TW202226386A - 附間隔件之切晶接著膜 - Google Patents

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高本尚英
杉村敏正
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Abstract

本發明提供一種附間隔件之切晶接著膜，其具備：積層片，其具有接著於被接著體之接著層及重疊於該接著層之間隔層；及切晶帶，其重疊於上述積層片之上述接著層且保持上述積層片；且上述積層片於室溫下之彎曲剛性為0.05 N·mm 2以上。

Description

附間隔件之切晶接著膜
本發明係關於一種例如於製造半導體積體電路時使用之附間隔件之切晶接著膜。
製造半導體積體電路之方法通常具備：前步驟，其係藉由高積體之電子線路，於晶圓之單面側形成電路面；及後續步驟，其係自形成有電路面之晶圓切取晶片並進行組裝。 近年來，隨著積體化技術進一步發展，於後續步驟中，例如有時會複數次堆積NAND(not and，反及)型記憶體晶片來組裝半導體積體電路。於此情形時，例如製造於控制用控制器晶片之上堆積有複數個記憶用NAND晶片之構造之半導體積體電路。該構造之半導體積體電路中，例如於控制用控制器晶片與離該晶片最近之記憶用NAND晶片之間配置間隔層。
先前，已知有於如上所述之半導體積體電路之製造中使用之加工用膜。此種加工用膜根據目的不同而有各種類型，其根據各目的而於上述後續步驟中使用。 作為加工用膜，已知有例如用以將半導體晶片貼附於被接著體之切晶黏晶膜。切晶黏晶膜具備：切晶帶，其具有基材層及黏著劑層；及黏晶層，其積層於該切晶帶之黏著劑層且接著於被接著體。 另一方面，作為加工用膜，已知有一種附間隔件之切晶接著膜，其為了將上述間隔層接著於被接著體而具有：間隔層、用以使該間隔層接著於被接著體之接著層、及重疊於接著層之切晶帶。
例如，於半導體積體電路之製造中之後續步驟中，首先，實施第1步驟，於該第1步驟中，使用具有切晶帶及黏晶層之切晶黏晶膜作為加工用膜，如圖1A所示，使用切晶黏晶膜將經小片化之控制用控制器晶片w'經由黏晶層d'固定於被接著體(配線基板Z等)之表面。繼而，實施第2步驟，於該第2步驟中，使用具有切晶帶、接著層及間隔層之附間隔件之切晶接著膜作為加工用膜，如圖1B所示，使用該膜將經小片化之間隔層經由接著層固定於被接著體(配線基板)之表面。繼而，實施第3步驟，於該第3步驟中，使用如上所述之切晶黏晶膜作為加工用膜，如圖1C所示，使用切晶黏晶膜將經小片化之記憶用NAND晶片w''經由黏晶層d''固定於間隔層10之上，並進一步同樣地堆積記憶用NAND晶片w''。 經由該等步驟，製造如上所述之半導體積體電路。
此處，於第2步驟中，例如使用具備由較薄之矽晶圓形成之間隔層的附間隔件之切晶接著膜來實施如下步驟：藉由刀片切晶等，於間隔層及接著層形成溝槽並割斷成小片；將貼附有接著層之狀態之經小片化之間隔層自切晶帶剝離；及使貼附有接著層之狀態之間隔層接著於被接著體(配線基板)。
於此種半導體積體電路之製造方法中，作為第2步驟中使用之附間隔件之切晶接著膜，已知有具備由金屬箔形成之間隔層來代替由矽晶圓形成之間隔層之附間隔件之切晶接著膜(例如專利文獻1)。
詳細而言，專利文獻1記載之附間隔件之切晶接著膜中之間隔層為壓延鋼箔或不鏽鋼箔等金屬箔。 根據專利文獻1記載之附間隔件之切晶接著膜，由於間隔層並非矽晶圓而為金屬箔，故能夠維持穩定之製造供給而不受矽晶圓之供給量不足之影響。又，由於無需用以減薄矽晶圓之厚度之如上所述之背面研磨步驟，故能夠簡化半導體積體電路之製造步驟。
然而，為了藉由間隔層來確保重疊於間隔層之上之記憶用NAND晶片與配線基板之間之電絕緣性，作為構成間隔層之材料，樹脂等具有電絕緣性之材料比導電性金屬更為合適。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-220913號公報
[發明所欲解決之問題]
因此，考慮利用具有電絕緣性之樹脂等來製作間隔層，並於上述第2步驟中，使用具備將該間隔層與接著層貼合而成之積層片的附間隔件之切晶接著膜。
然而，於上述第2步驟中，將具有電絕緣性之間隔層與接著層之單純之積層片在切晶帶之上進行小片化並自切晶帶剝離時，有時會因剝離不良等，導致無法拾取經小片化之積層片。 為了防止此種問題，期待一種將經小片化之上述積層片自切晶帶剝離時之拾取性良好的附間隔件之切晶接著膜。
然而，對於將間隔層與接著層之積層片自切晶帶剝離時之拾取性良好的附間隔件之切晶接著膜，尚無法認為進行了充分研究。
因此，本發明之課題在於提供一種將間隔層與接著層之積層片自切晶帶剝離時之拾取性良好的附間隔件之切晶接著膜。 [解決問題之技術方案]
為了解決上述問題，本發明之附間隔件之切晶接著膜之特徵在於具備： 積層片，其具有接著於被接著體之接著層及重疊於該接著層之一面之間隔層；及 切晶帶，其重疊於上述積層片之上述接著層之另一面且保持上述積層片；且 上述積層片於室溫下之彎曲剛性為0.05 N·mm 2以上。
根據上述構成之附間隔件之切晶接著膜，將間隔層與接著層之積層片自切晶帶剝離時之拾取性變得良好。
上述附間隔件之切晶接著膜較佳為，上述積層片之彈性模數為1 GPa以上。藉此，將間隔層與接著層之積層片自切晶帶剝離時之拾取性變得更加良好。
對於上述附間隔件之切晶接著膜而言，上述接著層與上述間隔層之間之剝離力可為0.1 N/20mm以上。 對於上述附間隔件之切晶接著膜而言，上述間隔層之厚度可為3 μm以上300 μm以下。 對於上述附間隔件之切晶接著膜而言，上述接著層之厚度可為10 μm以上200 μm以下。 藉此，將間隔層與接著層之積層片自切晶帶剝離時之拾取性變得更加良好。
上述附間隔件之切晶接著膜較佳為，上述間隔層之材質為選自由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯、聚苯并咪唑、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮所組成之群中之至少1種。藉此，將間隔層與接著層之積層片自切晶帶剝離時之拾取性變得更加良好。
上述附間隔件之切晶接著膜可於製造晶片埋入型半導體積體電路時用於將半導體晶片埋入，或者於製造導線埋入型半導體積體電路時用於確保於控制用半導體晶片之上積層記憶用半導體晶片之空間。
以下，參照圖式，對本發明之附間隔件之切晶接著膜之實施方式進行說明。
如圖2所示，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1為長條片，以捲取狀態進行存放直至使用為止。將沿圖2中之III-III線於厚度方向上切斷所得之剖視圖示於圖3。 如圖3所示，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1具備：積層片，其具有接著於被接著體之接著層20及重疊於該接著層20之一面之間隔層10；及 切晶帶30，其重疊於積層片之接著層20之另一面且保持積層片。接著層20於半導體積體電路之製造中接著於電路基板或半導體晶片等被接著體。 如圖2及圖3所示，於自厚度方向之一側觀察附間隔件之切晶接著膜1時，切晶帶30為帶狀，間隔層10及接著層20為圓形且沿切晶帶30之長度方向排列。 關於本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1，可以利用接著層20將控制用控制器晶片w'埋入之方式將接著層20接著於基板Z來使用。又，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1可用於在經由接著層20接著於基板Z之間隔層10之上接著NAND型記憶體晶片w''。 再者，如圖3所示，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1亦可進而具備保護間隔層10之表面及切晶帶30之黏著劑層32之表面之一部分的保護膜(剝離帶H)。
＜附間隔件之切晶接著膜之間隔層＞ 間隔層10之厚度(平均厚度)可為3 μm以上300 μm以下，亦可為3 μm以上100 μm以下。 再者，間隔層10之厚度係藉由對隨機選擇之至少5處之厚度之測定值進行平均而計算出。於間隔層10為積層體之情形時，間隔層10之厚度為該積層體之厚度(間隔層10之總厚度)。
