KR102030201B1 - 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR102030201B1
KR102030201B1 KR1020147012778A KR20147012778A KR102030201B1 KR 102030201 B1 KR102030201 B1 KR 102030201B1 KR 1020147012778 A KR1020147012778 A KR 1020147012778A KR 20147012778 A KR20147012778 A KR 20147012778A KR 102030201 B1 KR102030201 B1 KR 102030201B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
east
adhesive
adhesive film
resin
Prior art date
Application number
KR1020147012778A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140116058A (ko
Inventor
?페이 다나카
유이치로 시시도
겐지 오니시
후미테루 아사이
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20140116058A publication Critical patent/KR20140116058A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102030201B1 publication Critical patent/KR102030201B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

접착 필름의 절단 신뢰성을 향상할 수 있고 또한 접착 필름에 의한 파편 오염을 억제하는 것이 가능한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 반도체 웨이퍼(4)의 표면에 홈(4S)을 형성한 후, 보호용 점착 필름(44)을 부착하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하고, 이면으로부터 홈을 표출시키는 공정과, 반도체 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 부착한 후, 보호용 점착 필름을 박리하는 공정과, 접착 필름이 표출되어 있는 홈을 따라서 파장 355㎚의 레이저를 조사하고, 접착 필름을 절단하는 공정을 구비하고, 접착 필름이 (a) 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수가 40㎝-1 이상이며, (b) 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이고, 또한, (c) 120℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상인 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름{SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ADHESIVE FILM USED IN SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서 리드 프레임이나 전극 부재에의 반도체 칩의 고착에는, 은 페이스트가 사용되고 있다. 이러한 고착 처리는, 리드 프레임의 다이 패드 등의 위에 페이스트 상태 접착제를 도포 시공하고, 거기에 반도체 칩을 탑재하여 페이스트 상태 접착제층을 경화시켜서 행한다.
그러나, 페이스트 상태 접착제는 그 점도 거동이나 열화 등에 의해 도포 시공량이나 도포 시공 형상 등에 큰 편차를 발생한다. 그 결과, 형성되는 페이스트 상태 접착제 두께는 불균일해지기 때문에 반도체 칩에 관계되는 고착 강도의 신뢰성이 부족하다. 즉, 페이스트 상태 접착제의 도포 시공량이 부족하면 반도체 칩과 전극 부재 사이의 고착 강도가 낮아져, 후속의 와이어 본딩 공정에서 반도체 칩이 박리된다. 한편, 페이스트 상태 접착제의 도포 시공량이 너무 많으면 반도체 칩 위까지 페이스트 상태 접착제가 유연하여 특성 불량을 발생하고, 수율이나 신뢰성이 저하된다. 이러한 고착 처리에 있어서의 문제는, 반도체 칩의 대형화에 따라 특별히 현저한 것으로 되어 있다. 그로 인해, 페이스트 상태 접착제의 도포 시공량의 제어를 빈번히 행할 필요가 있어, 작업성이나 생산성에 지장을 초래한다.
이 페이스트 상태 접착제의 도포 시공 공정에 있어서, 페이스트 상태 접착제를 리드 프레임이나 형성 칩에 별도로 도포하는 방법이 있다. 그러나, 이 방법에서는, 페이스트 상태 접착제층의 균일화가 곤란하고, 또한 페이스트 상태 접착제의 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 이로 인해, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 유지함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용 접착제층도 부여하는 다이싱 필름이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
이 다이싱 필름은, 지지 기재 상에 접착제층을 박리 가능하게 형성하여 이루어지는 것이며, 그 접착제층에 의한 유지 하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하여 형성 칩을 접착제층과 함께 박리하고, 이것을 개별적으로 회수하여 그 접착제층을 개재하여 리드 프레임 등의 피착체에 고착시키도록 한 것이다.
다이싱 필름 상에 다이본딩 필름이 적층된 다이싱·다이본딩 필름을 사용하고, 반도체 웨이퍼를 다이본딩 필름의 유지 하에서 다이싱하는 경우, 이 다이본딩 필름을 반도체 웨이퍼와 동시에 절단할 필요가 있다. 그런데, 다이아몬드 블레이드를 사용한 일반적인 다이싱 방법에 있어서는, 다이싱 시에 발생하는 열의 영향에 의한 다이본딩 필름과 다이싱 필름의 유착, 절삭 칩의 발생에 의한 반도체 칩끼리의 고착, 반도체 칩 측면에의 절삭 칩의 부착 등이 우려되기 때문에, 절단 속도를 지연시킬 필요가 있어, 비용의 상승을 초래하고 있었다.
특허문헌 2에는, 반도체 회로가 형성된 웨이퍼 표면으로부터 그 웨이퍼 두께보다도 얕은 절삭깊이의 홈을 형성하고, 상기 회로면에 표면 보호 시트를 접착하고, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 함으로써 웨이퍼의 두께를 얇게 함과 함께, 최종적으로는 개개의 칩으로 분할을 행하고, 연삭면에, 기재와 그 위에 형성된 접착제층을 포함하는 다이싱·다이본딩 시트를 접착하고, 상기 표면 보호 시트를 박리하고, 칩간에 노출되어 있는 다이싱·다이본딩 시트의 접착제층을 절단하고, 상기 접착제층을 칩과 함께, 다이싱·다이본딩 시트의 기재로부터 박리하고, 상기 접착제층을 개재하여, 칩을 소정의 베이스 상에 고착하는 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 2에 기재된 반도체 장치의 제조 방법에서는, 다이싱 블레이드를 사용하여 칩간에 노출되어 있는 접착제층을 절단하고 있다. 또한, 접착제층의 절단에 사용되는 다이싱 블레이드의 폭은, 칩의 홈폭보다도 좁은 폭의 것을 사용하고, 또한 그 블레이드폭은 칩간 홈폭의 30 내지 90％ 정도인 것이 바람직하다고 여겨지고 있다. 그러나, 특허문헌 2의 반도체 장치의 제조 방법에서는, 칩 이면에 접착되어 있는, 절단된 접착제층은, 평면에서 보아 칩보다도 크고, 칩으로부터 비어져나온 상태로 되는 경우가 있다. 칩으로부터 비어져나온, 인접하는 접착제층끼리는, 그 거리가 가깝기 때문에 재 접착하는 경우가 있다. 그로 인해, 픽업을 할 수 없게 되는 경우가 있다는 문제가 있었다. 또한, 접착제층이 칩으로부터 비어져나온 상태이면, 접착제층 부근에 설치되어 있는 와이어 본딩 패드가 접착제층에서 유래되는 물질에 의해, 오염되는 경우가 있다는 문제가 있었다. 또한, 비어져나온 접착제층 때문에 와이어 본딩하기 어려워지는 경우가 있다는 문제가 있었다.
특허문헌 3에는, (a) 미리 반도체 웨이퍼 기판 표면의 관통부 상당 부위에, 반도체 웨이퍼의 최종 제품 두께 정도로 홈 절삭 가공하는 공정과, (b) 홈 절삭 가공된 상기 반도체 웨이퍼 기판 표면에 보호용 점착 테이프를 접합하는 공정과, (c) 미리 홈 절삭 가공된 부위가 관통되는 두께까지 상기 반도체 웨이퍼 기판을 박막화하는 공정과, (d) 상기 반도체 웨이퍼 기판의 이면 연삭 가공 종료 후에 당해 보호용 점착 테이프를 접합한 상태로, 상기 반도체 웨이퍼 기판의 이면에 다이본딩 시트를 접합하는 공정과, (de1) 상기 다이본딩 시트에, 또한 기재 필름 상에 자외선의 조사에 의해 경화되는 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 점착제층이 형성된 다이싱 테이프를 접합하는 공정과, (de2) 상기 다이싱 테이프의 기재 필름측으로부터 자외선을 조사하고 상기 점착제층을 경화하는 공정과, (e) 상기 반도체 웨이퍼의 관통부를 따라, 당해 다이본딩 시트 및 상기 경화 후의 점착제층에 레이저를 조사하여, 당해 다이본딩 시트를 절단하는 공정을 갖는, 접착제 부착 반도체 칩의 제조 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 3에 기재된 접착제 부착 반도체 칩의 제조 방법에서는, 보호용 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 접합한 상태로, 다이싱 필름측으로부터, 레이저를 조사하여 다이본딩 시트를 절단하고 있다. 그로 인해, 레이저에 의해 다이본딩 시트를 절단했을 때의 부스러기(파편)가 보호용 점착 테이프 상에 있는, 칩간의 공극을 막게 된다. 그 결과, 다이본딩 시트를 절단했을 때의 부스러기가 다이본딩 시트와 융착되거나 하여, 다이본딩 시트의 절단이 적절하게 행하여지지 않게 된다. 특히, 칩 두께가 얇은 경우나, 다이본딩 시트의 두께가 두꺼운 경우에는, 다이본딩 시트의 절단이 적절하게 행하여지지 않을 가능성이 매우 높아진다. 그로 인해, 그 후의 픽업 공정에서 다이싱 테이프로부터 다이본딩 시트를 박리할 수 없게 된다는 문제가 있었다.
그래서, 특허문헌 4에는, 웨이퍼의 표면에, 얻고자 하는 칩의 두께에 상당하는 깊이의 분할 홈을, 분할 예정 라인을 따라 형성하는 분할 홈 형성 공정과, 상기 웨이퍼의 표면에 보호 필름을 접착하는 보호 필름 접착 공정과, 상기 웨이퍼의 이면을, 상기 분할 홈이 표출될 때까지 연삭하여, 웨이퍼를 개개의 상기 칩으로 분할하는 이면 연삭 공정과, 복수의 칩으로 분할된 상기 웨이퍼의 이면에, 접착 필름이 접착되고, 또한, 이 접착 필름에, 환상의 프레임으로 지지된 신연성을 갖는 다이싱 테이프가 접착된 상태로 하는 접착 필름 접착 공정과, 상기 보호 필름을 박리하여 제거한 후, 상기 분할 홈에 통과시킨 레이저 광선을 상기 접착 필름에 조사함으로써 상기 접착 필름을 상기 분할 홈을 따라서 절단하는 접착 필름 절단 공정을 구비하는 디바이스의 제조 방법이 개시되어 있다(특히, 단락 [0046], 단락 [0051], 도 10 참조).
특허문헌 4에 기재된 디바이스의 제조 방법에서는, 레이저 광선의 조사 전에 보호 필름을 박리하여 제거하고 있다. 그로 인해, 레이저 광선에 의해 접착 필름을 절단했을 때의 파편이 칩간의 공극을 막는 것을 억제할 수 있다.
일본 특허 공개 소60-57642호 공보 일본 특허 공개 제2001-156027호 공보 일본 특허 공개 제2011-009763호 공보 일본 특허 공개 제2007-081037호 공보
그러나, 특허문헌 4에 기재된 디바이스의 제조 방법에서는, 레이저 광선의 조사 전에 보호 필름을 박리하여 제거하고 있기 때문에, 레이저 광선 조사 시에 접착 필름으로부터 비산되는 파편이 칩 표면에 부착될 가능성이 있다는 점에서 개선의 여지가 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 접착 필름의 절단 신뢰성을 향상할 수 있고, 또한, 접착 필름에 의한 파편 오염을 억제하는 것이 가능한 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름을 제공하는 데 있다.
본원 발명자들은, 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해, 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름에 대하여 검토하였다. 그 결과, 하기의 구성을 채용함으로써, 접착 필름의 절단 신뢰성을 향상할 수 있고, 또한, 접착 필름에 의한 파편 오염을 억제하는 것이 가능하다는 것을 발견하여 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼의 표면에 이면까지 달하지 않는 홈을 형성하는 공정 A와, 홈이 형성된 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 보호용 점착 필름을 부착하는 공정 B와, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하고, 이면으로부터 상기 홈을 표출시키는 공정 C와, 상기 공정 C 후, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에, 접착 필름을 부착하는 공정 D와, 상기 공정 D 후에, 상기 보호용 점착 필름을 박리하는 공정 E와, 상기 공정 E 후에, 상기 접착 필름이 표출되어 있는 상기 홈을 따라서 파장 355㎚의 레이저를 조사하고, 상기 접착 필름을 절단하는 공정 F를 구비하고, 상기 접착 필름이, (a) 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수가 40㎝-1 이상이며, (b) 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이고, 또한, (c) 120℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 레이저에 의해 접착 필름을 절단하기 때문에, 절단된 접착 필름이, 평면에서 보아 칩으로부터 비어져나온 상태로 되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 구성에 의하면, 레이저의 조사 전에 보호용 점착 필름을 박리하고 있다. 따라서, 레이저에 의해 접착 필름을 절단했을 때의 파편이 칩간의 공극을 막는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 레이저에 의한 접착 필름의 절단 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 접착 필름은, (a) 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수가 40㎝-1 이상이기 때문에, 355㎚의 레이저에 의해 적합하게 절단된다. 또한, 상기 접착 필름이, (b) 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이고, 또한, (c) 120℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상이며, 어느 정도의 경도를 갖는다. 따라서, 레이저 조사 시에 접착 필름으로부터 비산되는 파편의 양이 적어진다. 그 결과, 칩 표면에 파편이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
이와 같이, 상기 구성에 의하면, 접착 필름의 절단 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 또한, 접착 필름에 의한 파편 오염을 억제할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 접착 필름은, 다이본딩 필름이며, 상기 공정 D는, 상기 공정 C 후, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에, 상기 다이본딩 필름을 부착하는 공정인 것이 바람직하다.
상기 구성에 있어서, 상기 다이본딩 필름은, 다이싱 필름 상에 적층되어 있는 것이 바람직하다.
상기 구성에 있어서, 상기 접착 필름이, 피착체 상에 플립 칩 접속된 반도체 소자의 이면에 형성하기 위한 플립 칩형 반도체 이면용 필름이며, 상기 공정 D는, 상기 공정 C 후, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에, 상기 플립 칩형 반도체 이면용 필름을 부착하는 공정인 것이 바람직하다.
상기 구성에 있어서, 상기 플립 칩형 반도체 이면용 필름은, 다이싱 필름 상에 적층되어 있는 것이 바람직하다.
상기 구성에 있어서, 상기 접착 필름은, 열경화성 수지로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지와, 열가소성 수지로서의 아크릴 수지와, 필러를 포함하고, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지의 합계 중량을 A중량부로 하고, 필러의 중량을 B중량부로 했을 때의 B/(A+B)가, 0 이상 0.7 이하인 것이 바람직하다. 상기 B/(A+B)가 0.7 이하이면, 355㎚의 레이저에 의해 절단하기 쉽다.
또한, 본 발명에 따른 접착 필름은, 상기에 기재된 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름이며, (a) 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수가 40㎝-1 이상이며, (b) 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이고, 또한, (c) 120℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 상기 접착 필름은, (a) 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수가 40㎝-1 이상이기 때문에, 355㎚의 레이저에 의해 적합하게 절단된다. 또한, 상기 접착 필름이, (b) 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이고, 또한, (c) 120℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상이며, 어느 정도의 경도를 갖는다. 따라서, 레이저 조사 시에 접착 필름으로부터 비산되는 파편의 양이 적어진다. 그 결과, 칩 표면에 파편이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 접착 필름은, 열경화성 수지로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지와, 열가소성 수지로서의 아크릴 수지와, 필러를 포함하고, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지의 합계 중량을 A중량부로 하고, 필러의 중량을 B중량부로 했을 때의 B/(A+B)가, 0 이상 0.7 이하인 것이 바람직하다. 상기 B/(A+B)가 0.7 이하이면, 355㎚의 레이저에 의해 절단하기 쉽다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 대해서, 이하에 설명한다. 이하에서는, 우선, 본 발명의 접착 필름이 다이본딩 필름인 경우에 대하여 설명한다. 도 1 내지 도 8은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 하나의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼의 표면에 이면까지 도달하지 않는 홈을 형성하는 공정 A와, 홈이 형성된 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 보호용 점착 필름을 부착하는 공정 B와, 상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하고, 이면으로부터 상기 홈을 표출시키는 공정 C와, 상기 공정 C 후, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에, 다이본딩 필름을 부착하는 공정 D와, 상기 공정 D 후에, 상기 보호용 점착 필름을 박리하는 공정 E와, 상기 공정 E 후에, 상기 다이본딩 필름이 표출되어 있는 상기 홈을 따라서 파장 355㎚의 레이저를 조사하고, 상기 다이본딩 필름을 절단하는 공정 F를 적어도 구비하고, 상기 다이본딩 필름이, (a) 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수가 40㎝-1 이상이며, (b) 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이고, 또한, (c) 120℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면이란, 회로가 형성된 면을 말한다.
[홈 형성 공정]
우선, 도 1에 도시하는 바와 같이, 회전 블레이드(41)로 반도체 웨이퍼(4)의 표면(4F)에 이면(4R)까지 도달하지 않는 홈(4S)을 형성한다(공정 A). 또한, 홈(4S)의 형성 시에는, 반도체 웨이퍼(4)는, 도시하지 않은 지지 기재로 지지되어도 된다. 홈(4S)의 깊이는, 반도체 웨이퍼(4)의 두께 등에 따라서 적절히 설정 가능하다.
[보호용 점착 필름 부착 공정]
이어서, 도 2에 도시하는 바와 같이, 홈(4S)이 형성된 반도체 웨이퍼(4)의 표면(4F)에, 보호 부재(42)가 갖는 보호용 점착 필름(44)을 부착한다(공정 B). 보호 부재(42)는, 중앙에 개구부를 갖는 링 형상의 프레임(43)과, 프레임(43)의 이면에 부착되어, 프레임(43)의 개구부를 막는 보호용 점착 필름(44)을 갖고 있으며, 보호용 점착 필름(44)은, 그 점착력에 의해 반도체 웨이퍼(4)를 지지하고 있다. 보호용 점착 필름(44)으로서는, 종래 공지된 것(예를 들어, 일본 특허 공개 제2005-332873호 공보 참조)을 채용할 수 있다.
[홈 표출 공정]
이어서, 홈(4S) 형성 시에 지지 기재를 사용한 경우에는, 이것을 박리한다. 그 후, 도 3에 도시하는 바와 같이, 연삭숫돌(45)에서 이면 연삭을 행하고, 이면(4R)으로부터 홈(4S)을 표출시킨다(공정 C).
[다이싱·다이본딩 필름 부착 공정]
이어서, 다이싱·다이본딩 필름(12)을 준비한다. 다이싱·다이본딩 필름(12)은, 다이싱 필름(11) 상에 다이본딩 필름(3)이 적층된 구성을 갖는다(도 4 참조). 다이싱 필름(11)은 기재(1) 상에 점착제층(2)을 적층하여 구성되어 있고, 다이본딩 필름(3)은 그 점착제층(2) 상에 설치되어 있다.
그 후, 도 4에 도시하는 바와 같이, 홈(4S)이 표출된 반도체 웨이퍼(4)의 이면(4R)에 다이싱·다이본딩 필름(12)의 다이본딩 필름(3)을 부착한다(공정 D). 또한, 반도체 웨이퍼(4)에의 보호용 점착 필름(44)이나, 다이싱·다이본딩 필름(12)의 부착은, 종래 공지된 테이프 부착 장치를 사용할 수 있고, 이면 연삭도, 종래 공지된 연삭 장치를 사용할 수 있다.
여기서, 다이싱·다이본딩 필름(12) 및 다이본딩 필름(3)에 대하여 설명하기로 한다.
(다이싱·다이본딩 필름)
상술한 바와 같이, 다이싱·다이본딩 필름(12)은, 다이싱 필름(11) 상에 다이본딩 필름(3)이 적층된 구성을 갖는다. 다이싱 필름(11)은 기재(1) 상에 점착제층(2)을 적층하여 구성되어 있고, 다이본딩 필름(3)은 그 점착제층(2) 상에 설치되어 있다.
기재(1)는 다이싱·다이본딩 필름(12)의 강도 모체로 되는 것이다. 기재(1)로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초 저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐 술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
또한 기재(1)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 폴리머를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 다이본딩 필름(3)의 접착 면적을 저하시켜서, 반도체 칩(반도체 소자)의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.
기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다. 기재(1)는, 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다.
기재(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.
점착제층(2)의 형성에 사용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 점착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종류 또는 2종류 이상을 모노머 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산 에스테르란 아크릴산 에스테르 및/또는 메타크릴산 에스테르를 말하고, 본 발명의 (메트)는 모두 마찬가지의 의미이다.
상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하며, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산 알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 모노머 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸 (메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸 (메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종류 또는 2종류 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 모노머 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해서, 다관능성 모노머 등도, 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다관능성 모노머로서, 예를 들어 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 모노머도 1종류 또는 2종류 이상 사용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2종류 이상의 모노머 혼합물을 중합에 붙이는 것에 의해 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떠한 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에의 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점으로부터, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.
또한, 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 폴리머 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 의해, 나아가서는, 점착제로서의 사용 용도에 의해 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 5중량부 정도 이하, 또한 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.
점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜서 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있고, 점착제층(2)의 워크 부착 부분에 대응하는 부분만을 방사선 조사함으로써 다른 부분과의 점착력의 차를 마련할 수 있다.
또한, 다이본딩 필름(3)이 부착되는 부분보다도 약간 좁은 범위에서, 방사선 경화형 점착제층(2)을 미리 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 부분을 용이하게 형성할 수 있다. 경화되고, 점착력이 저하된 부분에 다이본딩 필름(3)이 부착되기 때문에, 점착제층(2)의 상기 점착력이 저하된 부분과 다이본딩 필름(3)의 계면은, 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하고 있지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있으며, 다이싱 시에 반도체 웨이퍼를 확실하게 유지할 수 있다.
전술한 바와 같이, 다이싱·다이본딩 필름(12)의 점착제층(2)에 있어서, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 부분은 다이본딩 필름(3)과 점착하여, 다이싱할 때의 보유 지지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 방사선 경화형 점착제는, 칩 형상 워크(반도체 칩 등)를 기판 등의 피착체에 고착하기 위한 다이본딩 필름(3)을, 접착·박리의 밸런스가 좋게 지지할 수 있다.
방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을, 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많이는 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제재 중을 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리 아크릴계 폴리머에 관능기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 상태로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 쪽에 있어도 되지만, 상기한 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시의 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시킨 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.
또한 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
상기 방사선 경화형의 점착제층(2) 중에는, 필요에 따라, 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의해, 착색되는 화합물을 점착제층(2)에 포함시킴으로써, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 따라서, 점착제층(2)에 방사선이 조사되었는지 여부를 육안으로 즉시 판명할 수 있고, 워크 부착 부분을 인식하기 쉬워, 워크의 접합이 용이하다. 또한 광센서 등에 의해 반도체 소자를 검출할 때에, 그 검출 정밀도가 높아져, 반도체 소자의 픽업 시에 오동작이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 점에서는, 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 나아가서는 5 내지 25㎛가 바람직하다.
다이본딩 필름(3)의 적층 구조는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 접착제층의 단층만으로 이루어지는 것과 코어 재료의 편면 또는 양면에 접착제층을 형성한 다층 구조의 것 등을 들 수 있다. 상기 코어 재료로서는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다.
상기 다이본딩 필름(3)을 구성하는 접착제 조성물로서는, 열가소성 수지와 열경화성 수지를 병용한 것을 들 수 있다.
상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는, 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루올렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 높고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
또한, 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높고, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종류 또는 2종류 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 모노머로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필 (메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다.
상기 열경화성 수지의 배합 비율로서는, 소정 조건 하에서 가열했을 때에 다이본딩 필름(3)이 열경화형으로서의 기능을 발휘하는 정도이면 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 60중량％의 범위 내인 것이 바람직하고, 10 내지 50중량％의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
다이본딩 필름(3)을 미리 어느 정도 가교를 시켜 둔 경우에는, 제작 시에, 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 두는 것이 좋다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.
상기 가교제로서는, 종래 공지된 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여, 통상 0.05 내지 7중량부로 하는 것이 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하하므로 바람직하지 않다. 그 한편, 0.05중량부보다 적으면, 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이와 같은 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 함께 포함시키도록 해도 된다.
또한, 다이본딩 필름(3)에는, 그 용도에 따라서 무기 충전제(필러)를 적절히 배합할 수 있다. 무기 충전제의 배합은, 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 기타 카본 등을 포함하는 다양한 무기 분말을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 무기 충전제의 평균 입경은, 0.1 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 무기 충전제의 배합량은, 유기 수지 성분 100중량부에 대하여 0 내지 80중량부로 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 0 내지 70중량부이다.
또한, 다이본딩 필름(3)에는, 색재를 배합할 수 있다. 색재를 배합함으로써, 파장 355㎚에 있어서의 다이본딩 필름(3)의 흡광 계수를 크게 할 수 있다. 배합량으로서는, 유기 성분 100중량부에 대하여 0.001 내지 10중량부로 할 수 있다. 색재로서는, 파장 355㎚에 있어서의 다이본딩 필름(3)의 흡광 계수를 크게 할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 이러한 색재로서는, 예를 들어 흑색계 색재, 청계 색재, 적계 색재 등의 각종 농색계 색재를 적절하게 사용할 수 있다. 색재로서는, 안료, 염료 등 어느 것이어도 된다. 색재는 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 염료로서는, 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료, 양이온 염료 등의 어떠한 형태의 염료이어도 사용하는 것이 가능하다. 또한, 안료도, 그 형태는 특별히 제한되지 않고, 공지된 안료로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
특히, 색재로서 염료를 사용하면, 다이본딩 필름(3) 중에는, 염료가 용해에 의해 균일 또는 거의 균일하게 분산된 상태로 되기 때문에, 착색 농도가 균일 또는 거의 균일한 다이본딩 필름(3)을 용이하게 제조할 수 있다.
흑색계 색재로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 무기의 흑색계 안료, 흑색계 염료로부터 적절히 선택할 수 있다. 또한, 흑색계 색재로서는, 시안계 색재(청록색계 색재), 마젠타계 색재(적자계 색재) 및 옐로우계 색재(황계 색재)가 혼합된 색재 혼합물이어도 된다. 흑색계 색재는 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 물론, 흑색계 색재는, 흑색 이외의 색의 색재와 병용할 수도 있다.
구체적으로는, 흑색계 색재로서는, 예를 들어 카본 블랙(퍼니스 블랙, 채널 블랙, 아세틸렌 블랙, 서멀 블랙, 램프 블랙 등), 그래파이트(흑연), 산화구리, 이산화망간, 아조계 안료(아조메틴아조블랙 등), 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, 티타늄 블랙, 시아닌 블랙, 활성탄, 페라이트(비자성 페라이트, 자성 페라이트 등), 마그네타이트, 산화크롬, 산화철, 이황화몰리브덴, 크롬 착체, 복합 산화물계 흑색 색소, 안트라퀴논계 유기 흑색 색소 등을 들 수 있다.
흑색계 색재로서는, C.I.솔벤트 블랙3, 동7, 동22, 동27, 동29, 동34, 동43, 동70; C.I. 다이렉트 블랙17, 동19, 동22, 동32, 동38, 동51, 동71; C.I.애시드 블랙1, 동2, 동24, 동26, 동31, 동48, 동52, 동107, 동109, 동110, 동119, 동154; C.I.디스퍼스 블랙1, 동3, 동10, 동24 등의 블랙계 염료; C.I.피그먼트 블랙1, 동7 등의 블랙계 안료 등도 이용할 수 있다.
이러한 흑색계 색재로서는, 예를 들어 상품명 「Oil Black BY」, 상품명 「Oil Black BS」, 상품명 「Oil Black HBB」, 상품명 「Oil Black 803」, 상품명 「Oil Black 860」, 상품명 「Oil Black 5970」, 상품명 「Oil Black 5906」, 상품명 「Oil Black 5905」(오리엔트 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 등이 시판되고 있다.
흑색계 색재 이외의 색재로서는, 예를 들어 시안계 색재, 마젠타계 색재, 옐로우계 색재 등을 들 수 있다. 시안계 색재로서는, 예를 들어 C.I.솔벤트 블루25, 동36, 동60, 동70, 동93, 동95; C.I.애시드 블루6, 동45 등의 시안계 염료; C.I.피그먼트 블루1, 동2, 동3, 동15, 동15:1, 동15:2, 동15:3, 동15:4, 동15:5, 동15:6, 동16, 동17, 동17:1, 동18, 동22, 동25, 동56, 동60, 동63, 동65, 동66; C.I.배트 블루4; 동60, C.I.피그먼트 그린7 등의 시안계 안료 등을 들 수 있다.
또한, 마젠타계 색재에 있어서, 마젠타계 염료로서는, 예를 들어 C.I.솔벤트 레드1, 동3, 동8, 동23, 동24, 동25, 동27, 동30, 동49, 동52, 동58, 동63, 동81, 동82, 동83, 동84, 동100, 동109, 동111, 동121, 동122; C.I.디스퍼스 레드9; C.I.솔벤트 바이올렛8, 동13, 동14, 동21, 동27; C.I.디스퍼스 바이올렛1; C.I.베이직 레드1, 동2, 동9, 동12, 동13, 동14, 동15, 동17, 동18, 동22, 동23, 동24, 동27, 동29, 동32, 동34, 동35, 동36, 동37, 동38, 동39, 동40; C.I.베이직 바이올렛1, 동3, 동7, 동10, 동14, 동15, 동21, 동25, 동26, 동27, 28 등을 들 수 있다.
마젠타계 색재에 있어서, 마젠타계 안료로서는, 예를 들어 C.I.피그먼트 레드1, 동2, 동3, 동4, 동5, 동6, 동7, 동8, 동9, 동10, 동11, 동12, 동13, 동14, 동15, 동16, 동17, 동18, 동19, 동21, 동22, 동23, 동30, 동31, 동32, 동37, 동38, 동39, 동40, 동41, 동42, 동48:1, 동48:2, 동48:3, 동48:4, 동49, 동49:1, 동50, 동51, 동52, 동52:2, 동53:1, 동54, 동55, 동56, 동57:1, 동58, 동60, 동60:1, 동63, 동63:1, 동63:2, 동64, 동64:1, 동67, 동68, 동81, 동83, 동87, 동88, 동89, 동90, 동92, 동101, 동104, 동105, 동106, 동108, 동112, 동114, 동122, 동123, 동139, 동144, 동146, 동147, 동149, 동150, 동151, 동163, 동166, 동168, 동170, 동171, 동172, 동175, 동176, 동177, 동178, 동179, 동184, 동185, 동187, 동190, 동193, 동202, 동206, 동207, 동209, 동219, 동222, 동224, 동238, 동245; C.I.피그먼트 바이올렛3, 동9, 동19, 동23, 동31, 동32, 동33, 동36, 동38, 동43, 동50; C.I.배트 레드1, 동2, 동10, 동13, 동15, 동23, 동29, 동35 등을 들 수 있다.
또한, 옐로우계 색재로서는, 예를 들어 C.I.솔벤트 옐로우19, 동44, 동77, 동79, 동81, 동82, 동93, 동98, 동103, 동104, 동112, 동162 등의 옐로우계 염료; C.I.피그먼트 오렌지31, 동43; C.I.피그먼트 옐로우1, 동2, 동3, 동4, 동5, 동6, 동7, 동10, 동11, 동12, 동13, 동14, 동15, 동16, 동17, 동23, 동24, 동34, 동35, 동37, 동42, 동53, 동55, 동65, 동73, 동74, 동75, 동81, 동83, 동93, 동94, 동95, 동97, 동98, 동100, 동101, 동104, 동108, 동109, 동110, 동113, 동114, 동116, 동117, 동120, 동128, 동129, 동133, 동138, 동139, 동147, 동150, 동151, 동153, 동154, 동155, 동156, 동167, 동172, 동173, 동180, 동185, 동195; C.I.배트 옐로우1, 동3, 동20 등의 옐로우계 안료 등을 들 수 있다.
시안계색재, 마젠타계 색재, 옐로우계 색재 등의 각종 색재는, 각각, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 시안계 색재, 마젠타계 색재, 옐로우계 색재 등의 각종 색재를 2종류 이상 사용하는 경우, 이들 색재의 혼합 비율(또는 배합 비율)로서는, 특별히 제한되지 않고, 각 색재의 종류나 목적으로 하는 색 등에 따라 적절히 선택할 수 있다.
또한, 다이본딩 필름(3)에는, 상기 무기 충전제 이외에, 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
다이본딩 필름(3)의 두께(적층체의 경우에는, 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층에 의한 고정 유지의 양립성의 관점에서, 5 내지 100㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 내지 60㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 30㎛이다.
다이본딩 필름(3)의 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수는, 40㎝-1 이상이며, 50㎝-1 이상인 것이 바람직하고, 60㎝-1 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 흡광 계수는, 큰 것이 바람직한데, 예를 들어 400㎝-1 이하, 1000㎝-1 이하이다. 상기 흡광 계수가, 40㎝-1 이상이기 때문에, 다이본딩 필름(3)은, 355㎚의 레이저에 의해 적절하게 절단된다.
다이본딩 필름(3)의 50℃에서의 인장 저장 탄성률은, 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이며, 바람직하게는 0.75㎫ 이상 19.5㎫ 이하, 보다 바람직하게는, 1㎫ 이상 19㎫ 이하이다. 다이본딩 필름(3)의 50℃에서의 인장 저장 탄성률이, 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이기 때문에, 레이저 조사 시에 다이본딩 필름(3)으로부터 비산되는 파편의 양이 적어진다. 그 결과, 칩 표면에 파편이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 다이본딩 필름(3)의 120℃에서의 인장 저장 탄성률은, 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상이다. 상기 120℃에서의 인장 저장 탄성률은, 바람직하게는 0.35㎫ 이상 6.9㎫ 이하, 보다 바람직하게는, 0.38㎫ 이상 6.8㎫ 이하이다. 상기 120℃에서의 용융 점도는, 바람직하게는 2150㎩·s 이상, 보다 바람직하게는, 2200㎩·s 이상이다. 또한, 상기 120℃에서의 용융 점도는, 높을수록 바람직한데, 예를 들어 3000㎩·s 이하, 4000㎩·s 이하이다. 다이본딩 필름(3)의 120℃에서의 인장 저장 탄성률이, 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상이기 때문에, 레이저 조사 시에 다이본딩 필름(3)으로부터 비산되는 파편의 양이 적어진다. 그 결과, 칩 표면에 파편이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
다이본딩 필름(3)은, 열경화성 수지로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지와, 열가소성 수지로서의 아크릴 수지와, 필러를 포함하고, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지의 합계 중량을 A중량부로 하고, 필러의 중량을 B중량부로 했을 때의 B/(A+B)가 0 이상 0.7 이하인 것이 바람직하다. 상기 B/(A+B)는 0 이상 0.68 이하인 것이 보다 바람직하고, 0 이상 0.65 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 B/(A+B)가 0.7 이하이면, 355㎚의 레이저에 의해 절단하기 쉽다.
다이싱·다이본딩 필름(12)에 적층된 다이본딩 필름(3)은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실용에 제공할 때까지 다이본딩 필름(3)을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 또한, 점착제층(2)에 다이본딩 필름(3)을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱·다이본딩 필름의 다이본딩 필름(3) 상에 워크를 부착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.
본 실시 형태에 따른 다이싱·다이본딩 필름(12)은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제작된다.
우선, 기재(1)는, 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.
이어서, 기재(1) 상에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층(2)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 점착제층(2)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(1) 상에 점착제층(2)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 다이싱 필름(11)이 제작된다.
다이본딩 필름(3)은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제작된다.
우선, 다이싱·다이본딩 필름(3)의 형성 재료인 접착제 조성물 용액을 제작한다. 당해 접착제 조성물 용액에는, 전술한 바와 같이, 상기 접착제 조성물이나 기타 각종 첨가제 등이 배합되어 있다.
이어서, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께로 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜, 접착제층을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 접착제층을 형성해도 된다. 그 후, 기재 세퍼레이터 상에 접착제층을 세퍼레이터와 함께 접합한다.
계속해서, 다이싱 필름(11) 및 접착제층으로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 접착제층과 점착제층이 접합면이 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 30 내지 50℃가 바람직하고, 35 내지 45℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝가 바람직하고, 1 내지 10kgf/㎝가 보다 바람직하다. 이어서, 접착제층 상의 기재 세퍼레이터를 박리하고, 본 실시 형태에 따른 다이싱·다이본딩 필름이 얻어진다.
[보호용 점착 필름 박리 공정]
상기 다이싱·다이본딩 필름 부착 공정 후, 도 5에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)의 표면(4F)으로부터 보호용 점착 필름(44)을 박리한다(공정 E). 박리는 종래 공지된 박리 장치를 사용할 수 있다.
[다이본딩 필름 절단 공정]
이어서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 다이본딩 필름(3)이 표출되어 있는 홈(4S)을 따라 파장 355㎚의 레이저(50)를 조사하고, 다이본딩 필름(3)을 절단한다(공정 E). 그 결과, 개별적으로 절단된 다이본딩 필름(3) 부착 반도체 칩(5)이 얻어진다(도 7 참조). 본 발명에서 사용되는 레이저는, 열 가공 프로세스를 경유하지 않는 비열적 가공인 자외광 흡수에 의한 어블레이션 가공이 가능한, YAG 레이저의 제3 고조파(355㎚)를 적절하게 사용할 수 있다. 이에 의해, 레이저 가공 시의 열적인 손상을 낮출 수 있다. 레이저 조사 조건으로서는, 이하의 조건의 범위 내에서 적절히 조정하면 된다.
<레이저 조사 조건>
레이저 광원 YAG 레이저
파장 355㎚
발진 방법 펄스 발진
펄스 모드 type A(펄스폭 1ns 내지 10000ns)
반복 주파수 50㎑ 내지 200㎑
평균 출력 0.5W 내지 2.0W
레이저 송출 속도 50㎜/s 내지 200㎜/s
레이저 초점 위치 접착 필름의 표면
이어서, 다이싱·다이본딩 필름(12)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해서, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱·다이본딩 필름(12) 측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
이어서, 도 8에 도시하는 바와 같이, 픽업한 반도체 칩(5)을, 다이본딩 필름(3)을 개재하여 피착체(6)에 가고착한다(고정 공정). 피착체(6)로서는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는, 예를 들어 용이하게 변형되는 변형형 피착체이어도 되고, 변형하는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)이어도 된다.
상기 기판으로서는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스 말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니라, 반도체 소자를 마운트하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.
다이본딩 필름(3)의 가고착 시에 있어서의 25℃에서의 전단 접착력은, 피착체(6)에 대하여 0.2㎫ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10㎫이다. 다이본딩 필름(3)의 전단 접착력이 적어도 0.2㎫ 이상이면 와이어 본딩 공정 시에, 당해 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 다이본딩 필름(3)과 반도체 칩(5) 또는 피착체(6)와의 접착면에서 전단 변형을 발생하는 경우가 적다. 즉, 와이어 본딩 시의 초음파 진동에 의해 반도체 소자가 움직이는 일이 적고, 이에 의해 와이어 본딩의 성공율이 저하하는 것을 방지한다. 또한, 다이본딩 필름(3')의 가고착 시에 있어서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(6)에 대하여 0.01㎫ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5㎫이다.
이어서, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드 (도시 생략)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩을 행한다(와이어 본딩 공정). 상기 본딩 와이어(7)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 동선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행해진다. 또한, 그 가열 시간은 몇초 내지 몇분간 행해진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다. 본 공정은, 다이본딩 필름(3)의 열경화를 행하지 않고 실행할 수 있다. 또한, 본 공정의 과정에서 다이본딩 필름(3)에 의해 반도체 칩(5)과 피착체(6)가 고착되는 일은 없다.
이어서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉한다(밀봉 공정). 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위하여 행해진다. 본 공정은, 밀봉용 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행해지지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 165 내지 185℃에서, 몇분간 큐어할 수 있다. 이에 의해, 밀봉 수지를 경화시킴과 함께, 다이본딩 필름(3)을 개재하여 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 고착시킨다. 즉, 본 발명에 있어서는, 후술하는 후 경화 공정이 행해지지 않는 경우에 있어서도, 본 공정에 있어서 다이본딩 필름(3)에 의한 고착이 가능하고, 제조 공정수의 감소 및 반도체 장치의 제조 기간의 단축에 기여할수 있다.
상기 후 경화 공정에 있어서는, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킨다. 밀봉 공정에 있어서 다이본딩 필름(3)이 완전히 열경화되어 있지 않은 경우에도, 본 공정에 있어서 밀봉 수지(8)와 함께 다이본딩 필름(3)의 완전한 열경화가 가능하게 된다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 밀봉 수지의 종류에 따라 상이한데, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다.
상술한 실시 형태에서는, 본 발명의 접착 필름이 다이본딩 필름인 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명의 접착 필름은 다이본딩 필름에 한정되지 않고, 예를 들어 피착체 상에 플립 칩 접속된 반도체 소자의 이면에 형성하기 위한 플립 칩형 반도체 이면용 필름이어도 된다. 플립 칩형 반도체 이면용 필름에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2011-151360호 공보, 일본 특허 공개 제2011-151361호 공보, 일본 특허 공개 제2011-151362호 공보, 일본 특허 공개 제2011-151363호 공보, 일본 특허 공개 제2011-009711호 공보 등에 개시되어 있으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
상술한 실시 형태에서는, 접착 필름으로서의 다이본딩 필름이 다이싱 필름 상에 적층되어 있는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이 예에 한정되지 않고, 접착 필름으로서의 다이본딩 필름은, 다이싱 필름에 적층되지 않고, 단독으로 사용되고 있어도 된다. 이 경우, 예를 들어 다이본딩 필름에 다이싱 필름을 부착하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 접착 필름이, 플립 칩형 반도체 이면용 필름인 경우, 상기 플립 칩형 반도체 이면용 필름은, 단독으로 사용되어도 되고, 다이싱 필름 상에 적층되어 있어도 된다.
실시예
이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 요지를 그들에만 한정한다는 취지는 아니다. 또한, 이하에 있어서, 부라고 되어 있는 것은 중량부를 의미한다.
<다이싱 필름의 제작>
폴리프로필렌과 에틸렌-프로필렌 러버의 혼합 수지를 포함하는 층(두께 80㎛)과, LLDP(직쇄상 저밀도 폴리에틸렌)를 포함하는 층(두께 20㎛)을 적층시킨 올레핀계 다층 필름(두께 100㎛)을 준비하였다. 또한, LLDP를 포함하는 층에는, 접합면과는 반대측의 면에, 엠보싱 처리가 실시되어 있다.
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고 함) 88.8부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고 함) 11.2부, 과산화 벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃로 6시간 중합 처리를 하고, 중량 평균 분자량 85만의 아크릴계 폴리머A를 얻었다. 중량 평균 분자량은 하기와 같다. 2EHA와 HEA의 몰비는, 100mol 대 20mol로 하였다.
이 아크릴계 폴리머A에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고 함) 12부(HEA에 대하여 80mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머A'를 얻었다.
이어서, 아크릴계 폴리머A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주)제) 8부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어651」, 시바 스페셜티 케미컬즈사제) 5부를 첨가하여, 점착제 용액을 제작하였다.
상기에서 제조한 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 계속해서, 당해 점착제층면에, 상기 올레핀계 다층 필름의 비엠보싱면(혼합 수지를 포함하는 층)에 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하였다. 그 후, 반도체 웨이퍼가 탑재되는 영역에만 자외선 조사 장치(닛토 세이키(상품명, UM-810제))를 사용하여, 300mJ/㎠의 자외선을 올레핀계 다층 필름측으로부터 조사하고, 다이싱 필름을 얻었다.
<접착 필름의 제작>
(실시예 1)
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 폴리머(네가미 고교(주)제, 상품명; 파라크론 W-197CM) 100부
(b) 에폭시 수지(JER(주)제, 에피코트 1004) 32부
(c) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 34부
(d) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 90부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 실시예 1에 따른 두께 25㎛의 접착 필름A를 얻었다.
(실시예 2)
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 폴리머(네가미 고교(주)제, 상품명; 파라크론 W-197CM) 100부
(b) 에폭시 수지(JER(주)제, 에피코트 1004) 12부
(c) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 13부
(d) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 188부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 실시예 2에 따른 두께 25㎛의 접착 필름B를 얻었다.
(실시예 3)
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 폴리머(네가미 고교(주)제, 상품명; 파라크론 W-197CM) 100부
(b) 에폭시 수지(JER(주)제, 에피코트 1004) 21부
(c) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 22부
(d) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 77부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 실시예 3에 따른 두께 25㎛의 접착 필름C를 얻었다.
(실시예 4)
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 에폭시기 함유 아크릴 수지(나가세 켐텍스(주)제, 상품명 SG-P3) 100부
(b) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 11부
(c) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 82부
(d) 염료(오리엔트 가가꾸 고교(주)제, 오일 스칼렛308) 0.6부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 실시예 4에 따른 두께 25㎛의 접착 필름D를 얻었다.
(실시예 5)
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 에폭시기 함유 아크릴 수지(나가세 켐텍스(주)제, 상품명 SG-P3) 100부
(b) 에폭시 수지(JER(주)제, 에피코트 1004) 11부
(c) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 14부
(d) 염료(오리엔트 가가꾸 고교(주)제, 오일 스칼렛308) 0.6부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 실시예 5에 따른 두께 25㎛의 접착 필름E를 얻었다.
(실시예 6)
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 에폭시기 함유 아크릴 수지(나가세 켐텍스(주)제, 상품명 SG-P3) 100부
(b) 에폭시 수지(JER(주)제, 에피코트 1004) 11부
(c) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 14부
(d) 염료(오리엔트 가가꾸 고교(주)제, 오일 블랙HBB) 0.6부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 실시예 6에 따른 두께 25㎛의 접착 필름F를 얻었다.
(실시예 7)
하기 (a) 내지 (e)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 폴리머(네가미 고교(주)제, 상품명; 파라크론 W-197CM) 100부
(b) 에폭시 수지 1(JER(주)제, 에피코트 1004) 102부
(c) 에폭시 수지 2(JER(주)제, 에피코트 827) 13부
(d) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 119부
(e) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 370부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 실시예 7에 따른 두께 25㎛의 접착 필름G를 얻었다.
(비교예 1)
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 폴리머(네가미 고교(주)제, 상품명; 파라크론 W-197CM) 100부
(b) 에폭시 수지(JER(주)제, 에피코트 1004) 5부
(c) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 6부
(d) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 167부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 비교예 1에 따른 두께 25㎛의 접착 필름H를 얻었다.
(비교예 2)
하기 (a) 내지 (e)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 폴리머(네가미 고교(주)제, 상품명; 파라크론 W-197CM) 100부
(b) 에폭시 수지(JER(주)제, 에피코트 1004) 12부
(c) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 13부
(d) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 375부
(e) 염료(오리엔트 가가꾸 고교(주)제, 오일 스칼렛308) 0.3부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 비교예 2에 따른 두께 25㎛의 접착 필름I를 얻었다.
(비교예 3)
하기 (a) 내지 (e)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 폴리머(네가미 고교(주)제, 상품명; 파라크론 W-197CM) 100부
(b) 에폭시 수지 1(JER(주)제, 에피코트 1004) 135부
(c) 에폭시 수지 2(JER(주)제, 에피코트 827) 144부
(d) 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 288부
(e) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 445부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 비교예 3에 따른 두께 25㎛의 접착 필름J를 얻었다.
(파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수의 측정)
실시예 및 비교예에 따른 접착 필름을 각각 4층에 적층하여 두께 100㎛로 하였다. 이것을 지그에 부착하고, 자외 가시 분광 광도계 UV-2550(SHIMADZU(주)제)을 사용하여, 파장 355㎚의 레이저광에 대한 투과율 T％ 및 반사율 R％를 측정하고, 이하의 식A에 의해 계산을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
<식 A>
T'=T/(100-R)×100
흡광 계수[㎝-1]=LN (1/T')/(접착 필름의 두께[㎝])
(50℃ 및 120℃에서의 인장 저장 탄성률의 측정)
실시예 및 비교예에 따른 접착 필름에 대해서, 각각 두께 200㎛, 길이 25㎜(측정 길이) 폭 10㎜의 직사각형의 측정편이 되도록 적층 및 절단하였다. 이어서, 고정 점탄성 측정 장치(RSA-III, 레오메트릭 사이언티픽사제)를 사용하여, -50 내지 300℃에서의 인장 저장 탄성률을 측정하였다. 측정 조건은, 주파수 1㎐, 승온 속도 10℃/분으로 하였다. 그 때의 50℃ 및 120℃에서의 측정값을 표 1에 나타낸다.
(120℃에서의 용융 점도의 측정)
실시예 및 비교예에 따른 접착 필름에 대해서, 레오미터(HAAKE사제, 상품명; RS-1)를 사용하여, 패러렐 플레이트법에 의해 120℃에서의 용융 점도를 측정하였다. 구체적으로는, 120℃가 되도록 가열하고 있는 플레이트에, 0.1g의 접착 필름을 투입하고, 측정을 개시하였다. 측정 개시부터 240초 후의 값의 평균값을 용융 점도로 하였다. 또한, 플레이트간의 갭은 0.1㎜로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(파편 발생 및 레이저 가공성의 평가)
<샘플의 제작>
실시예 및 비교예의 접착 필름A 내지 J를 원형으로 펀칭하였다. 펀칭은, 제작한 상기 다이싱 필름의 자외선이 조사된 부분보다도 넓어지도록 행하였다. 이어서, 펀칭한 접착 필름A를, 제작한 상기 다이싱 필름의 자외선이 조사된 부분을 덮도록 부착하고, 실시예 1에 따른 샘플A를 얻었다. 마찬가지로, 펀칭한 접착 필름B 내지 J를, 각각, 제작한 상기 다이싱 필름의 자외선이 조사된 부분을 덮도록 부착하고, 실시예 2에 따른 샘플B, 실시예 3에 따른 샘플C, 실시예 4에 따른 샘플D, 실시예 5에 따른 샘플E, 실시예 6에 따른 샘플F, 실시예 7에 따른 샘플G, 비교예 1에 따른 샘플H, 비교예 2에 따른 샘플I, 비교예 3에 따른 샘플J를 얻었다.
<평가>
블레이드 다이싱 가공에 의해, 반도체 웨이퍼(두께 740㎛)의 표면에 깊이 100㎛, 폭 30㎛의 홈을 형성하였다. 홈은, 얻어지는 칩이 세로 10㎜×가로 10㎜로 되도록 격자 형상으로 형성하였다. 이어서, 홈이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에, 보호용 점착 필름을 부착하였다. 보호용 점착 필름에는, 두께 150㎛ 폴리올레핀 시트를 사용하였다. 또한, 상기 보호용 점착 필름의 점착제층으로서, 자외선을 조사함으로써 점착력이 저하하는 것을 사용하였다.
이어서, 두께가 50㎛가 될 때까지, 반도체 웨이퍼에 이면 연삭을 행하여, 홈이 표출된 반도체 웨이퍼를 얻었다. 즉, 개개의 크기가, 두께 50㎛, 세로 10㎜×가로 10㎜인 반도체 칩을 얻었다. 이어서, 홈이 표출된 반도체 웨이퍼의 이면에 실시예 및 비교예에 따른 샘플의 접착 필름을 60℃로 부착하고, 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 보호용 점착 필름을 박리하였다.
이어서, 접착 필름이 표출되어 있는 홈을 따라서, 다이싱 필름과는 반대측으로부터 파장 355㎚의 레이저를 조사하고, 접착 필름을 절단하였다. 레이저의 조사 조건 및 장치는 이하와 같았다.
<레이저 조사 조건 및 장치>
장치 DISCO사제 DFL-7160
레이저 광원 YAG 레이저
파장 355㎚
발진 방법 펄스 발진
펄스 모드 type A
집광 스폿 직경 10㎛
반복 주파수 100㎑
평균 출력 1.0W
레이저송출 속도 100㎜/s
레이저초점 위치 접착 필름의 표면
레이저에 의한 접착 필름의 절단 후, 픽업을 행하였다. 레이저에 의해 접착 필름이 절단되어 있고, 픽업 공정에서, 접착 필름 부착 반도체 칩을 픽업할 수 있었던 경우를 ○, 픽업할 수 없었던 경우를 ×로 하여, 레이저 가공성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 레이저에 의한 접착 필름의 절단 후, 파편이 반도체 칩의 단부로부터 내측을 향하여 30㎛ 이상까지 인입하고 있을 것인지 여부를 평가하였다. 파편이 반도체 칩의 단부로부터 내측을 향하여 30㎛ 이상까지 인입되어 있지 않은 경우를 ○, 인입되어 있는 경우를 ×로 하여, 파편 발생을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112014044728105-pct00001
(결과)
실시예의 샘플에서는, 파편 발생 평가 및 레이저 가공성의 평가에 있어서, 양호한 결과를 나타냈다. 한편, 비교예 1의 샘플에서는, 접착 필름의 흡광 계수가 작기 때문에, 레이저를 흡수할 수 없어, 어블레이션이 적절하게 일어나지 않았다. 또한, 비교예 2의 샘플에서는, 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 낮고, 또한, 필러가 많기 때문에, 레이저 가공이 적절하게 행하여지지 않았다. 비교예 3의 샘플은, 어블레이션은 일어났지만, 용융 점도가 낮기 때문에, 파편이 많이 발생하고, 칩간의 공극에 있어서 재융착하였다.
1 : 기재
2 : 점착제층
3 : 다이본딩 필름
4 : 반도체 웨이퍼
4S : 홈
4F : 표면
4R : 이면
5 : 반도체 칩
6 : 피착체
7 : 본딩 와이어
8 : 밀봉 수지
11 : 다이싱 필름
12 : 다이싱·다이본딩 필름
44 : 보호용 점착 필름

Claims (8)

  1. 반도체 웨이퍼의 표면에 이면까지 도달하지 않는 홈을 형성하는 공정 A와,
    홈이 형성된 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 보호용 점착 필름을 부착하는 공정 B와,
    상기 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하고, 이면으로부터 상기 홈을 표출시키는 공정 C와,
    상기 공정 C 후, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 부착하는 공정 D와,
    상기 공정 D 후에, 상기 보호용 점착 필름을 박리하는 공정 E와,
    상기 공정 E 후에, 상기 접착 필름이 표출되어 있는 상기 홈을 따라서 파장 355㎚의 레이저를 조사하고, 상기 접착 필름을 절단하는 공정 F를 구비하고,
    상기 접착 필름이, (a) 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수가 40㎝-1 이상이며, (b) 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이고, 또한, (c) 120℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상이며,
    상기 접착 필름은, 열경화성 수지로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지와, 열가소성 수지로서의 아크릴 수지와, 필러를 포함하고,
    에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지의 합계 중량을 A중량부로 하고, 필러의 중량을 B중량부로 했을 때의 B/(A+B)가 0 이상 0.7 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착 필름은 다이본딩 필름이며,
    상기 공정 D는, 상기 공정 C 후, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 다이본딩 필름을 부착하는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 다이본딩 필름은 다이싱 필름 상에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접착 필름이, 피착체 상에 플립 칩 접속된 반도체 소자의 이면에 형성하기 위한 플립 칩형 반도체 이면용 필름이며,
    상기 공정 D는, 상기 공정 C 후, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 플립 칩형 반도체 이면용 필름을 부착하는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 플립 칩형 반도체 이면용 필름은 다이싱 필름 상에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름이며,
    (a) 파장 355㎚에 있어서의 흡광 계수가 40㎝-1 이상이며,
    (b) 50℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하이고, 또한,
    (c) 120℃에서의 인장 저장 탄성률이 0.3㎫ 이상 7㎫ 이하, 또는, 120℃에서의 용융 점도가 2000㎩·s 이상이며,
    열경화성 수지로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지와, 열가소성 수지로서의 아크릴 수지와, 필러를 포함하고,
    에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지의 합계 중량을 A중량부로 하고, 필러의 중량을 B중량부로 했을 때의 B/(A+B)가 0 이상 0.7 이하인 것을 특징으로 하는 접착 필름.
  8. 삭제
KR1020147012778A 2012-01-25 2013-01-23 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름 KR102030201B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012013297A JP5976326B2 (ja) 2012-01-25 2012-01-25 半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置の製造方法に用いられる接着フィルム
JPJP-P-2012-013297 2012-01-25
PCT/JP2013/051301 WO2013111775A1 (ja) 2012-01-25 2013-01-23 半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置の製造方法に用いられる接着フィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140116058A KR20140116058A (ko) 2014-10-01
KR102030201B1 true KR102030201B1 (ko) 2019-10-08

Family

ID=48873490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147012778A KR102030201B1 (ko) 2012-01-25 2013-01-23 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5976326B2 (ko)
KR (1) KR102030201B1 (ko)
TW (1) TWI565782B (ko)
WO (1) WO2013111775A1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9091125B2 (en) 2012-01-16 2015-07-28 National Oilwell Varco, L.P. Collapsible substructure for a mobile drilling rig
JP6073263B2 (ja) * 2014-03-31 2017-02-01 日東電工株式会社 ダイシングシート付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6298699B2 (ja) * 2014-04-23 2018-03-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6431343B2 (ja) * 2014-11-21 2018-11-28 日東電工株式会社 接着シート、ダイシングシート付き接着シート、積層シート及び半導体装置の製造方法
US20160144608A1 (en) * 2014-11-23 2016-05-26 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring device
CN107615453B (zh) 2015-05-25 2020-09-01 琳得科株式会社 半导体装置的制造方法
JP6519077B2 (ja) * 2015-05-25 2019-05-29 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP2017011134A (ja) * 2015-06-23 2017-01-12 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
JP2018060836A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 デクセリアルズ株式会社 半導体装置の製造方法
CN110036459B (zh) * 2016-12-07 2023-07-14 古河电气工业株式会社 半导体加工用带
JP6788549B2 (ja) * 2017-06-05 2020-11-25 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法
KR20210030931A (ko) * 2018-07-11 2021-03-18 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름
CN115536969A (zh) * 2018-11-22 2022-12-30 琳得科株式会社 热固性保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、及芯片的制造方法
JP7348729B2 (ja) * 2019-02-15 2023-09-21 積水化学工業株式会社 粘着テープ
KR102178971B1 (ko) * 2019-08-30 2020-11-13 한국광기술원 웨이퍼 렌즈 어레이를 다이싱하기 위한 레이저 다이싱 장치 및 방법
WO2021189292A1 (zh) * 2020-03-25 2021-09-30 华为技术有限公司 一种芯片结构及芯片制备方法
JP7387510B2 (ja) 2020-03-26 2023-11-28 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、及び保護膜形成フィルム付きワークの搬送方法
KR20220156513A (ko) * 2020-03-27 2022-11-25 린텍 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081037A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスおよびその製造方法
JP2011249738A (ja) * 2009-06-15 2011-12-08 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IE55238B1 (en) 1983-08-03 1990-07-04 Nat Starch Chem Corp Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers
JP4409014B2 (ja) 1999-11-30 2010-02-03 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP4791843B2 (ja) * 2006-02-14 2011-10-12 株式会社ディスコ 接着フィルム付きデバイスの製造方法
JP2009231779A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Lintec Corp 半導体装置の製造方法
JP4976522B2 (ja) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5158896B2 (ja) 2010-08-09 2013-03-06 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081037A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスおよびその製造方法
JP2011249738A (ja) * 2009-06-15 2011-12-08 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI565782B (zh) 2017-01-11
JP5976326B2 (ja) 2016-08-23
JP2013153071A (ja) 2013-08-08
WO2013111775A1 (ja) 2013-08-01
TW201335326A (zh) 2013-09-01
CN104040697A (zh) 2014-09-10
KR20140116058A (ko) 2014-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102030201B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 접착 필름
KR101144415B1 (ko) 열경화형 다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102493750B1 (ko) 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101048898B1 (ko) 열경화형 접착필름, 다이싱 필름을 갖는 접착필름, 및 상기 열경화형 접착필름 또는 상기 다이싱 필름을 갖는 접착필름을 사용한 반도체 장치의 제조방법
TWI428419B (zh) Cut crystal sticky film
KR101083959B1 (ko) 반도체 장치 제조용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101169525B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
KR101038626B1 (ko) 반도체 장치용 필름
KR101168562B1 (ko) 보호 필름이 부착된 다이싱 필름
KR20110101102A (ko) 다이싱·다이 본드 필름
KR20130116261A (ko) 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20120030964A (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6374199B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び積層フィルム
KR20100028133A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR20110036698A (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법
KR20100134738A (ko) 다이싱·다이본드 필름
JP2015211081A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012222002A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR20170095947A (ko) 다이싱 시트, 다이싱·다이 본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
CN104946146B (zh) 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法
JP2018019022A (ja) ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6073263B2 (ja) ダイシングシート付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR101168561B1 (ko) 반도체 장치용 필름의 제조 방법
JP2015211080A (ja) 半導体装置の製造方法
CN111739832A (zh) 切割带一体型半导体背面密合薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant