CN107434955A - 芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 - Google Patents

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。

Description

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。
背景技术
以往，芯片接合薄膜在半导体装置的制造中使用。
在使用了芯片接合薄膜的半导体装置的制造工序中，有将芯片层叠(堆叠)为多层的方法。在这样的情况下，存在芯片薄型化的强烈要求(例如参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-218571号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，若将形成有聚酰亚胺等的钝化膜的晶圆磨削得薄，则晶圆会大幅翘曲，切割后的芯片会翘曲。若将该翘曲的芯片接合到基板、引线框等进行堆叠，则存在其翘曲残留，芯片的端部翘起的问题。
本发明是鉴于前述问题而进行的，其目的在于，提供能抑制翘曲大的极薄芯片的翘曲、良好地进行多层层叠的芯片接合薄膜。
另外，还在于提供具备该芯片接合薄膜的切割芯片接合薄膜。
另外，还在于提供使用该切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法。
用于解决问题的方案
本申请发明人等发现，通过采用下述的构成，能够解决前述的问题，从而完成了本发明。
即，本发明的芯片接合薄膜的特征在于，
含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、
热塑性树脂、以及
酚醛树脂，
热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
根据前述构成，由于热固化前在150℃下的拉伸储能模量为0.3MPa以上，因此，即使芯片翘曲了，在芯片接合后也能够将该翘曲抑制住。
另外，由于热固化前在150℃下的拉伸储能模量为30MPa以下，因此向被粘物的嵌入性变良好，能够抑制被粘物与芯片接合薄膜之间的空隙(void)。
另外，由于使用平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料作为填料，因此能够使芯片接合薄膜薄型化。另外，由于含有酚醛树脂，因此可靠性优异。另外，由于含有热塑性树脂，因此能够维持作为薄膜的形状。
在前述构成中，优选的是，将热固化前的玻璃化转变温度设为T0、将热固化后的玻璃化转变温度设为T1时，满足下述式1。
式1 T0<T1<T0+20
若满足上述式1，则热固化前的玻璃化转变温度与热固化后的玻璃化转变温度的差小，可以说在热固化前后物性的变化小。因此，在施加热历程后向被粘物的嵌入性也良好。
在前述构成中，前述填料优选为二氧化硅填料。
若前述填料为二氧化硅填料，则比其它无机填料成本低，也容易获得。
在前述构成中，前述热塑性树脂优选为具有环氧基的丙烯酸类聚合物。
若前述热塑性树脂为具有环氧基的丙烯酸类聚合物，则在被粘物为有机基板的情况下，通过与存在于有机基板的未反应的环氧树脂、酚醛树脂进行反应，从而可实现可靠性的提高。另外，还能与封装树脂反应，可实现可靠性提高。
在前述构成中，优选包含着色剂。
前述构成的芯片接合薄膜由于使用平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料，因此芯片接合薄膜具有透明性，有辨识性降低的可能性。然而，如果包含着色剂，则能够提高芯片接合薄膜的辨识性、能够提高操作性。
在前述构成中，前述着色剂优选为染料。
若前述着色剂为染料，则容易溶于构成芯片接合薄膜的树脂，能够均匀地着色。另外，在制作芯片接合薄膜时使用溶剂的情况下，容易溶于溶剂，能够均匀地着色。
在前述构成中，优选的是，将前述填料的平均粒径设为R、将前述芯片接合薄膜的厚度设为T时，满足下述式2。
式2 10<T/R
若满足上述式2，则能够抑制填料从芯片接合薄膜突出。其结果，能够防止在将芯片接合薄膜贴合到晶圆时晶圆破裂。
另外，本发明的切割芯片接合薄膜的特征在于，其具备：
切割片，以及
前述芯片接合薄膜。
前述切割芯片接合薄膜具备前述芯片接合薄膜。由于前述芯片接合薄膜的、热固化前在150℃下的拉伸储能模量为0.3MPa以上，因此即使芯片翘曲了，在芯片接合后也能够将该翘曲抑制住。另外，由于热固化前在150℃下的拉伸储能模量为30MPa以下，因此向被粘物的嵌入性变良好，能够抑制被粘物与芯片接合薄膜之间的空隙。
另外，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：
工序A，将半导体晶圆贴附在切割芯片接合薄膜上；
工序B，使前述切割芯片接合薄膜扩展，至少使前述芯片接合薄膜断裂，得到带芯片接合薄膜的芯片；
工序C，拾取前述带芯片接合薄膜的芯片；
工序D，借助芯片接合薄膜将拾取的前述带芯片接合薄膜的芯片芯片接合到被粘物上，以及
工序E，对前述带芯片接合薄膜的芯片进行引线键合，
前述切割芯片接合薄膜含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，
且热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
前述切割芯片接合薄膜具备前述芯片接合薄膜。由于前述芯片接合薄膜的热固化前在150℃下的拉伸储能模量为0.3MPa以上，因此即使芯片翘曲了，在芯片接合后也能够将该翘曲抑制住。另外，由于热固化前在150℃下的拉伸储能模量为30MPa以下，因此向被粘物的嵌入性变良好，能够抑制被粘物与芯片接合薄膜之间的空隙。
附图说明
图1为示出本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的截面示意图。
图2为用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的截面示意图。
图3为用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的截面示意图。
图4中图4的(a)、(b)为用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的截面示意图。
图5为用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的截面示意图。
图6为示出本实施方式的半导体装置的另一例的截面示意图。
图7中图7的(a)及(b)为用于说明本实施方式的半导体装置的另一制造方法的截面示意图。
图8为用于说明本实施方式的半导体装置的另一制造方法的截面示意图。
附图标记说明
1 基材
2 粘合剂层
3 芯片接合薄膜
4 半导体晶圆
5 半导体芯片
6 被粘物
7 接合引线
8 封装树脂
10 切割芯片接合薄膜
11 切割片
具体实施方式
以下对本实施方式的芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜进行说明。对于本实施方式的芯片接合薄膜，可列举出在以下说明的切割芯片接合薄膜中未贴合有切割片的状态的薄膜。因此，以下将对切割芯片接合薄膜进行说明，关于芯片接合薄膜，会在其中进行说明。
(切割芯片接合薄膜)
对本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜进行以下说明。图1为示出本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的截面示意图。
如图1所示，切割芯片接合薄膜10具有在切割片11上层叠有芯片接合薄膜3的构成。切割片11具有在基材1上层叠有粘合剂层2的构成。芯片接合薄膜3设置在粘合剂层2上。
需要说明的是，在本实施方式中，会对切割片11中存在未被芯片接合薄膜3覆盖的部分2b的情况进行说明，但本发明的切割芯片接合薄膜不限定于该例，芯片接合薄膜也可以以覆盖整个切割片的方式层叠在切割片上。
(芯片接合薄膜)
芯片接合薄膜3热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下，优选0.4MPa～25MPa的范围内、更优选0.5MPa～20MPa的范围内。
由于热固化前在150℃下的拉伸储能模量为0.3MPa以上，因此即使芯片翘曲了，在芯片接合后也能够将该翘曲抑制住。另外，由于热固化前在150℃下的拉伸储能模量为30MPa以下，因此向被粘物的嵌入性变良好，能够抑制被粘物与芯片接合薄膜之间的空隙。
