TW202236491A - 積層膜及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

積層膜及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202236491A
TW202236491A TW110141837A TW110141837A TW202236491A TW 202236491 A TW202236491 A TW 202236491A TW 110141837 A TW110141837 A TW 110141837A TW 110141837 A TW110141837 A TW 110141837A TW 202236491 A TW202236491 A TW 202236491A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
spacer
layer
adhesive
film
laminate
Prior art date
Application number
TW110141837A
Other languages
English (en)
Inventor
木村雄大
吉田直子
高本尚英
杉村敏正
中浦宏
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW202236491A publication Critical patent/TW202236491A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/366—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for mounting tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting the layer connector during or after the bonding process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8334—Bonding interfaces of the layer connector

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本發明之積層膜積層有間隔用接著膜與切割帶，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層，上述間隔層由樹脂膜構成，該間隔層在溫度260℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上。

Description

積層膜及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種積層膜。更詳細而言，本發明係關於一種用於製造半導體裝置之積層膜。 又，本發明係關於一種使用上述積層膜之半導體裝置之製造方法。
先前，於半導體裝置之製造中，藉由焊接將電子零件搭載於佈線基板上等。 近年來，為了將半導體晶片固定於佈線基板，亦利用被稱為黏晶膜之接著片材等。 關於半導體裝置，已知由於對小型化有高需求，因此為了以被稱為FOD(Film On Die，膜覆晶片)、FOW(Film On Wire，薄膜覆線)之形態搭載複數個半導體晶片，而使用附接著劑層之間隔件(以下亦稱為間隔用接著膜)。 上述附接著劑層之間隔件使用積層膜來製作，該積層膜具備：於基材上積層有黏著劑層之切割帶、積層於該切割帶之黏著劑層上之接著劑層、及積層於該接著劑層上之間隔層(例如專利文獻1)。
上述附接著劑層之間隔件例如以如下方式使用。 首先，附接著劑層之間隔件藉由如下方式製作：準備積層有間隔用接著膜與切割帶之積層膜，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層，對該積層膜進行切割而將間隔用接著膜單片化，將經單片化之間隔用接著膜自切割帶剝離。 並且，附接著劑層之間隔件之利用目的在於：在將複數個半導體晶片搭載於佈線基板時，若將該等橫向排列，則需要較大面積，因此將複數個半導體晶片內之一半導體晶片配置於比另一半導體晶片更高之位置，使得另一半導體晶片與一半導體晶片在俯視下重疊，從而實現省空間化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-220913號公報
[發明所欲解決之問題]
先前之附接著劑層之間隔件中，間隔層由矽晶圓等構成。 矽晶圓之需求與供給難言達到充分穩定之平衡，若利用此種材料形成間隔層，則有材料之獲取困難之虞。 又，使用矽晶圓作為間隔件時，需要對上述矽晶圓實施各種處理。具體而言，於矽晶圓上貼附有背面研磨帶之狀態下，對於貼附有背面研磨帶之矽晶圓，使用背面研磨裝置對該矽晶圓進行研磨處理以使之成為特定厚度，其後進行對研磨處理後之矽晶圓貼附接著帶之處理。因進行此種各種處理，而導致製程變得繁雜。 進而，若實施如上處理，則會花費背面研磨帶之材料費或背面研磨裝置之運轉費用，用於實施製程所花費之費用變得巨大。 又，作為矽晶圓之代替品，基於剛性較高、作為片材之操作性優異之觀點，亦有時使用金屬箔，但在半導體裝置內，有上述金屬箔與接合線接觸之風險。 如上所述，先前之附接著劑層之間隔件(間隔用接著膜)於容易製造半導體裝置之觀點上仍有改善之餘地。
因此，本發明課題在於提供一種使半導體裝置之製造變得容易之積層膜。 [解決問題之技術手段]
本發明之積層膜積層有間隔用接著膜與切割帶，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層， 上述間隔層由樹脂膜構成，該間隔層在溫度260℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上。
上述積層膜中， 上述間隔層較佳為在溫度85℃且相對濕度85%RH之環境中暴露168小時後之吸水率為3質量%以上。
上述積層膜中， 上述間隔層較佳為具有3 μm以上且300 μm以下之厚度。
上述積層膜中，較佳為 上述接著劑層具有10 μm以上且200 μm以下之厚度， 上述間隔用接著膜被單片化而作為附接著劑層之間隔件使用， 該附接著劑層之間隔件於安裝有複數個半導體晶片之佈線基板中使用，且 其用於將上述複數個半導體晶片內之一半導體晶片配置於比另一半導體晶片更高之位置。
上述積層膜中， 上述間隔層較佳為由包含選自由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、及聚醚醚酮樹脂所組成之群中之至少1種之樹脂組合物構成。
半導體裝置之製造方法為製造具備安裝有複數個半導體晶片之佈線基板之半導體裝置之方法，包括： 對積層有間隔用接著膜與切割帶之積層膜進行切割，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層； 藉由該切割將上述間隔用接著膜單片化，從而製作附接著劑層之間隔件；及 為了將上述複數個半導體晶片內之一半導體晶片配置於比另一半導體晶片更高之位置，於該一半導體晶片與上述佈線基板之間介裝上述附接著劑層之間隔件； 作為該附接著劑層之間隔件，使用上述間隔層由樹脂膜構成、且該間隔層在溫度260℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上之附接著劑層之間隔件。
上述半導體裝置之製造方法中，較佳為製作如下半導體裝置： 上述附接著劑層之間隔件之間隔層具備：積層有上述接著劑層之第1面，及與該第1面為相反面之第2面， 於該第2面經由黏晶膜積層上述一半導體晶片，且 於溫度85℃且相對濕度85%RH之環境下暴露168小時後，在溫度260℃下測定上述黏晶膜與上述間隔層之間之剪切接著力時，該剪切接著力為0.5 MPa以上。
以下對本發明之一實施方式進行說明。
[積層膜] 如圖1所示，本實施方式之積層膜20積層有間隔用接著膜F與切割帶10，上述間隔用接著膜F積層有間隔層4與接著劑層3。 本實施方式之積層膜20中，間隔層4由樹脂膜構成。 藉此，能夠省略如使用矽晶圓作為間隔件時，使用背面研磨裝置對貼附於背面研磨帶之狀態之矽晶圓進行研磨處理、或對研磨處理後之矽晶圓貼附接著帶等之處理。 又，能夠抑制如使用金屬箔作為間隔件時，在半導體裝置內金屬箔與接合線接觸之風險。 即，能夠容易地製造半導體裝置。 以下，以切割帶10為於基材層1上積層有黏著劑層2者為例進行說明。
基材層1支持黏著劑層2。基材層1包含樹脂。作為基材層1所包含之樹脂，可例舉：聚烯烴(聚丙烯(PP)、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(低密度聚乙烯)、α-烯烴等)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯酸甲酯(EMA)、乙烯-丙烯酸乙酯(EEA)、乙烯-甲基丙烯酸甲酯(EMMA)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、氫化苯乙烯系熱塑性彈性體(SEBS)、苯乙烯乙烯丙烯苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、氟樹脂、纖維素樹脂、矽酮樹脂及離子聚合物樹脂等。
基材層1可包含1種上述樹脂，亦可包含2種以上之上述樹脂。 再者，於黏著劑層2包含下述紫外線硬化黏著劑之情形時，基材層1較佳為以具有紫外線透過性之方式構成。
基材層1可藉由無延伸成形而獲得，亦可藉由延伸成形而獲得，較佳為藉由延伸成形而獲得。
基材層1之厚度較佳為55 μm以上且195 μm以下，更佳為55 μm以上且190 μm以下，進而較佳為55 μm以上且170 μm以下，最佳為60 μm以上且160 μm以下。 基材層1之厚度例如可藉由使用度盤規(PEACOCK公司製造、型號R-205)測定隨機選擇之5點之厚度，並對該等厚度進行算術平均來求出。
黏著劑層2含有黏著劑。黏著劑層2保持接著劑層3。
作為上述黏著劑，可例舉：在積層膜20之使用過程中能夠藉由來自外部之作用來降低黏著力者(以下，稱為黏著降低型黏著劑)。