間隔層10通常為樹脂製。間隔層10通常包含至少50質量%之樹脂。間隔層10之材質較佳為選自由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯、聚苯并咪唑、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮所組成之群中之至少1種，更佳為聚醯亞胺及聚醚醯亞胺中之至少一者，進而較佳為聚醯亞胺。 換言之，間隔層10較佳為聚醯亞胺製、聚醯胺醯亞胺製、聚酯製(聚對苯二甲酸乙二酯製等)、聚苯并咪唑製、聚醚醯亞胺製、聚苯硫醚製、聚醚醚酮製等。 藉由使間隔層10之材質為上述材質，而具有能夠使間隔層10具有充分之電絕緣性之優點。又，具有如下優點，即，於半導體積體電路之製造中實施回焊步驟之情形時，能夠使間隔層10具有對例如260℃左右之高溫之耐熱性。
＜附間隔件之切晶接著膜之接著層＞ 接著層20之厚度(平均厚度)並無特別限定，例如為1 μm以上200 μm以下。該厚度較佳為10 μm以上200 μm以下，更佳為20 μm以上150 μm以下。再者，於接著層20為積層體之情形時，接著層20之厚度為該積層體之厚度(接著層20之總厚度)。 接著層20之厚度係藉由對隨機選擇之至少10處之厚度之測定值進行平均而計算出。 於接著層20之厚度相對較厚，例如為100 μm以上之情形時，適宜用於下述FOD(film on die，膜覆晶片)用途(於製造晶片埋入型半導體積體電路時用以將半導體晶片埋入之用途)。 於接著層20之厚度相對較薄，例如未達100 μm之情形時，適宜用於下述FOW(film on wire，薄膜覆線)用途(於製造導線埋入型半導體積體電路時用於確保於控制用半導體晶片之上積層記憶用半導體晶片之空間之用途)。
例如圖3所示，接著層20可具有單層構造。於本說明書中，單層係指僅具有由相同組合物形成之層。積層有複數個由相同組合物形成之層之形態亦屬於單層。 另一方面，接著層20例如亦可具有將由2種以上不同組合物分別形成之層積層而成之多層構造。
接著層20可包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂中之至少一者。接著層20較佳為包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂。
作為熱硬化性樹脂，例如可例舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、矽酮樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。作為上述熱硬化性樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。就更少地含有可能會導致作為黏晶對象之半導體晶片腐蝕之離子性雜質等方面而言，作為上述熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂。作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。
作為上述環氧樹脂，例如可例舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型、或縮水甘油胺型之各環氧樹脂。
酚樹脂可作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用。作為酚樹脂，例如可例舉：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。 作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可例舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等。 作為上述酚樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。
於接著層20中，相對於環氧樹脂之環氧基每1當量，酚樹脂之羥基較佳為0.5當量以上2.0當量以下，更佳為0.7當量以上1.5當量以下。藉此，能夠使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分進行。
於接著層20包含熱硬化性樹脂之情形時，相對於接著層20之總質量，接著層20中之該熱硬化性樹脂之含有比率較佳為5質量%以上60質量%以下，更佳為10質量%以上50質量%以下。藉此，能夠於接著層20中恰當地表現作為熱硬化型接著劑之功能。
作為接著層20中可包含之熱塑性樹脂，例如可例舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-聚醯胺樹脂或6,6-聚醯胺樹脂等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PBT(polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。 作為上述熱塑性樹脂，就離子性雜質較少且耐熱性較高故能夠更加確保接著層20之接著性方面而言，較佳為丙烯酸系樹脂。 作為上述熱塑性樹脂，可僅採用1種或採用2種以上。
上述丙烯酸系樹脂較佳為分子中之結構單元中(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以質量比率計最多之聚合物。作為該(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可例舉烷基部分(通常為飽和烴)之碳數為2以上4以下之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯。 上述丙烯酸系樹脂亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯單體共聚之其他單體成分之結構單元。 作為上述其他單體成分，例如可例舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基(hydroxyl)單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基單體、或其他各種多官能性單體等。 就能夠於接著層20中發揮更高之凝集力方面而言，上述丙烯酸系樹脂較佳為(甲基)丙烯酸烷基酯(尤其是烷基部分之碳數為4以下之(甲基)丙烯酸烷基酯)、含羧基單體、含氮原子單體及多官能性單體(尤其是聚縮水甘油基系多官能單體)之共聚物，更佳為丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈及聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之共聚物。
於接著層20包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之情形時，相對於除填料以外之有機成分(例如熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂、硬化觸媒等、矽烷偶合劑、染料)之總質量，接著層20中之上述熱塑性樹脂之含有比率較佳為5質量%以上50質量%以下，更佳為10質量%以上45質量%以下，進而較佳為20質量%以上40質量%以下。再者，藉由改變熱硬化性樹脂之含有比率，能夠調整接著層20之彈性、黏性。
於接著層20之熱塑性樹脂具有熱硬化性官能基之情形時，例如可採用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂作為該熱塑性樹脂。該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂較佳為於分子中以最多之質量比率包含源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。作為該(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可例舉上述例示之(甲基)丙烯酸烷基酯。 另一方面，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基，例如可例舉：縮水甘油基、羧基、羥基(hydroxyl)、異氰酸基等。 接著層20較佳為包含含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂及硬化劑。作為硬化劑，例如可例舉作為黏著劑層32中可包含之硬化劑所例示者(異氰酸酯化合物等)。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，較佳為使用在分子中具有複數個酚結構之化合物作為硬化劑。例如可使用上述各種酚樹脂作為硬化劑。