这样，利用芯片接合薄膜3，能兼顾积极地抑制翘曲和空隙嵌入性。
另外，芯片接合薄膜3热固化前在175℃下的拉伸储能模量优选为0.2MPa～30MPa的范围内，更优选为0.3MPa～25MPa的范围内。封装工序的温度通常为175℃左右。因此，若热固化前在175℃下的拉伸储能模量为30MPa以下，则在封装压力下的嵌入性变良好，能够抑制空隙。
芯片接合薄膜3的热固化前在150℃及175℃下的拉伸储能模量例如可以通过使用下述中说明的填料、或调整热塑性树脂的分子量来设为上述数值范围内。
前述拉伸储能模量的更详细的测定方法基于实施例记载的方法。
对于芯片接合薄膜3，优选的是，将热固化前的玻璃化转变温度(Tg)设为T0、将热固化后的玻璃化转变温度(Tg)设为T1时，满足下述式1。
式1 T0<T1<T0+20
若满足上述式1，则热固化前的玻璃化转变温度与热固化后的玻璃化转变温度的差小，可以说在热固化前后物性的变化小。因此，在施加热历程后向被粘物的嵌入性也良好。上述T1更优选小于(T0+15)、进一步优选小于(T0+10)。
为了使芯片接合薄膜3满足上述式1，例如只要以使固化物的交联变少的方式进行调整即可。
在本说明书中，“热固化后”是指在175℃下加热1小时后。
芯片接合薄膜3的热固化前的玻璃化转变温度T0优选0～70℃的范围内、更优选15～50℃的范围内。若前述玻璃化转变温度T0为0℃以上，则能够抑制芯片接合薄膜3的粘性。另外，若为70℃以下，则能够容易贴附在被粘物上。
芯片接合薄膜3的热固化后的玻璃化转变温度T1优选0～90℃的范围内、更优选15～70℃的范围内。若前述玻璃化转变温度T1在上述数值内，则能够容易地满足上述式1。其结果，热固化后向被粘物的嵌入性也良好。
前述玻璃化转变温度T0、玻璃化转变温度T1可以通过选择构成芯片接合薄膜3的树脂成分来设为期望的范围内。
前述玻璃化转变温度(Tg)的更详细的测定方法基于实施例记载的方法。
芯片接合薄膜3在热固化前的状态下于-15℃下的断裂伸长率优选为20％以下，更优选为15％以下，进一步优选为10％以下。在半导体装置的制造工序中，有时使用隐形切割(Stealth Dicing、注册商标)或DBG工序。若前述断裂伸长率为20％以下，则隐形切割或DBG工序后的冷扩展性良好。需要说明的是，关于隐形切割、DBG工序，将在后面进行说明。
前述断裂伸长率可以通过构成芯片接合薄膜3的材料来控制。例如，可以通过适宜选择构成芯片接合薄膜3的热塑性树脂的种类、含量、填料的含量等来控制。
前述断裂伸长率的测定方法根据实施例记载的方法。
如图1所示，芯片接合薄膜3的层构成可列举出由单层的粘接剂层构成的层构成。需要说明的是，在本说明书中，单层是指由同一组成构成的层，包括将由同一组成构成的层进行多层层叠而成者。
但是，本发明中的芯片接合薄膜不限定于该例。例如，可以是将组成不同的2种以上的粘接剂层层叠而得到的多层结构。
芯片接合薄膜3含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂。
前述填料的平均粒径为5nm～100nm的范围内，优选为7nm～80nm的范围内、更优选为10nm～50nm的范围内。由于使用平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料，因此能够使芯片接合薄膜3薄型化。另外，由于使用平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料，因此能够使芯片接合薄膜3的拉伸储能模量提高。
前述填料的平均粒径的测定方法基于实施例记载的方法。
前述填料的最大颗粒径通常需要小于芯片接合薄膜3的厚度。这是因为填料会从芯片接合薄膜突出，将芯片接合薄膜贴合到晶圆时，晶圆会破裂。由于芯片接合薄膜3中所含有的前述填料的平均粒径为5nm～100nm的范围内，因此粗大填料(直径比芯片接合薄膜3的厚度大的填料)存在的概率显著低。因此，例如能使芯片接合薄膜3为厚度5μm以下等。
作为前述填料，可列举出无机填料及有机填料，从低线膨胀系数的观点出发，优选无机填料。作为前述无机填料，没有特别限制，例如可列举出：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。它们可以单独使用或组合使用2种以上。其中，从获得的容易性、成本的观点出发，优选结晶二氧化硅、非晶二氧化硅。
将前述填料的平均粒径设为R、将芯片接合薄膜3的厚度设为T时，优选满足下述式2。
式2 10<T/R
若满足上述式2，则能够抑制填料从芯片接合薄膜3突出。其结果，能够防止在将芯片接合薄膜3贴合到晶圆时晶圆破裂。前述T/R更优选为15以上、进一步优选为20以上。
芯片接合薄膜3的厚度(T)优选为1～30μm、更优选为3～20μm。若为30μm以下，则在冷扩展工序中容易割断芯片接合薄膜。
前述填料的配混比率相对于芯片接合薄膜3整体优选为10～70重量％、更优选为20～60重量％。
若前述填料的配混比率为10～70重量％的范围内，则弹性模量会提高、割断性会提高。
作为前述热塑性树脂，可列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或组合使用2种以上。这些热塑性树脂之中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。芯片接合薄膜3由于包含热塑性树脂，因此能够维持作为薄膜的形状。
作为前述丙烯酸类树脂，没有特别限定，可列举出：将具有碳数30以下、特别是碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为前述烷基，例如可列举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
另外，作为形成前述聚合物的其它单体，没有特别限定，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体、马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或(4-羟基甲基环己基)-甲基丙烯酸酯等各种含羟基单体、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体、或2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基单体。
其中，前述热塑性树脂优选为具有环氧基作为官能团的丙烯酸类聚合物。若前述热塑性树脂为具有环氧基的丙烯酸类聚合物，则在被粘物为有机基板的情况下，通过与存在于有机基板的未反应的环氧树脂、酚醛树脂进行反应，可实现可靠性的提高。另外，也能与封装树脂反应，可实现可靠性提高。
作为前述热塑性树脂的配混比率，从提高固化前在高温下的弹性模量的观点出发，相对于芯片接合薄膜3整体优选为10～90重量％的范围内、更优选为15～60重量％的范围内。
前述热塑性树脂的重均分子量优选为500000～1700000、更优选为600000～1500000。若芯片接合薄膜3中的热塑性树脂的分子量为500000以上，则聚合物链彼此的内聚力增加。其结果，变得不易伸长，冷扩展时的割断性提高。另一方面，若分子量为1700000以下，则聚合物的合成容易。
在本说明书中，重均分子量是指通过以下的方法测定的值。
<重均分子量Mw的测定>
重均分子量Mw的测定通过GPC(凝胶渗透色谱法)来进行。测定条件如下述。需要说明的是，重均分子量通过聚苯乙烯换算来算出。
测定装置：HLC-8120GPC(制品名、TOSOH CORPORATION制)
柱：TSKgel GMH-H(S)×2(产品型号、TOSOH CORPORATION制)
流量：0.5ml/分钟
注入量：100μl
柱温度：40℃
洗脱液：THF
注入试样浓度：0.1重量％
検出器：差示折光计
关于前述酚醛树脂，例如可列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚氧化苯乙烯等。它们可以单独使用或组合使用2种以上。这些酚醛树脂之中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。由于包含酚醛树脂，因此可靠性优异。
作为前述酚醛树脂的配混比率，从可靠性的观点出发，相对于芯片接合薄膜3整体，优选为1～35重量％的范围内、更优选为3～20重量％的范围内。若在上述数值范围内，则与其它成分的反应会充分进行，因此能够提高可靠性。
芯片接合薄膜3优选包含着色剂。由于芯片接合薄膜3使用平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料，因此芯片接合薄膜3具有透明性，有辨识性降低的可能性。因此，如果包含着色剂，则能够提高芯片接合薄膜3的辨识性、能够提高操作性。
