TWI565782B - 半導體裝置的製造方法以及使用於該半導體裝置的製造方法的切晶-黏晶膜 - Google Patents

半導體裝置的製造方法以及使用於該半導體裝置的製造方法的切晶-黏晶膜 Download PDF

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TWI565782B
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田中俊平
宍戸雄一郎
大西謙司
浅井文輝
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日東電工股份有限公司
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Description

半導體裝置的製造方法以及使用於該半導體裝置的製造方法的切晶-黏晶膜
本發明是有關於一種半導體裝置的製造方法以及使用於該半導體裝置的製造方法的接著膜。
先前，在半導體裝置的製造過程中，在引線框架(lead frame)或電極構件上的半導體晶片的固著是使用銀膏。該固著處理是在引線框架的晶粒焊墊(die pad)等上塗敷膏狀接著劑，在其上搭載半導體晶片並使膏狀接著劑層硬化來進行。
然而，膏狀接著劑會因其黏度特性或劣化等而在塗敷量或塗敷形狀等方面產生大的偏差。其結果是所形成的膏狀接著劑厚變得不均勻，因此半導體晶片的固著強度缺乏可靠性。即，若膏狀接著劑的塗敷量不足，則半導體晶片與電極構件之間的固著強度變低，而在後續的焊線接合(wire bonding)步驟中半導體晶片會剝離。另一方面，若膏狀接著劑的塗敷量過多，則膏狀接著 劑會流延至半導體晶片上而產生特性不良，並且良率或可靠性降低。此種固著處理中的問題隨著半導體晶片的大型化而變得特別明顯。因此，需要頻繁進行膏狀接著劑的塗敷量的控制，從而對作業性或生產性造成阻礙。
在該膏狀接著劑的塗敷步驟中，有在引線框架或形成晶片上另外塗佈膏狀接著劑的方法。但是該方法中，難以實現膏狀接著劑層的均勻化，並且在膏狀接著劑的塗佈時需要特殊裝置或長時間。因此提出在切晶(dicing)步驟中接著保持半導體晶圓，並且亦賦予固定(mount)步驟中所需要的晶片固著用接著劑層的切晶膜(例如參照專利文獻1)。
該切晶膜是在支撐基材上以可剝離的方式設置接著劑層而成者，是在藉由該接著劑層的保持下將半導體晶圓切晶後，將支撐基材延伸而將形成晶片與接著劑層一起剝離，將這些分別回收並經由該接著劑層而固著於引線框架等被黏接體上者。
使用於切晶膜上積層有黏晶(die bond)膜的切晶-黏晶膜，並在黏晶膜的保持下將半導體晶圓切晶時，需要將該黏晶膜與半導體晶圓同時切割。但是，在使用金剛石刀片的通常的切晶方法中，擔心因切晶時所產生的熱的影響而使黏晶膜與切晶膜黏合、因產生切削屑而使半導體晶片彼此固著、切削屑附著在半導體晶片側面等，因此需要減慢切割速度，從而導致成本上升。
專利文獻2中揭示如下的半導體裝置的製造方法：自形 成有半導體電路的晶圓表面形成切口深度比該晶圓厚度淺的槽，在該電路面貼著表面保護片，並進行上述半導體晶圓的背面研削，藉此使晶圓的厚度變薄，並且最終分割成各個晶片，在研削面上貼著包含基材與形成於基材上的接著劑層的切晶-黏晶片，將該表面保護片剝離，切割晶片間露出的切晶-黏晶片的接著劑層，將該接著劑層與晶片一起自切晶-黏晶片的基材剝離，經由該接著劑層而將晶片固著於特定的基台上。
專利文獻2所記載的半導體裝置的製造方法中，使用切晶刀片將晶片間露出的接著劑層切割。另外，接著劑層的切割時所用的切晶刀片的寬度是使用比晶片的槽寬度更窄的寬度，而且該刀片寬度較理想為晶片間槽寬度的30%~90%左右。然而，專利文獻2的半導體裝置的製造方法中，貼附於晶片背面的經切割的接著劑層，有時成為俯視時比晶片大，且自晶片突出的狀態。自晶片突出的相鄰的接著劑層彼此有由於其距離近而再次接著的情況。因此，存在有時變得無法拾取(pick up)的問題。另外，若接著劑層為自晶片突出的狀態，則存在如下等問題：有時因源自接著劑層的物質，而污染設置於接著劑層的附近的焊線接合墊。另外存在以下等問題：有時由於突出的接著劑層，而難以焊線接合。
專利文獻3中揭示以下的附有接著劑的半導體晶片的製造方法，其包括：(a)預先在半導體晶圓基板表面的相當於貫通 部的部位，切槽加工成半導體晶圓的最終製品厚度左右的步驟；(b)在經切槽加工的上述半導體晶圓基板表面貼合保護用黏著帶的步驟；(c)將上述半導體晶圓基板薄膜化至經預先切槽加工的部位貫通的厚度為止的步驟；(d)在上述半導體晶圓基板的背面研削加工結束後貼合該保護用黏著帶的狀態下，在上述半導體晶圓基板的背面貼合黏晶片的步驟；(de1)在上述黏晶片上進一步貼合切晶帶的步驟，該切晶帶是在基材膜上形成包含藉由紫外線的照射而硬化的紫外線硬化型黏著劑的黏著劑層而成；(de2)自上述切晶帶的基材膜側照射紫外線而將上述黏著劑層硬化的步驟；(e)沿著上述半導體晶圓的貫通部，對該黏晶片及上述硬化後的黏著劑層照射雷射，而將該黏晶片切割的步驟。
專利文獻3所記載的附有接著劑的半導體晶片的製造方法中，在將保護用黏著帶貼合於半導體晶圓的狀態下，自切晶膜側照射雷射而將黏晶片切割。因此，藉由雷射切割黏晶片時的屑(碎片)存在於保護用黏著帶上，而堵塞晶片間的空隙。其結果是切割黏晶片時的屑與黏晶片熔接等，而無法恰當地進行黏晶片的切割。特別是在晶片厚度薄時，或黏晶片的厚度厚時，無法恰當地進行黏晶片的切割的可能性非常高。因此，存在其後的拾取步驟中無法自切晶帶剝離黏晶片等問題。
因此，專利文獻4揭示包括以下步驟的裝置的製造方法：分割槽形成步驟，在晶圓的表面沿著分割預定線形成與欲得 到的晶片的厚度相當的深度的分割槽；保護膜貼著步驟，在上述晶圓的表面貼著保護膜；背面研削步驟，將上述晶圓的背面研削至上述分割槽表露出來為止，而將晶圓分割為上述各晶片；接著膜貼著步驟，即成為如下狀態：在分割成多個晶片的上述晶圓的背面貼著接著膜，且在該接著膜上貼著由環狀架支撐的具有伸延性的切晶帶；接著膜切割步驟，將上述保護膜剝離除去後，藉由對上述接著膜照射通過上述分割槽的雷射光線，而沿著上述分割槽切割該接著膜(特別是參照段落[0046]、段落[0051]、圖10)。
專利文獻4所記載的裝置的製造方法中，在雷射光線的照射前將保護膜剝離除去。因此，可抑制藉由雷射光線切割接著膜時的碎片堵塞晶片間的空隙。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開昭60-57642號公報
[專利文獻2]日本專利特開2001-156027號公報
[專利文獻3]日本專利特開2011-009763號公報
[專利文獻4]日本專利特開2007-081037號公報
然而，專利文獻4所記載的裝置的製造方法中，由於在雷射光線的照射前將保護膜剝離除去，因此在雷射光線照射時自接著膜飛散的碎片有附著於晶片表面的可能性，此方面有改善的餘地。
本發明鑒於上述問題點而完成，其目的在於提供一種可提高接著膜的切割可靠性、且可抑制接著膜的碎片污染的半導體裝置的製造方法、及使用於該半導體裝置的製造方法的接著膜。
本申請案發明者等人為了解決上述現有的問題點，而對半導體裝置的製造方法、及使用於該半導體裝置的製造方法的接著膜進行研究。其結果發現，藉由採用下述的構成，而可提高接著膜的切割可靠性，且可抑制接著膜的碎片污染，從而完成了本發明。
即，本發明的半導體裝置的製造方法的特徵在於，包括：在半導體晶圓的表面形成未達背面的槽的步驟A；在形成有槽的上述半導體晶圓的表面貼附保護用黏著膜的步驟B；進行上述半導體晶圓的背面研削，使上述槽自背面表露出來的步驟C；在上述步驟C後，在上述半導體晶圓的背面貼附接著膜的步驟D；在上述步驟D後，將上述保護用黏著膜剝離的步驟E；在上述步驟E後，沿著上述接著膜表露出來的上述槽照射波長355nm的雷射，而將上述接著膜切割的步驟F；上述接著膜：(a)波長355nm的吸光係數為40cm-1以上，(b)50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下，且(c)120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上。
根據上述構成，由於藉由雷射切割接著膜，因此可抑制經切割的接著膜成為俯視時自晶片突出的狀態。另外，根據上述構成，在雷射的照射前將保護用黏著膜剝離。因此，可抑制藉由雷射切割接著膜時的碎片堵塞晶片間的空隙。其結果可提高藉由雷射的接著膜的切割可靠性。
