JP2011135042A - 熱硬化型接着フィルム、ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該熱硬化型接着フィルム又は該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

熱硬化型接着フィルム、ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該熱硬化型接着フィルム又は該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011135042A
JP2011135042A JP2010224088A JP2010224088A JP2011135042A JP 2011135042 A JP2011135042 A JP 2011135042A JP 2010224088 A JP2010224088 A JP 2010224088A JP 2010224088 A JP2010224088 A JP 2010224088A JP 2011135042 A JP2011135042 A JP 2011135042A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive film
film
adhesive
thermosetting
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010224088A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5632695B2 (ja
Inventor
Hisaki Sugao
悠樹 菅生
Koichi Inoue
剛一 井上
Kenji Onishi
謙司 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2010224088A priority Critical patent/JP5632695B2/ja
Priority to TW102136801A priority patent/TW201402757A/zh
Priority to TW099139409A priority patent/TWI477573B/zh
Priority to US12/948,992 priority patent/US20110120614A1/en
Priority to KR1020100117925A priority patent/KR101048898B1/ko
Priority to CN201010566636.4A priority patent/CN102153956B/zh
Publication of JP2011135042A publication Critical patent/JP2011135042A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5632695B2 publication Critical patent/JP5632695B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/08—Epoxidised polymerised polyenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J161/00—Adhesives based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C09J161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/304—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/2902—Disposition
    • H01L2224/29023—Disposition the whole layer connector protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83095—Temperature settings
    • H01L2224/83096—Transient conditions
    • H01L2224/83097—Heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85095—Temperature settings
    • H01L2224/85096—Transient conditions
    • H01L2224/85097—Heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/9205—Intermediate bonding steps, i.e. partial connection of the semiconductor or solid-state body during the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92162—Sequential connecting processes the first connecting process involving a wire connector
    • H01L2224/92165—Sequential connecting processes the first connecting process involving a wire connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

【課題】充填材を実質的に含まない構成としてダイボンド時の圧力による半導体チップの破損を防止し、且つ、引張弾性率の低下を防止するとともに、熱硬化時の熱収縮による反りが発生することを防止して、パッケージ信頼性を向上させることが可能な熱硬化型接着フィルムを提供する。
【解決手段】半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型接着フィルム３であって、熱硬化後における２６０℃での引張貯蔵弾性率が２×１０５〜５×１０７Ｐａであり、充填材の含有量が熱硬化型接着フィルム全体に対して０．１重量％以下であり、厚みが１〜１０μｍである熱硬化型接着フィルム。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば半導体チップ等のチップ状ワークを基板やリードフレーム等の被着体上に接着固定する際に用いられる熱硬化型接着フィルムに関する。また本発明は、当該熱硬化型接着フィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシングフィルム付き接着フィルムに関する。また、本発明は、該熱硬化型接着フィルム又は該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造過程に於いてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行う。
しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。
このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
このダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して形成チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。
一方、近年、メモリーに代表される半導体装置は、パッケージ自体の厚みの制約により半導体チップが薄型化され、非常に脆弱となっている。このような半導体チップを、ダイボンドフィルムを用いて被着体にダイボンドする場合、ダイボンドフィルム中に充填材が存在すると、ダイボンド時の圧力により、半導体チップとダイボンドフィルム中の充填材との間で過度の応力が発生し、半導体チップを破損してしまうおそれがあるといった問題があった。
上記問題の解決方法としては、ダイボンドフィルムに充填材を加えないこととすればよいのであるが、充填材を加えないこととするとダイボンドフィルムの引張貯蔵弾性率の低下を引き起こし、パッケージの信頼性を低下させてしまうといった新たな問題を招来するおそれがあった。また、充填材を加えないこととするとダイボンドフィルムの熱硬化時における熱収縮により、半導体チップが反ってしまい破損してしまうおそれがあった。
また、ダイボンドフィルムに限らず、熱硬化型接着フィルムにおいては、充填材を加えない構成とすると、引張貯蔵弾性率の低下を引き起こしたり、熱硬化時に熱収縮したりするおそれがある。
特開昭６０−５７６４２号公報
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、充填材を実質的に加えない構成としても、引張貯蔵弾性率の低下を防止するとともに、熱硬化時の熱収縮を防止することが可能な熱硬化型接着フィルム及び、当該熱硬化型接着フィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシングフィルム付き接着フィルムを提供することにある。特に、ダイボンドフィルムとして使用する場合には、充填材を実質的に含まない構成としてダイボンド時の圧力による半導体チップの破損を防止し、且つ、引張弾性率の低下を防止するとともに、熱硬化時の熱収縮による反りが発生することを防止して、パッケージ信頼性を向上させることが可能な熱硬化型接着フィルム、及び、当該熱硬化型接着フィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシングフィルム付き接着フィルムを提供することにある。
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、熱硬化型接着フィルムについて検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明に係る熱硬化型接着フィルムは、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型接着フィルムであって、熱硬化後における２６０℃での引張貯蔵弾性率が２×１０５〜５×１０７Ｐａであり、充填材の含有量が熱硬化型接着フィルム全体に対して０．１重量％以下であり、厚みが１〜１０μｍであることを特徴とする。
前記構成によれば、充填材の含有量が熱硬化型接着フィルム全体に対して０．１重量％以下であり、実質的に充填材を含有しない構成であるにも関わらず、熱硬化後における２６０℃での引張貯蔵弾性率が２×１０５〜５×１０７Ｐａであり、引張貯蔵弾性率の低下が抑制されている。また、厚みが１〜１０μｍと比較的薄いため、熱収縮による絶対的な変形量を抑制することができる。また、特に、ダイボンドフィルムとして使用する場合、前記構成によれば、充填材の含有量が熱硬化型接着フィルム全体に対して０．１重量％以下であり、実質的に充填材を含有しない構成であるため、ダイボンド時の圧力による応力の発生を抑制することができる。また、熱硬化後における２６０℃での引張貯蔵弾性率が２×１０５〜５×１０７Ｐａと比較的高いため、耐ハンダリフロー性等に優れ、製造される半導体装置のパッケージ信頼性を向上させることができる。また、厚みが１〜１０μｍと比較的薄いため、熱収縮による絶対的な変形量を抑制できるばかりか、たとえ変形があったとしてもその応力を小さくすることができる。その結果、半導体チップの反りを防止することができる。
このように、前記構成によれば、充填材を実質的に含まない構成として、充填材の存在による応力の発生を抑制するとともに、引張貯蔵弾性率を比較的高くし、且つ、厚みを薄くして半導体チップの反りを防止したため、パッケージの信頼性を向上させることが可能となる。
前記構成においては、熱硬化前のガラス転移温度が１５〜５０℃であることが好ましい。熱硬化前のガラス転移温度を１５℃以上とすることにより、引張貯蔵弾性率を向上させることができ、５０℃以下とすることにより、熱硬化型接着フィルムの半導体ウェハへの密着性を高くすることができる。
また、前記構成においては、アクリル樹脂を含み、該アクリル樹脂のガラス転移温度が−１５〜１５℃であることが好ましい。アクリル樹脂のガラス転移温度を−１５℃以上とすることにより、熱硬化型接着フィルムの引張貯蔵弾性率をより向上させることができ、１５℃以下とすることにより、熱硬化型接着フィルムの半導体ウェハへの密着性をより高くすることができる。
また、前記構成においては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び、アクリル樹脂を含有し、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂と前記アクリル樹脂との合計重量をＡとし、前記アクリル樹脂の重量をＢとしたとき、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）が０．１５〜０．９５であることが好ましい。Ｂ／（Ａ＋Ｂ）を０．１５〜０．９５とすることにより、接着フィルムとして機能するフィルムの形成が可能となる。
また、前記構成においては、熱硬化後の反り量が１００μｍ以下であることが好ましい。熱硬化後の反り量が１００μｍ以下であることにより、半導体チップの反りによる破損を発生し難くすることができる。
また、前記構成においては、熱硬化前のシリコン基板に対するせん断接着力が１７５℃の条件下において０．０４ＭＰａ〜２ＭＰａであることが好ましい。前記せん断接着力が０．０４ＭＰａ以上とすることにより、ワイヤーボンディング工程での超音波振動や加熱により、半導体チップとの接着面でのずり変形を生じることを少なくすることができる。
また、前記構成においては、熱硬化前の表面粗さが５０ｎｍ以下であることが好ましい。熱硬化前の表面粗さが５０ｎｍ以下であることにより、ダイボンド工程時に半導体チップの破損を発生し難くすることができる。
また、前記構成においては、熱硬化前の１２０℃における引張貯蔵弾性率が１×１０４〜２．５×１０６Ｐａであることが好ましい。前記引張貯蔵弾性率が１×１０４Ｐａ以上であることにより、半導体チップとの接着面でのずり変形を生じることを少なくすることができる。
また、本発明に係るダイシングフィルム付き接着フィルムは、前記の課題を解決する為に、前記熱硬化型接着フィルムが、ダイシングフィルム上に積層されていることを特徴とする。
また、前記構成においては、前記熱硬化型接着フィルムの前記ダイシングフィルムからの剥離力が０．００５〜０．２Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。前記剥離力を０．００５Ｎ／２０ｍｍ以上とすることにより、ダイシング時に熱硬化型接着フィルムがダイシングフィルムから剥がれてしまうことを防止することができる。また、０．２Ｎ／２０ｍｍ以下とすることにより、半導体チップを容易にピックアップすることができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記熱硬化型接着フィルム、又は、前記ダイシング・接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、半導体チップを熱硬化型接着フィルムを介して被着体にダイボンドするダイボンド工程におけるダイボンド温度が８０〜１５０℃、ダイボンド圧力が０．０５ＭＰａ〜５ＭＰａ、ダイボンド時間が０．１〜５秒であることを特徴とする。
前記熱硬化型接着フィルムは、充填材の含有量が熱硬化型接着フィルム全体に対して０．１重量％以下であり、実質的に充填材を含有しない構成であるため、ダイボンド圧力が０．０５ＭＰａ〜５ＭＰａの条件下において圧力による応力の発生を抑制することができる。また、前記熱硬化型接着フィルムは、厚みが１〜１０μｍと比較的薄く、熱が熱硬化型接着フィルム全体に伝わり易いため、ダイボンド温度を比較的低い８０〜１５０℃とし、ダイボンド時間を比較的短い０．１〜５秒とすることができる。その結果、半導体装置の製造効率を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係るダイシングフィルム付き接着フィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施形態に係るダイシングフィルム付き接着フィルムを示す断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。
（ダイシングフィルム付き接着フィルム）
本発明の一実施形態に係るダイシングフィルム付き接着フィルムについて、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングフィルム付き接着フィルムを示す断面模式図である。図２は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシングフィルム付き接着フィルムを示す断面模式図である。
図１に示すように、ダイシングフィルム付き接着フィルム１０は、ダイシングフィルム１１上に接着フィルム３が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、接着フィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図２に示すダイシングフィルム付き接着フィルム１２のように、ワーク貼り付け部分にのみ接着フィルム３’を形成した構成であってもよい。
なお、本発明の接着フィルム（熱硬化型接着フィルム）は、ダイシングフィルム付きでなく、接着フィルム単体として用いてもよく、ダイシングフィルム付き接着フィルムの形態で用いても良い。また、本発明では、接着フィルムは、ダイボンドフィルムや、ウエハ裏面保護フィルムとして用いることができる。ここで、ウエハ裏面保護フィルムは、半導体チップをフリップチップボンディングにより基板に実装する際に、半導体チップの裏面（基板とは反対側の露出している面）を保護するために用いられるものである。
前記基材１は、ダイシングフィルム付き接着フィルム１０、１２の強度母体となるものであり、紫外線透過性を有するものが好ましい。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２と接着フィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。前記感圧性接着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。
また、図２に示す接着フィルム３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａに接着フィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａと接着フィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。
前述の通り、図１に示すダイシングフィルム付き接着フィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂは接着フィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着する為の接着フィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシングフィルム付き接着フィルム１２の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。即ち、図１に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。
放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。
この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層２に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層２の前記部分２ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。
粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２に於ける前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。
前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。
また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、基材１の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシングフィルム付き接着フィルム１０を製造可能である。
尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
接着フィルム３、３’中の充填材の含有量は、接着フィルム３、３’全体に対して０．１重量％以下であり、含有しない（０重量％である）ことが好ましい。前記充填材としては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、三酸化アンチモン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等の無機充填材が挙げられる。接着フィルム３、３’中の充填材の含有量（重量％）は、以下の灰分率（重量％）として求めることができる。
灰分率測定においては、まず、接着フィルム３、３’を１ｇ、るつぼに秤取する。るつぼには、予め７５０℃にて２時間空焼きした後、室温で冷却したものを用いる。次に、秤取した接着フィルム３、３’を煙が目視できなくなるまでバーナーで燃焼させ、その後、電気炉にて７５０℃で４時間焼いて灰化させる。そして、室温まで冷却した後、るつぼに残った灰分を秤量し、接着フィルム３、３’の灰化前後の重量により、灰分率を求める。
（灰分率（重量％））＝（灰化後の重量）／（灰化前の重量）×１００
接着フィルム３、３’は、熱硬化後の２６０℃における引張貯蔵弾性率が２×１０５〜５×１０７Ｐａであり、２．２×１０５〜４．８×１０７Ｐａであることが好ましく、２．５×１０５〜４．６×１０７Ｐａであることがより好ましい。２．０×１０５Ｐａ以上とすることにより、耐ハンダリフロー性を向上させることができ、５．０×１０７Ｐａ以下とすることにより、接着フィルムとしての機能発現を好適とすることができるからである。尚、接着フィルム３、３’を熱硬化させる際の加熱条件については、後段にて詳述する。
接着フィルム３、３’の熱硬化前のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１５〜５０℃、好ましくは１６〜４８℃、より好ましくは１８〜４５℃である。１５℃以上とすることにより、接着フィルム３、３’の引張貯蔵弾性率を向上させることができ、５０℃以下とすることにより、接着フィルム３、３’の半導体ウェハ４への密着性を高くすることができる。ガラス転移温度は、実施例に記載の方法に従って測定することができる。
接着フィルム３、３’の熱硬化後の反り量は、１００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることがより好ましく、６０μｍ以下であることがさらに好ましい。１００μｍ以下であることにより、半導体チップ５の反りによる破損を発生し難くすることができる。なお、反り量は、実施例に記載の方法に従って測定することができる。
接着フィルム３、３’の熱硬化前の表面粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは４５ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下である。５０ｎｍ以下であることにより、ダイボンド工程時に半導体チップ５の破損を発生し難くすることができる。
接着フィルム３、３’の熱硬化前における１２０℃での引張貯蔵弾性率は、１×１０４〜２．５×１０６Ｐａであることが好ましく、５×１０４〜２．５×１０６Ｐａであることがより好ましく、１×１０５〜２．５×１０６Ｐａであることがさらに好ましい。１×１０４Ｐａ以上であると、接着フィルム３、３’と半導体チップ５との接着面でずり変形を生じることを少なくすることができる。
接着フィルム３、３’のダイシングフィルム１１からの剥離力は、０．００５〜０．２Ｎ／２０ｍｍであることが好ましく、０．０１〜０．１８Ｎ／２０ｍｍであることがより好ましく、０．０２〜０．１６Ｎ／２０ｍｍであることがさらに好ましい。０．００５Ｎ／２０ｍｍ以上とすることにより、ダイシング時に接着フィルム３、３’がダイシングフィルム１１から剥がれてしまうことを防止することができる。また、０．２Ｎ／２０ｍｍ以下とすることにより、半導体チップ５を容易にピックアップすることができる。なお、接着フィルム３、３’のダイシングフィルム１１からの剥離力は、実施例に記載の方法に従って測定することができる。
接着フィルム３、３’の積層構造は特に限定されず、例えば接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
前記接着フィルム３、３’を構成する接着剤組成物としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
上記アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、接着性及び耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
上記アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−１５〜１５℃が好ましく、−１４〜１４℃がより好ましく、−１３〜１３℃がより好ましい。−１５℃以上とすることにより、接着フィルム３、３’の引張貯蔵弾性率をより向上させることができ、１５℃以下とすることにより、接着フィルム３、３’の半導体ウェハ４への密着性をより高くすることができるからである。
上記アクリル樹脂は、ガラス転移温度の異なる２種類以上を併用して用いることができる。この場合、官能基の異なる２種以上を併用してもよく、重量平均分子量が異なり、官能基が同一の２種類以上を併用してもよく、官能基が異なり、且つ、重量平均分子量が異なる２種以上を併用してもよい。
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際に接着フィルム３、３’が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、５〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
前記接着フィルム３、３’のなかでも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び、アクリル樹脂を含有し、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂と前記アクリル樹脂との合計重量をＡとし、前記アクリル樹脂の重量をＢとしたとき、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）が０．１５〜０．９５であることが好ましい。Ｂ／（Ａ＋Ｂ）を０．１５〜０．９５とすることにより、接着フィルムとして機能するフィルムの形成が可能となるからである。
本発明の接着フィルム３、３’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量を０．０５重量部以上とすることにより、凝集力を充分なものとすることができ、７重量部以下とすることにより、接着力を向上させることができるからである。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
尚、接着フィルム３、３’には、必要に応じて添加剤を適宜に配合することができる。添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、キレート剤等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
本発明では、接着フィルム３、３’には、必要に応じて着色しても良い。接着フィルム３、３’において、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色、緑色などが好ましい。接着フィルムは、ダイボンドフィルムとして用いる場合は、通常、着色されていないが（着色されていても良いが）、ウエハ裏面保護フィルムとして用いる場合、通常、着色されている。接着フィルムの着色には、顔料、染料などの公知の着色剤を適宜選択して用いることができる。
接着フィルム３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は、１〜１０μｍであり、好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは、３〜１０μｍである。１μｍ以上とすることにより、接着フィルム３、３’の製膜性を良好とすることができる。また、１０μｍ以下とすることにより、熱収縮による絶対的な変形量を抑制でき、たとえ変形があったとしてもその応力を小さくすることができる。その結果、半導体チップの反りを防止することができる。また、１０μｍ以下とすることにより、接着フィルム３、３’中に残存する有機揮発成分を減少させ、耐ハンダリフロー性を向上させることができる。
前記ダイシングフィルム付き接着フィルム１０、１２の接着フィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまで接着フィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２に接着フィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングフィルム付き接着フィルムの接着フィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
本実施の形態に係るダイシングフィルム付き接着フィルム１０、１２は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。
接着フィルム３、３’は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイシングフィルム付き接着フィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物や各種の添加剤等が配合されている。
次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。
続いて、ダイシングフィルム１１及び接着剤層からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシングフィルム付き接着フィルムが得られる。
（半導体装置の製造方法）
本発明のダイシングフィルム付き接着フィルム１０、１２は、接着フィルム３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図３を参照しながらダイシングフィルム付き接着フィルム１０を用いた場合を例にして説明する。
先ず、ダイシングフィルム付き接着フィルム１０に於ける接着フィルム３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り付け工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。このとき、貼り付け温度は、３５〜８０℃であることが好ましく、４０〜７５℃であることがより好ましい。また、圧力は、１×１０５〜１×１０７Ｐａであることが好ましく、２×１０５〜８×１０６Ｐａであることがより好ましい。また、貼付時間としては、１．５〜６０秒であることが好ましく、２〜５０秒であるこがより好ましい。
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングフィルム付き接着フィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングフィルム付き接着フィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
ダイシングフィルム付き接着フィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングフィルム付き接着フィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２の接着フィルム３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。
ピックアップした半導体チップ５は、接着フィルム３を介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。
このとき、ダイボンド温度は、８０〜１５０℃であることが好ましく、８５〜１４０℃であることがより好ましく、９０〜１３０℃であることがさらに好ましい。８０℃以上とすることにより、接着フィルム３の引張貯蔵弾性率が高くなりすぎるのを防止し、好適に接着可能とすることができる。また、１５０℃以下とすることにより、ダイボンド後の反りの発生を防止し、破損を発生し難くすることができる。
また、ダイボンド圧力は、０．０５ＭＰａ〜５ＭＰａであることが好ましく、０．０６ＭＰａ〜４．５ＭＰａであることがより好ましく、０．０７ＭＰａ〜４ＭＰａであることがさらに好ましい。０．０５ＭＰａ以上とすることにより、接着にムラが発生することを防止することができる。また、５ＭＰａ以下とすることにより、圧力による半導体チップ５の破損を発生し難くすることができる。
また、前記ダイボンド圧力を印加するダイボンド時間は、０．１〜５秒であることが好ましく、０．１５〜４．５秒であることがより好ましく、０．２〜４秒であることがさらに好ましい。０．１秒以上とすることにより、圧力を均一にかけることができ、接着にムラが発生することを防止することができる。また、５秒以下とすることにより、歩留りを向上させることができる。
被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
上記半導体ウェハの厚さは特に限定されないが、例えば、１５〜７００μｍ、好ましくは２０〜５００μｍを用いることができる。
続いて、接着フィルム３を加熱処理することによりこれを熱硬化させ、半導体チップ５と被着体６とを接着させる。加熱処理条件としては、温度８０〜１８０℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜４時間、より好ましくは０．１〜１時間の範囲内であることが好ましい。
次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。
ここで、熱硬化後の接着フィルム３の剪断接着力は、被着体６に対して０．１ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである。接着フィルム３の剪断接着力が少なくとも０．１ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着フィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことを著しく低減でき、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
尚、ワイヤーボンディング工程は、加熱処理により接着剤層３を熱硬化させることなく行ってもよい。この場合、接着フィルム３の仮固着時（熱硬化前）の１７５℃における剪断接着力は、被着体６（シリコン基板）に対して０．０４ＭＰａ〜２ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは０．０６ＭＰａ〜２ＭＰａであり、さらに好ましくは、０．１ＭＰａ〜２ＭＰａである。接着フィルム３の仮固着時に於ける剪断接着力が少なくとも０．０４ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着フィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くこと著しく低減でき、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
また、未硬化の接着フィルム３は、ワイヤーボンディング工程を行っても完全に熱硬化することはない。更に、接着フィルム３の剪断接着力は、８０〜２５０℃の温度範囲内であっても、０．０４ＭＰａ以上であることが必要である。当該温度範囲内で剪断接着力が０．０４ＭＰａ未満であると、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動き、ワイヤーボンディングを行うことができず、歩留まりが低下するからである。
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、接着フィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いて接着フィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。
続いて、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる（後硬化工程）。封止工程に於いて接着フィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共に接着フィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
なお、本発明のダイシングフィルム付き接着フィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間に接着フィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、接着フィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
（実施例１−１）
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ２８３重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ２８３重量部
（ｃ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジンＳＧ−７０Ｌ、ガラス転移温度：−１３℃） １００重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（実施例２−１）
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ２００重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ２００重量部
（ｃ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジンＳＧ−Ｐ３、ガラス転移温度：１２℃） １００重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（実施例３−１）
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ５０重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ５０重量部
（ｃ）アクリル樹脂（根上工業（株）製、パラクロンＷ−２４８、ガラス転移温度：７℃）
１００重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（実施例４−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ２１重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ２１重量部
（ｃ）アクリル樹脂（根上工業（株）製、パラクロンＷ−２４８、ガラス転移温度：７℃）
１００重量部
（ｄ）架橋剤（日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートＬ） １５重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（実施例５−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） １２．５重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） １２．５重量部
（ｃ）アクリル樹脂１（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジンＳＧ−Ｐ３、ガラス転移温度：１２℃） ５０重量部
（ｄ）アクリル樹脂２（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジンＳＧ−７０Ｌ、ガラス転移温度：−１３℃） ５０重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例１−１）
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） １重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） １重量部
（ｃ）アクリル樹脂（東亜合成（株）製、アロンタックＳ−２０６０、ガラス転移温度：−２２℃） １００重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例２−１）
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ５０重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ５０重量部
（ｃ）アクリル樹脂（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７Ｃ、ガラス転移温度：１８℃） １重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例３−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ２８３重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ２８３重量部
（ｃ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジンＳＧ−７０Ｌ、ガラス転移温度：−１３℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−Ｅ２） １０重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例４−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ２００重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ２００重量部
（ｃ）アクリル樹脂（東亜合成（株）製、アロンタックＳ−２０６０、ガラス転移温度：−２２℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−Ｅ２） ５０重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例５−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ４９５０重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ４９５０重量部
（ｃ）アクリル樹脂（根上工業（株）製、パラクロンＷ−２４８、ガラス転移温度：７℃）
１００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−Ｅ２） ２５重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例６−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ２４５０重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ２４５０重量部
（ｃ）アクリル樹脂（根上工業（株）製、パラクロンＷ−２４８、ガラス転移温度：７℃）
１００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−Ｅ２） ２５重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例７−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） １２．５重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） １２．５重量部
（ｃ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス（株）製、テイサンレジンＳＧ−Ｐ３、ガラス転移温度：１２℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−Ｅ２） １０重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例８−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ６重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ６重量部
（ｃ）アクリル樹脂（根上工業（株）製、パラクロンＷ−２４８、ガラス転移温度：７℃）
１００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−Ｅ２） ７０重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（比較例９−１）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ） ２．６重量部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１） ２．６重量部
（ｃ）アクリル樹脂（東亜合成（株）製、アロンタックＳ−２０６０、ガラス転移温度：−２２℃） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−Ｅ２） ２０重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの接着フィルムを作製した。
（実施例１−２）
本実施例１−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記実施例１−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例２−２）
本実施例２−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記実施例２−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例３−２）
本実施例３−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記実施例３−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例４−２）
本実施例４−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記実施例４−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例５−２）
本実施例５−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記実施例５−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例１−２）
本比較例１−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例１−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例２−２）
本比較例２−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例２−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例３−２）
本比較例３−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例３−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例４−２）
本比較例４−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例４−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例５−２）
本比較例５−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例５−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例６−２）
本比較例６−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例６−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例７−２）
本比較例７−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例７−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例８−２）
本比較例８−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例８−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例９−２）
本比較例９−２においては、厚さ５μｍに変更したこと以外は、前記比較例９−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例１−３）
本実施例１−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記実施例１−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例２−３）
本実施例２−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記実施例２−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例３−３）
本実施例３−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記実施例３−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例４−３）
本実施例４−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記実施例４−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（実施例５−３）
本実施例５−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記実施例５−１と同様にして、本実施例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例１−３）
本比較例１−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例１−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例２−３）
本比較例２−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例２−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例３−３）
本比較例３−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例３−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例４−３）
本比較例４−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例４−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例５−３）
本比較例５−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例５−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例６−３）
本比較例６−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例６−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例７−３）
本比較例７−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例７−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例８−３）
本比較例８−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例８−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例９−３）
本比較例９−３においては、厚さ１０μｍに変更したこと以外は、前記比較例９−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例１−４）
本比較例１−４においては、厚さ２５μｍに変更したこと以外は、前記実施例１−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例２−４）
本比較例２−４においては、厚さ２５μｍに変更したこと以外は、前記実施例２−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
（比較例３−４）
本比較例３−４においては、厚さ２５μｍに変更したこと以外は、前記比較例３−１と同様にして、本比較例に係る接着フィルムを作製した。
得られた実施例及び比較例の接着フィルムを用いて、下記に示す評価を行った。
（熱硬化後の２６０℃での引張貯蔵弾性率の測定）
得られた接着フィルムについて、４０℃の条件下で厚さ１００μｍになるまで重ね合わせた後、１７５℃、５時間の条件下で熱硬化させた。その後、それぞれ幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、固定粘弾性測定装置（ＲＳＡ‐ＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−３０〜２８０℃での引張貯蔵弾性率を周波数１０Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件下にて測定した。その際の２６０℃における測定値を表１〜７に示す。
（熱硬化前のガラス転移温度の測定）
得られた接着フィルムについて、４０℃の条件下で厚さ１００μｍになるまで重ねあわせた後、幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、固定粘弾性測定装置（ＲＳＡ‐ＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−３０〜２８０℃での損失正接（ｔａｎδ）を周波数１０Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件下にて測定した。その際のｔａｎδのピーク値により得られたガラス転移温度を表１〜４に示す。
（硬化後の反り量測定）
得られた接着フィルムについて、４０℃の条件下で、１０ｍｍ角、厚さ５０μｍの半導体チップに貼り付けた。次に、接着フィルムを介して半導体チップをソルダーレジスト付き樹脂基板（ガラスエポキシ系基板、基板厚さ０．２３ｍｍ）にマウントした。その際の条件は、１２０℃、０．２ＭＰa、１秒とした。次に、半導体チップがマウントされた前記樹脂基板を、乾燥機にて１７５℃、５時間熱処理し、接着フィルムを熱硬化させた。続いて、前記樹脂基板が下側になるように平板上に載置し、半導体チップの対角線上の凹凸を測定した。これにより、平板上から浮いている半導体チップの高さ、すなわち、反り量（μｍ）を測定した。測定に際しては、半導体チップの対角線上における両端部が平衡となるように補正した（０にした）。測定は、表面粗さ計（Ｖｅｃｃｏ社製、ＤＥＫＴＡＫ８）を用いて、測定速度１．５ｍｍ／秒、加重１ｇの条件下で行った。測定の結果、反り量が１００μｍより大きいものを×、１００μｍ以下を○と判定した。結果を表１〜７に示す。
（硬化前のシリコン基板とのせん断接着力）
得られた接着フィルムについて、４０℃の条件下で、５ｍｍ角、厚さ５００μｍの半導体チップに貼り付けた。次に、接着フィルム付き半導体チップを１２０℃、０．１ＭＰa、１秒のダイボンド条件でシリコン基板にマウントした。その後、１７５℃におけるせん断接着力を測定した。結果を表１〜７に示す。
（接着フィルムの表面粗さ測定）
ＪＩＳ Ｂ０６０１に基づき、表面粗さ測定を、Ｖｅｅｃｏ社製の非接触三次元粗さ測定装置（ＮＴ３３００）を用いて行った。測定結果は、測定データを５０倍の条件でメジアンフィルター（Ｍｅｄｉａｎ ｆｉｌｔｅｒ）にかけて処理することにより得た。結果を表１〜７に示す。
（熱硬化前の１２０℃での引張貯蔵弾性率測定）
得られた接着フィルムについて、４０℃の条件下で厚さ１００μｍになるまで重ねあわせた後、それぞれ幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、固定粘弾性測定装置（ＲＳＡ‐ＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−３０〜２８０℃での引張貯蔵弾性率を周波数１０Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件下にて測定した。その際の１２０℃における引張貯蔵弾性率の値を表１〜７に示す。
（接着フィルムのダイシングフィルムからの剥離力測定）
まず、ダイシングフィルム（日東電工（株）製、ＤＵ−３００）に紫外線照射装置（日東精機株式会社製、ＵＭ−８１０）を用いて、紫外線照射した。このとき、紫外線照射積算光量は、３００ｍＪ／ｃｍ２とした。
次に、得られた接着フィルムに、紫外線照射した前記ダイシングフィルムを４０℃にて貼り合わせ、その後２０×２０ｍｍに切断した。次に、引張試験機
（（株）島津製作所製、商品名；ＡＧＳ−Ｊ）を用いて、ピール角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ/分で接着フィルムをダイシングフィルムから引き剥がした際の力を読み取った。結果を表１〜７に示す。
（ダイボンド時の半導体チップ破損確認）
得られた接着フィルムのそれぞれに、ダイシングフィルムを貼り合わせ、ダイシングフィルム付き接着フィルムとした。ダイシングフィルムは、日東電工社製、ＤＵ−３００を用いた。次に、ダイシングフィルム付き接着フィルムのそれぞれに、半導体ウェハ（厚さ３０μｍ）を貼り合わせ、ダイシングフィルムの保持下で１０ｍｍ角にダイシングした。続いて、基材を延伸して半導体チップを接着フィルムとともに剥離し、これを１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件下でリードフレームに接着した。これをそれぞれ２０チップ実施し、ダイボンド時の圧力により破損が生じたチップ数をカウントした。カウントの結果、破損数が０のものを○、破損数が１以上のものを×と判定した。結果を表１〜７に示す。
（ハンダリフロー性）
得られた接着フィルムをそれぞれ４０℃の条件下で５ｍｍ角の半導体チップに貼り付け、剥離ライナーを剥がした後、１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件下でリードフレームにマウントし、封止樹脂（ＧＥ−１００、日東電工社製）を用いて封止した。樹脂封止条件は、加熱温度１７５℃、加熱時間３分とした。その後、１７５℃にて５時間の後硬化工程を行った。このような試料を、接着フィルムについてそれぞれ９個作成した。次に、６０℃、８０％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置した。その後、２６０℃以上の温度を１０秒保持するように温度設定したＩＲリフロー炉に通過させ、超音波顕微鏡にて半導体チップとリードフレームとの界面に剥離が発生しているか否かを観察した。観察の結果、剥離が生じている個数が０個であれば○、１個以上であれば×として評価した。なお、このハンダリフロー性試験は、リードフレームにマウント後に破損の確認がされなかった半導体チップを用いて行った。結果を表１〜７に示す。
（結果）
下記表１〜７の結果から分かる通り、実施例のように、熱硬化後における２６０℃での引張貯蔵弾性率が２×１０５〜５×１０７Ｐａであり、充填材が含有されておらず、厚みが１〜１０μｍの接着フィルムであると、ボンディング時の圧力により半導体チップが破損することはなく、熱硬化時に半導体チップが反ることもなかった。また、ハンダリフロー性にも優れていた。
Figure 2011135042
Figure 2011135042
Figure 2011135042
Figure 2011135042
Figure 2011135042
Figure 2011135042
Figure 2011135042
１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’ 接着フィルム（熱硬化型接着フィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、１２ ダイシングフィルム付き接着フィルム
１１ ダイシングフィルム

Claims (11)

  1. 半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型接着フィルムであって、
    熱硬化後における２６０℃での引張貯蔵弾性率が２×１０５〜５×１０７Ｐａであり、
    充填材の含有量が熱硬化型接着フィルム全体に対して０．１重量％以下であり、
    厚みが１〜１０μｍであることを特徴とする熱硬化型接着フィルム。
  2. 熱硬化前のガラス転移温度が１５〜５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の熱硬化型接着フィルム。
  3. アクリル樹脂を含み、該アクリル樹脂のガラス転移温度が−１５〜１５℃であることを特徴とする請求項１又は２に記載の熱硬化型接着フィルム。
  4. エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び、アクリル樹脂を含有し、
    前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂と前記アクリル樹脂との合計重量をＡとし、前記アクリル樹脂の重量をＢとしたとき、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）が０．１５〜０．９５であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の熱硬化型接着フィルム。
  5. 熱硬化後の反り量が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の熱硬化型接着フィルム。
  6. 熱硬化前のシリコン基板に対するせん断接着力が１７５℃の条件下において０．０４ＭＰａ〜２ＭＰａであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の熱硬化型接着フィルム。
  7. 熱硬化前の表面粗さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載の熱硬化型接着フィルム。
  8. 熱硬化前の１２０℃における引張貯蔵弾性率が１×１０４〜２．５×１０６Ｐａであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載の熱硬化型接着フィルム。
  9. 請求項１〜８のいずれか１に記載の熱硬化型接着フィルムが、ダイシングフィルム上に積層されていることを特徴とするダイシングフィルム付き接着フィルム。
  10. 前記熱硬化型接着フィルムの前記ダイシングフィルムからの剥離力が０．００５〜０．２Ｎ／２０ｍｍであることを特徴とする請求項９に記載のダイシングフィルム付き接着フィルム。
  11. 請求項１〜８のいずれか１に記載の熱硬化型接着フィルム、若しくは、請求項９又は１０に記載のダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
    半導体チップを熱硬化型接着フィルムを介して被着体にダイボンドするダイボンド工程におけるダイボンド温度が８０〜１５０℃、ダイボンド圧力が０．０５ＭＰａ〜５ＭＰａ、ダイボンド時間が０．１〜５秒であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2010224088A 2009-11-26 2010-10-01 ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法 Active JP5632695B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010224088A JP5632695B2 (ja) 2009-11-26 2010-10-01 ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法
TW102136801A TW201402757A (zh) 2009-11-26 2010-11-16 熱固型膠黏薄膜、帶有切割薄膜的膠黏薄膜、以及使用該熱固型膠黏薄膜或該帶有切割薄膜的膠黏薄膜製造半導體裝置的方法
TW099139409A TWI477573B (zh) 2009-11-26 2010-11-16 熱固型膠黏薄膜、帶有切割薄膜的膠黏薄膜、以及使用該熱固型膠黏薄膜或該帶有切割薄膜的膠黏薄膜製造半導體裝置的方法
US12/948,992 US20110120614A1 (en) 2009-11-26 2010-11-18 Thermosetting adhesive film, adhesive film with dicing film, and method of manufacturing semiconductor device using the thermosetting adhesive film or the adhesive film with dicing film
KR1020100117925A KR101048898B1 (ko) 2009-11-26 2010-11-25 열경화형 접착필름, 다이싱 필름을 갖는 접착필름, 및 상기 열경화형 접착필름 또는 상기 다이싱 필름을 갖는 접착필름을 사용한 반도체 장치의 제조방법
CN201010566636.4A CN102153956B (zh) 2009-11-26 2010-11-26 热固型胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、以及使用它们制造半导体装置的方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009269087 2009-11-26
JP2009269087 2009-11-26
JP2010224088A JP5632695B2 (ja) 2009-11-26 2010-10-01 ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011135042A true JP2011135042A (ja) 2011-07-07
JP5632695B2 JP5632695B2 (ja) 2014-11-26

Family

ID=44061216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010224088A Active JP5632695B2 (ja) 2009-11-26 2010-10-01 ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110120614A1 (ja)
JP (1) JP5632695B2 (ja)
KR (1) KR101048898B1 (ja)
CN (1) CN102153956B (ja)
TW (2) TWI477573B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013023684A (ja) * 2011-07-26 2013-02-04 Nitto Denko Corp 接着シート及びその用途
JP2017092333A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 積層体および合同体・半導体装置の製造方法
JP2021013035A (ja) * 2018-11-22 2021-02-04 リンテック株式会社 熱硬化性保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及びチップの製造方法
JP2022000933A (ja) * 2017-05-19 2022-01-04 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JPWO2022030604A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
US8980687B2 (en) * 2012-02-08 2015-03-17 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP2013187377A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5644896B2 (ja) * 2012-07-04 2014-12-24 大日本印刷株式会社 粘接着層及び粘接着シート
JP5499111B2 (ja) * 2012-07-06 2014-05-21 日東電工株式会社 半導体装置用接着剤組成物、半導体装置用接着フィルム、ダイシングフィルム付き接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6542504B2 (ja) * 2013-02-20 2019-07-10 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6429103B2 (ja) * 2013-06-19 2018-11-28 大日本印刷株式会社 粘着剤組成物およびそれを用いた粘着フィルム
KR101930302B1 (ko) * 2013-11-05 2018-12-18 니타 가부시키가이샤 땜납 전사 시트
JP6431343B2 (ja) * 2014-11-21 2018-11-28 日東電工株式会社 接着シート、ダイシングシート付き接着シート、積層シート及び半導体装置の製造方法
JP6530242B2 (ja) * 2015-06-01 2019-06-12 日東電工株式会社 半導体裏面用フィルム及びその用途
TWI621684B (zh) * 2015-09-01 2018-04-21 Lintec Corp Adhesive sheet
KR101753158B1 (ko) * 2016-04-28 2017-08-09 (주)이녹스첨단소재 비전도성 접착필름용 조성물 및 이를 포함하는 비전도성 접착필름
KR20200034963A (ko) * 2017-07-24 2020-04-01 도레이 카부시키가이샤 필름
CN113166604A (zh) * 2018-12-11 2021-07-23 罗曼有限合资公司 可缠绕和冲压的粘合膜
JP2022156407A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 日東電工株式会社 熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022997A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Mitsui Chemicals Inc 接着剤付き半導体ウエハの製造方法
JP2004039928A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
JP2009059917A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2009100000A (ja) * 2008-12-01 2009-05-07 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置用ダイボンディング材及びこれを用いた半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265782B1 (en) * 1996-10-08 2001-07-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film
JP2005112916A (ja) 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp アンダーフィル接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR100590198B1 (ko) * 2004-03-25 2006-06-19 엘에스전선 주식회사 수축성 이형필름을 갖는 다이싱 필름 및 이를 이용한반도체 패키지 제조방법
JP2005330300A (ja) 2004-05-18 2005-12-02 Mitsui Chemicals Inc 熱硬化性樹脂組成物、フィルム状接着剤及び半導体パッケージ
US7772040B2 (en) * 2006-09-12 2010-08-10 Nitto Denko Corporation Manufacturing method of semiconductor device, adhesive sheet used therein, and semiconductor device obtained thereby
WO2008108131A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-12 Nitto Denko Corporation 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP4732472B2 (ja) * 2007-03-01 2011-07-27 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP4430085B2 (ja) * 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022997A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Mitsui Chemicals Inc 接着剤付き半導体ウエハの製造方法
JP2004039928A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
JP2009059917A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2009100000A (ja) * 2008-12-01 2009-05-07 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置用ダイボンディング材及びこれを用いた半導体装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013023684A (ja) * 2011-07-26 2013-02-04 Nitto Denko Corp 接着シート及びその用途
JP2017092333A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 積層体および合同体・半導体装置の製造方法
JP2022000933A (ja) * 2017-05-19 2022-01-04 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7208327B2 (ja) 2017-05-19 2023-01-18 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2021013035A (ja) * 2018-11-22 2021-02-04 リンテック株式会社 熱硬化性保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及びチップの製造方法
JP7014875B2 (ja) 2018-11-22 2022-02-01 リンテック株式会社 熱硬化性保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及びチップの製造方法
JPWO2022030604A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10
WO2022030604A1 (ja) * 2020-08-07 2022-02-10 日東電工株式会社 保護カバー部材及び部材供給用シート
JP7247419B2 (ja) 2020-08-07 2023-03-28 日東電工株式会社 保護カバー部材及び部材供給用シート

Also Published As

Publication number Publication date
CN102153956B (zh) 2016-06-01
TWI477573B (zh) 2015-03-21
TW201402757A (zh) 2014-01-16
US20110120614A1 (en) 2011-05-26
CN102153956A (zh) 2011-08-17
JP5632695B2 (ja) 2014-11-26
KR101048898B1 (ko) 2011-07-12
KR20110058722A (ko) 2011-06-01
TW201120178A (en) 2011-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5632695B2 (ja) ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法
JP5174092B2 (ja) ダイシングシート付き接着フィルム及びその製造方法
JP4976481B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP4801127B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP5398083B2 (ja) ダイボンドフィルム及びその用途
JP6310748B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP4927187B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5036887B1 (ja) 保護フィルム付きダイシングフィルム
JP2011187571A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2007220913A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2011091363A (ja) 半導体装置用フィルム
JP2006303472A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6193663B2 (ja) ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2008135448A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6073263B2 (ja) ダイシングシート付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6356458B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP5499111B2 (ja) 半導体装置用接着剤組成物、半導体装置用接着フィルム、ダイシングフィルム付き接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP5930625B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP2013038181A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012186361A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP5219302B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP5023225B1 (ja) 半導体装置用フィルムの製造方法
JP5456807B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5656741B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP6328467B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140711

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140918

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141010

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5632695

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250