を円滑に行うことができる。
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープを用いることで、ステルスダイシング工程時には、テープ延伸によるチップ分割を円滑に行うことができる。
また、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープを用いることで、ガスエッチング工程にて、ウェハとガスの化学反応による発熱が生じ、半導体ウェハ加工用粘着テープが７０〜８０℃まで加熱されても、カーフシュリンクが発生することがない。
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープを用いることで、ステルスダイシング工程と、ガスエッチング工程とを一貫したテープで加工可能となる。
本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着テープの粘着剤層を、側鎖にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む粘着剤で形成することで、ガスエッチング工程における真空・加熱状態においても粘着剤層からのガスの発生が少なく、ガスエッチング工程でのチップの剥離やずれなどを防止できる。
次に、本実施形態に係る効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
〔半導体ウェハ加工用粘着テープの作製〕
（１） 基材フィルムの作製
（ポリオレフィンＡ）
ポリプロピレンと水素添加スチレン系熱可塑性エラストマー（クラレ社製ハイブラー）の樹脂ビーズを２０５℃で溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリオレフィンＢ）
エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）と高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）の樹脂ビーズを１６５℃出溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリオレフィンＣ）
ＥＶＡの樹脂ビーズを９０℃で溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリオレフィンＤ）
エチレン系アイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製ハイミラン）の樹脂ビーズを１５０℃出溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリエステルＡ）
軟質ポリブチレンテレフタレート（軟質ＰＢＴ）ビーズを２４０℃で溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリエステルＢ）
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の樹脂ビーズを２４０℃で溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（１） 基材フィルムの作製
（ポリオレフィンＡ）
ポリプロピレンと水素添加スチレン系熱可塑性エラストマー（クラレ社製ハイブラー）の樹脂ビーズを２０５℃で溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリオレフィンＢ）
エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）と高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）の樹脂ビーズを１６５℃出溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリオレフィンＣ）
ＥＶＡの樹脂ビーズを９０℃で溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリオレフィンＤ）
エチレン系アイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製ハイミラン）の樹脂ビーズを１５０℃出溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリエステルＡ）
軟質ポリブチレンテレフタレート（軟質ＰＢＴ）ビーズを２４０℃で溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（ポリエステルＢ）
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の樹脂ビーズを２４０℃で溶融し、押出機を用いて長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
（２）粘着剤の調製
（アクリルＡ）
溶媒のトルエン４００ｇ中に、２−エチルヘキシルアクリレート４４６．５ｇ、メチルメタアクリレート４５ｇ、メタクリル酸３．４ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシド０．５ｇの混合液を２時間かけて滴下しながら、１００℃の温度下で４時間反応させ官能基を持つ化合物（２）の溶液を得た。次にこのポリマー溶液（２）に、光重合性炭素−炭素二重結合及び官能基を有する化合物（１）として、２−ヒドロキシエチルメタクリレート５．１ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノン０．１ｇを加え、１２０℃の温度下で６時間反応させた後、酢酸にて中和し、化合物（Ａ）の溶液を得た。合成された化合物（Ａ）の分子量、ガラス転移点、ヨウ素価、酸価、水酸基価を表１に示す。この化合物（Ａ）溶液中の化合物（Ａ）１００質量部に対し、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン社製：コロネートＬ）（Ｂ）１質量部、光重合開始剤（日本チバガイギー社製イルガキュアー１８４）０．５質量部を化合物（Ａ）溶液中に加えて混合し、アクリル系エネルギー線硬化性粘着剤を調製した。このアクリル系エネルギー線硬化性粘着剤を、アクリルＡとする。
