JP2022082247A - 積層フィルム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、半導体装置の製造を容易にすることができる積層フィルムを提供する。【解決手段】本発明に係る積層フィルムは、スペーサ層と接着剤層とが積層されているスペーサ用接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されており、前記スペーサ層が樹脂フィルムで構成され、該スペーサの温度２６０℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。【選択図】 図１

Description

本発明は、積層フィルムに関する。より詳しくは、本発明は、半導体装置の製造に用いられる積層フィルムに関する。
また、本発明は、前記積層フィルムを用いた半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体装置の製造においては、ソルダリングによって電子部品が配線基板上に搭載されたりしている。
近年、半導体チップを配線基板に固定するためにダイボンドフィルムと称される接着シートが利用されたりもしている。
半導体装置については、小型化に対するニーズが高いため複数の半導体チップをＦＯＤ（Ｆｉｌｍ Ｏｎ Ｄｉｅ）やＦＯＷ（Ｆｉｌｍ Ｏｎ Ｗｉｒｅ）と称される形態で搭載すべく接着剤層付スペーサ（以下、スペーサ用接着フィルムともいう）を用いることが知られている。
前記接着剤層付スペーサは、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、該ダイシングテープの粘着剤層上に積層された接着剤層と、該接着剤層上に積層されたスペーサ層と、を備えている積層フィルムを用いて作製される（例えば、特許文献１）。

前記接着剤層付スペーサは、例えば、以下のようにして使用される。
まず、接着剤層付スペーサは、スペーサ層と接着剤層とが積層されているスペーサ用接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されている積層フィルムを用意し、該積層フィルムをダイシングしてスペーサ用接着フィルムを個片化し、個片化されたスペーサ用接着フィルムをダイシングテープから剥離することによって作製される。
そして、接着剤層付スペーサは、複数の半導体チップを配線基板に搭載する際に、これらを横並びにすると広い面積を必要とすることから、複数の半導体チップの内の一半導体チップよりも他半導体チップを高位置に配置し、一半導体チップと他半導体チップとが平面視において重なり合うようにして省スペース化を実現すべく利用されている。

特開２００７－２２０９１３号公報

従来の接着剤層付スペーサでは、スペーサ層がシリコンウェハなどによって構成されたりしている。
シリコンウェハは、需要と供給とのバランスが十分に安定しているとは言い難く、このようなものでスペーサ層を形成すると材料の入手が困難になるおそれがある。
また、シリコンウェハをスペーサとして使用する場合には、前記シリコンウェハに種々の処理を施す必要がある。具体的には、シリコンウェハにバックグラインドテープを貼り付けた状態とし、バックグラインドテープが貼り付けられたシリコンウェハにバックグラインド装置を用いて該シリコンウェハを所定の厚さに研磨処理した後、研磨処理後のシリコンウェハに接着テープを貼り付ける処理を行っている。このような各種の処理を行うことにより、プロセスが煩雑化される。
さらに、上記のような処理を施すと、バックグラインドテープの材料費やバックグラインド装置のランニングコストが掛かったりして、プロセスを実施するのに掛かる費用が高額になる。
また、シリコンウェハの代替品として、剛性が高くシートとしての取扱い性に優れる観点から、金属箔が用いられることもあるが、半導体装置内において、前記金属箔がボンディングワイヤと接触するリスクがある。
以上のように従来の接着剤層付スペーサ（スペーサ用接着フィルム）については、半導体装置を容易に製造する観点で改善の余地が残されている。

そこで、本発明は、半導体装置の製造を容易にする積層フィルムを提供することを課題とする。

本発明者らが鋭意検討したところ、スペーサ層を樹脂フィルムとすることで上記課題を解決し得ることを見出した。また、本発明者らは、スペーサ層を単に樹脂フィルムで構成させるとソルダリングにおいて問題が生じ得るものの、前記スペーサ層を、温度２６０℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上のものとすることにより、ソルダリングに際する問題も生じ難くなることを見出して、本発明を想到するに至った。

すなわち、本発明に係る積層フィルムは、
スペーサ層と接着剤層とが積層されているスペーサ用接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されており、
前記スペーサ層が樹脂フィルムで構成され、該スペーサ層の温度２６０℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。

斯かる構成によれば、半導体装置の製造を容易にすることができる。
また、ソルダリングに際する問題を生じ難くすることができる。

前記積層フィルムにおいては、
前記スペーサ層は、温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後の吸水率が３質量％以上である、ことが好ましい。

斯かる構成によれば、半導体装置の製造をより容易にすることができる。
また、ソルダリングに際する問題をより生じ難くすることができる。

前記積層フィルムにおいては、
前記スペーサ層は、３μｍ以上３００μｍ以下の厚みを有する、ことが好ましい。

斯かる構成によれば、半導体装置の製造をより容易にすることができる。
また、ソルダリングに際する問題をより生じ難くすることができる。

前記積層フィルムにおいては、
前記接着剤層は、１０μｍ以上２００μｍ以下の厚みを有し、
前記スペーサ用接着フィルムが個片化されて接着剤層付スペーサとして用いられ、
該接着剤層付スペーサは、複数の半導体チップが取り付けられた配線基板に用いられ、
前記複数の半導体チップの内の一半導体チップよりも他半導体チップを高位置に配置すべく用いられる、ことが好ましい。

斯かる構成によれば、半導体装置の製造をより容易にすることができる。
また、ソルダリングに際する問題をより生じ難くすることができる。

前記積層フィルムにおいては、
前記スペーサ層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、及び、ポリエーテルエーテルケトン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む樹脂組成物で構成されている、ことが好ましい。

斯かる構成によれば、半導体装置の製造をより容易にすることができる。
また、ソルダリングに際する問題をより生じ難くすることができる。

半導体装置の製造方法は、
複数の半導体チップが取り付けられた配線基板を備えた半導体装置の製造方法であって、
スペーサ層と接着剤層とが積層されているスペーサ用接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されている積層フィルムをダイシングし、
該ダイシングによって前記スペーサ用接着フィルムを個片化して接着剤層付スペーサを作製することと、
前記複数の半導体チップの内の一半導体チップよりも他半導体チップを高位置に配すべく該他半導体チップと前記配線基板との間に前記接着剤層付スペーサを介装することと、を含み、
該接着剤層付スペーサとして、前記スペーサ層が樹脂フィルムで構成され、該スペーサ層の温度２６０℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である接着剤層付スペーサを用いる。

斯かる構成によれば、半導体装置の製造を容易にすることができる。
また、ソルダリングに際する問題を生じ難くすることができる。

前記半導体装置の製造方法においては、
前記接着剤層付スペーサのスペーサ層には、前記接着剤層が積層されている第１面と、該第１面とは反対面である第２面とが備えられ、
該第２面にダイボンドフィルムを介して前記他半導体チップを積層し、
温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後に前記ダイボンドフィルムと前記スペーサ層との間のせん断接着力を温度２６０℃において測定した際に該せん断接着力が０．５ＭＰａ以上となる半導体装置を作製する、ことが好ましい。

斯かる構成によれば、半導体装置の製造をより容易にすることができる。
また、ソルダリングに際する問題をより生じ難くすることができる。

本発明によれば、半導体装置の製造を容易にする積層フィルムを提供することができる。

本発明の一実施形態に係る積層フィルムの構成を示す断面図。 本発明の一実施形態に係る積層フィルムの使用例を説明するための図。（ａ）は、コントローラチップが配線基板上に取り付けられ、かつ、ボンディングワイヤによって配線基板と電気的に接続された状態を示す図。（ｂ）は、コントローラチップ及びボンディングワイヤが、本発明の一実施形態に係る積層フィルムの接着剤層によって埋め込まれた状態を示す図。（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る積層フィルムのスペーサ層上にメモリチップを高さ方向に積層させた状態を示す図。 本発明の一実施形態に係る積層フィルムの他の使用例を説明するための図。（ａ）は、他の第１使用例を説明するための図。（ｂ）は、他の第２使用例を説明するための図。（ｃ）は、他の第３使用例を説明するための図。（ｄ）は、他の第４使用例を説明するための図。（ｅ）は、他の第５使用例を説明するための図。 本発明の一実施形態に係る積層フィルムの製造方法の一例を説明するための図。（ａ）は、製造装置の一例を示す図。（ｂ）は、第１積層体の構成を示す断面図。 本発明の第一実施形態に係る積層フィルムの製造方法を説明するための図。（ａ）は、製造装置の一例を示す図。（ｂ）は、第２積層体の構成を示す断面図。（ｃ）は、所定形状に打ち抜かれた部分以外の接着剤層及びスペーサ層が除去された第３積層体の構成を示す断面図。（ｄ）は、第４積層体の構成を示す断面図。 本発明の第一実施形態に係る積層フィルムの製造方法を説明するための図。（ａ）はスリット加工を説明するための平面図。（ｂ）は、プリカット加工を説明するための平面図。 本発明の第二実施形態に係る積層フィルムの製造方法を説明するための図。（ａ）は、製造装置の一例を示す図。（ｂ）は、第２積層体の構成を示す断面図。（ｃ）は、所定形状に打ち抜かれた部分以外の接着剤層及びスペーサ層が除去された第３積層体の構成を示す断面図。（ｄ）は、第４積層体の構成を示す断面図。 本発明の第二実施形態に係る積層フィルムの製造方法の一例を説明するための図。（ａ）は、製造装置の一例を示す図。（ｂ）は、第４積層体の構成を示す断面図。（ｃ）は、転写テープが剥離された第４積層体の構成を示す断面図。（ｄ）は、第５積層体の構成を示す断面図。 （ａ）スペーサ層からダイボンド層が剥離されていない状態を示す顕微鏡写真（実施例１）。（ｂ）スペーサ層からダイボンド層が剥離された状態を示す顕微鏡写真（比較例１）。

