TW202225358A - 附間隔件之切晶接著膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種附間隔件之切晶接著膜，其具備：切晶帶、重疊於該切晶帶之一面之接著層、以及重疊於該接著層之間隔層，於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的上述間隔層之彎曲剛度為0.1 N·mm 2以上。

Description

附間隔件之切晶接著膜
本發明係關於一種例如於製造半導體積體電路時使用之附間隔件之切晶接著膜。
製造半導體積體電路之方法一般具備：藉由高積體之電子線路於晶圓之單面側形成電路面之前續步驟、以及自形成有電路面之晶圓切出晶片並進行組裝之後續步驟。 隨著近年來之積體化技術之進一步發展，於後續步驟中，例如有時會複數次重疊NAND型記憶體晶片來組裝半導體積體電路。該情形時，例如製造於控制用之控制器晶片上重疊有複數個記憶用之NAND晶片之結構之半導體積體電路。該結構之半導體積體電路中，例如於控制用之控制器晶片與離該晶片最近之記憶用之NAND晶片之間配置間隔層。
先前，已知有於如上所述之半導體積體電路之製造中使用之加工用膜。此種加工用膜根據目的而有各種類型，根據各目的而於上述後續步驟中使用。 作為加工用膜，已知有例如用於將半導體晶片貼附於被接著體之切晶黏晶膜。切晶黏晶膜具備：切晶帶，其具有基材層及黏著劑層；以及黏晶層，其積層於該切晶帶之黏著劑層且接著於被接著體。 另一方面，作為加工用膜，已知有一種附間隔件之切晶接著膜，其為了將上述間隔層接著於被接著體而具有：間隔層；接著層，其用於將該間隔層接著於被接著體；以及切晶帶，其重疊於接著層。
例如，於半導體積體電路之製造中之後續步驟中，首先，實施第1步驟，其中，使用具有切晶帶及黏晶層之切晶黏晶膜作為加工用膜，如圖1A所示，使用切晶黏晶膜將經小片化之控制用之控制器晶片w'經由黏晶層d'固定於被接著體(配線基板Z等)之表面。其次，實施第2步驟，其中，使用具有切晶帶、接著層及間隔層之附間隔件之切晶接著膜作為加工用膜，如圖1B所示，使用該膜將經小片化之間隔層經由接著層固定於被接著體(配線基板Z)之表面。繼而，實施第3步驟，其中，使用如上所述之切晶黏晶膜作為加工用膜，如圖1C所示，使用切晶黏晶膜將經小片化之記憶用之NAND晶片w''經由黏晶層d''固定於間隔層10上，進一步同樣地重疊記憶用之NAND晶片w''。 經過該等步驟來製造如上所述之半導體積體電路。
此處，第2步驟中，例如實施下述步驟：使用具備由較薄之矽晶圓形成之間隔層之附間隔件之切晶接著膜，藉由刀片切晶等於間隔層及接著層形成溝槽並割斷成小片之步驟；將貼附有接著層之狀態之經小片化之間隔層自切晶帶剝離之步驟；以及將貼附有接著層之狀態之間隔層接著於被接著體(配線基板)之步驟。
於此種半導體積體電路之製造方法中，作為第2步驟中使用之附間隔件之切晶接著膜，已知有具備由金屬箔形成之間隔層代替由矽晶圓形成之間隔層者(例如專利文獻1)。
詳細而言，專利文獻1記載之附間隔件之切晶接著膜中之間隔層為壓延鋼箔或不鏽鋼箔等金屬箔。 根據專利文獻1記載之附間隔件之切晶接著膜，由於間隔層為金屬箔而非矽晶圓，因此能夠維持穩定之製造供給而不受矽晶圓之供給量不足之影響。又，由於無需用於減薄矽晶圓之厚度之背面研磨步驟，因此能夠簡化半導體積體電路之製造步驟。
然而，為了藉由間隔層來確保重疊於間隔層上之記憶用之NAND晶片與配線基板之間之電絕緣性，作為間隔層之材質，與導電性之金屬相比，具有電絕緣性之樹脂更為合適。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-220913號公報
[發明所欲解決之問題]
因此，考慮採用樹脂製之間隔層，但若將貼附有黏晶層之狀態之晶片(NAND晶片等)重疊於某種樹脂製之間隔層上，則有時會由於間隔層與黏晶層之貼附不良導致於間隔層與黏晶層之間發生剝離而難以積層晶片。
為了防止此種問題，期望如下之附間隔件之切晶接著膜，其間隔層為樹脂製，且能夠抑制將晶片(die)重疊於間隔層時之剝離。 然而，對於能夠抑制將晶片(die)重疊於樹脂製之間隔層時之剝離之附間隔件之切晶接著膜，還稱不上進行了充分研究。
本發明之課題在於提供一種能夠抑制將晶片(die)重疊於樹脂製之間隔層時之剝離的附間隔件之切晶接著膜。 [解決問題之技術手段]
為了解決上述問題，本發明之附間隔件之切晶接著膜之特徵在於，其具備： 接著層，其接著於被接著體；樹脂製之間隔層，其重疊於該接著層之一面；以及切晶帶，其重疊於上述接著層之另一面且保持上述接著層及上述間隔層； 於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的上述間隔層之彎曲剛度為0.1 N·mm 2以上。
根據上述構成之附間隔件之切晶接著膜，能夠抑制將晶片(die)重疊於間隔層時之剝離。
上述附間隔件之切晶接著膜較佳為於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的上述間隔層之彈性模數為2 GPa以上且20 GPa以下。藉此，能夠進一步抑制將晶片(die)重疊於間隔層時之剝離。
上述附間隔件之切晶接著膜中，上述間隔層之厚度可為3 μm以上且120 μm以下。 上述附間隔件之切晶接著膜中，上述接著層之厚度可為100 μm以上且150 μm以下。 藉此，能夠進一步抑制將晶片(die)重疊於間隔層時之剝離。
上述附間隔件之切晶接著膜中，上述間隔層之材質較佳為選自由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯并咪唑、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮所組成之群中之至少1種。藉此，能夠進一步抑制將晶片(die)重疊於間隔層時之剝離。
上述附間隔件之切晶接著膜亦可於製造晶片埋入型之半導體積體電路時用於埋入半導體晶片。
以下，一面參照附圖一面對本發明之附間隔件之切晶接著膜之實施方式進行說明。
本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1如圖2所示，為長條片材，且在使用之前以捲繞之狀態保存。將沿圖2中之III-III線沿厚度方向切斷之剖視圖示於圖3。 如圖3所示，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1具備：接著層20，其接著於被接著體；樹脂製之間隔層10，其重疊於接著層20之一面；以及切晶帶30，其重疊於接著層20之另一面且保持接著層20及間隔層10。接著層20於半導體積體電路之製造中會被接著於電路基板或半導體晶片等被接著體。 如圖2及圖3所示，於自厚度方向之一側觀察附間隔件之切晶接著膜1時，切晶帶30為帶狀，間隔層10及接著層20為圓形且沿切晶帶30之長度方向排列。 本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1可以利用接著層20埋入控制用之控制器晶片w'之方式將接著層20接著於基板Z來使用。又，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1可用於在經由接著層20接著於基板Z之間隔層10上接著NAND型記憶體晶片w''。 再者，如圖3所示，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1可進一步具備保護間隔層10之表面以及切晶帶30之黏著劑層32之表面之一部分之保護膜(剝離帶H)。
＜附間隔件之切晶接著膜之間隔層＞ 間隔層10於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的彎曲剛度為0.1 N·mm 2以上。 由於上述彎曲剛度為0.1 N·mm 2以上，因此能夠抑制間隔層10之表面之凹凸。因此，於將附黏晶層d''之半導體晶片w''接著於樹脂製之間隔層10之表面時，能夠抑制接著剝離。藉此，能夠在間隔層10為樹脂製之同時抑制將晶片w''(die)重疊於間隔層10時之剝離。 上述彎曲剛度可為0.2 N·mm 2以上。再者，上述彎曲剛度可為1.5 N·mm 2以下，亦可為1.2 N·mm 2以下。
上述彎曲剛度藉由下述式(1)算出。於式(1)中，b表示長方形之間隔層10(藉由切晶而小片化之使用時之大小)之長度方向長度(正方形之情形時為一邊之長度)，F表示拉伸彈性模數，h表示間隔層10之厚度，λ表示自間隔層10上緣至中性軸為止之距離。具體而言，上述彎曲剛度藉由後文之實施例中記載之方法進行測定。 再者，式(1)中之拉伸彈性模數藉由後述之方法進行測定。
Figure 02_image001
由式(1)亦可知，上述彎曲剛度可藉由提高間隔層10之彈性模數、藉由增厚間隔層10之厚度等來增大。另一方面，上述彎曲剛度可藉由降低間隔層10之彈性模數、藉由減薄間隔層10之厚度等來減小。
間隔層10於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的彈性模數較佳為2 GPa以上且20 GPa以下。藉此，能夠進一步抑制將晶片w''(die)重疊於樹脂製之間隔層10時之剝離。 上述彈性模數可為10 GPa以下，亦可為5 GPa以下，亦可為3 GPa以下。
上述拉伸彈性模數之測定方法如下。自間隔層10切出長度40 mm、寬度10 mm大小之測定用樣品，使用固體黏彈性測定裝置測定自-30℃至300℃為止之拉伸儲存彈性模數。測定條件為頻率1 Hz、升溫速度10℃/min、卡盤間距20.0 mm。然後，採用70℃以上且150℃以下之特定溫度(例如110℃)下之儲存彈性模數之測定值作為上述拉伸彈性模數。
上述拉伸彈性模數可藉由採用彈性模數更高之材料作為構成間隔層10之材料、藉由在間隔層10中提高彈性模數更高之材料之含有率等來增大。另一方面，上述拉伸彈性模數可藉由採用彈性模數更低之材料作為構成間隔層10之材料、藉由在間隔層10中提高彈性模數更低之材料之含有率等來減小。
上述加熱設定溫度為70℃以上且150℃以下之範圍中之特定之1個溫度。上述加熱設定溫度可為100℃以上且150℃以下之範圍中之1個溫度，亦可為110℃。 該加熱設定溫度係使用附間隔件之切晶接著膜1時之溫度。具體而言，為了將與間隔層10重疊之接著層20接著於被接著體(基板Z、控制用之控制器晶片基片等)而進行加熱處理時之溫度相當於上述加熱設定溫度。
間隔層10之厚度(平均厚度)可為3 μm以上且120 μm以下，亦可為10 μm以上且100 μm以下，亦可為40 μm以上且80 μm以下。 再者，間隔層10之厚度藉由對隨機選擇之至少5處之厚度之測定值進行平均來算出。於間隔層10為積層體之情形時，間隔層10之厚度為該積層體之厚度(間隔層10之總厚度)。
間隔層10為樹脂製。間隔層10通常包含至少50質量%之樹脂。間隔層10之材質較佳為選自由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯并咪唑、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮所組成之群中之至少1種，更佳為聚醯亞胺及聚醚醯亞胺中之至少一者，進一步較佳為聚醯亞胺。 換言之，間隔層10較佳為聚醯亞胺製、聚醯胺醯亞胺製、聚苯并咪唑製、聚醚醯亞胺製、聚苯硫醚製、聚醚醚酮製等。 藉由使間隔層10之材質為上述材質，能夠進一步抑制將晶片w''(die)重疊於間隔層10時之剝離。
＜附間隔件之切晶接著膜之接著層＞ 接著層20之厚度(平均厚度)並無特別限定，例如為1 μm以上且200 μm以下。該厚度較佳為100 μm以上且150 μm以下，更佳為100 μm以上且130 μm以下。再者，於接著層20為積層體之情形時，接著層20之厚度為該積層體之厚度(接著層20之總厚度)。 接著層20之厚度藉由對隨機選擇之至少10處之厚度之測定值進行平均來算出。 於接著層20之厚度為例如100 μm以上之較厚之情形時，適宜用於後述之FOD用途(於製造晶片埋入型之半導體積體電路時用於埋入半導體晶片之用途)。
接著層20例如如圖3所示，可具有單層結構。於本說明書中，單層係指僅具有由相同組合物形成之層。積層有複數個由相同組合物形成之層之形態亦屬於單層。 另一方面，接著層20例如可具有將由2種以上之不同組合物分別形成之層積層而成之多層結構。
接著層20可包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂中之至少一者。接著層20較佳為包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂。
作為熱硬化性樹脂，例如可例舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。作為上述熱硬化性樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。就更少含有可能成為作為黏晶對象之半導體晶片之腐蝕原因的離子性雜質等之方面而言，作為上述熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂。作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。
作為上述環氧樹脂，例如可例舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型、或縮水甘油胺型之各環氧樹脂。
酚樹脂可作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用。作為酚樹脂，例如可例舉：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛樹脂型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。 作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可例舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等。 作為上述酚樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。
於接著層20中，相對於環氧樹脂之環氧基1當量，酚樹脂之羥基較佳為0.5當量以上且2.0當量以下，更佳為0.7當量以上且1.5當量以下。藉此，能夠使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分進行。
於接著層20包含熱硬化性樹脂之情形時，相對於接著層20之總質量，接著層20中之該熱硬化性樹脂之含有比率較佳為5質量%以上且60質量%以下，更佳為10質量%以上且50質量%以下。藉此，能夠於接著層20中恰當地表現作為熱硬化型接著劑之功能。
作為接著層20中可包含之熱塑性樹脂，例如可例舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-聚醯胺樹脂或6,6-聚醯胺樹脂等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。 作為上述熱塑性樹脂，就由於離子性雜質較少且耐熱性較高而能夠進一步確保接著層20之接著性之方面而言，較佳為丙烯酸系樹脂。 作為上述熱塑性樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。
上述丙烯酸系樹脂較佳為分子中之結構單元中(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元按質量比率計最多之聚合物。作為該(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可例舉烷基部分(通常為飽和烴)之碳數為2以上且4以下之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯。 上述丙烯酸系樹脂可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯單體共聚之其他單體成分之結構單元。 作為上述其他單體成分，例如可例舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基(氫氧基)單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體、或其他各種多官能性單體等。 就能夠於接著層20中發揮更高之凝聚力之方面而言，上述丙烯酸系樹脂較佳為(甲基)丙烯酸烷基酯(尤其是烷基部分之碳數為4以下之(甲基)丙烯酸烷基酯)、含羧基單體、含氮原子單體以及多官能性單體(尤其是聚縮水甘油基系多官能單體)之共聚物，更佳為丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈以及聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之共聚物。