另外，上述接著膜由於(a)波長355nm的吸光係數為40cm-1以上，因此藉由355nm的雷射而可較佳地切割。另外，上述接著膜是(b)50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下，且(c)120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上，而具有某種程度的硬度。因此，在雷射照射時自接著膜飛散的碎片的量變少。其結果可抑制碎片附著於晶片表面。
如此，根據上述構成，可提高接著膜的切割可靠性，且可抑制接著膜的碎片污染。
上述構成中，較佳為上述接著膜為黏晶膜，上述步驟D為在上述步驟C後，在上述半導體晶圓的背面貼附上述黏晶膜的步驟。
上述構成中，較佳為上述黏晶膜積層於切晶膜上。
上述構成中，較佳為上述接著膜為用以形成於半導體元件的背面的倒裝晶片型半導體背面用膜，該半導體元件是以倒裝晶片方式連接(flip-chip bonding)在被黏接體上，上述步驟D為 在上述步驟C後，在上述半導體晶圓的背面貼附上述倒裝晶片型半導體背面用膜的步驟。
上述構成中，較佳為上述倒裝晶片型半導體背面用膜積層於切晶膜上。
上述構成中，較佳為上述接著膜包含作為熱硬化性樹脂的環氧樹脂及酚樹脂、作為熱塑性樹脂的丙烯酸系樹脂、以及填料，將環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸系樹脂的合計重量設為A重量份，將填料的重量設為B重量份時，B/(A+B)為0以上、0.7以下。若上述B/(A+B)為0.7以下，則藉由355nm的雷射而容易切割。
另外，本發明的接著膜是使用於上述所記載的半導體裝置的製造方法的接著膜，其特徵在於：(a)波長355nm的吸光係數為40cm-1以上，(b)50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下，且(c)120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上。
根據上述構成，上述接著膜由於(a)波長355nm的吸光係數為40cm-1以上，因此藉由355nm的雷射而可較佳地切割。另外，上述接著膜是(b)50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下，且(c)120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上，而具有某種程度的硬度。因此，在雷射照射時自接著膜飛散的碎 片的量變少。其結果可抑制碎片附著於晶片表面。
上述構成中，較佳為上述接著膜包含作為熱硬化性樹脂的環氧樹脂及酚樹脂、作為熱塑性樹脂的丙烯酸系樹脂、以及填料，將環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸系樹脂的合計重量設為A重量份，將填料的重量設為B重量份時，B/(A+B)為0以上、0.7以下。若上述B/(A+B)為0.7以下，則藉由355nm的雷射而容易切割。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧黏晶膜
4‧‧‧半導體晶圓
4F‧‧‧表面
4R‧‧‧背面
4S‧‧‧槽
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被黏接體
7‧‧‧焊線
8‧‧‧密封樹脂
11‧‧‧切晶膜
12‧‧‧切晶-黏晶膜
41‧‧‧旋轉刀片
42‧‧‧保護構件
43‧‧‧架
44‧‧‧保護用黏著膜
45‧‧‧研削磨石
50‧‧‧雷射
圖1是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
圖2是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
圖3是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
圖4是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
圖5是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
圖6是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
圖7是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
圖8是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
以下對本發明的一個實施形態的半導體裝置的製造方法進行說明。以下首先對本發明的接著膜為黏晶膜的情形進行說明。圖1~圖8是用以說明本發明的一個實施形態的半導體裝置的一個製造方法的剖面示意圖。
本實施形態的半導體裝置的製造方法至少包括：在半導體晶圓的表面形成未達背面的槽的步驟A；在形成有槽的上述半導體晶圓的表面貼附保護用黏著膜的步驟B；進行上述半導體晶圓的背面研削，使上述槽自背面表露出來的步驟C；在上述步驟C後，在上述半導體晶圓的背面貼附黏晶膜的步驟D；在上述步驟D後，將上述保護用黏著膜剝離的步驟E；在上述步驟E後，沿著上述黏晶膜表露出來的上述槽照射波長355nm的雷射，而將上述黏晶膜切割的步驟F；上述黏晶膜：(a)波長355nm的吸光係數為40cm-1以上，(b)50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下，且(c)120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上。另外，本說明書中，半導體晶圓的表面是指形成有電路的面。
[槽形成步驟]
首先，如圖1所示，藉由旋轉刀片41在半導體晶圓4的表面4F形成未達背面4R的槽4S(步驟A)。另外，在槽4S的形成時，半導體晶圓4亦可藉由未圖示的支撐基材支撐。槽4S的深度可根據半導體晶圓4的厚度等而適當設定。
[保護用黏著膜貼附步驟]
繼而，如圖2所示，在形成有槽4S的半導體晶圓4的表面4F，貼附保護構件42所具有的保護用黏著膜44(步驟B)。保護構件42包括：在中央具有開口部的環狀架43、貼附於架43的背面且堵塞架43的開口部的保護用黏著膜44，保護用黏著膜44藉由其黏著力支撐半導體晶圓4。保護用黏著膜44可採用現有公知者(例如參照日本專利特開2005-332873號公報)。
[槽表露出來步驟]
繼而，在槽4S形成時使用支撐基材時，將其剝離。然後，如圖3所示，藉由研削磨石45進行背面研削，而使槽4S自背面4R表露出來(步驟C)。
[切晶-黏晶膜貼附步驟]
繼而，準備切晶-黏晶膜12。切晶-黏晶膜12具有在切晶膜11上積層黏晶膜3的構成(參照圖4)。切晶膜11是在基材1上積層黏著劑層2而構成，黏晶膜3設置於該黏著劑層2上。
然後，如圖4所示，在槽4S表露出來的半導體晶圓4 的背面4R貼附切晶-黏晶膜12的黏晶膜3(步驟D)。另外，在半導體晶圓4上的保護用黏著膜44、或切晶-黏晶膜12的貼附，可使用現有公知的帶貼附裝置，背面研削亦可使用現有公知的研削裝置。
此處，對切晶-黏晶膜12、及黏晶膜3進行說明。
(切晶-黏晶膜)
如上所述，切晶-黏晶膜12具有在切晶膜11上積層黏晶膜3的構成。切晶膜11是在基材1上積層黏著劑層2而構成，黏晶膜3設置於該黏著劑層2上。
基材1成為切晶-黏晶膜12的強度母體。基材1例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯基硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、矽酮樹脂、金屬(箔)、紙等。
另外，基材1的材料可列舉上述樹脂的交聯體等聚合 物。上述塑膠膜可無延伸而使用，根據需要亦可使用實施了單軸或雙軸延伸處理者。根據藉由延伸處理等賦予熱收縮性的樹脂片，藉由在切晶後使該基材1熱收縮而使黏著劑層2與黏晶膜3的接著面積降低，從而可實現半導體晶片(半導體元件)的回收的容易化。
基材1的表面為了提高與相鄰的層的密接性、保持性等，而可實施常用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學或物理處理、藉由底塗劑(例如後述的黏著物質)的塗佈處理。基材1可適當選擇同種或不同種者而使用，根據需要可使用將多種混合者。
基材1的厚度並無特別限制，可適當確定，通常為5μm~200μm左右。
用於形成黏著劑層2的黏著劑並無特別限制，例如可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常的感壓性黏著劑。作為上述感壓性黏著劑，就半導體晶圓或玻璃等忌諱污染的電子零件藉由超純水或醇等有機溶劑的潔淨清洗性等的方面而言，較佳為將丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的丙烯酸系黏著劑。
上述丙烯酸系聚合物例如可列舉：使用(甲基)丙烯酸烷酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、 十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳數1~30、特別是碳數4~18的直鏈狀或支鏈狀烷酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如環戊酯、環己酯等)的1種或2種以上作為單體成分的丙烯酸系聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全部為相同的含義。
上述丙烯酸系聚合物為了使凝聚力、耐熱性等改善，根據需要可包含對應於可與上述(甲基)丙烯酸烷酯或環烷酯共聚合的其他單體成分的單元。此種單體成分例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基的單體；順丁烯二酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基的單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基的單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。這些可共聚合的單體成分可使用1種或2種以上。這些可共聚合的單體的使用量較佳為全部單體成分的40重量%以下。
而且，上述丙烯酸系聚合物為了交聯，根據需要亦可包 含多官能性單體等作為共聚合用單體成分。此種多官能性單體例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。這些多官能性單體亦可使用1種或2種以上。多官能性單體的使用量就黏著特性等的方面而言，較佳為全部單體成分的30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由將單一單體或2種以上的單體混合物供於聚合而得。聚合亦可藉由溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等的任一種方式進行。就防止潔淨的被黏接體受到污染等的方面而言，較佳為低分子量物質的含量小。就該方面而言，丙烯酸系聚合物的數量平均分子量較佳為30萬以上、更佳為40萬~300萬左右。
另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸系聚合物等的數量平均分子量，上述黏著劑亦可適當採用外部交聯劑。外部交聯方法的具體方法可列舉：添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶(aziridine)化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂的交聯劑使其反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量可根據與應交聯的基礎聚合物的平衡、進而根據黏著劑的使用用途而適當確定。通 常相對於上述基礎聚合物100重量份，較佳為調配5重量份左右以下、更佳為調配0.1重量份~5重量份。而且，黏著劑根據需要，除了上述成分外，亦可使用現有公知的各種黏著賦予劑、抗老化劑等添加劑。
黏著劑層2可藉由放射線硬化型黏著劑而形成。放射線硬化型黏著劑可藉由紫外線等放射線的照射而增大交聯度，從而容易降低其黏著力，並且藉由僅對與黏著劑層2的工件貼附部分對應的部分照射放射線，而可設置與其他部分的黏著力差。
另外，在比貼附有黏晶膜3的部分稍窄的範圍內，預先使放射線硬化型黏著劑層2硬化，藉此可容易形成黏著力明顯降低的部分。由於在進行硬化而黏著力降低的部分貼附黏晶膜3，因此黏著劑層2的上述黏著力降低的部分與黏晶膜3的界面，具有拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射放射線的部分具有充分的黏著力，在切晶時可確實地保持半導體晶圓。
如上所述，在切晶-黏晶膜12的黏著劑層2中，藉由未硬化的放射線硬化型黏著劑形成的部分與黏晶膜3黏著，而可確保切晶時的保持力。如此，放射線硬化型黏著劑能夠以接著與剝離之平衡性佳之方式支撐用以將晶片狀工件(半導體晶片等)固著於基板等被黏接體的黏晶膜3。
放射線硬化型黏著劑可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等放射線硬化性官能基、且表現黏著性者。放射線硬化型黏著 劑例如可例示：在上述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常的感壓性黏著劑中，調配放射線硬化性單體成分或寡聚物成分而成的添加型放射線硬化型黏著劑。
所調配的放射線硬化性單體成分例如可列舉：胺基甲酸酯寡聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，放射線硬化性寡聚物成分可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種寡聚物，其分子量為100~30000左右的範圍者為適當。放射線硬化性單體成分或寡聚物成分的調配量，根據上述黏著劑層的種類，而可適當確定可降低黏著劑層的黏著力的量。通常相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5重量份~500重量份、較佳為40重量份~150重量份左右。
另外，放射線硬化型黏著劑除了上述說明的添加型放射線硬化型黏著劑外，作為基礎聚合物，可列舉內在型放射線硬化型黏著劑，其使用在聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵者。內在型放射線硬化型黏著劑由於無須含有或者不大量含有作為低分子成分的寡聚物成分等，因此寡聚物成分等不會經時性地在黏著劑中移動，而可形成穩定的層結構的黏著劑層，因此較 佳。
上述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、且具有黏著性者。此種基礎聚合物較佳為以丙烯酸系聚合物為基本骨架者。丙烯酸系聚合物的基本骨架可列舉上述所例示的丙烯酸系聚合物。
在上述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵的導入法並無特別限制，可採用各種方法，但碳-碳雙鍵導入至聚合物側鏈會使分子設計變得容易。例如可列舉如下方法：預先使具有官能基的單體共聚合成丙烯酸系聚合物後，在維持碳-碳雙鍵的放射線硬化性的狀態下，使具有可與該官能基反應的官能基及碳-碳雙鍵的化合物進行縮合或加成反應。
這些官能基的組合的例子可列舉：羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能基的組合中，就反應追蹤的容易性而言，較佳為羥基與異氰酸酯基的組合。另外，若為如藉由這些官能基的組合，而生成上述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能基亦可存在於丙烯酸系聚合物與上述化合物的任一側，在上述較佳的組合中，丙烯酸系聚合物具有羥基、且上述化合物具有異氰酸酯基的情形較佳。此時，具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄基酯等。另外，丙烯酸系聚合物可使用：使上述例示的含羥 基的單體或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚的醚系化合物等共聚合者。