以下、本発明の一実施形態について説明する。

［積層フィルム］
図１に示したように、本実施形態に係る積層フィルム２０は、スペーサ層４と接着剤層３とが積層されているスペーサ用接着フィルムＦと、ダイシングテープ１０とが積層されている。
本実施形態に係る積層フィルム２０では、スペーサ層４が樹脂フィルムで構成されている。
以下では、ダイシングテープ１０が、基材層１上に粘着剤層２が積層されたものを例として説明する。

基材層１は、粘着剤層２を支持する。基材層１は、樹脂を含む。基材層１に含まれる樹脂としては、ポリオレフィン（ポリプロピレン（ＰＰ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（低密度ポリエチレン）、α－オレフィンなど）、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－アクリル酸メチル（ＥＭＡ）、エチレン－アクリル酸エチル（ＥＥＡ）、エチレン－メタクリル酸メチル（ＥＭＭＡ）、スチレン・ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ）、スチレンエチレンプロピレンスチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、フッ素樹脂、セルロース樹脂、シリコーン樹脂、及び、アイオノマー樹脂などが挙げられる。

基材層１は、前記した樹脂を１種含むものであってもよいし、前記した樹脂を２種以上含むものであってもよい。
なお、粘着剤層２が後述する紫外線硬化粘着剤を含む場合、基材層１は、紫外線透過性を有するように構成されていることが好ましい。

基材層１は、無延伸成形によって得られたものであってもよいし、延伸成形によって得られたものであってもよいが、延伸成形によって得られたものであることが好ましい。

基材層１の厚みは、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。
基材層１の厚みは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。

粘着剤層２は、粘着剤を含有する。粘着剤層２は、接着剤層３を保持する。

前記粘着剤としては、積層フィルム２０の使用過程において外部からの作用により粘着力を低減可能なもの（以下、粘着低減型粘着剤という）が挙げられる。

粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、積層フィルム２０の使用過程において、粘着剤層２が比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）と、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）とを使い分けることができる。例えば、スペーサ用接着フィルムＦを保持する場合には、接着剤層３が粘着剤層２から浮き上がることを抑制するために、高粘着状態を利用する。
これに対し、スペーサ用接着フィルムＦを取り外す場合には、粘着剤層２から接着剤層３を取り外し易くするために、低粘着状態を利用する。

前記粘着低減型粘着剤としては、積層フィルム２０の使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、放射線硬化粘着剤という）が挙げられる。

前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、または、Ｘ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射により硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）を用いることが好ましい。

前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分とを含む、添加型の放射線硬化粘着剤が挙げられる。

前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステルなどが挙げられる。

粘着剤層２は、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーと反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤などが挙げられる。

前記放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。前記放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。前記放射線硬化粘着剤中の放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層２の粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。

前記放射線硬化粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α－ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。

粘着剤層２は、前記各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料、又は、染料などの着色剤等を含んでいてもよい。

粘着剤層２の厚みは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。
粘着剤層２の厚みは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５点の厚みを測定し、これらの厚みを算術平均することにより求めることができる。

接着剤層３は、熱硬化性を有することが好ましい。ダイボンドフィルムに熱硬化性樹脂及び熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を含ませることにより、接着剤層３に熱硬化性を付与することができる。

接着剤層３が熱硬化性樹脂を含む場合、このような熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。イオン性不純物等の含有量が少ない傾向にあるという観点から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、かつ、耐熱性に優れることから、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。中でも、スペーサ用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に、当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にあるという観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。

接着剤層３がエポキシ樹脂と該エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂とを含む場合、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点から、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が０．５当量以上２．０当量以下となる量で含まれることが好ましく、０．７当量以上１．５当量以下となる量で含まれることがより好ましい。

接着剤層３における上記熱硬化性樹脂の含有割合は、接着剤層３において上記熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、接着剤層３の総質量に対して、５質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。

接着剤層３が熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、このような熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。
すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。
また、ダイボンド層が熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を含む場合、硬化剤を含んでいることが好ましい。上記硬化剤としては、例えば、ポリフェノール系化合物が挙げられる。

接着剤層３は、上記熱硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、接着剤層３による接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。

上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。ダイボンド層において高い凝集力を実現するという観点から、上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特に、ポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であることが好ましく、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体であることがより好ましい。

接着剤層３が上記熱硬化性樹脂に加えて上記熱可塑性樹脂を含む場合、上記熱可塑性樹脂の含有割合は、接着剤層３中のフィラーを除く有機成分（例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、硬化触媒、シランカップリング剤、染料）の総質量に対して、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、４５質量％以上５５質量％以下であることがさらに好ましい。

接着剤層３はフィラーを含んでいてもよい。フィラーを含むことにより、導電性、熱伝導性、及び、弾性率等の各種物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられ、特に、無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記フィラーは、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。

接着剤層３がフィラーを含む場合、上記フィラーの含有割合は、接着剤層３の総質量に対して、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、４２質量％以上５５質量％以下であることがさらに好ましい。

接着剤層３は、必要に応じて、上記以外の他の成分を含んでいてもよい。上記以外の他の成分としては、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。上記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、ベンゾトリアゾール等が挙げられる。上記他の成分は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。

接着剤層３は、１μｍ以上２００μｍ以下の厚みを有することが好ましく、３μｍ以上１５０μｍ以下の厚みを有することがより好ましい。
接着剤層３の厚みは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５点の厚みを測定し、これらの厚みを算術平均することにより求めることができる。
本実施形態に係る積層フィルム２０では、接着剤層３は、上記数値範囲の厚みを有した上で、複数の半導体チップが取り付けられた配線基板において、前記複数の半導体チップの少なくとも一部を埋め込むため、または、前記複数の半導体チップと前記配線基板とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤの少なくとも一部を埋め込むため、の少なくとも一方に用いられることが好ましい。

接着剤層３は、１２０℃で測定したときの溶融粘度の値が１Ｐａ・ｓ以上５０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。接着剤層３が、上記のごとき数値範囲の引張貯蔵弾性率を有することにより、後述するように、配線基板上に配されたコントローラチップや、該コントローラチップと前記配線基板とを電気的に接続するボンディングワイヤの少なくとも一部を埋め込み易くなる。
接着剤層３の溶融粘度は、以下の方法で測定することができる。
すなわち、レオメータ（ＨＡＡＫＥ社製、商品名：ＭＡＲＳＩＩＩ）を用いて、パラレルプレート法により、溶融粘度を測定する。具体的には、１２０℃になるように加熱しているプレートに接着剤層３を仕込み、測定を開始する。測定開始から２４０秒後の値の平均値を溶融粘度とする。なお、プレート間のギャップは０．１ｍｍとする。

スペーサ層４は、半導体装置において、半導体チップを三次元実装させるため（高さ方向に積層させるため）に高さ方向のスペースを確保するために用いられる。
より詳しくは、スペーサ層４は、半導体チップとしてのメモリチップを三次元実装させるために、高さ方向のスペースを確保するために用いられる。

上記したように、スペーサ層４は、樹脂フィルムで構成されている。スペーサ層４を構成する樹脂フィルムの材料は特に限定されないが、スペーサ層４は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、及び、ポリエーテルエーテルケトン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。
スペーサ層４は、上記のごとき樹脂組成物で構成された樹脂フィルムを所定の寸法に切断することにより得ることができる。
このような樹脂フィルムとしては、ポリイミド樹脂を含む樹脂組成物で構成された、東レ・デュポン社製のカプトン（登録商標）シリーズ（例えば、カプトン（登録商標）２００Ｖ、カプトン（登録商標）３００Ｖ）、ポリエーテルイミド樹脂を含む樹脂組成物で構成された、三菱樹脂社製のスペリオ（登録商標）ＵＴシリーズ（例えば、スペリオ（登録商標）ＵＴ ＮＢ－タイプ）、ポリエーテルエーテルケトン樹脂を含む樹脂組成物で構成された、信越ポリマー社製のＳＨシリーズ、ポリフェニレンスルフィド樹脂を含む樹脂組成物で構成された、東レ社製のトレリナシリーズなどが挙げられる。

スペーサ層４は、３μｍ以上３００μｍ以下の厚みを有することが好ましい。
スペーサ層４の厚みは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５点の厚みを測定し、これらの厚みを算術平均することにより求めることができる。

本実施形態に係る積層フィルム２０は、温度２６０℃におけるスペーサ層４の引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であることが重要である。
温度２６０℃におけるスペーサ層４の引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であることにより、温度２６０℃において、スペーサ層４を比較的大きな硬さを有するものとすることができ、温度２６０℃において、スペーサ層４が変形することを比較的抑制することができる。
これにより、通常、２６０℃程度の温度で行われるソルダリングによって、半導体パッケージをマザーボードと電気的に接続して半導体装置を得るときに、スペーサ層４が変形して、スペーサ層４の一部が、半導体チップ（メモリチップ）を積層させたダイボンド層から剥離することを比較的抑制することができる。
また、温度２６０℃におけるスペーサ層４の引張貯蔵弾性率の上限値は特に限定されないが、例えば、１００ＧＰａである。

温度２６０℃におけるスペーサ層４の引張貯蔵弾性率は、以下のようにして求めることができる。
詳しくは、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの大きさのスペーサを試験片とし、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２０．０ｍｍの条件において、－３０℃～３００℃の温度範囲で、前記試験片の引張弾性率を測定する。その際、２６０℃での値を読み取ることにより求めることができる。
なお、前記測定は、前記試験片をＭＤ方向（樹脂流れ方向）に引っ張ることにより行う。

