KR20220069820A - 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름 - Google Patents

Abstract

피착체에 접착되는 접착층과 해당 접착층에 겹치는 스페이서층을 갖는 적층 시트와, 상기 적층 시트의 상기 접착층에 겹치고 또한 상기 적층 시트를 보유 지지하는 다이싱 테이프를 구비하고, 상기 적층 시트의 실온에 있어서의 굴곡 강성은 0.05N·㎟ 이상인, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 제공한다.

Description

스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름{DICING ADHESIVE FILM WITH SPACER}

본 발명은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조할 때 사용되는 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 관한 것이다.

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 일반적으로, 고집적의 전자 회로에 의해 웨이퍼의 편면측에 회로면을 형성하는 전공정과, 회로면이 형성된 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 후공정을 구비한다.

근년에 있어서의 집적화 기술의 가일층의 진전에 수반하여, 후공정에서는, 예를 들어 NAND형 메모리 칩을 복수회에 걸쳐 적층하여 반도체 집적 회로를 조립하는 경우가 있다. 이 경우, 예를 들어 제어용의 컨트롤러 칩의 위에, 복수의 기억용의 NAND 칩이 겹쳐진 구조의 반도체 집적 회로를 제조한다. 이러한 구조의 반도체 집적 회로에서는, 예를 들어 제어용의 컨트롤러 칩과, 해당 칩에 가장 가까운 기억용의 NAND 칩 사이에 스페이서층이 배치된다.

종래, 상기와 같이 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 사용되는 가공용 필름이 알려져 있다. 이러한 종류의 가공용 필름에는, 목적에 따라 각종 타입이 있고, 각 목적에 따라 상기한 후공정에 있어서 사용된다.

가공용 필름으로서는, 예를 들어 반도체 칩을 피착체에 첩부하기 위한 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 기재층과 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프의 점착제층에 적층되고 또한 피착체에 접착되는 다이 본드층을 구비한다.

한편, 가공용 필름으로서는, 상기한 스페이서층을 피착체에 접착하기 위해, 스페이서층과, 해당 스페이서층을 피착체에 접착시키기 위한 접착층과, 접착층에 겹친 다이싱 테이프를 갖는 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름이 알려져 있다.

예를 들어, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서의 후공정에서는, 먼저, 다이싱 테이프와 다이 본드층을 갖는 다이싱 다이 본드 필름을 가공용 필름으로서 사용하고, 도 1a에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 소편화한 제어용의 컨트롤러 칩(w')을, 다이 본드층(d')을 개재시켜 피착체(배선 기판(Z) 등)의 표면에 고정하는 제1 공정을 실시한다. 이어서, 다이싱 테이프와 접착층과 스페이서층을 갖는 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 가공용 필름으로서 사용하고, 해당 필름을 사용하여 소편화한 스페이서층이, 도 1b에 도시한 바와 같이 접착층을 개재시켜 피착체(배선 기판)의 표면에 고정되는 제2 공정을 실시한다. 계속해서, 상기와 같이 다이싱 다이 본드 필름을 가공용 필름으로서 사용하고, 도 1c에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 소편화한 기억용의 NAND 칩(w")을, 다이 본드층(d")을 개재시켜 스페이서층(10) 위에 고정하고, 또한 기억용의 NAND 칩(w")을 마찬가지로 하여 적층하는 제3 공정을 실시한다.

이들 공정을 거쳐서, 상기와 같이 반도체 집적 회로가 제조된다.

여기서, 제2 공정에서는, 예를 들어 얇은 실리콘 웨이퍼로 형성된 스페이서층을 구비한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 사용하여, 블레이드 다이싱 등에 의해 스페이서층 및 접착층에 홈을 형성하여 소편으로 할단하는 공정과, 접착층이 첩부된 상태의 소편화된 스페이서층을 다이싱 테이프로부터 박리하는 공정과, 접착층이 첩부된 상태의 스페이서층을 피착체(배선 기판)에 접착시키는 공정을 실시한다.

이러한 종류의 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서, 제2 공정에서 사용되는 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름으로서는, 실리콘 웨이퍼로 형성된 스페이서층 대신에, 금속박으로 형성된 스페이서층을 구비한 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1).

상세하게는, 특허문헌 1에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 있어서의 스페이서층은, 압연강박이나 스테인리스강박과 같은 금속박이다.

특허문헌 1에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 의하면, 스페이서층이 실리콘 웨이퍼가 아니라 금속박이기 때문에, 실리콘 웨이퍼의 공급량 부족에 영향받지 않고 안정적인 제조 공급을 유지할 수 있다. 또한, 실리콘 웨이퍼의 두께를 얇게 하기 위한 상기와 같은 백그라인드 공정이 불필요하기 때문에, 반도체 집적 회로의 제조 공정을 간편화할 수 있다.

그런데, 스페이서층 위에 겹쳐지는 기억용의 NAND 칩과, 배선 기판 사이의 전기 절연성을 스페이서층에 의해 확보하기 위해, 스페이서층을 구성하는 재료로서는, 도전성의 금속보다도, 수지 등의 전기 절연성을 갖는 재료가 적합하다.

일본 특허 공개 2007-220913호 공보

그래서, 전기 절연성을 갖는 수지 등에 의해 스페이서층을 제작하고, 이러한 스페이서층과 접착층이 접합된 적층 시트를 구비한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을, 상기한 제2 공정에서 사용하는 것을 생각할 수 있다.

그런데, 전기 절연성을 갖는 스페이서층과 접착층의 단순한 적층 시트를, 상기한 제2 공정에 있어서 다이싱 테이프 위에서 소편화하고, 다이싱 테이프로부터 박리할 때, 박리 불량 등에 의해, 소편화된 적층 시트의 픽업을 할 수 없는 경우가 있다.

이러한 문제를 방지하기 위해, 소편화된 상기 적층 시트를 다이싱 테이프로부터 박리할 때의 픽업성이 양호한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름이 요망되고 있다.

그러나, 스페이서층과 접착층의 적층 시트를 다이싱 테이프로부터 박리할 때의 픽업성이 양호한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 대해서는, 아직 충분히 검토되고 있다고는 할 수 없다.

그래서, 본 발명은, 스페이서층과 접착층의 적층 시트를 다이싱 테이프로부터 박리할 때의 픽업성이 양호한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름은,

피착체에 접착되는 접착층과, 해당 접착층의 한쪽 면에 겹치는 스페이서층을 갖는 적층 시트와,

상기 적층 시트의 상기 접착층의 다른 쪽 면에 겹치고 또한 상기 적층 시트를 보유 지지하는 다이싱 테이프를 구비하고,

상기 적층 시트의 실온에 있어서의 굴곡 강성은 0.05N·㎟ 이상인 것을 특징으로 한다.

상기 구성의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 의하면, 스페이서층과 접착층의 적층 시트를 다이싱 테이프로부터 박리할 때의 픽업성이 양호해진다.

상기한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에서는, 상기 적층 시트의 탄성률은 1㎬ 이상인 것이 바람직하다. 이로써, 스페이서층과 접착층의 적층 시트를 다이싱 테이프로부터 박리할 때의 픽업성이 더 양호해진다.

상기한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에서는, 상기 접착층과 상기 스페이서층 사이의 박리력은 0.1N/20㎜ 이상이어도 된다.

상기한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에서는, 상기 스페이서층의 두께가 3㎛ 이상 300㎛ 이하여도 된다.

상기한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에서는, 상기 접착층의 두께가 10㎛ 이상 200㎛ 이하여도 된다.

이로써, 스페이서층과 접착층의 적층 시트를 다이싱 테이프로부터 박리할 때의 픽업성이 더 양호해진다.

상기한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에서는, 상기 스페이서층의 재질은, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르, 폴리벤조이미다졸, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌술피드 및 폴리에테르에테르케톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이로써, 스페이서층과 접착층의 적층 시트를 다이싱 테이프로부터 박리할 때의 픽업성이 더 양호해진다.

상기한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름은, 칩 매립형의 반도체 집적 회로를 제조할 때 반도체 칩을 매립하기 위해, 또는 와이어 매립형의 반도체 집적 회로를 제조할 때 제어용 반도체 칩 상에 기억용 반도체 칩을 적층하는 스페이스를 확보하기 위해 사용되어도 된다.