於使用黏著降低型黏著劑作為黏著劑之情形時，在積層膜20之使用過程中，可適當地區分使用黏著劑層2表現相對較高之黏著力之狀態(以下稱為高黏著狀態)與表現相對較低之黏著力之狀態(以下稱為低黏著狀態)。例如，保持間隔用接著膜F時，為了抑制接著劑層3自黏著劑層2隆起而利用高黏著狀態。 與此相對，取下間隔用接著膜F時，為了容易將接著劑層3自黏著劑層2取下而利用低黏著狀態。
作為上述黏著降低型黏著劑，可例舉：在積層膜20之使用過程中能夠藉由輻射照射而硬化之黏著劑(以下稱為輻射硬化黏著劑)。
作為上述輻射硬化黏著劑，例如可例舉：藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑。該等之中，較佳為使用藉由紫外線照射而硬化之黏著劑(紫外線硬化黏著劑)。
作為上述輻射硬化黏著劑，例如可例舉：添加型之輻射硬化黏著劑，其包含丙烯酸系聚合物等基礎聚合物與具有輻射聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之輻射聚合性單體成分或輻射聚合性低聚物成分。
作為上述丙烯酸系聚合物，可例舉包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元者。作為(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。
黏著劑層2亦可包含外部交聯劑。作為外部交聯劑，只要為能夠與作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物反應而形成交聯結構者，則任何物質均可使用。作為此種外部交聯劑，例如可例舉：多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑等。
作為上述輻射聚合性單體成分，例如可例舉：胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述輻射聚合性低聚物成分，例如可例舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物。上述輻射硬化黏著劑中之輻射聚合性單體成分或輻射聚合性低聚物成分之含有比率在使黏著劑層2之黏著性適當降低之範圍內選擇。
上述輻射硬化黏著劑較佳為包含光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可例舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿
Figure 110141837-001
系化合物、樟腦醌、鹵化酮、醯基氧化膦、及醯基膦酸酯等。
黏著劑層2除包含上述各成分以外，還可包含交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、顏料或染料等著色劑等。
黏著劑層2之厚度較佳為1 μm以上且50 μm以下，更佳為2 μm以上且30 μm以下，進而較佳為5 μm以上且25 μm以下。 黏著劑層2之厚度例如可藉由使用度盤規(PEACOCK公司製造、型號R-205)測定隨機選擇之5點之厚度，並對該等厚度進行算術平均來求出。
接著劑層3較佳為具有熱硬化性。藉由使黏晶膜包含熱硬化性樹脂與具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂中之至少一者，能夠對接著劑層3賦予熱硬化性。
於接著劑層3包含熱硬化性樹脂之情形時，作為此種熱硬化性樹脂，可例舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。上述熱硬化性樹脂可僅使用一種，亦可組合使用兩種以上。基於有離子性雜質等之含量較少之傾向之觀點，上述熱硬化性樹脂較佳為環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。
作為上述環氧樹脂，例如可例舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型、乙內醯脲型、三羥基苯基甲烷型、縮水甘油胺型之環氧樹脂等。其中，基於與作為硬化劑之酚樹脂之反應性充足、且耐熱性優異之方面，較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四羥苯基乙烷型環氧樹脂。
關於可作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用之酚樹脂，例如可例舉：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可例舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等。上述酚樹脂可僅使用一種，亦可組合使用兩種以上。其中，於用作作為間隔用接著劑之環氧樹脂之硬化劑之情形時，基於有提高該接著劑之連接可靠性之傾向之觀點，較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。
於接著劑層3包含環氧樹脂與作為該環氧樹脂之硬化劑之酚樹脂之情形時，基於使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分進行之觀點，酚樹脂較佳為以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，該酚樹脂中之羥基為0.5當量以上2.0當量以下之量包含，更佳為以0.7當量以上且1.5當量以下之量包含。
基於在接著劑層3中適當地展現作為上述熱硬化型接著劑之功能之觀點，接著劑層3中之上述熱硬化性樹脂之含有比率較佳為相對於接著劑層3之總質量為5質量%以上且60質量%以下，更佳為10質量%以上且50質量%以下。
於接著劑層3包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為此種熱塑性樹脂，例如可使用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之單體單元之聚合物。 作為(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。 作為熱硬化性官能基，例如可例舉：縮水甘油基、羧基、羥基、異氰酸基等。其中，較佳為縮水甘油基、羧基。 即，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，特佳為含縮水甘油基之丙烯酸系樹脂、含羧基之丙烯酸系樹脂。 又，於接著層3含有含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之情形時，較佳為包含硬化劑。作為上述硬化劑，例如可例舉多酚系化合物。
接著劑層3除包含上述熱硬化性樹脂以外，還可包含熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，例如可例舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺6、聚醯胺6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET(Polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(Polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可組合使用兩種以上。作為上述熱塑性樹脂，基於離子性雜質較少且耐熱性較高，故容易確保接著劑層3帶來之連接可靠性之觀點，較佳為丙烯酸系樹脂。
上述丙烯酸系樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之單體單元之聚合物。作為(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。上述丙烯酸系樹脂可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之另一成分之單體單元。作為上述另一成分，例如可例舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基單體、或各種多官能性單體等。基於在黏晶層中實現較高之凝集力之觀點，上述丙烯酸系樹脂較佳為(甲基)丙烯酸酯(特別是烷基之碳數為4以下之(甲基)丙烯酸烷基酯)、含羧基單體、含氮原子單體及多官能性單體(特別是聚縮水甘油基系多官能單體)之共聚物，更佳為丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈及聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之共聚物。
於接著劑層3包含上述熱硬化性樹脂以及上述熱塑性樹脂之情形時，相對於接著劑層3中之除填料以外之有機成分(例如熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂、硬化觸媒、矽烷偶合劑、染料)之總質量，上述熱塑性樹脂之含有比率較佳為30質量%以上且70質量%以下，更佳為40質量%以上且60質量%以下，進而較佳為45質量%以上且55質量%以下。
接著劑層3亦可包含填料。藉由包含填料，能夠調整導電性、導熱性、及彈性模數等各種物性。作為填料，可例舉無機填料及有機填料，特佳為無機填料。作為無機填料，例如可例舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽，此外還可例舉：鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質、合金、非晶碳黑、石墨等。填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。上述填料可僅使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於接著劑層3包含填料之情形時，上述填料之含有比率相對於接著劑層3之總質量，較佳為30質量%以上且70質量%以下，更佳為40質量%以上且60質量%以下，進而較佳為42質量%以上且55質量%以下。