本実施形態に係る積層フィルム２０において、スペーサ層４は、温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後の吸水率が３質量％以下であることが好ましい。
スペーサ層４が、温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後の吸水率が３質量％以下であることにより、温度８５℃かつ相対湿度８５％といった高温高湿環境下に１６８時間という長時間曝された場合であっても、水分によってスペーサ層４の形状が変形することを抑制することができる。

前記吸水率は、以下のようにして求めることができる。
詳しくは、長さ８０ｍｍ、幅１０ｍｍの大きさのスペーサを試験片とし、該試験片を、温度を８５℃とし、相対湿度を８５％ＲＨに調整した、恒温恒湿器内に入れて、１６８時間放置した後、カールフィッシャー微量水分測定装置を用いることにより測定することができる。
測定条件としては、以下のものを採用することができる。

［測定条件］
・測定装置：三菱化学社製 微量水分測定装置ＣＡ－０７
・水分気化装置：三菱化学社製 ＶＡ－０７
・発生液：三菱化学社製アクアミクロンＡＸ
・対極液：三菱化学社製アクアミクロンＣＸＵ

［積層フィルムの使用例］
ところで、半導体装置は、通常、配線基板上に、複数の半導体チップを備えており、該複数の半導体チップとして、情報を記憶するための複数のメモリチップと、該複数のメモリチップを制御するための複数のコントローラチップを備えている。
また、近年、半導体装置を高密度集積化する観点から、複数のメモリチップ及び複数のコントローラチップを配線基板上に三次元実装することにより、半導体装置を小型にすることが試みられている。

本実施形態に係る積層フィルム２０では、粘着剤層２からスペーサ用接着フィルムＦが取り外され、所定の大きさを有するようにダイシングにより個片化されて、上記のごとき、複数のメモリチップ及び複数のコントローラチップが配線基板上に三次元実装される半導体装置を製造するために使用される。
以下、図２～３を参照しながら、本実施形態に係る積層フィルム２０の使用例について説明する。
なお、上記のように、複数のメモリチップと複数のコントローラチップとが配線基板上に三次元実装される場合には、コントローラチップとしては、通常、メモリチップよりも一回り以上小さい寸法を有するものが使用される。

上記したように、配線基板上に半導体チップが三次元実装される場合、まず、図２（ａ）に示したように、コントローラチップ６ａが、ダイボンドフィルム５ａによって配線基板３０上に接着される。
また、図２（ａ）に示したように、配線基板３０上に接着されたコントローラチップ６ａは、２本のボンディングワイヤ７によって配線基板３０と電気的に接続される。

ダイボンドフィルム５ａは、熱硬化性を有していることが好ましく、配線基板３０とコントローラチップ６ａとの間に介装された状態で熱硬化されることにより、配線基板３０上にコントローラチップ６ａを接着させることが好ましい。これにより、配線基板３０上にコントローラチップ６ａをより強固に取り付けることができる。
ダイボンドフィルム５ａは、上記した接着剤層３と同様に構成することができる。

次に、図２（ｂ）に示したように、本実施形態に係る積層フィルム２０では、粘着剤層２から取り外されて、所定の寸法にダイシングされたスペーサ用接着フィルムＦの接着剤層３が、コントローラチップ６ａ及び２本のボンディングワイヤ７を埋め込んだ上で、接着剤層３によってスペーサ用接着フィルムＦが配線基板３０上に接着される。
上記したように、接着剤層３は、熱硬化性を有していることが好ましい。接着剤層３が熱硬化性を有していることにより、接着剤層３によってコントローラチップ６ａ及び２本のボンディングワイヤ７を埋め込むようにスペーサ用接着フィルムＦを配線基板３０上に配した後で、接着剤層３を熱硬化させることにより、スペーサ用接着フィルムＦを配線基板３０により強固に取り付けることができる。
なお、図２（ｂ）では、接着剤層３に、コントローラチップ６ａの全部及び２本のボンディングワイヤ７の全部が埋め込まれた上で、スペーサ用接着フィルムＦが配線基板３０上に接着されている例を示しているが、後述する態様に挙げているように、接着剤層３に、コントローラチップ６ａ及びボンディングワイヤ７が埋め込まれずに、スペーサ用接着フィルムＦが配線基板３０上に接着されてもよいし、接着剤層３に、ボンディングワイヤ７の一部のみが埋め込まれた状態で、スペーサ用接着フィルムＦが配線基板３０上に接着されてもよい。

次に、図２（ｃ）に示したように、配線基板３０上に接着されたスペーサ用接着フィルムＦのスペーサ層４上に、ダイボンドフィルム５ｂを介在させてメモリチップ６ｂを配し、メモリチップ６ｂ上にダイボンドフィルム５ｂを介在させてメモリチップ６ｂをさらに複数積層させる。図２（ｃ）では、スペーサ層４上に接着されたメモリチップ６ｂ上に、さらに、２個のメモリチップ６ｂが積層された状態を示している。
なお、図２（ｃ）では、スペーサ層４上に、２個のメモリチップ６ｂを階段状に積層させた例を示している。

すなわち、本実施形態に係る積層フィルム２０は、スペーサ用接着フィルムＦを粘着剤層２から取り外し、所定の大きさを有するようにダイシングにより個片化された状態で、例えば、コントローラチップ６ａ及びボンディングワイヤ７をスペーサ用接着フィルムＦの接着剤層３で埋め込んだ上で、スペーサ用接着フィルムＦを接着剤層３によって配線基板３０に接着させた状態とし、さらに、スペーサ用接着フィルムＦのスペーサ層４上に複数のメモリチップ６ｂを高さ方向に積層させて用いられる。

本実施形態に係る積層フィルム２０は、図２に示した例に限られず、例えば、図３に示した例のようにも使用される。

例えば、図３（ａ）に示したように、略中央部に、ダイボンドフィルム５ａによってコントローラチップ６ａが接着され、２本のボンディングワイヤ７によってコントローラチップ６ａと電気的に接続されている配線基板３０において、１個のスペーサ用接着フィルムＦの接着剤層３によって、コントローラチップ６ａ及びボンディングワイヤ７を埋め込んだ上で、１個のスペーサ用接着フィルムＦを接着剤層３によって配線基板３０に接着させた状態とし、さらに、複数のダイボンドフィルム５ｂによって複数のメモリチップ６ｂが積層されたメモリチップ積層体Ｍの一方を、ダイボンドフィルム５ｂによってスペーサ用接着フィルムＦのスペーサ層４の一端縁側に接着させ、メモリチップ積層体Ｍの他方を、ダイボンドフィルム５ｂによってスペーサ用接着フィルムＦのスペーサ層４の他端縁側に接着させるように使用されてもよい。

また、図３（ｂ）に示したように、一端縁側に、ダイボンドフィルム５ａによってコントローラチップ６ａが接着され、２本のボンディングワイヤ７によってコントローラチップ６ａと電気的に接続されている配線基板３０において、他端縁側に、１個のスペーサ用接着フィルムＦを接着剤層３によって配線基板３０に接着させた状態とし、複数のダイボンドフィルム５ｂによって複数のメモリチップ６ｂが積層されたメモリチップ積層体Ｍを、ダイボンドフィルム５ｂによってメモリチップ積層体Ｍ及びコントローラチップ６ａに接着させるように使用されてもよい。

さらに、図３（ｃ）に示したように、略中央部に、ダイボンドフィルム５ａによってコントローラチップ６ａが接着され、２本のボンディングワイヤ７によってコントローラチップ６ａと電気的に接続されている配線基板３０において、コントローラチップ６ａを挟むように、配線基板３０の両端側に、各接着剤層３によってスペーサ用接着フィルムＦを１個ずつ接着させた状態とし、２個のスペーサ層４のそれぞれの上に、ダイボンドフィルム５ｂによって１個のメモリチップ６ｂを接着させるように使用されてもよい。

また、図３（ｄ）に示したように、略中央部に、ダイボンドフィルム５ａによってコントローラチップ６ａが接着され、２本のボンディングワイヤ７によってコントローラチップ６ａと電気的に接続されている配線基板３０において、コントローラチップ６ａを挟むように、配線基板３０の両端側に、各接着剤層３が２本のボンディングワイヤ７のそれぞれの一部を埋め込んだ状態で各接着剤層３によってスペーサ用接着フィルムＦを１個ずつ接着させた状態とし、２個のスペーサ層４のそれぞれの上に、ダイボンドフィルム５ｂによって１個のメモリチップ６ｂを接着させるように使用されてもよい。

さらに、図３（ｅ）に示したように、略中央部に、ダイボンドフィルム５ａによってコントローラチップ６ａが接着され、２本のボンディングワイヤ７によってコントローラチップ６ａと電気的に接続されている配線基板３０において、コントローラチップ６ａを挟むように、配線基板３０の両端側に、各接着剤層３によってスペーサ用接着フィルムＦを１個ずつ接着させた状態とし、２個のスペーサ層４及びコントローラチップ６ａのそれぞれの上に、ダイボンドフィルム５ｂによって、複数のダイボンドフィルム５ｂによって複数のメモリチップ６ｂが積層されたメモリチップ積層体Ｍの１個を接着させるように使用されてもよい。

要すれば、本実施形態に係る積層フィルム２０は、粘着剤層２からスペーサ用接着フィルムＦを取り外し、所定の大きさを有するようにダイシングにより個片化された状態とした上で、スペーサ層４が半導体チップ（例えば、メモリチップ６ｂ）を積層させる高さ方向のスペースを確保するように使用されていればよい。