도 1a는 반도체 집적 회로의 제조 공정의 일례에 있어서의 도중 경과를 나타내는 모식 단면도.
도 1b 는 반도체 집적 회로의 제조 공정의 일례에 있어서의 도중 경과를 나타내는 모식 단면도.
도 1c는 반도체 집적 회로의 제조 공정의 일례에 있어서의 도중 경과를 나타내는 모식 단면도.
도 2는 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 모식적인 사시도.
도 3은 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 두께 방향으로 절단한 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 사용하는 양태(마운트)를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 사용하는 양태(블레이드 다이싱)를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 사용하는 양태(블레이드 다이싱 후)를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 사용하는 양태(픽업)를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5c는 반도체 집적 회로의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5d는 반도체 집적 회로의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5e는 반도체 집적 회로의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도.
도 6a는 스페이서층 및 접착층을 갖는 적층 시트를 제작하는 양태를 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 6b는 스페이서층 및 접착층을 갖는 적층 시트를 제작하는 양태를 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 7a는 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 제조하는 도중의 양태를 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 7b는 제조 도중의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 길이 방향을 따라 절단한 단면을 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 8a는 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 제조하는 도중의 양태를 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 8b는 제조 도중의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 길이 방향을 따라 절단한 단면을 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 8c는 제조 도중의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 길이 방향을 따라 절단한 단면을 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 8d는 제조 도중의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 길이 방향을 따라 절단한 단면을 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 9a는 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 제조하는 도중의 양태를 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 9b는 제조 도중의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 길이 방향을 따라 절단한 단면을 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 9c는 제조 도중의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 길이 방향을 따라 절단한 단면을 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 9d는 제조 도중의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 길이 방향을 따라 절단한 단면을 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 10a는 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 다른 예를 모식적으로 나타내는 모식 단면도.
도 10b는 제조 도중의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 다른 예를 모식적으로 나타내는 모식 단면도.

이하, 본 발명에 관한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 긴 시트이고, 사용될 때까지 권회된 상태로 보관된다. 도 2에 있어서의 III-III선을 따라 두께 방향으로 절단한 단면도를 도 3에 도시한다.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 피착체에 접착되는 접착층(20)과, 해당 접착층(20)의 한쪽 면에 겹치는 스페이서층(10)을 갖는 적층 시트와,

적층 시트의 접착층(20)의 다른 쪽 면에 겹치고 또한 접착 시트를 보유 지지하는 다이싱 테이프(30)를 구비한다. 접착층(20)은, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 회로 기판 또는 반도체 칩 등의 피착체에 접착되게 된다.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)을 두께 방향의 한쪽으로부터 본 때, 다이싱 테이프(30)는 띠 형상이고, 스페이서층(10) 및 접착층(20)은, 원 형상이고 또한 다이싱 테이프(30)의 길이 방향을 따라 나열되어 있다.

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 접착층(20)에 의해 제어용의 컨트롤러 칩(w')을 매립하도록 접착층(20)을 기판(Z)에 접착하여 사용될 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 접착층(20)을 개재시켜 기판(Z)에 접착한 스페이서층(10) 위에 NAND형 메모리 칩(w")을 접착시키기 위해 사용될 수 있다.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 스페이서층(10)의 표면과, 다이싱 테이프(30)의 점착제층(32)의 표면의 일부를 보호하는 보호 필름(박리 테이프(H))을 더 구비해도 된다.

<스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 스페이서층>

스페이서층(10)의 두께(평균 두께)는, 3㎛ 이상 300㎛ 이하여도 되고, 3㎛ 이상 100㎛ 이하여도 된다.

또한, 스페이서층(10)의 두께는, 랜덤하게 선택한 적어도 5개소에 있어서의 두께의 측정값을 평균함으로써 산출된다. 스페이서층(10)이 적층체인 경우, 스페이서층(10)의 두께는, 이러한 적층체의 두께(스페이서층(10)의 총 두께)이다.

스페이서층(10)은 통상, 수지제이다. 스페이서층(10)은, 통상, 수지를 적어도 50질량％ 포함한다. 스페이서층(10)의 재질은, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르, 폴리벤조이미다졸, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌술피드 및 폴리에테르에테르케톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, 폴리이미드 및 폴리에테르이미드 중 적어도 한쪽인 것이 보다 바람직하고, 폴리이미드인 것이 더욱 바람직하다.

환언하면, 스페이서층(10)은, 폴리이미드제, 폴리아미드이미드제, 폴리에스테르제(폴리에틸렌테레프탈레이트제 등), 폴리벤조이미다졸제, 폴리에테르이미드제, 폴리페닐렌술피드제, 폴리에테르에테르케톤제 등인 것이 바람직하다.

스페이서층(10)의 재질이 상기한 재질인 것에 의해, 스페이서층(10)이 전기 절연성을 충분히 가질 수 있다는 이점이 있다. 또한, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 리플로우 납땜 공정을 실시하는 경우에, 예를 들어 260℃ 정도의 고온에 대한 내열성을 스페이서층(10)이 가질 수 있다는 이점이 있다.

<스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 접착층>

접착층(20)의 두께(평균 두께)는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께는, 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 150㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 접착층(20)이 적층체인 경우, 접착층(20)의 두께는, 이러한 적층체의 두께(접착층(20)의 총 두께)이다.

접착층(20)의 두께는, 랜덤하게 선택한 적어도 10개소에 있어서의 두께의 측정값을 평균함으로써 산출된다.

접착층(20)의 두께가, 예를 들어 100㎛ 이상과 같은 비교적 두꺼운 경우, 후술하는 FOD 용도(칩 매립형의 반도체 집적 회로를 제조할 때 반도체 칩을 매립하기 위한 용도)로, 적합하게 사용된다.

접착층(20)의 두께가 예를 들어 100㎛ 미만과 같은 비교적 얇은 경우, 후술하는 FOW 용도(와이어 매립형의 반도체 집적 회로를 제조할 때 제어용 반도체 칩 상에 기억용 반도체 칩을 적층하는 스페이스를 확보하기 위한 용도)로, 적합하게 사용된다.

접착층(20)은, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이, 단층 구조를 가져도 된다. 본 명세서에 있어서, 단층이란, 동일한 조성물로 형성된 층만을 갖는 것이다. 동일한 조성물로 형성된 층이 복수 적층된 형태도 단층이다.

한편, 접착층(20)은, 예를 들어 2종 이상의 다른 조성물로 각각 형성된 층이 적층된 다층 구조를 가져도 된다.

접착층(20)은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함할 수 있다. 접착층(20)은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다. 다이 본딩 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등을 더 적게 함유한다는 점에서, 상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지의 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.

상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸 노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 또는 글리시딜아민형의 각 에폭시 수지를 들 수 있다.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다.

노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다.

상기 페놀 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.

접착층(20)에 있어서, 페놀 수지의 수산기는, 에폭시 수지의 에폭시기 1당량당, 바람직하게는 0.5당량 이상 2.0당량 이하, 보다 바람직하게는 0.7당량 이상 1.5당량 이하이다. 이로써, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.

접착층(20)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 접착층(20)에 있어서의 이러한 열경화성 수지의 함유 비율은, 접착층(20)의 총 질량에 대하여, 5질량％ 이상 60질량％ 이하가 바람직하고, 10질량％ 이상 50질량％ 이하가 보다 바람직하다. 이로써, 접착층(20)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킬 수 있다.

접착층(20)에 포함될 수 있는 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-폴리아미드 수지나 6,6-폴리아미드 수지 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다.

상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높기 때문에 접착층(20)의 접착성을 더 확보할 수 있다는 점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.

상기 열가소성 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.

상기 아크릴 수지는, 분자 중의 구성 단위 중, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위가 질량 비율로 가장 많은 폴리머인 것이 바람직하다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 알킬 부분(통상, 포화 탄화수소)의 탄소수가 2 이상 4 이하인 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.

상기 아크릴 수지는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다.

상기 기타의 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기(수산기) 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머, 또는 기타 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다.

상기 아크릴 수지는, 접착층(20)에 있어서 더 높은 응집력을 발휘할 수 있다는 점에서, 바람직하게는 알킬(메트)아크릴레이트(특히, 알킬 부분의 탄소수가 4 이하인 알킬(메트)아크릴레이트)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체이고, 보다 바람직하게는, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체이다.

접착층(20)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 경우, 접착층(20)에 있어서의 상기 열가소성 수지의 함유 비율은, 필러를 제외한 유기 성분(예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화 촉매 등, 실란 커플링제, 염료)의 총 질량에 대하여, 바람직하게는 5질량％ 이상 50질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10질량％ 이상 45질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 20질량％ 이상 40질량％ 이하이다. 또한, 열경화성 수지의 함유 비율을 변화시킴으로써, 접착층(20)의 탄성이나 점성을 조정할 수 있다.

접착층(20)의 열가소성 수지가 열경화성 관능기를 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 채용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지는, 바람직하게는 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 가장 많은 질량 비율로 포함한다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 상기 예시의 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.

한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기(수산기), 이소시아네이트기 등을 들 수 있다.

접착층(20)은, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지와 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 경화제로서는, 예를 들어 점착제층(32)에 포함될 수 있는 경화제로서 예시된 것(이소시아네이트 화합물 등)을 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 복수의 페놀 구조를 분자 중에 갖는 화합물을 경화제로서 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상술한 각종 페놀 수지를 경화제로서 사용할 수 있다.

