CN104040697A - 半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜 - Google Patents

半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：在半导体晶片(4)的表面形成槽(4S)后，粘贴保护用粘合薄膜(44)，进行半导体晶片的背面磨削，使槽从背面露出的工序；在半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜，然后将保护用粘合薄膜剥离的工序；和沿着露出胶粘薄膜的槽照射波长355nm的激光，将胶粘薄膜切断的工序；胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。

Description

半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜。
背景技术
以往，在半导体装置的制造过程中，将半导体芯片粘着到引线框或电极构件上时使用银浆。所述粘着处理通过在引线框的芯片焊盘等上涂布浆状胶粘剂，在其上搭载半导体芯片并使浆状胶粘剂层固化来进行。
但是，浆料胶粘剂由于其粘度行为或劣化等而在涂布量或涂布形状等方面产生大的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂厚度不均匀，因此半导体芯片的粘着强度的可靠性差。即，浆状胶粘剂的涂布量不足时，半导体芯片与电极构件之间的粘着强度降低，在后续的引线接合工序中半导体芯片剥离。另一方面，浆状胶粘剂的涂布量过多时，浆状胶粘剂流延到半导体芯片上而产生特性不良，成品率或可靠性下降。这样的粘着处理中的问题伴随半导体芯片的大型化变得特别显著。因此，需要频繁地进行浆状胶粘剂的涂布量的控制，影响作业性和生产率。
在该浆状胶粘剂的涂布工序中，有将浆状胶粘剂另行涂布到引线框或形成的芯片上的方法。但是，对于该方法而言，浆状胶粘剂层难以均匀化，另外浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置或长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片并且提供安装工序中所需的芯片粘着用胶粘剂层的切割薄膜(例如，参见专利文献1)。
该切割薄膜在支撑基材上以可剥离的方式设置有胶粘剂层，在利用该胶粘剂层的保持下将半导体晶片切割后，将支撑基材拉伸而将形成的芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，并通过该胶粘剂层粘着到引线框等被粘物上。
使用在切割薄膜上层叠有芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，在芯片接合薄膜的保持下切割半导体晶片时，需要将该芯片接合薄膜与半导体晶片同时切断。然而，对于使用金刚石刀片的一般的切割方法而言，担心由于切割时产生的热的影响而导致芯片接合薄膜与切割薄膜的粘连、由于产生切削屑而导致半导体芯片之间的粘着、切削屑附着到半导体芯片侧面等，因此需要降低切断速度，导致成本上升。
在专利文献2中，公开了以下的半导体装置的制造方法：从形成有半导体电路的晶片表面形成比该晶片厚度浅的切入深度的槽，在该电路面上粘贴表面保护片，进行上述半导体晶片的背面磨削由此减薄晶片的厚度，并且最终进行对各个芯片的分割，在磨削面上粘贴包含基材和在其上形成的胶粘剂层的切割/芯片接合片，将该表面保护片剥离，将在芯片间露出的切割/芯片接合片的胶粘剂层切断，将该胶粘剂层与芯片一起从切割/芯片接合片的基材剥离，并通过该胶粘剂层将芯片粘着到规定的基底上。
专利文献2中记载的半导体装置的制造方法中，使用切割刀片将在芯片间露出的胶粘剂层切断。另外，用于切断胶粘剂层的切割刀片的宽度使用比芯片的槽宽更窄的宽度，进一步优选该刀片宽度为芯片间槽宽的约30％～约90％。但是，专利文献2的半导体装置的制造方法中，粘贴在芯片背面上并且被切断的胶粘剂层有时俯视比芯片大，成为从芯片突出的状态。从芯片突出的相邻的胶粘剂层之间的距离近，因此有时重新胶粘。因此，存在有时不能拾取的问题。另外，胶粘剂层为从芯片突出的状态时，存在有时来源于胶粘剂层的物质污染设置在胶粘剂层附近的引线接合焊盘的问题。另外，存在有时由于突出的胶粘剂层而难以进行引线接合的问题。
在专利文献3中，公开了一种带胶粘剂半导体芯片的制造方法，其具有如下工序：(a)预先在半导体晶片基板表面的对应于贯穿部的部位进行切槽加工至半导体晶片的最终制品厚度的程度的工序、(b)在进行了切槽加工的所述半导体晶片基板表面贴合保护用粘合带的工序、(c)将所述半导体晶片基板薄膜化至预先进行了切槽加工的部位贯穿的厚度、(d)在所述半导体晶片基板的背面磨削加工结束后，在贴合有该保护用粘合带的状态下在所述半导体晶片基板的背面贴合芯片接合片的工序、(de1)在所述芯片接合片上进一步贴合在基材薄膜上形成有包含通过照射紫外线而固化的紫外线固化型粘合剂的粘合剂层的切割带的工序、(de2)从所述切割带的基材薄膜一侧照射紫外线使所述粘合剂层固化的工序、和(e)沿着所述半导体晶片的贯穿部对该芯片接合片以及前述固化后的粘合剂层照射激光从而将该芯片接合片切断的工序。
专利文献3中记载的带胶粘剂半导体芯片的制造方法中，在半导体晶片上贴合有保护用粘合带的状态下从切割薄膜一侧照射激光从而将芯片接合片切断。因此，利用激光切断芯片接合片时的碎屑(碎片)位于保护用粘合带上，从而填塞芯片间的空隙。结果，切断芯片接合片时的碎屑与芯片接合片融合等，从而不能适当地进行芯片接合片的切断。特别是芯片的厚度薄的情况下或者芯片接合片的厚度厚的情况下，不能适当地进行芯片接合片的切断的可能性非常高。因此，存在在此后的拾取工序中无法从切割带上剥离芯片接合片的问题。
因此，在专利文献4中，公开了一种装置的制造方法，其具有如下工序：在晶片的表面沿着预定分割线形成对应于想获得的芯片的厚度的深度的分割槽的分割槽形成工序、在所述晶片的表面粘贴保护薄膜的保护薄膜粘贴工序、磨削所述晶片的背面直到所述分割槽露出为止从而将晶片分割为各个所述芯片的背面磨削工序、形成在分割为多个芯片的所述晶片的背面粘贴有胶粘薄膜并且在该胶粘薄膜上粘贴有由环状框支撑的具有延伸性的切割带的状态的胶粘薄膜粘贴工序、和将所述保护薄膜剥离除去后对所述胶粘薄膜照射通过所述分割槽的激光光线，由此将该胶粘薄膜沿所述分割槽切断的胶粘薄膜切断工序(特别是，参见第0046段、第0051段、图10)。
专利文献4中记载的装置的制造方法中，在照射激光光线前将保护薄膜剥离除去。因此，可以抑制利用激光光线切断胶粘薄膜时的碎片填塞芯片间的空隙的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭60-57642号公报
专利文献2：日本特开2001-156027号公报
专利文献3：日本特开2011-009763号公报
专利文献4：日本特开2007-081037号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是，专利文献4中记载的装置的制造方法中，在照射激光光线前将保护薄膜剥离除去，因此在照射激光光线时从胶粘薄膜飞散的碎片有可能附着到芯片表面的方面尚有改善的余地。
本发明鉴于前述问题而创立，其目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法、以及该半导体装置的制造方法中使用的胶粘薄膜。
用于解决问题的手段
本申请发明人为了解决前述现有的问题对半导体装置的制造方法以及该半导体装置的制造方法中使用的胶粘薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述的构成，可以提高胶粘薄膜的切断可靠性并且可以抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染，从而完成了本发明。
即，本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有如下工序：
在半导体晶片的表面形成未达到背面的槽的工序A、在形成有槽的所述半导体晶片的表面粘贴保护用粘合薄膜的工序B、进行所述半导体晶片的背面磨削，使所述槽从背面露出的工序C、在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜的工序D、在所述工序D后，将所述保护用粘合薄膜剥离的工序E、和在所述工序E后，沿着露出所述胶粘薄膜的所述槽照射波长355nm的激光，将所述胶粘薄膜切断的工序F；
所述胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。
根据所述构成，利用激光切断胶粘薄膜，因此可以抑制切断后的胶粘薄膜成为在俯视图中从芯片突出的状态。另外，根据所述构成，在照射激光前将保护用粘合薄膜剥离。因此，可以抑制利用激光切断胶粘薄膜时的碎片填塞芯片间的空隙的问题。结果，可以提高利用激光切断胶粘薄膜的切断可靠性。
另外，所述胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上，因此适合利用355nm的激光切断。另外，所述胶粘薄膜具有(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上的一定程度的硬度。因此，激光照射时从胶粘薄膜飞散的碎片的量减少。结果，可以抑制碎片附着到芯片表面。
可见，根据前述构成，可以提高胶粘薄膜的切断可靠性，并且可以抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染。
前述构成中，优选：所述胶粘薄膜为芯片接合薄膜，所述工序D为在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴所述芯片接合薄膜的工序。
前述构成中，优选：所述芯片接合薄膜层叠在切割薄膜上。
前述构成中，优选：所述胶粘薄膜为用于形成在倒装芯片连接到被粘物上的半导体元件的背面的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述工序D为在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴所述倒装芯片型半导体背面用薄膜的工序。
前述构成中，优选：所述倒装芯片型半导体背面用薄膜层叠在切割薄膜上。
前述构成中，优选：所述胶粘薄膜含有作为热固性树脂的环氧树脂和酚醛树脂、作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂、以及填料，将环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的合计重量设为A重量份，将填料的重量设为B重量份时，B/(A+B)为0以上且0.7以下。所述B/(A+B)为0.7以下时，容易利用355nm的激光切断。
另外，本发明的胶粘薄膜为用于前述的半导体装置的制造方法的胶粘薄膜，其特征在于，(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。
根据前述构成，所述胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上，因此适合利用355nm的激光切断。另外，所述胶粘薄膜具有(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上的一定程度的硬度。因此，激光照射时从胶粘薄膜飞散的碎片的量减少。结果，可以抑制碎片附着到芯片表面。
前述构成中，优选：所述胶粘薄膜含有作为热固性树脂的环氧树脂和酚醛树脂、作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂、以及填料，将环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的合计重量设为A重量份，将填料的重量设为B重量份时，B/(A+B)为0以上且0.7以下。所述B/(A+B)为0.7以下时，容易利用355nm的激光切断。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
图2是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
图3是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
图4是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
图5是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
图6是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
图7是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
图8是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
具体实施方式
以下对本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。以下首先对本发明的胶粘薄膜为芯片接合薄膜的情况进行说明。图1～图8是用于说明本发明的一个实施方式的半导体装置的一种制造方法的剖视示意图。
本实施方式的半导体装置的制造方法至少具有如下工序：在半导体晶片的表面形成未达到背面的槽的工序A、在形成有槽的所述半导体晶片的表面粘贴保护用粘合薄膜的工序B、进行所述半导体晶片的背面磨削，使所述槽从背面露出的工序C、在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴芯片接合薄膜的工序D、在所述工序D后，将所述保护用粘合薄膜剥离的工序E、和在所述工序E后，沿着露出所述芯片接合薄膜的所述槽照射波长355nm的激光，将所述芯片接合薄膜切断的工序F；所述芯片接合薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。另外，本说明书中，半导体晶片的表面是指形成有电路的面。
[槽形成工序]
首先，如图1所示，利用旋转刀片41在半导体晶片4的表面4F形成未达到背面4R的槽4S(工序A)。另外，形成槽4S时，半导体晶片4可以由未图示的支撑基材支撑。槽4S的深度可以根据半导体晶片4的厚度等适当设定。
[保护用粘合薄膜粘贴工序]
然后，如图2所示，在形成有槽4S的半导体晶片4的表面4F上粘贴保护构件42所具有的保护用粘合薄膜44(工序B)。保护构件42具有在中央具有开口部的环状框43、粘贴在框43的背面并且堵塞框43的开口部的保护用粘合薄膜44，保护用粘合薄膜44利用其粘合力支撑半导体晶片4。作为保护用粘合薄膜44，可以使用现有公知的保护用粘合薄膜(例如，参见日本特开2005-332873号公报)。
[槽露出工序]
然后，在形成槽4S时使用支撑基材的情况下，将其剥离。然后，如图3所示，利用磨削磨石45进行背面磨削，使槽4S从背面4R露出(工序C)。
[切割/芯片接合薄膜粘贴工序]
然后，准备切割/芯片接合薄膜12。切割/芯片接合薄膜12具有在切割薄膜11上层叠有芯片接合薄膜3的构成(参照图4)。切割薄膜11通过在基材1上层叠粘合剂层2而构成，芯片接合薄膜3设置在该粘合剂层2上。
然后，如图4所示，在露出了槽4S的半导体晶片4的背面4R粘贴切割/芯片接合薄膜12的芯片接合薄膜3(工序D)。另外，将保护用粘合薄膜44、切割/芯片接合薄膜12粘贴到半导体晶片4上可以使用现有公知的胶带粘贴装置，背面磨削也可以使用现有公知的磨削装置。
在此，对切割/芯片接合薄膜12以及芯片接合薄膜3进行说明。
(切割/芯片接合薄膜)
如上所述，切割/芯片接合薄膜12具有在切割薄膜11上层叠有芯片接合薄膜3的构成。切割薄膜11通过在基材1上层叠粘合剂层2而构成，并且芯片接合薄膜3设置在该粘合剂层2上。
基材1作为切割/芯片接合薄膜12的强度母体。作为基材1，可以列举例如：低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(纸)、玻璃、玻璃布、含氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素类树脂、有机硅树脂、金属(箔)、纸等。
另外，作为基材1的材料，可以列举前述树脂的交联物等聚合物。所述塑料薄膜可以未拉伸使用，也可以根据需要进行单轴或双轴拉伸处理后使用。根据通过拉伸处理等而赋予了热收缩性的树脂片，通过在切割后使该基材1热收缩，能够降低粘合剂层2与芯片接合薄膜3的胶粘面积，从而容易回收半导体芯片(半导体元件)。
为了提高与邻接层的粘附性、保持性等，基材1的表面可以进行惯用的表面处理，例如铬酸处理、暴露于臭氧、暴露于火焰、暴露于高压电击、电离辐射处理等化学或物理处理、利用底涂剂(例如，后述的粘合物质)的涂布处理。所述基材1可以适当选择使用同种或异种材料，根据需要也可以将多种材料共混使用。
基材1的厚度没有特别限制，可以适当设定，一般为约5μm～约200μm。
用于形成粘合剂层2的粘合剂没有特别限制，例如，可以使用丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等普通的压敏粘合剂。作为所述压敏粘合剂，从半导体晶片、玻璃等避忌污染的电子部件的利用超纯水或醇等有机溶剂的清洁洗涤性等方面考虑，优选以丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
作为所述丙烯酸类聚合物，可以列举例如：使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子数1～30、特别是碳原子数4～18的直链或支链烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸环烷酯(例如，环戊酯、环己酯等)中的一种或两种以上作为单体成分的丙烯酸类聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的(甲基)全部为同样的含义。
为了改善凝聚力、耐热性等，所述丙烯酸类聚合物根据需要可以含有与能够与所述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可以列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；丙烯酰磷酸2-羟基乙酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺；丙烯腈等。这些可共聚单体成分可以使用一种或两种以上。这些可共聚单体的使用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
另外，为了进行交联，所述丙烯酸类聚合物根据需要也可以含有多官能单体等作为共聚用单体成分。作为这样的多官能单体，可以列举例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能单体可以使用一种或者两种以上。从粘合特性等观点考虑，多官能单体的使用量优选为全部单体成分的30重量％以下。
所述丙烯酸类聚合物通过将单一单体或两种以上单体混合物聚合而得到。聚合可以通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式进行。从防止污染洁净的被粘物等观点考虑，优选低分子量物质的含量少。从该观点考虑，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为约30万以上，更优选为约40万至约300万。
另外，为了提高作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，所述粘合剂中可以适当使用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可以列举：添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂进行反应的方法。使用外部交联剂的情况下，其使用量根据与欲交联的基础聚合物的平衡以及根据作为粘合剂的使用用途适当确定。一般而言，相对于所述基础聚合物100重量份优选配合约5重量份以下，更优选配合0.1～5重量份。另外，除上述成分之外在粘合剂中根据需要还可以使用现有公知的各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。
粘合剂层2可以由辐射固化型粘合剂形成。辐射固化型粘合剂可以通过照射紫外线等辐射使交联度增大，从而容易使其粘合力下降，通过仅对粘合剂层2的与工件粘贴部分对应的部分照射辐射，可以设置与其它部分的粘合力差。
另外，在略微小于粘贴芯片接合薄膜3的部分的范围内，预先使辐射固化型粘合剂层2固化，由此可以容易形成粘合力显著下降的部分。由于芯片接合薄膜3粘贴在固化而粘合力下降的部分上，因此粘合剂层2的所述粘合力下降的部分与芯片接合薄膜3的界面具有在拾取时容易剥离的性质。另一方面，未照射辐射的部分具有充分的粘合力，能够在切割时可靠地保持半导体晶片。
如前所述，切割/芯片接合薄膜12的粘合剂层2中，由未固化的辐射固化型粘合剂形成的部分与芯片接合薄膜3粘合，能够确保切割时的保持力。这样，辐射固化型粘合剂能够以良好的胶粘/剥离平衡支撑用于将芯片状工件(半导体芯片等)粘着到衬底等被粘物上的芯片接合薄膜3。
辐射固化型粘合剂可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键等辐射固化性官能团并且显示粘合性的粘合剂。作为辐射固化型粘合剂，可以例示例如：前述的丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂等一般的压敏粘合剂中配合有辐射固化性单体成分或低聚物成分的添加型辐射固化型粘合剂。
作为配合的辐射固化性单体成分，可以列举例如：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，辐射固化性低聚物成分可以列举：聚氨酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量在约100～约30000的范围内是适当的。辐射固化性单体成分或低聚物成分的配合量可以根据所述粘合剂层的种类适当确定能够使粘合剂层的粘合力下降的量。一般而言，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为约5～约500重量份、优选约40～约150重量份。
另外，作为辐射固化型粘合剂，除前面说明过的添加型辐射固化型粘合剂以外，还可以列举：使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型辐射固化型粘合剂。内在型辐射固化型粘合剂不需要含有或者不大量含有作为低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不会随时间推移而在粘合剂中迁移，可以形成稳定的层结构的粘合剂层，因此优选。
所述具有碳-碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键并且具有粘合性的基础聚合物。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架的基础聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可以列举前面例示的丙烯酸类聚合物。
向所述丙烯酸类聚合物中引入碳-碳双键的方法没有特别限制，可以采用各种方法，在聚合物侧链中引入碳-碳双键在分子设计方面是容易的。可以列举例如下述方法：预先将具有官能团的单体与丙烯酸类聚合物共聚后，使具有能够与该官能团反应的官能团及碳-碳双键的化合物在保持碳-碳双键的辐射固化性的状态下进行缩合或加成反应。
作为这些官能团的组合例，可以列举：羧基与环氧基、羧基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。这些官能团的组合中，从容易跟踪反应的观点考虑，优选羟基与异氰酸酯基的组合。另外，只要是通过这些官能团的组合而生成所述具有碳-碳双键的丙烯酸类聚合物的组合，则官能团可以在丙烯酸类聚合物和所述化合物的任意一方上，所述优选组合中，优选丙烯酸类聚合物具有羟基、所述化合物具有异氰酸酯基的情况。此时，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，可以列举例如：甲基丙烯酰异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸类聚合物，可以使用共聚有前面例示的含羟基单体或2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚等醚类化合物等的丙烯酸类聚合物。
所述内在型辐射固化型粘合剂可以单独使用所述具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，也可以在不使特性劣化的范围内配合上述辐射固化性单体成分或低聚物成分。辐射固化性低聚物成分等通常相对于基础聚合物100重量份在30重量份的范围内，优选0～10重量份的范围。
所述辐射固化型粘合剂中在利用紫外线等进行固化时含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以列举例如：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)甲酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮等α-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2,2’-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2’-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配合量相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份例如为约0.05～约20重量份。
另外，作为辐射固化型粘合剂，可以列举例如：日本特开昭60-196956号公报中公开的包含具有两个以上不饱和键的加聚性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等可光聚合化合物、以及羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、盐类化合物等光聚合引发剂的橡胶类粘合剂或丙烯酸类粘合剂等。
所述辐射固化型粘合剂层2中根据需要可以含有通过辐射照射着色的化合物。通过在粘合剂层2中含有通过辐射照射着色的化合物，可以仅使辐射照射后的部分着色。因此，通过目视可以立即判断粘合剂层2是否照射过辐射，可以容易地识别工件粘贴部分，从而容易地进行工件的贴合。另外，通过光传感器等检测半导体元件时，其检测精度提高，可以防止在拾取半导体元件时产生误操作。
粘合剂层2的厚度没有特别限制，从兼具防止芯片切断面的缺损和胶粘层的固定保持等观点考虑，优选为约1μm～约50μm。优选2μm～30μm、更优选5μm～25μm。
芯片接合薄膜3的层叠结构没有特别限制，可以列举例如：仅包含胶粘剂层单层的芯片接合薄膜、在芯材的单面或双面形成有胶粘剂层的多层结构的芯片接合薄膜等。作为所述芯材，可以列举薄膜(例如聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纤维或塑料制无纺纤维增强的树脂衬底、硅衬底或玻璃衬底等。
作为构成所述芯片接合薄膜3的胶粘剂组合物，可以列举组合使用热塑性树脂与热固性树脂的胶粘剂组合物。
作为所述热固性树脂，可以列举酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂或热固性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。特别是，优选腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
所述环氧树脂只要是作为胶粘剂组合物通常使用的环氧树脂则没有特别限制，可以使用例如：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型等双官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型或缩水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲烷型树脂或四羟苯基乙烷型环氧树脂。这是因为：这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂的反应性高，并且耐热性等优良。
另外，所述酚醛树脂作为所述环氧树脂的固化剂起作用，可以列举例如：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。这些酚醛树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些酚醛树脂中特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为可以提高半导体装置的连接可靠性。
关于所述环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，优选例如以相对于所述环氧树脂成分中的环氧基1当量，酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量的比例进行配合。更优选为0.8～1.2当量。即，这是因为：两者的配合比例在所述范围以外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化物的特性容易劣化。
作为所述热塑性树脂，可以列举：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、尼龙6或尼龙6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或者含氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。
作为所述丙烯酸类树脂，没有特别限制，可以列举以一种或两种以上具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4～18的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为所述烷基，可以列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
另外，作为形成所述聚合物的其它单体，没有特别限制，可以列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等各种含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或者丙烯酰磷酸2-羟基乙酯等各种含磷酸基单体等。
作为所述热固性树脂的配合比例，只要为在规定条件下加热时芯片接合薄膜3可以发挥作为热固型的功能的程度，则没有特别限制，优选在5～60重量％的范围内，更优选在10～50重量％的范围内。
在预先使芯片接合薄膜3进行一定程度的交联的情况下，在制作时可以添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能化合物作为交联剂。由此，可以提高在高温下的胶粘特性，改善耐热性。
作为所述交联剂，可以使用现有公知的交联剂。特别是，更优选甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、多元醇与二异氰酸酯的加成产物等多异氰酸酯化合物。交联剂的添加量相对于所述聚合物100重量份通常优选设定为0.05～7重量份。交联剂的量超过7重量份时，胶粘力下降，因此不优选。另一方面，低于0.05重量份时，凝聚力不足，因此不优选。另外，根据需要可以与这样的多异氰酸酯化合物一起含有环氧树脂等其它多官能化合物。
另外，在芯片接合薄膜3中根据其用途可以适当配合无机填充剂(填料)。无机填充剂的配合可以赋予导电性、提高导热性、调节弹性模量等。作为所述无机填充剂，可以列举例如：包含二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类、铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属或者合金类、以及碳等的各种无机粉末。这些无机填充剂可以单独使用或者两种以上组合使用。无机填充剂的平均粒径优选在0.1～80μm的范围内。所述无机填充剂的配合量相对于有机树脂成分100重量份优选设定为0～80重量份。特别优选为0～70重量份。
另外，芯片接合薄膜3中可以配合色料。通过配合色料，可以增大波长355nm下的芯片接合薄膜3的吸光系数。作为配合量，相对于有机成分100重量份可以设定为0.001～10重量份。作为色料，只要是能够增大波长355nm下的芯片接合薄膜3的吸光系数的色料，则没有特别限制。作为这样的色料，可以优选使用例如：黑色系色料、蓝色系色料、红色系色料等各种深色系色料。作为色料，可以是颜料、染料等的任意一种。色料可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，作为染料，可以使用酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等任意一种形态的染料。另外，颜料的形态没有特别限制，可以从公知的颜料中适当选择使用。
特别是使用染料作为色料时，由于在芯片接合薄膜3中染料通过溶解而成为均匀或者基本均匀分散的状态，因此可以容易地制造着色浓度均匀或者基本均匀的芯片接合薄膜3。
作为黑色系色料，没有特别限制，例如可以从无机黑色系颜料、黑色系染料中适当选择。另外，作为黑色系色料，可以是青色系色料(蓝绿色系色料)、洋红色系色料(红紫色系色料)和黄色系色料(黄色系色料)混合而成的色料混合物。黑色系色料可以单独使用或者两种以上组合使用。当然，黑色系色料可以与黑色以外的颜色的色料组合使用。
具体而言，作为黑色系色料，可以列举例如：炭黑(炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂法炭黑、灯黑等)、石墨(黑铅)、氧化铜、二氧化锰、偶氮类颜料(偶氮次甲基偶氮黑等)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁氧体(非磁性铁氧体、磁性铁氧体等)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、复合氧化物类黑色色素、蒽醌类有机黑色色系等。
作为黑色系色料，可以使用C.I.溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70、C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71、C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154、C.I.分散黑1、3、10、24等黑色系染料；C.I.颜料黑1、7等黑色系颜料等。
作为这样的黑色系色料，市售例如商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名“Oil Black HBB”、商品名“Oil Black803”、商品名“Oil Black860”、商品名“Oil Black5970”、商品名“Oil Black5906”、商品名“Oil Black5905”(オリエント化学工业株式会社制造)等。
作为黑色系色料以外的色料，可以列举例如：青色系色料、洋红色系色料、黄色系色料等。作为青色系色料，可以列举例如：C.I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95；C.I.酸性蓝6、45等青色系染料；C.I.颜料蓝1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I.还原蓝4、60；C.I.颜料绿7等青色系颜料等。
另外，在洋红色系色料中，作为洋红色系染料，可以列举例如：C.I.溶剂红1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、13、14、21、27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40；C.I.碱性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、27、28等。
在洋红色系色料中，作为洋红色系颜料，可以列举例如：C.I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245；C.I.颜料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50；C.I.还原红1、2、10、13、15、23、29、35等。
另外，作为黄色系色料，可以列举例如：C.I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112、162等黄色系染料；C.I.颜料橙31、43；C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195；C.I.还原黄1、3、20等黄色系颜料等。
青色系色料、洋红色系色料、黄色系色料等各种色料各自可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，使用两种以上青色系色料、洋红色系色料、黄色系色料等各种色料的情况下，这些色料的混合比例(或者配合比例)没有特别限制，可以根据各色料的种类或目标颜色等适当选择。
另外，芯片接合薄膜3中，除了前述无机填充剂以外，根据需要可以适当配合其它添加剂。作为其它添加剂，可以列举例如：阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕获剂等。作为所述阻燃剂，可以列举例如：三氧化二锑、五氧化二锑、溴化环氧树脂等。这些阻燃剂可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述硅烷偶联剂，可以列举例如：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述离子捕获剂，可以列举例如：水滑石类、氢氧化铋等。这些离子捕获剂可以单独使用或者两种以上组合使用。
芯片接合薄膜3的厚度(层叠体的情况下为总厚度)没有特别限制，从兼具防止芯片切断面的缺损和利用胶粘层的固定保持的观点考虑，优选5～100μm，更优选5～60μm，进一步优选5～30μm。
芯片接合薄膜3的波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上，优选50cm-1以上，更优选60cm-1以上。另外，虽然优选所述吸光系数大，但是例如为400cm-1以下、1000cm-1以下。所述吸光系数为40cm-1以上，因此芯片接合薄膜3适合利用355nm的激光切断。
芯片接合薄膜3的50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下，优选0.75MPa以上且19.5MPa以下，更优选1MPa以上且19MPa以下。芯片接合薄膜3的50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下，因此激光照射时从芯片接合薄膜3飞散的碎片量减少。结果，可以抑制碎片附着到芯片表面。
另外，芯片接合薄膜3的120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。所述120℃下的拉伸储能弹性模量优选为0.35MPa以上且6.9MPa以下，更优选为0.38MPa以上且6.8MPa以下。所述120℃下的熔融粘度优选为2150Pa·s以上，更优选为2200Pa·s以上。另外，所述120℃下的熔融粘度越高越优选，但是例如为3000Pa·s以下、4000Pa·s以下。芯片接合薄膜3的120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上，因此激光照射时从芯片接合薄膜3飞散的碎片量减少。结果，可以抑制碎片附着到芯片表面。
芯片接合薄膜3含有作为热固性树脂的环氧树脂和酚醛树脂、作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂以及填料，将环氧树脂、酚醛树脂以及丙烯酸类树脂的合计重量设为A重量份、将填料的重量设为B重量份时，B/(A+B)优选为0以上且0.7以下。所述B/(A+B)更优选0以上且0.68以下，进一步优选为0以上且0.65以下。所述B/(A+B)为0.7以下时，容易利用355nm的激光切断。
切割/芯片接合薄膜12上层叠的芯片接合薄膜3优选由隔片保护(未图示)。隔片具有在供给实际应用之前作为保护芯片接合薄膜3的保护材料的功能。另外，隔片还可以作为向粘合剂层2上转印芯片接合薄膜3时的支撑基材使用。隔片在向切割/芯片接合膜的芯片接合薄膜3上粘贴工件时剥离。作为隔片，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剥离剂、长链烷基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行了表面涂敷的塑料薄膜或纸等。
本实施方式的切割/芯片接合薄膜12例如如下制作。
首先，基材1可以通过现有公知的制膜方法制膜。作为该制膜方法，可以例示例如：压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系中的吹塑挤出法、T形模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。
然后，在基材1上涂布粘合剂组合物溶液形成涂膜，然后在规定条件下将该涂膜干燥(根据需要加热交联)而形成粘合剂层2。作为涂布方法，没有特别限制，可以列举例如：辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度80～150℃、干燥时间0.5～5分钟的范围内进行。另外，也可以在隔片上涂布粘合剂组合物形成涂膜后，在所述干燥条件下将涂膜干燥来形成粘合剂层2。然后，将粘合剂层2与隔片一起贴合到基材1上。由此，制作切割薄膜11。
芯片接合薄膜3例如如下制作。
首先，制作作为切割/芯片接合薄膜3的形成材料的胶粘剂组合物溶液。在该胶粘剂组合物溶液中，如前所述，配合有所述胶粘剂组合物、其它各种添加剂等。
然后，以得到规定厚度的方式将胶粘剂组合物溶液涂布到基材隔片上形成涂膜，然后在规定条件下将该涂膜干燥而形成胶粘剂层。作为涂布方法，没有特别限制，可以列举例如：辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件，例如在干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的范围内进行。另外，也可以在隔片上涂布胶粘剂组合物溶液而形成涂膜后，在前述干燥条件下将涂膜干燥而形成胶粘剂层。然后，将胶粘剂层与隔片一起贴合到基材隔片上。
然后，从切割薄膜11和胶粘剂层上分别将隔片剥离，以胶粘剂层与粘合剂层作为贴合面的方式将两者贴合。贴合可以通过例如压接来进行。此时，层压温度没有特别限制，例如优选30～50℃，更优选35～45℃。另外，线压没有特别限制，例如优选0.1～20kgf/cm，更优选1～10kgf/cm。然后，将胶粘剂层上的基材隔片剥离，得到本实施方式的切割/芯片接合薄膜。
[保护用粘合薄膜剥离工序]
上述切割/芯片接合薄膜粘贴工序后，如图5所示，从半导体晶片4的表面4F剥离保护用粘合薄膜44(工序E)。剥离可以使用现有公知的剥离装置。
[芯片接合薄膜切断工序]
然后，如图6所示，沿露出芯片接合薄膜3的槽4S照射波长355nm的激光50，将芯片接合薄膜3切断(工序F)。结果，得到各个切断的带有芯片接合薄膜3的半导体芯片5(参照图7)。本发明中使用的激光可以优选使用可以进行作为不经由热加工过程的非热加工的利用紫外线吸收的烧蚀加工的、YAG激光的三次谐波(355nm)。由此，可以降低激光加工时的热损伤。作为激光照射条件，可以在以下的条件范围内适当调节。
<激光照射条件>
激光光源 YAG激光
波长 355nm
振荡方法 脉冲振荡
脉冲模式 A型(脉冲宽度1ns～10000ns)
重复频率 50kHz～200kHz
平均输出功率 0.5W～2.0W
激光传送速度 50mm/s～200mm/s
激光焦点位置 胶粘薄膜的表面
然后，为了将胶粘固定在切割/芯片接合薄膜12上的半导体芯片5剥离，进行半导体芯片5的拾取(拾取工序)。作为拾取的方法，没有特别限制，可以采用现有公知的各种方法。可以列举例如：用针将各个半导体芯片5从切割/芯片接合薄膜12一侧上推，并利用拾取装置拾取上推的半导体芯片5的方法等。
然后，如图8所示，将拾取的半导体芯片5通过芯片接合薄膜3暂时粘着到被粘物6上(固定工序)。作为被粘物6，可以列举引线框、TAB薄膜、衬底或者另行制作的半导体芯片等。被粘物6例如可以是容易变形的变形型被粘物，也可以是难以变形的非变形型被粘物(半导体晶片等)。
作为所述衬底，可以使用现有公知的衬底。另外，作为所述引线框，可以使用Cu引线框、42合金引线框等金属引线框或包含玻璃环氧、BT(双马来酰亚胺-三嗪)、聚酰亚胺等的有机衬底。但是，本发明不限于此，也包括可以安装半导体元件并与半导体元件电连接后使用的电路板。
芯片接合薄膜3的暂时粘着时的25℃下的剪切胶粘力对被粘物6优选为0.2MPa以上，更优选为0.2～10MPa。芯片接合薄膜3的剪切胶粘力为至少0.2MPa以上时，在引线接合工序时，由于该工序中的超声波振动或加热而在芯片接合薄膜3与半导体芯片5或被粘物6的胶粘面上产生剪切变形的情况少。即，半导体元件因引线接合时的超声波振动而活动的情况少，由此，可以防止引线接合的成功率下降。另外，芯片接合薄膜3的暂时粘着时的175℃下的剪切胶粘力对被粘物6优选为0.01MPa以上，更优选为0.01～5MPa。
然后，进行利用接合线7将被粘物6的端子部(内部引线)的前端与半导体芯片5上的电极焊盘(未图示)电连接的引线接合(引线接合工序)。作为所述接合线7，可以使用例如：金线、铝线或铜线等。进行引线接合时的温度在80～250℃、优选80～220℃的范围内进行。另外，其加热时间进行数秒～数分钟。线连接是在加热到所述温度范围内的状态下，通过组合使用利用超声波的振动能和利用施加加压的压接能来进行。本工序可以在不进行芯片接合薄膜3的热固化的情况下进行。另外，本工序的过程中，半导体芯片5与被粘物6不借助于芯片接合薄膜3粘着。
然后，利用密封树脂8将半导体芯片5密封(密封工序)。本工序为了保护搭载在被粘物6上的半导体芯片5或接合线7而进行。本工序通过用模具将密封用的树脂成型来进行。作为密封树脂8，可以使用例如环氧树脂。树脂密封时的加热温度通常在175℃下进行60～90秒，但是，本发明不限于此，例如，也可以在165～185℃下固化数分钟。由此，在使密封树脂固化的同时通过芯片接合薄膜3将半导体芯片5与被粘物6粘着。即，本发明中，即使在不进行后述的后固化工序的情况下，本工序中也可以利用芯片接合薄膜3进行粘着，从而可以有助于减少制造工序数及缩短半导体装置的制造时间。
在所述后固化工序中，使在前述密封工序中固化不充分的密封树脂8完全固化。即使在密封工序中芯片接合薄膜3未完全热固化的情况下，在本工序中也可以与密封树脂8一起实现芯片接合薄膜3的完全热固化。本工序中的加热温度因密封树脂的种类而异，例如，在165～185℃的范围内，加热时间为约0.5小时～约8小时。
在上述的实施方式中，对于本发明的胶粘薄膜为芯片接合薄膜的情况进行了说明。但是，本发明的胶粘薄膜不限于芯片接合薄膜，也可以为例如用于形成在倒装芯片连接在被粘物上的半导体元件的背面的倒装芯片型半导体背面用薄膜。关于倒装芯片型半导体背面用薄膜，例如由日本特开2011-151360号公报、日本特开2011-151361号公报、日本特开2011-151362号公报、日本特开2011-151363号公报、日本特开2011-009711号公报等公开，因此在此省略说明。
在上述的实施方式中，对于作为胶粘薄膜的芯片接合薄膜层叠在切割薄膜上的情况进行了说明。但是，本发明不限于该例，作为胶粘薄膜的芯片接合薄膜也可以不层叠在切割薄膜上而单独使用。此时，例如，可以将切割薄膜粘贴到芯片接合薄膜上使用。另外，本发明的胶粘薄膜为倒装芯片型半导体背面用薄膜的情况下，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜可以单独使用，也可以层叠在切割薄膜上。
实施例
以下，例示地详细说明本发明的优选实施例。但是，该实施例中记载的材料、配合量等，除非另有限定，无意将本发明的要旨仅限定于此。另外，以下份是指重量份。
<切割薄膜的制作>
准备将包含聚丙烯和乙烯-丙烯橡胶的混合树脂的层(厚度80μm)和包含LLDP(线性低密度聚乙烯)的层(厚度20μm)层叠而成的烯烃类多层薄膜(厚度100μm)。另外，对于包含LLDP的层在与贴合面相反侧的面实施了压花处理。
在具有冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中，加入88.8份丙烯酸2-乙基己酯(以下称为“2EHA”)、11.2份丙烯酸2-羟基乙酯(以下称为“HEA)、0.2份过氧化苯甲酰和65份甲苯，在氮气气流中在61℃进行6小时聚合处理，得到重均分子量85万的丙烯酸类聚合物A。重均分子量如下所述。2EHA与HEA的摩尔比为100摩尔：20摩尔。
在该丙烯酸类聚合物A中添加12份(相对于HEA为80摩尔％)2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(以下称为“MOI”)，在空气气流中在50℃进行48小时加成反应处理，得到丙烯酸类聚合物A’。
然后，在100份丙烯酸类聚合物A’中，添加8份多异氰酸酯化合物(商品名“コロネートL”，日本聚氨酯株式会社制造)和5份光聚合引发剂(商品名“イルガキュア651”，汽巴精化公司制造)，从而制作粘合剂溶液。
将前面制备的粘合剂溶液涂布到PET剥离衬垫的实施了聚硅氧烷处理的面上，在120℃加热交联2分钟，从而形成厚度10μm的粘合剂层。然后，在该粘合剂层面上贴合前述烯烃类多层薄膜的非压花面(包含混合树脂的层)，并在50℃保存24小时。然后，使用紫外线照射装置(商品名UM-810、日东精机制造)，从烯烃类多层薄膜一侧仅对搭载有半导体晶片的区域照射300mJ/cm2的紫外线，得到切割薄膜。
<胶粘薄膜的制作>
(实施例1)
使下述(a)～(d)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，パラクロンW-197CM) 100份
(b)环氧树脂(JER株式会社制，エピコート1004) 32份
(c)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 34份
(d)球形二氧化硅(アドマテックス株式会社制，SO-25R) 90份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到实施例1的厚度25μm的胶粘薄膜A。
(实施例2)
使下述(a)～(d)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，パラクロンW-197CM) 100份
(b)环氧树脂(JER株式会社制，エピコート1004) 12份
(c)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 13份
(d)球形二氧化硅(アドマテックス株式会社制，SO-25R) 188份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到实施例2的厚度25μm的胶粘薄膜B。
(实施例3)
使下述(a)～(d)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，パラクロンW-197CM) 100份
(b)环氧树脂(JER株式会社制，エピコート1004) 21份
(c)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 22份
(d)球形二氧化硅(アドマテックス株式会社制，SO-25R) 77份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到实施例3的厚度25μm的胶粘薄膜C。
(实施例4)
使下述(a)～(d)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)含环氧基丙烯酸类树脂(ナガセケムテックス株式会社制，商品名SG-P3) 100份
(b)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 11份
(c)球形二氧化硅(アドマテックス株式会社制，SO-25R) 82份
(d)染料(オリエント化学工业株式会社制造，オイルスカーレット308) 0.6份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到实施例4的厚度25μm的胶粘薄膜D。
(实施例5)
使下述(a)～(d)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)含环氧基丙烯酸类树脂(ナガセケムテックス株式会社制，商品名SG-P3) 100份
(b)环氧树脂(JER株式会社制，エピコート1004) 11份
(c)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 14份
(d)染料(オリエント化学工业株式会社制造，オイルスカーレット308) 0.6份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到实施例5的厚度25μm的胶粘薄膜E。
(实施例6)
使下述(a)～(d)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)含环氧基丙烯酸类树脂(ナガセケムテックス株式会社制，商品名SG-P3) 100份
(b)环氧树脂(JER株式会社制，エピコート1004) 11份
(c)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 14份
(d)染料(オリエント化学工业株式会社制造，オイルブラックHBB)
0.6份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到实施例6的厚度25μm的胶粘薄膜F。
(实施例7)
使下述(a)～(e)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，パラクロンW-197CM) 100份
(b)环氧树脂1(JER株式会社制，エピコート1004) 12份
(c)环氧树脂2(JER株式会社制，エピコート827) 13份
(d)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 119份
(e)球形二氧化硅(アドマテックス株式会社制，SO-25R) 370份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到实施例7的厚度25μm的胶粘薄膜G。
(比较例1)
使下述(a)～(d)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，パラクロンW-197CM) 100份
(b)环氧树脂(JER株式会社制，エピコート1004) 5份
(c)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 6份
(d)球形二氧化硅(アドマテックス株式会社制，SO-25R) 167份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到比较例1的厚度25μm的胶粘薄膜H。
(比较例2)
使下述(a)～(e)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，パラクロンW-197CM) 100份
(b)环氧树脂(JER株式会社制，エピコート1004) 12份
(c)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 13份
(d)球形二氧化硅(アドマテックス株式会社制，SO-25R) 375份
(e)染料(オリエント化学工业株式会社制造，オイルスカーレット308) 0.3份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到比较例2的厚度25μm的胶粘薄膜I。
(比较例3)
使下述(a)～(e)溶解于甲乙酮中，得到浓度23.6重量％的胶粘剂组合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，パラクロンW-197CM) 100份
(b)环氧树脂1(JER株式会社制，エピコート1004) 135份
(c)环氧树脂2(JER株式会社制，エピコート827) 144份
(d)酚醛树脂(三井化学株式会社制，ミレックスXLC-4L) 288份
(e)球形二氧化硅(アドマテックス株式会社制，SO-25R)445份
将该胶粘剂组合物溶液涂布到由经聚硅氧烷脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的脱模处理薄膜(剥离衬垫)上，然后在130℃干燥2分钟。由此，得到比较例3的厚度25μm的胶粘薄膜J。
(波长355nm下的吸光系数的测定)
将实施例和比较例的胶粘薄膜分别层叠为四层而得到厚度100μm。将其安装到夹具上，使用紫外可见分光光度计UV-2550(SHIMADAZU株式会社制造)，测定对波长355nm的激光的透射率T％以及反射率R％，并通过下式A进行计算。结果如下表1所示。
<式A>
T’＝T/(100-R)×100
吸光系数[cm-1]＝LN(1/T’)/(胶粘薄膜的厚度[cm])
(50℃以及120℃下的拉伸储能弹性模量的测定)
对于实施例和比较例的胶粘薄膜，分别进行层叠以及切断以得到厚度200μm、长度25μm(测定长度)、宽度10mm的条状测定片。然后，使用固定粘弹性测定装置(RSA-III，レオメトリックサイエンティフィック公司制造)，测定-50～300℃下的拉伸储能弹性模量。测定条件为：频率1Hz、升温速度10℃/分钟。此时的50℃以及120℃下的测定值如表1所示。
(120℃下的熔融粘度的测定)
对于实施例和比较例的胶粘薄膜，使用流变仪(HAAKE公司制造，商品名RS-1)，利用平行板法测定120℃下的熔融粘度。具体而言，在加热到120℃的板上投入0.1g胶粘薄膜，并开始测定。将测定开始240秒后的值的平均值作为熔融粘度。另外，板间的间隙为0.1mm。结果如表1所示。
(碎片产生以及激光加工性的评价)
<样品的制作>
将实施例和比较例的胶粘薄膜A～J冲载为圆形。冲裁以比制作的所述切割薄膜的经紫外线照射的部分宽的方式进行。然后，将冲裁出的胶粘薄膜A以覆盖制作的前述切割薄膜的经紫外线照射的部分的方式进行粘贴，得到实施例1的样品A。同样地，将冲裁出的胶粘薄膜B～J分别以覆盖制作的前述切割薄膜的经紫外线照射的部分的方式进行粘贴，得到实施例2的样品B、实施例3的样品C、实施例4的样品D、实施例5的样品E、实施例6的样品F、实施例7的样品G、比较例1的样品H、比较例2的样品I、比较例3的样品J。
<评价>
通过刀片切割在半导体晶片(厚度740μm)的表面形成深100μm、宽30μm的槽。槽以所得到的芯片为纵10mm×横10mm的方式形成为格子状。然后，在形成有槽的半导体晶片的表面粘贴保护用粘合薄膜。保护用粘合薄膜使用厚度150μm的聚烯烃片。另外，作为所述保护用粘合薄膜的粘合剂层，使用通过照射紫外线而粘合力下降的粘合剂层。
然后，对半导体晶片进行背面磨削直到厚度为50μm，得到露出槽的半导体晶片。即，得到各自的大小为厚度50μm、纵10mm×横10mm的半导体芯片。然后，在60℃下在露出槽的半导体芯片的背面粘贴实施例和比较例的样品的胶粘薄膜，并从半导体晶片的背面剥离保护用粘合薄膜。
然后，沿着露出胶粘薄膜的槽，从与切割薄膜相反的一侧照射波长355nm的激光，将胶粘薄膜切断。激光的照射条件以及装置如下所述。
<激光照射条件及装置>
装置 DISCO公司制造的DFL-7160
激光光源 YAG激光
波长 355nm
振荡方法 脉冲振荡
脉冲模式 A型
聚光点直径 10μm
重复频率 100kHz
平均输出功率 1.0W
激光传送速度 100mm/s
激光焦点位置 胶粘薄膜的表面
利用激光切断胶粘薄膜后，进行拾取。将利用激光将胶粘薄膜切断后，在拾取工序中能够拾取带有胶粘薄膜的半导体芯片的情况评价为○、将不能拾取的情况评价为×，评价激光加工性。结果如表1所示。
另外，利用激光切断胶粘薄膜后，评价碎片是否从半导体芯片的端部向内侧进入到30μm以上。将碎片未从半导体芯片的端部向内侧进入到30μm以上的情况评价为○、将碎片从半导体芯片的端部向内侧进入到30μm以上的情况评价为×，评价碎片产生。结果如表1所示。
(结果)
实施例的样品在碎片产生评价以及激光加工性的评价中显示良好的结果。另一方面，比较例1的样品的胶粘薄膜的吸光系数小，因此不能吸收激光，未适当地进行烧蚀。另外，比较例2的样品的50℃下的拉伸储能弹性模量低，并且填料多，因此未适当地进行烧蚀。比较例3的样品进行了烧蚀，但是熔融粘度低，因此产生大量碎片，在芯片间的空隙再融合。
附图标记
1 基材
2 粘合剂层
3 芯片接合薄膜
4 半导体晶片
4S 槽
4F 表面
4R 背面
5 半导体芯片
6 被粘物
7 接合线
8 密封树脂
11 切割薄膜
12 切割/芯片接合薄膜
44 保护用粘合薄膜

Claims (8)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
具有如下工序：
在半导体晶片的表面形成未达到背面的槽的工序A、
在形成有槽的所述半导体晶片的表面粘贴保护用粘合薄膜的工序B、
进行所述半导体晶片的背面磨削，使所述槽从背面露出的工序C、
在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜的工序D、
在所述工序D后，将所述保护用粘合薄膜剥离的工序E、和
在所述工序E后，沿着露出所述胶粘薄膜的所述槽照射波长355nm的激光，将所述胶粘薄膜切断的工序F；
所述胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述胶粘薄膜为芯片接合薄膜，
所述工序D为在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴所述芯片接合薄膜的工序。
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述芯片接合薄膜层叠在切割薄膜上。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述胶粘薄膜为用于形成在倒装芯片连接到被粘物上的半导体元件的背面的倒装芯片型半导体背面用薄膜，
所述工序D为在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴所述倒装芯片型半导体背面用薄膜的工序。
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述倒装芯片型半导体背面用薄膜层叠在切割薄膜上。
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述胶粘薄膜含有作为热固性树脂的环氧树脂和酚醛树脂、作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂、以及填料，
将环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的合计重量设为A重量份，将填料的重量设为B重量份时，B/(A+B)为0以上且0.7以下。
7.一种胶粘薄膜，用于权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、
(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且
(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。
8.如权利要求7所述的胶粘薄膜，其中，
含有作为热固性树脂的环氧树脂和酚醛树脂、作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂、以及填料，
将环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的合计重量设为A重量份，将填料的重量设为B重量份时，B/(A+B)为0以上且0.7以下。
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