［積層フィルムの製造方法］
一実施形態（以下、第一実施形態ともいう）に係る積層フィルムの製造方法は、
接着剤層の一方面にスペーサが配され、かつ、前記接着剤層の他方面に剥離シートが配された第１積層体において、前記スペーサ層における前記接着剤層が配された側と反対側に転写テープを取り付けて第２積層体を得ること（第２積層体作製工程Ｓ１）と、
第２積層体作製工程Ｓ１の後に、前記第２積層体に打ち抜き加工を施して、前記接着剤層、前記スペーサ層、及び、前記剥離シートを所定形状に打ち抜くこと（打ち抜き工程Ｓ２）と、
打ち抜き工程Ｓ２の後に、前記第２積層体から、所定形状に打ち抜いた部分以外の剥離シートを除去すること（第１除去工程Ｓ３）と、
第１除去工程Ｓ３の後に、前記第２積層体における、所定形状に打ち抜いた部分の剥離シートが残存している側に、除去テープを取り付けて第３積層体を得ること（第３積層体作製工程Ｓ４）と、
第３積層体作製工程Ｓ４の後に、前記除去テープを除去することによって、前記第３積層体から、所定形状に打ち抜いた部分の剥離シートと、所定形状に打ち抜いた部分以外の前記接着剤層及び前記スペーサ層を除去すること（第２除去工程Ｓ５）と、
第２除去工程Ｓ５の後に、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープを、前記粘着剤層側が当接するように前記第３積層体における前記除去テープが除去された側に取り付けて第４積層体を得ること（第４積層体作製工程Ｓ６）と、を備える。

本実施形態に係る積層フィルム２０は、図４（ａ）及び図５（ａ）に示したような装置を用いて、第一実施形態に係る積層フィルムの製造方法にしたがって製造することができる。

まず、図４（ａ）に示したように、装置１００ａは、第１積層体Ｌ１（接着剤層３の一方面にスペーサ層４が配され、かつ、接着剤層３の他方面に剥離シートＨが配された第１積層体Ｌ１（図４（ｂ）参照））が取り付けられるとともに、取り付けられた第１積層体Ｌ１を上流側に向けて巻き出す第１積層体巻出部１０１ａと、第１積層体巻出部１０１ａよりも上流側に配され、転写テープＴが取り付けられるとともに、第１積層体Ｌ１に転写テープＴを取り付けるべく、転写テープＴを上流側に向けて巻き出す転写テープ巻出部１０２ａと、転写テープ巻出部１０２ａよりも上流側に配され、第１積層体Ｌ１に転写テープＴが取り付けられることにより得られる第２積層体Ｌ２を巻き取る第２積層体巻取部１０３ａと、を備えている。
すなわち、上記した、第２積層体作製工程Ｓ１が、装置１００ａにて行われる。
以下、図４を参照しながら、第２積層体作製工程Ｓ１について説明する。

まず、接着剤層３の一方面にスペーサ層４が配され、かつ、接着剤層３の他方面に剥離シートＨが配された第１積層体Ｌ１（図４（ｂ）参照）を、スペーサ層４側の面が巻き出し方向に対して上側となるように第１積層体巻出部１０１ａに取り付けて、第１積層体巻出部１０１ａから上流側にむけて第１積層体Ｌ１を巻き出す。
なお、図４（ａ）では、第１積層体Ｌ１は、時計回りで巻き出されるように第１積層体巻出部１０１ａに取り付けられているが、反時計回りで巻き出されるように取り付けられていてもよい。
次に、転写テープ巻出部１０２ａから巻き出された転写テープＴを、第１積層体Ｌ１におけるスペーサ層４上に取り付けることにより第２積層体Ｌ２を得て、この第２積層体Ｌ２を第２積層体巻取部１０３ａで巻き取る。
なお、図４（ａ）では、第２積層体Ｌ２は、第２積層体巻取部１０３ａに反時計回りで巻き取られているが、時計回りで巻き取られてもよい。
第２積層体巻取部１０３ａで巻き取られた第２積層体Ｌ２は、巻き取られた状態で、図５（ａ）に示した装置１００ｂにて用いられる。

図５（ａ）に示したように、装置１００ｂは、第２積層体Ｌ２が取り付けられるとともに、取り付けらえた第２積層体Ｌ２を上流側に向けて巻き出す第２積層体巻出部１０１ｂと、第２積層体巻出部１０１ｂよりも上流側に配され、第２積層体Ｌ２に打ち抜き加工を施す打ち抜き加工部２００と、打ち抜き加工部２００よりも上流側に配され、第２積層体Ｌ２から剥離シートＨの一部を除去して巻き取る剥離シート巻取部１０２ｂと、剥離シート巻取部１０２ｂよりも上流側に配され、剥離シート巻取部１０２ｂよりも上流側に配され、除去テープＳが取り付けられるとともに、剥離シートＨが除去された第２積層体Ｌ２に除去テープＳを取り付けて第３積層体を得るべく、除去テープＳを上流側に向けて巻き出す除去テープ巻出部１０３ｂと、除去テープ巻出部１０３ｂよりも上流側に配され、第３積層体Ｌ３から除去テープＳを除去して巻き取る除去テープ巻取部１０４ｂと、除去テープ巻取部１０４ｂよりも上流側に配され、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０が取り付けられるとともに、除去テープＳが除去された第３積層体Ｌ３にダイシングテープ１０を取り付けるべく、ダイシングテープ１０を上流側に向けて巻き出すダイシングテープ巻出部１０５ｂと、ダイシングテープ巻出部１０５ｂよりも上流側に配され、除去テープＳが除去された第３積層体Ｌ３にダイシングテープ１０が取り付けられることにより得られる第４積層体を巻き取る第４積層体巻取部１０６ｂと、を備える。
すなわち、上記した、打ち抜き工程Ｓ２から第４積層体作製工程Ｓ６までが、装置１００ｂにて行われる。
以下、図５を参照しながら、打ち抜き工程Ｓ２から第４積層体作製工程Ｓ６までについて説明する。

まず、巻き取れた状態の第２積層体Ｌ２を、転写テープＴが巻き出し方向に対して下側となるように第２積層体巻出部１０１ｂに取り付けて（すなわち、巻き出し方向に対して剥離シートＨが上側になるように第２積層体巻出部１０１ｂに取り付けて（図５（ｂ）参照）、第２積層体巻出部１０１ｂから第２積層体Ｌ２を巻き出して、第２積層体Ｌ２を剥離シート巻取部１０２ｂに向けて搬送しながら、打抜き加工部２００によって、接着剤層３、スペーサ層４、及び、剥離シートＨを所定形状に打ち抜く（打ち抜き工程Ｓ２）。
なお、図５に示した例では、接着剤層３、スペーサ層４、及び、剥離シートＨは、円板状に打ち抜かれている（図５（ａ）参照）。すなわち、５に示した例では、第２積層体Ｌ２の打ち抜き部分は、円板状となっている。
また、図５（ａ）では、第２積層体Ｌ２は、時計回りで巻き出されるように第２積層体巻出部１０１ｂに取り付けられているが、反時計回りで巻き出されるように取り付けられていてもよい。
次に、剥離シート巻取部１０２ｂによって、第２積層体Ｌ２から、所定形状に打ち抜いた部分以外の剥離シートＨを除去する（第１除去工程Ｓ３）。所定形状に打ち抜いた部分以外の剥離シートＨが除去された第２積層体Ｌ２は、除去テープ巻出部１０３ｂに向けて搬送される。
次に、除去テープ巻出部１０３ｂから除去テープＳを巻き出して、所定形状に打ち抜いた部分の剥離シートＨが残存している側に、除去テープＳを取り付けて第３積層体Ｌ３を得る（第３積層体作製工程Ｓ４）。第３積層体Ｌ３は、除去テープ巻取部１０４ｂに向けて搬送される。
次に、除去テープ巻取部１０４ｂにて、第３積層体Ｌ３から、所定形状に打ち抜いた部分の剥離シートＨと、所定形状に打ち抜いた部分以外の接着剤層３及びスペーサ層４を除去する（第２除去工程Ｓ５）。所定形状に打ち抜いた部分の剥離シートＨと、所定形状に打ち抜かれた部分以外の接着剤層３及びスペーサ層４が除去された第３積層体Ｌ３（図５（ｃ）参照）は、ダイシングテープ巻出部１０５ｂに向けて搬送される。
次に、ダイシングテープ巻出部１０５ｂからダイシングテープ１０を巻き出して、第３積層体Ｌ３における除去テープＳが除去された側にダイシングテープ１０を取り付けて第４積層体Ｌ４（図５（ｄ）参照）を得る（第４積層体作製工程Ｓ６）。第４積層体Ｌ４は、第４積層体巻取部１０６ｂに向けて搬送されて、第４積層体巻取部１０６ｂで巻き取られる。
なお、図５（ａ）では、第４積層体Ｌ４は、第４積層体巻取部１０６ｂに反時計回りで巻き取られているが、時計回りで巻き取られてもよい。
以上のようにして、第一実施形態に係る積層フィルムの製造方法によって、積層フィルム２０が得られる。

なお、第４積層体Ｌ４（すなわち、積層フィルム２０）は、第４積層体巻取部１０６ｂから巻き出された状態（ダイシングテープ１０が上側となった状態）で、製品の規格幅に合わせて、第４積層体Ｌ４の幅方向の両端側をカットする（第４積層体Ｌ４の不要な部分をカットする）スリット加工工程が施された後（図６（ａ））、打ち抜き加工部（図示せず）を用いて、打ち抜き部（接着剤層３、及び、スペーサ層４の打ち抜き部）の寸法よりもやや大きな寸法（例えば、前記打ち抜き部の寸法の１．１倍～１．４倍）で、上側からダイシングテープ１０を所定の形状に打ち抜くとともに、不要なダイシングテープ１０を除去するプリカット工程が施されてもよい（図６（ｂ））。
なお、図６（ｂ）に示した例では、ダイシングテープ１０は、円板状に打ち抜かれている。