접착층(20)은, 바람직하게는 필러를 함유한다. 접착층(20)에 있어서의 필러의 양을 바꿈으로써, 접착층(20)의 탄성 및 점성을 더 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 접착층(20)의 도전성, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다.

필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러로서는, 무기 필러가 바람직하다.

무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카나 비정질 실리카와 같은 실리카 등을 포함하는 필러를 들 수 있다. 또한, 무기 필러의 재질로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금 등을 들 수 있다. 붕산알루미늄 위스커, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등의 필러여도 된다. 필러의 형상은, 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상 등의 각종 형상이어도 된다. 필러로서는, 상기한 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.

접착층(20)이 필러를 포함하는 경우, 상기 필러의 함유 비율은, 접착층(20)의 총 질량에 대하여, 바람직하게는 30질량％ 이상 70질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이상 60질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 40질량％ 이상 55질량％ 이하이다.

접착층(20)은, 필요에 따라 다른 성분을 포함해도 된다. 상기 기타의 성분으로서는, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다.

난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다.

실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.

이온 트랩제로서는, 예를 들어 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 벤조트리아졸 등을 들 수 있다.

상기 기타의 첨가제로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.

접착층(20)은, 탄성 및 점성을 조정하기 쉽다는 점에서, 바람직하게는 열가소성 수지(특히, 아크릴 수지), 열경화성 수지 및 필러를 포함한다.

접착층(20)의 총 질량에 대하여, 열가소성 수지 및 열경화성 수지의 함유 비율은, 20질량％ 이상 95질량％ 이하인 것이 바람직하고, 30질량％ 이상 90질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 40질량％ 이상 85질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)을 사용할 때, 가열 처리 등에 의해 접착층(20)이 경화되어도 된다. 예를 들어, 기판(Z) 위의 제어용의 컨트롤러 칩(w')을 접착층(20)으로 덮도록, 스페이서층(10)을 갖는 접착층(20)을 기판(Z)에 접착하고, 그 후, 가열 처리(예를 들어, 70℃ 이상 150℃ 이하에서 큐어)를 실시함으로써, 접착층(20)을 경화시켜도 된다.

<스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 있어서의 적층 시트(스페이서층 및 접착층)>

스페이서층(10) 및 접착층(20)이 적층된 적층 시트의 실온에 있어서의 굴곡 강성은 0.05N·㎟ 이상이다. 이러한 굴곡 강성은, 0.10N·㎟ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.50N·㎟ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 2.0N·㎟ 이상인 것이 특히 바람직하다.

상기한 굴곡 강성이 0.05N·㎟ 이상이기 때문에, 예를 들어 도 4d에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(30)를 통해 적층 시트가 밀어올려진 때, 적층 시트가 다이싱 테이프(30)로부터 박리되기 쉽다. 상세하게는, 상기한 굴곡 강성이 0.05N·㎟ 이상이라는 비교적 높은 값이기 때문에, 상기와 같이 적층 시트가 밀어올려진 때, 다이싱 테이프(30)의 변형에 추종하여 적층 시트가 변형되는 것을 억제할 수 있다. 적층 시트의 변형이 억제되어 있기 때문에, 밀어올려진 때의 힘이, 박리하기 위한 힘으로 변환되기 쉽다. 따라서, 픽업 성능이 양호해진다.

또한, 상기한 굴곡 강성은 25.0N·㎟ 이하여도 되고, 20.0N·㎟ 이하여도 된다.

실온이란, 예를 들어 20℃ 이상 25℃ 이하이고, 실온으로서 25℃가 채용될 수 있다.

상기한 굴곡 강성은, 하기의 식(1)에 의해 산출한다. 식(1)에 있어서, b는, 직사각 형상의 스페이서층(10)(다이싱에 의해 소편화된 사용 시의 크기)의 긴 쪽 방향 길이(정사각형의 경우는 한 변의 길이)를 나타내고, F는, 인장 탄성률을 나타내고, h는, 적층 시트의 두께를 나타내고, λ는, 적층 시트 상부 에지로부터 중립축까지의 거리를 나타낸다. 식(1)에 있어서, 적층 시트를 단층이라고 간주하여 굴곡 강성의 산출을 행한다. 구체적으로는, 상기한 굴곡 강성은, 나중의 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된다.

또한, 식(1)에 있어서의 인장 탄성률은, 후술하는 방법에 의해 측정된다.

상기한 굴곡 강성은, 식(1)로부터도 파악되는 바와 같이, 스페이서층(10) 및 접착층(20) 중 적어도 한쪽의 탄성률을 더 높게 하는 것, 스페이서층(10) 및 접착층(20) 중 적어도 한쪽의 두께를 더 두껍게 하는 것 등에 의해 크게 할 수 있다. 한편, 상기한 굴곡 강성은, 스페이서층(10) 및 접착층(20) 중 적어도 한쪽의 탄성률을 더 낮게 하는 것, 스페이서층(10) 및 접착층(20) 중 적어도 한쪽의 두께를 더 얇게 하는 것 등에 의해 작게 할 수 있다.

상기한 적층 시트의 탄성률(인장 탄성률)은, 1㎬ 이상인 것이 바람직하고, 1.5㎬ 이상인 것이 보다 바람직하고, 2㎬ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 이로써, 스페이서층과 접착층의 적층 시트를 다이싱 테이프(30)로부터 박리할 때, 더 양호한 픽업성을 발휘할 수 있다.

또한, 상기한 적층 시트의 인장 탄성률은, 5㎬ 이하여도 되고, 4㎬ 이하여도 된다.

상기한 인장 탄성률의 측정 방법은, 이하와 같다. 스페이서층(10) 및 접착층(20)이 적층한 적층 시트로부터 길이 40㎜, 폭 10㎜의 크기의 측정용 샘플을 잘라내고, 고체 점탄성 측정 장치를 사용하여, －30℃부터 300℃까지에 있어서의 인장 저장 탄성률을 측정한다. 측정 조건은, 주파수 1㎐, 승온 속도 10℃/min, 척간 거리 20.0㎜이다. 그리고, 실온(바람직하게는 25℃)에 있어서의 저장 탄성률의 측정값을 상기한 인장 탄성률로서 채용한다.

상기한 인장 탄성률은, 스페이서층(10) 및 접착층(20) 중 적어도 한쪽을 구성하는 재료로서 더 탄성률이 높은 재료를 채용하는 것, 스페이서층(10) 및 접착층(20) 중 적어도 한쪽에 있어서 탄성률이 더 높은 재료의 함유율을 높이는 것 등에 의해 크게 할 수 있다. 한편, 상기한 인장 탄성률은, 스페이서층(10) 및 접착층(20) 중 적어도 한쪽을 구성하는 재료로서 더 탄성률이 낮은 재료를 채용하는 것, 스페이서층(10) 및 접착층(20) 중 적어도 한쪽에 있어서 탄성률이 더 낮은 재료의 함유율을 높이는 것 등에 의해 작게 할 수 있다.

상기한 인장 탄성률을 측정할 때의 온도는, 실온이고, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)이 사용될 때의 온도이다. 구체적으로는, 스페이서층(10) 및 접착층(20)이 적층된 적층 시트가 할단되어 소편화되고(도 4b, 도 4c 참조), 소편화된 적층 시트가 다이싱 테이프(30)의 점착제층(32)과의 사이에서 박리되어 픽업될(도 4d 참조) 때의 온도가, 상기한 인장 탄성률의 측정 온도에 상당한다.

접착층(20)과 스페이서층(10) 사이의 박리력은 0.1N/20㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기한 박리력은 0.5N/20㎜ 이하여도 된다.

상기한 박리력은, 길이 120㎜, 폭 25㎜의 시험 샘플을 사용하여, 실온에 있어서 측정된다. 상기한 박리력은, 박리 속도 300㎜/분, 박리 각도 90도, 측정 온도 25℃의 측정 조건에 있어서 측정된 값이다. 구체적으로는, 나중의 실시예에 기재된 방법에 의해 상기한 박리력을 측정한다.

상기한 박리력을 크게 하기 위해서는, 예를 들어 접착층(20)에 직접 접하는 스페이서층(10)의 표면에 대하여, 미리 플라스마 표면 처리를 실시하거나, 알코올 등을 사용한 와이프 아웃에 의한 클리닝 처리를 실시하거나 한다. 한편, 상기한 박리력을 작게 하기 위해서는, 예를 들어 스페이서층(10)의 표면을 실리콘으로 이형 처리하고, 이형 처리된 면을 접착층(20)에 중첩한다.

적층 시트(스페이서층 및 접착층)의 두께(평균 두께)는, 30㎛ 이상 300㎛ 이하여도 되고, 40㎛ 이상 200㎛ 이하여도 된다.

또한, 적층 시트의 두께는, 랜덤하게 선택한 적어도 5개소에 있어서의 두께의 측정값을 평균함으로써 산출된다.

