CN101385135B - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101385135B
CN101385135B CN2007800058227A CN200780005822A CN101385135B CN 101385135 B CN101385135 B CN 101385135B CN 2007800058227 A CN2007800058227 A CN 2007800058227A CN 200780005822 A CN200780005822 A CN 200780005822A CN 101385135 B CN101385135 B CN 101385135B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor device
liner
adhesive layer
manufacturing
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800058227A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101385135A (zh
Inventor
三隅贞二
松村健
高本尚英
三木翼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN101385135A publication Critical patent/CN101385135A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101385135B publication Critical patent/CN101385135B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/28—Metal sheet
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06575—Auxiliary carrier between devices, the carrier having no electrical connection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20103—Temperature range 60 C=<T<100 C, 333.15 K =< T< 373.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20104—Temperature range 100 C=<T<150 C, 373.15 K =< T < 423.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20105—Temperature range 150 C=<T<200 C, 423.15 K =< T < 473.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20106—Temperature range 200 C=<T<250 C, 473.15 K =<T < 523.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20107—Temperature range 250 C=<T<300 C, 523.15K =<T< 573.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer

Abstract

本发明提供一种半导体装置制造方法，在进行介有衬垫的三维安装时，不需要用于将衬垫固定在被粘体上的新的装置，成品率高，以低成本就可以制造。具体地说，本发明涉及使用衬垫用胶粘片的半导体装置制造方法，其特征在于，具有：准备至少在一面上具有包含胶粘剂层的衬垫层的胶粘片作为衬垫用胶粘片，对所述衬垫用胶粘片进行切割，形成具备胶粘剂层的小片状衬垫的工序；通过所述胶粘剂层将所述衬垫固定在被粘体上的工序。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及使用衬垫用胶粘片的半导体装置的制造方法、该方法中使用的衬垫用胶粘片及通过该方法得到的半导体装置。
背景技术
为了应对半导体装置的微细化、高功能化的要求，配置在半导体芯片(半导体元件)主面的整个区域的电源线的布线宽及信号线之间的间隔正在变小。因此，产生阻抗的增加、异种节点的信号线间的信号干涉，对半导体芯片的工作速度、工作电压富余度、耐静电破坏强度等而言，成为阻碍其充分的性能发挥的主要原因。为解决这些问题，已提出将半导体元件层压而成的插件构造。(参照专利文献1及专利文献2)。
另一方面，作为将半导体元件固定在衬底等上时使用的胶粘片，已提出使用热固化性糊状树脂的例子(例如参照专利文献3)、使用将热塑性树脂及热固性树脂并用的胶粘片的例子(例如参照专利文献4)。
就现有半导体装置的制造方法而言，指出如下问题：在进行半导体元件和衬底、引线框或半导体元件(下面称作衬底等)的胶粘时，若使用糊状树脂，则在压接半导体元件和衬底等之后(芯片安装(dieattach))，糊状树脂溢出而污染衬底等连接底座部分，从而不能够进行引线接合。
因而，最近，为了避免所述问题，使用胶粘片的例子正在增加。使用该胶粘片的情况通常是，在将胶粘片与半导体晶片贴合在一起后，进行该半导体晶片的切割，形成半导体芯片。另外，有时是使用那样的胶粘片在半导体芯片上再层压相同尺寸的其它半导体芯片，进行三维安装。在此，为了能够在半导体芯片上层压相同尺寸的其它半导体芯片，需要在两者之间层压衬垫。这是因为在半导体衬垫的电极底座部分上也层压了其它半导体芯片。作为所述衬垫，例如使用胶粘片或带有胶粘片的芯片。
但是，在使用胶粘片作为该衬垫的情况下，必须将胶粘片贴附在半导体芯片上。然而，在现有装置中不能进行该工序。因而，需要新的贴合胶粘片的装置，导致制造设备的成本增加。另外，在使用带有胶粘片的芯片作为衬垫的情况下，需要将半导体晶片和胶粘片贴合在一起，并需要在将其切割后进行模片固定。但是，采用这种工序生产层压半导体装置时，因使用的半导体芯片容易碎裂而使得成品率减低。其结果是，存在半导体装置的生产率低及成本高的问题。
专利文献1：日本特开昭55-111151号公报
专利文献2：日本特开2002-261233号公报
专利文献3：日本特开2002-179769号公报
专利文献4：日本特开2000-104040号公报
发明内容
本发明是鉴于上述问题而开发的，其目的在于，提供一种半导体装置制造方法，能够使用衬垫用胶粘片，通过与目前同样的方法将衬垫三维安装在被粘体上，其结果是，成品率高，以低成本就可以制造；还提供在该方法中使用的衬垫用胶粘片及通过该方法得到的半导体装置。
为解决上述现有问题，本申请的发明人等对半导体装置的制造方法、该方法中使用的衬垫用胶粘片及通过该方法得到的半导体装置进行了研究。其结果发现，通过采用下述构成能够实现上述目的，从而完成了本发明。
也就是说，本发明的半导体装置的制造方法是为解决上述课题而使用了衬垫用胶粘片的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：准备至少在一面上具有包含胶粘剂层的衬垫层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片，以所述胶粘剂层为贴合面将所述衬垫用胶粘片与切割片贴合在一起的工序；对所述衬垫用胶粘片进行切割，形成具备所述胶粘剂层的小片状衬垫的工序；将所述衬垫和所述胶粘剂层一起自所述切割片剥离的工序；通过所述胶粘剂层将所述衬垫固定在被粘体上的工序。
另外，本发明的半导体装置的制造方法是为解决上述课题而使用了衬垫用胶粘片的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：准备将在基材上依次层压粘着剂层、胶粘剂层及衬垫层而成的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片，对所述衬垫用胶粘片进行切割，形成具备所述胶粘剂层的小片状衬垫的工序；将所述衬垫和所述胶粘剂层一起自所述粘着剂层剥离的工序；通过所述胶粘剂层将所述衬垫固定在被粘体上的工序。