（アクリルＡ）
溶媒のトルエン４００ｇ中に、２−エチルヘキシルアクリレート４４６．５ｇ、メチルメタアクリレート４５ｇ、メタクリル酸３．４ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシド０．５ｇの混合液を２時間かけて滴下しながら、１００℃の温度下で４時間反応させ官能基を持つ化合物（２）の溶液を得た。次にこのポリマー溶液（２）に、光重合性炭素−炭素二重結合及び官能基を有する化合物（１）として、２−ヒドロキシエチルメタクリレート５．１ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノン０．１ｇを加え、１２０℃の温度下で６時間反応させた後、酢酸にて中和し、化合物（Ａ）の溶液を得た。合成された化合物（Ａ）の分子量、ガラス転移点、ヨウ素価、酸価、水酸基価を表１に示す。この化合物（Ａ）溶液中の化合物（Ａ）１００質量部に対し、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン社製：コロネートＬ）（Ｂ）１質量部、光重合開始剤（日本チバガイギー社製イルガキュアー１８４）０．５質量部を化合物（Ａ）溶液中に加えて混合し、アクリル系エネルギー線硬化性粘着剤を調製した。このアクリル系エネルギー線硬化性粘着剤を、アクリルＡとする。
（アクリルＢ）
（メタ）アクリル系共重合体［酸価１３、水酸基価４５、分子量８０万、Ｔｇ−２０℃］１００質量部に対し、ポリイソシアネート系硬化剤［日本ポリウレタン製、商品名
コロネートＬ］５．０質量部および光重合性ウレタンアクリレートオリゴマー［ヨウ素価５、酸価０、水酸基価０、分子量１２００］８０質量部に、光重合開始剤として２,２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン２．５質量部を混合してアクリル系エネルギー線硬化性粘着剤を調製した。このアクリル系エネルギー線硬化性粘着剤を、アクリルＢとする。
（メタ）アクリル系共重合体［酸価１３、水酸基価４５、分子量８０万、Ｔｇ−２０℃］１００質量部に対し、ポリイソシアネート系硬化剤［日本ポリウレタン製、商品名
コロネートＬ］５．０質量部および光重合性ウレタンアクリレートオリゴマー［ヨウ素価５、酸価０、水酸基価０、分子量１２００］８０質量部に、光重合開始剤として２,２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン２．５質量部を混合してアクリル系エネルギー線硬化性粘着剤を調製した。このアクリル系エネルギー線硬化性粘着剤を、アクリルＢとする。
＜実施例１〜６、比較例１〜７＞
表中に示した基材フィルム上に、表中に示した粘着剤を塗布・乾燥し、半導体ウェハ加工用粘着テープを形成した。
表中に示した基材フィルム上に、表中に示した粘着剤を塗布・乾燥し、半導体ウェハ加工用粘着テープを形成した。
〔半導体ウェハ加工用粘着テープの物性と評価〕
（１）熱収縮率の測定
熱収縮率はＪＩＳＫ７１３３に規定される方法で測定した。熱収縮率は上記半導体ウェハ加工テープを８０℃で１時間加熱し、加熱前の寸法と加熱後の寸法とから、収縮率＝（加熱前の寸法−加熱後の寸法）／加熱前の寸法×１００（％）に基づき算出した。
（１）熱収縮率の測定
熱収縮率はＪＩＳＫ７１３３に規定される方法で測定した。熱収縮率は上記半導体ウェハ加工テープを８０℃で１時間加熱し、加熱前の寸法と加熱後の寸法とから、収縮率＝（加熱前の寸法−加熱後の寸法）／加熱前の寸法×１００（％）に基づき算出した。
（２）引張り強さの測定
引張り強さの測定は、引張試験機を用いて、ＪＩＳＺ０２３７規格に規定される方法で行った。
引張り強さの測定は、引張試験機を用いて、ＪＩＳＺ０２３７規格に規定される方法で行った。
（３）カーフシュリンク性の評価
ウェハ厚３００μｍ、直径３００ｍｍのシリコンウェハの表面に半導体加工用テープを貼付すると共にリングフレームに固定した後、レーザーダイシング装置（東京精密社製、商品名：ＭＬ３００）を使用し、ウェハ内部に改質層を形成した。その後、ダイセパレータ（Ｄｉｓｃｏ社製、商品名：ＤＤＳ２３００）を使用し、半導体ウェハ加工用テープを延伸することで１０ｍｍ×１０ｍｍのチップ単位に分割した。続いて、静電チャックテーブルを有するガスクラスターエッチング装置に、半導体ウェハ加工用テープを対面させて固定し、減圧して、ウェハの裏面（研削面）にガスエッチング処理を行った。
上記条件にてエッチングを行ったウェハについて１０チップ観察した。
表中の○、△、×は、以下を意味する。
「○」・・・チップ同士の接触もなく、チップ間のカーフにシフトが見られなかったものである。
「△」・・・チップ同士の接触はないが、チップ間のカーフにシフトが見られたものである。
「×」・・・チップ同士の接触があったものである。
結果を表１および表２に示した。