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 사용되기 전의 상태에 있어서, 스페이서층(10)의 한쪽 면(스페이서층(10)이 접착층(20)과 겹쳐져 있지 않은 면)을 덮는 박리 테이프를 구비해도 된다. 박리 테이프는, 스페이서층(10)을 보호하기 위해 사용되고, 예를 들어 사용 직전에 박리된다.

이어서, 상기한 접착층(20)에 접합된 다이싱 테이프(30)에 대하여 상세하게 설명한다.

<스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 다이싱 테이프>

상기한 다이싱 테이프(30)는, 통상, 띠 형상이고, 할단 처리되는 실리콘 웨이퍼보다도, 한단계 큰 내경을 갖는 원환 형상의 프레임에 붙여져, 커트되어 사용된다.

상기한 다이싱 테이프(30)는, 기재층(31)과, 해당 기재층(31)에 겹친 점착제층(32)을 구비한다.

기재층(31)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조를 가져도 된다.

기재층(31)은 점착제층(32)을 지지한다. 기재층(31)은 수지를 포함한다. 기재층(31)에 포함되는 수지로서는, 폴리올레핀(폴리프로필렌(PP), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 저밀도 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌), α-올레핀 등), 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 에틸렌-아크릴산메틸(EMA), 에틸렌-아크릴산에틸(EEA), 에틸렌-메타크릴산메틸(EMMA), 스티렌·부타디엔 고무(SBR), 수소 첨가 스티렌계 열가소성 엘라스토머(SEBS), 스티렌에틸렌프로필렌스티렌 블록 공중합체(SEPS), 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 불소 수지, 셀룰로오스 수지, 실리콘 수지 및 아이오노머 수지 등을 들 수 있다.

기재층(31)은, 상기한 수지를 1종 포함해도 되고, 2종이상 포함해도 된다.

또한, 후술하는 바와 같이 점착제층(32)이 자외선에 의해 경화되는 것인 경우, 기재층(31)은, 자외선 투과성을 갖도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.

기재층(31)은, 비연신 성형에 의해 얻어진 것이어도 되고, 연신 성형에 의해 얻어진 것이어도 된다. 연신 성형에 의해 얻어진 기재층(31)이 바람직하다.

기재층(31)의 두께(총 두께)는, 55㎛ 이상 195㎛ 이하인 것이 바람직하고, 55㎛ 이상 190㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 55㎛ 이상 170㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 60㎛ 이상 160㎛ 이하인 것이 최적이다.

기재층(31)의 두께는, 예를 들어 다이알 게이지(PEACOCK사제, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 5점의 두께를 측정하고, 이것들의 두께를 산술 평균함으로써 구할 수 있다.

기재층(31)은, 수지 필름으로 구성되어 있는 것이 바람직하다.

기재층(31)의 표면에는, 점착제층(32)과의 밀착성을 높이기 위해, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 방법 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 채용될 수 있다. 또한, 앵커 코팅제, 프라이머, 접착제 등의 코팅제에 의한 코팅 처리가 실시되어 있어도 된다.

기재층(31)의 배면측(점착제층(32)이 겹쳐져 있지 않은 측)에는, 박리성을 부여하기 위해, 예를 들어 실리콘계 수지나 불소계 수지 등의 이형제(박리제) 등에 의해 이형 처리가 실시되어 있어도 된다.

기재층(31)은, 배면측으로부터 자외선 등의 활성 에너지선을 점착제층(32)으로 부여하는 것이 가능하게 되는 점에서, 광투과성(자외선 투과성)의 수지 필름 등인 것이 바람직하다.

상기한 다이싱 테이프(30)는, 사용되기 전의 상태에 있어서, 점착제층(32)의 한쪽 면(점착제층(32)이 기재층(31)과 겹쳐져 있지 않은 면)을 덮는 박리 테이프를 구비해도 된다. 점착제층(32)보다도 작은 면적의 접착층(20)이, 점착제층(32)에 들어가도록 배치되어 있는 경우, 박리 테이프는, 점착제층(32) 및 접착층(20)의 양쪽을 덮도록 배치된다. 박리 테이프는, 점착제층(32)을 보호하기 위해 사용되고, 점착제층(32)에 접착층(20)을 첩부하기 전에 박리된다.

박리 테이프로서는, 예를 들어 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화몰리브덴 등의 박리제에 의해 표면 처리된, 플라스틱 필름 또는 종이 등을 사용할 수 있다.

또한, 박리 테이프로서는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로플루오로에틸렌·불화비닐리덴 공중합체 등의 불소계 폴리머제의 필름; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀제의 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르제의 필름 등을 사용할 수 있다.

또한, 박리 테이프로서는, 예를 들어 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된, 플라스틱 필름 또는 종이류 등을 사용할 수 있다.

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(32)은, 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 포함한다.

점착제층(32)은, 5㎛ 이상 40㎛ 이하의 두께를 가져도 된다. 점착제층(32)의 형상 및 크기는, 통상, 기재층(31)의 형상 및 크기와 동일하다.

상기한 아크릴 폴리머는, 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 적어도 갖는다. 구성 단위는, 아크릴 폴리머의 주쇄를 구성하는 단위이다. 상기한 아크릴 폴리머에 있어서의 각 측쇄는, 주쇄를 구성하는 각 구성 단위에 포함된다.

또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴레이트」라는 표기는, 메타크릴레이트(메타크릴산에스테르) 및 아크릴레이트(아크릴산에스테르) 중 적어도 한쪽을 나타낸다. 마찬가지로, 「(메트)아크릴산」이라는 표기는, 메타크릴산 및 아크릴산 중 적어도 한쪽을 나타낸다.

점착제층(32)에 포함되는 아크릴 폴리머에 있어서, 상기한 구성 단위는, ¹H-NMR, ¹³C-NMR 등의 NMR 분석, 열분해 GC/MS 분석 및 적외 분광법 등에 의해 확인할 수 있다. 또한, 아크릴 폴리머에 있어서의 상기한 구성 단위의 몰 비율은, 통상, 아크릴 폴리머를 중합할 때의 배합량(투입량)으로부터 산출된다.

상기한 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머에서 유래한다. 환언하면, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머가 중합 반응한 후의 분자 구조가, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위이다. 「알킬」이라는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분을 나타낸다.

알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 알킬 부분의 탄화수소 부분은, 포화 탄화수소여도 되고, 불포화탄화수소여도 된다.

또한, 알킬 부분은, 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이로써, 알킬 폴리머의 극성이 극단으로 높아지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 점착제층(32)이, 접착층(20)에 대하여 과도한 친화성을 갖는 것이 억제된다. 따라서, 접착층(20)으로부터 다이싱 테이프(30)를, 더 양호하게 박리할 수 있다. 알킬 부분의 탄소수는, 6 이상 10 이하(C6 내지 10 알킬)여도 된다.

알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n- 또는 iso-노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트 등의 각 구성 단위를 들 수 있다.

아크릴 폴리머는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖고, 이러한 구성 단위의 수산기가, 이소시아네이트기와 용이하게 반응한다.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물을 점착제층(32)에 공존시켜 둠으로써, 점착제층(32)을 적절하게 경화시킬 수 있다. 그 때문에, 아크릴 폴리머가 충분히 겔화될 수 있다. 따라서, 점착제층(32)은, 형상을 유지하면서 점착 성능을 발휘할 수 있다.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위인 것이 바람직하다. 「C2 내지 C4 알킬」이라는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분의 탄소수를 나타낸다. 환언하면, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트 모노머는, (메트)아크릴산과, 탄소수 2 이상 4 이하의 알코올(통상, 2가 알코올)이 에스테르 결합한 모노머를 나타낸다.

C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 통상, 포화 탄화수소이다. 예를 들어, C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 직쇄상 포화 탄화수소, 또는 분지쇄상 포화 탄화수소이다. C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다.

수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시n-부틸(메트)아크릴레이트, 또는 히드록시iso-부틸(메트)아크릴레이트와 같은 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 각 구성 단위를 들 수 있다. 또한, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서, 수산기(-OH기)는, 탄화수소 부분의 말단 탄소(C)에 결합되어 있어도 되고, 탄화수소 부분의 말단 이외의 탄소(C)에 결합되어 있어도 된다.

상기한 아크릴 폴리머는, 측쇄에 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함한다.

상기한 아크릴 폴리머가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함함으로써, 픽업 공정 전에, 점착제층(32)을, 활성 에너지선(자외선 등)의 조사에 의해 경화시킬 수 있다. 상세하게는, 자외선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해, 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시켜, 이 라디칼의 작용에 의해, 아크릴 폴리머끼리를 가교 반응시킬 수 있다. 이로써, 조사 전에 있어서의 점착제층(32)의 점착력을, 조사에 의해 저하시킬 수 있다. 그리고, 접착층(20)을 점착제층(32)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다.

또한, 활성 에너지선으로서는, 자외선, 방사선, 전자선이 채용된다.

중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 구체적으로는, 상술한 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 수산기에, 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 이소시아네이트기가 우레탄 결합한 분자 구조를 가져도 된다.