於接著層20包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之情形時，相對於除填料外之有機成分(例如熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂、硬化觸媒等、矽烷偶合劑、染料)之總質量，接著層20中之上述熱塑性樹脂之含有比率較佳為5質量%以上且50質量%以下，更佳為10質量%以上且45質量%以下，進一步較佳為20質量%以上且40質量%以下。再者，藉由改變熱硬化性樹脂之含有比率，能夠調節接著層20之彈性或黏性。
於接著層20之熱塑性樹脂具有熱硬化性官能基之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可採用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂較佳為於分子中以最多之質量比率包含源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。作為該(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可例舉上述例示之(甲基)丙烯酸烷基酯。 另一方面，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基，例如可例舉：縮水甘油基、羧基、羥基(氫氧基)、異氰酸基等。 接著層20較佳為包含含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂及硬化劑。作為硬化劑，例如可例舉作為黏著劑層32中可包含之硬化劑所例示者(異氰酸酯化合物等)。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，較佳為使用分子中具有複數個酚結構之化合物作為硬化劑。例如可使用上述各種酚樹脂作為硬化劑。
接著層20較佳為含有填料。藉由改變接著層20中之填料之量，能夠更容易地調節接著層20之彈性及黏性。進而，能夠調節接著層20之導電性、導熱性、彈性模數等物性。 作為填料，可例舉無機填料及有機填料。作為填料，較佳為無機填料。 作為無機填料，例如可例舉包含氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶質二氧化矽或非晶質二氧化矽之類的二氧化矽等之填料。又，作為無機填料之材質，可例舉：鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質、或合金等。可為硼酸鋁晶鬚、非晶碳黑、石墨等填料。填料之形狀可為球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。作為填料，可僅採用上述中之1種或採用2種以上。
於接著層20包含填料之情形時，相對於接著層20之總質量，上述填料之含有比率較佳為30質量%以上且70質量%以下，更佳為40質量%以上且60質量%以下，進一步較佳為40質量%以上且55質量%以下。
接著層20根據需要可包含其他成分。作為上述其他成分，例如可例舉：硬化觸媒、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、染料等。 作為阻燃劑，例如可例舉：三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。 作為矽烷偶合劑，例如可例舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。 作為離子捕捉劑，例如可例舉：水滑石類、氫氧化鉍、苯并三唑等。 作為上述其他添加劑，可僅採用1種或採用2種以上。
就容易調節彈性及黏性之方面而言，接著層20較佳為包含熱塑性樹脂(尤其是丙烯酸系樹脂)、熱硬化性樹脂及填料。 相對於接著層20之總質量，熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂之含有比率較佳為20質量%以上且95質量%以下，更佳為30質量%以上且90質量%以下，進一步較佳為40質量%以上且85質量%以下。
於使用本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1時，可藉由加熱處理等使接著層20硬化。例如，可藉由以利用接著層20覆蓋基板Z上之控制用之控制器晶片w'之方式，將附間隔層10之接著層20接著於基板Z，然後實施加熱處理(例如於70℃以上且150℃以下硬化)，從而使接著層20硬化。
本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1於使用前之狀態下，可具備覆蓋間隔層10之一面(間隔層10未與接著層20重疊之面)之剝離帶。剝離帶用於保護間隔層10，例如在即將使用前剝離。
其次，對貼附於上述接著層20之切晶帶30進行詳細說明。
＜附間隔件之切晶接著膜之切晶帶＞ 上述切晶帶30通常為帶狀，將其繃在具有比要進行割斷處理之矽晶圓大一圈之內徑之圓環狀之框上，進行切晶並使用。
上述切晶帶30具備基材層31、以及重疊於該基材層31之黏著劑層32。
基材層31可為單層結構，亦可具有積層結構。 基材層31支持黏著劑層32。基材層31包含樹脂。作為基材層31中包含之樹脂，可例舉：聚烯烴(聚丙烯(PP)、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、α-烯烴等)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯酸甲酯(EMA)、乙烯-丙烯酸乙酯(EEA)、乙烯-甲基丙烯酸甲酯(EMMA)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、氫化苯乙烯系熱塑性彈性體(SEBS)、苯乙烯乙烯丙烯苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、氟樹脂、纖維素樹脂、聚矽氧樹脂及離子聚合物樹脂等。
基材層31可包含1種上述樹脂，亦可包含2種以上。 再者，於如後所述地黏著劑層32為藉由紫外線而硬化之層之情形時，基材層31較佳為以具有紫外線透過性之方式構成。
基材層31可為藉由無延伸成形而獲得者，亦可為藉由延伸成形而獲得者。較佳為藉由延伸成形而獲得之基材層31。
基材層31之厚度(總厚度)較佳為55 μm以上且195 μm以下，更佳為55 μm以上且190 μm以下，進一步較佳為55 μm以上且170 μm以下，最適宜為60 μm以上且160 μm以下。 基材層31之厚度例如可藉由使用度盤規(PEACOCK公司製造、型號R-205)測定隨機選擇之5點之厚度並對該等厚度進行算術平均來求出。
基材層31較佳為由樹脂膜構成。 為了提高與黏著劑層32之密接性，可對基材層31之表面實施表面處理。作為表面處理，例如可採用鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離輻射處理等基於化學方法或物理方法之氧化處理等。又，可實施基於增黏塗劑、底塗劑、接著劑等塗佈劑之塗佈處理。
對於基材層31之背面側(未重疊黏著劑層32之一側)，為了賦予剝離性，例如可藉由聚矽氧系樹脂或氟系樹脂等脫模劑(剝離劑)等來實施脫模處理。 就可自背面側對黏著劑層32賦予紫外線等活性能量線之方面而言，基材層31較佳為透光性(紫外線透過性)之樹脂膜等。
上述切晶帶30在使用前之狀態下，可具備覆蓋黏著劑層32之一面(黏著劑層32未與基材層31重疊之面)之剝離帶。於將面積小於黏著劑層32之接著層20以容納於黏著劑層32之方式進行配置之情形時，剝離帶以覆蓋黏著劑層32及接著層20兩者之方式進行配置。剝離帶用於保護黏著劑層32，在將接著層20貼附於黏著劑層32之前剝離。
作為剝離帶，例如可使用利用聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離劑進行了表面處理之塑膠膜或紙等。 又，作為剝離帶，例如可使用聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等氟系聚合物製之膜；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴製之膜；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯製之膜等。 又，作為剝離帶，例如可使用利用氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行了表面塗佈之塑膠膜或紙類等。
於本實施方式中，黏著劑層32例如包含丙烯酸系聚合物、異氰酸酯化合物以及聚合起始劑。 黏著劑層32可具有5 μm以上且40 μm以下之厚度。黏著劑層32之形狀及大小通常與基材層31之形狀及大小相同。
上述丙烯酸系聚合物於分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元、以及含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。結構單元係構成丙烯酸系聚合物之主鏈之單元。上述丙烯酸系聚合物中之各側鏈包含於構成主鏈之各結構單元中。 再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」之表述表示甲基丙烯酸酯(methacrylate)及丙烯酸酯(acrylate)中之至少一者。同樣地，「(甲基)丙烯酸」之表述表示甲基丙烯酸及丙烯酸中之至少一者。
於黏著劑層32中包含之丙烯酸系聚合物中，上述結構單元可藉由 1H-NMR、 13C-NMR等NMR(Nuclear Magnetic Resonance；核磁共振)分析、熱解GC/MS(Gas Chromatography-Mass Spectrometry；氣相層析質譜)分析及紅外光譜法等進行確認。再者，丙烯酸系聚合物中之上述結構單元之莫耳比率通常根據將丙烯酸系聚合物聚合時之調配量(投加量)算出。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元源自(甲基)丙烯酸烷基酯單體。換言之，(甲基)丙烯酸烷基酯單體發生聚合反應後之分子結構為(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。「烷基」之表述表示與(甲基)丙烯酸以酯鍵鍵結之烴部分之碳數。 (甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元中之烷基部分之烴部分可為飽和烴，亦可為不飽和烴。 再者，烷基部分較佳為不含含有氧(O)或氮(N)等之極性基。藉此，能夠抑制烷基聚合物之極性極端升高。因此，可抑制黏著劑層32對接著層20具有過度之親和性。因此，能夠更良好地將切晶帶30自接著層20剝離。烷基部分之碳數可為6以上且10以下(C6～10烷基)。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元，例如可例舉：(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正壬酯或異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯等各結構單元。
丙烯酸系聚合物具有含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元，該結構單元之羥基容易與異氰酸基反應。 藉由使具有含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之丙烯酸系聚合物與異氰酸酯化合物於黏著劑層32中共存，能夠使黏著劑層32適度硬化。因此，丙烯酸系聚合物能夠充分凝膠化。因此，黏著劑層32能夠維持形狀且發揮黏著性能。
含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元較佳為含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯之結構單元。「C2～C4烷基」之表述表示與(甲基)丙烯酸以酯鍵鍵結之烴部分之碳數。換言之，含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯單體表示(甲基)丙烯酸與碳數2以上且4以下之醇(通常為2元醇)以酯鍵鍵結而得之單體。 C2～C4烷基之烴部分通常為飽和烴。例如，C2～C4烷基之烴部分為直鏈狀飽和烴或支鏈狀飽和烴。C2～C4烷基之烴部分較佳為不含含有氧(O)或氮(N)等之極性基。
作為含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯之結構單元，例如可例舉：(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基正丁酯或(甲基)丙烯酸羥基異丁酯之類的(甲基)丙烯酸羥基丁酯之各結構單元。再者，於(甲基)丙烯酸羥基丁酯之結構單元中，羥基(-OH基)可與烴部分之末端之碳(C)鍵結，亦可與烴部分之除末端以外之碳(C)鍵結。
上述丙烯酸系聚合物包含於側鏈具有聚合性不飽和雙鍵之含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。 藉由使上述丙烯酸系聚合物包含含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元，可於拾取步驟前藉由照射活性能量線(紫外線等)來使黏著劑層32硬化。詳細而言，可藉由照射紫外線等活性能量線，由光聚合起始劑產生自由基，藉由該自由基之作用使丙烯酸系聚合物彼此進行交聯反應。藉此，可使照射前之黏著劑層32之黏著力藉由照射而降低。並且，能夠良好地將接著層20自黏著劑層32剝離。 再者，作為活性能量線，可採用紫外線、放射線、電子束。
關於含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元，具體而言，可具有含異氰酸基之(甲基)丙烯酸酯單體之異氰酸基與上述含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元中之羥基以胺基甲酸酯鍵鍵結而得之分子結構。
具有聚合性基之含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元可在丙烯酸系聚合物之聚合後製備。例如，藉由在(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含羥基之(甲基)丙烯酸酯單體共聚之後，使含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之一部分中之羥基與含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基進行胺基甲酸酯化反應，可獲得上述含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。
上述含異氰酸基之(甲基)丙烯酸酯單體較佳為於分子中具有1個異氰酸基且具有1個(甲基)丙烯醯基。作為該單體，例如可例舉(甲基)丙烯酸2-異氰酸根合乙酯。
本實施方式中之切晶帶30之黏著劑層32進一步包含異氰酸酯化合物。異氰酸酯化合物之一部分可為藉由胺基甲酸酯化反應等發生反應後之狀態。 異氰酸酯化合物於分子中具有複數個異氰酸基。藉由使異氰酸酯化合物於分子中具有複數個異氰酸基，能夠進行黏著劑層32中之丙烯酸系聚合物間之交聯反應。詳細而言，藉由使異氰酸酯化合物之一異氰酸基與丙烯酸系聚合物之羥基反應，並使另一異氰酸基與另一丙烯酸系聚合物之羥基反應，可進行經由異氰酸酯化合物之交聯反應。
作為異氰酸酯化合物，例如可例舉：脂肪族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯、或芳香脂肪族二異氰酸酯等二異氰酸酯。
進而，作為異氰酸酯化合物，例如可例舉：二異氰酸酯之二聚物或三聚物等聚合多異氰酸酯、聚亞甲基聚伸苯基多異氰酸酯。
此外，作為異氰酸酯化合物，例如可例舉使過量之上述異氰酸酯化合物與含活性氫之化合物反應而得之多異氰酸酯。作為含活性氫之化合物，可例舉含活性氫之低分子量化合物、含活性氫之高分子量化合物等。 再者，作為異氰酸酯化合物，亦可使用脲基甲酸酯化多異氰酸酯、縮二脲化多異氰酸酯等。 上述異氰酸酯化合物可單獨使用1種或將2種以上組合使用。
作為上述異氰酸酯化合物，較佳為芳香族二異氰酸酯與含活性氫之低分子量化合物之反應物。芳香族二異氰酸酯之反應物由於異氰酸基之反應速度較慢，因此可抑制包含該反應物之黏著劑層32之過度硬化。作為上述異氰酸酯化合物，較佳為於分子中具有3個以上異氰酸基者。