ウェハ厚３００μｍ、直径３００ｍｍのシリコンウェハの表面に半導体加工用テープを貼付すると共にリングフレームに固定した後、レーザーダイシング装置（東京精密社製、商品名：ＭＬ３００）を使用し、ウェハ内部に改質層を形成した。その後、ダイセパレータ（Ｄｉｓｃｏ社製、商品名：ＤＤＳ２３００）を使用し、半導体ウェハ加工用テープを延伸することで１０ｍｍ×１０ｍｍのチップ単位に分割した。続いて、静電チャックテーブルを有するガスクラスターエッチング装置に、半導体ウェハ加工用テープを対面させて固定し、減圧して、ウェハの裏面（研削面）にガスエッチング処理を行った。
上記条件にてエッチングを行ったウェハについて１０チップ観察した。
表中の○、△、×は、以下を意味する。
「○」・・・チップ同士の接触もなく、チップ間のカーフにシフトが見られなかったものである。
「△」・・・チップ同士の接触はないが、チップ間のカーフにシフトが見られたものである。
「×」・・・チップ同士の接触があったものである。
結果を表１および表２に示した。
（４）エキスパンド性の評価（チップ分割性の評価）
ウェハ厚３００μｍ、直径３００ｍｍのシリコンウェハの表面に半導体加工用テープを貼付すると共にリングフレームに固定した後、レーザーダイシング装置（東京精密社製、商品名：ＭＬ３００）を使用し、ウェハ内部に改質層を形成した。その後、ダイセパレータ（Ｄｉｓｃｏ社製、商品名：ＤＤＳ２３００）を使用し、半導体ウェハ加工用テープを延伸することで１０ｍｍ×１０ｍｍのチップ単位に分割した。
上記条件にてエキスパンドによるチップ分割を行ったウェハについて、チップの分割性を観察した。
「○」・・・全てのチップが分割できたものである。
「△」・・・全てのチップを分割できなかったが、９０％以上のチップができたものである。
「×」・・・分割できたチップが９０％未満であったものである。
結果を表１および表２に示した。
ウェハ厚３００μｍ、直径３００ｍｍのシリコンウェハの表面に半導体加工用テープを貼付すると共にリングフレームに固定した後、レーザーダイシング装置（東京精密社製、商品名：ＭＬ３００）を使用し、ウェハ内部に改質層を形成した。その後、ダイセパレータ（Ｄｉｓｃｏ社製、商品名：ＤＤＳ２３００）を使用し、半導体ウェハ加工用テープを延伸することで１０ｍｍ×１０ｍｍのチップ単位に分割した。
上記条件にてエキスパンドによるチップ分割を行ったウェハについて、チップの分割性を観察した。
「○」・・・全てのチップが分割できたものである。
「△」・・・全てのチップを分割できなかったが、９０％以上のチップができたものである。
「×」・・・分割できたチップが９０％未満であったものである。
結果を表１および表２に示した。
（５）ピックアップ性の評価
カーフシュリンク性の評価を行ったサンプルについて、半導体ウェハ加工用テープの、基材フィルムにおける粘着剤層が積層された面とは反対側の面に対して、メタルハライド高圧水銀灯により、窒素雰囲気下、３６５ｎｍで３０ｍＷ/ｃｍ２、２００ｍＪ/ｃｍ２の条件で紫外線を照射した。そして、チップ１００個についてダイスピッカー装置（キャノンマシナリー社製、商品名ＣＡＰ-３００II）によるピックアップ試験を行った。
ピックアップ条件は以下のとおりである。
突き上げピン形状 ：半径０．７ｍｍ、先端曲率半径Ｒ＝０．２５ｍｍ、先端θ＝１５
ピン突き上げ高さ：１０００μｍおよび５００μｍ
ピン突き上げスピード：５０ｍｍ/ｓｅｃ
コレット形状：吸着穴０．８９ｍｍφ
エキスパンド拡張量：１０ｍｍ
リングフレーム：ＤＩＳＣＯ社製 型式ＤＴＦ２−１２-１（ＳＵＳ４２０Ｊ２製）
表中の○、△、×は、以下を意味する。
「○」・・・突き上げピンによる突き上げ高さ、１０００μｍおよび５００μｍにおけるピックアップ成功率が１００％である。
「△」・・・突き上げ高さ１０００μｍにおけるピックアップ成功率が１００％であるが、突き上げ高さ５００μｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
「×」・・・突き上げ高さ１０００μｍ、５００μｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
結果を表１および表２に示した。
カーフシュリンク性の評価を行ったサンプルについて、半導体ウェハ加工用テープの、基材フィルムにおける粘着剤層が積層された面とは反対側の面に対して、メタルハライド高圧水銀灯により、窒素雰囲気下、３６５ｎｍで３０ｍＷ/ｃｍ２、２００ｍＪ/ｃｍ２の条件で紫外線を照射した。そして、チップ１００個についてダイスピッカー装置（キャノンマシナリー社製、商品名ＣＡＰ-３００II）によるピックアップ試験を行った。
ピックアップ条件は以下のとおりである。
突き上げピン形状 ：半径０．７ｍｍ、先端曲率半径Ｒ＝０．２５ｍｍ、先端θ＝１５
ピン突き上げ高さ：１０００μｍおよび５００μｍ
ピン突き上げスピード：５０ｍｍ/ｓｅｃ
コレット形状：吸着穴０．８９ｍｍφ
エキスパンド拡張量：１０ｍｍ
リングフレーム：ＤＩＳＣＯ社製 型式ＤＴＦ２−１２-１（ＳＵＳ４２０Ｊ２製）
表中の○、△、×は、以下を意味する。
「○」・・・突き上げピンによる突き上げ高さ、１０００μｍおよび５００μｍにおけるピックアップ成功率が１００％である。
「△」・・・突き上げ高さ１０００μｍにおけるピックアップ成功率が１００％であるが、突き上げ高さ５００μｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
「×」・・・突き上げ高さ１０００μｍ、５００μｍにおけるピックアップ成功率が１００％未満である。
結果を表１および表２に示した。
表１に示すように、半導体ウェハ加工用粘着テープの前記基材フィルムが、８０℃の環境下に１時間おいた場合の収縮率が０〜１．０％であり、前記半導体ウェハ加工用粘着テープの引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍである実施例１〜６の半導体ウェハ加工用粘着テープはカーフシュリンクがおきず、かつ良好なエキスパンド性と良好なピックアップ性を有することが明らかとなった。
なお、実施例５においては、８０℃１時間加熱後の収縮率が１％であるため、収縮率が０．５％以下の実施例１〜４、６に比べてカーフシュリンクが発生しやすくなったと考えられる。
実施例３においては、基材フィルムの厚さが１７０μｍと厚いため、エキスパンド性に劣る結果となった。
また、実施例６においては、粘着剤層を形成する粘着剤として、低分子量成分を含むアクリルＢを用いたため、ガスエッチング工程で粘着剤の低分子量成分が発泡し、チップの位置がずれるなどしたため、その後のピックアップ性能が悪化した。
これに対して、表２に示すように、比較例１〜４、６、７のように粘着テープの引張強さが７０Ｎ／１０ｍｍを超える場合、または３０Ｎ／１０ｍｍ未満である場合、良好なエキスパンド性が得られなかった。比較例１、４、７に関しては粘着テープの引張強さが７０Ｎ／１０ｍｍを超えるため、良好なピックアップ性も得られなかった。
また、比較例５〜７のように、８０℃の環境下に１時間おいた場合の収縮率が１％を超えた場合、カーフシュリンクが発生した。
以上、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しえることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
１………半導体ウェハ加工用粘着テープ
３………基材フィルム
５………粘着剤層
１１………半導体ウェハ
１３………リングフレーム
１５………レーザー光
１７………改質領域
１９………エキスパンドリング
２１………チップ
２３………エッチングガス
２５………チャックテーブル
２７………吸着コレット
３………基材フィルム
５………粘着剤層
１１………半導体ウェハ
１３………リングフレーム
１５………レーザー光
１７………改質領域
１９………エキスパンドリング
２１………チップ
２３………エッチングガス
２５………チャックテーブル
２７………吸着コレット
Claims (7)
- 基材フィルム上に粘着剤層が設けられた半導体ウェハ加工用粘着テープであって、
前記基材フィルムは、８０℃で１時間加熱したときの収縮率が０（０を含む）〜１．０％であり、
前記半導体ウェハ加工用粘着テープの引張強さが３０〜７０Ｎ／１０ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（ただし、収縮率はＪＩＳＫ７１３３に規定される方法で測定し、収縮率＝（加熱前の寸法−加熱後の寸法）／加熱前の寸法×１００（％）とする） - 前記粘着剤層が、側鎖に放射線重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むエネルギー線硬化型粘着剤で構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
- 前記基材フィルムが、ポリオレフィンを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
- 前記ポリオレフィンが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン系アイオノマー樹脂からなる群より選択される一つ以上のポリオレフィンであることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
- （ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、
（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、
を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。 - （ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エキスパンド後の前記半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記チップと重ならない部分を加熱収縮させることにより、前記チップの間隔を保持する工程と、
（ｅ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、
（ｆ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップする工程と、
を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。 - （ａ）表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの表面側に、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープを貼付すると共に、リングフレームに固定する工程と、
（ｂ）前記半導体ウェハの裏面側より分割予定部分にレーザー光を照射して、前記半導体ウェハの内部に改質領域を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域に沿って分断し、チップとする工程と、
（ｄ）エッチングガスを供給し、前記チップの露出面をエッチングする工程と、
（ｅ）前記半導体ウェハ加工用粘着テープに貼着している前記チップを、ピックアップ用テープに転写し、前記半導体ウェハ加工用粘着テープを剥離させた後、前記チップをピックアップする工程と、
を具備することを特徴とする半導体ウェハの分割方法。
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