중합성기를 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 아크릴 폴리머의 중합 후에, 조제될 수 있다. 예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 공중합 후에, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위 일부에 있어서의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응시킴으로써, 상기한 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 얻을 수 있다.

상기한 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머는, 분자 중에 이소시아네이트기를 1개 갖고, 또한(메트)아크릴로일기를 1개 갖는 것이 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들어 2-이소시아나토에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.

본 실시 형태에 있어서의 다이싱 테이프(30)의 점착제층(32)은, 이소시아네이트 화합물을 더 포함한다. 이소시아네이트 화합물의 일부는, 우레탄화 반응 등에 의해 반응한 후의 상태여도 된다.

이소시아네이트 화합물은, 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 갖는다. 이소시아네이트 화합물이 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 가짐으로써, 점착제층(32)에 있어서의 아크릴 폴리머간의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 이소시아네이트 화합물의 한쪽의 이소시아네이트기를 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시키고, 다른 쪽의 이소시아네이트기를 다른 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시킴으로써, 이소시아네이트 화합물을 개재시킨 가교 반응을 진행시킬 수 있다.

이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트, 또는 방향 지방족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트를 들 수 있다.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 디이소시아네이트의 2량체나 3량체 등의 중합 폴리이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐렌폴리이소시아네이트를 들 수 있다.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 상술한 이소시아네이트 화합물의 과잉량과, 활성 수소 함유 화합물을 반응시킨 폴리이소시아네이트를 들 수 있다. 활성 수소 함유 화합물로서는, 활성 수소 함유 저분자량 화합물, 활성 수소 함유 고분자량 화합물 등을 들 수 있다.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 알로파네이트화 폴리이소시아네이트, 뷰렛화 폴리이소시아네이트 등도 사용할 수 있다.

상기한 이소시아네이트 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

상기한 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트와 활성 수소 함유 저분자량 화합물의 반응물이 바람직하다. 방향족 디이소시아네이트의 반응물은, 이소시아네이트기의 반응 속도가 비교적 느리기 때문에, 이러한 반응물을 포함하는 점착제층(32)은, 과도하게 경화되어 버리는 것이 억제된다. 상기한 이소시아네이트 화합물로서는, 분자 중에 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 것이 바람직하다.

점착제층(32)에 포함되는 중합 개시제는, 가해진 열이나 광의 에너지에 의해 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이다. 점착제층(32)이 중합 개시제를 포함함으로써, 점착제층(32)에 열에너지나 광에너지를 부여한 때, 아크릴 폴리머간에 있어서의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머간에 있어서, 중합성기끼리의 중합 반응을 개시시켜, 점착제층(32)을 경화시킬 수 있다. 이로써, 점착제층(32)의 점착력을 저하시키고, 픽업 공정에 있어서, 경화된 점착제층(32)으로부터 접착층(20)을 용이하게 박리시킬 수 있다.

중합 개시제로서는, 예를 들어 광중합 개시제 또는 열 중합 개시제 등이 채용된다. 중합 개시제로서는, 일반적인 시판 제품을 사용할 수 있다.

점착제층(32)은, 상술한 성분 이외의 기타의 성분을 더 포함할 수 있다. 기타의 성분으로서는, 예를 들어 점착 부여제, 가소제, 충전제, 노화 방지제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 내열 안정제, 대전 방지제, 계면 활성제, 경박리화제 등을 들 수 있다. 기타의 성분의 종류 및 사용량은, 목적에 따라, 적절하게 선택될 수 있다.

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 칩 매립형의 반도체 집적 회로(FOD[Film On Die]형 반도체 집적 회로)를 제조할 때 반도체 칩(w')을 접착층(20)으로 매립하기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 상세하게는, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 반도체 칩(w')을 접착층(20)으로 매립하도록, 접착층(20)을 기판(Z)에 접착시켜 사용되는(도 1c, 도 5a 등을 참조) 것이 바람직하다.

본 실시 형태에 있어서, 수지제 등의 스페이서층(10)을 갖는 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)을 상술한 용도로 사용할 수 있기 때문에, 스페이서층이 Si 웨이퍼인 종래의 가공용 필름을 사용하는 것 보다도, 반도체 집적 회로의 제조 프로세스를 단축할 수 있다. 구체적으로는, Si 웨이퍼에 백그라인드 테이프를 첩부하고, 백그라인드에 의해 Si 웨이퍼를 원하는 두께로 가공하는 일련의 공정을 실시할 필요가 없다. 또한, Si 웨이퍼의 공급 부족에 영향받지 않고 스페이서층을 제작할 수 있어, 비교적 저렴한 수지에 의해 스페이서층을 제작할 수 있다.

또는, 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 와이어 매립형의 반도체 집적 회로(FOW[Film On Wire]형 반도체 집적 회로)를 제조할 때 제어용의 NAND 칩(w')보다도 위에 기억용의 NAND 칩(w")을 적층하기 위한 스페이스를 확보하기 위해, 접착층(20)을 기판(Z)에 접착시켜 사용되어도 된다(도 5b 내지 도 5e 등을 참조). 이 경우, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 본딩 와이어(L)를 접착층(20)으로 매립하도록, 접착층(20)을 기판(Z)에 접착시켜 사용되어도 된다. 이로써, 상술한 이유와 동일한 이유에 의해, 반도체 집적 회로의 제조 프로세스를 단축할 수 있다는 이점, 또한 Si 웨이퍼의 공급 부족에 영향받지 않고 스페이서층을 제작할 수 있다는 이점이 있다.

계속해서, 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.

<스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 제조 방법>

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)의 제조 방법은,

스페이서층(10)을 제작하는 공정과,

접착층(20)을 제작하는 공정과,

다이싱 테이프(30)를 제작하는 공정과,

제조된 스페이서층(10)과 접착층(20)과 다이싱 테이프(30)를 중첩하는 공정을 구비한다.

(스페이서층을 제작하는 공정)

스페이서층(10)을 제작하는 공정은, 예를 들어 스페이서층(10)을 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하는 수지 조성물 조제 공정과, 수지 조성물로 스페이서층(10)을 형성하는 스페이서층 형성 공정을 가져도 된다.

한편, 시판되고 있는 수지 필름을 스페이서층(10)으로서 채용해도 된다.

(접착층을 제작하는 공정)

접착층(20)을 제작하는 공정은,

접착층(20)을 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하는 수지 조성물 조제 공정과,

수지 조성물로 접착층(20)을 형성하는 접착층 형성 공정을 갖는다.

수지 조성물 조제 공정에서는, 예를 들어 에폭시 수지, 에폭시 수지의 경화 촉매, 아크릴 수지, 페놀 수지, 용매 등을 혼합하고, 각 수지를 용매에 용해시킴으로써 수지 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 또한, 이들 수지로서는, 시판되고 있는 제품을 사용할 수 있다.

접착층 형성 공정에서는, 예를 들어 상기와 같이 조제한 수지 조성물을, 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 이어서, 필요에 따라, 탈용매 처리나 경화 처리 등에 의해, 도포한 조성물을 고화시켜, 접착층(20)을 형성한다.

또한, 접착층 형성 공정에서는, 상기와 같이 조제한 수지 조성물을 스페이서층(10)에 도포함으로써, 스페이서층(10)에 겹친 접착층(20)을 형성해도 된다.

(다이싱 테이프를 제작하는 공정)

다이싱 테이프(30)를 제작하는 공정은,

아크릴 폴리머를 합성하는 합성 공정과,

상술한 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제와, 용매와, 목적에 따라 적절히 추가하는 기타의 성분을 포함하는 점착제 조성물로부터 용매를 휘발시켜 점착제층(32)을 제작하는 점착제층 제작 공정과,

기재층(31)을 제작하는 기재층 제작 공정과,

점착제층(32)과 기재층(31)을 접합하는 접합 공정을 구비한다.

합성 공정에서는, 예를 들어 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머를 라디칼 중합시킴으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성한다.

라디칼 중합은 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 상기한 각 모노머를 용매에 용해시켜 가열하면서 교반하고, 중합 개시제를 첨가함으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성할 수 있다. 아크릴 폴리머의 분자량을 조정하기 위해, 연쇄 이동제의 존재 하에서 중합을 행해도 된다.

이어서, 아크릴 폴리머 중간체에 포함되는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응에 의해 결합시킨다. 이로써, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위로 된다.

우레탄화 반응은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 용매 및 우레탄화 촉매의 존재 하에 있어서, 가열하면서 아크릴 폴리머 중간체와 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머를 교반한다. 이로써, 아크릴 폴리머 중간체의 수산기 일부에, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를 우레탄 결합시킬 수 있다.

점착제층 제작 공정에서는, 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 용매에 용해시켜, 점착제 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 이어서, 점착제 조성물을 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 도포한 조성물에, 탈용매 처리나 고화 처리 등을 실시함으로써, 도포한 점착제 조성물을 고화시켜, 점착제층(32)을 제작한다.

기재층 제작 공정에서는, 일반적인 방법에 의해 제막하여 기재층(31)을 제작할 수 있다. 제막하는 방법으로서는, 예를 들어, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다. 공압출 성형법을 채용해도 된다. 또한, 기재층(31)으로서, 시판되고 있는 필름 등을 사용해도 된다.

접합 공정에서는, 박리 시트에 겹친 상태의 점착제층(32)과 기재층(31)을 겹쳐서 적층시킨다. 또한, 박리 시트는, 사용 전까지 점착제층(32)에 겹친 상태여도 된다.

또한, 가교제와 아크릴 폴리머의 반응을 촉진하기 위해, 또한 가교제와 기재층(31)의 표면 부분의 반응을 촉진하기 위해, 접합 공정 후에, 50℃ 환경 하에서, 48시간의 에이징 처리 공정을 실시해도 된다.

이들 공정에 의해, 다이싱 테이프(30)를 제조할 수 있다.

(스페이서층이 부착된 접착층과 다이싱 테이프를 중첩하는 공정)

접착층(20)과 다이싱 테이프(30)를 중첩하는 공정에서는, 상기와 같이 제조한 다이싱 테이프(30)의 점착제층(32)에 접착층(20)을 첩부한다.

이러한 첩부에서는, 다이싱 테이프(30)의 점착제층(32) 및 접착층(20)으로부터 각각 박리 시트를 박리하고, 접착층(20)과 점착제층(32)이 직접 접촉하도록, 양자를 접합한다. 예를 들어, 압착함으로써 접합할 수 있다. 접합할 때의 온도는, 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어 30℃ 이상 50℃ 이하이고, 바람직하게는 35℃ 이상 45℃ 이하이다. 접합할 때의 선압은, 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 0.1kgf/㎝ 이상 20kgf/㎝ 이하이고, 보다 바람직하게는 1kgf/㎝ 이상 10kgf/㎝ 이하이다.

<스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 제조 방법(구체예)>

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 긴 시트 형상의 다이싱 테이프(30)의 편면측에, 스페이서층(10)과 접착층(20)의 적층 시트가 겹쳐져 있다. 다이싱 테이프(30)에 겹치는 적층 시트(스페이서층(10) 및 접착층(20))는, 두께 방향에서 보아 원 형상이고, 다이싱 테이프(30)의 길이 방향을 따라 복수의 적층 시트가 일렬로 나열되어 있다. 이와 같은 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 예를 들어 이하와 같이 하여 박리 테이프(H) 및 전사 테이프(T)를 사용하여 제조할 수 있다.

스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 예를 들어 도 7a, 도 8a 및 도 9a에 도시한 바와 같은 각 장치(I, I', I")를 사용하여 제조할 수 있다.

먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 스페이서층(10)(예를 들어, 수지 필름) 위에, 상술한 수지 조성물을 도포하고, 수지 조성물로부터 용매를 휘발시킴으로써 스페이서층(10)에 겹친 접착층(20)을 제작한다. 이어서, 접착층(20)에 박리 테이프(H)를 첩부하고, 도 6b에 도시한 바와 같이, 박리 테이프(H)를 갖는 띠 형상의 적층 시트를 제작한다. 또한, 상술한 수지 조성물을 박리 테이프(H)에 도포하고, 마찬가지로 하여 제작한 접착층(20)에, 스페이서층(10)을 겹치는 것에 의해서도, 동일한 적층 시트를 제작할 수 있다.

계속해서, 스페이서층(10)과 접착층(20)의 적층 시트를 도 7a에 도시한 바와 같은 장치에 세트한다. 이때, 도 7b에 도시한 바와 같이, 박리 테이프(H)를 하측으로 하여 적층 시트를 배치한다. 적층 시트를 장치에 통과시키면서, 스페이서층(10) 위에 전사 테이프(T)를 겹친다. 이 단계에서, 박리 테이프(H)와 스페이서층(10)과 접착층(20)과 전사 테이프(T)가 접합된 시트를 일단 권취한다.

또한, 일단 접합된 시트를 도 8a에 도시한 바와 같은 장치에 세트한다. 이때, 도 8b에 도시한 바와 같이, 전사 테이프(T)를 하측에 배치한다. 접합된 시트를 장치에 통과시키면서, 펀칭 가공에 의해, 박리 테이프(H)와 적층 시트를 원 형상(소정 형상)으로 펀칭한다. 이어서, 원 형상으로 펀칭한 부분 이외의 박리 테이프(H)(원 형상 부분 이외의 주변 부분의 박리 테이프(H))를 감아 올림으로써 제거한다. 그 후, 접합된 시트의 잔부를 장치에 의해 하류 방향으로 이동시키면서, 제거 테이프 S를 첩부한다. 일단 첩부한 제거 테이프 S를 감아 올림으로써, 얇은 원판 형상의 적층 시트가 전사 테이프(T) 위에 남도록, 적층 시트의 불필요한 부분을 제거한다(도 8c 참조). 이어서, 서로 이격하여 나열되는 것으로 된 복수의 적층 시트를 덮도록, 복수의 얇은 스페이서층(10) 위에 다이싱 테이프(30)를 겹친다(도 8d 참조). 이때, 다이싱 테이프(30)의 점착제층(32)이 접착층(20)에 직접 접촉하도록 첩부한다. 이 단계에서, 스페이서층(10)과 접착층(20)과 전사 테이프(T)가 접합된 시트를 일단 권취한다. 이로써, 다이싱 테이프(30)와 접착층(20)과 스페이서층(10)이 적층된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)에 전사 테이프(T)가 첩부된 상태로 된다. 이 상태를 최종 목적물로 해도 되지만, 전사 테이프(T)를 제거하기 위해, 일단 권취하여 이하의 조작을 더 추가해도 된다.

또한, 일단 권취한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)(전사 테이프(T)를 갖는)을 도 9a에 도시한 바와 같은 장치에 세트한다. 이때, 도 9b에 도시한 바와 같이, 전사 테이프(T)를 상측에, 또한 다이싱 테이프(30)를 하측에 배치한다. 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)을 장치에 통과시키면서, 전사 테이프(T)를 제거한다(도 9c 참조). 또한, 노출된 스페이서층(10)을 보호하기 위해, 스페이서층(10)에 박리 테이프(H)를 겹쳐도 된다(도 9d 참조).

또한, 도 7a, 도 8a 및 도 9a에 있어서, 각 장치로 긴 시트를 공급할 때의 송출 방향 및 긴 시트를 회수할 때의 권취 방향은 특별히 한정되지는 않는다. 상세하게는, 각 장치의 최상류측에 배치되어 권취된 긴 시트는, 내주측의 면이 상방을 향하도록 송출되어도 되고, 외주측의 면이 상방을 향하도록 송출되어도 된다. 또한, 각 장치의 최하류측에 배치되어 권취되는 긴 시트는, 상측의 면이 내주측을 향하도록 회수되어도 되고, 상측의 면이 외주측을 향하도록 회수되어도 된다.

또한, 상기와 같이 장치에 의해 제조된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 더 가공되어도 된다. 예를 들어, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 제품의 규격 폭에 맞도록, 폭 방향의 양쪽의 단부를 제거하는 슬릿 가공 공정이 실시된 후(도 10a), 펀칭 가공 장치(도시하지 않음)를 사용하여, 예를 들어 원 형상의 펀칭 부분(접착층(20) 및 스페이서층(10)의 펀칭 부분)보다도 약간 큰 치수(예를 들어, 1.1배 이상 1.4배 이하)로, 상측으로부터 다이싱 테이프(30)를 소정 형상으로 펀칭함과 함께, 불필요한 다이싱 테이프(30)를 제거하는 프리컷 공정이 실시되어도 된다(도 10b 참조).

상기와 같이 제조된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 특히 하기의 제2 공정에 있어서 사용된다. 이하, 사용에 있어서의 구체예에 대하여 설명한다.

<반도체 집적 회로를 제조할 때의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 사용 방법>

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 일반적으로, 회로면이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 공정을 구비한다.

이러한 공정은, 예를 들어

제어용의 컨트롤러 칩(w')을 반도체 웨이퍼(베어 웨이퍼)로부터 잘라내어 기판(Z)의 표면에 고정하는 제1 공정과,

접착층(20) 및 스페이서층(10)이 적층된 적층 시트로부터, 접착층(20)이 부착된 상태의 스페이서층(10)의 소편을 잘라내어 기판(Z)의 표면에 고정하고, 복수의 기억용의 NAND 칩(w")을 적층하기 위한 토대를 스페이서층(10)으로 형성하는 제2 공정과,

기억용의 NAND 칩(w')을 반도체 웨이퍼(베어 웨이퍼)로부터 잘라내고, 스페이서층(10) 위에 복수의 기억용의 NAND 칩(w")을 적층하는 제3 공정을 포함한다.

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 예를 들어 상기한 제2 공정에 있어서 사용된다.

제1 공정은, 제어용의 컨트롤러 칩(w')을 피착체(기판(Z))의 표면에 고정하기 위해, 예를 들어 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(w')(다이)에 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성한 후 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 얇게 하는 하프컷 가공을 실시하는 공정과, 얇아진 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이싱 테이프(30)에 첩부하여 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프(30)에 고정하는 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓혀 반도체 웨이퍼를 칩으로 소편화하는 공정과, 다이 본드층(d')이 첩부된 상태로 반도체 칩(w')(다이)을 픽업하여 취출하는 공정과, 다이 본드층(d')이 첩부된 상태의 반도체 칩(w')(다이)을 피착체에 접착(다이 본드)시키는 공정(도 1a 참조)을 갖는다.

제2 공정에 있어서의 하기의 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(30)(스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.

제2 공정은, 스페이서층(10) 및 접착층(20)을 피착체(기판(Z))의 표면에 고정하기 위해, 예를 들어 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)의 다이싱 테이프(30)에 다이싱 링 R을 설치하는 공정(도 4a 참조)과, 다이싱 쏘 B에 의해 접착층(20) 및 스페이서층(10)에 블레이드 다이싱 가공을 실시하여 소편(다이)으로 할단하는 공정(도 4b 및 도 4c 참조)과, 접착층(20)이 첩부된 상태의 소편화된 스페이서층(10)을 다이싱 테이프(30)의 점착제층(32)으로부터, 흡착 지그 J에 의해 박리하여 픽업하는 공정(도 4d 참조)과, 접착층(20)이 첩부된 상태의 스페이서층(10)을 피착체(기판(Z))에 접착시키는 공정(도 1b 참조)을 갖는다.

제3 공정에서는, 기억용의 NAND 칩(w")을 스페이서층(10) 위에 복수회 적층하기 위해, 예를 들어 제1 공정과 마찬가지로 하여, 기억용의 NAND 칩(w")을 픽업하고, 피착체(스페이서층(10))에 접착시키고, 또한 기억용의 NAND 칩(w")을 적층한다(도 1c 참조).

근년의 반도체 산업에 있어서는, 집적화 기술이 새로운 진전에 수반하여, NAND 칩에 있어서의 단위 면적의 용량은 증가하고 있다. 이에 수반하여, 동일한 용량이라면, NAND 칩의 사이즈가 더 작아지고 있다. 예를 들어, 제어용의 컨트롤러 칩(w') 위에 기억용의 NAND 칩(w")을 적층하는 타입의 반도체 집적 회로에 있어서는, 기억용의 NAND 칩(w")의 사이즈가 작아지면, 기억용의 NAND 칩(w")으로 제어용의 컨트롤러 칩(w')을 매립하는 것이 곤란하게 될 수 있는 점에서, 반도체 집적 회로를 조립하는 것이 곤란해진다.

이에 비해, 기억용의 NAND 칩(w")을 적층하기 위한 스페이스를 확보하기 위해, 본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)을 사용할 수 있다.

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름(1)은, 베어 웨이퍼로부터 반도체 칩을 제작할 때 사용되는 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로, 상기한 적층 시트를 소편화하고, 소편화한 적층 시트를 다이싱 테이프(30)로부터 박리하여 픽업하기 위해 사용될 수 있다. 그리고, 픽업된 적층 시트는, 예를 들어 기판(Z) 등의 피착체에 접착되어, 적층 시트의 스페이서층(10) 위에 기억용의 NAND 칩(w")을 적층할 수 있다.

또한, 제조되는 반도체 집적 회로의 형태는, 도 1c에 도시한 바와 같은 형태에 한정되지는 않고, 예를 들어 도 5a 내지 도 5e에 도시한 바와 같은 각 형태여도 된다.

본 실시 형태의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름은 상기 예시와 같지만, 본 발명은, 상기 예시의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 한정되는 것은 아니다.

즉, 일반적인 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 있어서 사용되는 다양한 형태가, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 채용될 수 있다.

본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.

(1) 피착체에 접착되는 접착층과, 해당 접착층에 겹치는 스페이서층을 갖는 적층 시트와,

상기 적층 시트의 상기 접착층에 겹치고 또한 상기 적층 시트를 보유 지지하는 다이싱 테이프를 구비하고,

상기 적층 시트의 실온에 있어서의 굴곡 강성은 0.05N·㎟ 이상인, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(2)

상기 적층 시트의 탄성률은 1㎬ 이상인, 상기 (1)에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(3)

상기 접착층과 상기 스페이서층 사이의 박리력은 0.1N/20㎜이상인, 상기 (2)에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(4)

상기 스페이서층의 두께가 3㎛ 이상 300㎛ 이하인, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(5)

상기 접착층의 두께가 10㎛ 이상 200㎛ 이하인, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 것에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(6)

상기 스페이서층의 재질은, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르, 폴리벤조이미다졸, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌술피드 및 폴리에테르에테르케톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 것에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(7)

상기 접착층은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함하는, 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 것에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(8)

상기 접착층은, 필러를 더 포함하는, 상기 (7)에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(9)

상기 접착층에 있어서, 접착층의 총 질량에 대하여, 필러의 함유 비율은 30질량％ 이상 70질량％ 이하인, 상기 (8)에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(10)

상기 다이싱 테이프의 점착제층은, 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 포함하는, 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 것에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(11)

상기 점착제층에 포함되는 상기 아크릴 폴리머는, 측쇄에 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함하는, 상기 (10)에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

(12)

칩 매립형의 반도체 집적 회로를 제조할 때 반도체 칩을 매립하기 위해, 또는 와이어 매립형의 반도체 집적 회로를 제조할 때 제어용 반도체 칩 상에 기억용 반도체 칩을 적층하는 스페이스를 확보하기 위해 사용되는, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 것에 기재된 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.

[실시예]

이어서 실험예에 의해 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1 내지 6 및 비교예 1)

이하와 같이 하여, 스페이서층 및 접착층의 적층 시트를 제조했다. 또한, 이 적층 시트의 접착층을 다이싱 테이프와 접합하고, 표 1에 나타내는 구성의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 각각 제조했다.

<스페이서층>

스페이서층으로서 하기의 수지 필름을 준비했다.

· 폴리이미드 필름 A(두께 75㎛)

(제품명 「캡톤 300V」 도레이·듀퐁사제)

· 폴리이미드 필름 B(두께 25㎛)

(제품명 「캡톤 100H」 도레이·듀퐁사제)

· 폴리아미드이미드 필름(두께 4㎛)

(제품명 「미크트론 #4Y-GE10」 도레이사제)

파라계의 방향족 폴리아미드(아라미드) 필름

· 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 A(두께 50㎛ 편면 실리콘 처리)

(미처리 표면을 접착층에 접합했다)

(제품명 「다이어포일 MRA50」 미쓰비시 케미컬사제)

· 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 B(두께 50㎛ 편면 실리콘 처리)

(실리콘 처리 표면을 접착층에 접합했다)

(제품명 「다이어포일 MRA50」 미쓰비시 케미컬사제)

<접착층의 제작>

하기의 원료를 메틸에틸케톤에 더하고 혼합하여, 접착층용 조성물을 얻었다. 각 원료의 상세를 하기에 나타낸다.

· 아크릴산에스테르계 폴리머 용액 100질량부

제품명 「테이산 레진 SG-70L」(고형분 농도 12.8질량％)

분자 중에 카르복시기 및 히드록시기를 함유 나가세 켐텍스사제

· 에폭시 수지 1.7질량부

제품명 「에피코트 YL980」 미쓰비시 케미컬사제

· 에폭시 수지 13질량부

제품명 「EPICLON N-665-EXP-S」 DIC사제

· 페놀 수지(경화제 1) 5질량부

제품명 「MEHC-7851SS」 메이와 가세이사제

· 실리카 유기 용매 슬러리 47질량부(분체를 60질량％ 함유)

제품명 「SO-E2」(분체를 미리 MEK에 분산시킨 것)

애드마텍스사제

· 경화 촉매 0.085질량부

제품명 「큐어졸 2PHZ」 시코쿠 가세이사제

· 희석 용매 50질량부 MEK(메틸에틸케톤)

이어서, 하기의 도공용 기재의 한쪽의 면에, 애플리케이터를 사용하여 접착층용 조성물을 도포했다. 도포는, 건조 후의 두께가 120㎛로 되도록 행하고, 그 후, 120℃에서 2분간 건조 처리함으로써, 접착층용 조성물로부터 용매를 휘발시켰다. 이와 같이 하여, 도공용 기재 위에 겹친 접착층을 얻었다.

· 도공용 기재(박리 시트) 제품명 「PET38」 후지코사제

이 접착층에 있어서의 노출된 면에 스페이서층을 첩부했다.

<다이싱 테이프의 점착제층>

(점착제층(점착제 조성물)의 조제)

하기의 원료를 준비했다.

· 2EHA(2-에틸헥실아크릴레이트): 100질량부

· HEA(2-히드록시에틸아크릴레이트): 20질량부

· AIBN(2,2'-아조비스이소부티로니트릴): 적량

· 중합 용매(톨루엔): 상기 모노머 농도가 약 55질량％로 되는 양

둥근 바닥 세퍼러블 플라스크(용량 1L), 온도계, 질소 도입관 및 교반 장치가 장비된 중합용 실험 장치의 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 상기한 원료를 넣었다. 교반하면서, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 질소 가스를 유입시키면서, 60℃에서 10시간의 중합 반응을 실시하여, 중간 조성물을 조제했다.

상온으로 될 때까지 중간 조성물을 냉각한 후, 중간 조성물 100질량부에 대하여 하기의 원료를 첨가했다.

· 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트

원료명 「카렌즈 MOI」, 쇼와 덴코사제): 1.4질량부

· 디라우르산디부틸주석 IV(와코 준아쿠 고교사제): 0.1질량부

대기 분위기 하에 있어서 50℃에서 60시간 교반하여, 아크릴 폴리머 조성물을 얻었다.

마지막으로, 상기한 아크릴 폴리머 조성물의 고형분 100질량부에 대하여 하기의 원료를 더하여, 점착제층을 형성하기 위한 점착제 조성물을 얻었다.

이소시아네이트 화합물(원료명 「코로네이트 L」, 도소사제): 1.1질량부

광중합 개시제(원료명 「이르가큐어 184」, IGM Resins사제): 3질량부

톨루엔: 조성물의 점도가 약 500mPa·s로 되는 양

박리용 시트로서 PET 필름을 준비했다. 이 PET 필름의 한쪽의 표면(이형 처리 완료된)에, 애플리케이터를 사용하여, 건조 후의 두께가 30㎛로 되도록 점착제 조성물을 도포했다. 120℃에서 2분 가열 건조하여, PET 필름(박리 시트)에 겹친 점착제층을 형성했다.

<다이싱 테이프의 제작>

기재층으로서 두께 80㎛의 폴리에틸렌 필름을 준비했다. 이 폴리에틸렌 필름과, 상기와 같이 제작한 PET 필름 상의 점착제층을, 라미네이터를 사용하여 실온에 있어서 접합했다. 이와 같이 하여, 다이싱 테이프를 제조했다.

<스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름의 제조>

다이싱 테이프의 점착제층과, 스페이서층이 부착된 상태의 접착층을 70℃에서 접합함으로써, 스페이서층 및 접착층과, 다이싱 테이프를 구비하는 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 제조했다.

상세하게는, 스페이서층과, 접착층(두께 120㎛)을 70℃에서 접합하여 적층 시트를 제작했다. 이 적층 시트를 직경 330㎜의 원형이 되도록 커트했다. 그리고, 커트한 적층 시트와 다이싱 테이프를 실온에 있어서 접합했다.

상기한 방법에 따라, 실시예 및 비교예의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을 각각 제조했다. 각 필름의 구성의 상세에 대하여 표 1에 나타낸다.

<스페이서층 및 접착층(적층 시트)의 탄성률(인장 탄성률)의 측정>

각 실시예 및 비교예의 스페이서층 및 접착층(적층 시트)을 커터 나이프에 의해 길이 40㎜, 폭 10㎜의 스트립 형상으로 되도록 잘라냈다. 이어서, 고체 점탄성 측정 장치(RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽사제)를 사용하여, －30℃부터 300℃까지에 있어서의 인장 저장 탄성률을 측정했다. 측정 조건은, 주파수 1㎐, 승온 속도 10℃/min, 척간 거리 20.0㎜로 했다. 그리고, 25℃에 있어서의 저장 탄성률의 값을 판독하여, 탄성률이라고 했다.

<스페이서층 및 접착층(적층 시트)의 굴곡 강성의 산출>

상기와 같이 측정한 탄성률 및 상술한 식(1) 등을 기초로 하여, 각 실시예 및 비교예의 적층 시트의 굴곡 강성을 산출했다.

또한, 식(1)에 있어서의 각 값으로서, 예를 들어 실시예 1에서는, b＝12[㎜] F＝2300[㎫], h＝0.195[㎜], λ＝0.0975[㎜]를 각각 채용하여, 굴곡 강성을 산출했다. b＝12[㎜]는, 나중에 설명하는 사용 성능 시험에 있어서의 시험 샘플의 긴 변 길이에 상당한다.

<스페이서층과 접착층 사이에 있어서의 박리력의 측정>

각 실시예 및 비교예의 스페이서층 및 접착층(적층 시트)을 커터 나이프에 의해 길이 120㎜, 폭 25㎜의 스트립 형상으로 되도록 잘라냈다. SUS판에 양면 테이프를 붙이고, 이 양면 테이프에, 스트립 형상으로 잘라낸 적층 시트를 첩부했다. 이때, 접착층을 양면 테이프에 첩부했다. 이어서, 정밀 만능 시험기 제품명 「오토그래프 AGS-J」(시마즈 세이사쿠쇼사제)를 사용하여, 스페이서층과 접착층의 박리력을 측정했다. 측정 조건은, 박리 속도 300㎜/분, 박리 각도 90도, 측정 온도 25℃로 했다. 그리고, 측정값을 폭 20㎜당의 수치로 변환했다.

<사용 성능의 평가>

제조한 각 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을, DISCO사제의 DFD6361을 사용하여 다이싱했다. 다이싱에서는, 6.0㎜×12.0㎜의 크기의 칩 형상의 스페이서층 및 접착층(적층 시트)이 얻어지도록 소편화를 실시했다. 다이싱 블레이드로서, Z1에 2030-SE 27HCDD를 사용하고, Z2에 2030-SE 27HCBB를 사용하여, 스텝 커트를 행하였다. 블레이드 하이트에 대해서는, Z1 블레이드로 접착층을 하프컷하고, 계속해서 Z2블레이드로 다이싱 테이프로 20㎛ 절입을 행하였다.

(픽업 성능의 평가)

패스포드 테크놀로지사제 다이 본더 DB830plus＋를 사용하여, 실온에 있어서, 20개의 소편화 적층 시트를 픽업하여, 픽업의 성공률을 산출했다.

[픽업 조건]

밀어올리기 지그: 다단 픽업, 단수: 3, 지그 사이즈: 6㎜×12㎜

밀어올림량: 1단째 300㎛, 2단째 600㎛, 3단째 900㎛

밀어올림 속도: 5㎜/초

익스팬드량: 3㎜

각 실시예 및 비교예의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 대하여, 성능 평가(픽업 성능)의 결과를 각각 표 1에 나타낸다.

상기한 평가 결과로부터 파악되는 바와 같이, 실시예의 스페이서층을 구비한 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름은, 비교예의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름에 비해, 픽업 성능의 점에서 양호했다.

실시예에서는, 실온(25℃)에 있어서의 적층 시트(스페이서층 및 접착층)의 굴곡 강성은 0.05N·㎟ 이상이다.

이러한 물성을 갖는 실시예의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름을, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 사용함으로써, 소위 NAND형 플래시 메모리 등을 효율적으로 제조할 수 있다.

본 발명의 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조할 때의 보조 용구로서, 적합하게 사용된다.

1: 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름
10: 스페이서층
20: 접착층
30: 다이싱 테이프
31: 기재층
32: 점착제층
L: 본딩 와이어
Z: 기판
d', d": 다이 본드층
w', w": 반도체 칩
H: 박리 테이프
T: 전사 테이프

Claims (7)

1. 피착체에 접착되는 접착층과, 해당 접착층의 한쪽 면에 겹치는 스페이서층을 갖는 적층 시트와,
   상기 적층 시트의 상기 접착층의 다른 쪽 면에 겹치고 또한 상기 적층 시트를 보유 지지하는 다이싱 테이프를 구비하고,
   상기 적층 시트의 실온에 있어서의 굴곡 강성은 0.05N·㎟ 이상인, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.
2. 제1항에 있어서, 상기 적층 시트의 탄성률은 1㎬ 이상인, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접착층과 상기 스페이서층 사이의 박리력은 0.1N/20㎜이상인, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서층의 두께가 3㎛ 이상 300㎛ 이하인, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접착층의 두께가 10㎛ 이상 200㎛ 이하인, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서층의 재질은, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르, 폴리벤조이미다졸, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌술피드 및 폴리에테르에테르케톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 칩 매립형의 반도체 집적 회로를 제조할 때 반도체 칩을 매립하기 위해, 또는 와이어 매립형의 반도체 집적 회로를 제조할 때 제어용 반도체 칩 상에 기억용 반도체 칩을 적층하는 스페이스를 확보하기 위해 사용되는, 스페이서를 갖는 다이싱 접착 필름.
   

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