作为前述着色剂，可列举出颜料、染料等。前述着色剂可以单独使用或组合使用2种以上。需要说明的是，作为染料，酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等任意形态的染料均可以使用。另外，对颜料的形态也没有特别限制，可以自公知的颜料中适宜选择使用。其中，优选染料。若使用染料，则容易溶于构成芯片接合薄膜3的树脂，能够均匀地着色。另外，在制作芯片接合薄膜3时使用溶剂的情况下，容易溶于溶剂，能够均匀地着色。从不需进行分散的观点出发，优选溶解性优异的染料。
在使本发明的芯片接合薄膜3预先交联一定程度的情况下，在制作时，可以预先添加会与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，能够提高在高温下的粘接特性、实现耐热性的改善。
作为前述交联剂，可以采用以往公知的交联剂。特别是更优选甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、多元醇与二异氰酸酯的加成物等多异氰酸酯化合物。作为交联剂的添加量，相对于前述的聚合物100重量份，通常优选设为0.05～7重量份。若交联剂的量比7重量份多，则粘接力会降低，因此不优选。另一方面，若比0.05重量份少，则内聚力不足，因此不优选。另外，也可以与这样的多异氰酸酯化合物一起，根据需要一起含有环氧树脂等其它多官能性化合物。
需要说明的是，在芯片接合薄膜3中可以根据需要适宜配混其它添加剂。作为其它添加剂，例如可列举出：阻燃剂、硅烷偶联剂或离子捕捉剂等。作为前述阻燃剂，例如可列举出：三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。它们可以单独使用或组合使用2种以上。作为前述硅烷偶联剂，例如可列举出：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或组合使用2种以上。作为前述离子捕捉剂，例如可列举出水滑石类、氢氧化铋等。它们可以单独使用或组合使用2种以上。
需要说明的是，从提高可靠性的观点出发，可以使芯片接合薄膜3中含有少量的环氧树脂。但是，由于环氧树脂是低分子量的，因此若使芯片接合薄膜3中含有大量的环氧树脂，则热固化前的弹性模量会降低。另外，由于固化成分会增加，因此使得热固化后的嵌入性降低。由此，芯片接合薄膜3优选不含有环氧树脂。
(切割片)
本实施方式的切割片11具有在基材1上层叠粘合剂层2的构成。其中，本发明的切割片只要在冷扩展工序中将芯片接合薄膜3断裂而进行单片化时能够固定芯片接合薄膜3，就不限定于该例。例如，在基材与粘合剂层之间可以存在其它层。
(基材)
基材1优选具有紫外线透过性，成为切割芯片接合薄膜10的强度基体。例如可列举出：低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳纶(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纤维素系树脂、有机硅树脂、金属(箔)、纸等。
另外，作为基材1的材料，可列举出前述树脂的交联体等聚合物。前述塑料薄膜可以无拉伸地使用，也可以使用根据需要实施了单向或双向拉伸处理的塑料薄膜。利用通过拉伸处理等赋予了热收缩性的树脂片，在冷扩展后使基材1的半导体晶圆的外周部分热收缩(热扩展)，由此能够扩大带芯片接合薄膜3的半导体芯片5彼此的间隔，从而实现半导体芯片5的回收的容易化。
对于基材1的表面，为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，可以实施惯用的表面处理例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理等化学或物理处理、利用底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。基材1可以适宜选择同种或异种的基材而使用，根据需要也可以使用将多种混合而得到的基材。另外，为了对基材1赋予抗静电能力，可以在基材1上设置由金属、合金、它们的氧化物等形成的厚度为左右的导电性物质的蒸镀层。基材1可以为单层或2种以上的多层。
对基材1的厚度没有特别限定，可以适宜决定，通常为5～200μm左右。
(粘合剂层)
作为粘合剂层2的形成中使用的粘合剂，没有特别限制，例如，可以使用丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂等通常的压敏性粘合剂。作为前述压敏性粘合剂，从半导体晶圆、玻璃等厌恶汚染的电子部件的、利用超纯水、醇等有机溶剂的清洁清洗性等方面出发，优选将丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
作为前述丙烯酸类聚合物，例如可列举出：使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲基酯、乙基酯、丙基酯、异丙基酯、丁基酯、异丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、异戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己酯、异辛基酯、壬基酯、癸基酯、异癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳数为1～30、特别是碳数为4～18的直链状或支链状的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊基酯、环己基酯等)的1种或2种以上作为单体成分的丙烯酸类聚合物等。需要说明的是，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的(甲基)全部为同样的含义。
出于内聚力、耐热性等的改性的目的，前述丙烯酸类聚合物可以根据需要包含与能与前述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其它单体成分相对应的单元。作为这样的单体成分，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯、(4-羟基甲基环己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些能共聚的单体的用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
进而，为了使其交联，前述丙烯酸类聚合物根据需要也可以含有多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这样的多官能性单体，例如可列举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。从粘合特性等方面出发，多官能性单体的用量优选为全部单体成分的30重量％以下。
前述丙烯酸类聚合物可以通过使单一单体或2种以上的单体混合物供于聚合而获得。聚合以溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式进行均可。从防止对清洁的被粘物的汚染等方面出发，优选低分子量物质的含量小者。从该方面出发，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为30万以上、进一步优选为40万～300万左右。
另外，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，前述粘合剂也可以适宜采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体方法，可列举出：添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮杂环丙烷化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓的交联剂并使其反应的方法。使用外部交联剂时，其用量会根据与要交联的基础聚合物的平衡、进而作为粘合剂的使用用途来适宜决定。通常，相对于前述基础聚合物100重量份，优选配混5重量份左右以下、更优选0.1～5重量份。进而，在粘合剂中，根据需要，除前述成分以外，也可以使用以往公知的各种增粘剂、防老化剂等添加剂。
粘合剂层2可以由辐射线固化型粘合剂形成。若在贴合有芯片接合薄膜3的状态下照射紫外线，则能够在其与芯片接合薄膜3之间产生锚固效果。由此，能够提高低温(例如-15℃)下的粘合剂层2与芯片接合薄膜3的密合性。