上述內在型放射線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，但在不使特性惡化的程度下，亦可調配上述放射線硬化性單體成分或寡聚物成分。通常相對於基礎聚合物100重量份，放射線硬化性寡聚物成分等為30重量份的範圍內，較佳為0重量份~10重量份的範圍。
上述放射線硬化型黏著劑在藉由紫外線等而硬化時可含有光聚合起始劑。光聚合起始劑例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-l-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚(anisoin methyl ether)等安息香醚系化合物；苄基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮(thioxanthone)、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌(camphorquinone)；鹵化酮； 醯基氧化膦(acyl phosphinoxide)；醯基磷酸酯等。相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，光聚合起始劑的調配量例如為0.05重量份~20重量份左右。
另外，放射線硬化型黏著劑例如可列舉：日本專利特開昭60-196956號公報所揭示的包含具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性化合物、與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合起始劑的橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等。
上述放射線硬化型黏著劑層2中，根據需要亦可含有藉由放射線照射而著色的化合物。使黏著劑層2含有藉由放射線照射而著色的化合物，藉此可僅將經放射線照射的部分著色。因此，可藉由目視立即判明放射線是否照射至黏著劑層2，而容易識別工件貼附部分，且工件的貼合容易。另外，藉由光感測器等檢測半導體元件時，其檢測精度提高，並且可防止在半導體元件的拾取時產生錯誤動作。
黏著劑層2的厚度並無特別限定，就防止晶片切割面的缺損或接著層的固定保持的這種並存性等的方面而言，較佳為1μm~50μm左右。更佳為2μm~30μm，尤佳為5μm~25μm。
黏晶膜3的積層結構並無特別限定，例如可列舉：僅包含接著劑層單層者、或在芯材料的單面或兩面形成接著劑層的多層結構者等。上述芯材料可列舉：膜(例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、 聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、藉由玻璃纖維或塑膠製不織纖維強化的樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。
構成上述黏晶膜3的接著劑組成物可列舉：併用熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂者。
上述熱硬化性樹脂可列舉：酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可單獨使用或併用2種以上而使用。特別是較佳為使半導體元件腐蝕的離子性雜質等的含量少的環氧樹脂。另外，環氧樹脂的硬化劑較佳為酚樹脂。
上述環氧樹脂若為通常用作接著劑組成物者，則並無特別限定，例如可使用：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷(tetraphenylol ethane)型等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂，或乙內醯脲(hydantoin)型、異氰尿酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些可單獨使用，或者併用2種以上而使用。這些環氧樹脂中，特佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四酚基乙烷型環氧樹脂。原因是，這些環氧樹脂富有與作為硬化劑的酚樹脂的反應性，且耐熱性等優異。
而且，上述酚樹脂是發揮出作為上述環氧樹脂的硬化劑的作用者，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，可溶酚醛型酚樹脂、聚對氧基苯乙烯(polyparaoxystyrene)等聚氧基苯乙烯(polyoxystyrene)等。這些可單獨使用，或併用2種以上而使用。這些酚樹脂中，特佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。原因是可提高半導體裝置的連接可靠性。
上述環氧樹脂與酚樹脂的調配比例，例如較佳為以相對於上述環氧樹脂成分中的1當量環氧基而酚樹脂中的羥基為0.5當量~2.0當量的方式進行調配。更佳為0.8當量~1.2當量。即原因是，若兩者的調配比例超出上述範圍，則不會進行充分的硬化反應，而環氧樹脂硬化物的特性容易劣化。
上述熱塑性樹脂可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)或聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate，PBT)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂，或氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可單獨使用，或併用2種以上而使用。這些熱塑性樹脂中， 特佳為離子性雜質少且耐熱性高、並可確保半導體元件的可靠性的丙烯酸系樹脂。
上述丙烯酸系樹脂並無特別限定，可列舉：將具有碳數30以下、特別是碳數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1種或2種以上作為成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等。上述烷基例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
另外，形成上述聚合物的其他單體並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸或丁烯酸等各種含羧基的單體，順丁烯二酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等各種含羥基的單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等各種含磺酸基的單體，或2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等各種含磷酸基的單體。
上述熱硬化性樹脂的調配比例若為在特定條件下加熱時黏晶膜3發揮出作為熱硬化型的功能的程度，則並無特別限定，較佳為5重量%~60重量%的範圍內，更佳為10重量%~50重量%的範圍內。
在預先使黏晶膜3某種程度交聯時，在製作時，可預先添加與聚合物的分子鏈末端的官能基等反應的多官能性化合物作為交聯劑。藉此，可提高高溫下的接著特性，並實現耐熱性的改善。
上述交聯劑可採用現有公知者。特別是更佳為：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等聚異氰酸酯化合物。相對於上述聚合物100重量份，交聯劑的添加量通常較佳為設為0.05重量份~7重量份。若交聯劑的量多於7重量份，則接著力降低，因而欠佳。另一方面，若交聯劑的量少於0.05重量份，則凝聚力不足，因而欠佳。另外，根據需要可與此種聚異氰酸酯化合物一起含有環氧樹脂等其他多官能性化合物。
另外，黏晶膜3中根據其用途可適當調配無機填充劑(填料)。無機填充劑的調配可賦予導電性或提高導熱性、調節彈性模數等。上述無機填充劑例如可列舉：包括二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等金屬、或合 金類，其他碳等的各種無機粉末。這些可單獨使用或併用2種以上而使用。無機填充劑的平均粒徑較佳為0.1μm~80μm的範圍內。相對於有機樹脂成分100重量份，上述無機填充劑的調配量較佳為設定為0重量份~80重量份。特佳為0重量份~70重量份。
另外，黏晶膜3中可調配色料。藉由調配色料，而可增大波長355nm的黏晶膜3的吸光係數。相對於有機成分100重量份，調配量可設為0.001重量份~10重量份。色料若可增大波長355nm的黏晶膜3的吸光係數，則並無特別限定。此種色料例如可較佳地使用黑系色料、藍系色料、紅系色料等各種濃色系色料。色料亦可為顏料、染料等任一種。色料可單獨使用或組合2種以上而使用。另外，染料即便是酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等的任一種形態的染料，亦可使用。另外，顏料的形態亦無特別限制，可自公知的顏料中適當選擇而使用。
特別是若使用染料作為色料，則在黏晶膜3中，染料藉由溶解而成為均勻或大致均勻地分散的狀態，因此可容易製造著色濃度均勻或大致均勻的黏晶膜3。
黑系色料並無特別限制，例如可自無機的黑系顏料、黑系染料中適當選擇。另外，黑系色料可為混合了青系色料(藍綠系色料)、洋紅(magenta)系色料(紅紫系色料)及黃(yellow)系色料(黃系色料)而成的色料混合物。黑系色料可單獨使用或組合2種以上而使用。當然，黑系色料亦可與黑色以外的顏色的 色料併用。
具體而言，黑系色料例如可列舉：碳黑(爐黑(furnace black)、槽黑(channel black)、乙炔黑、熱碳黑(thermal black)、燈黑等)、石墨(graphite)、氧化銅、二氧化錳、偶氮系顏料(甲亞胺偶氮黑(azomethineazoblack)等)、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、肥粒鐵(ferrite)(非磁性肥粒鐵、磁性肥粒鐵等)、磁鐵礦(magnetite)、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色色素等。
黑系色料亦可利用：C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、C.I.溶劑黑70、C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、C.I.直接黑71、C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、C.I.酸性黑154、C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、C.I.分散黑24等黑系染料；C.I.顏料黑1、C.I.顏料黑7等黑系顏料等。
此種黑系色料例如市售有：商品名「Oil Black BY」、商品名「Oil Black BS」、商品名「Oil Black HBB」、商品名「Oil Black 803」、商品名「Oil Black 860」、商品名「Oil Black 5970」、商品名「Oil Black 5906」、商品名「Oil Black 5905」(東方化學工業 (Orient Chemical Industries)股份有限公司製造)等。
黑系色料以外的色料例如可列舉青系色料、洋紅系色料、黃系色料等。青系色料例如可列舉：C.I.溶劑藍25、C.I.溶劑藍36、C.I.溶劑藍60、C.I.溶劑藍70、C.I.溶劑藍93、C.I.溶劑藍95；C.I.酸性藍6、C.I.酸性藍45等青系染料；C.I.顏料藍1、C.I.顏料藍2、C.I.顏料藍3、C.I.顏料藍15、C.I.顏料藍15：1、C.I.顏料藍15：2、C.I.顏料藍15：3、C.I.顏料藍15：4、C.I.顏料藍15：5、C.I.顏料藍15：6、C.I.顏料藍16、C.I.顏料藍17、C.I.顏料藍17：1、C.I.顏料藍18、C.I.顏料藍22、C.I.顏料藍25、C.I.顏料藍56、C.I.顏料藍60、C.I.顏料藍63、C.I.顏料藍65、C.I.顏料藍66；C.I.還原藍4；C.I.還原藍60、C.I.顏料綠7等青系顏料等。
另外，洋紅系色料中，洋紅系染料例如可列舉：C.I.溶劑紅1、C.I.溶劑紅3、C.I.溶劑紅8、C.I.溶劑紅23、C.I.溶劑紅24、C.I.溶劑紅25、C.I.溶劑紅27、C.I.溶劑紅30、C.I.溶劑紅49、C.I.溶劑紅52、C.I.溶劑紅58、C.I.溶劑紅63、C.I.溶劑紅81、C.I.溶劑紅82、C.I.溶劑紅83、C.I.溶劑紅84、C.I.溶劑紅100、C.I.溶劑紅109、C.I.溶劑紅111、C.I.溶劑紅121、C.I.溶劑紅122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑紫8、C.I.溶劑紫13、C.I.溶劑紫14、C.I.溶劑紫21、C.I.溶劑紫27；C.I.分散紫1；C.I.鹼性紅1、C.I.鹼性紅2、C.I.鹼性紅9、C.I.鹼性紅12、C.I.鹼性紅13、C.I.鹼性紅14、C.I. 鹼性紅15、C.I.鹼性紅17、C.I.鹼性紅18、C.I.鹼性紅22、C.I.鹼性紅23、C.I.鹼性紅24、C.I.鹼性紅27、C.I.鹼性紅29、C.I.鹼性紅32、C.I.鹼性紅34、C.I.鹼性紅35、C.I.鹼性紅36、C.I.鹼性紅37、C.I.鹼性紅38、C.I.鹼性紅39、C.I.鹼性紅40；C.I.鹼性紫1、C.I.鹼性紫3、C.I.鹼性紫7、C.I.鹼性紫10、C.I.鹼性紫14、C.I.鹼性紫15、C.I.鹼性紫21、C.I.鹼性紫25、C.I.鹼性紫26、C.I.鹼性紫27、C.I.鹼性紫28等。
洋紅系色料中，洋紅系顏料例如可列舉：C.I.顏料紅1、C.I.顏料紅2、C.I.顏料紅3、C.I.顏料紅4、C.I.顏料紅5、C.I.顏料紅6、C.I.顏料紅7、C.I.顏料紅8、C.I.顏料紅9、C.I.顏料紅10、C.I.顏料紅11、C.I.顏料紅12、C.I.顏料紅13、C.I.顏料紅14、C.I.顏料紅15、C.I.顏料紅16、C.I.顏料紅17、C.I.顏料紅18、C.I.顏料紅19、C.I.顏料紅21、C.I.顏料紅22、C.I.顏料紅23、C.I.顏料紅30、C.I.顏料紅31、C.I.顏料紅32、C.I.顏料紅37、C.I.顏料紅38、C.I.顏料紅39、C.I.顏料紅40、C.I.顏料紅41、C.I.顏料紅42、C.I.顏料紅48：1、C.I.顏料紅48：2、C.I.顏料紅48：3、C.I.顏料紅48：4、C.I.顏料紅49、C.I.顏料紅49：1、C.I.顏料紅50、C.I.顏料紅51、C.I.顏料紅52、C.I.顏料紅52：2、C.I.顏料紅53：1、C.I.顏料紅54、C.I.顏料紅55、C.I.顏料紅56、C.I.顏料紅57：1、C.I.顏料紅58、C.I.顏料紅60、C.I.顏料紅60：1、C.I.顏料紅63、C.I.顏料紅63：1、C.I.顏料紅63：2、C.I.顏料紅64、C.I.顏料紅 64：1、C.I.顏料紅67、C.I.顏料紅68、C.I.顏料紅81、C.I.顏料紅83、C.I.顏料紅87、C.I.顏料紅88、C.I.顏料紅89、C.I.顏料紅90、C.I.顏料紅92、C.I.顏料紅101、C.I.顏料紅104、C.I.顏料紅105、C.I.顏料紅106、C.I.顏料紅108、C.I.顏料紅112、C.I.顏料紅114、C.I.顏料紅122、C.I.顏料紅123、C.I.顏料紅139、C.I.顏料紅144、C.I.顏料紅146、C.I.顏料紅147、C.I.顏料紅149、C.I.顏料紅150、C.I.顏料紅151、C.I.顏料紅163、C.I.顏料紅166、C.I.顏料紅168、C.I.顏料紅170、C.I.顏料紅171、C.I.顏料紅172、C.I.顏料紅175、C.I.顏料紅176、C.I.顏料紅177、C.I.顏料紅178、C.I.顏料紅179、C.I.顏料紅184、C.I.顏料紅185、C.I.顏料紅187、C.I.顏料紅190、C.I.顏料紅193、C.I.顏料紅202、C.I.顏料紅206、C.I.顏料紅207、C.I.顏料紅209、C.I.顏料紅219、C.I.顏料紅222、C.I.顏料紅224、C.I.顏料紅238、C.I.顏料紅245；C.I.顏料紫3、C.I.顏料紫9、C.I.顏料紫19、C.I.顏料紫23、C.I.顏料紫31、C.I.顏料紫32、C.I.顏料紫33、C.I.顏料紫36、C.I.顏料紫38、C.I.顏料紫43、C.I.顏料紫50；C.I.還原紅1、C.I.還原紅2、C.I.還原紅10、C.I.還原紅13、C.I.還原紅15、C.I.還原紅23、C.I.還原紅29、C.I.還原紅35等。
另外，黃系色料例如可列舉：C.I.溶劑黃19、C.I.溶劑黃44、C.I.溶劑黃77、C.I.溶劑黃79、C.I.溶劑黃81、C.I.溶劑黃82、C.I.溶劑黃93、C.I.溶劑黃98、C.I.溶劑黃103、C.I.溶劑黃104、C.I.溶劑黃112、C.I.溶劑黃162等黃系染料；C.I.顏料橙31、C.I. 顏料橙43；C.I.顏料黃1、C.I.顏料黃2、C.I.顏料黃3、C.I.顏料黃4、C.I.顏料黃5、C.I.顏料黃6、C.I.顏料黃7、C.I.顏料黃10、C.I.顏料黃11、C.I.顏料黃12、C.I.顏料黃13、C.I.顏料黃14、C.I.顏料黃15、C.I.顏料黃16、C.I.顏料黃17、C.I.顏料黃23、C.I.顏料黃24、C.I.顏料黃34、C.I.顏料黃35、C.I.顏料黃37、C.I.顏料黃42、C.I.顏料黃53、C.I.顏料黃55、C.I.顏料黃65、C.I.顏料黃73、C.I.顏料黃74、C.I.顏料黃75、C.I.顏料黃81、C.I.顏料黃83、C.I.顏料黃93、C.I.顏料黃94、C.I.顏料黃95、C.I.顏料黃97、C.I.顏料黃98、C.I.顏料黃100、C.I.顏料黃101、C.I.顏料黃104、C.I.顏料黃108、C.I.顏料黃109、C.I.顏料黃110、C.I.顏料黃113、C.I.顏料黃114、C.I.顏料黃116、C.I.顏料黃117、C.I.顏料黃120、C.I.顏料黃128、C.I.顏料黃129、C.I.顏料黃133、C.I.顏料黃138、C.I.顏料黃139、C.I.顏料黃147、C.I.顏料黃150、C.I.顏料黃151、C.I.顏料黃153、C.I.顏料黃154、C.I.顏料黃155、C.I.顏料黃156、C.I.顏料黃167、C.I.顏料黃172、C.I.顏料黃173、C.I.顏料黃180、C.I.顏料黃185、C.I.顏料黃195；C.I.還原黃1、C.I.還原黃3、C.I.還原黃20等黃系顏料等。
青系色料、洋紅系色料、黃系色料等各種色料分別可單獨使用或組合2種以上而使用。另外，在使用2種以上青系色料、洋紅系色料、黃系色料等各種色料時，這些色料的混合比例(或調配比例)並無特別限制，可根據各色料的種類或目標色等進行 適當選擇。
另外，黏晶膜3中除了上述無機填充劑以外，根據需要可適當調配其他添加劑。其他添加劑例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。上述阻燃劑例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這些可單獨使用或併用2種以上而使用。上述矽烷偶合劑例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可單獨使用或併用2種以上而使用。上述離子捕捉劑例如可列舉：水滑石(hydrotalcite)類、氫氧化鉍等。這些可單獨使用或併用2種以上而使用。
黏晶膜3的厚度(積層體時，為總厚)並無特別限定，就防止晶片切割面的缺損或藉由接著層固定保持這種並存性的觀點而言，較佳為5μm~100μm，更佳為5μm~60μm，尤佳為5μm~30μm。
黏晶膜3的波長355nm的吸光係數為40cm-1以上，較佳為50cm-1以上，更佳為60cm-1以上。另外，上述吸光係數較佳為大，例如為400cm-1以下、1000cm-1以下。由於上述吸光係數為40cm-1以上，因此黏晶膜3可藉由355nm的雷射而較佳地切割。
黏晶膜3的50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下，較佳為0.75MPa以上、19.5MPa以下，更佳 為1MPa以上、19MPa以下。由於黏晶膜3的50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下，因此在雷射照射時自黏晶膜3飛散的碎片的量變少。其結果可抑制碎片附著於晶片表面。
另外，黏晶膜3的120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上。上述120℃時的拉伸儲存彈性模數較佳為0.35MPa以上、6.9MPa以下，更佳為0.38MPa以上、6.8MPa以下。上述120℃時的熔融黏度較佳為2150Pa．s以上，更佳為2200Pa．s以上。另外，上述120℃時的熔融黏度越高越佳，但例如為3000Pa．s以下、進而4000Pa．s以下。由於黏晶膜3的120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上，因此在雷射照射時自黏晶膜3飛散的碎片的量變少。其結果可抑制碎片附著於晶片表面。
黏晶膜3包含作為熱硬化性樹脂的環氧樹脂及酚樹脂、作為熱塑性樹脂的丙烯酸系樹脂、以及填料，將環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸系樹脂的合計重量設為A重量份、將填料的重量設為B重量份時，B/(A+B)較佳為0以上、0.7以下。上述B/(A+B)更佳為0以上、0.68以下，尤佳為0以上、0.65以下。若上述B/(A+B)為0.7以下，則容易藉由355nm的雷射進行切割。
積層於切晶-黏晶膜12上的黏晶膜3較佳為藉由分隔件得到保護(未圖示)。分隔件具有作為保護黏晶膜3至供於實際使 用的保護材料的功能。另外，分隔件可進一步用作將黏晶膜3轉印至黏著劑層2時的支撐基材。分隔件在將工件貼著於切晶-黏晶膜的黏晶膜3上時被剝離。分隔件亦可使用：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或藉由氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈的塑膠膜或紙等。
本實施形態的切晶-黏晶膜12例如以如下方式製作。首先，基材1可藉由現有公知的製膜方法而製膜。該製膜方法例如可例示：壓光機製膜法、有機溶劑中的澆鑄法、密閉體系中的膨脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
繼而，在基材1上塗佈黏著劑組成物溶液而形成塗佈膜後，在特定條件下使該塗佈膜乾燥(根據需要使其加熱交聯)，而形成黏著劑層2。塗佈方法並無特別限定，例如可列舉：輥塗、網版塗敷、凹版塗敷等。另外，乾燥條件例如可在乾燥溫度80℃~150℃、乾燥時間0.5分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，在分隔件上塗佈黏著劑組成物而形成塗佈膜後，亦可藉由上述乾燥條件使塗佈膜乾燥而形成黏著劑層2。然後，將黏著劑層2與分隔件一起貼合於基材1上。藉此製作切晶膜11。
黏晶膜3例如以如下方式製作。
首先，製作作為切晶-黏晶膜3的形成材料的接著劑組成物溶液。在該接著劑組成物溶液中，如上所述般，可調配上述接著劑組成物或其他各種添加劑等。
繼而，以成為特定厚度的方式，在基材分隔件上塗佈接著劑組成物溶液而形成塗佈膜後，在特定條件下使該塗佈膜乾燥，而形成接著劑層。塗佈方法並無特別限定，例如可列舉：輥塗、網版塗敷、凹版塗敷等。另外，乾燥條件例如在乾燥溫度70℃~160℃、乾燥時間1分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，在分隔件上塗佈黏著劑組成物溶液而形成塗佈膜後，亦可在上述乾燥條件下使塗佈膜乾燥而形成接著劑層。然後，將接著劑層與分隔件一起貼合於基材分隔件上。
繼而，自切晶膜11及接著劑層分別剝離分隔件，以接著劑層與黏著劑層成為貼合面的方式將兩者貼合。貼合例如可藉由壓接來進行。此時，層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30℃~50℃，更佳為35℃~45℃。另外，線壓並無特別限定，例如較佳為0.1kgf/cm~20kgf/cm，更佳為1kgf/cm~10kgf/cm。繼而，將接著劑層上的基材分隔件剝離，而獲得本實施形態的切晶-黏晶膜。
[保護用黏著膜剝離步驟]
在上述切晶-黏晶膜貼附步驟後，如圖5所示般，自半導體晶圓4的表面4F剝離保護用黏著膜44(步驟E)。剝離可使用現有公知的剝離裝置。
[黏晶膜切割步驟]
繼而，如圖6所示般，沿著黏晶膜3表露出來的槽4S 照射波長355nm的雷射50，而將黏晶膜3切割(步驟E)。其結果可獲得經分別切割的附黏晶膜3的半導體晶片5(參照圖7)。本發明中所用的雷射可較佳地使用釔鋁石榴石(Yttrium Aluminium Garnet，YAG)雷射的第三諧波(355nm)，其可藉由作為不經由熱加工製程的非熱加工的紫外光吸收而實現燒蝕(ablation)加工。藉此，可降低雷射加工時的熱損傷。雷射照射條件只要在以下條件的範圍內進行適當調整即可。
<雷射照射條件>
雷射光源 YAG雷射
波長 355nm
振盪方法 脈衝振盪
脈衝模式 A型(脈衝寬度1ns~10000ns)
重複頻率 50kHz~200kHz
平均輸出功率 0.5W~2.0W
雷射發送速度 50mm/s~200mm/s
雷射焦點位置 接著膜的表面
繼而，為了將接著固定於切晶-黏晶膜12的半導體晶片5剝離，而進行半導體晶片5的拾取(拾取步驟)。拾取的方法並無特別限定，可採用現有公知的各種方法。例如可列舉：藉由針(needle)自切晶-黏晶膜12側頂出各半導體晶片5，藉由拾取裝置拾取經頂出的半導體晶片5的方法等。
繼而，如圖8所示般，將經拾取的半導體晶片5經由黏晶膜3而暫時固著於被黏接體6上(固定步驟)。被黏接體6可列舉：引線框架、捲帶自動結合(Tape-Automated Bonding，TAB)膜、基板或另外製作的半導體晶片等。被黏接體6例如可為如容易變形的變形型被黏接體，亦可為難以變形的非變形型被黏接體(半導體晶圓等)。
上述基板可使用現有公知者。另外，上述引線框架可使用：Cu引線框架、42Alloy引線框架等金屬引線框架或包含環氧玻璃、雙順丁烯二醯亞胺-三嗪(bismaleimide triazine，BT)、聚醯亞胺等的有機基板。但本發明並不限定於此，亦包括可固定半導體元件並與半導體元件電性連接而使用的電路基板。
相對於被黏接體6，黏晶膜3的暫時固著時的25℃時的剪切接著力較佳為0.2MPa以上，更佳為0.2MPa~10MPa。若黏晶膜3的剪切接著力至少為0.2MPa以上，則在焊線接合步驟時，藉由該步驟中的超音波振動或加熱，而在黏晶膜3與半導體晶片5或被黏接體6的接著面產生剪切變形的情況少。即，藉由焊線接合時的超音波振動而半導體元件變動少，藉此防止焊線接合的成功率降低。另外，相對於被黏接體6，黏晶膜3的暫時固著時的175℃時的剪切接著力較佳為0.01MPa以上，更佳為0.01MPa~5MPa。
繼而，進行藉由焊線(bonding wire)7將被黏接體6的 端子部(內引線)的前端與半導體晶片5上的電極墊(未圖示)電性連接的焊線接合(焊線接合步驟)。上述焊線7例如可使用：金線、鋁線或銅線等。進行焊線接合時的溫度在80℃~250℃、較佳為80℃~220℃的範圍內進行。另外，其加熱時間進行數秒~數分鐘。接合是在以成為上述溫度範圍內的方式加熱的狀態下，藉由併用利用超音波的振動能量與利用施加加壓的壓接能量而進行。本步驟可不進行黏晶膜3的熱硬化而實行。另外，本步驟的過程中，並未藉由黏晶膜3將半導體晶片5與被黏接體6固著。
繼而，藉由密封樹脂8將半導體晶片5密封(密封步驟)。本步驟是為了保護搭載於被黏接體6的半導體晶片5或焊線7而進行。本步驟藉由利用模具將密封用樹脂成型而進行。密封樹脂8例如使用環氧系樹脂。樹脂密封時的加熱溫度通常在175℃下進行60秒~90秒，但本發明並不限定於此，例如可在165℃~185℃下固化數分鐘。藉此使密封樹脂硬化，並且經由黏晶膜3使半導體晶片5與被黏接體6固著。即，本發明中，即便在不進行後述的後硬化步驟的情況下，在本步驟中亦可藉由黏晶膜3而實現固著，而可有助於減少製造步驟數及縮短半導體裝置的製造時間。
上述後硬化步驟中，使上述密封步驟中硬化不足的密封樹脂8完全硬化。在密封步驟中黏晶膜3未完全熱硬化時，在本步驟中亦可與密封樹脂8一起實現黏晶膜3的完全熱硬化。本步 驟中的加熱溫度根據密封樹脂的種類而不同，例如為165℃~185℃的範圍內，加熱時間為0.5小時~8小時左右。
上述實施形態中，對本發明的接著膜為黏晶膜的情形進行了說明。然而，本發明的接著膜並不限定於黏晶膜，例如亦可為用以形成於半導體元件的背面的倒裝晶片型半導體背面用膜，該半導體元件是以倒裝晶片方式連接在被黏接體上。關於倒裝晶片型半導體背面用膜，例如揭示於日本專利特開2011-151360號公報、日本專利特開2011-151361號公報、日本專利特開2011-151362號公報、日本專利特開2011-151363號公報、日本專利特開2011-009711號公報等中，因此省略此處的說明。
上述實施形態中，對作為接著膜的黏晶膜積層於切晶膜上的情形進行了說明。然而，本發明並不限定於該例，作為接著膜的黏晶膜亦可不積層於切晶膜而單獨使用。此時，例如可將切晶膜貼附於黏晶膜而使用。另外，在本發明的接著膜為倒裝晶片型半導體背面用膜時，上述倒裝晶片型半導體背面用膜可單獨使用，亦可積層於切晶膜上。
[實施例]
以下，對該發明的較佳的實施例例示性地進行詳細說明。但該實施例所記載的材料或調配量等只要無特別限定的記載，則並非旨在將該發明的主旨僅限定於這些實施例。另外，以下，份是指重量份。
<切晶膜的製作>
準備積層有包含聚丙烯與乙烯-丙烯橡膠的混合樹脂的層(厚度80μm)、與包含直鏈狀低密度聚乙烯(Linear Low-density Polyethylene，LLDP)的層(厚度20μm)而成的烯烴系多層膜(厚度100μm)。另外，在包含LLDP的層中，對與貼合面相反側的面實施壓紋處理。
在具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置的反應容器中，加入丙烯酸2-乙基己酯(以下稱為「2EHA」)88.8份、丙烯酸-2-羥基乙酯(以下稱為「HEA」)11.2份、過氧化苯甲醯0.2份及甲苯65份，在氮氣流中在61℃下進行6小時聚合處理，而獲得重量平均分子量85萬的丙烯酸系聚合物A。重量平均分子量如下所述。2EHA與HEA的莫耳比設為100mol：20mol。
在該丙烯酸系聚合物A中添加異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(以下稱為「MOI」)12份(相對於HEA為80mol%)，在空氣流中在50℃下進行48小時加成反應處理，而獲得丙烯酸系聚合物A'。
繼而，相對於丙烯酸系聚合物A' 100份，而添加聚異氰酸酯化合物(商品名「CORONATE L」、日本聚胺酯(NIPPON POLYURETHANE)(股)製造)8份、及光聚合起始劑(商品名「Irgacure 651」、汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)公司製造)5份，而製作黏著劑溶液。
將上述所製備的黏著劑溶液塗佈於PET剝離襯墊的實施了矽酮處理的面上，在120℃下進行2分鐘加熱交聯，而形成厚度10μm的黏著劑層。繼而，在該黏著劑層面上貼合上述烯烴系多層膜的非壓紋面(包含混合樹脂的層)，在50℃下保存24小時。然後，使用紫外線照射裝置(日東精機(商品名、UM-810製造)，僅對搭載有半導體晶圓的區域，自烯烴系多層膜側照射300mJ/cm2的紫外線，而獲得切晶膜。
<接著膜的製作>
(實施例1)
將下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度 為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得實施例1的厚度25μm的接著膜A。
(實施例2)
將下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得實施例2的厚度25μm的接著膜B。
(實施例3)
將下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6 重量%的接著劑組成物溶液。
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得實施例3的厚度25μm的接著膜C。
(實施例4)
將下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得實施例4的厚度25μm的接著膜D。
(實施例5)
將下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得實施例5的厚度25μm的接 著膜E。
(實施例6)
將下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得實施例6的厚度25μm的接著膜F。
(實施例7)
將下述(a)~(e)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯系聚合物(根上工業(股)製造、商品名：Paracron W-197CM)
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得實施例7的厚度25μm的接著膜G。
(比較例1)
將下述(a)~(d)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得比較例1的厚度25μm的接著膜H。
(比較例2)
將下述(a)~(e)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
0.3份
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得比較例2的厚度25μm的接著膜I。
(比較例3)
將下述(a)~(e)溶解於甲基乙基酮，而獲得濃度23.6重量%的接著劑組成物溶液。
將該接著劑組成物溶液塗佈於經矽酮脫模處理且厚度為50μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜(剝離襯墊) 上後，以130℃乾燥2分鐘。藉此獲得比較例3的厚度25μm的接著膜J。
(波長355nm的吸光係數的測定)
將實施例及比較例的接著膜分別積層為4層而使其厚度為100μm。將其安裝於夾具上，使用紫外可見分光光度計UV-2550(島津(SHIMADZU)(股)製造)，測定對波長355nm的雷射光的透射率T%及反射率R%，藉由以下式A進行計算。將結果表示於下述表1。
<式A>T'=T/(100-R)×100
吸光係數[cm-1]=LN(1/T')/(接著膜的厚度[cm])
(50℃時的拉伸儲存彈性模數、及120℃時的拉伸儲存彈性模數的測定)
對於實施例及比較例的接著膜，分別以成為厚度200μm、長度25mm(測定長度)、寬度10mm的短條狀測定片的方式進行積層、及切割。繼而，使用固定黏彈性測定裝置(RSA-III、流變科學(Rheometric Scientific)公司製造)，測定-50℃~300℃時的拉伸儲存彈性模數。測定條件設為頻率1Hz、升溫速度10℃/分鐘。將此時的50℃時的測定值、及120℃時的測定值表示於表1。
(120℃時的熔融黏度的測定)
對於實施例及比較例的接著膜，使用流變儀(哈克(HAAKE)公司製造、商品名：RS-1)，藉由平行板法測定120℃時的熔融黏度。具體而言，在加熱至120℃的板上，投入0.1g的接著膜，並開始測定。將自測定開始起240秒後的值的平均值作為熔融黏度。另外，板間的間隙設為0.1mm。將結果表示於表1。
(碎片產生、及雷射加工性的評價)
<樣品的製作>
將實施例及比較例的接著膜A~接著膜J沖裁成圓形。沖裁是以比所製作的上述切晶膜的照射了紫外線的部分寬的方式進行。繼而，以覆蓋所製作的上述切晶膜的照射了紫外線的部分的方式，貼附經沖裁的接著膜A，而獲得實施例1的樣品A。同樣地，以覆蓋所製作的上述切晶膜的照射了紫外線的部分的方式，分別貼附經沖裁的接著膜B~接著膜J，而獲得實施例2的樣品B、實施例3的樣品C、實施例4的樣品D、實施例5的樣品E、實施例6的樣品F、實施例7的樣品G、比較例1的樣品H、比較例2的樣品I、比較例3的樣品J。
<評價>
藉由刀片切晶加工，而在半導體晶圓(厚度740μm)的表面形成深度100μm、寬度30μm的槽。槽是以所得的晶片成為縱10mm×橫10mm的方式形成為方格狀。繼而，在形成有槽的半導體晶圓的表面，貼附保護用黏著膜。保護用黏著膜是使用厚度 150μm的聚烯烴片。另外，作為上述保護用黏著膜的黏著劑層，是使用藉由照射紫外線而黏著力降低者。
繼而，對半導體晶圓進行背面研削至厚度為50μm為止，而獲得槽表露出來的半導體晶圓。即，獲得大小為厚度50μm、縱10mm×橫10mm的各半導體晶片。繼而，在60℃下在槽表露出來的半導體晶圓的背面貼附實施例及比較例的樣品的接著膜，而自半導體晶圓的背面將保護用黏著膜剝離。
繼而，沿著接著膜表露出來的槽，自與切晶膜相反側照射波長355nm的雷射，而將接著膜切割。雷射的照射條件、及裝置如以下所述。
<雷射照射條件、及裝置>
裝置 迪思科(DISCO)公司製造DFL-7160
雷射光源 YAG雷射
波長 355nm
振盪方法 脈衝振盪
脈衝模式 A型
聚光點徑 10μm
重複頻率 100kHz
平均輸出功率 1.0W
雷射發送速度 100mm/s
雷射焦點位置 接著膜的表面
在藉由雷射切割接著膜後，進行拾取。藉由雷射而將接著膜切割，將藉由拾取步驟而可拾取附在接著膜的半導體晶片的情形設為○，將無法拾取的情形設為×，而評價雷射加工性。將結果表示於表1。
另外，在藉由雷射切割接著膜後，評價碎片是否自半導體晶片的端部向內側進入至30μm以上。將碎片自半導體晶片的端部向內側未進入至30μm以上的情形設為○，將碎片自半導體晶片的端部向內側進入至30μm以上的情形設為×，而評價碎片產生。將結果表示於表1。
(結果)
在實施例的樣品中，在碎片產生評價、及雷射加工性的評價中，表現良好的結果。另一方面，在比較例1的樣品中，由於接著膜的吸光係數小，因此無法吸收雷射，而未恰當地燒蝕。另外，比較例2的樣品中，由於50℃時的拉伸儲存彈性模數低、且填料多，因此未恰當地進行雷射加工。比較例3的樣品雖然發生燒蝕，但由於熔融黏度低，因此碎片大量產生，而在晶片間的空隙中再熔接。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧黏晶膜
4‧‧‧半導體晶圓
4F‧‧‧表面
4R‧‧‧背面
4S‧‧‧槽
11‧‧‧切晶膜
50‧‧‧雷射

Claims (4)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，包括：步驟A，在半導體晶圓的表面形成未達背面的槽；步驟B，在形成有上述槽的上述半導體晶圓的表面貼附保護用黏著膜；步驟C，進行上述半導體晶圓的背面研削，使上述槽自背面表露出來；準備切晶-黏晶膜的步驟，上述切晶-黏晶膜具備切晶膜以及積層於上述切晶膜上的黏晶膜；步驟D，在上述步驟C後，在上述半導體晶圓的背面貼附上述切晶-黏晶膜的上述黏晶膜；步驟E，在上述步驟D後，將上述保護用黏著膜剝離；以及步驟F，在上述步驟E後，沿著上述黏晶膜表露出來的上述槽照射波長355nm的雷射，而將上述黏晶膜切割，上述黏晶膜：(a)波長355nm的吸光係數為40cm-1以上，(b)50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下，且(c)120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置的製造方法，其中上述黏晶膜包含：作為熱硬化性樹脂的環氧樹脂及酚樹脂、作為熱塑性樹脂的丙烯酸系樹脂、以及填料，將環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸系樹脂的合計重量設為A重量 份，將填料的重量設為B重量份時，B/(A+B)為0以上、0.7以下。
  3. 一種切晶-黏晶膜，其使用於如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，上述切晶-黏晶膜的黏晶膜的特徵在於：(a)波長355nm的吸光係數為40cm-1以上；(b)50℃時的拉伸儲存彈性模數為0.5MPa以上、20MPa以下；以及(c)120℃時的拉伸儲存彈性模數為0.3MPa以上、7MPa以下、或者120℃時的熔融黏度為2000Pa．s以上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的切晶-黏晶膜，其中上述黏晶膜包含：作為熱硬化性樹脂的環氧樹脂及酚樹脂、作為熱塑性樹脂的丙烯酸系樹脂、以及填料，將環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸系樹脂的合計重量設為A重量份，將填料的重量設為B重量份時，B/(A+B)為0以上、0.7以下。
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