また、他の実施形態（以下、第二実施形態ともいう）に係る積層フィルムの製造方法は、
接着剤層の一方面にスペーサ層が配され、かつ、前記接着剤層の他方面に剥離シートが配された第１積層体において、前記スペーサ層における前記接着剤層が配された側と反対側に転写テープを取り付けて第２積層体を得ること（第２積層体作製工程Ｓ１’）と、
第２積層体作製工程Ｓ１’の後に、前記第２積層体から、前記剥離シートを除去すること（剥離シート除去工程Ｓ２’）と、
剥離シート除去工程Ｓ２’の後に、前記第２積層体における前記剥離シートが除去された側に除去テープを取り付けて第３積層体を得ること（第３積層体作製工程Ｓ３’）と、
第３積層体作製工程Ｓ３’の後に、前記第３積層体に打ち抜き加工を施して、前記接着剤層、前記スペーサ層、及び、前記除去テープを所定形状に打ち抜くこと（打ち抜き工程Ｓ４’）と、
打ち抜き工程Ｓ４’の後に、前記除去テープを除去することによって、前記第３積層体から、所定の形状に打ち抜かれた部分以外の接着剤層及び前記スペーサ層を除去すること（除去工程Ｓ５’）と、
除去工程Ｓ５’の後に、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープを、前記粘着剤層側が当接するように前記第３積層体における前記除去テープが除去された側に取り付けて第４積層体を得ること（第４積層体作製工程Ｓ６’）と、
第４積層体作製工程Ｓ６’の後に、前記第４積層体から前記転写テープを除去させること（転写テープ除去工程Ｓ７’）と、
転写テープ除去工程Ｓ７’の後に、前記第４積層体における前記転写テープが除去された側に剥離テープを取り付けること（剥離テープ取付工程Ｓ８’）と、を備える。

本実施形態に係る積層フィルム２０は、図４（ａ）、図７（ａ）、及び、図８（ａ）に示したような装置を用いて、第二実施形態に係る積層フィルムの製造方法にしたがって製造することができる。

まず、図４（ａ）に示したように、装置１００ａは、第１積層体Ｌ１（接着剤層３の一方面にスペーサ層４が配され、かつ、接着剤層３の他方面に剥離シートＨが配された第１積層体Ｌ１（図１（ｂ）参照））が取り付けられるとともに、取り付けられた第１積層体Ｌ１を上流側に向けて巻き出す第１積層体巻出部１０１ａと、第１積層体巻出部１０１ａよりも上流側に配され、転写テープＴが取り付けられるとともに、第１積層体Ｌ１に転写テープＴを取り付けるべく、転写テープＴを上流側に向けて巻き出す転写テープ巻出部１０２ａと、転写テープ巻出部１０２ａよりも上流側に配され、第１積層体Ｌ１に転写テープＴが取り付けられることにより得られる第２積層体Ｌ２を巻き取る第２積層体巻取部１０３ａと、を備えている。
すなわち、上記した、第２積層体作製工程Ｓ１’が、装置１００ａにて行われる。
以下、図４を参照しながら、第２積層体作製工程Ｓ１’について説明する。

まず、接着剤層３の一方面にスペーサ層４が配され、かつ、接着剤層３の他方面に剥離シートＨが配された第１積層体Ｌ１（図４（ｂ）参照）を、スペーサ層４側の面が巻き出し方向に対して上側となるように第１積層体巻出部１０１ａに取り付けて、第１積層体巻出部１０１ａから上流側にむけて第１積層体Ｌ１を巻き出す。
なお、図４（ａ）では、第１積層体Ｌ１は、時計回りで巻き出されるように第１積層体巻出部１０１ａに取り付けられているが、反時計回りで巻き出されるように取り付けられていてもよい。
次に、転写テープ巻出部１０２ａから巻き出された転写テープＴを、第１積層体Ｌ１におけるスペーサ層４上に取り付けることにより第２積層体Ｌ２を得て、この第２積層体Ｌ２を第２積層体巻取部１０３ａで巻き取る。
なお、図４（ａ）では、第２積層体Ｌ２は、第２積層体巻取部１０３ａに反時計回りで巻き取られているが、時計回りで巻き取られてもよい。
第２積層体巻取部１０３ａで巻き取られた第２積層体Ｌ２は、巻き取られた状態で、図７（ａ）に示した装置１００ｂ’にて用いられる。

図７（ａ）に示したように、装置１００ｂ’は、第２積層体Ｌ２が取り付けられるとともに、取り付けらえた第２積層体Ｌ２を上流側に向けて巻き出す第２積層体巻出部１０１ｂ’と、第２積層体巻出部１０１ｂ’よりも上流側に配され、第２積層体巻出部１０１ｂ’から巻き出された第２積層体Ｌ２から剥離シートＨを除去して巻き取る剥離シート巻取部１０２ｂ’と、剥離シート巻取部１０２ｂ’よりも上流側に配され、除去テープＳが取り付けられるとともに、剥離シートＨが除去された第２積層体Ｌ２に除去テープＳを取り付けるべく、除去テープＳを上流側に向けて巻き出す除去テープ巻出部１０３ｂ’と、除去テープ巻出部１０３ｂ’よりも上流側に配され、剥離シートＨが除去された第２積層体Ｌ２に除去テープＳが取り付けられることにより得られる第３積層体Ｌ３に打ち抜き加工を施す打抜加工部２００’と、除去テープ巻出部１０３ｂ’及び打抜加工部２００’よりも上流側に配され、除去テープＳを巻き取る除去テープ巻取部１０４ｂ’と、除去テープ巻取部１０４ｂ’よりも上流側に配され、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０が取り付けられるとともに、除去テープＳが除去された第３積層体Ｌ３にダイシングテープ１０を取り付けるべく、ダイシングテープ１０を上流側に向けて巻き出すダイシングテープ巻出部１０５ｂ’と、ダイシングテープ巻出部１０５ｂよりも上流側に配され、除去テープＳが除去された第３積層体Ｌ３にダイシングテープ１０が取り付けられることにより得られる第４積層体を巻き取る第４積層体巻取部１０６ｂ’と、を備える。
すなわち、上記した、剥離シート除去工程Ｓ２’から第４積層体作製工程Ｓ６’までが、装備１００ｂ’にて行われる。
以下、図７を参照しながら、剥離シート除去工程Ｓ２’～第４積層体作製工程Ｓ６’までについて説明する。

まず、巻き取れた状態の第２積層体Ｌ２を、転写テープＴが巻き出し方向に対して下側となるように第２積層体巻出部１０１ｂ’に取り付けて（すなわち、巻き出し方向に対して剥離シートＨが上側になるように第２積層体巻出部１０１ｂ’に取り付けて（図７（ｂ）参照）、第２積層体巻出部１０１ｂ’から第２積層体Ｌ２を巻き出して、剥離シート巻取部１０２ｂ’に向けて搬送し、剥離シート巻取部１０２ｂ’によって第２積層体Ｌ２から剥離シートＨを剥離（除去）しつつ巻き取る（剥離シート除去工程Ｓ２’）。剥離シートＨが除去された第２積層体Ｌ２は、除去テープ巻出部１０３ｂ’に向けて搬送される。
なお、図７（ａ）では、第１積層体Ｌ１は、時計回りで巻き出されるように第２積層体巻出部１０１ｂ’に取り付けられているが、反時計回りで巻き出されるように取り付けられていてもよい。
次に、除去テープ巻出部１０３ｂ’から除去テープＳを巻き出して、第２積層体Ｌ２における剥離シートＨが除去された側に除去テープＳを取り付けて第３積層体Ｌ３を得る（第３積層体作製工程Ｓ３’）。第３積層体Ｌ３は、打抜加工部２００’に向けて搬送される。
次に、第３積層体Ｌ３に打抜加工部２００’によって打ち抜き加工を施して、接着剤層３、スペーサ層４、及び、除去テープＳを所定形状に打ち抜く（打ち抜き工程Ｓ４’）。打ち抜き工程Ｓ４の第３積層体Ｌ３は、除去テープ巻取部１０４ｂ’に向けて搬送される。
なお、図７に示した例では、接着剤層３、スペーサ層４、及び、除去テープＳは、円板状に打ち抜かれている（図７（ａ）参照）。すなわち、５に示した例では、第３積層体Ｌ３の打ち抜き部分は、円板状となっている。
次に、除去テープ巻取部１０４ｂ’にて、打ち抜き加工を施された第３積層体Ｌ３から除去テープＳを巻き取って除去することにより、所定形状に打ち抜かれた部分以外の接着剤層３及びスペーサ層４を除去する（除去工程Ｓ５’）。所定形状に打ち抜かれた部分以外の接着剤層３及びスペーサ層４が除去された第３積層体Ｌ３（図７（ｃ）参照）は、ダイシングテープ巻出部１０５ｂ’に向けて搬送される。
次に、ダイシングテープ巻出部１０５ｂ’からダイシングテープ１０を巻き出して、第３積層体Ｌ３における除去テープＳが除去された側にダイシングテープ１０を取り付けて第４積層体Ｌ４（図７（ｄ）参照）を得る（第４積層体作製工程Ｓ６）。第４積層体Ｌ４は、第４積層体巻取部１０６ｂ’に向けて搬送されて、第４積層体巻取部１０６ｂ’で巻き取られる。
なお、図７（ａ）では、第４積層体Ｌ４は、第４積層体巻取部１０６ｂ’に反時計回りで巻き取られているが、時計回りで巻き取られてもよい。
第４積層体巻取部１０６ｂ’で巻き取られた第４積層体Ｌ４は、巻き取られた状態で、図８（ａ）に示した装置１００ｃにて用いられる。
なお、ダイシングテープ１０は、粘着剤層２が第３積層体Ｌ３における除去テープＳが除去された側と当接するように、ダイシングテープ巻出部１０５ｂ’に取り付ける。

図８（ａ）に示したように、装置１００ｃは、第４積層体Ｌ４が取り付けられるとともに、取り付けられた第４積層体Ｌ４を上流側に向けて巻き出す第４積層体巻出部１０１ｃと、第４積層体巻出部１０１ｃよりも上流側に配され、第４積層体Ｌ４から剥離された転写テープＴを巻き取る転写テープ巻取部１０２ｃと、転写テープ巻取部１０２ｃよりも上流側に配され、剥離テープＨ１が取り付けられるとともに、取り付けられた剥離テープＨ１を巻き出す剥離テープ巻出部１０３ｃと、剥離テープ巻出部１０３ｃよりも上流側に配され、第４積層体Ｌ４に剥離テープＨ１が取り付けられることにより得られる第５積層体Ｌ５を巻き取る第５積層体巻取部１０４ｃと、を備えている。
すなわち、上記した、転写テープ除去工程Ｓ７’及び剥離テープ取付工程Ｓ８’が、装置１００ｃで行われる。
以下、図８を参照しながら、転写テープ除去工程Ｓ７’及び剥離テープ取付工程Ｓ８’について説明する。

まず、巻き取られた状態の第４積層体Ｌ４を、転写テープＴが巻き出し方向に対して上側となるように第４積層体巻出部１０１ｃに取り付けて（すなわち、巻き出し方向に対してダイシングテープ１０が下側となるように第４積層体巻出部１０１ｃに取り付けて。図８（ｂ）参照）、第４積層体巻出部１０１ｃから第４積層体Ｌ４を巻き出して、転写テープ巻取部１０２ｃに向けて搬送し、転写テープ巻取部１０２ｃによって第４積層体Ｌ４から転写テープＴを剥離しつつ巻き取る（転写テープ巻取工程Ｓ７）。転写テープＴが剥離された第４積層体Ｌ４（図８（ｃ）参照）は、剥離テープ巻出部１０３ｃに向けて搬送される。
次に、剥離テープ巻出部１０３ｃから剥離テープＨ１を巻き出して、第４積層体Ｌ４の転写テープＴが剥離された側に、剥離テープＨ１を取り付けて（剥離テープ取付工程Ｓ８）、第４積層体Ｌ４に剥離テープＨ１が取り付けられて得られる第５積層体Ｌ５（図８（ｄ）参照）を、第５積層体巻取部１０４ｃで巻き取る。
上記のようにして、本実施形態に係る積層フィルム２０が得られる。
なお、第５積層体Ｌ５は、第５積層体巻取部１０４ｃから巻き取られた状態で取り外されて、例えば、巻き取られた状態のままで製品として出荷される。
また、上記のように製造された積層フィルム２０は、剥離テープＨ１が剥離され、図１に示したように、スペーサ層４を露出させた状態で使用される。

上記した積層フィルムの製造方法では、転写テープＴが剥離された原反（第４積層体Ｌ４の面に、剥離テープＨ１を取り付ける剥離テープ取付工程Ｓ８’を備える例について説明したが、積層フィルムの製造方法では、剥離テープ取付工程Ｓ８’は必須の工程ではなく、省略されてもよい。
すなわち、積層フィルム２０は、スペーサ層４が露出されるように製造されてもよい。

［半導体装置の製造方法］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
複数の半導体チップが取り付けられた配線基板を備えた半導体装置の製造方法であって、
スペーサ層と接着剤層とが積層されているスペース用接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されている積層フィルムをダイシングし、
該ダイシングによって前記スペーサ用接着フィルムを個片化して接着剤層付スペーサを作製すること（接着剤層付スペーサ作製工程Ｓ１’’）と、
前記複数の半導体チップの内の一半導体チップよりも他半導体チップを高位置に配すべく該他半導体チップと前記配線基板との間に前記接着剤層付スペーサを介装させること（接着剤層付スペーサ介装工程Ｓ２’’）と、を含み、
該接着剤層付スペーサとして、前記スペーサ層が樹脂フィルムで構成され、該スペーサ層の温度２６０℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である接着剤層付スペーサを用いる。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、
前記接着剤層付スペーサのスペーサ層には、前記接着剤層が積層されている第１面と、該第１面とは反対面である第２面とが備えられ、
該第２面にダイボンドフィルムを介して前記他半導体チップを積層し、
温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後に、前記ダイボンドフィルムと前記スペーサとのせん断接着力を、温度２６０℃において測定した際に、前記せん断接着力が０．５ＭＰａ以上となる半導体装置を作製する、ことが好ましい。
前記せん断接着力は、１ＭＰａ以上であることがより好ましく、２ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。
また、前記せん断接着力は、５ＭＰａ以下であることが好ましく、３ＭＰａ以下であることがより好ましい。

温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後に、前記ダイボンドフィルムと前記スペーサとのせん断接着力の温度２６０℃における測定は、以下のようにして行うことができる。
具体的には、せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後の前記積層体に、測定速度（ダイシェア速度）５００μｍ／ｓ、測定ギャップ（ダイシェア高さ）５０μｍ、ステージ温度２６０℃の条件を採用することにより測定することができる。なお、上記測定は、測定ステージに前記試験片を置いてから約２０秒後に行う。

なお、本発明に係る積層フィルム及び半導体装置の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係る積層フィルム及び半導体装置の製造方法は、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係る積層フィルム及び半導体装置の製造方法は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。

［実施例１］
（高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力）
＜ダイボンド層付チップの作製＞
以下の各原料を以下の割合に混合することにより、第１接着剤組成物を作製した。

・アクリル酸エステル系ポリマー溶液（ナガセケムテックス社製、商品名「テイサンレジンＳＧ－Ｐ３（固形分濃度１５質量％）」） １００質量部
・フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」） １．８質量部
・シリカ有機溶媒スラリー（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ－Ｅ２」を粉体濃度が６０質量％となるようにメチルエチルケトンに分散させたもの） ２４質量部
・メチルエチルケトン（昭栄ケミカル社製） ２６質量部

前記第１接着剤組成物をＰＥＴセパレータ（フジコー社製、商品名「ダイヤホイルＰＥＴ３８」）上に塗布し、１２０℃で２分間乾燥させることにより前記ＰＥＴセパレータ上に、厚み１０μｍのダイボンド層（以下、ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層という）を作製した。
次に、厚み５００μｍのシリコンウェハ（ベアウェハ）に前記ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層を、７０℃にてラミネートした。
次に、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて、ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層がラミネートされたシリコンウェハをダイシングした。
ダイシングは、ダイシングブレードとして、ＮＢＣ－ＺＨ ２０３０－ＳＥ ２７ＨＣＦＦを用い、シングルカットすることにより行った。また、ダイシングは、寸法が３ｍｍ×３ｍｍの大きさのチップが得られるように行った。
＜積層フィルムの作製＞
以下の各原料を以下の割合に混合することにより、第２接着剤組成物を作製した。

・アクリル酸エステル系ポリマー溶液（ナガセケムテックス社製、商品名「テイサンレジンＳＧ－７０Ｌ（固形分濃度１２．８質量％）」 １００質量部
・エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、商品名「エピコートＹＬ９８０」） １．７質量部
・エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、商品名「ＥＰＩＣＯＮ Ｎ－６６５－ＥＸＰ－Ｓ」 １３質量部
・フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」） １５質量部
・シリカ有機溶媒スラリー（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ－Ｅ２」を粉体濃度が６０質量％となるようにメチルエチルケトンに分散させたもの） ４７質量部
・硬化触媒（四国化成社製、商品名「キュアゾール２ＰＨＺ」） ０．０８５質量部
・メチルエチルケトン（昭栄ケミカル社製） ５０質量部

前記第２接着剤組成物をＰＥＴセパレータ（フジコー社製、商品名「ダイヤホイルＰＥＴ３８」）上に塗布し、１２０℃で２分間乾燥させることにより厚み１２０μｍの接着剤層（以下、ＰＥＴセパレータ付接着剤層という）を作製した。
次に、スペーサフィルム（東レ・デュポン社製、商品名「カプトン２００Ｖ」）に前記ＰＥＴセパレータ付接着剤層を、７０℃でラミネートした。
次に、ＰＥＴセパレータ付接着剤層がラミネートされたスペーサフィルムを直径３３０ｍｍの円形状にカットした後、室温にて、接着剤層上にダイシングテープをラミネートした。
次に、ダイシング装置ＤＩＳＣＯ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて、ＰＥＴセパレータ付接着剤層がラミネートされたスペーサフィルムをダイシングした。
ダイシングは、ダイシングブレードとして、２種類のもの（Ｚ１：２０３０－ＳＥ ２７ＨＣＤＤ、及び、Ｚ２：２０３０－ＳＥ ２７ＣＢＢ）を用い、ステップカットすることにより行った。また、ダイシングは、６ｍｍ×１２ｍｍの大きさのチップ状のスペーサが得られるように行った。
なお、前記ダイシングテープは、以下のようにして作製した。

＜ダイシングテープの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器内に、モノマー濃度が５５質量％となるように下記の各原料を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合反応を行うことにより、アクリルポリマー中間体Ａを得た。
・２－エチルヘキシルアクリレート（以下、２ＥＨＡという）１００質量部
・２－ヒドロキシエチルアクリレート（以下、ＨＥＡという）２０質量部
・適量の重合開始剤
・トルエン（重合溶媒）

次に、アクリルポリマー中間体Ａ１００質量部と、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、ＭＯＩという）１．４質量部とを、ジブチル錫ジラウリレート０．１質量部の存在下において、空気気流中で５０℃にて６０時間付加反応させて、アクリルポリマーＡを得た。
次に、下記の組成で粘着剤溶液を調製した上で、適宜トルエンを加えることにより、前記粘着剤溶液の粘度を５００ｍＰａ・ｓとなるように調整した。

・アクリルポリマーＡ １００質量部
・ポリイソシアネート化合物 １．１質量部
・光重合開始剤 ３質量部

なお、上記ポリイソシアネート化合物としては、日本ポリウレタン社製のコロネートＬを用い、上記光重合開始剤としては、チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製のイルガキュア１８４を用いた。
次に、剥離シートとして、ＰＥＴ系フィルムを準備し、該ＰＥＴ系フィルムの一方面に、アプリケータを用いて、上記のごとく調製した粘着剤溶液を塗布した。
なお、前記ＰＥＴ系フィルムの片面には、離型処理としてシリコーン処理が施されており、この離型処理が施された面を上記一方面として、前記粘着剤溶液を塗布した。
前記粘着剤溶液を塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥することにより、前記ＰＥＴ系フィルム上に、厚さ３０μｍの粘着剤層を作製した。
次に、ラミネータを使用して、前記ＰＥＴ系フィルム上に作製した前記粘着剤層の露出面に、厚さ８０μｍのポリエチレンフィルムからなる基材（支持基材）を貼り合せた。
以上のようにして、ダイシングテープを作製した。

＜試験体の作製＞
ソルダーレジスト処理されたＢＧＡ基板（大昌電子社製、商品名「ＢＧＡ基板（ＡＵＳ３０８）」）の略中央部に、６ｍｍ×１２ｍｍのサイズにダイシングした積層フィルムをダイシングテープから剥がして接着した。積層フィルムの接着は、ダイボンダー（ファスフォードテクノロジ社製のダイボンダーＤＢ８３０ｐｌｕｓ＋）を使用して、１１０℃、荷重０．３ＭＰａ、接着時間１秒の条件で行った。
その後、プレッシャーオーブンを用いて、圧力７ｋｆ／ｃｍ^２下で、１４０℃で２時間加熱することにより、積層フィルムの接着剤層を硬化させて、積層フィルムをＢＧＡ基板に接着した。
次に、３ｍｍ×３ｍｍの寸法のチップをダイシングテープから剥離して、ダイボンド層を露出させた後、前記チップを前記積層フィルムのスペーサ上に接着した。前記チップの接着は、ダイボンダー（ファスフォードテクノロジ社製のダイボンダーＤＢ８３０ｐｌｕｓ＋）を使用して、１５０℃、荷重０．３ＭＰａ、接着時間１秒の条件で行った。
その後、１５０℃で１時間加熱することにより、前記チップに取り付けられた前記ダイボンド層を硬化させて、前記チップを前記積層フィルムのスペーサ上に接着した。
上記のようにして、せん断接着力用の試験体Ａ１を作製し、この試験体Ａ１を、温度８５℃、湿度８５％ＲＨの恒温恒湿器内に１６８時間放置した後、２６０℃におけるせん断接着力を測定した。
２６０℃におけるせん断接着力の測定は、せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後の試験体Ａ１に、測定速度（ダイシェア速度）５００μｍ／ｓ、測定ギャップ（ダイシェア高さ）５０μｍ、ステージ温度２６０℃の条件を採用することにより測定した。なお、上記測定は、測定ステージに前記試験片を置いてから約２０秒後に行った。
その結果を以下の表１に示した。

（スペーサからのダイボンドフィルムの剥離）
＜ダイボンド層付メモリチップ代用品の作製＞
前記第１接着剤組成物をＰＥＴセパレータ（フジコー社製、商品名「ダイヤホイルＰＥＴ３８」）上に塗布し、１２０℃で２分間乾燥させることにより前記ＰＥＴセパレータ上に、厚み１０μｍのダイボンド層（以下、ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層という）を作製した。
次に、厚み５０μｍのシリコンウェハ（ベアウェハ）に前記ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層を、７０℃にてラミネートした。
次に、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて、ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層がラミネートされたシリコンウェハをダイシングした。
ダイシングは、ダイシングブレードとして、２種類のもの（Ｚ１：２０３０－ＳＥ ２７ＨＣＤＤ、及び、Ｚ２：２０３０－ＳＥ ２７ＣＢＢ）を用い、ステップカットすることにより行った。また、ダイシングは、４ｍｍ×１２ｍｍの大きさのチップ状のスペーサが得られるように行った。
上記のようにして、ダイボンド層付メモリチップ代用品を作製した。
＜ダイボンド層付コントローラチップ代用品の作製＞
前記第２接着剤組成物をＰＥＴセパレータ（フジコー社製、商品名「ダイヤホイルＰＥＴ３８」）上に塗布し、１２０℃で２分間乾燥させることにより前記ＰＥＴセパレータ上に、厚み１０μｍのダイボンド層（以下、ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層という）を作製した。
次に、厚み２５μｍのシリコンウェハ（ベアウェハ）に前記ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層を、７０℃にてラミネートした。
次に、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて、ＰＥＴセパレータ付ダイボンド層がラミネートされたシリコンウェハをダイシングした。
ダイシングは、ダイシングブレードとして、２種類のもの（Ｚ１：２０３０－ＳＥ ２７ＨＣＤＤ、及び、Ｚ２：２０３０－ＳＥ ２７ＣＢＢ）を用い、ステップカットすることにより行った。また、ダイシングは、寸法が１．３ｍｍ×３ｍｍの大きさのチップが得られるように行った。
上記のようにして、ダイボンド層付コントローラチップ代用品を作製した。
＜積層フィルムの作製＞
上記と同様にして積層フィルムを作製した。
＜試験体の作製＞
ソルダーレジスト処理されたＢＧＡ基板（大昌電子社製、商品名「ＢＧＡ基板（ＡＵＳ３０８）」）の略中央部に、ＰＥＴセパレータを剥離させた後のコントローラチップ代用品を接着した。コントローラチップ代用品の接着は、ダイボンダー（ファスフォードテクノロジ社製のダイボンダーＤＢ８３０ｐｌｕｓ＋）を使用して、１００℃、荷重０．５ＭＰａ、接着時間１秒の条件で行った。
その後、１５０℃で１時間加熱することにより、前記ダイボンド層付コントローラチップ代用品に取り付けられた前記ダイボンド層を硬化させて、前記ダイボンド層付コントローラチップを前記ＢＧＡ基板に接着した。
次に、前記積層フィルムを、接着剤層によって前記ダイボンド層付コントロータチップを埋め込むようにして、前記ＢＧＡ基板に接着した。前記積層フィルムの接着は、ダイボンダー（ファスフォードテクノロジ社製のダイボンダーＤＢ８３０ｐｌｕｓ＋）を使用して、温度１１０℃、荷重０．３ＭＰａ、接着時間１秒の条件で行った。
その後、プレッシャーオーブンを用いて、圧力７ｋｆ／ｃｍ^２下で、１４０℃で２時間加熱することにより、前記積層フィルムの接着剤層を硬化させた。
次に、前記積層フィルムのスペーサ上に、ダイボンド層付メモリチップ代用品を階段状に２個接着させた。ダイボンド層付メモリチップ代用品の接着は、ダイボンダー（ファスフォードテクノロジ社製のダイボンダーＤＢ８３０ｐｌｕｓ＋）を使用して、温度１５０℃、荷重０．２ＭＰａ、接着時間２秒の条件で行った。
その後、１５０℃で１時間加熱することにより、ダイボンド層付メモリチップ代用品のダイボンド層を硬化させた。
なお、ダイボンド層付メモリチップ代用品の接着及び硬化は、１個ずつ順に行った。
上記操作を、ＢＧＡ基板の３行×３列の計９個に区間された領域にそれぞれに行い、ＢＧＡ基板上に、ダイボンド層付コントローラチップ代替品、積層フィルム、及びダイボンド層付メモリチップ代替品がこの順に積層された構造体を９個作製した。
次に、９個の前記構造体を、モールド樹脂を用いてオーバーモールドし、その後、１７５℃で５時間加熱することにより、前記モールド樹脂を硬化することにより、剥離性評価用の試験体１Ｂを作製した。
上記のように作製した試験体１Ｂを、吸湿リフロー条件（ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ ２／ＩＲ ａｔ ２６０ｄｅｇ．Ｃに準拠した条件）で処理した後、スペーサからのダイボンド層の剥離性を評価した。
剥離性の評価は、吸湿リフロー条件で処理した後の試験体１Ｂを機械研磨して、ダイボンド層付コントローラチップ代用品の断面を露出させ、その断面を光学顕微鏡で観察して、９個全てに剥離が認められないものを〇と評価し、９個中１個でも剥離が認められたものを×と評価した。
その結果を以下の表１に示した。

（２６０℃におけるスペーサの引張貯蔵弾性率）
試験体１Ａ及び１Ｂの作製に用いたスペーサ（ポリイミドフィルム。東レ・デュポン社製の商品名「カプトン２００Ｖ（５０μｍ）」）について、以下の方法にて２６０℃における引張貯蔵弾性率を測定した。
具体的には、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの大きさのスペーサを試験片とし、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２０．０ｍｍの条件において、－３０℃～３００℃の温度範囲で、前記試験片の引張弾性率を測定した。その際、２６０℃での値を読み取ることにより、２６０℃におけるスペーサの引張貯蔵弾性率を求めた。
なお、前記測定は、前記試験片をＭＤ方向（樹脂流れ方向）に引っ張ることにより行った。
その結果を以下の表１に示した。
（スペーサの吸水率）
試験体１Ａ及び１Ｂの作製に用いたスペーサ（ポリイミドフィルム。東レ・デュポン社製の商品名「カプトン２００Ｖ」）について、以下の方法にて吸水率を測定した。
具体的には、長さ８０ｍｍ、幅１０ｍｍの大きさのスペーサを試験片とし、該試験片を、温度を８５℃とし、相対湿度を８５％ＲＨに調整した、恒温恒湿器内に入れて、１６８時間放置した後、カールフィッシャー微量水分測定装置を用いることにより測定した。
測定条件としては、以下のものを採用した。

［測定条件］
・測定装置：三菱化学社製 微量水分測定装置ＣＡ－０７
・水分気化装置：三菱化学社製 ＶＡ－０７
・発生液：三菱化学社製アクアミクロンＡＸ
・対極液：三菱化学社製アクアミクロンＣＸＵ

［実施例２］
（高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力）
スペーサフィルムを、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン３００Ｖ（７５μｍ）」に代えた以外は、実施例１と同様にして、せん断接着力測定用の試験体Ａ２を作製し、実施例１と同様にして、高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層からのダイボンド層の剥離）
スペーサフィルムを、東レ・デュポン社製の商品名「カプトン３００Ｖ（７５μｍ）」に代えた以外は、実施例１と同様にして、剥離性評価用の試験体Ｂ２を作製し、実施例１と同様にして、スペーサフィルムからのダイボンド層の剥離性を評価した。
その結果を、以下の表１に示した。
（２６０℃におけるスペーサ層の引張貯蔵弾性率）
試験体Ａ２及びＢ２の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、２６０℃におけるスペーサフィルムの引張貯蔵弾性率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層の吸水率）
試験体Ａ２及びＢ２の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、吸水率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。

［実施例３］
（高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力）
スペーサフィルムを、信越ポリマー社製の商品名「Ｓｈｉｎ－Ｅｔｓｕ Ｓｅｐｌａ Ｆｉｌｍ（５０μｍ）」（ポリエーテルエーテルケトンフィルム）に代えた以外は、実施例１と同様にして、せん断接着力測定用の試験体Ａ３を作製し、実施例１と同様にして、高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層からのダイボンド層の剥離）
スペーサフィルムを、信越ポリマー社製の商品名「Ｓｈｉｎ－Ｅｔｓｕ Ｓｅｐｌａ Ｆｉｌｍ（５０μｍ）」に代えた以外は、実施例１と同様にして、剥離性評価用の試験体Ｂ３を作製し、実施例１と同様にして、スペーサフィルムからのダイボンド層の剥離性を評価した。
その結果を、以下の表１に示した。
（２６０℃におけるスペーサ層の引張貯蔵弾性率）
試験体Ａ３及びＢ３の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、２６０℃におけるスペーサフィルムの引張貯蔵弾性率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層の吸水率）
試験体Ａ３及びＢ３の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、吸水率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。

［比較例１］
（高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力）
スペーサフィルムを、東レ社製の商品名「トレリナ（５０μｍ）」（ポリフェニレンスルフィドフィルム）に代えた以外は、実施例１と同様にして、せん断接着力測定用の試験体Ａ４を作製し、実施例１と同様にして、高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層からのダイボンド層の剥離）
スペーサフィルムを、東レ社製の商品名「トレリナ（５０μｍ）」に代えた以外は、実施例１と同様にして、剥離性評価用の試験体Ｂ４を作製し、実施例１と同様にして、スペーサフィルムからのダイボンド層の剥離性を評価した。
その結果を、以下の表１に示した。
（２６０℃におけるスペーサ層の引張貯蔵弾性率）
試験体Ａ４及びＢ４の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、２６０℃におけるスペーサフィルムの引張貯蔵弾性率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層の吸水率）
試験体Ａ４及びＢ４の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、吸水率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。

［比較例２］
（高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力）
スペーサフィルムを、三菱樹脂社製の商品名「スペリオ（登録商標）ＵＴＮＢ－タイプ」（ポリエーテルイミドフィルム）に代えた以外は、実施例１と同様にして、せん断接着力測定用の試験体Ａ５を作製し、実施例１と同様にして、高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層からのダイボンド層の剥離）
スペーサフィルムを、三菱樹脂社製の商品名「スペリオ（登録商標）ＵＴＮＢ－タイプ（５０μｍ）」（ポリエーテルエーテルイミドフィルム）に代えた以外は、実施例１と同様にして、剥離性評価用の試験体Ｂ５を作製し、実施例１と同様にして、スペーサフィルムからのダイボンド層の剥離性を評価した。
その結果を、以下の表１に示した。
（２６０℃におけるスペーサ層の引張貯蔵弾性率）
試験体Ａ５及びＢ５の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、２６０℃におけるスペーサフィルムの引張貯蔵弾性率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層の吸水率）
試験体Ａ５及びＢ５の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、吸水率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。

［比較例３］
（高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力）
スペーサフィルムを、三菱ケミカル社製の商品名「ＭＲＡ５０」（ポリエチレンテレフタレートフィルム）に代えた以外は、実施例１と同様にして、せん断接着力測定用の試験体Ａ６を作製し、実施例１と同様にして、高温高湿下に曝した後の２６０℃におけるせん断接着力を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層からのダイボンド層の剥離）
スペーサフィルムを、三菱ケミカル社製の商品名「ＭＲＡ５０」（ポリエチレンテレフタレートフィルム）に代えた以外は、実施例１と同様にして、剥離性評価用の試験体Ｂ６を作製し、実施例１と同様にして、スペーサフィルムからのダイボンド層の剥離性を評価した。
その結果を、以下の表１に示した。
（２６０℃におけるスペーサ層の引張貯蔵弾性率）
試験体Ａ６及びＢ６の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、２６０℃におけるスペーサフィルムの引張貯蔵弾性率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。
（スペーサ層の吸水率）
試験体Ａ６及びＢ６の作製に用いたスペーサフィルムについて、実施例１と同様にして、吸水率を測定した。
その結果を、以下の表１に示した。

表１より、２６０℃でのスペーサ層の引張貯蔵弾性率の値が１００ＭＰａ以上となっている、実施例１～４については、剥離性の評価はいずれも〇となっているのに対し、２６０℃でのスペーサの引張貯蔵弾性率の値が１００ＭＰａ未満となっている、比較例１及び２については、剥離性の評価がいずれも×となっていることが分かる。
なお、図９（ａ）に実施例１の光学顕微鏡観察結果を示し、図９（ｂ）に比較例１の光学顕微鏡観察結果を示しているが、図９（ａ）では、剥離が観察されないのに対し、図９（ｂ）では、剥離が観察されることが分かる。
この結果から、２６０℃でのスペーサ層の引張貯蔵弾性率の値を１００ＭＰａ以上とすることにより、半導体装置の製造時におけるソルダリングによる、スペーサ層からのダイボンド層の剥離を抑制できるので、半導体装置において、ダイボンド層からのスペーサ層の剥離を比較的十分に抑制することができることが分かる。
すなわち、ソルダリングに際する問題を生じ難くすることができる。
また、半導体装置の製造を容易に行うことができる。
なお、実施例１～４では、スペーサ層の吸水率の値は、いずれも、３質量％となっており、また、吸湿後の２６０℃でのせん断接着力の値は、いずれも、０．５ＭＰａ以上となっており、さらには、接着剤層の厚みは、３μｍ以上３００μｍ以下の範囲に入っていた。

１ 基材層
２ 粘着剤層
３ 接着剤層
４ スペーサ層
１０ ダイシングテープ
２０ 積層フィルム

Claims (7)

1. スペーサ層と接着剤層とが積層されているスペーサ用接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されており、
   前記スペーサ層が樹脂フィルムで構成され、該スペーサ層の温度２６０℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である、
   積層フィルム。
2. 前記スペーサ層は、温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後の吸水率が３質量％以下である
   請求項１に記載の積層フィルム。
3. 前記スペーサ層は、３μｍ以上３００μｍ以下の厚みを有する
   請求項１または２に記載の積層フィルム。
4. 前記接着剤層は、１０μｍ以上２００μｍ以下の厚みを有し、
   前記スペーサ用接着フィルムが個片化されて接着剤層付スペーサとして用いられ、
   該接着剤層付スペーサは、複数の半導体チップが取り付けられた配線基板に用いられ、
   前記複数の半導体チップの内の一半導体チップよりも他半導体チップを高位置に配置すべく用いられる
   請求項１乃至３のいずれか１項に記載の積層フィルム。
5. 前記スペーサ層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、及び、ポリエーテルエーテルケトン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む樹脂組成物で構成されている
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載の積層フィルム。
6. 複数の半導体チップが取り付けられた配線基板を備えた半導体装置の製造方法であって、
   スペーサ層と接着剤層とが積層されているスペーサ用接着フィルムと、ダイシングテープとが積層されている積層フィルムをダイシングし、
   該ダイシングによって前記スペーサ用接着フィルムを個片化して接着剤層付スペーサを作製することと、
   前記複数の半導体チップの内の一半導体チップよりも他半導体チップを高位置に配すべく該他半導体チップと前記配線基板との間に前記接着剤層付スペーサを介装することと、を含み、
   該接着剤層付スペーサとして、前記スペーサ層が樹脂フィルムで構成され、該スペーサ層の温度２６０℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である接着剤層付スペーサを用いる
   半導体装置の製造方法。
7. 前記接着剤層付スペーサのスペーサ層には、前記接着剤層が積層されている第１面と、該第１面とは反対面である第２面とが備えられ、
   該第２面にダイボンドフィルムを介して前記他半導体チップを積層し、
   温度８５℃かつ相対湿度８５％ＲＨの環境に１６８時間曝した後に前記ダイボンドフィルムと前記スペーサ層との間のせん断接着力を温度２６０℃において測定した際に該せん断接着力が０．５ＭＰａ以上となる半導体装置を作製する
   請求項６記載の半導体装置の製造方法。

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