接著劑層3亦可視需要包含上述以外之其他成分。作為上述以外之其他成分，可例舉：硬化觸媒、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、染料等。作為上述阻燃劑，例如可例舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。作為上述矽烷偶合劑，例如可例舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。作為上述離子捕捉劑，例如可例舉：水滑石類、氫氧化鉍、苯并三唑等。上述其他成分可僅使用一種，亦可組合使用兩種以上。
接著劑層3較佳為具有1 μm以上且200 μm以下之厚度，更佳為具有3 μm以上且150 μm以下之厚度。 接著劑層3之厚度例如可藉由使用度盤規(PEACOCK公司製造、型號R-205)測定隨機選擇之5點之厚度，並對該等厚度進行算術平均來求出。 本實施方式之積層膜20中，接著劑層3較佳為具有上述數值範圍之厚度，並且在安裝有複數個半導體晶片之佈線基板中用於嵌埋上述複數個半導體晶片之至少一部分、或用於嵌埋將上述複數個半導體晶片與上述佈線基板電性連接之複數條接合線之至少一部分中之至少一者。
接著劑層3在120℃下進行測定時之熔融黏度值較佳為1 Pa・s以上且5000 Pa・s以下。接著劑層3藉由具有如上之數值範圍之拉伸儲存模數，如下所述，容易嵌埋配置於佈線基板上之控制器晶片、或將該控制器晶片與上述佈線基板電性連接之接合線之至少一部分。 接著劑層3之熔融黏度可利用如下方法進行測定。 即，使用流變儀(HAAKE公司製造、商品名：MARSIII)，藉由平行板法測定熔融黏度。具體而言，將接著劑層3安裝於加熱至120℃之板上並開始測定。將自開始測定起240秒後之值之平均值設為熔融黏度。再者，板間之間隙設為0.1 mm。
間隔層4用於在半導體裝置中確保高度方向之空間以實現半導體晶片之三維安裝(實現高度方向上之積層)。 更詳細而言，間隔層4用於確保高度方向之空間以實現作為半導體晶片之記憶體晶片之三維安裝。
如上所述，間隔層4由樹脂膜構成。構成間隔層4之樹脂膜之材料並無特別限定，間隔層4較佳為由包含選自由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、及聚醚醚酮樹脂所組成之群中之至少1種樹脂組合物構成。 間隔層4可藉由將由如上述之樹脂組合物構成之樹脂膜切斷成特定尺寸而獲得。 作為此種樹脂膜，可例舉：由包含聚醯亞胺樹脂之樹脂組合物構成之DUPONT-TORAY公司製造之Kapton(註冊商標)系列(例如Kapton(註冊商標)200V、Kapton(註冊商標)300V)、由包含聚醚醯亞胺樹脂之樹脂組合物構成之三菱樹脂公司製造之Superio(註冊商標)UT系列(例如Superio(註冊商標)UT NB-型)、由包含聚醚醚酮樹脂之樹脂組合物構成之信越聚合物公司製造之SH系列、由包含聚苯硫醚樹脂之樹脂組合物構成之東麗公司製造之Torelina系列等。
間隔層4較佳為具有3 μm以上且300 μm以下之厚度。 間隔層4之厚度例如可藉由使用度盤規(PEACOCK公司製造、型號R-205)測定隨機選擇之5點之厚度，並對該等厚度進行算術平均來求出。
關於本實施方式之積層膜20重要的是於溫度260℃下之間隔層4之拉伸儲存模數為100 MPa以上。 藉由使溫度260℃下之間隔層4之拉伸儲存模數為100 MPa以上，能夠使間隔層4在溫度260℃下具有相對較大之硬度，能夠相對地抑制間隔層4在溫度260℃下發生變形。 藉此，通常藉由在260℃左右之溫度下進行之焊接來將半導體封裝體與母板電性連接而獲得半導體裝置時，能夠相對抑制間隔層4發生變形而導致間隔層4之一部分自積層有半導體晶片(記憶體晶片)之黏晶層剝離。 又，溫度260℃下之間隔層4之拉伸儲存模數之上限值並無特別限定，例如為100 GPa。
溫度260℃下之間隔層4之拉伸儲存模數可以如下方式求出。 詳細而言，將長40 mm(測定長度)、寬10 mm之大小之間隔件作為試片，使用固體黏彈性測定裝置(例如，型號RSAIII，Rheometric Scientific公司製造)，在頻率1Hz、應變量0.1%、升溫速度10℃/min、夾頭間距離20.0 mm之條件下，在-30℃～300℃之溫度範圍內測定上述試片之拉伸彈性模數。此時，可藉由讀取260℃下之值來求出。 再者，上述測定係藉由將上述試片在MD方向(樹脂流動方向)上拉伸而進行。
本實施方式之積層膜20中，間隔層4較佳為在溫度85℃且相對濕度85%RH之環境中暴露168小時後之吸水率為3質量%以下。 藉由使間隔層4在溫度85℃且相對濕度85%RH之環境中暴露168小時後之吸水率為3質量%以下，從而即使在溫度85℃且相對濕度85%此種高溫高濕環境下暴露168小時此種長時間之情形時，亦能夠抑制間隔層4之形狀因水分而變形。
上述吸水率可以如下方式求出。 詳細而言，可藉由將長80 mm、寬10 mm之大小之間隔件作為試片，將該試片放入溫度設為85℃且相對濕度調整為85%RH之恆溫恆濕器內，放置168小時後，使用卡氏微量水分測定裝置來進行測定。 測定條件可採用以下之條件。 [測定條件] ・測定裝置：三菱化學公司製造 微量水分測定裝置CA-07 ・水分氣化裝置：三菱化學公司製造 VA-07 ・發生液：三菱化學公司製造AQUAMICRON AX ・對極液：三菱化學公司製造AQUAMICRON CXU
[積層膜之使用例] 且說，半導體裝置通常在佈線基板上具備複數個半導體晶片，該複數個半導體晶片具備用於記憶資訊之複數個記憶體晶片、與用於控制該複數個記憶體晶片之複數個控制器晶片。 又，近年來，基於使半導體裝置高密度積體化之觀點，嘗試了藉由在佈線基板上三維安裝複數個記憶體晶片與複數個控制器晶片而使半導體裝置小型化。
本實施方式之積層膜20中，將間隔用接著膜F自黏著劑層2取下並以具有特定大小之方式藉由切割而單片化，用於製造如上所述在佈線基板上三維安裝複數個記憶體晶片與複數個控制器晶片之半導體裝置。 以下，一面參照圖2A～3E，一面對本實施方式之積層膜20之使用例進行說明。 再者，如上所述在佈線基板上三維安裝複數個記憶體晶片與複數個控制器晶片時，作為控制器晶片，通常使用具有比記憶體晶片小一圈以上之尺寸之晶片。
如上所述在佈線基板上三維安裝半導體晶片時，首先，如圖2A所示，控制器晶片6a藉由黏晶膜5a接著在佈線基板30上。 又，如圖2A所示，接著在佈線基板30上之控制器晶片6a藉由2根接合線7與佈線基板30電性連接。
黏晶膜5a較佳為具有熱硬化性，較佳為藉由以介裝於佈線基板30與控制器晶片6a之間之狀態進行熱硬化而使控制器晶片6a接著於佈線基板30上。藉此，能夠將控制器晶片6a更牢固地安裝於佈線基板30上。 黏晶膜5a可與上述接著劑層3同樣地構成。
繼而，如圖2B所示，本實施方式之積層膜20中，自黏著劑層2取下並切割成特定尺寸之間隔用接著膜F之接著劑層3將控制器晶片6a與2根接合線7嵌埋，然後，間隔用接著膜F藉由接著劑層3而接著於佈線基板30上。 如上所述，接著劑層3較佳為具有熱硬化性。藉由使接著劑層3具有熱硬化性，在將間隔用接著膜F以將控制器晶片6a與2根接合線7利用接著劑層3嵌埋之方式配置於佈線基板30上之後，藉由使接著劑層3熱硬化而能夠更牢固地將間隔用接著膜F安裝於佈線基板30上。 再者，圖2B中示出控制器晶片6a與2根接合線7全部被接著劑層3嵌埋後，將間隔用接著膜F接著於佈線基板30上之例，但如下述態樣中所列舉，可於控制器晶片6a與接合線7未被接著劑層3嵌埋之情況下使間隔用接著膜F接著於佈線基板30上，亦可以僅一部分接合線7被接著劑層3嵌埋之狀態將間隔用接著膜F接著於佈線基板30上。
繼而，如圖2C所示，在接著於佈線基板30上之間隔用接著膜F之間隔層4上，隔著黏晶膜5b配置記憶體晶片6b，並進一步多次在記憶體晶片6b上隔著黏晶膜5b積層記憶體晶片6b。圖2C中示出在接著於間隔層4上之記憶體晶片6b上進一步積層有2個記憶體晶片6b之狀態。 再者，圖2C中示出在間隔層4上使2個記憶體晶片6b呈階梯狀積層之例。
即，本實施方式之積層膜20以如下方式使用：於將間隔用接著膜F自黏著劑層2取下並以具有特定大小之方式經切割而單片化之狀態下，例如將控制器晶片6a與接合線7利用間隔用接著膜F之接著劑層3嵌埋，然後藉由接著劑層3使間隔用接著膜F接著於佈線基板30，於該狀態下，進而在間隔用接著膜F之間隔層4上沿高度方向積層複數個記憶體晶片6b。
本實施方式之積層膜20不限於圖2A～2C所示之例，例如，亦可如圖3A～3E所示之例所示之方式使用。
例如，可以如下方式使用：如圖3A所示，對於在大致中央部藉由黏晶膜5a接著有控制器晶片6a、並藉由2根接合線7與控制器晶片6a電性連接之佈線基板30，將控制器晶片6a與接合線7利用1個間隔用接著膜F之接著劑層3嵌埋，然後利用接著劑層3將1個間隔用接著膜F接著於佈線基板30，於該狀態下，進而將利用複數個黏晶膜5b積層複數個記憶體晶片6b而成之一記憶體晶片積層體M藉由黏晶膜5b接著於間隔用接著膜F之間隔層4之一端緣側，將另一記憶體晶片積層體M藉由黏晶膜5b接著於間隔用接著膜F之間隔層4之另一端緣側。
又，亦可以如下方式使用：如圖3B所示，對於一端緣側藉由黏晶膜5a接著有控制器晶片6a、並藉由2根接合線7與控制器晶片6a電性連接之佈線基板30，在另一端緣側藉由接著劑層3使1個間隔用接著膜F接著於佈線基板30，於該狀態下，將利用複數個黏晶膜5b積層複數個記憶體晶片6b而成之記憶體晶片積層體M藉由黏晶膜5b接著於間隔用接著膜F之間隔層4與控制器晶片6a。
進而，亦可以如下方式使用：如圖3C所示，對於在大致中央部藉由黏晶膜5a接著有控制器晶片6a、並藉由2根接合線7與控制器晶片6a電性連接之佈線基板30，以隔著控制器晶片6a之方式在佈線基板30之兩端側藉由各接著劑層3分別接著1個間隔用接著膜F，於該狀態下，在2個間隔層4之各者上藉由黏晶膜5b接著1個記憶體晶片6b。
又，亦可以如下方式使用：如圖3D所示，對於在大致中央部藉由黏晶膜5a接著有控制器晶片6a、並藉由2根接合線7與控制器晶片6a電性連接之佈線基板30，以隔著控制器晶片6a之方式在佈線基板30之兩端側以各接著劑層3嵌埋2根接合線7各自之一部分之狀態藉由各接著劑層3分別接著有1個間隔用接著膜F，於該狀態下，在2個間隔層4之各者上藉由黏晶膜5b接著1個記憶體晶片6b。
