TW201402757A - 熱固型膠黏薄膜、帶有切割薄膜的膠黏薄膜、以及使用該熱固型膠黏薄膜或該帶有切割薄膜的膠黏薄膜製造半導體裝置的方法 - Google Patents

熱固型膠黏薄膜、帶有切割薄膜的膠黏薄膜、以及使用該熱固型膠黏薄膜或該帶有切割薄膜的膠黏薄膜製造半導體裝置的方法 Download PDF

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thermosetting adhesive
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Yuki Sugo
Kouichi Inoue
Kenji Oonishi
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Nitto Denko Corp
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    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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    • H01L2224/92165—Sequential connecting processes the first connecting process involving a wire connector the second connecting process involving a layer connector
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    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
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    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
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    • H01L2924/151—Die mounting substrate
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    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
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    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
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Abstract

提供熱固型膠黏薄膜，其設定為實質上不含有填充材料的構成並且可以防止因晶片接合時的壓力導致半導體晶片的破損，並且在可以防止拉伸彈性模量的下降的同時可以防止熱固化時因熱收縮產生翹曲，可以提高封裝可靠性。熱固型膠黏薄膜是在製造半導體裝置時使用，其中，熱固化後的260℃下的拉伸儲能彈性模量為2×105Pa~5×107Pa，填充材料的含量相對於熱固型膠黏薄膜全體為0.1重量%以下，厚度為1μm~10μm。

Description

熱固型膠黏薄膜、帶有切割薄膜的膠黏薄膜、以及使用該熱固型膠黏薄膜或該帶有切割薄膜的膠黏薄膜製造半導體裝置的方法
本發明涉及將例如半導體晶片等小片狀工件膠黏固定到基板或引線框等被黏物上時使用的熱固型膠黏薄膜。另外，本發明涉及該熱固型膠黏薄膜與切割薄膜層疊而成的帶有切割薄膜的膠黏薄膜。另外，本發明涉及使用該熱固型膠黏薄膜或該帶有切割薄膜的膠黏薄膜製造半導體裝置的方法。
以往，在半導體裝置的製造過程中，在向引線框或電極構件上固著半導體晶片時使用銀漿。所述固著處理通過在引線框的焊盤(die pad)等上塗布漿狀的膠黏劑，在其上裝載半導體晶片並使漿狀膠黏劑層固化來進行。
但是，漿狀膠黏劑根據其黏度行為或劣化等在塗布 量或塗布形狀方面產生較大的偏差。結果，形成的漿狀膠黏劑厚度不均勻，因此半導體晶片的固著強度可靠性不足。即，漿狀膠黏劑的塗布量不足時，半導體晶片與電極構件之間的固著強度降低，在後續的絲焊工序中半導體晶片剝離。另一方面，漿狀膠黏劑的塗布量過多時，漿狀膠黏劑一直流延到半導體晶片上從而產生特性不良，成品率或可靠性下降。這樣的固著處理中的問題，隨著半導體晶片的大型化而變得特別顯著。因此，需要頻繁地進行漿狀膠黏劑的塗布量控制，從而影響操作性或生產率。
在該漿狀膠黏劑的塗布工序中，有將漿狀膠黏劑另外塗布到引線框或形成的晶片上的方法。但是，該方法難以實現漿料膠黏劑層的均勻化，另外漿狀膠黏劑的塗布需要特殊裝置或長時間。因此，提出了在切割工序中膠黏保持半導體晶圓並且在安裝工序中提供所需的晶片固著用的膠黏劑層的切割/晶片接合薄膜(例如，參考專利文獻1)。
該切割/晶片接合薄膜，通過在支撐基材上設置可以剝離的膠黏劑層而成，其可實現：在膠黏劑層的保持下將半導體晶圓切割後，對支撐基材進行拉伸而將形成的晶片與膠黏劑層一起剝離，將其各自回收後通過該膠黏劑層固著到引線框等被黏物上。
另一方面，近年來，以記憶體為代表的半導體裝置，由於受到封裝自身的厚度的制約，半導體晶片進行薄型化，因 此變得非常脆弱。這樣的半導體晶片在使用晶片接合薄膜晶片接合到被黏物上的情況下，當晶片接合薄膜中存在填充材料時，受到晶片接合時的壓力，在半導體晶片與晶片接合薄膜中的填充材料之間產生過度的應力，存在有可能導致半導體晶片破損的問題。
作為上述問題的解決方法，在晶片接合薄膜中不添加填充材料即可。但是，不添加填充材料時，有可能引起晶片接合薄膜的拉伸儲能彈性模量的下降，帶來封裝的可靠性下降的新問題。另外，不添加填充材料時，晶片接合薄膜在熱固化時產生的熱收縮有可能導致半導體晶片翹曲、破損。
另外，不限於晶片接合薄膜，對於熱固型膠黏薄膜，在設定為不添加填充材料的構成時，有可能引起拉伸儲能彈性模量下降，或者熱固化時發生熱收縮。
專利文獻1：日本特開昭60-57642號公報
本發明鑒於所述問題而做出，其目的在於提供一種即使設定為實質上不添加填充材料的構成，也可以防止拉伸儲能彈性模量下降並且可以防止熱固化時的熱收縮的熱固型膠黏薄膜，以及該熱固型膠黏薄膜與切割薄膜層疊而成的帶有切割薄膜的膠黏薄膜。特別地，本發明的目的在於提供一種在作為晶片接合薄膜使用時，通過設定為實質上不含有填充材料的構成，可以防止晶片接合時的壓力導致的半導體晶片破損，並 且可以防止拉伸儲能彈性模量的下降，同時可以防止產生由於熱固化時的熱收縮導致的翹曲，從而可以提高封裝可靠性的熱固型膠黏薄膜，以及該熱固型膠黏薄膜與切割薄膜層疊而成的帶有切割薄膜的膠黏薄膜。
本發明人為了解決所述現有問題對熱固型膠黏薄膜進行了研究，結果發現，通過採用下述構成可以實現所述目的，從而完成了本發明。
即，本發明的熱固型膠黏薄膜，在製造半導體裝置時使用，其特徵在於，熱固化後的260℃下的拉伸儲能彈性模量為2×105Pa~5×107Pa，填充材料的含量相對於熱固型膠黏薄膜全體為0.1重量%以下，厚度為1μm~10μm。
根據所述構成，儘管為填充材料的含量相對於熱固型膠黏薄膜全體為0.1重量%以下的實質上不含有填充材料的構成，但是，熱固化後的260℃下的拉伸儲能彈性模量為2×105Pa~5×107Pa，可以抑制拉伸儲能彈性模量的下降。另外，厚度為比較薄的1μm~10μm，因此可以抑制熱收縮引起的絕對變形量。另外，特別是在作為晶片接合薄膜使用時，根據所述構成，由於為填充材料的含量相對於熱固型膠黏薄膜全體為0.1重量%以下的實質上不含有填充材料的構成，因此可以抑制晶片接合時的壓力而導致的應力產生。另外，熱固化後的260℃下的拉伸儲能彈性模量為比較高的2×105Pa~5×107Pa，因此耐回流焊接性優良，可以提高製造的半導體裝置的封裝可靠 性。另外，厚度為比較薄的1μm~10μm，因此不僅可以抑制熱收縮引起的絕對變形量，而且即使有變形也可以減小其應力。結果，可以防止半導體晶片的翹曲。
這樣，根據所述構成，通過設定為實質上不含有填充材料的構成，可以抑制填充材料的存在導致的應力產生，並且，可以使拉伸儲能彈性模量較高而且減小厚度來防止半導體晶片的翹曲，因此可以提高封裝的可靠性。
在所述構成中，熱固化前的玻璃轉移溫度優選為15℃~50℃。通過將熱固化前的玻璃轉移溫度設定為15℃以上，可以提高拉伸儲能彈性模量，通過設定為50℃以下，可以提高熱固型膠黏薄膜對半導體晶圓的密合性。
另外，所述構成中，優選包含丙烯酸類樹脂，該丙烯酸類樹脂的玻璃轉移溫度優選為-15℃~15℃。通過將丙烯酸類樹脂的玻璃轉移溫度設定為-15℃以上，可以進一步提高熱固型膠黏薄膜的拉伸儲能彈性模量，通過設定為15℃以下，可以進一步提高熱固型膠黏薄膜對半導體晶圓的密合性。
另外，所述構成中，優選含有環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸類樹脂，並且設所述環氧樹脂、所述酚樹脂和所述丙烯酸類樹脂的合計重量為A，設所述丙烯酸類樹脂的重量為B時，B/(A+B)優選為0.15~0.95。通過將B/(A+B)設定為0.15~0.95，可以形成作為膠黏薄膜起作用的薄膜。
另外，所述構成中，熱固化後的翹曲量優選為100μm 以下。通過熱固化後的翹曲量為100μm以下，可以使得難以產生由於半導體晶片的翹曲導致的破損。
另外，所述構成中，熱固化前對矽基板的剪切膠黏力在175℃的條件下優選為0.04MPa~2MPa。通過將所述剪切膠黏力設定為0.04MPa以上，可以減少在絲焊工序中的由超聲波振動或加熱導致的、與半導體晶片的膠黏面上的剪切變形的產生。
另外，所述構成中，熱固化前的表面粗糙度優選為50nm以下。通過熱固化前的表面粗糙度為50nm以下，可以使得在晶片接合工序時難以產生半導體晶片的破損。
另外，在所述構成中，熱固化前的120℃下的拉伸儲能彈性模量優選為1×104Pa~2.5×106Pa。通過所述拉伸儲能彈性模量為1×104Pa以上，可以減少與半導體晶片的膠黏面上的剪切變形的產生。
另外，本發明的帶有切割薄膜的膠黏薄膜，為了解決所述問題，其特徵在於，在切割薄膜上層疊有所述熱固型膠黏薄膜。
另外，所述構成中，所述熱固型膠黏薄膜從所述切割薄膜剝離的剝離力優選為0.005N/20mm~0.2N/20mm。通過將所述剝離力設定為0.005N/20mm以上，可以防止切割時熱固型膠黏薄膜從切割薄膜剝離。另外，通過設定為0.2N/20mm以下，可以容易地拾取(pick-up)半導體晶片。
另外，本發明的半導體裝置的製造方法，使用所述熱固型膠黏薄膜或所述切割/膠黏薄膜製造半導體裝置，其特徵在於，在通過熱固型膠黏薄膜在被黏物上晶片接合半導體晶片的晶片接合工序中，晶片接合溫度為80℃~150℃，晶片接合壓力為0.05MPa~5MPa，晶片接合時間為0.1秒~5秒。
所述熱固型膠黏薄膜，由於為填充材料的含量相對於熱固型膠黏薄膜全體為0.1重量%以下的實質上不含有填充材料的構成，因此在晶片接合壓力為0.05MPa~5MPa的條件下可以抑制壓力導致的應力產生。另外，所述熱固型膠黏薄膜，厚度為比較薄的1μm~10μm，因此，熱很容易向熱固型膠黏薄膜全體傳遞，因此可以將晶片接合溫度設定為比較低的80℃~150℃，將晶片接合時間設定為比較短的0.1秒~5秒。結果，可以提高半導體裝置的製造效率。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏合劑層
2a、2b、3a、3b‧‧‧部分
3、3’‧‧‧膠黏薄膜(熱固型膠黏薄膜)
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被黏物
7‧‧‧焊線
8‧‧‧密封樹脂
10、12‧‧‧帶有切割薄膜的膠黏薄膜
11‧‧‧切割薄膜
圖1是表示本發明一個實施方式的帶有切割薄膜的膠黏薄膜的示意剖面圖。
圖2是表示本發明另一實施方式的帶有切割薄膜的膠黏薄膜的示意剖面圖。
圖3是用於說明本實施方式的半導體裝置的一種製造方 法的示意剖面圖。
(帶有切割薄膜的膠黏薄膜)
以下對本發明的一個實施方式的帶有切割薄膜的膠黏薄膜進行說明。圖1是表示本發明的一個實施方式的帶有切割薄膜的膠黏薄膜的示意剖面圖。圖2是表示本發明的另一個實施方式的帶有切割薄膜的膠黏薄膜的示意剖面圖。
如圖1所示，帶有切割薄膜的膠黏薄膜10具有在切割薄膜11上層疊有膠黏薄膜3的構成。切割薄膜11具有在基材1層疊有黏合劑層2的構成，膠黏薄膜3設置在該黏合劑層2上。另外，本發明可以如圖2所示的帶有切割薄膜的膠黏薄膜12所示，為僅在工件黏貼部分形成有膠黏薄膜3’的構成。
另外，本發明的膠黏薄膜(熱固型膠黏薄膜)，可以作為不帶切割薄膜的膠黏薄膜本身來使用，也可以以帶有切割薄膜的膠黏薄膜的形態來使用。另外，本發明中，膠黏薄膜可以作為晶片接合薄膜、晶圓背面保護膜使用。在此，晶圓背面保護膜用於在通過倒裝晶片接合將半導體晶片安裝到基板上時保護半導體晶片的背面(與基板相反一側的露出面)。
所述基材1作為帶有切割薄膜的膠黏薄膜10、12的強度母體，優選具有紫外線透射性。可以列舉例如：低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、丙烯無規共聚物、丙烯嵌段共聚物、丙烯均聚物、 聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。
另外，作為基材1的材料，可以列舉所述樹脂的交聯物等聚合物。所述塑膠薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。利用經拉伸處理等而具有熱收縮性的樹脂片，通過在切割後使其基材1熱收縮而降低黏合劑層2與膠黏薄膜3、3’的膠黏面積，可以容易地回收半導體晶片(半導體元件)。
為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材1的表面可以進行慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射處理等化學或物理處理、底塗劑(例如，後述的黏合物質)塗布處理。所述基材1可以適當選擇使用同種或異種材料，根據需要也可以將多種材料混合使用。
基材1的厚度沒有特別限制，可以適當設定，一般為約5μm~約200μm。
作為黏合劑層2的形成中使用的黏合劑，沒有特別限制，可以使用例如丙烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑等一般的壓敏膠黏劑。作為所述壓敏膠黏劑，從半導體晶圓或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等方面考慮，優選以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的丙烯酸類黏合劑。
作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數1~30、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全部具有同樣的含義。
所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力和耐熱性等，根據需要可以含有與能夠與所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷酯共聚的其他單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基) 丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優選為全部單體成分的40重量%以下。
另外，為了進行交聯，所述丙烯酸類聚合物根據需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或者兩種以上。多官能單體的使用量從黏合特性等觀點考慮優選為全部單體成分的30重量%以下。
所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以 上單體的混合物聚合而得到。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等的任意方式進行。從防止污染潔淨的被黏物等觀點考慮，優選低分子量物質的含量小。從該觀點考慮，丙烯酸類聚合物的數量平均分子量優選為約30萬以上、更優選約40萬~約300萬。
另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數量平均分子量，所述黏合劑中也可以適當使用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體手段，可以列舉：添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺型交聯劑等所謂的交聯劑進行反應的方法。使用外部交聯劑的情況下，其使用量根據與欲交聯的基礎聚合物的平衡以及作為黏合劑的使用用途進行適當確定。一般相對於所述基礎聚合物100重量份優選調配約5重量份以下，更優選調配0.1重量份~5重量份。另外，黏合劑中根據需要除所述成分之外還可以使用現有公知的各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
黏合劑層2可以通過輻射線固化型黏合劑來形成。輻射線固化型黏合劑可以通過紫外線等輻射線的照射而增大交聯度從而使其黏合力容易地下降，通過僅對圖2所示的黏合劑層2的與工件黏貼部分對應的部分2a照射輻射線，可以設置與其他部分2b的黏合力的差。
另外，通過與圖2所示的膠黏薄膜3’相符地使輻射線固化型黏合劑層2固化，可以容易地形成黏合力顯著下降 的所述部分2a。由於固化而黏合力下降的所述部分2a上黏貼有膠黏薄膜3’，因此黏合劑層2的所述部分2a與膠黏薄膜3’的介面具有在拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射輻射線的部分具有充分的黏合力，形成所述部分2b。
如前所述，圖1所示的帶有切割薄膜的膠黏薄膜10的黏合劑層2中，由未固化的輻射線固化型黏合劑形成的所述部分2b與膠黏薄膜3黏合，能夠確保切割時的保持力。這樣，輻射線固化型黏合劑可以在膠黏和剝離的平衡良好的情況下支撐用於將小片狀工件(半導體晶片等)固著到基板等被黏物上的膠黏薄膜3。圖2所示的帶有切割薄膜的膠黏薄膜12的黏合劑層2中，所述部分2b可以固定貼片環(wafer ring)。
輻射線固化型黏合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等輻射線固化性官能團、並且顯示黏合性的黏合劑。作為輻射線固化型黏合劑，例如，可以例示在所述丙烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑等一般的壓敏黏合劑中調配有輻射線固化性單體成分或低聚物成分的添加型輻射線固化型黏合劑。
作為調配的輻射線固化性單體成分，可以列舉例如：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另 外，輻射線固化性的低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100~約30000的範圍內是適當的。輻射線固化性單體成分或低聚物成分的調配量可以根據所述黏合劑層的種類適當確定能夠使黏合劑層的黏合力下降的量。一般而言，相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份~約500重量份、優選約40重量份~約150重量份。
另外，作為輻射線固化型黏合劑，除前面說明過的添加型的輻射線固化型黏合劑以外，還可以列舉：使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的輻射線固化型黏合劑。內在型的輻射線固化型黏合劑不需要含有作為低分子成分的低聚物成分等，或者含得不多，因此低聚物成分等不會隨時間推移在黏合劑層中遷移，可以形成層結構穩定的黏合劑層，因而優選。
所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵並且具有黏合性的基礎聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的基礎聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉所述例示的丙烯酸類聚合物。
在所述丙烯酸類聚合物中引入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以採用各種方法，從分子設計方面而言在聚合 物側鏈中引入碳-碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉：預先將具有官能團的單體與丙烯酸類聚合物共聚後，使具有能夠與該官能團反應的官能團及碳-碳雙鍵的化合物在保持碳-碳雙鍵的輻射線固化性的情況下與所得共聚物進行縮合或加成反應的方法。
作為這些官能團的組合例，可以列舉：羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團的組合中，從容易跟蹤反應的觀點考慮，優選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，如果是通過這些官能團的組合生成所述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能團可以在丙烯酸類聚合物和所述化合物的任意一個上，在所述優選組合的情況下，優選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將所述例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。
所述內在型的輻射線固化型黏合劑，可以單獨使用所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內調配所述輻射線固化性的單體成分或低聚物成分。輻射線固化性的低聚物成分等通常相對於 基礎聚合物100重量份在30重量份的範圍內，優選0重量份~10重量份的範圍。
在通過紫外線等固化時，所述輻射線固化型黏合劑中含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(N-嗎啉基)丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯醯二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合物；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的調配量相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份例如為約0.05重量份~約20重量份。
另外，作為輻射線固化型黏合劑，可以列舉例如：日本特開昭60-196956號公報中公開的、包含具有兩個以上不飽合鍵的加聚性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性 化合物和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽類化合物等光聚合引發劑的橡膠類黏合劑或丙烯酸類黏合劑等。
所述輻射線固化型的黏合劑層2中，根據需要可以含有經輻射線照射會著色的化合物。通過在黏合劑層2中含有經輻射線照射會著色的化合物，可以僅使輻射線照射過的部分著色。即，可以使圖1所示的與工件黏貼部分3a對應的部分2a著色。因此，通過目視立即可以判斷黏合劑層2是否照射過輻射線，可以容易地識別工件黏貼部分3a，從而容易進行工件的黏貼。另外，通過光感測器等檢測半導體元件時，其檢測精度提高，在半導體元件的拾取時不會產生誤操作。
經輻射線照射會著色的化合物，是在輻射線照射前為無色或淺色，經輻射線照射後變為有色的化合物。作為所述化合物的優選具體例，可以列舉染料隱色體(染料)。作為染料隱色體，可以優選使用慣用的三苯基甲烷類、熒烷類、吩噻嗪類、金胺類、螺吡喃類等。具體而言，可以列舉：3-[N-(對甲苯氨基)]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基熒烷、3-二乙氨基-6-甲基-7-苯胺基熒烷、結晶紫內酯、4,4’,4”-三(二甲氨基)三苯基甲醇、4,4’,4”-三(二甲氨基)三苯基甲烷等。
作為優選與這些染料隱色體(leuco)一起使用的顯色劑，可以列舉以往使用的苯酚甲醛樹脂的預聚物、芳香族羧 酸衍生物、活性白土等電子受體，另外，在使色調變化的情況下也可以組合使用各種公知的發色劑。
這樣的經輻射線照射會著色的化合物，可以先溶解於有機溶劑等中後再添加到輻射線固化型膠黏劑中，也可以製成微粉末狀後使其包含在該黏合劑中。該化合物的使用比例在黏合劑層2中優選為10重量%以下，更優選0.01重量%~10重量%，進一步優選0.5重量%~5重量%。該化合物的比例超過10重量%時，照射到黏合劑層2上的輻射線被該化合物過度地吸收，因此黏合劑層2的所述部分2a的固化不充分，有時黏合力不能充分下降。另一方面，為了充分地著色，優選將該化合物的比例設定為0.01重量%以上。
通過輻射線固化型黏合劑形成黏合劑層2時，也可以對黏合劑層2的一部分照射輻射線，使得黏合劑層2中的所述部分2a的黏合力<其他部分2b的黏合力。
作為在所述黏合劑層2中形成所述部分2a的方法，可以列舉在基材1上形成輻射線固化型黏合劑層2後，局部地對所述部分2a照射輻射線而使其固化的方法。局部的輻射線照射可以通過形成有與工件黏貼部分3a以外的部分3b等對應的圖案的光罩來進行。另外，可以列舉點狀照射輻射線使其固化的方法。輻射線固化型黏合劑層2的形成可以通過將設置在隔片(separator)上的黏合劑層轉印到基材1上來進行。局部的輻射線照射也可以對設置在隔片上的輻射線固化型黏合劑 層2進行。
另外，通過輻射線固化型黏合劑形成黏合劑層2時，使用將基材1的至少單面的、與工件黏貼部分3a對應的部分以外的部分的全部或者一部分進行遮光的基材，在其上形成輻射線固化型黏合劑層2後進行輻射線照射，使與工件黏貼部分3a對應的部分固化，從而可以形成黏合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作能夠形成光罩的遮光材料。通過該製造方法，可以高效地製造本發明的帶有切割薄膜的膠黏薄膜10。
另外，照射輻射線時因氧而產生固化障礙時，優選通過任意方法從輻射線固化型黏合劑層2的表面隔絕氧(空氣)。可以列舉例如：用隔片將所述黏合劑層2的表面覆蓋的方法或者在氮氣氛圍中進行紫外線等輻射線的照射的方法等。
黏合劑層2的厚度沒有特別限制，從兼具防止晶片切割面的缺損和膠黏層的固定保持的功能等方面考慮，優選為約1μm~約50μm。優選2μm~30μm、更優選5μm~25μm。
膠黏薄膜3、3’中填充材料的含量相對於膠黏薄膜3、3’全體為0.1重量%以下，優選不含有填充材料(0重量%)。作為所述填充材料，沒有特別限制，可以列舉例如：氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣、三氧化二銻、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽等無機填充材料。膠黏 薄膜3、3’中填充材料含量(重量%)可以作為以下的灰分率(ash rate)(重量%)求出。
在灰分率測定中，首先，將1g膠黏薄膜3、3’稱取到坩鍋中。使用預先在750℃空燒2小時後，冷卻到室溫的坩鍋。然後，用燃燒器燃燒稱取的膠黏薄膜3、3’直到目測不到煙，然後，用電爐在750℃下焙燒4小時使其灰化。然後，冷卻到室溫，之後稱量坩鍋中殘留的灰分，通過膠黏薄膜3、3’的灰化前後的重量求出灰化率。
(灰分率(重量%))=(灰化後的重量)/(灰化前的重量)×100
膠黏薄膜3、3’的熱固化後的260℃下的拉伸儲能彈性模量為2×105Pa~5×107Pa，優選2.2×105Pa~4.8×107Pa，更優選2.5×105Pa~4.6×107Pa。這是因為：通過設定為2.0×105Pa以上，可以提高耐回流焊接性，通過設定為5.0×107Pa以下，可以較好地表現作為膠黏薄膜的功能。另外，關於使膠黏薄膜3、3’熱固化時的加熱條件，在後面詳細說明。
膠黏薄膜3、3’的熱固化前的玻璃轉移溫度(Tg)為15~50℃，優選16~48℃，更優選18~45℃。通過設定為15℃以上，可以提高膠黏薄膜3、3’的拉伸儲能彈性模量，通過設定為50℃以下，可以提高膠黏薄膜3、3’對半導體晶圓 4的密合性。玻璃轉移溫度可以根據實例中記載的方法進行測定。
膠黏薄膜3、3’的熱固化後的翹曲量優選為100μm以下，更優選80μm以下，進一步優選60μm以下。通過設定為100μm以下，可以使得難以因半導體晶片5的翹曲產生破損。另外，翹曲量可以通過實例中記載的方法測定。
膠黏薄膜3、3’的熱固化前的表面粗糙度(Ra)優選為50nm以下，更優選45nm以下，進一步優選40nm以下。通過設定為50nm以下，可以使得難以在晶片接合工序中產生半導體晶片5的破損。
膠黏薄膜3、3’的熱固化前的120℃的拉伸儲能彈性模量優選為1×104Pa~2.5×106Pa，更優選5×104Pa~2.5×106Pa，進一步優選1×105Pa~2.5×106Pa。為1×104Pa以上時，可以減少在膠黏薄膜3、3’與半導體晶片5的膠黏面上的剪切變形的產生。
膠黏薄膜3、3’從切割薄膜11剝離的剝離力優選為0.005N/20mm~0.2N/20mm，更優選0.01N/20mm~0.18N/20mm，進一步優選0.02N/20mm~0.16N/20mm。通過設定為0.005N/20mm以上，可以防止切割時膠黏薄膜3、3’從切割薄膜11剝離。另外，通過設定為0.2N/20mm以下，可以容易地拾取半導體晶片5。另外，膠黏薄膜3、3’從切割薄膜11剝離的剝離力可以通過 實例記載的方法測定。
膠黏薄膜3、3’的層疊結構沒有特別限制，可以列舉例如：僅由單層膠黏劑層構成，或者在芯材的單面或雙面形成膠黏劑層的多層結構等。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑膠製不織纖維增強的樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。
作為構成所述膠黏薄膜3、3’的膠黏劑組合物，可以列舉熱塑性樹脂與熱固性樹脂組合使用的組合物。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性高、能夠確保半導體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。
作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數30以下、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物(丙烯酸類共聚物)等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、 異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
上述丙烯酸類樹脂中，優選重量平均分子量為10萬以上的丙烯酸類樹脂，更優選30萬~300萬的丙烯酸類樹脂，進一步優選50萬~200萬的丙烯酸類樹脂。這是因為在上述數值範圍內時膠黏性和耐熱性優良。另外，重量平均分子量是通過GPC(凝膠滲透層析法)進行測定並經聚苯乙烯換算得到的值。
上述丙烯酸類樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)優選為-15℃~15℃，更優選-14℃~14℃，進一步優選-13℃~13℃。這是因為：通過設定為-15℃以上，可以進一步提高膠黏薄膜3、3’的拉伸儲能彈性模量，通過設定為15℃以下，可以進一步提高膠黏薄膜3、3’對半導體晶圓4的密合性。
上述丙烯酸類樹脂，可以將玻璃轉移溫度不同的兩種以上組合使用。此時，可以將官能團不同的兩種以上組合使用，也可以將重量平均分子量不同、官能團相同的兩種以上組合使用，也可以是將官能團不同且重量平均分子量不同的兩種以上組合使用。
另外，作為形成所述聚合物的其他單體，沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單 體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。
作為所述熱固性樹脂的調配比例，只要為在預定條件下加熱時膠黏薄膜3、3’發揮作為熱固型的功能的程度則沒有特別限制，優選在5重量%~60重量%的範圍內，更優選10重量%~50重量%的範圍內。
作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚矽氧烷樹脂或熱固性聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。特別優選會使半導體元件腐蝕的離子性雜質等的含量少的環氧樹脂。另外，作為環氧樹脂的固化劑，優選酚樹脂。
所述環氧樹脂，只要是作為膠黏劑組合物通常使用的則沒有特別限制，可以使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三 羥苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂或四苯酚基乙烷型環氧樹脂。這是因為：這些環氧樹脂與作為固化劑的酚樹脂的反應性好，並且耐熱性等優良。
另外，所述酚樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚樹脂型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹脂中特別優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。
所述環氧樹脂與酚樹脂的調配比例，例如以相對於所述環氧樹脂成分中的環氧基1當量、酚樹脂中的羥基為0.5當量~2.0當量的比例進行調配是優選的。更優選0.8當量~1.2當量。即，這是因為：兩者的調配比例如果在所述範圍以外，則固化反應不能充分進行，環氧樹脂固化物的特性容易變差。
所述膠黏薄膜3、3’中，優選含有環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸類樹脂，設所述環氧樹脂、所述酚樹脂和所述丙烯酸類樹脂的合計重量為A，設所述丙烯酸類樹脂的重量為B 時，B/(A+B)優選為0.15~0.95。這是因為通過將B/(A+B)設定為0.15~0.95，可以形成作為膠黏薄膜起作用的薄膜。
預先使本發明的膠黏薄膜3、3’進行某種程度的交聯的情況下，在製作時可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的膠黏特性，改善耐熱性。
作為所述交聯劑，可以使用現有公知的交聯劑。特別是更優選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成產物等多異氰酸酯化合物。交聯劑的添加量相對於所述聚合物100重量份通常優選設定為0.05重量份~7重量份。這是因為，通過將交聯劑的量設定為0.05重量份以上，可以得到充分的凝聚力，通過將交聯劑的量設定為7重量份以下，可以提高膠黏力。另外，根據需要可以在含有這樣的多異氰酸酯化合物的同時還一起含有環氧樹脂等其他多官能化合物。
另外，膠黏薄膜3、3’中根據需要可以適當調配添加劑。作為添加劑，可以列舉例如：阻燃劑、矽烷偶聯劑或離子捕捉劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如：溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述矽烷偶聯劑，可以列舉例如：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上 組合使用。作為所述離子捕捉劑，可以列舉螯合劑等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
作為環氧樹脂與酚樹脂的熱固化促進催化劑，沒有特別限制，可以從公知的熱固化促進催化劑中適當選擇使用。熱固化促進催化劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為熱固化促進催化劑，可以使用例如：胺類固化促進劑、含磷固化促進劑、咪唑類固化促進劑、含硼固化促進劑、含磷硼固化促進劑等。
本發明中，膠黏薄膜3、3’根據需要也可以進行著色。膠黏薄膜3、3’中通過著色所呈的顏色沒有特別限制，優選例如黑色、藍色、紅色、綠色等。膠黏薄膜作為晶片接合薄膜使用時，通常不著色(也可以著色)，當作為晶圓背面保護薄膜使用時，通常著色。進行膠黏薄膜的著色時，可以從顏料、染料等公知的著色劑中適當選擇使用。
膠黏薄膜3、3’的厚度(層壓體的情況下為總厚度)沒有特別限制，為1μm~10μm，優選2μm~10μm，進一步優選3μm~10μm。通過設定為1μm以上，可以改善膠黏薄膜3、3’的成膜性。另外，通過設定為10μm以下，可以抑制熱收縮導致的絕對變形量，即使變形時也可以減少其應力。結果，可以防止半導體晶片的翹曲。另外，通過設定為10μm以下，可以減少膠黏薄膜3、3’中殘留的有機揮發成分，並可以提高耐回流焊接性。
所述帶有切割薄膜的膠黏薄膜10、12的膠黏薄膜3、3’優選由隔片保護(未圖示)。隔片具有在供給實際應用之前作為保護膠黏薄膜3、3’的保護材料的功能。另外，隔片還可以作為向黏合劑層2上轉印膠黏薄膜3、3’時的支撐基材使用。隔片在向帶有切割薄膜的膠黏薄膜的膠黏薄膜3、3’上黏貼工件時剝離。作為隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行了表面塗布的塑膠薄膜或紙等。
本實施方式的帶有切割薄膜的膠黏薄膜10、12，例如可以如下所述來製作。
首先，基材1可以通過現有公知的成膜方法成膜。作為該成膜方法，可以例示例如：壓延成膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
然後，通過在基材1上塗布黏合劑組合物溶液形成塗膜後，將該塗膜在預定條件下進行乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成黏合劑層2。作為塗布方法，沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、絲網塗布、凹版塗布等。另外，作為乾燥條件，可以為例如乾燥溫度80℃~150℃、乾燥時間0.5分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以在隔片上塗布黏合劑組合物形成塗膜後，在所述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成黏合劑 層2。之後，將黏合劑層2與隔片一起黏貼到基材1上。由此，製作切割薄膜11。
膠黏薄膜3、3’例如如下所述製作。
首先，製作作為帶有切割薄膜的膠黏薄膜3、3’的形成材料的膠黏劑組合物溶液。該膠黏劑組合物溶液如前所述調配有所述膠黏劑組合物或各種添加劑等。
然後，將膠黏劑組合物溶液塗布到基材隔片上達到預定的厚度而形成塗膜，然後在預定條件下使該塗膜乾燥，形成膠黏劑層。作為塗布方法，沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、絲網塗布、凹版塗布等。另外，作為乾燥條件，可以為例如乾燥溫度70℃~160℃、乾燥時間1分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以在隔片上塗布黏合劑組合物溶液形成塗膜後，在所述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成膠黏劑層。之後，將膠黏劑層與隔片一起黏貼到基材隔片上。
接著，從切割薄膜11和膠黏劑層上分別剝離隔片，以膠黏劑層與黏合劑層作為黏貼面的方式將兩者黏貼。黏貼可以通過例如壓接來進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，例如優選30℃~50℃，更優選35℃~45℃。另外，線壓沒有特別限制，例如優選0.1kgf/cm~20kgf/cm，更優選1kgf/cm~10kgf/cm。然後，將膠黏劑層上的基材隔片剝離，得到本實施方式的帶有切割薄膜的膠黏薄膜。
(半導體裝置的製造方法)
本發明的帶有切割薄膜的膠黏薄膜10、12，在將膠黏薄膜3、3’上任意設置的隔片適當剝離後如下進行使用。以下，參考圖3以使用帶有切割薄膜的膠黏薄膜10的情況為例進行說明。
首先，將半導體晶圓4壓接在帶有切割薄膜的膠黏薄膜10中的膠黏薄膜3的半導體晶圓黏貼部分3a上，使其膠黏保持而固定(黏貼工序)。本工序在用壓接輥等擠壓手段擠壓的同時進行。此時，黏貼溫度優選35℃~80℃，更優選40℃~75℃。另外，壓力優選為1×105Pa~1×107Pa，更優選2×105Pa~8×106Pa。另外，黏貼時間優選1.5秒~60秒，更優選2秒~50秒。
然後，進行半導體晶圓4的切割。由此，將半導體晶圓4切割為預定的尺寸而單片化，製造半導體晶片5。切割例如從半導體晶圓4的電路面一側按照常規方法來進行。另外，本工序中，例如可以採用切入至帶有切割薄膜的膠黏薄膜10處的、稱為全切的切割方式等。本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現有公知的切割裝置。另外，由於半導體晶圓通過帶有切割薄膜的膠黏薄膜10膠黏固定，因此可以抑制晶片缺損或晶片飛散，同時也可以抑制半導體晶圓4的破損。
為了將膠黏固定在帶有切割薄膜的膠黏薄膜10上的半導體晶片剝離，進行半導體晶片5的拾取。拾取方法沒有 特別限制，可以使用現有公知的各種方法。例如，可以列舉用針從帶有切割薄膜的膠黏薄膜10一側將各個半導體晶片5上推，通過拾取裝置拾取被上推的半導體晶片5的方法等。
在此，黏合劑層2為紫外線固化型時，拾取在對該黏合劑層2照射紫外線後進行。由此，黏合劑層2對膠黏薄膜3的黏合力下降，半導體晶片5的剝離變得容易。結果，可以在不損傷半導體晶片5的情況下進行拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限制，可以根據需要適當設定。另外，作為用於紫外線照射的光源，可以使用前述的光源。
拾取的半導體晶片5通過膠黏薄膜3膠黏固定到被黏物6上(晶片接合)。
此時，晶片接合溫度優選為80℃~150℃，更優選85℃~140℃，進一步優選90℃~130℃。通過設定為80℃以上，可以防止膠黏薄膜3的拉伸儲能彈性模量變得過高，可以良好地進行膠黏。另外，通過設定為150℃以下，可以防止晶片接合後產生翹曲，使得難以產生破損。
另外，晶片接合壓力優選為0.05MPa~5MPa，更優選0.06MPa~4.5MPa，進一步優選0.07MPa~4MPa。通過設定為0.05MPa以上，可以防止產生膠黏不均勻。另外，通過設定為5MPa以下，可以使得難以因壓力而產生半導體晶片5的破損。
另外，施加所述晶片接合壓力的晶片接合時間，優 選為0.1秒~5秒，更優選0.15秒~4.5秒，進一步優選0.2秒~4秒。通過設定為0.1秒以上，可以使壓力均勻，可以防止產生膠黏不均勻。另外，通過設定為5秒以下，可以提高成品率。
作為被黏物6，可以列舉例如引線框、TAB薄膜、基板或另外製作的半導體晶片等。被黏物6可以為例如容易變形的變形型被黏物，也可以為難以變形的非變形型被黏物(半導體晶圓等)。
作為所述基板，可以使用現有公知的基板。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環氧、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等製成的有機基板。但是，本發明不限於這些，也包括在安裝半導體元件並與半導體元件電連接後可以使用的電路板。
上述半導體晶圓的厚度沒有特別限制，例如，可以設定為15μm~700μm，優選20μm~500μm。
接著，通過將膠黏薄膜3進行加熱處理使其熱固化，從而將半導體晶片5與被黏物6膠黏。作為加熱處理條件，優選溫度在80℃~180℃的範圍內，並且加熱時間在0.1小時~24小時、優選0.1小時~4小時、更優選0.1小時~1小時的範圍內。
然後，進行用焊線7將被黏物6的端子部(內部引線)的前端與半導體晶片5上的電極焊盤(未圖示)電連接的絲焊工序。作為所述焊線7，可以使用例如金線、鋁線或銅線 等。進行絲焊時的溫度為80℃~250℃，優選80℃~220℃的範圍內。另外，其加熱時間為幾秒~幾分鐘。接線在加熱至所述溫度範圍內的狀態下，通過組合使用超聲波的振動能與加壓的壓接能來進行。
在此，熱固化後的膠黏薄膜3的剪切膠黏力對於被黏物6優選為0.1MPa以上，更優選0.1MPa~10MPa。膠黏薄膜3的剪切膠黏力至少為0.1MPa以上時，進行絲焊工序時很少會由於該工序中的超聲波振動或加熱而在膠黏薄膜3與半導體晶片5或被黏物6的膠黏面處產生剪切變形。即，半導體元件因絲焊時的超聲波振動而活動的情況顯著降低，由此可以防止絲焊成功率下降。
另外，絲焊工序也可以在不利用加熱處理使膠黏劑層3熱固化的情況下進行。此時，膠黏薄膜3的暫時固著時(熱固化前)的175℃下的剪切膠黏力對於被黏物6(矽基板)優選為0.04MPa~2MPa，更優選0.06MPa~2MPa，進一步優選0.1MPa~2MPa。膠黏薄膜3的暫時固著時的剪切膠黏力為至少0.04MPa以上時，即使在不經加熱工序的情況下進行絲焊工序，也很少會由於該工序中的超聲波振動或加熱而在膠黏薄膜3與半導體晶片5或被黏物6的膠黏面處產生剪切變形。即，半導體元件因絲焊時的超聲波振動而活動的情況顯著降低，由此可以防止絲焊成功率下降。
另外，未固化的膠黏薄膜3即使進行絲焊工序也不 會完全熱固化。另外，膠黏薄膜3的剪切膠黏力即使在80℃~250℃的溫度範圍內也需要為0.04MPa以上。這是因為，在該溫度範圍內的剪切膠黏力低於0.04MPa時，半導體元件受到絲焊時的超聲波振動而活動，從而不能進行絲焊，成品率下降。
接著，進行利用密封樹脂8將半導體晶片5密封的密封工序。本工序是為了保護裝載在被黏物6上的半導體晶片5和焊線7等而進行的。本工序通過用模具將密封用樹脂成形來進行。作為密封樹脂8，例如使用環氧樹脂。樹脂密封時的加熱溫度通常在175℃下進行60秒~90秒，但是，本發明不限於此，例如也可以在165℃~185℃下進行幾分鐘固化。由此，使密封樹脂固化，並且通過膠黏薄膜3將半導體晶片5與被黏物6固著。即，本發明中，即使在不進行後述的後固化工序的情況下，在本工序中也可以通過膠黏薄膜3進行固著，從而可以有助於減少製造工序數以及縮短半導體裝置的製造時間。
然後，將在所述密封工序中固化不充分的密封樹脂8進行完全固化(後固化工序)。即使在密封工序中膠黏薄膜3沒有進行完全熱固化，在本工序中膠黏薄膜3也可以與密封樹脂8一起完全熱固化。本工序中的加熱溫度根據密封樹脂的種類的不同而不同，例如為165℃~185℃的範圍內，加熱時間為約0.5小時~約8小時。
另外，本發明的帶有切割薄膜的膠黏薄膜，也適合 用於將多個半導體晶片層疊進行三維安裝的情況。此時，半導體晶片間可以層疊膠黏薄膜和隔片，也可以在半導體晶片間不層疊隔片而僅層疊膠黏薄膜，可以根據製造條件或用途等進行適當變更。
實例
以下，對本發明的優選實例進行詳細的例示說明。但是，該實例中記載的材料或調配量等只要沒有特別限定的記載則不將本發明的要旨僅限定於此。
(實例1-1)
將下述(a)~(c)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)283重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)283重量份
(c)丙烯酸類樹脂(Nagase ChemteX’s(株)製、Teisan Resin SG-70L、玻璃轉移溫度：-13℃)100重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(實例2-1)
將下述(a)~(c)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量% 的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)200重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)200重量份
(c)丙烯酸類樹脂(Nagase ChemteX’s(株)製、Teisan Resin SG-P3、玻璃轉移溫度：12℃)100重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(實例3-1)
將下述(a)~(c)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)50重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)50重量份
(c)丙烯酸類樹脂(根上工業(株)製、PARACRON W-248、玻璃轉移溫度：7℃)100重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(實例4-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)21重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)21重量份
(c)丙烯酸類樹脂(根上工業(株)製、PARACRON W-248、玻璃轉移溫度：7℃)100重量份
(d)交聯劑(日本聚氨酯工業(株)製、Coronate L)15重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(實例5-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)12.5重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)12.5重量份
(c)丙烯酸類樹脂1(Nagase ChemteX’s(株)製、Teisan Resin SG-P3、玻璃轉移溫度：12℃)50重量份
(d)丙烯酸類樹脂2(Nagase ChemteX’s(株)製、Teisan Resin SG-70L、玻璃轉移溫度：-13℃)50重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(比較例1-1)
將下述(a)~(c)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)1重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)1重量份
(c)丙烯酸類樹脂(東亞合成(株)製、ArontackS-2060、玻璃轉移溫度：-22℃)100重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(比較例2-1)
將下述(a)~(c)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)50重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)50重量份
(c)丙烯酸類樹脂(根上工業(株)製、PARACRON W-197C、玻璃轉移溫度：18℃)1重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(比較例3-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)283重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)283重量份
(c)丙烯酸類樹脂(Nagase ChemteX’s(株)製、Teisan Resin SG-70L、玻璃轉移溫度：-13℃)100重量份
(d)球狀二氧化矽(ADMATECHS(株)製、SO-E2)10重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm 的膠黏薄膜。
(比較例4-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)200重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)200重量份
(c)丙烯酸類樹脂(東亞合成(株)製、ArontackS-2060、玻璃轉移溫度：-22℃)100重量份
(d)球狀二氧化矽(ADMATECHS(株)製、SO-E2)50重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(比較例5-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)4950重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)4950重量份
(c)丙烯酸類樹脂(根上工業(株)製、PARACRON W-248、玻璃轉移溫度：7℃)100重量份
(d)球狀二氧化矽(ADMATECHS(株)製、SO-E2)25重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(比較例6-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)2450重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)2450重量份
(c)丙烯酸類樹脂(根上工業(株)製、PARACRON W-248、玻璃轉移溫度：7℃)100重量份
(d)球狀二氧化矽(ADMATECHS(株)製、SO-E2)25重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm 的膠黏薄膜。
(比較例7-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)12.5重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)12.5重量份
(c)丙烯酸類樹脂(Nagase ChemteX’s(株)製、Teisan Resin SG-P3、玻璃轉移溫度：12℃)100重量份
(d)球狀二氧化矽(ADMATECHS(株)製、SO-E2)10重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(比較例8-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)6重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)6重量份
(c)丙烯酸類樹脂(根上工業(株)製、PARACRON W-248、玻璃轉移溫度：7℃)100重量份
(d)球狀二氧化矽(ADMATECHS(株)製、SO-E2)70重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(比較例9-1)
將下述(a)~(d)溶解於甲乙酮，得到濃度23.6重量%的膠黏劑組合物溶液。
(a)環氧樹脂(日本化藥(株)製、EPPN501HY)2.6重量份
(b)酚樹脂(明和化成(株)製、MEH7851)2.6重量份
(c)丙烯酸類樹脂(東亞合成(株)製、ArontackS-2060、玻璃轉移溫度：-22℃)100重量份
(d)球狀二氧化矽(ADMATECHS(株)製、SO-E2)20重量份
將該膠黏劑組合物溶液塗布到經聚矽氧烷脫模處理的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上，然後在130℃乾燥2分鐘。由此，製作厚度3μm的膠黏薄膜。
(實例1-2)
在本實例1-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述實例1-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(實例2-2)
在本實例2-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述實例2-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(實例3-2)
在本實例3-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述實例3-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(實例4-2)
在本實例4-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述實例4-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(實例5-2)
在本實例5-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述實例5-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(比較例1-2)
在本比較例1-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例1-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例2-2)
在本比較例2-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例2-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例3-2)
在本比較例3-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例3-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例4-2)
在本比較例4-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例4-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例5-2)
在本比較例5-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例5-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例6-2)
在本比較例6-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例6-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例7-2)
在本比較例7-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例7-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例8-2)
在本比較例8-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例8-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例9-2)
在本比較例9-2中，將厚度變更為5μm，除此以外，與所述比較例9-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(實例1-3)
在本實例1-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，與所 述實例1-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(實例2-3)
在本實例2-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，與所述實例2-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(實例3-3)
在本實例3-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，與所述實例3-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(實例4-3)
在本實例4-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，與所述實例4-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(實例5-3)
在本實例5-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，與所述實例5-1同樣操作，製作本實例的膠黏薄膜。
(比較例1-3)
在本比較例1-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，與所述比較例1-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例2-3)
在本比較例2-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，所述比較例2-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例3-3)
在本比較例3-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，所述比較例3-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例4-3)
在本比較例4-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，所述比較例4-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例5-3)
在本比較例5-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，所述比較例5-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例6-3)
在本比較例6-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，所述比較例6-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例7-3)
在本比較例7-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，所述比較例7-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例8-3)
在本比較例8-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，所述比較例8-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例9-3)
在本比較例9-3中，將厚度變更為10μm，除此以外，所述比較例9-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例1-4)
在本比較例1-4中，將厚度變更為25μm，除此以外，與所述實例1-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例2-4)
在本比較例2-4中，將厚度變更為25μm，除此以外，與所述實例2-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
(比較例3-4)
在本比較例3-4中，將厚度變更為25μm，除此以外，所述比較例3-1同樣操作，製作本比較例的膠黏薄膜。
使用所得到的實例及比較例的膠黏薄膜，如下所述進行評價。
(熱固化後的260℃下的拉伸儲能彈性模量的測定)
對於所得到的膠黏薄膜，在40℃的條件下重疊直到厚度達到100μm，然後，在175℃、5小時的條件下使其熱固化。之後，分別切割為寬度10mm的條狀測定片。然後，使用固定黏彈性測定裝置(RSA-III、Rheometric Scientific公司製)，在頻率10Hz、升溫速度5℃/分鐘的條件下測定-30℃~280℃下的拉伸儲能彈性模量。此時的260℃下的測定值如表1~7所示。
(熱固化前的玻璃轉移溫度的測定)
對於所得到的膠黏薄膜，在40℃的條件下重疊直到厚度達到100μm後，切割為寬度10mm的條狀測定片。然後，使用固定黏彈性測定裝置(RSA-III、Rheometric Scientific公司製)，在頻率10Hz、升溫速度5℃/分鐘的條件下測定-30℃~280℃下的損耗角正切(tanδ)。由此時的tanδ的峰值得到的玻璃轉移溫度如表1~4所示。
(固化後的翹曲量測定)
對於所得到的膠黏薄膜，在40℃的條件下黏貼到10mm見方、厚度50μm的半導體晶片上。然後，通過膠黏薄膜將半導體晶片安裝到帶有阻焊劑的樹脂基板(玻璃環氧型基板、基板厚度0.23mm)上。此時的條件為：120℃、0.2MPa、1秒。然後，將安裝有半導體晶片的所述樹脂基板用乾燥機在175℃進行5小時熱處理，使膠黏薄膜熱固化。接著，以所述樹脂基板為下側的方式載置於平板上，並測定半導體晶片的對角線上的凹凸。由此，測定從平板上翹起的半導體晶片的高度，即翹曲量(μm)。測定時，進行校正使得半導體晶片的對角線上的兩個端部達到平衡(為0)。測定使用表面粗糙度計(Vecco公司製、DEKTAK8)，在測定速度1.5mm/秒、加重1g的條件下進行。測定的結果中，翹曲量大於100μm的判斷為×，100μm以下的判斷為○。結果如表1~7所示。
(固化前的與矽基板的剪切膠黏力)
對於所得到的膠黏薄膜，在40℃的條件下黏貼到5mm見方、厚度500μm的半導體晶片。然後，將帶有膠黏薄膜的半導體晶片在120℃、0.1MPa、1秒的晶片接合條件下安裝到矽基板上。然後，測定175℃下的剪切膠黏力。結果如表1~7所示。
(膠黏薄膜的表面粗糙度測定)
根據JIS B0601，使用Veeco公司製造的非接觸式三維粗 糙度測定裝置(NT3300)進行表面粗糙度測定。測定結果通過將測定資料在50倍的條件下用中值濾波器(Median Filter)進行處理而得到。結果如表1~7所示。
(熱固化前的120℃下的拉伸儲能彈性模量測定)
對於所得到的膠黏薄膜，在40℃的條件下重疊直到厚度達到100μm後，分別切割為寬度10mm的條狀測定片。然後，使用固定黏彈性測定裝置(RSA-III、Rheometric Scientific公司製)，在頻率10Hz、升溫速度5℃/分鐘的條件下測定-30℃~280℃下的拉伸儲能彈性模量。此時的120℃下的拉伸儲能彈性模量的值如表1~7所示。
(膠黏薄膜從切割薄膜剝離的剝離力測定)
首先，使用紫外線照射裝置(日東精機株式會社製、UM-810)對切割薄膜(日東電工(株)製、DU-300)照射紫外線。此時，紫外線照射累積光量為300MJ/cm2。
然後，在40℃下在所得到的膠黏薄膜上黏貼經紫外線照射後的所述切割薄膜，之後切割為20mm×20mm。然後，使用拉伸試驗機((株)島津製作所製、商品名：AGS-J)，讀取以剝離角度180°、剝離速度300mm/分鐘條件下從切割薄膜上剝離膠黏薄膜時的力。結果如表1~7所示。
(晶片接合時的半導體晶片破損確認)
在所得到的膠黏薄膜上分別黏貼切割薄膜，得到帶有切割薄膜的膠黏薄膜。切割薄膜使用日東電工公司製造的 DU-300。然後，在各帶有切割薄膜的膠黏薄膜上黏貼半導體晶圓(厚度30μm)，在切割薄膜的保持下切割為10mm見方。接著，拉伸基材將半導體晶片與膠黏薄膜一起剝離，將其在120℃、0.1MPa、1秒的條件下膠黏到引線框上。該晶片接合過程分別實施20個晶片，對因晶片接合時的壓力而產生破損的晶片數進行計數。計數的結果中，破損數為0的判斷為○，破損數為1個以上的判斷為×。結果如表1~7所示。
(回流焊接性)
將所得到的膠黏薄膜分別在40℃的條件下黏貼到5mm見方的半導體晶片上，將剝離襯墊剝離，然後在120℃、0.1MPa、1秒的條件下安裝到引線框上，使用密封樹脂(GE-100、日東電工公司製)進行密封。樹脂密封條件是：加熱溫度175℃、加熱時間3分鐘。之後，在175℃下進行5小時的後固化工序。將這樣的試樣對膠黏薄膜分別製作9個。然後，在60℃、80%RH的環境下放置168小時。之後，使其通過進行溫度設定使得將260℃以上的溫度保持10秒的IR回流爐，在超聲波顯微鏡下觀察在半導體晶片與引線框的介面是否產生剝離。觀察的結果中，產生剝離的個數為0個則評價為○，為1個以上則評價為×。另外，該回流焊接性試驗，使用在安裝到引線框上以後確認沒有破損的半導體晶片進行。結果如表1~7所示。
(結果)
從下述表1~7的結果可以看出，如實例所述，為在熱固 化後的260℃下的拉伸儲能彈性模量為2×105Pa~5×107Pa、不含有填充材料、厚度為1μm~10μm的膠黏薄膜時，不會因接合時的壓力導致半導體晶片破損，熱固化時半導體晶片也沒有翹曲。另外，回流焊接性也優良。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏合劑層
2a、2b、3a、3b‧‧‧部分
3‧‧‧膠黏薄膜(熱固型膠黏薄膜)
4‧‧‧半導體晶圓
10‧‧‧帶有切割薄膜的膠黏薄膜
11‧‧‧切割薄膜

Claims (11)

  1. 一種熱固型膠黏薄膜，在製造半導體裝置時使用，其特徵在於，熱固化後的260℃下的拉伸儲能彈性模量為2×105Pa~5×107Pa，填充材料的含量相對於熱固型膠黏薄膜全體為0.1重量%以下，厚度為1μm~10μm,熱固化前的玻璃轉移溫度為15℃~50℃。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的熱固型膠黏薄膜，其中，包含丙烯酸類樹脂，該丙烯酸類樹脂的玻璃轉移溫度為-15℃~15℃。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的熱固型膠黏薄膜，其中，含有環氧樹脂、酚樹脂及丙烯酸類樹脂，設所述環氧樹脂、所述酚樹脂和所述丙烯酸類樹脂的合計重量為A，設所述丙烯酸類樹脂的重量為B時，B/(A+B)為0.15~0.95。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的熱固型膠黏薄膜，其中，熱固化後的翹曲量為100μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的熱固型膠黏薄膜，其中，熱固化前對矽基板的剪切膠黏力在175℃的條件下為0.04MPa~2MPa。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的熱固型膠黏薄膜，其中，熱固化前的表面粗糙度為50nm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的熱固型膠黏薄膜，其中，熱固化前的120℃下的拉伸儲能彈性模量為1×104Pa~2.5×106Pa。
  8. 一種帶有切割薄膜的膠黏薄膜，其特徵在於，在切割薄膜上層疊有如申請專利範圍第1項所述的熱固型膠黏薄膜。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的帶有切割薄膜的膠黏薄膜，其中，所述熱固型膠黏薄膜從所述切割薄膜剝離的剝離力為0.005N/20mm~0.2N/20mm。
  10. 一種半導體裝置的製造方法，其使用如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的熱固型膠黏薄膜，其特徵在於，在通過熱固型膠黏薄膜在被黏物上晶片接合半導體晶片的晶片接合工序中，晶片接合溫度為80℃~150℃，晶片接合壓力為0.05MPa~5MPa，晶片接合時間為0.1秒~5秒。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其使用如申請專利範圍第8項或第9項所述的帶有切割薄膜的膠黏薄膜，其特徵在於，在通過熱固型膠黏薄膜在被黏物上晶片接合半導體晶片的晶片接合工序中，晶片接合溫度為80℃~150℃，晶片接合壓力為0.05MPa~5MPa，晶片接合時間為0.1秒~5秒。
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