需要说明的是，温度越低，基于锚固效果的密合性越高。虽然在常温(例如23℃)下也有锚固效果，但与低温时相比，在常温下不会发挥基于锚固效果的密合性。
辐射线固化型粘合剂可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键等辐射线固化性的官能团、并且表现粘合性的粘合剂。作为辐射线固化型粘合剂，例如可例示出在前述丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂等通常的压敏性粘合剂中配混辐射线固化性的单体成分、低聚物成分而得到的添加型的辐射线固化型粘合剂。
作为配混的辐射线固化性的单体成分，例如可列举出：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，辐射线固化性的低聚物成分可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，其分子量为100～30000左右的范围是适当的。对于辐射线固化性的单体成分、低聚物成分的配混量，可以根据前述粘合剂层的种类适宜决定能够降低粘合剂层的粘合力的量。通常，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为5～500重量份，优选为40～150重量份左右。
另外，作为辐射线固化型粘合剂，除了前述说明的添加型的辐射线固化型粘合剂以外，还可列举出使用了在聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型的辐射线固化型粘合剂。内在型的辐射线固化型粘合剂由于不必含有作为低分子成分的低聚物成分等、或者不含有很多低聚物成分，因此低聚物成分等不会经时地在粘合剂中移动，能够形成稳定的层结构的粘合剂层，因此优选。
前述具有碳-碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键、并且具有粘合性的基础聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物为基本骨架。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可列举出前述例示的丙烯酸类聚合物。
对碳-碳双键向前述丙烯酸类聚合物的导入法没有特别限制，可以采用各种方法，对于碳-碳双键，导入至聚合物侧链在分子设计的方面是容易的。例如可列举出如下方法：预先将丙烯酸类聚合物中具有官能团的单体共聚后，使具有能与该官能团反应的官能团及碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线固化性的条件下进行缩合或加成反应。
作为这些官能团的组合的例子，可列举出羧酸基与环氧基、羧酸基与吖丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。从反应追踪的容易性出发，这些官能团的组合之中，羟基与异氰酸酯基的组合是适宜的。另外，只要是通过这些官能团的组合会生成前述具有碳-碳双键的丙烯酸类聚合物那样的组合，官能团可以处于丙烯酸类聚合物和前述化合物的任意侧，前述优选的组合中，丙烯酸类聚合物具有羟基、前述化合物具有异氰酸酯基的情况是适当的。在这种情况下，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如可列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸类聚合物，可以使用将前述例示的含羟基单体、2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得到的聚合物。
前述内在型的辐射线固化型粘合剂可以单独使用前述具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，也可以以不使特性恶化的程度配混前述辐射线固化性的单体成分、低聚物成分。辐射线固化性的低聚物成分等通常相对于基础聚合物100重量份为30重量份的范围内、优选为0～10重量份的范围。
前述辐射线固化型粘合剂在通过紫外线等而使之固化时含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚系化合物；苄基二甲基缩酮等缩酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基膦氧化物；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配混量相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份例如为0.05～20重量份左右。
另外，作为辐射线固化型粘合剂，例如可列举出：日本特开昭60-196956号公报中公开的、含有具有2个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物、以及羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐系化合物等光聚合引发剂的橡胶系粘合剂、丙烯酸类粘合剂等。
对粘合剂层2的厚度没有特别限定，从防止芯片切断面的缺陷、芯片接合薄膜3的固定保持的兼顾性等方面出发，优选为1～50μm左右、更优选为2～30μm、进一步优选为5～25μm。
前述切割芯片接合薄膜10的芯片接合薄膜3优选被隔膜保护(未图示)。隔膜在供于实用为止具有作为用于保护芯片接合薄膜3的保护材料的功能。另外，隔膜还可以作为将芯片接合薄膜3转印到粘合剂层2时的支撑基材使用。隔膜在将工件贴接到切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜3上时被剥离。作为隔膜，也可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、通过氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂覆的塑料薄膜、纸等。
本实施方式的切割芯片接合薄膜10例如如下地制作。
首先，对于基材1，可以通过以往公知的制膜方法进行制膜。作为该制膜方法，例如可例示出压延制膜法、在有机溶剂中的浇铸法、在密闭体系中的吹胀挤出法、T膜挤出法、共挤出法、干式层压法等。
接着，在基材1上涂布粘合剂组合物溶液而形成涂布膜后，使该涂布膜在规定条件下干燥(根据需要使其加热交联)，形成前体层。作为涂布方法，没有特别限定，例如可列举出：辊涂覆、丝网涂覆、凹版涂覆等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度80～150℃、干燥时间0.5～5分钟的范围内进行。另外，也可以在隔膜上涂布粘合剂组合物而形成涂布膜后，在前述干燥条件下使涂布膜干燥来形成前述前体层。然后，在基材1上将前述前体层与隔膜一起贴合。由此制作切割片前体。
芯片接合薄膜3例如如下地制作。
首先，制作作为芯片接合薄膜3的形成材料的粘接剂组合物溶液。如前所述，在该粘接剂组合物溶液中配混有前述粘接剂组合物、填料、其他各种添加剂等。
接着，将粘接剂组合物溶液以成为规定厚度的方式涂布在基材隔膜上而形成涂布膜后，使该涂布膜在规定条件下干燥，形成芯片接合薄膜3。作为涂布方法没有特别限定，例如可列举出：辊涂覆、丝网涂覆、凹版涂覆等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的范围内进行。另外，也可以在隔膜上涂布粘合剂组合物溶液而形成涂布膜后，在前述干燥条件下使涂布膜干燥而形成芯片接合薄膜3。然后，将芯片接合薄膜3与隔膜一起贴合在基材隔膜上。
接着，分别自前述切割片前体及芯片接合薄膜3剥离隔膜，以芯片接合薄膜3和粘合剂层成为贴合面的方式将两者贴合。贴合例如可以通过压接来进行。此时，对层压温度没有特别限定，例如优选30～50℃、更优选35～45℃。另外，对线压没有特别限定，例如优选0.1～20kgf/cm、更优选1～10kgf/cm。然后，可以从基材1侧照射紫外线。作为紫外线的照射量，优选使前述剥离力A及前述剥离力B在前述数值范围内的量。具体的紫外线的照射量根据粘合剂层的组成、厚度等不同，例如优选50mJ～500mJ、更优选100mJ～300mJ。通过以上方式得到本实施方式的切割芯片接合薄膜。
(半导体装置的制造方法)
接着，边参照图2～图5、图7、图8边对使用切割芯片接合薄膜10的半导体装置的制造方法进行说明。
本实施方式的半导体装置的制造方法至少包括以下工序：
工序A，将半导体晶圆贴附在切割芯片接合薄膜上；
工序B，使前述切割芯片接合薄膜扩展，至少使前述芯片接合薄膜断裂，得到带芯片接合薄膜的芯片；
工序C，拾取前述带芯片接合薄膜的芯片；
工序D，借助芯片接合薄膜将拾取的前述带芯片接合薄膜的芯片芯片接合到被粘物上；以及
工序E，对前述带芯片接合薄膜的芯片进行引线键合，
前述切割芯片接合薄膜含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，
热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
以下，首先对将切割芯片接合薄膜扩展，使芯片接合薄膜和改性区域形成后的半导体晶圆同时断裂，得到带芯片接合薄膜的芯片的情况(隐形切割)进行说明。
图2～图5为用于说明本实施方式的半导体装置的一个制造方法的截面示意图。
首先，对半导体晶圆4的分割预定线4L照射激光，在分割预定线4L上形成改性区域(参见图2)。本方法为在半导体晶圆的内部对准聚光点，沿格子状的分割预定线照射激光，通过基于多光子吸收的烧蚀在半导体晶圆的内部形成改性区域的方法。作为激光照射条件，只要在以下的条件的范围内进行适宜调整即可。
<激光照射条件>
(A)激光
(B)聚光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
对激光波长的透过率 100％以下
(C)载置半导体基板的裁置台的移动速度 280mm/秒以下
需要说明的是，关于照射激光而在分割预定线4L上形成改性区域的方法，在日本特许第3408805号公报、日本特开2003-338567号公报中进行了详细叙述，因此省略此处的详细说明。
接着，如图3所示，将改性区域形成后的半导体晶圆4压接在芯片接合薄膜3上，将其粘接保持而固定(安装工序)。该工序相当于本发明的工序A。本工序是通过压接辊等挤压手段边挤压边进行的。对安装时的贴附温度没有特别限定，优选为40～80℃的范围内。这是因为能够有效地防止半导体晶圆4的翘曲，并且能够减少切割芯片接合薄膜的伸缩的影响。
接着，通过对切割芯片接合薄膜10施加拉伸张力，从而使半导体晶圆4和芯片接合薄膜3在分割预定线4L上断裂，形成半导体芯片5(冷扩展工序)。该工序相当于本发明的工序B。本工序例如可以使用市售的晶圆扩展装置。具体而言，如图4的(a)所示，在贴合有半导体晶圆4的切割芯片接合薄膜10的粘合剂层2周边部贴附切割环31后，固定于晶圆扩展装置32。接着，如图4的(b)所示，使顶起部33上升，从而对切割芯片接合薄膜12施加张力。
前述冷扩展工序优选在0～-15℃的条件下实行，更优选在-5～-15℃的条件下实行。由于前述冷扩展工序在0～-15℃的条件下实行，因此能够适当地使芯片接合薄膜3断裂。
另外，在前述冷扩展工序中，扩展速度(顶起部上升的速度)优选为100～400mm/秒、更优选为100～350mm/秒、进一步优选为100～300mm/秒。使扩展速度为100mm/秒以上时，能够容易使半导体晶圆4和芯片接合薄膜3大致同时断裂。另外，使扩展速度为400mm/秒以下时，能够防止切割片11断裂。
另外，在前述冷扩展工序中，对于扩展量，优选扩展量为4～16mm。前述扩展量可以在前述数值范围内根据形成的芯片尺寸进行适宜调整。使扩展量为4mm以上时，能够使半导体晶圆4及芯片接合薄膜3的断裂更容易。另外，使扩展量为16mm以下时，能够进一步防止切割片11断裂。
这样，通过对切割芯片接合薄膜10施加拉伸张力，以半导体晶圆4的改性区域为起点，在半导体晶圆4的厚度方向产生断裂，并且能够使与半导体晶圆4密合的芯片接合薄膜3断裂，能够得到带芯片接合薄膜3的半导体芯片5。
接着，根据需要，进行热扩展工序。在热扩展工序中，对比贴附有切割片11的半导体晶圆4的部分的更外侧进行加热而使其热收缩。由此，使半导体芯片5彼此的间隔扩大。对热扩展工序中的条件没有特别限定，优选设为扩展量4～16mm、加热温度200～260℃、加热距离2～30mm、旋转速度3°/秒～10°/秒的范围内。
需要说明的是，热扩展工序不限定于该例。例如，热扩展工序可以为包含以下的工序(1)～(3)的工序。
(1)冷扩展工序之后，首先，通过加热台使切割片11扩展。由此，消除切割片11的皱褶，使半导体芯片5彼此的间隔扩大。
(2)接着，在加热台，将切割片11的贴附有半导体晶圆4的部分吸附，使得能够维持芯片间隔扩大的状态。
(3)然后，对比切割片11的贴附有半导体晶圆4的部分的更外侧进行加热使其热收缩(heat Shrink)。
接着，根据需要进行清洁工序。在清洁工序中，将带芯片接合薄膜3的半导体芯片5呈被固定状态的切割片11安装到旋涂器上。接着，边向半导体芯片5滴加清洗液边使旋涂器旋转。由此，对半导体芯片5的表面进行清洗。作为清洗液，例如可列举出水。旋涂器的旋转速度、旋转时间根据清洗液的种类等而不同，例如可以设为旋转速度400～3000rpm、旋转时间1～5分钟。
接着，为了将粘接固定于切割芯片接合薄膜10的半导体芯片5剥离，进行半导体芯片5的拾取(拾取工序)。该工序相当于本发明的工序C。作为拾取的方法，没有特别限定，可以采用以往公知的各种方法。例如可列举出利用针将各个半导体芯片5从切割芯片接合薄膜10侧顶起，通过拾取装置拾取被顶起的半导体芯片5的方法等。
接着，如图5所示，借助芯片接合薄膜3将拾取的半导体芯片5芯片接合在被粘物6上(临时固着工序)。该工序相当于本发明的工序D。作为被粘物6，可列举出：引线框、TAB薄膜、基板或另外制作的半导体芯片等。被粘物6例如可以为容易变形的变形型被粘物，也可以为不易变形的非变形型被粘物(半导体晶圆等)。
作为前述基板，可以使用以往公知的基板。另外，作为前述引线框，可以使用Cu引线框、42Alloy引线框等金属引线框、由玻璃环氧、BT(双马来酰亚胺-三嗪)、聚酰亚胺等形成的有机基板。但是，本发明不限定于此，也可以包含能将半导体元件粘接固定、与半导体元件电连接而使用的电路基板。
芯片接合薄膜3的临时固着时的在25℃下的剪切粘接力相对于被粘物6优选为0.2MPa以上、更优选为0.2～10MPa。若芯片接合薄膜3的剪切粘接力为至少0.2MPa以上，则在引线键合工序时，很少因该工序中的超声波振动、加热而在芯片接合薄膜3与半导体芯片5或被粘物6的粘接面发生偏移变形。即，很少由于引线键合时的超声波振动而导致半导体元件移动，由此会防止引线键合的成功率降低。另外，芯片接合薄膜3的临时固着时的在175℃的剪切粘接力相对于被粘物6优选为0.01MPa以上、更优选为0.01～5MPa。
接着，进行用接合引线7将被粘物6的端子部(内部引线)的前端与半导体芯片5上的电极垫(未图示)电连接的引线键合(引线键合工序)。该工序相当于本发明的工序E。作为前述接合引线7，例如使用金线、铝线或铜线等。对于进行引线键合时的温度，在80～250℃、优选在80～220℃的范围内进行。另外，对于其加热时间，进行数秒～数分钟。接线是通过在加热至成为前述温度范围内的状态下、通过组合使用基于超声波的振动能量和基于施加加压的压接能量来进行。本工序是在不进行芯片接合薄膜3的热固化下实行的。另外，在本工序的过程中，不会通过芯片接合薄膜3导致半导体芯片5和被粘物6固着。
接着，利用封装树脂8将半导体芯片5封装(封装工序)。本工序是为了保护安装于被粘物6的半导体芯片5、接合引线7而进行的。本工序是通过用模具将封装用的树脂成型来进行的。作为封装树脂8，例如使用环氧系的树脂。对于树脂封装时的加热温度，通常在175℃下进行60～90秒，但本发明不限定于此，例如可以在165～185℃下进行数分钟固化(cure)。由此，使封装树脂固化，并且借助芯片接合薄膜3使半导体芯片5和被粘物6固着。即，在本发明中，即使在不进行后述的后固化工序的情况下，也能在本工序中实现基于芯片接合薄膜3的固着，能够有助于减少制造工序数量及缩短半导体装置的制造时间。需要说明的是，封装工序不限定于该例，可以是使用片状的封装树脂(封装用片)、通过例如平行平板压制将半导体芯片5埋入该封装用片的工序。
在前述后固化工序中，使在前述封装工序中固化不足的封装树脂8完全固化。即使是芯片接合薄膜3在封装工序中未完全热固化的情况下，在本工序中，也能实现芯片接合薄膜3与封装树脂8一起的完全热固化。本工序中的加热温度根据封装树脂的种类而不同，例如为165～185℃的范围内，加热时间为0.5～8小时左右。
需要说明的是，本发明的切割芯片接合薄膜也可以适宜地用于将多个半导体芯片层叠而进行3维安装的情况。此时，可以在半导体芯片间层叠芯片接合薄膜和间隔物，也可以在半导体芯片间仅层叠芯片接合薄膜而不层叠间隔物，可以根据制造条件、用途等进行适宜变更。
以下，简单地对层叠有多个半导体芯片的半导体装置进行说明。图6为示出本实施方式的半导体装置的另一例的截面示意图。图6中示出的半导体装置借助芯片接合薄膜3在被粘物6上层叠有半导体芯片5，进而，借助芯片接合薄膜13在半导体芯片5上层叠有半导体芯片15。半导体芯片15在俯视中比半导体芯片5小。在半导体芯片5的上表面形成的电极垫(未图示)在俯视中从半导体芯片15露出。在半导体芯片5的上表面形成的电极垫与被粘物6的端子部(未图示)通过接合引线7进行电连接。另外，在半导体芯片15的上表面形成的电极垫(未图示)与被粘物6的端子部(未图示)通过接合引线7进行电连接。半导体芯片5、半导体芯片15被封装树脂8封装。芯片接合薄膜13可以是与芯片接合薄膜3同样的组成，也可以是在上述芯片接合薄膜项中说明的范围内与芯片接合薄膜3组成不同的组成。
以上，对层叠有多个半导体芯片的半导体装置的一例进行了说明。
接着，对于采用在半导体晶圆的表面形成槽、然后进行背面磨削的工序(DBG工序：Dicing Before Grinding工序)的半导体装置的制造方法，将在以下进行说明。
图7、图8为用于说明本实施方式的半导体装置的另一制造方法的截面示意图。首先，如图7的(a)所示，用旋转刀片(blade)41在半导体晶圆4的表面4F形成未到达背面4R的槽4S。需要说明的是，在槽4S的形成时，半导体晶圆4被未图示的支撑基材支撑。槽4S的深度可以根据半导体晶圆4的厚度、扩展的条件进行适宜设定。接着，如图7的(b)所示，以表面4F抵接的方式使半导体晶圆4被保护基材42支撑。然后，用磨削磨石45进行背面磨削，使槽4S从背面4R露出。需要说明的是，保护基材42向半导体晶圆的贴附可以使用以往公知的贴附装置，背面磨削也可以使用以往公知的磨削装置。
接着，如图8所示，在切割芯片接合薄膜10上压接露出了槽4S的半导体晶圆4，将其粘接保持而固定。该工序相当于本发明的工序A。然后，剥离保护基材42，通过晶圆扩展装置32对切割芯片接合薄膜10施加张力。由此，使芯片接合薄膜3断裂，形成半导体芯片5(芯片形成工序)。该工序相当于本发明的工序B。需要说明的是，芯片形成工序中的温度、扩展速度、扩展量与照射激光而在分割预定线4L上形成改性区域的情况同样。以后的工序由于与照射激光而在分割预定线4L上形成的改性区域的情况同样，因此省略此处的说明。
本实施方式的半导体装置的制造方法只要使半导体晶圆和芯片接合薄膜在冷扩展工序中同时断裂、或仅使芯片接合薄膜在冷扩展工序中断裂，就不限定于上述实施方式。作为其它实施方式，例如，也可以在如图7的(a)所示那样用旋转刀片41在半导体晶圆4的表面4F形成未到达背面4R的槽4S后，在切割芯片接合薄膜上压接露出了槽4S的半导体晶圆4，将其粘接保持而固定(临时固着工序)。然后，通过晶圆扩展装置对切割芯片接合薄膜施加张力。由此，在槽4S的部分中，使半导体晶圆4和芯片接合薄膜3断裂，形成半导体芯片5。
但是，本发明的半导体装置的制造方法不限定于该例。
例如，还可以是如下的半导体装置的制造方法，其包括以下工序：
工序A，将半导体晶圆贴附在切割芯片接合薄膜上；
工序X，通过刀片将前述半导体晶圆和前述芯片接合薄膜一起切割，得到带芯片接合薄膜的芯片；
工序C，拾取前述带芯片接合薄膜的芯片；
工序D，借助芯片接合薄膜将拾取的前述带芯片接合薄膜的芯片芯片接合到被粘物上；以及，
工序E，对前述带芯片接合薄膜的芯片进行引线键合。
[实施例]
以下，用实施例对本发明进行详细说明，但本发明只要不超过其要旨就不限定于以下的实施例。另外，各例中，只要没有特别说明，份均为重量基准。
(实施例1)
<切割片的制作>
在具备冷却管、氮气导入管、温度计及搅拌装置的反应容器中，放入丙烯酸-2-乙基己酯(以下，也称为“2EHA”)100份、丙烯酸-2-羟基乙酯(以下，也称为“HEA”。)19份、过氧化苯甲酰0.4份和甲苯80份，在氮气气流中、以60℃进行10小时聚合处理，得到丙烯酸类聚合物A。
向该丙烯酸类聚合物A中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下，也称为“MOI”)1.2份，在空气气流中、以50℃进行60小时加成反应处理，得到丙烯酸类聚合物A’。
接着，相对于丙烯酸类聚合物A’100份，加入多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATEL”、日本聚氨酯(株)制)1.3份、及光聚合引发剂(商品名“Irgacure 184”、Ciba SpecialtyChemicals Inc.制)3份，制作粘合剂溶液(也称为“粘合剂溶液A”)。
将前述制备的粘合剂溶液A涂布到PET剥离衬垫的实施了有机硅处理的面上，在120℃下加热干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层A。接着，在粘合剂层A的露出面上贴合厚度125μm的GUNZE LIMITED制EVA薄膜(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜)，在23℃保存72小时，得到切割片A。
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(d)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度为18重量％的粘接剂组合物溶液A。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)填料A(商品名“YA010C-SP3”Amatex Corporation制、平均粒径10nm)：100份
(d)着色剂(商品名“OIL SCARLET 308”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)：1份
将粘接剂组合物溶液A涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜A。
<切割芯片接合薄膜的制作>
从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜A贴合于露出的粘合剂层。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜A。
(实施例2)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(d)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度18重量％的粘接剂组合物溶液B。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)填料B(商品名“YA010C-SV1”Amatex Corporation制、平均粒径10nm)：100份
(d)着色剂(商品名“OIL SCARLET 308”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)：1份
将粘接剂组合物溶液B涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜B。
<切割芯片接合薄膜的制作>
准备与实施例1中使用的切割片A相同的切割片。接着，从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜B贴合于露出的粘合剂层。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜B。
(实施例3)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(d)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度18重量％的粘接剂组合物溶液C。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)填料C(商品名“MEK-ST-40”日产化学工业株式会社制、平均粒径13nm)：100份
(d)着色剂(商品名“OIL SCARLET 308”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)：1份
将粘接剂组合物溶液C涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜C。
<切割芯片接合薄膜的制作>
准备与实施例1中使用的切割片A相同的切割片。接着，从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜C贴合于露出的粘合剂层。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜C。
(实施例4)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(d)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度18重量％的粘接剂组合物溶液D。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)填料D(商品名“MEK-ST-L”日产化学工业株式会社制、平均粒径45nm)：100份
(d)着色剂(商品名“OIL SCARLET 308”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)：1份
将粘接剂组合物溶液D涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜D。
<切割芯片接合薄膜的制作>
准备与实施例1中使用的切割片A相同的切割片。接着，从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜D贴合于露出的粘合剂层。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜D。
(实施例5)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(d)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度18重量％的粘接剂组合物溶液E。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)填料E(商品名“MEK-ST-ZL”日产化学工业株式会社制、平均粒径85nm)：100份
(d)着色剂(商品名“OIL SCARLET 308”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)：1份
将粘接剂组合物溶液E涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜E。
<切割芯片接合薄膜的制作>
准备与实施例1中使用的切割片A相同的切割片。接着，从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜E贴合于露出的粘合剂层。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜E。
(实施例6)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(c)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度18重量％的粘接剂组合物溶液F。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)填料D(商品名“MEK-ST-L”日产化学工业株式会社制、平均粒径45nm)：100份
将粘接剂组合物溶液F涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜F。
<切割芯片接合薄膜的制作>
准备与实施例1中使用的切割片A相同的切割片。接着，从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜F贴合于露出的粘合剂层。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜F。
(比较例1)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(d)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度18重量％的粘接剂组合物溶液G。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)填料C(商品名“MEK-ST-40”日产化学工业株式会社制、平均粒径13nm)：280份
(d)着色剂(商品名“OIL SCARLET 308”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)：2份
将粘接剂组合物溶液G涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜G。
<切割芯片接合薄膜的制作>
从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜G贴合于露出的粘合剂层。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜G。
(比较例2)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(c)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度18重量％的粘接剂组合物溶液H。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)填料F(商品名“SO-25R”Advanced Technology and Systems Co.,Ltd.制、平均粒径500nm)：100份
将粘接剂组合物溶液H涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜H。
<切割芯片接合薄膜的制作>
准备与实施例1中使用的切割片A相同的切割片。接着，从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜H贴合于露出的粘合剂层上。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜H。
(比较例3)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(c)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度18重量％的粘接剂组合物溶液I。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)：12份
(c)着色剂(商品名“OIL SCARLET 308”、ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制)：1份
将粘接剂组合物溶液I涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜I。
<切割芯片接合薄膜的制作>
准备与实施例1中使用的切割片A相同的切割片。接着，从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜I贴合于露出的粘合剂层上。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜I。
(比较例4)
<芯片接合薄膜的制作>
使下述(a)～(f)溶解于甲基乙基酮，得到固体成分浓度45重量％的粘接剂组合物溶液J。
(a)丙烯酸类树脂(商品名“SG-P3”Nagase ChemteX Corporation制、分子量850000)：100份
(b)环氧树脂A(商品名“JER1010”、三菱化学株式会社制)：52份
(c)环氧树脂B(商品名“JER828”、三菱化学株式会社制)：140份
(d)酚醛树脂(商品名“MEH-7851ss”、MEIWAKASEI Co.Ltd.制)210份
(e)填料C(商品名“MEK-ST-40”日产化学工业株式会社制、平均粒径13nm)：100份
(f)固化促进剂(商品名“2PHZ-PW”四国化成工业株式会社制)3份
将粘接剂组合物溶液J涂布在进行了有机硅脱模处理的厚度50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上后，在130℃下干燥2分钟。由此，得到厚度(平均厚度)5μm和厚度(平均厚度)20μm的芯片接合薄膜J。
<切割芯片接合薄膜的制作>
准备与实施例1中使用的切割片A相同的切割片。接着，从切割片A剥离PET剥离衬垫，使芯片接合薄膜J贴合于露出的粘合剂层上。在贴合中使用了手压辊。接着，从切割片侧照射300mJ的紫外线。通过以上方式得到切割芯片接合薄膜J。
[填料的平均粒径的测定]