進而，亦可以如下方式使用：如圖3E所示，對於在大致中央部藉由黏晶膜5a接著有控制器晶片6a、並藉由2根接合線7與控制器晶片6a電性連接之佈線基板30，以隔著控制器晶片6a之方式在佈線基板30之兩端側藉由各接著劑層3分別接著有1個間隔用接著膜F，於該狀態下，在2個間隔層4與控制器晶片6a之各者上，藉由黏晶膜5b，接著利用複數個黏晶膜5b積層複數個記憶體晶片6b而成之1個記憶體晶片積層體M。
總而言之，本實施方式之積層膜20以如下方式使用即可：自黏著劑層2取下間隔用接著膜F，以具有特定大小之方式經切割而單片化，於該狀態下，間隔層4確保積層半導體晶片(例如記憶體晶片6b)之高度方向之空間。
[積層膜之製造方法] 一實施方式(以下亦稱為第一實施方式)之積層膜之製造方法包括： 對於在接著劑層之一面配置有間隔層、且在上述接著劑層之另一面配置有剝離片材之第1積層體，於上述間隔層之配置有上述接著劑層之一側之相反側安裝轉印帶而獲得第2積層體(第2積層體製作步驟S1)； 於第2積層體製作步驟S1之後，對上述第2積層體實施沖裁加工，將上述接著劑層、上述間隔層、及上述剝離片材沖裁成特定形狀(沖裁步驟S2)； 於沖裁步驟S2之後，將沖裁成特定形狀之部分以外之剝離片材自上述第2積層體去除(第1去除步驟S3)； 於第1去除步驟S3之後，在上述第2積層體之殘留有沖裁成特定形狀之部分之剝離片材之一側安裝去除帶而獲得第3積層體(第3積層體製作步驟S4)； 於第3積層體製作步驟S4之後，藉由將上述去除帶去除，從而將沖裁成特定形狀之部分之剝離片材、沖裁成特定形狀之部分以外之上述接著劑層與上述間隔層自上述第3積層體去除(第2去除步驟S5)；及 於第2去除步驟S5之後，將基材上積層有黏著劑層之切割帶以使上述黏著劑層側抵接之方式安裝於上述第3積層體之去除了上述去除帶之一側，獲得第4積層體(第4積層體製作步驟S6)。
本實施方式之積層膜20可使用如圖4A與圖5A所示之裝置，按照第一實施方式之積層膜之製造方法來製造。
首先，如圖4A所示，裝置100a具備：第1積層體捲出部101a，其供第1積層體L1(在接著劑層3之一面配置有間隔層4、且在接著劑層3之另一面配置有剝離片材H之第1積層體L1(參照圖4B))安裝，並且將所安裝之第1積層體L1朝向上游側捲出；轉印帶捲出部102a，其配置於第1積層體捲出部101a之上游側，供轉印帶T安裝，並且將轉印帶T朝向上游側捲出以使轉印帶T安裝於第1積層體L1；及第2積層體捲取部103a，其配置於轉印帶捲出部102a之上游側，將藉由對第1積層體L1安裝轉印帶T而獲得之第2積層體L2進行捲取。 即，上述第2積層體製作步驟S1由裝置100a進行。 以下，一面參照圖4A與圖4B，一面對第2積層體製作步驟S1進行說明。
首先，將在接著劑層3之一面配置有間隔層4、且在接著劑層3之另一面配置有剝離片材H之第1積層體L1(參照圖4B)，以間隔層4側之面相對於捲出方向為上側之方式安裝於第1積層體捲出部101a，自第1積層體捲出部101a朝向上游側捲出第1積層體L1。 再者，圖4A中，第1積層體L1以順時針方向捲出之方式安裝於第1積層體捲出部101a，但亦可以逆時針方向捲出之方式來安裝。 繼而，將自轉印帶捲出部102a捲出之轉印帶T安裝於第1積層體L1之間隔層4上，藉此獲得第2積層體L2，由第2積層體捲取部103a捲取該第2積層體L2。 再者，圖4A中，第2積層體L2以逆時針方向由第2積層體捲取部103a捲取，但亦可以順時針方向捲取。 由第2積層體捲取部103a捲取之第2積層體L2以捲取狀態用於圖5A所示之裝置100b。
如圖5A所示，裝置100b具備：第2積層體捲出部101b，其供第2積層體L2安裝，並且將所安裝之第2積層體L2朝向上游側捲出；沖裁加工部200，其配置於第2積層體捲出部101b之上游側，對第2積層體L2實施沖裁加工；剝離片材捲取部102b，其配置於沖裁加工部200之上游側，將剝離片材H之一部分自第2積層體L2去除並捲取；去除帶捲出部103b，其配置於剝離片材捲取部102b之上游側，供去除帶S安裝，並且將去除帶S朝向上游側捲出，以實現對去除了剝離片材H之第2積層體L2安裝去除帶S而獲得第3積層體；去除帶捲取部104b，其配置於去除帶捲出部103b之上游側，將去除帶S自第3積層體L3去除並捲取；切割帶捲出部105b，其配置於去除帶捲取部104b之上游側，供在基材層1上積層有黏著劑層2之切割帶10安裝，並且將切割帶10向上游側捲出，以實現對去除了去除帶S之第3積層體L3安裝切割帶10；及第4積層體捲取部106b，其配置於切割帶捲出部105b之上游側，將藉由對去除了去除帶S之第3積層體L3安裝切割帶10而獲得之第4積層體進行捲取。 即，上述沖裁步驟S2至第4積層體製作步驟S6由裝置100b進行。 以下，一面參照圖5A～5D，一面對沖裁步驟S2至第4積層體製作步驟S6進行說明。
首先，將捲取狀態之第2積層體L2以轉印帶T相對於捲出方向為下側之方式安裝於第2積層體捲出部101b(即，以剝離片材H相對於捲出方向為上側之方式安裝於第2積層體捲出部101b(參照圖5B))，將第2積層體L2自第2積層體捲出部101b捲出，一面朝向剝離片材捲取部102b搬送第2積層體L2，一面利用沖裁加工部200將接著劑層3、間隔層4、及剝離片材H沖裁成特定形狀(沖裁步驟S2)。 再者，圖5A～5D所示之例中，接著劑層3、間隔層4、及剝離片材H被沖裁成圓板狀(參照圖5A)。即，圖5A～5D所示之例中，第2積層體L2之沖裁部分為圓板狀。 又，圖5A中，第2積層體L2以順時針方向捲出之方式安裝於第2積層體捲出部101b，但亦可以逆時針方向捲出之方式來安裝。 繼而，利用剝離片材捲取部102b，將沖裁成特定形狀之部分以外之剝離片材H自第2積層體L2去除(第1去除步驟S3)。已將沖裁成特定形狀之部分以外之剝離片材H去除之第2積層體L2朝向去除帶捲出部103b搬送。 繼而，將去除帶S自去除帶捲出部103b捲出，於殘留有沖裁成特定形狀之部分之剝離片材H之一側安裝去除帶S而獲得第3積層體L3(第3積層體製作步驟S4)。第3積層體L3朝向去除帶捲取部104b搬送。 繼而，於去除帶捲取部104b，將沖裁成特定形狀之部分之剝離片材H與沖裁成特定形狀之部分以外之接著劑層3及間隔層4自第3積層體L3去除(第2去除步驟S5)。已將沖裁成特定形狀之部分之剝離片材H與沖裁成特定形狀之部分以外之接著劑層3及間隔層4去除之第3積層體L3(參照圖5C)朝向切割帶捲出部105b搬送。 繼而，將切割帶10自切割帶捲出部105b捲出，於第3積層體L3之去除了去除帶S之一側安裝切割帶10而獲得第4積層體L4(參照圖5D)(第4積層體製作步驟S6)。第4積層體L4朝向第4積層體捲取部106b搬送，於第4積層體捲取部106b被捲取。 再者，圖5A中，第4積層體L4以逆時針方向由第4積層體捲取部106b捲取，但亦可以順時針方向捲取。 如以上所述，藉由第一實施方式之積層膜之製造方法，獲得積層膜20。
再者，對於第4積層體L4(即，積層膜20)，於自第4積層體捲取部106b捲出之狀態(切割帶10為上側之狀態)下，根據製品之標準寬度，實施將第4積層體L4之寬度方向之兩端側切下(將第4積層體L4之無用部分切下)之切條加工步驟後(圖6A)，可使用沖裁加工部(未圖示)，實施以比沖裁部(接著劑層3與間隔層4之沖裁部)尺寸略大之尺寸(例如上述沖裁部尺寸之1.1倍～1.4倍)，自上側將切割帶10沖裁成特定形狀，並且去除無用之切割帶10之預切割步驟(圖6B)。 再者，圖6B所示之例中，切割帶10被沖裁成圓板狀。
又，另一實施方式(以下亦稱第二實施方式)之積層膜之製造方法包括： 對於在接著劑層之一面配置有間隔層、且在上述接著劑層之另一面配置有剝離片材之第1積層體，於上述間隔層之配置有上述接著劑層之一側之相反側安裝轉印帶而獲得第2積層體(第2積層體制作步驟S1')； 於第2積層體製作步驟S1'之後，將上述剝離片材自上述第2積層體去除(剝離片材去除步驟S2')； 於剝離片材去除步驟S2'之後，在上述第2積層體之去除了上述剝離片材之一側安裝去除帶而獲得第3積層體(第3積層體製作步驟S3')； 於第3積層體製作步驟S3'之後，對上述第3積層體實施沖裁加工，將上述接著劑層、上述間隔層、及上述去除帶沖裁成特定形狀(沖裁步驟S4')； 於沖裁步驟S4'之後，藉由將上述去除帶去除，從而將沖裁成特定形狀之部分以外之接著劑層與上述間隔層自上述第3積層體去除(去除步驟S5')； 於去除步驟S5'之後，將在基材上積層有黏著劑層之切割帶以使上述黏著劑層側抵接之方式安裝於上述第3積層體之去除了上述去除帶之一側，獲得第4積層體(第4積層體製作步驟S6')； 於第4積層體製作步驟S6'之後，將上述轉印帶自上述第4積層體去除(轉印帶去除步驟S7')；及 於轉印帶去除步驟S7'之後，在上述第4積層體之去除了上述轉印帶之一側安裝剝離帶(剝離帶安裝步驟S8')。
本實施方式之積層膜20可使用如圖4A、圖7A、及圖8A所示之裝置，按照第二實施方式之積層膜之製造方法來製造。
首先，如圖4A所示，裝置100a具備：第1積層體捲出部101a，其供第1積層體L1(在接著劑層3之一面配置有間隔層4、且在接著劑層3之另一面配置有剝離片材H之第1積層體L1(參照圖4B))安裝，並且將所安裝之第1積層體L1朝向上游側捲出；轉印帶捲出部102a，其配置於第1積層體捲出部101a之上游側，供轉印帶T安裝，並且將轉印帶T朝向上游側捲出以使轉印帶T安裝於第1積層體L1；及第2積層體捲取部103a，其配置於轉印帶捲出部102a之上游側，將藉由對第1積層體L1安裝轉印帶T而獲得之第2積層體L2進行捲取。 即，上述第2積層體製作步驟S1'由裝置100a進行。 以下，一面參照圖4A與圖4B，一面對第2積層體製作步驟S1'進行說明。
首先，將在接著劑層3之一面配置有間隔層4、且在接著劑層3之另一面配置有剝離片材H之第1積層體L1(參照圖4B)，以間隔層4側之面相對於捲出方向為上側之方式安裝於第1積層體捲出部101a，自第1積層體捲出部101a朝向上游側捲出第1積層體L1。 再者，圖4A中，第1積層體L1以順時針方向捲出之方式安裝於第1積層體捲出部101a，但亦可以逆時針方向捲出之方式來安裝。 繼而，將自轉印帶捲出部102a捲出之轉印帶T安裝於第1積層體L1之間隔層4上，藉此獲得第2積層體L2，由第2積層體捲取部103a捲取該第2積層體L2。 再者，圖4A中，第2積層體L2以逆時針方向由第2積層體捲取部103a捲取，但亦可以順時針方向捲取。 由第2積層體捲取部103a捲取之第2積層體L2以捲取狀態用於圖7A所示之裝置100b'。