接著層20較佳為含有填料。藉由改變接著層20中之填料之量，能夠更容易地調整接著層20之彈性及黏性。進而，能夠調整接著層20之導電性、導熱性、彈性模數等物性。 作為填料，可例舉無機填料及有機填料。作為填料，較佳為無機填料。 作為無機填料，例如可例舉包含氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、晶質二氧化矽或非晶質二氧化矽等二氧化矽等之填料。又，作為無機填料之材質，可例舉：鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質、或合金等。亦可為硼酸鋁晶鬚、非晶碳黑、石墨等填料。填料之形狀可為球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。作為填料，可僅採用上述中之1種或採用2種以上。
於接著層20包含填料之情形時，相對於接著層20之總質量，上述填料之含有比率較佳為30質量%以上70質量%以下，更佳為40質量%以上60質量%以下，進而較佳為40質量%以上55質量%以下。
接著層20亦可根據需要而包含其他成分。作為上述其他成分，例如可例舉：硬化觸媒、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、染料等。 作為阻燃劑，例如可例舉：三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。 作為矽烷偶合劑，例如可例舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。 作為離子捕捉劑，例如可例舉：水滑石類、氫氧化鉍、苯并三唑等。 作為上述其他添加劑，可僅採用1種或採用2種以上。
就容易調整彈性及黏性方面而言，接著層20較佳為包含熱塑性樹脂(尤其是丙烯酸系樹脂)、熱硬化性樹脂及填料。 相對於接著層20之總質量，熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂之含有比率較佳為20質量%以上95質量%以下，更佳為30質量%以上90質量%以下，進而較佳為40質量%以上85質量%以下。
於使用本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1時，可藉由加熱處理等使接著層20硬化。例如，可藉由以利用接著層20覆蓋基板Z上之控制用控制器晶片w'之方式將附間隔層10之接著層20接著於基板Z，其後，實施加熱處理(例如於70℃以上150℃以下之溫度下進行硬化)，而使接著層20硬化。
＜附間隔件之切晶接著膜中之積層片(間隔層及接著層)＞ 間隔層10及接著層20積層而成之積層片於室溫下之彎曲剛性為0.05 N·mm 2以上。該彎曲剛性更佳為0.10 N·mm 2以上，進而較佳為0.50 N·mm 2以上，尤佳為2.0 N·mm 2以上。 由於上述彎曲剛性為0.05 N·mm 2以上，故例如圖4D所示，於介隔切晶帶30將積層片頂起時，積層片容易自切晶帶30剝離。詳細而言，由於上述彎曲剛性為0.05 N·mm 2以上這一相對較高之值，故於如上所述地將積層片頂起時，能夠抑制積層片追隨著切晶帶30之變形而發生變形。由於積層片之變形受到抑制，故將其頂起時之力容易轉換成用於剝離之力。因此，拾取性能變得良好。 再者，上述彎曲剛性可為25.0 N·mm 2以下，亦可為20.0 N·mm 2以下。 室溫例如係指20℃以上25℃以下，可採用25℃作為室溫。
上述彎曲剛性藉由下述式(1)計算出。於式(1)中，b表示長方形之間隔層10(已藉由切晶而小片化之使用時之大小)之長度方向長度(正方形之情形時為一邊之長度)，F表示拉伸彈性模數，h表示積層片之厚度，λ表示自積層片上緣至中性軸為止之距離。於式(1)中，將積層片視為單層來進行彎曲剛性之計算。具體而言，上述彎曲剛性藉由後文之實施例中記載之方法進行測定。 再者，式(1)中之拉伸彈性模數藉由下述方法進行測定。 [數1]
Figure 02_image001
根據式(1)亦可理解，上述彎曲剛性可藉由進一步提高間隔層10及接著層20中之至少一者之彈性模數、藉由進一步增加間隔層10及接著層20中之至少一者之厚度而增大。另一方面，上述彎曲剛性可藉由進一步降低間隔層10及接著層20中之至少一者之彈性模數、藉由進一步減薄間隔層10及接著層20中之至少一者之厚度而減小。
上述積層片之彈性模數(拉伸彈性模數)較佳為1 GPa以上，更佳為1.5 GPa以上，進而較佳為2 GPa以上。藉此，於將間隔層與接著層之積層片自切晶帶30剝離時，能夠發揮更良好之拾取性。 再者，上述積層片之拉伸彈性模數可為5 GPa以下，亦可為4 GPa以下。
上述拉伸彈性模數之測定方法如下。自間隔層10及接著層20積層而成之積層片切取長度40 mm、寬度10 mm大小之測定用樣品，使用固體黏彈性測定裝置測定自-30℃至300℃為止之拉伸儲存模數。測定條件係頻率1 Hz、升溫速度10℃/min、夾頭間距離20.0 mm。而且，採用室溫(較佳為25℃)下之儲存模數之測定值作為上述拉伸彈性模數。
上述拉伸彈性模數可藉由採用彈性模數更高之材料作為構成間隔層10及接著層20中之至少一者之材料、藉由在間隔層10及接著層20中之至少一者中提高彈性模數更高之材料之含有率等而增大。另一方面，上述拉伸彈性模數可藉由採用彈性模數更低之材料作為構成間隔層10及接著層20中之至少一者之材料、藉由在間隔層10及接著層20中之至少一者中提高彈性模數更低之材料之含有率等而減小。
測定上述拉伸彈性模數時之溫度為室溫，且為使用附間隔件之切晶接著膜1時之溫度。具體而言，將間隔層10及接著層20積層而成之積層片割斷進行小片化(參照圖4B、圖4C)，將經小片化之積層片於與切晶帶30之黏著劑層32之間剝離並拾取(參照圖4D)時之溫度與上述拉伸彈性模數之測定溫度相當。
接著層20與間隔層10之間之剝離力較佳為0.1 N/20mm以上。再者，上述剝離力可為0.5 N/20mm以下。 上述剝離力係使用長度120 mm、寬度25 mm之試驗樣品並於室溫下進行測定。上述剝離力係於剝離速度300 mm/分鐘、剝離角度90度、測定溫度25℃之測定條件下測得之值。具體而言，藉由後文之實施例中記載之方法來測定上述剝離力。
為了增大上述剝離力，例如對與接著層20直接接觸之間隔層10之表面預先實施電漿表面處理、或者藉由使用醇等之擦拭實施清潔處理。另一方面，為了減小上述剝離力，例如用矽酮對間隔層10之表面進行離型處理，並使經離型處理之面與接著層20重疊。
積層片(間隔層及接著層)之厚度(平均厚度)可為30 μm以上300 μm以下，亦可為40 μm以上200 μm以下。 再者，積層片之厚度係藉由對隨機選擇之至少5處之厚度之測定值進行平均而計算出。
本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1於使用前之狀態下，可具備覆蓋間隔層10之一面(間隔層10未與接著層20重疊之面)之剝離帶。剝離帶用於保護間隔層10，例如於即將使用前剝離。
繼而，對貼合於上述接著層20之切晶帶30進行詳細說明。
＜附間隔件之切晶接著膜之切晶帶＞ 上述切晶帶30通常為帶狀，將其展開於具有比要進行割斷處理之矽晶圓大一圈之內徑之圓環狀框上，進行切割並使用。
上述切晶帶30具備基材層31、及重疊於該基材層31之黏著劑層32。
基材層31可為單層構造，亦可具有積層構造。 基材層31支持黏著劑層32。基材層31包含樹脂。作為基材層31中包含之樹脂，可例舉：聚烯烴(聚丙烯(PP)、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(低密度聚乙烯)、α-烯烴等)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯酸甲酯(EMA)、乙烯-丙烯酸乙酯(EEA)、乙烯-甲基丙烯酸甲酯(EMMA)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、氫化苯乙烯系熱塑性彈性體(SEBS)、苯乙烯乙烯丙烯苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、聚酯、聚胺酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、氟樹脂、纖維素樹脂、矽酮樹脂及離子聚合物樹脂等。
基材層31可包含1種上述樹脂，亦可包含2種以上之上述樹脂。 再者，於如下所述，黏著劑層32係藉由紫外線而硬化者之情形時，基材層31較佳為構成為具有紫外線透過性。
基材層31可藉由無延伸成形而獲得，亦可藉由延伸成形而獲得。較佳為藉由延伸成形而獲得之基材層31。
基材層31之厚度(總厚度)較佳為55 μm以上195 μm以下，更佳為55 μm以上190 μm以下，進而較佳為55 μm以上170 μm以下，最佳為60 μm以上160 μm以下。 基材層31之厚度例如可藉由使用度盤規(PEACOCK公司製造，型號R-205)測定隨機選擇之5點之厚度，並對該等厚度進行算術平均來求出。
基材層31較佳為由樹脂膜構成。 為了提高與黏著劑層32之密接性，可對基材層31之表面實施表面處理。作為表面處理，例如可採用鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離輻射處理等基於化學方法或物理方法之氧化處理等。又，亦可實施利用增黏塗劑、底塗劑、接著劑等塗佈劑之塗佈處理。
對於基材層31之背面側(未重疊黏著劑層32之側)，為了賦予剝離性，例如可藉由矽酮系樹脂或氟系樹脂等離型劑(剝離劑)等來實施離型處理。 就能夠自背面側對黏著劑層32賦予紫外線等活性能量線方面而言，基材層31較佳為光透過性(紫外線透過性)之樹脂膜等。
上述切晶帶30於使用前之狀態下，可具備覆蓋黏著劑層32之一面(黏著劑層32未與基材層31重疊之面)之剝離帶。於將面積小於黏著劑層32之接著層20以容納於黏著劑層32之方式配置之情形時，剝離帶以覆蓋黏著劑層32及接著層20兩者之方式配置。剝離帶用於保護黏著劑層32，於將接著層20貼附於黏著劑層32之前剝離。
作為剝離帶，例如可使用由矽酮系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離劑進行了表面處理之塑膠膜或紙等。 又，作為剝離帶，例如可使用：聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等氟系聚合物製之膜；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴製之膜；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯製之膜等。 又，作為剝離帶，例如可使用由氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行了表面塗佈之塑膠膜或紙類等。
於本實施方式中，黏著劑層32例如包含丙烯酸系聚合物、異氰酸酯化合物及聚合起始劑。 黏著劑層32可具有5 μm以上40 μm以下之厚度。黏著劑層32之形狀及大小通常與基材層31之形狀及大小相同。
上述丙烯酸系聚合物於分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元、及含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。結構單元係構成丙烯酸系聚合物之主鏈之單元。上述丙烯酸系聚合物中之各側鏈包含於構成主鏈之各結構單元中。 再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」這一記載表示甲基丙烯酸酯(methacrylic acid ester)及丙烯酸酯(acrylic acid ester)中之至少一者。同樣地，「(甲基)丙烯酸」這一記載表示甲基丙烯酸及丙烯酸中之至少一者。
於黏著劑層32中包含之丙烯酸系聚合物中，上述結構單元可藉由 1H-NMR(nuclear magnetic resonance，核磁共振)、 13C-NMR等NMR分析、熱解GC/MS(gas chromatography/mass spectrometry，氣相層析/質譜法)分析及紅外分光法等進行確認。再者，丙烯酸系聚合物中之上述結構單元之莫耳比率通常根據聚合成丙烯酸系聚合物時之調配量(添加量)計算出。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元源自(甲基)丙烯酸烷基酯單體。換言之，(甲基)丙烯酸烷基酯單體發生聚合反應後之分子結構為(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。「烷基」這一記載表示與(甲基)丙烯酸進行酯鍵結之烴部分。 (甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元中之烷基部分之烴部分可為飽和烴，亦可為不飽和烴。 再者，烷基部分較佳為不包含含有氧(O)或氮(N)等之極性基。藉此，能夠抑制烷基聚合物之極性極度升高。因此，能夠抑制黏著劑層32相對於接著層20具有過度之親和性。因此，能夠更良好地將切晶帶30自接著層20剝離。烷基部分之碳數可為6以上10以下(C6～10烷基)。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元，例如可例舉：(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正壬酯或異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯等各結構單元。
丙烯酸系聚合物具有含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元，該結構單元之羥基容易與異氰酸基反應。 藉由使具有含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元的丙烯酸系聚合物與異氰酸酯化合物共存於黏著劑層32中，能夠使黏著劑層32適度硬化。因此，丙烯酸系聚合物能夠充分凝膠化。因此，黏著劑層32能夠在維持形狀之同時發揮黏著性能。
含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元較佳為含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯之結構單元。「C2～C4烷基」這一記載表示與(甲基)丙烯酸進行酯鍵結之烴部分之碳數。換言之，含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯單體表示(甲基)丙烯酸與碳數2以上4以下之醇(通常為2元醇)進行酯鍵結而得之單體。 C2～C4烷基之烴部分通常為飽和烴。例如，C2～C4烷基之烴部分為直鏈狀飽和烴或支鏈狀飽和烴。C2～C4烷基之烴部分較佳為不包含含有氧(O)或氮(N)等之極性基。
作為含羥基之(甲基)丙烯酸C2～C4烷基酯之結構單元，例如可例舉：(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基正丁酯或(甲基)丙烯酸羥基異丁酯等(甲基)丙烯酸羥基丁酯之各結構單元。再者，於(甲基)丙烯酸羥基丁酯之結構單元中，羥基(-OH基)可與烴部分之末端之碳(C)鍵結，亦可與烴部分之除末端以外之碳(C)鍵結。
上述丙烯酸系聚合物包含側鏈具有聚合性不飽和雙鍵之含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。 藉由使上述丙烯酸系聚合物包含含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元，可於拾取步驟前藉由照射活性能量線(紫外線等)而使黏著劑層32硬化。詳細而言，可藉由照射紫外線等活性能量線，自光聚合起始劑產生自由基，並藉由該自由基之作用，使丙烯酸系聚合物彼此進行交聯反應。藉此，可藉由照射而使照射前之黏著劑層32之黏著力降低。而且，能夠良好地使接著層20自黏著劑層32剝離。 再者，作為活性能量線，採用紫外線、放射線、電子束。
關於含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元，具體可具有含異氰酸基之(甲基)丙烯酸酯單體之異氰酸基與上述含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元中之羥基進行胺基甲酸酯鍵結而得之分子結構。
具有聚合性基之含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元可於丙烯酸系聚合物之聚合後製備。例如，藉由在(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含羥基之(甲基)丙烯酸酯單體共聚之後，使含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之一部分中之羥基與含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基進行胺基甲酸酯化反應，能夠獲得上述含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。
上述含異氰酸基之(甲基)丙烯酸酯單體較佳為於分子中具有1個異氰酸基且具有1個(甲基)丙烯醯基。作為該單體，例如可例舉(甲基)丙烯酸2-異氰酸基乙酯。
本實施方式中之切晶帶30之黏著劑層32進而包含異氰酸酯化合物。異氰酸酯化合物之一部分可為藉由胺基甲酸酯化反應等發生反應後之狀態。 異氰酸酯化合物於分子中具有複數個異氰酸基。藉由異氰酸酯化合物於分子中具有複數個異氰酸基，能夠使黏著劑層32中之丙烯酸系聚合物間進行交聯反應。詳細而言，藉由使異氰酸酯化合物之一個異氰酸基與丙烯酸系聚合物之羥基反應，並使另一個異氰酸基與另一丙烯酸系聚合物之羥基反應，可經由異氰酸酯化合物進行交聯反應。
作為異氰酸酯化合物，例如可例舉：脂肪族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯、或芳香脂肪族二異氰酸酯等二異氰酸酯。
進而，作為異氰酸酯化合物，例如可例舉：二異氰酸酯之二聚物、三聚物等聚合多異氰酸酯、多亞甲基多亞苯基多異氰酸酯。
此外，作為異氰酸酯化合物，例如可例舉使過量之上述異氰酸酯化合物與含活性氫之化合物反應而得之多異氰酸酯。作為含活性氫之化合物，可例舉含活性氫之低分子量化合物、含活性氫之高分子量化合物等。 再者，作為異氰酸酯化合物，亦可使用脲基甲酸酯化多異氰酸酯、縮二脲化多異氰酸酯等。 上述異氰酸酯化合物可單獨使用1種或組合使用2種以上。
作為上述異氰酸酯化合物，較佳為芳香族二異氰酸酯與含活性氫之低分子量化合物之反應物。芳香族二異氰酸酯之反應物中，異氰酸基之反應速度相對較慢，故抑制包含該反應物之黏著劑層32過度硬化。作為上述異氰酸酯化合物，較佳為於分子中具有3個以上異氰酸基者。
黏著劑層32中包含之聚合起始劑係藉由所施加之熱能、光能而能夠使聚合反應開始之化合物。藉由使黏著劑層32包含聚合起始劑，於對黏著劑層32施加熱能、光能時，能夠使丙烯酸系聚合物間進行交聯反應。詳細而言，能夠於具有含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之丙烯酸系聚合物間開始聚合性基彼此之聚合反應，從而使黏著劑層32硬化。藉此，能夠降低黏著劑層32之黏著力，從而於拾取步驟中，能夠使接著層20容易地自硬化之黏著劑層32剝離。 作為聚合起始劑，例如採用光聚合起始劑或熱聚合起始劑等。作為聚合起始劑，可使用通常之市售製品。
黏著劑層32可進而包含除上述成分以外之其他成分。作為其他成分，例如可例舉：黏著賦予劑、塑化劑、填充劑、防老化劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑、防靜電劑、界面活性劑、輕剝離化劑等。其他成分之種類及使用量可根據目的來適當選擇。
本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1較佳為，於製造晶片埋入型半導體積體電路(FOD[Film On Die]型半導體積體電路)時用於利用接著層20將半導體晶片w'埋入。詳細而言，附間隔件之切晶接著膜1較佳為，以利用接著層20將半導體晶片w'埋入之方式使接著層20接著於基板Z來使用(參照圖1C、圖5A等)。 於本實施方式中，能夠於上述用途中使用具有樹脂製等之間隔層10之附間隔件之切晶接著膜1，故與使用間隔層為Si晶圓之先前之加工用膜相比，能夠縮短半導體積體電路之製程。具體而言，無需實施於Si晶圓上貼附背面研磨帶並藉由背面研磨將Si晶圓加工成所需厚度之一連串步驟。又，能夠製作間隔層而不受Si晶圓供給不足之影響，且能夠利用相對較經濟之樹脂來製作間隔層。 或者，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1亦可於製造導線埋入型半導體積體電路(FOW[Film On Wire]型半導體積體電路)時，使接著層20接著於基板Z來使用，以確保於控制用NAND晶片w'之更上方積層記憶用NAND晶片w''之空間(參照圖5B～圖5E等)。於此情形時，附間隔件之切晶接著膜1可以利用接著層20將接合線L埋入之方式使接著層20接著於基板Z來使用。藉此，基於與上述原因同樣之原因，具有能夠縮短半導體積體電路之製程之優點，又，具有能夠不受Si晶圓供給不足之影響地製作間隔層之優點。
繼而，對本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1之製造方法進行說明。
＜附間隔件之切晶接著膜之製造方法＞ 本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1之製造方法具備如下步驟： 製作間隔層10之步驟， 製作接著層20之步驟， 製作切晶帶30之步驟，以及 將所製造之間隔層10、接著層20及切晶帶30重疊之步驟。
(製作間隔層之步驟) 製作間隔層10之步驟例如可具有如下步驟：樹脂組合物製備步驟，其係製備用以形成間隔層10之樹脂組合物；及間隔層形成步驟，其係由樹脂組合物形成間隔層10。 另一方面，亦可採用市售之樹脂膜作為間隔層10。
(製作接著層之步驟) 製作接著層20之步驟具有如下步驟： 樹脂組合物製備步驟，其係製備用以形成接著層20之樹脂組合物；及 接著層形成步驟，其係由樹脂組合物形成接著層20。
於樹脂組合物製備步驟中，例如藉由將環氧樹脂、環氧樹脂之硬化觸媒、丙烯酸系樹脂、酚樹脂、溶劑等混合並使各樹脂溶解於溶劑，而製備樹脂組合物。藉由改變溶劑之量，能夠調整組合物之黏度。再者，作為該等樹脂，可使用市售之製品。
於接著層形成步驟中，例如將以上述方式製備之樹脂組合物塗佈於剝離片。作為塗佈方法，並無特別限定，例如採用輥式塗敷、絲網塗敷、凹版塗敷等通常之塗佈方法。繼而，根據需要，藉由脫溶劑處理或硬化處理等，使所塗佈之組合物固化，形成接著層20。 再者，於接著層形成步驟中，亦可藉由將以上述方式製備之樹脂組合物塗佈於間隔層10，形成重疊於間隔層10之接著層20。
(製作切晶帶之步驟) 製作切晶帶30之步驟具備下述步驟： 合成步驟，其係合成丙烯酸系聚合物; 黏著劑層製作步驟，其係使溶劑自包含上述丙烯酸系聚合物、異氰酸酯化合物、聚合起始劑、溶劑、及根據目的而適當添加之其他成分之黏著劑組合物中揮發，來製作黏著劑層32； 基材層製作步驟，其係製作基材層31；及 貼合步驟，其係將黏著劑層32與基材層31貼合。
於合成步驟中，例如藉由使(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含羥基之(甲基)丙烯酸酯單體進行自由基聚合，而合成丙烯酸系聚合物中間物。 自由基聚合可藉由通常之方法進行。例如，可藉由使上述各單體溶解於溶劑，在加熱之同時進行攪拌，並添加聚合起始劑，而合成丙烯酸系聚合物中間物。為了調整丙烯酸系聚合物之分子量，亦可於鏈轉移劑之存在下進行聚合。 繼而，使丙烯酸系聚合物中間物中包含之含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之一部分羥基與含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基藉由胺基甲酸酯化反應而鍵結。藉此，含羥基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元之一部分成為含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。 胺基甲酸酯化反應可藉由通常之方法進行。例如，於溶劑及胺基甲酸酯化觸媒之存在下，在加熱之同時，攪拌丙烯酸系聚合物中間物及含異氰酸基之聚合性單體。藉此，能夠使含異氰酸基之聚合性單體之異氰酸基與丙烯酸系聚合物中間物之一部分羥基進行胺基甲酸酯鍵結。
於黏著劑層製作步驟中，例如使丙烯酸系聚合物、異氰酸酯化合物、及聚合起始劑溶解於溶劑，而製備黏著劑組合物。藉由改變溶劑之量，能夠調整組合物之黏度。繼而，將黏著劑組合物塗佈於剝離片。作為塗佈方法，例如採用輥式塗敷、絲網塗敷、凹版塗敷等通常之塗佈方法。藉由對所塗佈之組合物實施脫溶劑處理或固化處理等，使所塗佈之黏著劑組合物固化，而製作黏著劑層32。
於基材層製作步驟中，可藉由通常之方法進行製膜來製作基材層31。作為製膜之方法，例如可例舉：壓延製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉體系中之吹脹擠出法、T模擠出法、乾式層壓法等。亦可採用共擠出成形法。再者，作為基材層31，亦可使用市售之膜等。
於貼合步驟中，將重疊於剝離片之狀態之黏著劑層32與基材層31重疊並進行積層。再者，剝離片亦可於直至使用前為止處於重疊於黏著劑層32之狀態。 再者，為了促進交聯劑與丙烯酸系聚合物之反應，又，為了促進交聯劑與基材層31之表面部分之反應，亦可於貼合步驟後，在50℃環境下實施48小時之熟化處理步驟。
藉由該等步驟，能夠製造切晶帶30。
(將附著有間隔層之接著層與切晶帶重疊之步驟) 於將接著層20與切晶帶30重疊之步驟中，將接著層20貼附於以上述方式製造之切晶帶30之黏著劑層32。
該貼附中，將剝離片分別自切晶帶30之黏著劑層32及接著層20剝離，以接著層20與黏著劑層32直接接觸之方式將兩者貼合。例如，可藉由壓接來進行貼合。進行貼合時之溫度並無特別限定，例如為30℃以上50℃以下，較佳為35℃以上45℃以下。進行貼合時之線壓並無特別限定，較佳為0.1 kgf/cm以上20 kgf/cm以下，更佳為1 kgf/cm以上10 kgf/cm以下。
＜附間隔件之切晶接著膜之製造方法(具體例)＞ 如圖2及圖3所示，本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1於長條片狀之切晶帶30之單面側重疊有間隔層10與接著層20之積層片。重疊於切晶帶30之積層片(間隔層10及接著層20)於厚度方向上觀察時為圓形，複數個積層片沿切晶帶30之長度方向排成一排。此種形態之附間隔件之切晶接著膜1例如可以如下方式使用剝離帶H及轉印帶T來製造。
附間隔件之切晶接著膜1例如可使用如圖7A、圖8A及圖9A所示之各裝置(I、I'、I'')來製造。 首先，如圖6A所示，於間隔層10(例如樹脂膜)之上塗佈上述樹脂組合物，並使溶劑自樹脂組合物中揮發，藉此製作重疊於間隔層10之接著層20。繼而，將剝離帶H貼附於接著層20，製作如圖6B所示，附剝離帶H之帶狀積層片。再者，藉由將間隔層重疊於將上述樹脂組合物塗佈於剝離帶H而同樣地製作之間隔層10，亦能夠製作同樣之積層片。 繼而，將間隔層10與接著層20之積層片設置於如圖7A所示之裝置。此時，如圖7B所示，使剝離帶H位於下側地配置積層片。一面使積層片通過裝置，一面於間隔層10上重疊轉印帶T。於該階段，暫時捲取將剝離帶H、間隔層10、接著層20及轉印帶T貼合而成之片。 進而，將暫時貼合之片設置於如圖8A所示之裝置。此時，如圖8B所示，將轉印帶T配置於下側。一面使貼合所得之片通過裝置，一面藉由沖切加工將剝離帶H及積層片沖切成圓形(特定形狀)。繼而，將除沖切成圓形之部分以外之剝離帶H(除圓形部分以外之周邊部分之剝離帶H)捲起，藉此將該部分之剝離帶H去除。其後，一面藉由裝置使貼合所得之片之剩餘部分向下游方向移動，一面貼附去除帶S。藉由將暫時貼附之去除帶S捲起，以較薄之圓板狀積層片殘留於轉印帶T上之方式，將積層片之不需要之部分去除(參照圖8C)。繼而，以覆蓋相互分開排列之複數個積層片之方式，於複數個較薄之間隔層10之上重疊切晶帶30(參照圖8D)。此時，以切晶帶30之黏著劑層32與接著層20直接接觸之方式進行貼附。於該階段，暫時捲取將間隔層10、接著層20及轉印帶T貼合而成之片。藉此，成為轉印帶T貼附於切晶帶30、接著層20及間隔層10積層而成之附間隔件之切晶接著膜1之狀態。可將該狀態作為最終目標物，亦可暫時捲取並進一步加入以下操作，以去除轉印帶T。 此外，將暫時捲取之附間隔件之切晶接著膜1(附轉印帶T)設置於如圖9A所示之裝置。此時，如圖9B所示，將轉印帶T配置於上側，並且將切晶帶30配置於下側。一面使附間隔件之切晶接著膜1通過裝置，一面去除轉印帶T(參照圖9C)。進而，亦可將剝離帶H重疊於間隔層10，以保護所露出之間隔層10(參照圖9D)。
再者，於圖7A、圖8A及圖9A中，向各裝置供給長條片時之送出方向及回收長條片時之捲取方向並無特別限定。詳細而言，配置於各裝置之最上游側之經捲取之長條片可以內周側之面朝向上方之方式送出，亦可以外周側之面朝向上方之方式送出。又，配置於各裝置之最下游側並要捲取之長條片可以上側之面朝向內周側之方式回收，亦可以上側之面朝向外周側之方式回收。 又，藉由如上所述之裝置製造之附間隔件之切晶接著膜1可進一步進行加工。例如，對於附間隔件之切晶接著膜1，可根據製品之標準寬度實施將寬度方向之兩端部去除之狹縫加工步驟(圖10A)，其後，實施預切割步驟，該預切割步驟中，使用沖切加工裝置(未圖示)，以例如比圓形之沖切部分(接著層20及間隔層10之沖切部分)略大之尺寸(例如1.1倍以上1.4倍以下)，自上側將切晶帶30沖切成特定形狀，並且將不需要之切晶帶30去除(參照圖10B)。
以上述方式製造之附間隔件之切晶接著膜1例如作為用以製造半導體積體電路之輔助用具而使用。附間隔件之切晶接著膜1尤其會於下述第2步驟中使用。以下，對使用上之具體例進行說明。
＜製造半導體積體電路時之附間隔件之切晶接著膜之使用方法＞ 製造半導體積體電路之方法通常具備自形成有電路面之半導體晶圓切取晶片並進行組裝之步驟。 該步驟例如包括如下步驟： 第1步驟，其係將控制用控制器晶片w'自半導體晶圓(裸晶圓)切取並固定於基板Z之表面； 第2步驟，其係自積層有接著層20及間隔層10之積層片切取附著有接著層20之狀態之間隔層10之小片並將該小片固定於基板Z之表面，藉由間隔層10形成用以堆積複數個記憶用NAND晶片w''之基座；及 第3步驟，其係將記憶用NAND晶片w''自半導體晶圓(裸晶圓)切取，並於間隔層10之上堆積複數個記憶用NAND晶片w''。 本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1例如於上述第2步驟中使用。
第1步驟為了將控制用控制器晶片w'固定於被接著體(基板Z)之表面，例如具有如下步驟：實施半切割加工，該半切割加工係為了藉由割斷處理將半導體晶圓加工成晶片w'(die)而於半導體晶圓形成溝槽，其後藉由研磨來減薄半導體晶圓；將變薄之半導體晶圓之一面(例如與電路面相反一側之面)貼附於切晶帶30，從而將半導體晶圓固定於切晶帶30；擴大經半切割加工之半導體晶片彼此之間隔，並將半導體晶圓小片化為晶片；將半導體晶片w'(die)以貼附有黏晶層d'之狀態拾取並取出；及將貼附有黏晶層d'之狀態之半導體晶片w'(die)接著(黏晶)於被接著體(參照圖1A)。
於實施第2步驟中之下述步驟時，本實施方式之切晶帶30(附間隔件之切晶接著膜)被用作製造輔助用具。 第2步驟為了將間隔層10及接著層20固定於被接著體(基板Z)之表面，例如具有以下步驟：將切晶環R安裝於附間隔件之切晶接著膜1之切晶帶30(參照圖4A)；利用晶圓切割機B對接著層20及間隔層10實施刀片切晶加工，從而將其割斷成小片(die)(參照圖4B及圖4C)；利用吸附治具J將貼附有接著層20之狀態之經小片化之間隔層10自切晶帶30之黏著劑層32剝離並進行拾取(參照圖4D)；及使貼附有接著層20之狀態之間隔層10接著於被接著體(基板Z)(參照圖1B)。
於第3步驟中，為了將記憶用NAND晶片w''複數次堆積於間隔層10之上，例如與第1步驟同樣地，拾取記憶用NAND晶片w''並使其接著於被接著體(間隔層10)，再進一步堆積記憶用NAND晶片w''(參照圖1C)。
近年來，於半導體產業中，隨著積體化技術進一步發展，NAND晶片之單位面積之容量正不斷增加。伴隨於此，相同容量下，NAND晶片之尺寸不斷變小。例如，於控制用控制器晶片w'之上積層記憶用NAND晶片w''之類型之半導體積體電路中，若記憶用NAND晶片w''之尺寸變小，則有可能變得難以用記憶用NAND晶片w''將控制用控制器晶片w'埋入，因此組裝半導體積體電路變得困難。 對此，可使用本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1，以確保用以堆積記憶用NAND晶片w''之空間。 本實施方式之附間隔件之切晶接著膜1可與由裸晶圓製作半導體晶片時使用之切晶黏晶膜同樣地，用於將上述積層片小片化，將經小片化之積層片自切晶帶30剝離並拾取。繼而，將所拾取之積層片例如接著於基板Z等被接著體，並於積層片之間隔層10之上堆積記憶用NAND晶片w''。
再者，所製造之半導體積體電路之形態並不限定於如圖1C所示之形態，例如亦可為如圖5A～圖5E所示之各形態。
本實施方式之附間隔件之切晶接著膜係如上述所例示，但本發明並不限定於上述例示之附間隔件之切晶接著膜。 即，通常之附間隔件之切晶接著膜中所使用之各種形態可於不損及本發明之效果之範圍內予以採用。
本說明書所揭示之事項包括以下內容。 (1)一種附間隔件之切晶接著膜，其具備： 積層片，其具有接著於被接著體之接著層及重疊於該接著層之間隔層；及 切晶帶，其重疊於上述積層片之上述接著層且保持上述積層片；且 上述積層片於室溫下之彎曲剛性為0.05 N·mm 2以上。 (2) 如上述(1)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述積層片之彈性模數為1 GPa以上。 (3) 如上述(2)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述接著層與上述間隔層之間之剝離力為0.1 N/20mm以上。 (4) 如上述(1)至(3)中任一項所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述間隔層之厚度為3 μm以上300 μm以下。 (5) 如上述(1)至(4)中任一項所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述接著層之厚度為10 μm以上200 μm以下。 (6) 如上述(1)至(5)中任一項所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述間隔層之材質為選自由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯、聚苯并咪唑、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮所組成之群中之至少1種。 (7) 如上述(1)至(6)中任一項所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述接著層包含熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂。 (8) 如上述(7)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述接著層進而包含填料。 (9) 如上述(8)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中於上述接著層中，相對於接著層之總質量，填料之含有比率為30質量%以上70質量%以下。 (10) 如上述(1)至(9)中任一項所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述切晶帶之黏著劑層包含丙烯酸系聚合物、異氰酸酯化合物及聚合起始劑。 (11) 如上述(10)所記載之附間隔件之切晶接著膜，其中上述黏著劑層所包含之上述丙烯酸系聚合物包含側鏈具有聚合性不飽和雙鍵之含聚合性基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元。 (12) 如上述(1)至(11)中任一項所記載之附間隔件之切晶接著膜，其於製造晶片埋入型半導體積體電路時用於將半導體晶片埋入，或者於製造導線埋入型半導體積體電路時用於確保於控制用半導體晶片之上積層記憶用半導體晶片之空間。 [實施例]
其次，藉由實驗例對本發明進行更詳細之說明，但本發明並不限定於該等。
(實施例1～6及比較例1) 以如下方式製造間隔層及接著層之積層片。又，將該積層片之接著層與切晶帶貼合，分別製造表1所示之構成之附間隔件之切晶接著膜。
＜間隔層＞ 準備下述樹脂膜作為間隔層。 ·聚醯亞胺膜A(厚度75 μm) (製品名「Kapton 300V」 東麗杜邦公司製造) ·聚醯亞胺膜B(厚度25 μm) (製品名「Kapton 100H」 東麗杜邦公司製造) ·聚醯胺醯亞胺膜(厚度4 μm) (製品名「Mictron # 4Y-GE10」 東麗公司製造) 對位芳香族聚醯胺(aramid)膜 ·聚對苯二甲酸乙二酯膜A(厚度50 μm 單面矽酮處理) (將未處理表面貼合於接著層) (製品名「DIAFOIL MRA50」 三菱化學公司製造) ·聚對苯二甲酸乙二酯膜B(厚度50 μm 單面矽酮處理) (將矽酮處理表面貼合於接著層) (製品名「DIAFOIL MRA50」 三菱化學公司製造)
＜接著層之製作＞ 向甲基乙基酮中添加下述原料並加以混合，獲得接著層用組合物。各原料之詳情如下所示。 ·丙烯酸酯系聚合物溶液 100質量份 製品名「Teisan Resin SG-70L」(固形物成分濃度12.8質量%) 分子中含有羧基及羥基 長瀨化成公司製造 ·環氧樹脂 1.7質量份 製品名「EPIKOTE YL980」三菱化學公司製造 ·環氧樹脂 13質量份 製品名「EPICLON N-665-EXP-S」DIC公司製造 ·酚樹脂(硬化劑)15質量份 製品名「MEHC-7851SS」明和化成公司製造 ·二氧化矽有機溶劑漿料 47質量份(含有60質量%之粉體) 製品名「SO-E2」(預先使粉體分散於MEK而得) Admatechs公司製造 ·硬化觸媒 0.085質量份 製品名「Curezol 2PHZ」四國化成公司製造 ·稀釋溶劑 50質量份 MEK(甲基乙基酮) 繼而，使用敷料器將接著層用組合物塗佈於下述塗敷用基材之一面。塗佈係以乾燥後之厚度成為120 μm之方式進行，其後，藉由在120℃下進行2分鐘乾燥處理，使溶劑自接著層用組合物中揮發。以此方式，獲得重疊於塗敷用基材上之接著層。 ·塗敷用基材(剝離片) 製品名「PET38」Fujiko公司製造 於該接著層中之露出之面貼附間隔層。
＜切晶帶之黏著劑層＞ (黏著劑層(黏著劑組合物)之製備) 準備下述原料。 ·2EHA(丙烯酸2-乙基己酯)：100質量份 ·HEA(丙烯酸2-羥基乙酯)：20質量份 ·AIBN(2,2'-偶氮二異丁腈)：適量 ·聚合溶劑(甲苯)：使上述單體濃度約為55質量%之量 向裝備有圓底可分離式燒瓶(容量1 L)、溫度計、氮氣導入管及攪拌裝置之聚合用實驗裝置之圓底可分離式燒瓶內投入上述原料。一面攪拌一面使氮氣流入圓底可分離式燒瓶內，同時於60℃下實施10小時之聚合反應，製備中間組合物。 將中間組合物冷卻至常溫後，相對於中間組合物100質量份，添加下述原料。 ·異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯 原料名(「Karenz MOI」，昭和電工公司製造)：1.4質量份 ·二月桂酸二丁基錫IV(和光純藥工業公司製造)：0.1質量份 於大氣氛圍下並於50℃下攪拌60小時，獲得丙烯酸系聚合物組合物。 最後，相對於上述丙烯酸系聚合物組合物之固形物成分100質量份，添加下述原料，獲得用以形成黏著劑層之黏著劑組合物。 異氰酸酯化合物(原料名「CORONATE L」，東曹公司製造)：1.1質量份 光聚合起始劑(原料名「IRGACURE 184」，IGM Resins公司製造)：3質量份 甲苯：使組合物之黏度約為500 mPa·s之量 準備PET膜作為剝離用片。使用敷料器，將黏著劑組合物以乾燥後之厚度成為30 μm之方式塗佈於該PET膜之一表面(經離型處理過)。於120℃下進行2分鐘加熱乾燥，形成重疊於PET膜(剝離片)之黏著劑層。 ＜切晶帶之製作＞ 準備厚度80 μm之聚乙烯膜作為基材層。使用貼合機，於室溫下將該聚乙烯膜與以上述方式製作之PET膜上之黏著劑層貼合。以此方式，製造切晶帶。
＜附間隔件之切晶接著膜之製造＞ 藉由在70℃下將切晶帶之黏著劑層與附著有間隔層之狀態之接著層貼合，製造具備間隔層及接著層、以及切晶帶之附間隔件之切晶接著膜。 詳細而言，於70℃下將間隔層與接著層(厚度120 μm)貼合來製作積層片。將該積層片切割成直徑330 mm之圓形。其後，於室溫下，將切割所得之積層片與切晶帶貼合。
依照上述方法，分別製造實施例及比較例之附間隔件之切晶接著膜。關於各膜之構成之詳情，示於表1。
＜間隔層及接著層(積層片)之彈性模數(拉伸彈性模數)之測定＞ 利用截切刀，將各實施例及比較例之間隔層及接著層(積層片)切取成長度40 mm、寬度10 mm之短條狀。繼而，使用固體黏彈性測定裝置(RSAIII，Rheometric Scientific公司製造)，測定自-30℃至300℃為止之拉伸儲存模數。測定條件設為頻率1 Hz、升溫速度10℃/min、夾頭間距離20.0 mm。繼而，讀取25℃下之儲存模數之值，並將該值作為彈性模數。
＜間隔層及接著層(積層片)之彎曲剛性之計算＞ 基於以上述方式測得之彈性模數及上述式(1)等，計算出各實施例及比較例之積層片之彎曲剛性。 再者，作為式(1)中之各值，例如於實施例1中，分別採用b=12[mm]、F=2300[MPa]、h=0.195[mm]、λ=0.0975[mm]，從而計算出彎曲剛性。b=12[mm]於後文說明之使用性能試驗中之試驗樣品之長邊長度相當。
＜間隔層與接著層之間之剝離力之測定＞ 利用截切刀，將各實施例及比較例之間隔層及接著層(積層片)切取成長度120 mm、寬度25 mm之短條狀。於SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)板上黏貼雙面膠帶，並於該雙面膠帶貼附切取成短條狀之積層片。此時，將接著層貼附於雙面膠帶。繼而，使用製品名「Autograph AGS-J」(島津製作所公司製造)之精密萬能試驗機，測定間隔層與接著層之剝離力。測定條件設為剝離速度300 mm/分鐘、剝離角度90度、測定溫度25℃。其後，將測定值轉換為寬度每20 mm之數值。
[表1]
   單位 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1
間隔層之厚度 μm 75 75 25 4 50 50 4
接著層之厚度 μm 120 20 20 60 120 120 20
積層片之厚度 μm 195 95 45 64 170 170 24
間隔層之材質 - 聚醯亞胺A 聚醯亞胺A 聚醯亞胺B 聚醯胺醯亞胺 聚對苯二甲酸乙二酯A 聚對苯二甲酸乙二酯B 聚醯胺醯亞胺
積層片之彎曲剛性 N·mm 2 17.1 2.7 0.2 0.7 13.3 13.3 0.04
積層片之彈性模數 GPa 2.3 3.1 2.5 2.7 2.7 2.7 3.0
間隔層與接著層間之剝離力 N/20mm 0.19 0.40 0.26 0.20 0.13 0.03 0.37
評價結果 [拾取性]成功率 % 100 100 100 100 100 50 0
＜使用性能之評價＞ 使用DISCO公司製造之DFD6361對所製造之各附間隔件之切晶接著膜進行切晶。於切晶中，以獲得6.0 mm×12.0 mm大小之晶片狀之間隔層及接著層(積層片)之方式實施小片化。作為切晶刀片，Z1使用2030-SE 27HCDD，Z2使用2030-SE 27HCBB，進行階梯式切割。關於刀片高度，用Z1刀片對接著層進行半切割，繼而用Z2刀片向切晶帶切入20 μm。
(拾取性能之評價) 使用FASFORD TECHNOLOGY公司製造之黏晶機DB830plus+，於室溫下拾取20個小片化積層片，計算出拾取之成功率。 [拾取條件] 頂起治具：多階段拾取，階段數：3，治具尺寸：6 mm×12 mm 頂起量：第1階段300 μm，第2階段600 μm，第3階段900 μm 頂起速度：5 mm/秒 擴張量：3 mm
關於各實施例及比較例之附間隔件之切晶接著膜，將性能評價(拾取性能)之結果分別示於表1。
根據上述評價結果可理解，實施例之具備間隔層之附間隔件之切晶接著膜與比較例之附間隔件之切晶接著膜相比，於拾取性能方面更良好。
於實施例中，室溫(25℃)下之積層片(間隔層及接著層)之彎曲剛性為0.05 N·mm 2以上。 藉由在半導體積體電路之製造中使用具有此種物性之實施例之附間隔件之切晶接著膜，能夠高效率地製造所謂NAND型快閃記憶體等。 [產業上之可利用性]
本發明之附間隔件之切晶接著膜例如適宜用作製造半導體積體電路時之輔助用具。
1:附間隔件之切晶接著膜 10:間隔層 20:接著層 30:切晶帶 31:基材層 32:黏著劑層 B:晶圓切割機 d':黏晶層 d'':黏晶層 H:剝離帶 I:裝置 I':裝置 I'':裝置 J:吸附治具 L:接合線 R:切晶環 S:去除帶 T:轉印帶 w':半導體晶片 w'':半導體晶片 Z:基板
圖1A係表示半導體積體電路之製造步驟之一例之中間過程的模式剖視圖。 圖1B係表示半導體積體電路之製造步驟之一例之中間過程的模式剖視圖。 圖1C係表示半導體積體電路之製造步驟之一例之中間過程的模式剖視圖。 圖2係本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之模式性立體圖。 圖3係將本實施方式之附間隔件之切晶接著膜於厚度方向上切斷所得之剖視圖。 圖4A係模式性地表示在半導體積體電路之製造方法中使用附間隔件之切晶接著膜之情況(安裝)的剖視圖。 圖4B係模式性地表示在半導體積體電路之製造方法中使用附間隔件之切晶接著膜之情況(刀片切晶)的剖視圖。 圖4C係模式性地表示在半導體積體電路之製造方法中使用附間隔件之切晶接著膜之情況(刀片切晶後)的剖視圖。 圖4D係模式性地表示在半導體積體電路之製造方法中使用附間隔件之切晶接著膜之情況(拾取)的剖視圖。 圖5A係模式性地表示半導體積體電路之另一例之剖視圖。 圖5B係模式性地表示半導體積體電路之另一例之剖視圖。 圖5C係模式性地表示半導體積體電路之另一例之剖視圖。 圖5D係模式性地表示半導體積體電路之另一例之剖視圖。 圖5E係模式性地表示半導體積體電路之另一例之剖視圖。 圖6A係模式性地表示製作具有間隔層及接著層之積層片之情況之模式剖視圖。 圖6B係模式性地表示製作具有間隔層及接著層之積層片之情況之模式剖視圖。 圖7A係模式性地表示製造本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之中途情況的模式剖視圖。 圖7B係模式性地表示將製造過程中之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之剖面的模式剖視圖。 圖8A係模式性地表示製造本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之中途情況的模式剖視圖。 圖8B係模式性地表示將製造過程中之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之剖面的模式剖視圖。 圖8C係模式性地表示將製造過程中之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之剖面的模式剖視圖。 圖8D係模式性地表示將製造過程中之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之剖面的模式剖視圖。 圖9A係模式性地表示製造本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之中途情況的模式剖視圖。 圖9B係模式性地表示將製造過程中之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之剖面的模式剖視圖。 圖9C係模式性地表示將製造過程中之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之剖面的模式剖視圖。 圖9D係模式性地表示將製造過程中之附間隔件之切晶接著膜沿長度方向切斷之剖面的模式剖視圖。 圖10A係模式性地表示本實施方式之附間隔件之切晶接著膜之另一例的模式剖視圖。 圖10B係模式性地表示製造過程中之附間隔件之切晶接著膜之另一例的模式剖視圖。
1:附間隔件之切晶接著膜
10:間隔層
20:接著層
30:切晶帶
31:基材層
32:黏著劑層
H:剝離帶

Claims (7)

  1. 一種附間隔件之切晶接著膜，其具備： 積層片，其具有接著於被接著體之接著層及重疊於該接著層之一面之間隔層；及 切晶帶，其重疊於上述積層片之上述接著層之另一面且保持上述積層片；且 上述積層片於室溫下之彎曲剛性為0.05 N·mm 2以上。
  2. 如請求項1之附間隔件之切晶接著膜，其中上述積層片之彈性模數為1 GPa以上。
  3. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其中上述接著層與上述間隔層之間之剝離力為0.1 N/20mm以上。
  4. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其中上述間隔層之厚度為3 μm以上300 μm以下。
  5. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其中上述接著層之厚度為10 μm以上200 μm以下。
  6. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其中上述間隔層之材質為選自由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯、聚苯并咪唑、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮所組成之群中之至少1種。
  7. 如請求項1或2之附間隔件之切晶接著膜，其於製造晶片埋入型半導體積體電路時用於將半導體晶片埋入，或者於製造導線埋入型半導體積體電路時用於確保於控制用半導體晶片之上積層記憶用半導體晶片之空間。
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