将实施例、比较例的芯片接合薄膜在175℃下加热1小时，然后，将热固化后的芯片接合薄膜包埋于树脂(Struers Inc.制、EpoFix kit)中。对包埋的样品进行机械研磨而使芯片接合薄膜的截面露出。接着，通过CP装置(Cross-section Polisher、日本电子株式会社制、SM-09010)对截面进行离子刻蚀(ion milling)加工。然后，实施导电处理，进行FE-SEM观察。FE-SEM的观察在加速电压1～5kV下进行，观察反射电子图像。用图像分析软件Image-J对拍摄的图像进行二值化处理并识别填料颗粒。接着，用图像内的填料颗粒的面积除以图像内的填料颗粒个数，求出填料颗粒的平均面积，算出粒径。
[芯片接合薄膜的热固化前在150℃及175℃下的拉伸储能模量、及芯片接合薄膜的热固化前的玻璃化转变温度的测定]
使实施例及比较例的芯片接合薄膜重叠直到厚度变为200μm。接着，用切割刀切出为长度40mm(测定长度)、宽度10mm的条状。接着，使用固体粘弹性测定装置(RSAIII、Rheometric Scientific Inc.制)，测定-40～260℃下的拉伸储能模量。测定条件设为：卡盘间距离20mm、拉伸模式、频率1Hz、应变0.1％、升温速度10℃/分钟。测定是在-40℃下保持5分钟后开始的。读取此时在150℃及175℃下的值，作为拉伸储能模量的测定值。
另外，根据得到的tanδ的数据，作成温度-Tanδ曲线，读取最大的峰的Tanδ最大值的温度，将该温度作为热固化前的玻璃化转变温度。将结果示于表1。
[芯片接合薄膜的热固化后的玻璃化转变温度的测定]
使实施例及比较例的芯片接合薄膜重叠直到厚度变为200μm。接着，在175℃下加热1小时，形成热固化后的芯片接合薄膜。接着，用切割刀切出为长度40mm(测定长度)、宽度10mm的条状。接着，使用固体粘弹性测定装置(RSAIII、Rheometric Scientific Inc.制)，测定-40～260℃下的拉伸储能模量。测定条件设为：卡盘间距离20mm、拉伸模式、频率1Hz、应变0.1％、升温速度10℃/分钟。测定是在-40℃下保持5分后开始的。根据得到的tanδ的数据作成温度-Tanδ曲线，读取最大的峰的Tanδ最大值的温度，将该温度作为热固化后的玻璃化转变温度。将结果示于表1。
[芯片接合薄膜的热固化前的状态下的在-15℃下的断裂伸长率的测定]
使实施例及比较例的芯片接合薄膜重叠直到厚度变为200μm。接着，用切割刀切出为长度60mm(测定长度)、宽度10mm的条状。
使用拉伸试验机(制造商名：SHIMADZU：带恒温恒湿槽的3连拉伸试验机)，测定在-15℃下的断裂伸长率。测定条件设为：卡盘间距离20mm、速度100mm/分钟、测定温度-15℃。测定是在-15℃下保持2分钟后开始的。根据下式求出断裂伸长率。将结果示于表1。
[断裂伸长率(％)]＝[(断裂时的粘接片的长度(mm)-20)/20×100]
[辨识性评价]
将能够容易地辨识到芯片接合薄膜与脱模处理薄膜(剥离衬垫)的边界的情况评价为〇、将不容易辨识到的情况评价为×。将结果示于表1。
[嵌入性评价]
将各实施例及比较例中得到的厚度20μm的芯片接合薄膜在60℃下贴附于磨削为50μm的硅晶圆上，单片化为10mm见方的芯片，得到带芯片接合薄膜的芯片。将该带芯片接合薄膜的芯片在温度150℃、压力0.1MPa、时间1s的条件下安装在BGA基板上。进而将其在干燥机中、在175℃下热处理1小时。接着，使用成型机(TOWAプレス公司制、Manual Press Y-1)，在成形温度175℃、夹持压力184kN、传递压力5kN、时间120秒、封装树脂GE-100(日东电工株式会社制)的条件下下进行封装工序。封装工序后，使用超声波成像装置(Hitachi Fine-Tech,Inc.制、FS200II)对BGA基板与芯片接合薄膜的界面的空隙进行观察。用二值化软件(WinRoof ver.5.6)算出在观察图像中空隙占据的面积。将空隙所占据的面积相对于芯片接合薄膜的表面积不足30％的情况评价为“○”，将为30％以上的情况评价为“×”。
[翘曲评价]
将各实施例及比较例中得到的厚度5μm的芯片接合薄膜在60℃下贴附于磨削为厚度30μm的硅晶圆上，单片化(切割)为纵向15mm×横向10mm尺寸的芯片，得到带芯片接合薄膜的芯片。
将该带芯片接合薄膜的芯片在温度150℃、压力0.1MPa、时间1s的条件下安装于BGA基板上。
进而，在安装的芯片之上偏离横向300μm地安装第二枚芯片。重复该操作，进行层叠直到芯片层数变为4层为止。准备5个该层叠体。
将层叠的芯片以能看到芯片横向的侧面的方式安装到显微镜上，将第1层的芯片的中央与BGA基板间的距离设为零，观察两端向上翘曲多少。具体而言，测定BGA基板与各端部的距离。
算出两端的翘曲量的平均值。进而算出5个制作的层叠体的平均值。将该平均值不足60μm者评价为○、将60μm以上的评价为×。将结果示于表1。
[冷扩展评价]
使用株式会社东京精密制ML300-Integration作为激光加工装置，在12英寸的半导体晶圆的内部对准聚光点，沿格子状(10mm×10mm)的分割预定线照射激光，在半导体晶圆的内部形成改性区域。对于激光照射条件，如下所述地进行。
(A)激光
(B)聚光用透镜
倍率 50倍
NA 0.55
相对于激光波长的透过率 60％
(C)载置半导体基板的裁置台的移动速度 100mm/秒
接着，将背面研磨用保护带贴合在半导体晶圆的表面上，使用DISCO Corporation制背面研磨机DGP8760，对背面进行磨削以使半导体晶圆的厚度成为25μm。
接着，使对实施例及比较例的切割芯片接合薄膜(芯片接合薄膜厚度5μm)进行了基于激光的前处理的前述半导体晶圆及切割环贴合。
接着，使用DISCO Corporation制Die Separator DDS2300，进行半导体晶圆的割断及切割片的热收缩，由此得到样品。具体而言，首先，用冷扩展单元、在扩展温度-15℃、扩展速度100mm/秒、扩展量12mm的条件下将半导体晶圆割断。
然后，用热扩展单元、在扩展量10mm、加热温度250℃、风量40L/分钟、加热距离20mm、旋转速度3°/秒的条件下使切割片热收缩。
使用得到的样品进行拾取评价。具体而言，使用Die bonder SPA-300(ShinkawaLtd.制)，在以下的条件下进行拾取。将能够全部拾取的情况记为○，只要有1个不能拾取的芯片就记为×来进行评价。将结果示于表1。
<拾取条件>
针(pin)数：5
拾取高度：500μm
拾取评价数：50芯片
[表1]

Claims (9)

1.一种芯片接合薄膜，其特征在于，
含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，
热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
2.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，将热固化前的玻璃化转变温度设为T0、将热固化后的玻璃化转变温度设为T1时，满足下述式1,
式1 T0<T1<T0+20。
3.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，所述填料为二氧化硅填料。
4.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，所述热塑性树脂为具有环氧基的丙烯酸类聚合物。
5.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，包含着色剂。
6.根据权利要求5所述的芯片接合薄膜，其特征在于，所述着色剂为染料。
7.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，将所述填料的平均粒径设为R、将所述芯片接合薄膜的厚度设为T时，满足下述式2,
式2 10<T/R。
8.一种切割芯片接合薄膜，其特征在于，具备切割片和权利要求1～7中的任一项所述的芯片接合薄膜。
9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
工序A，将半导体晶圆贴附在切割芯片接合薄膜上；
工序B，使所述切割芯片接合薄膜扩展，至少使所述芯片接合薄膜断裂，得到带芯片接合薄膜的芯片；
工序C，拾取所述带芯片接合薄膜的芯片；
工序D，借助芯片接合薄膜将拾取的所述带芯片接合薄膜的芯片芯片接合到被粘物上；以及，
工序E，对所述带芯片接合薄膜的芯片进行引线键合，
所述切割芯片接合薄膜含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，且热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
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