如圖7A所示，裝置100b'具備：第2積層體捲出部101b'，其供第2積層體L2安裝，並且將所安裝之第2積層體L2朝向上游側捲出；剝離片材捲取部102b'，其配置於第2積層體捲出部101b'之上游側，將剝離片材H自經第2積層體捲出部101b'捲出之第2積層體L2去除並捲取；去除帶捲出部103b'，其配置於剝離片材捲取部102b'之上游側，供去除帶S安裝，並且將去除帶S朝向上游側捲出，以實現對去除了剝離片材H之第2積層體L2安裝去除帶S而獲得第3積層體；沖裁加工部200'，其配置於去除帶捲出部103b'之上游側，對第3積層體L3實施沖裁加工，上述第3積層體L3係藉由對去除了剝離片材H之第2積層體L2安裝去除帶S而獲得；去除帶捲取部104b'，其配置於去除帶捲出部103b'與沖裁加工部200'之上游側，捲取去除帶S；切割帶捲出部105b'，其配置於去除帶捲取部104b'之上游側，供在基材層1上積層有黏著劑層2之切割帶10安裝，並且將切割帶10向上游側捲出，以實現對去除了去除帶S之第3積層體L3安裝切割帶10；及第4積層體捲取部106b'，其配置於切割帶捲出部105b'之上游側，將藉由對去除了去除帶S之第3積層體L3安裝切割帶10而獲得之第4積層體進行捲取。 即，上述剝離片材去除步驟S2'至第4積層體製作步驟S6'由裝置100b'進行。 以下，一面參照圖7A～7D，一面對剝離片材去除步驟S2' 至第4積層體製作步驟S6'進行說明。
首先，將捲取狀態之第2積層體L2以轉印帶T相對於捲出方向為下側之方式安裝於第2積層體捲出部101b'(即，以剝離片材H相對於捲出方向為上側之方式安裝於第2積層體捲出部101b'(參照圖7B))，將第2積層體L2自第2積層體捲出部101b'捲出並朝向剝離片材捲取部102b'搬送，利用剝離片材捲取部102b'一面將剝離片材H自第2積層體L2剝離(去除)一面進行捲取(剝離片材去除步驟S2')。去除了剝離片材H之第2積層體L2朝向去除帶捲出部103b'搬送。 再者，圖7A中，第1積層體L1以順時針方向捲出之方式安裝於第2積層體捲出部101b'，但亦可以逆時針方向捲出之方式來安裝。 繼而，自去除帶捲出部103b'捲出去除帶S，於第2積層體L2之去除了剝離片材H之一側安裝去除帶S而獲得第3積層體L3(第3積層體製作步驟S3')。第3積層體L3朝向沖裁加工部200'搬送。 繼而，利用沖裁加工部200'對第3積層體L3實施沖裁加工，將接著劑層3、間隔層4、及去除帶S沖裁成特定形狀(沖裁步驟S4')。沖裁步驟S4之第3積層體L3朝向去除帶捲取部104b'搬送。 再者，圖7A～7D所示之例中，接著劑層3、間隔層4、及去除帶S被沖裁成圓板狀(參照圖7A)。即，圖7A～7D所示之例中，第3積層體L3之沖裁部分為圓板狀。 繼而，於去除帶捲取部104b'，藉由自經沖裁加工之第3積層體L3將去除帶S捲取而去除，從而將沖裁成特定形狀之部分以外之接著劑層3與間隔層4去除(去除步驟S5')。已將沖裁成特定形狀之部分以外之接著劑層3與間隔層4去除之第3積層體L3(參照圖7C)朝向切割帶捲出部105b'搬送。 繼而，將切割帶10自切割帶捲出部105b'捲出，於第3積層體L3之去除了去除帶S之一側安裝切割帶10而獲得第4積層體L4(參照圖7D)(第4積層體製作步驟S6)。第4積層體L4朝向第4積層體捲取部106b'搬送，於第4積層體捲取部106b'被捲取。 再者，圖7A中，第4積層體L4以逆時針方向由第4積層體捲取部106b'捲取，但亦可以順時針方向捲取。 由第4積層體捲取部106b'捲取之第4積層體L4以捲取狀態用於圖8A所示之裝置100c。 再者，切割帶10以使黏著劑層2與第3積層體L3之去除了去除帶S之一側抵接之方式安裝於切割帶捲出部105b'。
如圖8A所示，裝置100c具備：第4積層體捲出部101c，其供第4積層體L4安裝，並且將所安裝之第4積層體L4朝向上游側捲出；轉印帶捲取部102c，其配置於第4積層體捲出部101c之上游側，捲取自第4積層體L4剝離之轉印帶T；剝離帶捲出部103c，其配置於轉印帶捲取部102c之上游側，供剝離帶H1安裝並且將所安裝之剝離帶H1捲出；及第5積層體捲取部104c，其配置於剝離帶捲出部103c之上游側，將藉由對第4積層體L4安裝剝離帶H1而獲得之第5積層體L5進行捲取。 即，上述轉印帶去除步驟S7'與剝離帶安裝步驟S8'由裝置100c進行。 以下，一面參照圖8A～8D，一面對轉印帶去除步驟S7'與剝離帶安裝步驟S8'進行說明。
首先，將捲取狀態之第4積層體L4以轉印帶T相對於捲出方向為上側之方式安裝於第4積層體捲出部101c(即，以切割帶10相對於捲出方向為下側之方式安裝於第4積層體捲出部101c)(參照圖8B)，將第4積層體L4自第4積層體捲出部101c捲出並朝向轉印帶捲取部102c搬送，利用轉印帶捲取部102c一面將轉印帶T自第4積層體L4剝離一面進行捲取(轉印帶捲取步驟S7')。已將轉印帶T剝離之第4積層體L4(參照圖8C)朝向剝離帶捲出部103c搬送。 繼而，將剝離帶H1自剝離帶捲出部103c捲出，於第4積層體L4之已將轉印帶T剝離之一側安裝剝離帶H1(剝離帶安裝步驟S8')，將對第4積層體L4安裝剝離帶H1而獲得之第5積層體L5(參照圖8D)於第5積層體捲取部104c進行捲取。 以如上方式獲得本實施方式之積層膜20。 再者，第5積層體L5自第5積層體捲取部104c以被捲取之狀態取下，例如直接以捲取狀態作為製品出貨。 又，以如上方式製造之積層膜20以剝離帶H1被剝離且如圖1所示地使間隔層4露出之狀態使用。
上述積層膜之製造方法中，對具備在已將轉印帶T剝離之原片(第4積層體L4)之面安裝剝離帶H1之剝離帶安裝步驟S8'之例進行了說明，但積層膜之製造方法中，剝離帶安裝步驟S8'並非必需之步驟，亦可省略。 即，積層膜20可製造為使間隔層4露出。
[半導體裝置之製造方法] 本實施方式之半導體裝置之製造方法係製造具備安裝有複數個半導體晶片之佈線基板之半導體裝置之方法，包括： 對積層有間隔用接著膜與切割帶之積層膜進行切割，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層； 藉由該切割將上述間隔用接著膜單片化，從而製作附接著劑層之間隔件(附接著劑層之間隔件製作步驟S1'')；及 為了將上述複數個半導體晶片內之一半導體晶片配置於比另一半導體晶片更高之位置，於該一半導體晶片與上述佈線基板之間介裝上述附接著劑層之間隔件(附接著劑層之間隔件介裝步驟S2'')； 作為該附接著劑層之間隔件，使用上述間隔層由樹脂膜構成、且該間隔層在溫度260℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上之附接著劑層之間隔件。
本實施方式之半導體裝置之製造方法中，較佳為製作如下半導體裝置： 上述附接著劑層之間隔件之間隔層具備：積層有上述接著劑層之第1面，及與該第1面為相反面之第2面， 於該第2面經由黏晶膜積層上述一半導體晶片， 於溫度85℃且相對濕度85%RH之環境下暴露168小時後，在溫度260℃下測定上述黏晶膜與上述間隔件之間之剪切接著力時，上述剪切接著力為0.5 MPa以上。 上述剪切接著力更佳為1 MPa以上，進而較佳為2 MPa以上。 又，上述剪切接著力較佳為5 MPa以下，更佳為3 MPa以下。
於溫度85℃且相對濕度85%RH之環境下暴露168小時後，在溫度260℃下之上述黏晶膜與上述間隔件之剪切接著力之測定可以如下方式進行。 具體而言，可使用剪切試驗機(Dage公司製、Dage4000)，對於在溫度85℃且相對濕度85%RH之環境下暴露168小時後之上述積層體，藉由採用測定速度(晶片剪切速度)500 μm/s、測定間隙(晶片剪切高度)50 μm、台溫度260℃之條件來進行測定。再者，上述測定係將上述試片放置於測定台約20秒後進行。
本說明書揭示之事項包括以下內容。
(1) 一種積層膜，其積層有間隔用接著膜與切割帶，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層， 上述間隔層由樹脂膜構成，該間隔層在溫度260℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上。
根據該構成，能夠容易地製造半導體裝置。 又，能夠使焊接時之問題不易產生。
(2) 根據上述(1)記載之積層膜，其中上述間隔層在溫度85℃且相對濕度85%RH之環境中暴露168小時後之吸水率為3質量%以上。
根據該構成，能夠更容易地製造半導體裝置。 又，能夠使焊接時之問題更難產生。
(3) 根據上述(1)或(2)記載之積層膜，其中上述間隔層具有3 μm以上且300 μm以下之厚度。
根據該構成，能夠更容易地製造半導體裝置。 又，能夠使焊接時之問題更難產生。
(4) 根據上述(1)至(3)中任一項記載之積層膜，其中上述接著劑層具有10 μm以上且200 μm以下之厚度， 上述間隔用接著膜被單片化而作為附接著劑層之間隔件使用， 該附接著劑層之間隔件於安裝有複數個半導體晶片之佈線基板中使用，且 其用於將上述複數個半導體晶片內之一半導體晶片配置於比另一半導體晶片更高之位置。
根據該構成，能夠更容易地製造半導體裝置。 又，能夠使焊接時之問題更難產生。
(5) 根據上述(1)至(4)中任一項記載之積層膜，其中上述間隔層由包含選自由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、及聚醚醚酮樹脂所組成之群中之至少1種樹脂組合物構成。
根據該構成，能夠更容易地製造半導體裝置。 又，能夠使焊接時之問題更難產生。
(6) 一種半導體裝置之製造方法，其係製造具備安裝有複數個半導體晶片之佈線基板之半導體裝置之方法，包括： 對積層有間隔用接著膜與切割帶之積層膜進行切割，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層； 藉由該切割將上述間隔用接著膜單片化，從而製作附接著劑層之間隔件；及 為了將上述複數個半導體晶片內之一半導體晶片配置於比另一半導體晶片更高之位置，於該一半導體晶片與上述佈線基板之間介裝上述附接著劑層之間隔件； 作為該附接著劑層之間隔件，使用上述間隔層由樹脂膜構成、且該間隔層在溫度260℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上之附接著劑層之間隔件。
根據該構成，能夠容易地製造半導體裝置。 又，能夠使焊接時之問題不易產生。
(7) 根據上述(6)記載之半導體裝置之製造方法，其製作如下半導體裝置： 上述附接著劑層之間隔件之間隔層具備：積層有上述接著劑層之第1面，及與該第1面為相反面之第2面， 於該第2面經由黏晶膜積層上述一半導體晶片， 於溫度85℃且相對濕度85%RH之環境下暴露168小時後，在溫度260℃下測定上述黏晶膜與上述間隔層之間之剪切接著力時，該剪切接著力為0.5 MPa以上。
根據該構成，能夠更容易地製造半導體裝置。 又，能夠使焊接時之問題更難產生。
再者，本發明之積層膜及半導體裝置之製造方法不限定於上述實施方式。又，本發明之積層膜及半導體裝置之製造方法不受上述作用效果之限定。本發明之積層膜與半導體裝置之製造方法可於不脫離本發明主旨之範圍內進行各種變更。 [實施例]
繼而，例舉實施例進一步對本發明進行具體說明。以下之實施例用於更詳細地對本發明進行說明，並非限定本發明之範圍。
[實施例1] (於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力) ＜附黏晶層之晶片之製作＞ 將以下各原料按以下比率進行混合，藉此製作第1接著劑組合物。 ・丙烯酸酯系聚合物溶液(Nagase ChemteX Corporation製造、商品名「Teisan Resin SG-P3(固形物成分濃度15質量%)」) 100質量份 ・酚樹脂(明和化成公司製造、商品名「MEHC-7851SS」) 1.8質量份 ・二氧化矽有機溶劑漿料(使Admatechs公司製造之商品名「SO-E2」以粉體濃度為60質量%之方式分散於甲基乙基酮中而得者) 24質量份 ・甲基乙基酮(昭榮化學公司製造) 26質量份 將上述第1接著劑組合物塗佈於PET隔離膜(Fujiko公司製造、商品名「DIAFOIL PET38」)上，以120℃乾燥2分鐘，藉此在上述PET隔離膜上製作厚度10 μm之黏晶層(以下稱為附PET隔離膜之黏晶層)。 繼而，在70℃下對厚度500 μm之矽晶圓(裸晶圓)層壓上述附PET隔離膜之黏晶層。 繼而，使用切割裝置(DISCO公司製造之DFD6361)，對層壓有附PET隔離膜之黏晶層之矽晶圓進行切割。 關於切割，使用NBC-ZH 2030-SE 27HCFF作為切割刀，藉由單切(single cut)來進行。又，切割係以獲得尺寸為3 mm×3 mm之大小之晶片之方式進行。 ＜積層膜之製作＞ 將以下各原料按以下比率進行混合，藉此製作第2接著劑組合物。 ・丙烯酸酯系聚合物溶液(Nagase ChemteX Corporation製造、商品名「Teisan Resin SG-70L(固形物成分濃度12.8質量%)」 100質量份 ・環氧樹脂(三菱化學公司製造、商品名「EPIKOTE YL980」) 1.7質量份 ・環氧樹脂(DIC公司製造、商品名「EPICON N-665-EXP-S」 13質量份 ・酚樹脂(明和化成公司製造、商品名「MEHC-7851SS」) 15質量份 ・二氧化矽有機溶劑漿料(使Admatechs公司製造之商品名「SO-E2」以粉體濃度為60質量%之方式分散於甲基乙基酮中而得者) 47質量份 ・硬化觸媒(四國化成公司製造、商品名「CUREZOL 2PHZ」) 0.085質量份 ・甲基乙基酮(昭榮化學公司製造) 50質量份 將上述第2接著劑組合物塗佈於PET隔離膜(Fujiko公司製造、商品名「DIAFOIL PET38」)，以120℃乾燥2分鐘，藉此製作厚度120 μm之接著劑層(以下稱為附PET隔離膜之接著劑層)。 繼而，在70℃下對間隔膜(DU PONT-TORAY公司製造、商品名「Kapton200V」)層壓上述附PET隔離膜之接著劑層。 繼而，將層壓有附PET隔離膜之接著劑層之間隔膜切割成直徑330 mm之圓形狀後，在室溫下將切割帶層壓於接著劑層上。 繼而，使用切割裝置(DISCO公司製造之DFD6361)，對層壓有附PET隔離膜之接著劑層之間隔膜進行切割。 關於切割，作為切割刀，使用2種刀片(Z1：2030-SE 27HCDD、及Z2：2030-SE 27CBB)，藉由階梯式切割(step cut)來進行。又，切割係以獲得6 mm×12 mm之大小之片狀間隔件之方式進行。 再者，上述切割帶以如下方式製作。 ＜切割帶之製作＞ 向具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器內以使單體濃度為55質量%之方式放入下述各原料，在氮氣流中以60℃進行10小時之聚合反應，藉此獲得丙烯酸系聚合物中間物A。 ・丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為2EHA) 100質量份 ・丙烯酸-2-羥基乙酯(以下稱為HEA) 20質量份 ・適量之聚合起始劑 ・甲苯(聚合溶劑) 繼而，於二月桂酸二丁基錫0.1質量份之存在下，使100質量份丙烯酸系聚合物中間物A與1.4質量份異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(以下稱為MOI)在空氣氣流中以50℃進行60小時之加成反應，獲得丙烯酸系聚合物A。 繼而，以下述組成製備黏著劑溶液後，適當加入甲苯，藉此將上述黏著劑溶液之黏度調整為500 mPa・s。 ・丙烯酸系聚合物A 100質量份 ・多異氰酸酯化合物 1.1質量份 ・光聚合起始劑 3質量份 再者，作為上述多異氰酸酯化合物，使用Nippon Polyurethane公司製造之CORONATE L，作為上述光聚合起始劑，使用Ciba Specialty Chemicals公司製造之Irgacure 184。 繼而，作為剝離片材，準備PET系膜，使用敷料器在該PET系膜之一面塗佈如上所述製備之黏著劑溶液。 再者，對上述PET系膜之單面實施作為離型處理之矽酮處理，將該經離型處理之面作為上述一面並塗佈上述黏著劑溶液。 塗佈上述黏著劑溶液後，以120℃加熱乾燥2分鐘，藉此在上述PET系膜上製作厚度30 μm之黏著劑層。 繼而，使用層壓機，對在上述PET系膜上製作之上述黏著劑層之露出面貼合厚度80 μm之包含聚乙烯膜之基材(支持基材)。 以上述方式製作切割帶。 ＜試驗體之製作＞ 將切割成尺寸6 mm×12 mm之積層膜自切割帶剝離，並接著於經阻焊處理之BGA基板(大昌電子公司製造、商品名「BGA基板(AUS308)」)之大致中央部。積層膜之接著係使用黏晶機(FASFORD TECHNOLOGY公司製造之黏晶機DB830plus+)，以110℃、荷重0.3 MPa、接著時間1秒之條件進行。 然後，使用壓力烘箱，在壓力7kf/cm 2下以140℃加熱2小時，藉此使積層膜之接著劑層硬化，將積層膜接著於BGA基板。 繼而，將尺寸3 mm×3 mm之晶片自切割帶剝離，使黏晶層露出後，將上述晶片接著於上述積層膜之間隔件上。上述晶片之接著係使用黏晶機(FASFORD TECHNOLOGY公司製造之黏晶機DB830plus+)，以150℃、荷重0.3 MPa、接著時間1秒之條件進行。 然後，以150℃加熱1小時，藉此使安裝於上述晶片之上述黏晶層硬化，將上述晶片接著於上述積層膜之間隔件上。 以上述方式製作剪切接著力用之試驗體A1，將該試驗體A1在溫度85℃、濕度85%RH之恆溫恆濕器內放置168小時後，測定260℃下之剪切接著力。 關於260℃下之剪切接著力之測定，藉由使用剪切試驗機(Dage公司製造、Dage4000)，對在溫度85℃且相對濕度85%RH之環境下暴露168小時後之試驗體A1採用測定速度(晶片剪切速度)500 μm/s、測定間隙(晶片剪切高度)50 μm、台溫度260℃之條件進行測定。再者，上述測定係將上述試片放置於測定台約20秒後進行。 將其結果示於以下之表1。
(黏晶膜自間隔件之剝離) ＜附黏晶層之記憶體晶片代替品之製作＞ 將上述第1接著劑組合物塗佈於PET隔離膜(Fujiko公司製造、商品名「DIAFOIL PET38」)上，以120℃乾燥2分鐘，藉此在上述PET隔離膜上製作厚度10 μm之黏晶層(以下稱為附PET隔離膜之黏晶層)。 繼而，在70℃下對厚度50 μm之矽晶圓(裸晶圓)層壓上述附PET隔離膜之黏晶層。 繼而，使用切割裝置(DISCO公司製之DFD6361)，對層壓有附PET隔離膜之黏晶層之矽晶圓進行切割。 關於切割，作為切割刀，使用2種刀片(Z1：2030-SE 27HCDD、及Z2：2030-SE 27CBB)，藉由階梯式切割來進行。又，切割係以獲得4 mm×12 mm之大小之片狀間隔件之方式進行。 以上述方式製作附黏晶層之記憶體晶片代替品。 ＜附黏晶層之控制器晶片代替品之製作＞ 將上述第2接著劑組合物塗佈於PET隔離膜(Fujiko公司製造、商品名「DIAFOIL PET38」)上，以120℃乾燥2分鐘，藉此在上述PET隔離膜上製作厚度10 μm之黏晶層(以下稱為附PET隔離膜之黏晶層)。 繼而，在70℃下對厚度25 μm之矽晶圓(裸晶圓)層壓上述附PET隔離膜之黏晶層。 繼而，使用切割裝置(DISCO公司製之DFD6361)，對層壓有附PET隔離膜之黏晶層之矽晶圓進行切割。 關於切割，作為切割刀，使用2種刀片(Z1：2030-SE 27HCDD、及Z2：2030-SE 27CBB)，藉由階梯式切割來進行。又，切割係以獲得尺寸為1.3 mm×3 mm之大小之晶片之方式進行。 以上述方式製作附黏晶層之控制器晶片代替品。 ＜積層膜之製作＞ 與上述同樣地製作積層膜。 ＜試驗體之製作＞ 將剝離PET隔離膜後之控制器晶片代替品接著於經阻焊處理之BGA基板(大昌電子公司製造、商品名「BGA基板(AUS308)」)之大致中央部。控制器晶片代替品之接著係使用黏晶機(FASFORD TECHNOLOGY公司製造之黏晶機DB830plus+)，以100℃、荷重0.5 MPa、接著時間1秒之條件進行。 然後，以150℃加熱1小時，藉此使安裝於上述附黏晶層之控制器晶片代替品之上述黏晶層硬化，將上述附黏晶層之控制器晶片接著於上述BGA基板。 繼而，以使上述附黏晶層之控制器晶片由接著劑層嵌埋之方式將上述積層膜接著於上述BGA基板。上述積層膜之接著係使用黏晶機(FASFORD TECHNOLOGY公司製造之黏晶機DB830plus+)，以溫度110℃、荷重0.3 MPa、接著時間1秒之條件進行。 然後，使用壓力烘箱，在壓力7 kf/cm 2下以140℃加熱2小時，藉此使上述積層膜之接著劑層硬化。 繼而，於上述積層膜之間隔件上以階梯狀接著2個附黏晶層之記憶體晶片代替品。附黏晶層之記憶體晶片代替品之接著係使用黏晶機(FASFORD TECHNOLOGY公司製造之黏晶機DB830plus+)，以溫度150℃、荷重0.2 MPa、接著時間2秒之條件進行。 然後，以150℃加熱1小時，藉此使附黏晶層之記憶體晶片代替品之黏晶層硬化。 再者，附黏晶層之記憶體晶片代替品之接著及硬化係逐個依次進行。 於BGA基板之劃分為3列×3行之共計9個區域中分別進行上述操作，製作9個在BGA基板上依次積層有附黏晶層之控制器晶片代替品、積層膜、及附黏晶層之記憶體晶片代替品之構造體。 繼而，使用塑模樹脂，將9個上述構造體進行包覆模塑，然後藉由以175℃加熱5小時而將上述塑模樹脂硬化，藉此製作剝離性評價用之試驗體1B。 將以上述方式製作之試驗體1B於吸濕回焊條件(依照JEDEC Level 2/IR at 260deg.C之條件)下處理後，評價黏晶層自間隔件之剝離性。 關於剝離性之評價，對在吸濕回焊條件下處理後之試驗體1B進行機械研磨而使附黏晶層之控制器晶片代替品之截面露出，用光學顯微鏡觀察該截面，將9個全部未確認到剝離之情況評價為「優」，將9個中只要有1個確認到剝離之情況評價為「不合格」。 將其結果示於以下之表1。
(260℃下之間隔件之拉伸儲存模數) 對於在試驗體1A及1B之製作中使用之間隔件(聚醯亞胺膜；DU PONT-TORAY公司製造之商品名「Kapton200V(50 μm)」)，按照以下方法測定260℃下之拉伸儲存模數。 具體而言，將長40 mm(測定長度)、寬10 mm之大小之間隔件作為試片，使用固體黏彈性測定裝置(例如，型號RSAIII、Rheometric Scientific公司製造)，在頻率1 Hz、應變量0.1%、升溫速度10℃/min、夾頭間距離20.0 mm之條件下，於-30℃～300℃之溫度範圍內測定上述試片之拉伸彈性模數。此時，藉由讀取260℃下之值來求出260℃下之間隔件之拉伸儲存模數。 再者，上述測定係藉由將上述試片在MD方向(樹脂流動方向)上拉伸而進行。 將其結果示於以下之表1。 (間隔件之吸水率) 對於在試驗體1A及1B之製作中使用之間隔件(聚醯亞胺膜；DU PONT-TORAY公司製造之商品名「Kapton200V」)，按照以下方法測定吸水率。 具體而言，可藉由將長80 mm、寬10 mm之大小之間隔件作為試片，將該試片放入溫度設為85℃、相對濕度調整為85%RH之恆溫恆濕器內，放置168小時後，使用卡氏微量水分測定裝置來進行測定。 測定條件採用以下之條件。 [測定條件] ・測定裝置：三菱化學公司製造 微量水分測定裝置CA-07 ・水分氣化裝置：三菱化學公司製造 VA-07 ・發生液：三菱化學公司製造AQUAMICRON AX ・對極液：三菱化學公司製造AQUAMICRON CXU
[實施例2] (於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力) 除了將間隔膜更換為DU PONT-TORAY公司製造之商品名「Kapton300V(75 μm)」以外，與實施例1同樣地製作剪切接著力測定用之試驗體A2，與實施例1同樣地測定於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力。 將其結果示於以下之表1。 (黏晶層自間隔層之剝離) 除了將間隔膜更換為DU PONT-TORAY公司製造之商品名「Kapton300V(75 μm)」以外，與實施例1同樣地製作剝離性評價用之試驗體B2，與實施例1同樣地評價黏晶層自間隔膜之剝離性。 將其結果示於以下之表1。 (260℃下之間隔層之拉伸儲存模數) 對於在試驗體A2及B2之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定260℃下之間隔膜之拉伸儲存模數。 將其結果示於以下之表1。 (間隔層之吸水率) 對於在試驗體A2及B2之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定吸水率。
將其結果示於以下之表1。 [實施例3] (於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力) 除了將間隔膜更換為信越聚合物公司製造之商品名「Shin-Etsu Sepla Film(50 μm)」(聚醚醚酮膜)以外，與實施例1同樣地製作剪切接著力測定用之試驗體A3，與實施例1同樣地測定於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力。 將其結果示於以下之表1。 (黏晶層自間隔層之剝離) 除了將間隔膜更換為信越聚合物公司製造之商品名「Shin-Etsu Sepla Film(50 μm)」以外，與實施例1同樣地製作剝離性評價用之試驗體B3，與實施例1同樣地評價黏晶層自間隔膜之剝離性。 將其結果示於以下之表1。 (260℃下之間隔層之拉伸儲存模數) 對於在試驗體A3及B3之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定260℃下之間隔膜之拉伸儲存模數。 將其結果示於以下之表1。 (間隔層之吸水率) 對於在試驗體A3及B3之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定吸水率。 將其結果示於以下之表1。
[比較例1] (於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力) 除了將間隔膜更換為東麗公司製造之商品名「Torelina(50 μm)」(聚苯硫醚膜)以外，與實施例1同樣地製作剪切接著力測定用之試驗體A4，與實施例1同樣地測定於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力。 將其結果示於以下之表1。 (黏晶層自間隔層之剝離) 除了將間隔膜更換為東麗公司製造之商品名「Torelina(50 μm)」以外，與實施例1同樣地製作剝離性評價用之試驗體B4，與實施例1同樣地評價黏晶層自間隔膜之剝離性。 將其結果示於以下之表1。 (260℃下之間隔層之拉伸儲存模數) 對於在試驗體A4及B4之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定260℃下之間隔膜之拉伸儲存模數。 將其結果示於以下之表1。 (間隔層之吸水率) 對於在試驗體A4及B4之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定吸水率。 將其結果示於以下之表1。
[比較例2] (於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力) 除了將間隔膜更換為三菱樹脂公司製造之商品名「Superio(註冊商標)UTNB-型」(聚醚醯亞胺膜)以外，與實施例1同樣地製作剪切接著力測定用之試驗體A5，與實施例1同樣地測定於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力。 將其結果示於以下之表1。 (黏晶層自間隔層之剝離) 除了將間隔膜更換為三菱樹脂公司製造之商品名「Superio(註冊商標)UTNB-型(50 μm)」(聚醚醯亞胺膜)以外，與實施例1同樣地製作剝離性評價用之試驗體B5，與實施例1同樣地評價黏晶層自間隔膜之剝離性。 將其結果示於以下之表1。 (260℃下之間隔層之拉伸儲存模數) 對於在試驗體A5及B5之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定260℃下之間隔膜之拉伸儲存模數。 將其結果示於以下之表1。 (間隔層之吸水率) 對於在試驗體A5及B5之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定吸水率。 將其結果示於以下之表1。
[比較例3] (於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力) 除了將間隔膜更換為三菱化學公司製造之商品名「MRA50」(聚對苯二甲酸乙二酯膜)以外，與實施例1同樣地製作剪切接著力測定用之試驗體A6，與實施例1同樣地測定於高溫高濕下暴露後之260℃下之剪切接著力。 將其結果示於以下之表1。 (黏晶層自間隔層之剝離) 除了將間隔膜更換為三菱化學公司製造之商品名「MRA50」(聚對苯二甲酸乙二酯膜)以外，與實施例1同樣地製作剝離性評價用之試驗體B6，與實施例1同樣地評價黏晶層自間隔膜之剝離性。 將其結果示於以下之表1。 (260℃下之間隔層之拉伸儲存模數) 對於在試驗體A6及B6之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定260℃下之間隔膜之拉伸儲存模數。 將其結果示於以下之表1。 (間隔層之吸水率) 對於在試驗體A6及B6之製作中使用之間隔膜，與實施例1同樣地測定吸水率。 將其結果示於以下之表1。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2 比較例3
間隔件所含之樹脂 PI PI PEEK PPS PEI PET
間隔層厚度 50 75 50 50 50 50
260℃下之 2080 1940 122 92 0.53 0.20
拉伸儲存模數[MPa]
吸水率[質量%] 1.3 1.7 0.1 0.3 0.6 0.3
吸濕後之260℃下之 2.45 2.54 2.11 1.12 1.28 N.D.
剪切接著力[MPa]
接著劑層厚度[μm] 120 120 120 120 120 120
剝離性 優 優 優 不合格 不合格 不合格
根據表1可知，對於260℃下之間隔層之拉伸儲存模數值為100 MPa以上之實施例1～3，剝離性之評價均為「優」，與此相對，於260℃下之間隔件之拉伸儲存模數未達100 MPa之比較例1及2，剝離性之評價均為「不合格」。 再者，圖9A示出實施例1之光學顯微鏡觀察結果，圖9B示出比較例1之光學顯微鏡觀察結果，可知圖9A中未發現剝離，與此相對，圖9B中發現剝離。 由該結果可知，藉由使260℃下之間隔層之拉伸儲存模數值為100 MPa以上，能夠抑制於半導體裝置之製造時因焊接造成之黏晶層自間隔層之剝離，因此，能夠在半導體裝置中相對充分地抑制間隔層自黏晶層之剝離。 即，能夠使焊接時之問題不易產生。 又，由於間隔層由PI等樹脂膜構成，因此與使用矽晶圓或金屬箔等作為間隔件之情況相比，能夠容易地製造半導體裝置。 再者，實施例1～3中，間隔層之吸水率之值均為3質量%以下，又，吸濕後之260℃下之剪切接著力之值均為0.5 MPa以上，進而，接著劑層之厚度處於3 μm以上且300 μm以下之範圍。
1:基材層 2:黏著劑層 3:接著劑層 4:間隔層 5a:黏晶膜 5b:黏晶膜 6a:控制器晶片 6b:記憶體晶片 7:接合線 10:切割帶 20:積層膜 30:佈線基板 100a:裝置 100b:裝置 100b':裝置 100c:裝置 101a:第1積層體捲出部 101b:第2積層體捲出部 101b':第2積層體捲出部 101c:第4積層體捲出部 102a:轉印帶捲出部 102b:剝離片材捲取部 102b':剝離片材捲取部 102c:轉印帶捲取部 103a:第2積層體捲取部 103b:去除帶捲出部 103b':去除帶捲出部 103c:剝離帶捲出部 104b:去除帶捲取部 104b':去除帶捲取部 104c:第5積層體捲取部 105b:切割帶捲出部 105b':切割帶捲出部 106b:第4積層體捲取部 106b':第4積層體捲取部 200:沖裁加工部 200':沖裁加工部 F:間隔用接著膜 H:剝離片材 H1:剝離帶 L: L1:第1積層體 L2:第2積層體 L3:第3積層體 L4:第4積層體 L5:第5積層體 M:記憶體晶片積層體 S:去除帶 T:轉印帶
圖1係表示本發明之一實施方式之積層膜之構成之剖視圖。 圖2A係用於對本發明之一實施方式之積層膜之使用例進行說明之圖，且係表示控制器晶片安裝於佈線基板上且藉由接合線與佈線基板電性連接之狀態之圖。 圖2B係用於對本發明之一實施方式之積層膜之使用例進行說明之圖，且係表示控制器晶片與接合線經本發明之一實施方式之積層膜之接著劑層嵌埋之狀態之圖。 圖2C係用於對本發明之一實施方式之積層膜之使用例進行說明之圖，且係表示於本發明之一實施方式之積層膜之間隔層上使記憶體晶片於高度方向上積層之狀態之圖。 圖3A係用於對本發明之一實施方式之積層膜之另一使用例進行說明之圖，且係用於對另一第1使用例進行說明之圖。 圖3B係用於對本發明之一實施方式之積層膜之另一使用例進行說明之圖，且係用於對另一第2使用例進行說明之圖。 圖3C係用於對本發明之一實施方式之積層膜之另一使用例進行說明之圖，且係用於對另一第3使用例進行說明之圖。 圖3D係用於對本發明之一實施方式之積層膜之另一使用例進行說明之圖，且係用於對另一第4使用例進行說明之圖。 圖3E係用於對本發明之一實施方式之積層膜之另一使用例進行說明之圖，且係用於對另一第5使用例進行說明之圖。 圖4A係用於對本發明之一實施方式之積層膜之製造方法之一例進行說明之圖，且係表示製造裝置之一例之圖。 圖4B係用於對本發明之一實施方式之積層膜之製造方法之一例進行說明之圖，且係表示第1積層體之構成之圖。 圖5A係用於對本發明之第一實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係表示製造裝置之一例之圖。 圖5B係用於對本發明之第一實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係表示第2積層體之構成之圖。 圖5C係用於對本發明之第一實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係表示沖裁成特定形狀之部分以外之接著劑層與間隔層已被去除之第3積層體之構成之剖視圖。 圖5D係用於對本發明之第一實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係表示第4積層體之構成之剖視圖。 圖6A係用於對本發明之第一實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係用於對切條加工進行說明之俯視圖。 圖6B係用於對本發明之第一實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係用於對預切割加工進行說明之俯視圖。 圖7A係用於對本發明之第二實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係表示製造裝置之一例之圖。 圖7B係用於對本發明之第二實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係表示第2積層體之構成之剖視圖。 圖7C係用於對本發明之第二實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係表示沖裁成特定形狀之部分以外之接著劑層與間隔層已被去除之第3積層體之構成之剖視圖。 圖7D係用於對本發明之第二實施方式之積層膜之製造方法進行說明之圖，且係表示第4積層體之構成之剖視圖。 圖8A係用於對本發明之第二實施方式之積層膜之製造方法之一例進行說明之圖，且係表示製造裝置之一例之圖。 圖8B係用於對本發明之第二實施方式之積層膜之製造方法之一例進行說明之圖，且係表示第4積層體之構成之剖視圖。 圖8C係用於對本發明之第二實施方式之積層膜之製造方法之一例進行說明之圖，且係表示已將轉印帶剝離之第4積層體之構成之剖視圖。 圖8D係用於對本發明之第二實施方式之積層膜之製造方法之一例進行說明之圖，且係表示第5積層體之構成之剖視圖。 圖9A係表示未自間隔層剝離黏晶層之狀態之顯微鏡照片(實施例1)。 圖9B係表示自間隔層剝離了黏晶層之狀態之顯微鏡照片(比較例1)。
1:基材層
2:黏著劑層
3:接著劑層
4:間隔層
10:切割帶
20:積層膜
F:間隔用接著膜

Claims (7)

  1. 一種積層膜，其積層有間隔用接著膜與切割帶，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層， 上述間隔層由樹脂膜構成，該間隔層在溫度260℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上。
  2. 如請求項1之積層膜，其中上述間隔層在溫度85℃且相對濕度85%RH之環境中暴露168小時後之吸水率為3質量%以下。
  3. 如請求項1或2之積層膜，其中上述間隔層具有3 μm以上且300 μm以下之厚度。
  4. 如請求項1或2之積層膜，其中上述接著劑層具有10 μm以上且200 μm以下之厚度， 上述間隔用接著膜被單片化而作為附接著劑層之間隔件使用， 該附接著劑層之間隔件於安裝有複數個半導體晶片之佈線基板中使用，且 其用於將上述複數個半導體晶片內之一半導體晶片配置於比另一半導體晶片更高之位置。
  5. 如請求項1或2之積層膜，其中上述間隔層由包含選自由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、及聚醚醚酮樹脂所組成之群中之至少1種樹脂組合物構成。
  6. 一種半導體裝置之製造方法，其係製造具備安裝有複數個半導體晶片之佈線基板之半導體裝置之方法，包括： 對積層有間隔用接著膜與切割帶之積層膜進行切割，上述間隔用接著膜積層有間隔層與接著劑層； 藉由該切割將上述間隔用接著膜單片化，從而製作附接著劑層之間隔件；及 為了將上述複數個半導體晶片內之一半導體晶片配置於比另一半導體晶片更高之位置，於該一半導體晶片與上述佈線基板之間介裝上述附接著劑層之間隔件； 作為該附接著劑層之間隔件，使用上述間隔層由樹脂膜構成、且該間隔層在溫度260℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上之附接著劑層之間隔件。
  7. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其製作如下半導體裝置： 上述附接著劑層之間隔件之間隔層具備：積層有上述接著劑層之第1面、及與該第1面為相反面之第2面， 於該第2面經由黏晶膜積層上述一半導體晶片， 於溫度85℃且相對濕度85%RH之環境下暴露168小時後，在溫度260℃下測定上述黏晶膜與上述間隔層之間之剪切接著力時，該剪切接著力為0.5 MPa以上。
TW110141837A 2020-11-20 2021-11-10 積層膜及半導體裝置之製造方法 TW202236491A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-193700 2020-11-20
JP2020193700A JP2022082247A (ja) 2020-11-20 2020-11-20 積層フィルム及び半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202236491A true TW202236491A (zh) 2022-09-16

Family

ID=81595335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110141837A TW202236491A (zh) 2020-11-20 2021-11-10 積層膜及半導體裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022082247A (zh)
KR (1) KR20220069825A (zh)
CN (1) CN114520180A (zh)
TW (1) TW202236491A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4954569B2 (ja) 2006-02-16 2012-06-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114520180A (zh) 2022-05-20
JP2022082247A (ja) 2022-06-01
KR20220069825A (ko) 2022-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4801127B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP5322609B2 (ja) 半導体装置製造用フィルムロール
TWI643931B (zh) Tape for electronic device packaging
JP5580730B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP2012142368A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP2014082498A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
TW202035605A (zh) 接著膜、附有切晶帶之接著膜、及半導體裝置製造方法
TW202039727A (zh) 附有接著膜之切晶帶
KR20140142676A (ko) 열경화형 다이 본딩 필름, 다이싱 시트 부착 다이 본딩 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2012186361A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
TW201803052A (zh) 電子裝置封裝，電子裝置封裝之製造方法及電子裝置封裝用膠帶
JP2020053451A (ja) 電子デバイスパッケージ用テープ
JP2020053453A (ja) 電子デバイスパッケージ用テープ
KR20110110002A (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
JP5656741B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP6655576B2 (ja) 電子デバイスパッケージ用テープ
TW202236491A (zh) 積層膜及半導體裝置之製造方法
JP6440657B2 (ja) 電子デバイス用テープ
JP2019125666A (ja) 接着シートロール及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
JP2021185610A (ja) 電子デバイスパッケージ用テープ
TW202225358A (zh) 附間隔件之切晶接著膜
TW202226386A (zh) 附間隔件之切晶接著膜
KR101602025B1 (ko) 점착 필름 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프
JP2011126934A (ja) 接着シート、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2012186360A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子