黏著劑層32中包含之聚合起始劑為可藉由所施加之熱能或光能來開始聚合反應之化合物。藉由使黏著劑層32包含聚合起始劑，可於對黏著劑層32施加熱能或光能時進行丙烯酸系聚合物間之交聯反應。詳細而言，能夠於具有含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之丙烯酸系聚合物之間開始聚合性基彼此之聚合反應，使黏著劑層32硬化。藉此，能夠降低黏著劑層32之黏著力，於拾取步驟中，能夠容易地將接著層20自硬化之黏著劑層32剝離。 作為聚合起始劑，例如可採用光聚合起始劑或熱聚合起始劑等。作為聚合起始劑，可使用常規之市售製品。
黏著劑層32可進一步包含除上述成分以外之其他成分。作為其他成分，例如可例舉：黏著賦予劑、塑化劑、填充劑、防老化劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑、抗靜電劑、界面活性劑、輕剝離劑等。其他成分之種類及使用量可根據目的來適當選擇。
本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1較佳為於製造晶片埋入型之半導體積體電路(FOD[Film on Die，晶片上膜]型半導體積體電路)時用於利用接著層20埋入半導體晶片。詳細而言，附間隔件之切晶接著膜1較佳為以利用接著層20埋入半導體晶片w'之方式將接著層20接著於基板Z來使用(參照圖1C、圖5A等)。 於本實施方式中，由於能夠於上述用途中使用具有樹脂製之間隔層10之附間隔件之切晶接著膜1，因此與使用間隔層為Si晶圓之先前之加工用膜相比，能夠縮短半導體積體電路之製造製程。具體而言，無需實施於Si晶圓貼附背面研磨帶並藉由背面研磨將Si晶圓加工成期望厚度之一系列步驟。又，能夠製作間隔層而不受Si晶圓供給不足之影響，能夠利用較廉價之樹脂來製作間隔層。 再者，附間隔件之切晶接著膜1可為了於控制用之控制器晶片w'之更上方確保用於積層記憶用之NAND晶片w''之空間而將接著層20接著於基板Z來使用(參照圖5B～圖5E等)。該情形時，附間隔件之切晶接著膜1可以利用接著層20埋入接合線L之方式將接著層20接著於基板Z來使用。
繼而，對本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1之製造方法進行說明。
＜附間隔件之切晶接著膜之製造方法＞ 本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1之製造方法具備下述步驟： 製作間隔層10之步驟， 製作接著層20之步驟， 製作切晶帶30之步驟，以及 將所製造之間隔層10、接著層20及切晶帶30重疊之步驟。
(製作間隔層之步驟) 製作間隔層10之步驟例如可具有下述步驟：製備用於形成間隔層10之樹脂組合物之樹脂組合物製備步驟；以及由樹脂組合物形成間隔層10之間隔層形成步驟。 另一方面，亦可採用市售之樹脂膜作為間隔層10。
(製作接著層之步驟) 製作接著層20之步驟具有下述步驟： 製備用於形成接著層20之樹脂組合物之樹脂組合物製備步驟；以及 由樹脂組合物形成接著層20之接著層形成步驟。
於樹脂組合物製備步驟中，例如藉由將環氧樹脂、環氧樹脂之硬化觸媒、丙烯酸系樹脂、酚樹脂、溶劑等混合並使各樹脂溶解於溶劑，從而製備樹脂組合物。藉由改變溶劑之量，可調節組合物之黏度。再者，作為該等樹脂，可使用市售之製品。
於接著層形成步驟中，例如將如上所述地製備之樹脂組合物塗佈於剝離片。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可採用輥塗敷、絲網塗敷、凹版塗敷等常規之塗佈方法。其次，根據需要，藉由脫溶劑處理或硬化處理等使所塗佈之組合物固化，形成接著層20。 再者，於接著層形成步驟中，亦可藉由將如上所述地製備之樹脂組合物塗佈於間隔層10，從而形成重疊於間隔層10之接著層20。
(製作切晶帶之步驟) 製作切晶帶30之步驟具備下述步驟： 合成步驟，其係合成丙烯酸系聚合物； 黏著劑層製作步驟，其係使溶劑自包含上述丙烯酸系聚合物、異氰酸酯化合物、聚合起始劑、溶劑、以及根據目的而適當追加之其他成分之黏著劑組合物中揮發來製作黏著劑層32； 基材層製作步驟，其係製作基材層31；以及 貼合步驟，其係將黏著劑層32與基材層31貼合。
於合成步驟中，例如藉由使(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含羥基之(甲基)丙烯酸酯單體進行自由基聚合，從而合成丙烯酸系聚合物中間物。 自由基聚合可藉由常規方法進行。例如，藉由使上述各單體溶解於溶劑，一面加熱一面攪拌，添加聚合起始劑，從而可合成丙烯酸系聚合物中間物。為了調節丙烯酸系聚合物之分子量，可於鏈轉移劑之存在下進行聚合。 其次，使丙烯酸系聚合物中間物中包含之含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之一部分羥基與含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基藉由胺基甲酸酯化反應而鍵結。藉此，含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之一部分成為含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。 胺基甲酸酯化反應可藉由常規方法進行。例如，於溶劑及胺基甲酸酯化觸媒之存在下，一面加熱一面攪拌丙烯酸系聚合物中間物及含異氰酸基之聚合性單體。藉此，可使含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基與丙烯酸系聚合物中間物之羥基之一部分以胺基甲酸酯鍵鍵結。
於黏著劑層製作步驟中，例如使丙烯酸系聚合物、異氰酸酯化合物、以及聚合起始劑溶解於溶劑來製備黏著劑組合物。藉由改變溶劑之量，可調節組合物之黏度。其次，將黏著劑組合物塗佈於剝離片。作為塗佈方法，例如可採用輥塗敷、絲網塗敷、凹版塗敷等常規塗佈方法。藉由對所塗佈之組合物實施脫溶劑處理或固化處理等，從而使所塗佈之黏著劑組合物固化來製作黏著劑層32。
於基材層製作步驟中，可藉由常規方法進行製膜來製作基材層31。作為進行製膜之方法，例如可例舉：壓延製膜法、於有機溶劑中之流延法、於密閉系統中之吹脹擠出法、T模擠出法、乾式層壓法等。可採用共擠出成形法。再者，作為基材層31，亦可使用市售之膜等。
於貼合步驟中，將與剝離片重疊之狀態之黏著劑層32與基材層31重疊來進行積層。再者，剝離片可於直至使用前為止處於與黏著劑層32重疊之狀態。 再者，為了促進交聯劑與丙烯酸系聚合物之反應，又，為了促進交聯劑與基材層31之表面部分之反應，於貼合步驟後，可於50℃環境下實施48小時之老化處理步驟。
藉由該等步驟，可製造切晶帶30。
(將附著有間隔層之接著層與切晶帶重疊之步驟) 將接著層20與切晶帶30重疊之步驟中，將接著層20貼附於如上所述地製造之切晶帶30之黏著劑層32。
該貼附中，分別自切晶帶30之黏著劑層32及接著層20將剝離片剝離，以使接著層20與黏著劑層32直接接觸之方式將兩者貼合。例如，可藉由壓接來進行貼合。貼合時之溫度並無特別限定，例如為30℃以上且50℃以下，較佳為35℃以上且45℃以下。貼合時之線壓並無特別限定，較佳為0.1 kgf/cm以上且20 kgf/cm以下，更佳為1 kgf/cm以上且10 kgf/cm以下。
＜附間隔件之切晶接著膜之製造方法(具體例)＞ 本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1如圖2及圖3所示，於長條片狀之切晶帶30之單面側重疊有間隔層10與接著層20之積層片。與切晶帶30重疊之積層片(間隔層10及接著層20)沿厚度方向觀察為圓形，複數個積層片沿切晶帶30之長度方向排成一行。此種形態之附間隔件之切晶接著膜1例如可如下地使用剝離帶H及轉印帶T來製造。
附間隔件之切晶接著膜1例如可使用如圖7A、圖8A及圖9A所示之各裝置(I、I'、I'')來製造。 首先，如圖6A所示，藉由在間隔層10(例如樹脂膜)上塗佈上述樹脂組合物，並使溶劑自樹脂組合物揮發，從而製作與間隔層10重疊之接著層20。其次，將剝離帶H貼附於接著層20，如圖6B所示，製作附剝離帶H之帶狀之積層片。再者，藉由在將上述樹脂組合物塗佈於剝離帶H並以同樣之方式製作之接著層20重疊間隔層10，亦可製作同樣之積層片。 繼而，將間隔層10與接著層20之積層片安裝於如圖7A所示之裝置。此時，如圖7B所示，使剝離帶H位於下側來配置積層片。一面使積層片通過裝置，一面於間隔層10上重疊轉印帶T。於該階段，將剝離帶H、間隔層10、接著層20以及轉印帶T所貼合而成之片暫時捲取。 進而，將暫時貼合之片安裝於如圖8A所示之裝置。此時，如圖8B所示，將轉印帶T配置於下側。一面使所貼合之片通過裝置，一面藉由沖切加工將剝離帶H及積層片沖切成圓形(特定形狀)。其次，藉由捲繞而去除沖切成圓形之部分以外之剝離帶H(圓形部分以外之周邊部分之剝離帶H)。然後，一面藉由裝置使所貼合之片之剩餘部分向下游方向移動，一面貼附去除帶S。藉由將暫時貼附之去除帶S捲繞，以使較薄之圓板狀之積層片殘留於轉印帶T上之方式將積層片之不需要之部分去除(參照圖8C)。繼而，以覆蓋相互分開排列之複數個積層片之方式，於複數個較薄之接著層20上重疊切晶帶30(參照圖8D)。此時，以切晶帶30之黏著劑層32與接著層20直接接觸之方式貼附。於該階段，將間隔層10、接著層20以及轉印帶T所貼合而成之片暫時捲取。藉此，形成轉印帶T貼附於切晶帶30、接著層20以及間隔層10積層而成之附間隔件之切晶接著膜1之狀態。既可以該狀態作為最終目標物，亦可為了去除轉印帶T而暫時捲取並進一步加入以下操作。 此外，將暫時捲取之附間隔件之切晶接著膜1(附有轉印帶T)安裝於如圖9A所示之裝置。此時，如圖9B所示，將轉印帶T配置於上側，並且將切晶帶30配置於下側。一面使附間隔件之切晶接著膜1通過裝置，一面去除轉印帶T(參照圖9C)。進而，可為了保護露出之間隔層10而將剝離帶H重疊於間隔層10(參照圖9D)。
再者，於圖7A、圖8A及圖9A中，向各裝置供給長條片材時之送出方向及回收長條片材時之捲取方向並無特別限定。詳細而言，配置於各裝置之最上游側之經捲取之長條片材可以內周側之面朝向上方之方式送出，亦可以外周側之面朝向上方之方式送出。又，配置於各裝置之最下流側並要捲取之長條片材可以上側之面朝向內周側之方式回收，亦可以上側之面朝向外周側之方式回收。 又，藉由如上所述之裝置製造之附間隔件之切晶接著膜1可進一步進行加工。例如，附間隔件之切晶接著膜1可根據製品之標準寬度實施將寬度方向之兩方之端部去除之分切加工步驟(圖10A)，然後實施如下預切步驟：使用沖切加工裝置(未圖示)，例如以比圓形之沖切部分(接著層20及間隔層10之沖切部分)稍大之尺寸(例如1.1倍以上且1.4倍以下)，自上側將切晶帶30沖切成特定形狀，並且將不需要之切晶帶30去除(參照圖10B)。
如上所述地製造之附間隔件之切晶接著膜1例如用作用於製造半導體積體電路之輔助用具。附間隔件之切晶接著膜1尤其於下述之第2步驟中使用。以下，對使用上之具體例進行說明。
＜製造半導體積體電路時之附間隔件之切晶接著膜之使用方法＞ 製造半導體積體電路之方法一般具備自形成有電路面之半導體晶圓切出晶片並進行組裝之步驟。 該步驟例如包括下述步驟： 第1步驟，其係將控制用之控制器晶片w'自半導體晶圓(裸晶圓)切出並固定於基板Z之表面； 第2步驟，其係自積層有接著層20及間隔層10之積層片切出附著有接著層20之狀態之間隔層10之小片並固定於基板Z之表面，藉由間隔層10形成用於重疊複數個記憶用之NAND晶片w''之基座；以及 第3步驟，其係將記憶用之NAND晶片w''自半導體晶圓(裸晶圓)切出，於間隔層10上重疊複數個記憶用之NAND晶片w''。 本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1例如於上述第2步驟中使用。
第1步驟為了將控制用之控制器晶片w'固定於被接著體(基板Z)之表面，例如具有下述步驟：為了藉由割斷處理將半導體晶圓加工成晶片w'(die)而於半導體晶圓上形成溝槽後實施藉由研削來減薄半導體晶圓之半切晶加工之步驟；將變薄之半導體晶圓之一面(例如與電路面為相反側之面)貼附於切晶帶30來將半導體晶圓固定於切晶帶30之步驟；擴大經半切晶加工之半導體晶片彼此之間隔來將半導體晶圓小片化為晶片w'之步驟；以貼附有黏晶層d'之狀態拾取半導體晶片w'(die)之取出步驟；以及將貼附有黏晶層d'之狀態之半導體晶片w'(die)接著(黏晶)於被接著體之步驟(參照圖1A)。
於實施第2步驟中之下述步驟時，本實施方式之切晶帶30(附間隔件之切晶接著膜)被用作製造輔助用具。 第2步驟為了將間隔層10及接著層20固定於被接著體(基板Z)之表面，例如具有下述步驟：將切晶環R安裝於附間隔件之切晶接著膜1之切晶帶30之步驟(參照圖4A)；利用切晶鋸B對接著層20及間隔層10實施刀片切晶加工來將其割斷成小片(die)之步驟(參照圖4B及圖4C)；利用吸附治具J將貼附有接著層20之狀態之經小片化之間隔層10自切晶帶30之黏著劑層32剝離來進行拾取之步驟(參照圖4D)；以及將貼附有接著層20之狀態之間隔層10接著於被接著體(基板Z)之步驟(參照圖1B)。
第3步驟中，為了於間隔層10上複數次重疊記憶用之NAND晶片w''，例如與第1步驟同樣地，拾取記憶用之NAND晶片w''並接著於被接著體(間隔層10)，進一步重疊記憶用之NAND晶片w''(參照圖1C)。貼附於記憶用之NAND晶片w''之黏晶層d''為了與間隔層10等接著，具有與接著層20同樣之構成(含有成分等)。
於近年來之半導體產業中，隨著積體化技術之進一步發展，NAND晶片之單位面積之容量正在增加。與之相隨，若為相同容量，則NAND晶片之尺寸正變得越來越小。例如，在於控制用之控制器晶片w'上積層記憶用之NAND晶片w''之類型之半導體積體電路中，若記憶用之NAND晶片w''之尺寸變小，則有可能難以利用記憶用之NAND晶片w''埋入控制器晶片w'，因此會難以組裝半導體積體電路。 對此，為了確保用於重疊記憶用之NAND晶片w''之空間，可使用本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1。例如，以利用上述接著層20埋入控制器晶片w'之方式，利用附間隔層10之接著層20覆蓋控制用之控制器晶片w'(參照圖1B)。可於如此配置之間隔層10上確實地重疊記憶用之NAND晶片w''。
再者，所製造之半導體積體電路之形態不限於如圖1C所示之形態，例如亦可為如圖5A～圖5E所示之各形態。
本實施方式之附間隔件之切晶接著膜係如上述所例示，但本發明並不限定於上述例示之附間隔件之切晶接著膜。 即，一般之附間隔件之切晶接著膜所使用之各種形態可在不損害本發明之效果之範圍內予以採用。
本說明書所揭示之內容包括以下構成。 (1)一種附間隔件之切晶接著膜，其具備：接著層，其接著於被接著體；樹脂製之間隔層，其重疊於該接著層之一面；以及切晶帶，其重疊於上述接著層之另一面且保持上述接著層及上述間隔層； 於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的上述間隔層之彎曲剛度為0.1 N·mm 2以上。 (2) 如上述(1)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的上述間隔層之彈性模數為2 GPa以上且20 GPa以下。 (3) 如上述(2)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述間隔層之厚度為3 μm以上且120 μm以下。 (4) 如上述(1)至(3)中任一項所述之附間隔件之切晶接著膜，其中上述接著層之厚度為100 μm以上且150 μm以下。 (5) 如上述(1)至(4)中任一項所述之附間隔件之切晶接著膜，其中上述間隔層之材質為選自由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯并咪唑、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮所組成之群中之至少1種。 (6) 如上述(1)至(5)中任一項所述之附間隔件之切晶接著膜，其於製造晶片埋入型之半導體積體電路時用於埋入半導體晶片。 (7) 如上述(1)至(6)中任一項所述之附間隔件之切晶接著膜，其於製造半導體積體電路時用於在上述間隔層上接著附黏晶層之半導體晶片之黏晶層， 上述黏晶層包含(與接著層同樣在前文說明之)熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂。 (8) 如上述(7)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述黏晶層進一步包含(與接著層同樣在前文說明之)填料。 (9) 如上述(8)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中於上述黏晶層中，相對於黏晶層之總質量，填料之含有比率為30質量%以上且70質量%以下。 [實施例]
其次，藉由實驗例對本發明進行更詳細之說明，但本發明並不限定於該等。
(實施例1～3及比較例1、2) 以如下方式製造間隔層及接著層之積層片。又，將該積層片之接著層與切晶帶貼合，分別製造表1所示之構成之附間隔件之切晶接著膜。
＜間隔層＞ 作為間隔層，準備了下述之樹脂膜。 ·聚醯亞胺膜A(厚度75 μm) (製品名「Kapton 300V」 DU PONT-TORAY公司製造) ·聚醯亞胺膜B(厚度50 μm) (製品名「Kapton 200V」 DU PONT-TORAY公司製造) ·聚醚醯亞胺膜(厚度50 μm) (製品名「Superio UT NB-型」 三菱化學公司製造) (比較用) ·聚醯亞胺膜C(厚度25 μm) (製品名「Kapton 100H」 DU PONT-TORAY公司製造) ·聚醯胺醯亞胺膜 (製品名「Mictron #12-GF10」 東麗公司製造)對位系之芳香族聚醯胺(芳綸)膜(厚度12 μm)
＜接著層之製作＞ 將下述原料加入至甲基乙基酮並混合，獲得接著層用組合物。下述表示各原料之詳情。 ·丙烯酸酯系聚合物溶液 100質量份 製品名「Teisan Resin SG-70L」(固形物成分濃度12.8質量%) 分子中含有羧基及羥基 Nagase ChemteX公司製造 ·環氧樹脂 1.7質量份 製品名「EPIKOTE YL980」 三菱化學公司製造 ·環氧樹脂 13質量份 製品名「EPICLON N-665-EXP-S」 DIC公司製造 ·酚樹脂(硬化劑) 15質量份 製品名「MEHC-7851SS」 明和化成公司製造 ·二氧化矽有機溶劑漿料 47質量份(含有60質量%之粉體) 製品名「SO-E2」(預先將粉體分散於MEK而得) Admatechs公司製造 ·硬化觸媒 0.085質量份 製品名「Curezol 2PHZ」 四國化成公司製造 ·稀釋溶劑 50質量份 MEK(甲基乙基酮) 其次，使用敷料器於下述之塗敷用基材之一面塗佈接著層用組合物。塗佈以乾燥後之厚度為特定厚度(實施例1中為120 μm)之方式進行，然後，藉由在120℃下乾燥處理2分鐘而使溶劑自接著層用組合物中揮發。如此獲得重疊於塗敷用基材上之接著層。 ·塗敷用基材(剝離片) 製品名「PET38」 Fujiko公司製造 於該接著層之露出之面貼附間隔層。
＜切晶帶之黏著劑層＞ (黏著劑層(黏著劑組合物)之製備) 準備下述原料。 ·2EHA(丙烯酸2-乙基己酯)：100質量份 ·HEA(丙烯酸2-羥基乙酯)：20質量份 ·AIBN(2,2'-偶氮二異丁腈)：適量 ·聚合溶劑(甲苯)：使上述單體濃度成為約55質量%之量 向裝備有圓底可分離式燒瓶(容量1 L)、溫度計、氮氣導入管及攪拌裝置之聚合用實驗裝置之圓底可分離式燒瓶內投入上述原料。一面攪拌一面使氮氣流入圓底可分離式燒瓶內，並且於 60℃下實施10小時之聚合反應，製備中間組合物。 將中間組合物冷卻至常溫後，相對於中間組合物100質量份，加入下述原料。 ·異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯 原料名「Karenz MOI」、昭和電工公司製造)：1.4質量份 ·二月桂酸二丁基錫IV(和光純藥工業公司製造)：0.1質量份 於大氣氣氛下於50℃下攪拌60小時，獲得丙烯酸系聚合物組合物。 最後，相對於上述丙烯酸系聚合物組合物之固形物成分100質量份，加入下述原料，獲得用於形成黏著劑層之黏著劑組合物。 異氰酸酯化合物(原料名「CORONATE L」、東曹公司製造)：1.1質量份 光聚合起始劑(原料名「IRGACURE 184」、IGM Resins公司製造)：3質量份 甲苯：使組合物之黏度成為約500 mPa·s之量 作為剝離用片，準備PET膜。使用敷料器於該PET膜之一表面(經脫模處理)塗佈黏著劑組合物，使得乾燥後之厚度為30 μm。於120℃下加熱乾燥2分鐘，形成重疊於PET膜(剝離片)之黏著劑層。 ＜切晶帶之製作＞ 作為基材層，準備厚度80 μm之聚乙烯膜。使用層壓機於室溫下將該聚乙烯膜與如上所述地製作之PET膜上之黏著劑層貼合。如此來製造切晶帶。
＜附間隔件之切晶接著膜之製造＞ 藉由於70℃下將切晶帶之黏著劑層與附著有間隔層之狀態之接著層貼合，製造具備間隔層及接著層、以及切晶帶之附間隔件之切晶接著膜。 詳細而言，於70℃下將間隔層與接著層(實施例1中為厚度120 μm)貼合來製作積層片。將該積層片切割成直徑330 mm之圓形。然後，於室溫下將經切割之積層片與切晶帶貼合。
按照上述方法，分別製造實施例及比較例之附間隔件之切晶接著膜。關於各膜之構成之詳情，示於表1。
＜間隔層之彈性模數(拉伸彈性模數)之測定＞ 利用裁切刀將各實施例及各比較例之間隔層切成長度40 mm、寬度10 mm之短條狀。其次，使用固體黏彈性測定裝置(RSAIII、Rheometric Scientific公司製造)，測定自-30℃至300℃為止之拉伸儲存彈性模數。測定條件設為頻率1 Hz、升溫速度10℃/min、卡盤間距20.0 mm。然後，讀取110℃下之儲存彈性模數之值作為彈性模數。
＜間隔層之彎曲剛度之算出＞ 基於如上所述地測得之彈性模數及上述式(1)等，算出各實施例及各比較例之間隔層之彎曲剛度。 再者，作為式(1)中之各值，例如於實施例1中分別採用b=12[mm]、F=2700[MPa]、h=0.075[mm]、λ=0.0375[mm]，算出彎曲剛度。b=12[mm]相當於在後文說明之使用性能試驗中之試驗樣品之長邊長度。
[表1]
   單位 實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2
間隔層之 結構 － 單層 單層 單層 單層 單層
間隔層之 材質 － 聚醯亞胺A 聚醯亞胺B 聚醚醯亞胺 聚醯亞胺C 聚醯胺醯亞胺
間隔層之 彎曲剛度 N·mm 2 1.14 0.36 0.27 0.05 0.01
間隔層之 彈性模數 GPa 2.70 2.92 2.17 3.28 6.13
間隔層之 厚度 μm 75 50 50 25 12
接著層之厚度 μm 120 120 120 120 120
評價結果 (自間隔層之剝離) [無剝離之數量/總數] 良好(○) [9/9] 良好(○) [9/9] 良好(○) [9/9] 不良(×) [0/9] 不良(×) [0/9]
＜使用性能之評價＞ (控制用之控制器晶片替代晶片之準備) 於70℃下將25 μm厚度之矽晶圓與切晶黏晶膜之黏晶層(厚度10 μm)貼合。再者，黏晶層係由與上述接著層相同之組合物形成。 使用DISCO公司製造之DFD6361實施刀片切晶。作為切晶刀片，Z1使用2030-SE27HCDD，Z2使用2030-SE27HCBB，進行分步切割 (step cut)。再者，以獲得1.3mm×3.0 mm大小之晶片之方式實施切晶。 (附間隔層之接著層(積層片)之切割) 使用DISCO公司製造之DFD6361實施刀片切晶。作為切晶刀片，Z1使用2030-SE27HCDD，Z2使用2030-SE27HCBB，進行分步切割(step cut)。再者，以獲得6.0 mm×12.0 mm大小之晶片狀之間隔件之方式實施切晶。 (記憶用之NAND晶片替代晶片之準備) 使用具有由以下組合物形成之黏晶層(厚度10 μm)之切晶黏晶膜，實施NAND晶片替代晶片之切晶。具體而言，準備厚度50 μm之矽晶圓，以獲得4.0 mm×12.0 mm大小之晶片之方式實施切晶。 ·丙烯酸酯系聚合物溶液 100質量份 製品名「Teisan Resin SG-P3」(固形物成分濃度15質量%)Nagase ChemteX公司製造 ·酚樹脂 1.8質量份 製品名「MEHC-7851SS」 明和化成公司製造 ·二氧化矽有機溶劑漿料 24質量份 製品名「SO-E2」(以粉體濃度為60質量%之方式預先分散於MEK) Admatechs公司製造 ·稀釋溶劑 26質量份 甲基乙基酮(MEK) (模擬半導體積體電路之組裝) 準備阻焊劑PSR-4000 AUS308(大昌電子公司製造)之BGA基板。 使用FASFORD TECHNOLOGY公司製造之黏晶機DB830plus+，於BGA基板中央對控制用之控制器晶片替代晶片(上述)進行黏晶(接著)。黏晶於黏晶溫度100℃、黏晶負載0.5 MPa、黏晶時間1秒之條件下實施。然後，於150℃下加熱1小時，使黏晶層熱硬化。 其次，使附間隔層之接著層接著。詳細而言，以於安裝有控制用之控制器晶片替代晶片(上述)之上述基板之中央部分，埋入控制用之控制器晶片替代晶片(上述)之方式使接著層接著。該接著於溫度110℃(加熱設定溫度)、負載0.3 MPa、時間1秒之條件下實施。進而，使用壓力烘箱，於壓力7 kg/cm 2之環境中於140℃下加熱2小時，使接著層熱硬化。 繼而，於安裝有附間隔件之接著層之上述基板之中央部分，對記憶用之NAND晶片替代晶片進行黏晶。黏晶於黏晶溫度150℃、負載0.2 MPa、黏晶時間2秒之條件下實施。進行2次黏晶以積層2層記憶用之NAND晶片替代晶片。進而，於150℃下加熱1小時，使黏晶層熱硬化。 最後，使用模塑樹脂對上述基板進行包覆成形(over mold)，於175℃下加熱5小時，使模塑樹脂熱硬化。
(組裝中之間隔層與NAND晶片替代晶片之黏晶層之剝離) 對模塑後之封裝體進行機械研磨，用光學顯微鏡觀察控制用之控制器晶片替代晶片之埋入部分(封裝體中央部分)之截面。分別對9次之組裝進行觀察，調查剝離狀況。對9次中未發生剝離之次數進行計數，根據該計數來評價性能。
關於各實施例及各比較例之間隔層，分別將性能評價(剝離之抑制性能)之結果示於表1。
根據上述評價結果可知，實施例之具備間隔層之附間隔件之切晶接著膜與比較例之附間隔件之切晶接著膜相比，雖然間隔層為樹脂製，但能夠抑制將半導體晶片重疊於間隔層時之剝離。
實施例中，加熱設定溫度例如為110℃時之間隔層之彎曲剛度為0.1 N·mm 2以上。 藉由於半導體積體電路之製造中使用具有此種物性之實施例之附間隔件之切晶接著膜，能夠高效地製造所謂之NAND型快閃等。
作為參考實驗，測定各間隔層之表面上之凹凸。詳細而言，於上述組裝之中途，在將記憶用之NAND晶片替代晶片重疊於間隔層前，在硬化處理(硬化條件：壓力烘箱，於壓力7 kg/cm 2之環境下於140℃進行2小時)後，利用ULVAC公司製造之觸針式表面形狀測定器(製品名「DEKTAK8」)測定間隔層表面之凹凸。測定條件如下。 測定長度：10 mm、測定速度：0.33 mm/sec、負載：10 mg 將模式性表示測定結果中之代表例之圖表示於圖11。 於採用矽晶圓作為間隔層之情形時，間隔層表面之凹凸形狀為具有曲率半徑較大之1個凸部而不具有凹部之形狀。 實施例1之間隔層表面之凹凸之大小要小於比較例1之間隔層表面之凹凸之大小。又，關於凹凸之曲率半徑，與比較例1之間隔層表面相比，於實施例1之間隔層表面傾向於更大(描繪出更平緩之弧線)。比較例1中，形成僅有位於控制用之控制器晶片替代晶片所埋入之部分之上部的間隔層表面突出之狀態。因此，可認為積層於間隔層之記憶用之NAND晶片替代晶片未能追隨間隔層表面之形狀，容易自間隔層剝離。 [產業上之可利用性]
本發明之附間隔件之切晶接著膜例如適宜用作製造半導體積體電路時之輔助用具。
1:附間隔件之切晶接著膜 10:間隔層 20:接著層 30:切晶帶 31:基材層 32:黏著劑層 B:切晶鋸 d':黏晶層 d'':黏晶層 H:剝離帶 I:裝置 I':裝置 I'':裝置 J:吸附治具 L:接合線 R:切晶環 S:去除帶 T:轉印帶 w':半導體晶片 w'':半導體晶片 Z:基板
圖1A係表示半導體積體電路之製造步驟之一例中之中途經過的模式剖視圖。 圖1B係表示半導體積體電路之製造步驟之一例中之中途經過的模式剖視圖。 圖1C係表示半導體積體電路之製造步驟之一例中之中途經過的模式剖視圖。 圖2係本實施方式之附間隔件之切晶接著膜的模式立體圖。 圖3係將本實施方式之附間隔件之切晶接著膜沿厚度方向切斷的剖視圖。 圖4A係模式性地表示於半導體積體電路之製造方法中使用附間隔件之切晶接著膜之情況(安裝)的剖視圖。 圖4B係模式性地表示於半導體積體電路之製造方法中使用附間隔件之切晶接著膜之情況(刀片切晶)的剖視圖。 圖4C係模式性地表示於半導體積體電路之製造方法中使用附間隔件之切晶接著膜之情況(刀片切晶後)的剖視圖。 圖4D係模式性地表示於半導體積體電路之製造方法中使用附間隔件之切晶接著膜之情況(拾取)的剖視圖。 圖5A係模式性地表示半導體積體電路之其他例之剖視圖。 圖5B係模式性地表示半導體積體電路之其他例之剖視圖。 圖5C係模式性地表示半導體積體電路之其他例之剖視圖。 圖5D係模式性地表示半導體積體電路之其他例之剖視圖。 圖5E係模式性地表示半導體積體電路之其他例之剖視圖。 圖6A係模式性地表示製作具有間隔層及接著層之積層片之情況的模式剖視圖。 圖6B係模式性地表示製作具有間隔層及接著層之積層片之情況的模式剖視圖。 圖7A係模式性地表示製造本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之中途之情況的模式剖視圖。 圖7B係模式性地表示將製造中途之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之截面的模式剖視圖。 圖8A係模式性地表示製造本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之中途之情況的模式剖視圖。 圖8B係模式性地表示將製造中途之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之截面的模式剖視圖。 圖8C係模式性地表示將製造中途之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之截面的模式剖視圖。 圖8D係模式性地表示將製造中途之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之截面的模式剖視圖。 圖9A係模式性地表示製造本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之中途之情況的模式剖視圖。 圖9B係模式性地表示將製造中途之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之截面的模式剖視圖。 圖9C係模式性地表示將製造中途之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之截面的模式剖視圖。 圖9D係模式性地表示將製造中途之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之截面的模式剖視圖。 圖10A係模式性地表示本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之其他例的模式剖視圖。 圖10B係模式性地表示製造中途之附間隔件之切晶接著膜之另一例的模式剖視圖。 圖11係模式性地表示測定間隔層之表面之凹凸之結果的圖表。
1:附間隔件之切晶接著膜
10:間隔層
20:接著層
30:切晶帶
31:基材層
32:黏著劑層
H:剝離帶

Claims (6)

  1. 一種附間隔件之切晶接著膜，其具備：接著層，其接著於被接著體；樹脂製之間隔層，其重疊於該接著層之一面；以及切晶帶，其重疊於上述接著層之另一面且保持上述接著層及上述間隔層； 於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的上述間隔層之彎曲剛度為0.1 N·mm 2以上。
  2. 如請求項1之附間隔件之切晶接著膜，其中於70℃以上且150℃以下之範圍之加熱設定溫度下的上述間隔層之彈性模數為2 GPa以上且20 GPa以下。
  3. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其中上述間隔層之厚度為3 μm以上且120 μm以下。
  4. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其中上述接著層之厚度為100 μm以上且150 μm以下。
  5. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其中上述間隔層之材質為選自由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯并咪唑、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮所組成之群中之至少1種。
  6. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其於製造晶片埋入型之半導體積體電路時用於埋入半導體晶片。
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