所述的各制造方法，使用与目前实行的利用半导体晶片切割的半导体芯片的形成、该半导体芯片的拾取(ピツクアツプ)及半导体芯片向被粘体的装片(ダイボンド)同样的方法及装置，能够将小片状衬垫安装在被粘体上。其结果是，不需要用于将衬垫固定在被粘体上的新的装置，能够抑制制造设备的成本提高，从而制造半导体装置。
在所述方法中，优选使用所述衬垫层为金属层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片。将带有胶粘剂层的半导体芯片作为衬垫使用时，因该半导体芯片容易碎裂，例如在进行切割时产生崩刃等。因此，使用半导体芯片作为衬垫时，成品率较低。然而，如上述方法那样，衬垫层为金属层时，该金属层不会产生碎裂等，所以可实现成品率的提高。
在所述方法中，优选所述被粘体为衬底、引线框或其它半导体元件。所述方法可以通过胶粘剂层将半导体元件层压在衬垫上。在使用衬垫用胶粘片的情况下，也可以提高成品率并可以三维安装半导体元件。
在所述方法中，优选所述胶粘剂层是包含热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
在所述方法中，优选所述胶粘剂层是包含热固性树脂及热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
在所述方法中，优选使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。因为丙烯酸树脂离子性杂质少、耐热性高，所以能够确保半导体元件的可靠性。
另外，为了解决上述的课题，本发明的衬垫用胶粘片的特征在于，在上述记载的半导体装置的制造方法中使用。
而且，为了解决上述的课题，本发明的半导体装置的特征在于，该半导体装置是通过上述记载的半导体装置的制造方法而得到。
发明效果
本发明通过上述已说明的方法，可以达到如下效果。
即，根据本发明，通过与目前实行的利用半导体晶片切割的半导体芯片的形成、该半导体芯片的拾取、半导体芯片向被粘体的装片同样的方法，能够将小片状衬垫安装在被粘体上，所以，不需要用于将衬垫固定在被粘体上的新的装置，能够抑制制造设备的成本提高，从而制造半导体装置。
附图说明
图1是表示本发明的半导体装置的制造方法中使用的衬垫用胶粘片的概略的剖面示意图；
图2是用于说明使用了所述衬垫用胶粘片的半导体装置的制造方法的工序图；
图3是表示通过所述半导体装置的制造方法得到的半导体装置的概略的剖面图；
图4是用于说明本发明的实施方式2中使用的衬垫用胶粘片的切割工序的工序图；
图5是表示通过使用了所述衬垫用胶粘片的半导体装置的制造方法得到的半导体装置的概略的剖面图。
标号说明
1基材
2粘着剂层
3胶粘剂层
4衬垫层
5胶粘剂层
10～12胶粘片
14、15衬垫
16接合线
21粘片层
22半导体晶片
23半导体芯片
31支撑基材
32粘着剂层
33切割带
34被粘体
具体实施方式
(实施方式1)
参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示使用本实施方式的衬垫用胶粘片(以下仅称作“胶粘片”)制作小片状衬垫的工序的剖面示意图。
如图1(a)所示，本实施方式的胶粘片10是在基材1上依次层压粘着剂层2、胶粘剂层3及衬垫层4而构成的。由基材1及粘着剂层2组成的层压部分作为切割片而发挥功能。但是，本发明并不限于此，例如也可以如图1(b)所示的胶粘片11那样为在衬垫层4上层压其它胶粘剂层5的构成；或者如图1(c)所示的胶粘片12那样为在衬垫层4的至少一面上层压胶粘剂层3的构成。
作为衬垫层4没有特别限定，但优选至少与同程度的厚度的半导体晶片具有同等以上的刚性的层。作为这种衬垫层4，例如可列举出由金属箔等组成的金属层。衬垫层4为金属层时，与使用半导体芯片作为衬垫的情况一样，在进行后述的切割、拾取或装片时，不会产生碎裂等。因此，可实现成品率的提高。上述金属箔的材料没有特殊限定。具体可以例示由例如：铜、铜合金、不锈钢、不锈钢合金、镍、镍合金(也包括42合金)、铝或铝合金形成的金属箔。另外，通常，在使用铜箔的情况下，多采用轧制铜箔、电解铜箔等铜箔，本发明中也可以优选采用这些铜箔。而且，也可以在这些铜箔的表面涂布防锈层、耐热层。
关于衬垫层4的厚度，没有特别限定，不过，过厚时，半导体装置的厚度也变厚，有时难以制造薄型半导体装置。另一方面，该衬垫层4过薄时，有时其自身支撑性不足，操作性差。因此，衬垫层4的厚度优选在5～100μm的范围内。
另外，关于衬垫层4的厚度相对于胶粘片10～12的总厚度的比率((衬垫层4的厚度)/(胶粘片10～12的总厚度))，优选在0.1～0.99的范围内，更优选0.3～0.95。该比率小于0.1时，由于衬垫层4过薄，有时拾取作业性降低。另外，该比率超过0.99时，胶粘片10～12的厚度变得过薄，不能表现出充分的粘合力。
上述胶粘剂层3是具有粘合功能的层，作为其构成材料，可列举出并用热塑性树脂和热固性树脂的材料。另外，也可以单独使用热塑性树脂。
作为所述热塑性树脂，可列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙(注册商标)或6，6-尼龙(注册商标)等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂或氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或两种以上并用。在这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、可确保半导体元件的可靠性的丙烯酸树脂。
作为丙烯酸类树脂，没有特殊规定，可列举出以具有碳原子数为30以下、尤其是碳原子数为4～18的直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的一种或两种以上为成分的聚合物等。所述烷基可列举出例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷基等。
另外，作为形成所述聚合物的其它单体，没有特殊限定，可列举出例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或丁烯酸等含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二烷基酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；或者2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体。
作为所述热固性树脂，可列举出：酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、或热固化性聚酰亚胺树脂树脂等。这些树脂可以单独使用或两种以上并用。尤其优选含腐蚀半导体元件的离子性杂质等少的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
对所述环氧树脂而言，只要是通常作为胶粘剂组合物使用的树脂，就没有特殊限定，例如可使用：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、线性酚醛型、线性邻甲酚酚醛型、三羟苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或乙内酰脲型、三缩水甘油基三聚异氰酸酯型或缩水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或两种以上并用。在这些环氧树脂中，尤其优选线性酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲烷型树脂或四羟苯基乙烷型环氧树脂。其原因在于，这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，且耐热性等优异。
另外，所述酚醛树脂是作为所述环氧树脂的固化剂而发挥作用的树脂，可列举出例如：线性酚醛树脂、芳烷基酚树脂、线性甲酚酚醛树脂、叔丁基线性酚醛树脂、壬基线性酚醛树脂等线性酚醛型酚醛树脂、甲酚型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。它们可以单独使用或两种以上并用。这些酚醛树脂中，特别优选线性酚醛树脂、芳烷基酚树脂。其原因在于，这些酚醛树脂可以提高半导体装置的连接可靠性。
所述环氧树脂和酚醛树脂的混合比例，优选的是：例如所述环氧树脂成分中每1当量的环氧基混合酚醛树脂中0.5～2.0当量的羟基。更优选的是混合0.8～1.2当量的羟基。即，若两者的混合比例脱离所述范围，则不能进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性容易变差。
需要说明的是，在本发明中，尤其优选含有环氧树脂、酚醛树脂及丙烯酸树脂的胶粘片。这些树脂的离子性杂质少、耐热性高，所以能够确保半导体元件的可靠性。此时优选的混合比例为：相对于丙烯酸树脂成分100重量份，环氧树脂和酚醛树脂的混合量为10～200重量份。
所述胶粘剂层3，为了预先进行一定程度的交联，可以在制作时，添加与聚合物的分子链末端官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，能够提高高温下的粘合特性，实现耐热性的改善。
作为所述交联剂，可以采用现有公知的物质，尤其是更优选甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、对苯撑二异氰酸酯、1，5-萘二异氰酸酯、多元醇和二异氰酸酯的加成物等聚异氰酸酯化合物。作为交联剂的添加量，优选相对于所述的聚合物100重量份，通常添加0.05～7重量份。交联剂的量比7重量份多时粘合力降低，因此不优选。另一方面，比0.05重量份少时凝聚力不足，因此不优选。另外，根据需要，也可以在含有这种多异氰酸酯化合物的同时含有环氧树脂等其它多官能性化合物。
另外，在所述胶粘剂层3中，可以根据其用途适当地混合无机填充剂。混合无机填充剂，可以赋予导电性/提高热传导性、调节弹性系数等。作为所述无机填充剂，例如可列举出：由硅石、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类、铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊锡等金属、或合金类、其它碳等组成的各种无机粉末。这些无机填充剂可以单独使用或两种以上并用。其中，优选使用硅石，尤其优选使用熔融硅石。另外，优选无机填充剂的平均粒径在0.1～80μm的范围内。
所述无机填充剂的混合量，相对于有机树脂成分100重量份优选设定为0～80重量份。特别优选0～70重量份。
另外，在所述胶粘剂层3中，除无机填充剂以外，可以根据需要适当地混合其它添加剂。作为其它添加剂，可列举出例如阻燃剂、硅烷偶联剂或离子捕获剂等。
作为阻燃剂，可以使用例如三氧化锑、无氧化锑、溴化环氧树脂等。它们可以单独使用或两种以上并用。
作为所述硅烷偶联剂，可列举出例如：β-(3，4-环氧环己基)丁基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等，这些化合物可以单独使用或两种以上并用。
作为所述离子捕获剂，可列举出例如水滑石类、氢氧化铋等。这些离子捕获剂可以单独使用或两种以上并用。
所述基材1是成为胶粘片10、11的强度母体的基材。例如可列举出：低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺纤维(纸)、玻璃、玻璃纤维、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素类树脂、硅树脂、金属(箔)、纸等。
另外，作为基材1的材料，可列举出所述树脂的交联体等聚合物。所述塑料薄膜也可以无延伸使用，也可以根据需要使用实施单轴或双轴延伸处理后的薄膜。若采用通过延伸处理等赋予了热收缩性的树脂片，通过使其基材1在切割后进行热收缩而使粘着剂层2和胶粘剂层3的粘合面积减小，从而可以实现片状工件回收的容易化。
为了提高基材1的表面与邻接的层的密合性、保持性等，可以对其表面实施惯用的表面处理，例如：铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离放射线处理等化学上或物理上的处理、底涂剂(例如后述的粘着物质)的涂敷处理。
所述基材1可以适宜地选择使用同种类或不同种类的材料，可以根据需要使用将多种类混合制成的材料。另外，为了赋予支撑基材带电防止能，可以在所述基材1上设置金属、合金、由它们的氧化物等组成的厚度为约
Figure G2007800058227D00111
～约
Figure G2007800058227D00112
的导电性物质的蒸镀层。支撑基材也可以为单层或两种以上的多层。另外，在粘着剂层2为放射线固化型的情况下，使用可使X射线、紫外线、电子射线等放射线的至少一部分透过的材料。
基材1的厚度没有特别限制，可以适当地决定，但通常优选为约5μm～约200μm。
粘着剂层2的形成所使用的粘着剂没有特别限制，例如可以使用丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂等通常的压敏性胶粘剂。作为所述压敏性胶粘剂，从避忌半导体晶片或玻璃等的污染的电子零件利用超纯水或酒精等有机溶剂的清洗性等方面考虑，优选将丙烯酸类聚合物作为原料聚合物的丙烯酸类粘着剂。
作为所述丙烯酸类聚合物，可列举出使用例如(甲基)丙烯酸烷基酯(例如：甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子数为1～30、尤其是碳原子数4～18的直链状或支链状烷基酯等)及(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如：环戊酯、环己酯等)的一种或两种以上作为单体成分的丙烯酸类聚合物等。需要说明的是，所谓(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本发明的(甲基)的意思完全相同。
对所述丙烯酸类聚合物而言，为了重整凝聚力、耐热性等，可以根据需要含有与可以与所述(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸环烷基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可列举出例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、丁烯酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二烷基酯、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可以共聚的单体成分可以使用一种或两种以上。这些可以共聚的单体的用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
另外，对所述丙烯酸类聚合物而言，为了使其进行交联，根据需要，也可以含有多官能性单体作为共聚用单体成分。作为这种多官能性单体，可列举出例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环氧基酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用一种或两种以上。从粘合特性等方面考虑，多官能性单体的使用量优选为全部单体成分的30重量％以下。
所述丙烯酸类聚合物通过将单一单体或两种以上的单体混合物聚合而得到。聚合以溶液聚合、乳化聚合、主体聚合、悬浊聚合等任何方式进行都可以。从防止对洗净的被粘体的污染方面考虑，优选低分子量物质的含量小。从这方面考虑，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选30万以上，更优选约40万～约300万。
另外，为了提高作为原料聚合物的丙烯酸类聚合物等的数均分子量，所述粘着剂也可以适当地采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可列举出添加聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮杂环丙烷化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂而使其反应的方法。使用外部交联剂的情况，其使用量根据与要交联的原料聚合物的平衡、并根据作为粘着剂的使用用途而适当地决定。一般地，优选相对于所述原料聚合物100重量份，混合约5重量份以下，更优选约0.1～约5重量份。此外，在胶粘剂中，根据需要，除上述成分以外，也可以使用目前公知的各种增粘剂、防老化剂等添加剂。
粘着剂层2也可以含有放射线固化型粘着剂而构成。放射线固化型粘着剂利用紫外线等放射线的照射使交联度增大，从而容易地使其粘着力降低。因此，通过对粘着剂层2照射放射线，使该粘着剂层2固化，由此能够容易地进行通过切割形成的小片状衬垫的拾取。另外，仅在粘着剂层2上的规定区域上形成胶粘剂层3及衬垫层4时，通过仅对该区域照射放射线，可以设置该区域和其它区域的粘着力之差。
对粘着剂层2的部分性的放射线照射，可以通过经由形成有与所述区域以外的区域对应的图案的光掩模进行照射。另外，可列举出点式照射紫外线而使其固化的方法等。放射线固化型的粘着剂层2的形成可以通过将设在隔离物上的粘着剂转印到基材1上而进行。部分性的放射线固化也可以在设置于隔离物上的放射线固化型的粘着剂层2上进行。
另外，放射线照射时，氧气引起固化阻碍的情况，优选自放射线固化型的粘着剂层2的表面将氧气(空气)遮断。作为其方法，可列举出例如用隔离物将所述粘着剂层2的表面覆盖的方法、或在氮气气氛中进行紫外线等放射线的照射的方法等。
如上所述，在图1(a)所示的胶粘片10的粘着剂层2上，由未固化的放射线固化型粘着剂形成的上述部分与胶粘剂层3粘着，从而能够确保切割时的保持力。这样，放射线固化型粘着剂可以很好地维持用于将小片状衬垫固定在衬底等被粘体上的胶粘剂层3的粘合与剥离的平衡。
放射线固化型粘着剂具有碳-碳双键等放射线固化性官能团，并且可以不对显示出粘合性的物质进行特别地限制而使用。作为放射线固化型粘着剂，可以例示例如：在上述丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂等通常的压敏性胶粘剂中混合放射线固化性的单体成分或低聚物成分的添加型的放射线固化型粘着剂。
作为所混合的放射线固化性单体成分，可列举出例如：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇一羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，放射线固化性低聚物成分可列举出：氨基甲酸酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量优选在约100～约30000的范围。放射线固化性的单体成分或低聚物成分的混合量，可以根据上述粘着剂层的种类适当地决定能够使粘着剂层的粘合力降低的量。通常，相对于构成粘着剂的丙烯酸类聚合物等原料聚合物100重量份，例如为约5～约500重量份，优选约40～约150重量份。
另外，作为放射线固化型粘着剂，除上述已进行了说明的添加型放射线固化型粘着剂以外，作为原料聚合物，可列举出：使用在聚合物侧链、主链中或主链末端具有碳-碳双键的物质的内在型放射线固化型粘着剂。内在型放射线固化型粘着剂不必含有作为低分子成分的低聚物成分等、或者含有的不多，因此，低聚物成分等不会历时性地在粘着剂中移动，能够形成具有稳定的层结构的粘着剂层，所以优选。
具有上述碳-碳双键的原料聚合物，可以没有特别地限制地使用具有碳-碳双键、并且具有粘合性的材料。作为这种原料聚合物，优选将丙烯酸类聚合物作为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可列举出上述已例示的丙烯酸类聚合物。
向上述丙烯酸类聚合物导入碳-碳双键的方法没有特别限制，可以采用各式各样的方法，而碳-碳双键导入聚合物侧链的方法，其分子设计较容易。例如可列举出：事先使具有官能团的单体与丙烯酸类聚合物进行共聚后，使可与该官能团反应的官能团及具有碳-碳双键的化合物，在维持碳-碳双键的放射线固化性的情况下进行缩合或加成反应的方法。
作为这些官能团的组合的例子，可列举出羧酸基和环氧基、羧酸基和氮杂环丙烷基、羟基和异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从容易跟踪反应的角度考虑，优选羟基和异氰酸酯基的组合。另外，利用这些官能团的组合，只要是生成具有上述碳-碳双键的丙烯酸类聚合物的组合，官能团可以位于丙烯酸类聚合物和上述化合物的任意一侧，但在上述优选的组合中，优选丙烯酸类聚合物具有羟基、上述化合物具有异氰酸酯基的情况。在这种情况下，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如可列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸类聚合物，使用将上述例示的含羟基单体或2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、二乙二醇一乙烯基醚的醚类化合物等共聚而成的聚合物。
上述内在型的放射线固化型粘着剂可以单独使用具有上述碳-碳双键的原料聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，但在不使特性变差的程度下，也可以混合上述放射线固化性的单体成分或低聚物成分。通常，相对于原料聚合物100重量份，放射线固化性的低聚物成分等在30重量份的范围内，优选在0～10重量份的范围。
在利用紫外线等进行固化的情况下，上述放射线固化型粘着剂中含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举出例如：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α-α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚类化合物；苄基二甲基缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯酰苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基膦化氧；酰基磷酸酯等。相对于构成粘着剂的丙烯酸类聚合物等原料聚合物100重量份，光聚合引发剂的混合量为例如约0.05～约20重量份。
而且，作为放射线固化型粘着剂，可列举出例如：日本特开昭60-196956好公报中所公开的、含有具有两个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物、羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐类化合物等光聚合引发剂的橡胶类粘着剂或丙烯酸类粘着剂等。
在上述放射线固化型的粘着剂层2中，根据需要也可以含有通过放射线照射而着色的化合物。将通过放射线照射而着色的化合物包含在粘着剂层2中，由此，可以仅对被放射线照射的部分进行着色。由此，通过目视即可判明粘着剂层2是否已照射了放射线，从而容易识别胶粘剂层3及衬垫层4的贴附部分。其结果是，容易将基材1及粘着剂层2与胶粘剂层3及衬垫层4贴合在一起。另外，利用光传感器等检测半导体元件时，其检测精度提高，进行小片状衬垫的切割时不会产生误操作。
通过放射线照射而着色的化合物在放射线照射前为无色或淡色，但通过放射线照射变成有色的化合物。作为这种化合物的优选的具体例子，可列举出无色染料。作为无色染料，优选使用惯用的三苯基甲烷类、荧烷类、吩噻嗪类、金胺类、螺吡喃类。具体可列举出：3-[N-(对甲苯氨基)]-7-苯胺基荧烷、3-[N-(对甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基荧烷、3-[N-(对甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基荧烷、3-二乙基氨基-6-甲基-7-苯胺基荧烷、结晶紫内酯、4，4’，4”-三双甲基氨基三苯基甲醇、4，4’，4”-三双甲基氨基三苯基甲烷等。
作为与这些无色染料一起优选使用的显色剂，可列举出一直以来所使用的酚醛树脂的初期聚合物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等电子接受体，另外，改变色调时也可以将各种公知的发色剂组合而使用。
这种通过放射线照射而着色的化合物，也可以事先被有机溶剂等溶解后包含在放射线固化型胶粘剂中，或者，也可以制成微粉末状包含在该粘着剂中。优选的是，在粘着剂层2中该化合物的使用比例为10重量％以下，优选0.01～10重量％、更优选0.5～5重量％。该化合物的比例超过10重量％时，照射在粘着剂层2上的放射线过多地被该化合物吸收，因而粘着剂层2的照射部分的固化不充分，不能充分地降低粘合力。另一方面，为了被充分地着色，优选将该化合物的比例设定为0.01重量％以上。
粘着剂层2的厚度没有特别限定，不过，从兼顾防止芯片切断面的缺口及固定保持胶粘层的方面考虑，优选为约1μm～约50μm。优选2～30μm、更优选5～25μm。
其次，参照图2及图3对本实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明。图2是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的工序图。图3是表示通过本实施方式的半导体装置的制造方法得到的半导体装置的概略的剖面图。
首先，准备在支撑基材31上层压粘着剂层32而构成的切割带33。其次，在该切割带33上层压由胶粘剂层构成的装片层21(图2(a))。然后将半导体晶片22贴合在装片层21上。接着，将该半导体晶片22切割成规定的大小，形成半导体芯片23。接着将半导体芯片23和粘片层21一起从切割带33上剥离。由此得到具备粘片层21的半导体芯片23。
另一方面，准备图1(a)所示的胶粘片10，对该胶粘片10的衬垫层4进行切割，形成小片状衬垫14。此时，在将该衬垫14层压在上述半导体芯片23上时，衬垫层14的尺寸为该半导体芯片23的电极底座部(图未示出)不被覆盖的程度。另外，优选自衬垫层4的形成面侧起进行切割。本工序使用的切割装置备没有特殊限定，可以应用目前公知的装置。
另外，在使用图1(c)所示的胶粘片12的情况下，优选在其切割之前将该胶粘片12和切割片贴合在一起。切割片可使用目前公知的切割片，具体可列举出例如：在基材1上层压粘着剂层2而形成的切割片。贴合是将胶粘片12的胶粘剂层作为贴合面3而进行的。贴合条件可以设定为与将半导体晶片与切割片贴合时的条件相同。
然后，对衬垫14进行拾取，并将其与胶粘剂层3一起自粘着剂层2剥离。拾取的方法没有特殊限定，可以应用目前公知的各种方法及装置。可列举出例如：利用针将各个衬垫14自基材1侧(下方侧)推上去，然后利用拾取装置将被推上去的衬垫14进行拾取。拾取条件可以可以设定为与对半导体芯片进行拾取时的条件相同。
接着，以引线接合面成为上侧的方式将上述半导体芯片23通过装片层21临时粘接于衬底等被粘体34上。然后，通过胶粘剂层3将衬垫14临时粘接在半导体芯片23上。再通过装片层21将其它半导体芯片23临时粘接在衬垫14上。
上述被粘体34可列举出衬底或引线框等。另外，上述衬底可以使用目前公知的材料。另外，上述引线框可以使用由Cu引线框、42Alloy引线框等金属引线框或环氧玻璃、BT(双马来酰亚胺三嗪)、聚酰亚胺等组成的有机衬底。但是，本发明并不限于此，还包含可安装半导体元件且与半导体元件电连接使用的电路衬底。
上述胶粘剂层3的临时粘合时的剪切粘合力，优选例如相对于半导体芯片23为0.2MPa以上，更优选为0.2～10MPa。因为胶粘剂层3的剪切粘合力至少为0.2MPa以上，所以，即使不经过加热工序而进行引线接合工序，也不会因该工序的超声波振动或加热而在与胶粘剂层3和衬垫14及半导体芯片23等的粘合面产生剪切变形。也就是说，衬垫14及半导体芯片23不会因引线接合时的超声波振动而移动，由此，可以防止引线接合成功率的下降。
接着，进行引线接合工序。由此，将半导体芯片23的电极底座(未图示)和被粘体34的内部连接用连接盘用接合引线16电连接(参照图3)。上述接合引线16例如使用金线、铝线或铜线等。进行引线接合时的温度在80～250℃、优选在80～220℃的范围内。另外，其加热时间进行数秒～数分钟。接线是在加热到上述温度范围内的状态下，并用超声波产生的振动能量和施加压力产生的压接能量来进行。而且，本工序也可以在上侧的半导体芯片23被临时粘合之前进行。
本工序在不进行利用装片层21及胶粘剂层3的粘接的情况下实施。另外，在本工序的过程中，半导体芯片23、衬垫14及被粘体34由于装片层21及胶粘剂层23而不会粘接在一起。在此，胶粘剂层3的剪切粘合力即使在80～250℃的温度范围内也需要在0.2MPa以上。这是因为在该温度范围内剪切粘合力小于0.2MPa时，半导体元件因引线接合时的超声波振动而移动，不能进行引线接合，成品率降低。
接着，进行利用密封树脂对半导体元件进行密封的密封工序。由此，在密封树脂被固化的同时，被粘体34和半导体芯片23之间、及半导体芯片23和衬垫14之间被胶粘剂层3及装片层21粘接。本工序通过使密封树脂在模具中成型而进行。密封树脂例如使用环氧类树脂。树脂密封时的加热温度通常在175℃下进行60～90秒钟，但是，本发明并不限定于此，例如可以在165～185℃下进行数分钟固化。在本发明中，在不进行后述的后固化工序的情况下，也可以在本工序中进行衬垫14的粘接，其有助于制造工序数的减少及半导体装置的制造周期的缩短。
在密封工序后也可以进行后固化工序。由此，可以使在密封工序中固化不足的密封树脂完全地固化。另外，即使在密封工序中没有被胶粘剂层3粘接的情况下，在本工序中也可以在密封树脂固化的同时完成利用胶粘剂层3的粘接。本工序中的加热温度根据密封树脂的种类不同而不同，例如，在165～185℃的范围内，加热时间为约0.5～约8小时。通过进行以上的制造工序，可以得到本实施方式的半导体装置。
(实施方式2)
参照图4及图5对本实施方式2的半导体装置的制造方法进行说明。图4是用于说明本实施方式中使用的胶粘片的切割工序的工序图。图5是表示通过本实施方式的半导体装置的制造方法得到的半导体装置的概略的剖面图。
本实施方式的胶粘片与上述实施方式1的胶粘片相比较，不同点在于，使用在衬垫层4上还层压有其它胶粘剂层5的胶粘片11(参照图1(b))。
由胶粘片11制作小片状衬垫15的方法与实施方式1一样，通过切割来进行。此时，衬垫15的尺寸和实施方式1中的衬垫14一样，设计为不覆盖半导体芯片23的电极底座部的程度。自基材1对衬垫15进行拾取的方法、及将其固定在半导体芯片23上的方法与上述实施方式1是一样的。
另外，与实施方式1同样地，通过进行引线接合工序、密封工序、后固化工序，可以得到图5所示的半导体装置。
(其他事项)
将半导体芯片三维安装于上述被粘体上时，在形成有半导体芯片的电路的一面侧形成缓冲涂膜。该缓冲涂膜可列举出例如由氮化硅膜或聚酰亚胺树脂等耐热树脂构成的膜。
另外，在半导体芯片的三维安装时，各段所使用的胶粘剂层不限定于由同一组成构成的胶粘剂层，可以根据制造条件或用途等适当地改变。
另外，上述实施方式中所述的层压方法为例示性地说明的方法，可以根据需要适当地改变。
另外，在上述实施方式中，对在将多个半导体芯片层压在被粘体上后、整体进行引线接合工序的方式进行了说明，但本发明并不限于此。例如，也可以在将半导体芯片层压在被粘体上时进行引线接合工序。
实施例
下面，例示性地详细说明该发明优选的实施例。但是，该实施例记载的材料或混合量等，不限于特殊限定的记载，该发明的范围不是仅限定于这些，这些只不过是说明例。另外，以下，份的意思是重量份。
(实施例1)
〔带金属箔的胶粘片的制作〕
相对于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制、商品名：パラクロンW-197CM)100份，使多官能异氰酸酯类交联剂3份、环氧树脂(ジヤパンエポキシレジン(株)制、商品名：エピコ一ト1004)23份、酚醛树脂(三井化学(株)制、商品名：ミレツクスXLC-LL)6份溶解于甲乙酮中，制成浓度为20重量％的胶粘剂组合物的溶液。
将该胶粘剂组合物的溶液涂布在作为金属箔的轧制钢箔(厚度为50μm)上。然后在120℃干燥3分钟，由此制作出胶粘剂层的厚度为25μm的带金属箔的胶粘片(总厚度75μm)。
〔放射线固化型丙烯酸类粘着剂的制作〕
利用常法使丙烯酸丁酯70份、丙烯酸乙酯30份及丙烯酸5份在乙酸乙酯中共聚，得到重均分子量为80万、浓度为30重量％的丙烯酸类聚合物的溶液。在该丙烯酸类聚合物的溶液中，混合作为光聚合性化合物的二季戊四醇一羟基五丙烯酸酯20份及作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮1份。使这些物质均匀地溶解于甲苯中，制成浓度为25重量％的放射线固化型丙烯酸类粘着剂的溶液。
〔衬垫用胶粘片的制作〕
将上述放射线固化型丙烯酸类粘着剂的溶液涂布在由厚度为60μm的聚乙烯膜构成的基材上。然后在120℃下干燥3小时，形成厚度为20μm的粘着剂层。以下将其称作粘着膜。接着，仅对粘着膜的粘着剂层上贴附带金属箔胶粘片的部分，以500ml/cm2(紫外线照射积算光量)照射紫外线，得到具有带金属箔胶粘片的贴附对应部分被放射线固化的胶粘剂层的膜。另外，紫外线照射使用日东精机(株)制的紫外线(UV)照射装置(商品名：NELUW-110)。
接着，以使粘着膜的粘着剂层侧和带金属箔胶粘片的胶粘剂层侧成为贴合面的方式将两者贴合在一起，从而制作出实施例1的衬垫用胶粘片。
(实施例2)
在本实施例2中，除使用以丙烯酸丁酯为主要成分的聚合物(根上工业株式会社制、パラクンSN-710)代替上述实施例1中使用的丙烯酸酯类聚合物以外，与实施例1同样地制作本实施例2的带金属箔胶粘片(胶粘剂层的厚度为25μm、带金属箔胶粘片的厚度为75μm)，从而，制作出本实施例2的衬垫用胶粘片。
(实施例3)
在本实施例3中，除使用不锈钢箔代替上述实施例1中使用的轧制钢箔以外，与实施例1同样地制作本实施例3的带金属箔胶粘片(胶粘剂层的厚度为25μm、带金属箔胶粘片的厚度为75μm)，从而，制作出本实施例3的衬垫用胶粘片。
(实施例4)
在本实施例4中，除将上述实施例3中使用的不锈钢箔的厚度由50μm变为25μm、使得带金属箔胶粘片的厚度为50μm以外，与上述实施例3同样地制作本实施例4的衬垫用胶粘片。
(比较例1)
在比较例1中，除使用剥离片代替上述实施例1中使用的轧制钢箔以外，与上述实施例1同样地制作本比较例1的衬垫用胶粘片。
(比较例2)
在比较例2中，代替上述实施例1中使用的丙烯酸酯类聚合物，使用以丙烯酸丁酯为主要成分的聚合物(根上工业株式会社制、パラクロンSN-710)。然后与上述比较例1同样地制作本比较例2的衬垫用胶粘片。
(切割)
在上述实施例1～4及比较例1、2中制作的各衬垫用胶粘片的切割，使用デイスコ社制ダイサ一DFD651来进行。此时，以得到10mm×10mm大小的小片状衬垫的方式进行切割。切割时，尤其是可以没有崩刃等问题地对所有样品进行切割。切割条件如下。
〔切割条件〕
切割装置：デイスコ社制ダイサ一DFD651
切割速度：50mm/秒
切割刀片：デイスコ社制205O-SE27HECC
切割刀片转速：40000rpm
胶粘片切深：85μm
小片状衬垫的尺寸：10mm×10mm
(拾取)
对上述切割后的衬垫用胶粘片进行拾取，制作出20个小片状衬垫。拾取使用进行半导体芯片的拾取时使用的(株)新川制的装片机SPA300。另外，拾取条件如下。另外，在本工序中，还算出了拾取的成功率。将其结果示于表1。
〔拾取条件〕
拾取装置：(株)新川制的装片机SPA300
针数：5～9根
上推量：300μm
上推速度：80mm/秒
拉下量：3mm
拉下后的加热：没有
(结果)
如下表1所示，实施例1～4中的衬垫用胶粘片，拾取的成功率都为100％，与此相对，比较例1、2的衬垫用胶粘片，拾取的成功率都为0％。由此可以确认：比较例1、2的衬垫用胶粘片不能用现有的拾取装置进行拾取，与此相反，实施例1～4的衬垫用胶粘片不需要适用于这些的新的拾取装置，而使用现有的拾取装置就可以高成品率地进行拾取。
表1
  切割性   拾取性
  实施例1   没有问题   100％
  实施例2   没有问题   100％
  实施例3   没有问题   100％
  实施例4   没有问题   100％
  比较例1   没有问题   0％
  比较例2   没有问题   0％

Claims (18)

1.一种半导体装置制造方法，其使用衬垫用胶粘片，其特征在于，具有：
准备至少在一面上具有包含胶粘剂层的衬垫层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片，
以所述胶粘剂层为贴合面将所述衬垫用胶粘片与切割片贴合在一起的工序，
对所述衬垫用胶粘片进行切割，形成具备所述胶粘剂层的小片状衬垫的工序，
将所述衬垫和所述胶粘剂层一起自所述切割片剥离的工序，和
通过所述胶粘剂层将所述衬垫固定在被粘体上的工序，
其中，使用所述衬垫层为金属层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片。
2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述衬垫层的厚度为5～100μm。
3.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述被粘体为衬底、引线框或其它半导体元件。
4.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述胶粘剂层是包含热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
5.如权利要求4所述的半导体装置制造方法，其特征在于，使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。
6.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述胶粘剂层是包含热固性树脂及热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
7.如权利要求6所述的半导体装置制造方法，其特征在于，使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。
8.一种在权利要求1所述的半导体装置制造方法中使用的衬垫用胶粘片。
9.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求1所述的半导体装置制造方法而得到。
10.一种半导体装置制造方法，其使用衬垫用胶粘片，其特征在于，具有：
准备将在基材上依次层压粘着剂层、胶粘剂层及衬垫层而成的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片，
对所述衬垫用胶粘片进行切割，形成具备所述胶粘剂层的小片状衬垫的工序，
将所述衬垫与所述胶粘剂层一起自所述粘着剂层剥离的工序，和
通过所述胶粘剂层将所述衬垫固定在被粘体上的工序，
其中，使用所述衬垫层为金属层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片。
11.如权利要求10所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述衬垫层的厚度为5～100μm。
12.如权利要求10所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述被粘体为衬底、引线框或其它半导体元件。
13.如权利要求10所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述胶粘剂层是包含热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
14.如权利要求13所述的半导体装置制造方法，其特征在于，使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。
15.如权利要求10所述的半导体装置制造方法，其特征在于，所述胶粘剂层是包含热固性树脂及热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
16.如权利要求15所述的半导体装置制造方法，其特征在于，使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。
17.一种在权利要求10所述的半导体装置制造方法中使用的衬垫用胶粘片。
18.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求10所述的半导体装置制造方法而得到。
CN2007800058227A 2006-02-16 2007-02-15 半导体装置的制造方法 Expired - Fee Related CN101385135B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006039681A JP4954569B2 (ja) 2006-02-16 2006-02-16 半導体装置の製造方法
JP039681/2006 2006-02-16
PCT/JP2007/052750 WO2007094418A1 (ja) 2006-02-16 2007-02-15 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101385135A CN101385135A (zh) 2009-03-11
CN101385135B true CN101385135B (zh) 2010-12-01

Family

ID=38371595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800058227A Expired - Fee Related CN101385135B (zh) 2006-02-16 2007-02-15 半导体装置的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100219507A1 (zh)
JP (1) JP4954569B2 (zh)
KR (2) KR20080095283A (zh)
CN (1) CN101385135B (zh)
TW (1) TWI396243B (zh)
WO (1) WO2007094418A1 (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4975564B2 (ja) * 2007-08-31 2012-07-11 日東電工株式会社 半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP5885325B2 (ja) * 2009-05-29 2016-03-15 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
CN101924056A (zh) * 2009-06-15 2010-12-22 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
TWI507501B (zh) 2009-06-15 2015-11-11 Lg Chemical Ltd 用於處理晶圓的薄片
CN101924055A (zh) * 2009-06-15 2010-12-22 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
JP5143196B2 (ja) * 2009-09-28 2013-02-13 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
DE102009046263A1 (de) * 2009-10-30 2011-05-12 Tesa Se Verfahren zum Verkleben von hitzeaktiviert verklebbaren dünnen Flächenelementen
JP5023179B2 (ja) * 2010-03-31 2012-09-12 リンテック株式会社 チップ用樹脂膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
JP5048815B2 (ja) * 2010-07-20 2012-10-17 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、及び、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5641641B2 (ja) 2010-07-29 2014-12-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2012033637A (ja) 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
KR101565630B1 (ko) 2011-02-14 2015-11-04 주식회사 엘지화학 무용제형 조성물 및 그의 제조방법
JP5036887B1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-26 日東電工株式会社 保護フィルム付きダイシングフィルム
CN102842512A (zh) * 2011-06-22 2012-12-26 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法
KR20160139043A (ko) * 2012-03-08 2016-12-06 히타치가세이가부시끼가이샤 접착시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN105579898B (zh) * 2013-11-13 2017-07-21 积水化学工业株式会社 液晶显示元件用密封剂、上下导通材料、及液晶显示元件
JP6429824B2 (ja) * 2016-03-31 2018-11-28 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
JP6339619B2 (ja) * 2016-03-31 2018-06-06 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
JP6422462B2 (ja) 2016-03-31 2018-11-14 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
WO2017168829A1 (ja) 2016-03-31 2017-10-05 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
JP6310492B2 (ja) * 2016-03-31 2018-04-11 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
JP6440657B2 (ja) * 2016-07-27 2018-12-19 古河電気工業株式会社 電子デバイス用テープ
JP2019161105A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体装置
WO2020217397A1 (ja) * 2019-04-25 2020-10-29 日立化成株式会社 ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法、支持片の製造方法及び積層フィルム
TWI830906B (zh) * 2019-04-25 2024-02-01 日商力森諾科股份有限公司 具有支石墓結構的半導體裝置的製造方法及支持片的製造方法
WO2020217401A1 (ja) * 2019-04-25 2020-10-29 日立化成株式会社 ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム及びその製造方法
JP2022097769A (ja) * 2019-04-25 2022-07-01 昭和電工マテリアルズ株式会社 ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片の製造方法
JP7456181B2 (ja) 2020-02-17 2024-03-27 株式会社レゾナック 半導体装置及びその製造方法、フィルム状接着剤、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
JP2022082247A (ja) 2020-11-20 2022-06-01 日東電工株式会社 積層フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2022082237A (ja) 2020-11-20 2022-06-01 日東電工株式会社 スペーサ付ダイシング接着フィルム
JP2022082231A (ja) 2020-11-20 2022-06-01 日東電工株式会社 スペーサ付ダイシング接着フィルム
KR20220072634A (ko) * 2020-11-25 2022-06-02 (주)이녹스첨단소재 스페이서용 다층 필름 및 이를 이용한 스페이서 형성 방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP2994510B2 (ja) * 1992-02-10 1999-12-27 ローム株式会社 半導体装置およびその製法
US5894983A (en) * 1997-01-09 1999-04-20 Harris Corporation High frequency, low temperature thermosonic ribbon bonding process for system-level applications
JP3906962B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
US6414384B1 (en) * 2000-12-22 2002-07-02 Silicon Precision Industries Co., Ltd. Package structure stacking chips on front surface and back surface of substrate
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
WO2002067324A1 (fr) * 2001-02-22 2002-08-29 Ngk Insulators, Ltd. Element pour circuit electronique, procede de fabrication d'un tel element et portion electronique
TW525274B (en) * 2001-03-05 2003-03-21 Samsung Electronics Co Ltd Ultra thin semiconductor package having different thickness of die pad and leads, and method for manufacturing the same
DE10136655C1 (de) * 2001-07-20 2002-08-01 Optosys Technologies Gmbh Multichipmodul in COB Bauweise, insbesondere CompactFlash Card mit hoher Speicherkapazität und Verfahren zur Herstellung desselben
US20050224978A1 (en) * 2002-06-24 2005-10-13 Kohichiro Kawate Heat curable adhesive composition, article, semiconductor apparatus and method
US6995462B2 (en) * 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
JP4562118B2 (ja) * 2003-12-19 2010-10-13 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
MY138566A (en) * 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4934284B2 (ja) * 2004-03-15 2012-05-16 日立化成工業株式会社 ダイシングダイボンドシート
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US7190058B2 (en) * 2004-04-01 2007-03-13 Chippac, Inc. Spacer die structure and method for attaching
JP4421972B2 (ja) * 2004-04-30 2010-02-24 日東電工株式会社 半導体装置の製法
US7116002B2 (en) * 2004-05-10 2006-10-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Overhang support for a stacked semiconductor device, and method of forming thereof
US7675153B2 (en) * 2005-02-02 2010-03-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having semiconductor chips stacked and mounted thereon and manufacturing method thereof
JP2006328205A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Mitsui Chemicals Inc 接着フィルムおよびその用途

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080095283A (ko) 2008-10-28
TWI396243B (zh) 2013-05-11
CN101385135A (zh) 2009-03-11
KR20100028133A (ko) 2010-03-11
JP4954569B2 (ja) 2012-06-20
US20100219507A1 (en) 2010-09-02
JP2007220913A (ja) 2007-08-30
TW200735238A (en) 2007-09-16
WO2007094418A1 (ja) 2007-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101385135B (zh) 半导体装置的制造方法
CN101617395B (zh) 热固化型芯片接合薄膜
CN101617390B (zh) 切割/芯片接合薄膜
CN102222633B (zh) 热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法
CN101515564B (zh) 具备切割膜和芯片焊接膜的膜
CN102190975B (zh) 芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置
CN102169849B (zh) 芯片保持用胶带、工件保持方法和半导体装置制造方法
CN102399505B (zh) 切割/芯片接合薄膜
CN102002323B (zh) 带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法
CN102569263B (zh) 半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置
CN103140917B (zh) 切割/芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法
CN102153956B (zh) 热固型胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、以及使用它们制造半导体装置的方法
CN102227482B (zh) 半导体装置制造用薄膜卷
CN103081069B (zh) 半导体装置用薄膜以及半导体装置
CN102190977A (zh) 切割/芯片接合薄膜
CN102386054B (zh) 半导体装置用薄膜以及半导体装置
CN102265388A (zh) 热固型芯片接合薄膜
CN102074494A (zh) 热固型芯片接合薄膜
CN102842541A (zh) 层叠膜及其使用
CN103923573B (zh) 胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置
CN102842512A (zh) 半导体装置的制造方法
CN103525338B (zh) 半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置
CN107004589A (zh) 切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法
CN102468185A (zh) 芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置
CN102074493A (zh) 热固型芯片接合薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101201

Termination date: 20180215

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee