TW201642361A

TW201642361A - 密封半導體元件及半導體裝置之製造方法

Info

Publication number: TW201642361A
Application number: TW105112683A
Authority: TW
Inventors: Yuki Ebe; Jun Ishii
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2015-04-24
Filing date: 2016-04-22
Publication date: 2016-12-01
Also published as: JP2016208033A

Abstract

密封半導體元件之製造方法具備：密封步驟，其利用含有熱硬化性樹脂之密封層將感壓接著於以藉由處理而感壓接著力降低之方式構成之感壓接著片之半導體元件進行密封，而獲得具備半導體元件、及將半導體元件密封之密封層之密封半導體元件；第1加熱步驟，其於密封步驟之後，以將較密封層完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H1賦予至密封層之方式對密封層進行加熱；降低步驟，其於第1加熱步驟之後藉由處理使感壓接著片之感壓接著力降低；第2加熱步驟，其於降低步驟之後，以將與密封層完全硬化之熱歷程H0相同或較其多之熱歷程H2賦予至上述密封層之方式對密封層進行加熱；及剝離步驟，其將密封半導體元件自感壓接著片剝離。

Description

密封半導體元件及半導體裝置之製造方法

本發明係關於一種密封半導體元件及半導體裝置之製造方法，詳細而言，係關於一種密封半導體元件之製造方法、及使用藉由該方法所獲得之密封半導體元件之半導體裝置之製造方法。

先前，已知有利用密封層將LED(Light Emitting Diode，發光二極體)進行密封而製造密封LED之方法。

例如，提出有利用以下方法獲得螢光體片被覆LED。即，首先，準備具備支持板、及積層於支持板之上表面且藉由活性能量線之照射而黏著力降低之黏著層的支持片，繼而將LED感壓接著於黏著層。其後，利用含有熱硬化性樹脂及螢光體之螢光體片將LED密封，而獲得螢光體片被覆LED。其後，對螢光體片被覆LED中之螢光體片進行加熱，藉此使螢光體片熱硬化，繼而對黏著層照射活性能量線，而將螢光體片被覆LED自黏著層剝離(例如參照專利文獻1)。

於專利文獻1中，將自黏著層剝離之螢光體片被覆LED覆晶安裝於基板，並將LED之電極電性連接於基板之端子。

[先前技術文獻] [專利文獻]

日本專利特開2014-168032號公報

然而，於專利文獻1所記載之方法中，若對螢光體片進行加熱使得螢光體片熱硬化，則黏著層亦會被充分地加熱，如此，存在形成黏著層之感壓接著劑之感壓接著力顯著失活之情形。因此，於螢光體片之加熱後，即便對黏著層照射活性能量線，黏著層對螢光體片被覆LED之黏著力亦不會充分地降低，其結果，存在於將螢光體片被覆LED自黏著層剝離時，感壓接著劑附著於螢光體片被覆LED之背面(感壓接著於黏著層之面)之情形(所謂之糊劑殘留)。於此情形時，存在因附著於LED之背面之感壓接著劑而導致LED之電極與基板之端子之電性連接變得不良之不良情況。

本發明之目的在於提供一種於將具備密封層、及由密封層密封之半導體元件之密封半導體元件自感壓接著片剝離時可抑制形成感壓接著片之感壓接著劑附著於密封半導體元件之半導體元件之密封半導體元件之製造方法、及使用藉由該方法所獲得之密封半導體元件之半導體裝置之製造方法。

本發明包含(1)一種密封半導體元件之製造方法，其具備：密封步驟，其利用含有熱硬化性樹脂之密封層將感壓接著於以藉由處理而感壓接著力降低之方式構成之感壓接著片之半導體元件進行密封，而獲得具備上述半導體元件、及將上述半導體元件密封之上述密封層之密封半導體元件；第1加熱步驟，其於上述密封步驟之後，以將較上述密封層完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H1賦予至上述密封層之方式對上述密封層進行加熱；降低步驟，其於上述第1加熱步驟之後藉由上述處理使上述感壓接著片之感壓接著力降低；第2加熱步驟，其於上述降低步驟之後，以將與上述密封層完全硬化之熱歷程H0相同或較其多之熱歷程H2賦予至上述密封層之方式對上述密封層進行加熱；及剝離步驟，其將上述密封半導體元件自上述感壓接著片剝離。

根據該密封半導體元件之製造方法，於第1加熱步驟中，於降低步驟之前，以將較熱硬化性樹脂完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H1賦予至熱硬化性樹脂之方式對密封層進行加熱，因此，可抑制第1加熱步驟中之感壓接著片之感壓接著力之降低。因此，與於第1加熱步驟及第2加熱步驟之後實施降低步驟並且第2加熱步驟中之感壓接著片之感壓接著力大幅降低之情形時相比，於降低步驟中，可充分地降低感壓接著片之感壓接著力。因此，於剝離步驟中，可容易且確實地將密封半導體元件自感壓接著片剝離，從而抑制感壓接著劑附著於半導體元件。

另一方面，該密封半導體元件之製造方法與於降低步驟之後實施第1加熱步驟及第2加熱步驟之情形時相比，於剝離步驟中，亦可容易且確實地將密封半導體元件自感壓接著片剝離，從而抑制感壓接著劑附著於半導體元件。

因此，可製造電性連接可靠性優異之密封半導體元件。

另一方面，可預先利用第2加熱步驟使密封層之熱硬化性樹脂熱硬化，因此可簡單且確實地提高密封層對半導體元件之密封性。

其結果，可製造密封性及電性連接可靠性優異之密封半導體元件。

本發明包含(2)，如(1)之密封半導體元件之製造方法，其中上述感壓接著片具備與上述半導體元件感壓接著之感壓接著層，且依序實施上述第1加熱步驟之加熱與上述降低步驟之上述處理後之上述感壓接著層之25℃下之拉伸彈性模數X相對於僅實施上述降低步驟之上述處理後之上述感壓接著層之25℃下之拉伸彈性模數Y之比(X/Y)為0.70以上。

根據該密封半導體元件之製造方法，上述比(X/Y)為特定值以上，因此可有效地抑制第1加熱步驟中之感壓接著層之感壓接著力之降低。因此，於降低步驟中，可進一步充分地降低感壓接著層之感壓接著力。因此，於剝離步驟中，可容易且確實地將密封半導體元件自感壓接著層剝離，從而有效地抑制感壓接著劑附著於半導體元件。

本發明包含(3)，如(1)或(2)之密封半導體元件之製造方法，其中於上述密封步驟中，利用上述密封層將複數個上述半導體元件進行密封而獲得具備複數個上述半導體元件之上述密封半導體元件，且本發明之密封半導體元件之製造方法於上述第1加熱步驟之後並且上述降低步驟之前進而具備將上述密封層以與複數個上述半導體元件之各者對應之方式切斷之切斷步驟。

根據該密封半導體元件之製造方法，可利用第1加熱步驟使密封層之熱硬化逐漸進行，藉此，可提高於第1加熱步驟之後實施之切斷步驟中之密封層之機械強度。因此，可將密封層確實地切斷。其結果，可一面將密封半導體元件中之密封層確實地切斷，一面有效率地製造複數個密封半導體元件。

本發明包含(4)，如(1)至(3)中任一項之密封半導體元件之製造方法，其於上述降低步驟之後並且上述第2加熱步驟之前實施上述剝離步驟。

根據該密封半導體元件之製造方法，於實施第2加熱步驟時，感壓接著片已經自密封半導體元件剝離，因此可防止第2加熱步驟中之感壓接著片向密封半導體元件之附著。

本發明包含(5)，如(1)至(4)中任一項之密封半導體元件之製造方法，其於上述降低步驟之前進而具備將耐熱性片材貼合於上述密封半導體元件之耐熱性片材貼合步驟。

根據該密封半導體元件之製造方法，於降低步驟之前將耐熱性片材貼合於密封半導體元件，因此可一面利用耐熱性片材支持密封半導體元件，一面實施降低步驟。

本發明包含(6)，如(4)之密封半導體元件之製造方法，其中於上述剝離步驟中，將上述密封半導體元件自上述感壓接著片轉印至耐熱性片材。

根據該密封半導體元件之製造方法，於剝離步驟中，將密封半導體元件自感壓接著片轉印至耐熱性片材，其後，實施第2加熱步驟，因此，於第2加熱步驟中，可一面利用耐熱性片材支持密封半導體元件，一面使密封半導體元件中之密封層完全硬化。

本發明包含(7)，如(5)或(6)之密封半導體元件之製造方法，其具備將上述密封半導體元件自上述耐熱性片材轉印至轉印片之轉印步驟。

根據該密封半導體元件之製造方法，可將支持於轉印片之密封半導體元件用於各種用途。

本發明包含(8)，如(1)至(3)中任一項之密封半導體元件之製造方法，其於上述第2加熱步驟之後實施上述剝離步驟，且於上述剝離步驟中將上述密封半導體元件自上述感壓接著片轉印至轉印片。

本發明包含(9)，如(7)或(8)之密封半導體元件之製造方法，其中上述轉印片係以沿與厚度方向正交之方向延伸之方式構成之延伸片，且本發明之密封半導體元件之製造方法具備延伸剝離步驟，該延伸剝離步驟使轉印有上述密封半導體元件之上述轉印片沿上述正交方向延伸，並將上述密封半導體元件自上述轉印片剝離。

根據該密封半導體元件之製造方法，於延伸剝離步驟中使轉印有密封半導體元件之轉印片沿正交方向延伸，並將密封半導體元件自轉印片剝離，因此可確實地形成相鄰之密封半導體元件間之正交方向上之間隔，從而可將複數個密封半導體元件之各者自轉印片確實地剝離。

本發明包含(10)，如(1)或(2)之密封半導體元件之製造方法，其中於上述密封步驟中，利用上述密封層將複數個上述半導體元件進行密封而獲得具備複數個上述半導體元件之上述密封半導體元件，且本發明之密封半導體元件之製造方法於上述第2加熱步驟之後進而具備將上述密封層以與複數個上述半導體元件之各者對應之方式切斷之切斷步驟。

根據該密封半導體元件之製造方法，可利用第2加熱步驟使密封層完全硬化，從而提高於第2加熱步驟之後實施之切斷步驟中之密封層之機械強度。因此，於切斷步驟中，可將密封層確實地切斷。其結果，可一面將密封層確實地切斷，一面有效率地製造複數個密封半導體元件。

本發明包含(11)，如(1)至(10)中任一項之密封半導體元件之製造方法，其中於上述降低步驟中，對上述感壓接著片照射活性能量線。

根據該密封半導體元件之製造方法，可簡單地降低感壓接著片之感壓接著力。

本發明包含(12)，如(1)至(10)中任一項之密封半導體元件之製造方法，其中於上述降低步驟中，以將較上述密封層完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H3賦予至上述密封層之方式對上述感壓接著片進行加熱。

本發明包含(13)，一種半導體裝置之製造方法，其具備：利用如(1)至(12)中任一項之製造方法製造密封半導體元件之步驟；及將上述密封半導體元件安裝於基板之步驟。

根據該半導體裝置之製造方法，將抑制感壓接著劑附著於半導體元件之密封半導體元件安裝於基板，因此可製造可靠性優異之半導體裝置。

根據本發明之密封半導體元件之製造方法，可製造密封性及電性連接可靠性優異之密封半導體元件。

根據本發明之半導體裝置之製造方法，可製造可靠性優異之半導體裝置。

1‧‧‧光半導體元件

2‧‧‧帶支持基板之感壓接著片

3‧‧‧電極側面

4‧‧‧對向面

5‧‧‧周側面

6‧‧‧支持基板

7‧‧‧感壓接著片

8‧‧‧密封片

9‧‧‧剝離片

10‧‧‧密封層

11‧‧‧密封光半導體元件

12‧‧‧晶圓切割機

14‧‧‧切斷面

15‧‧‧下表面

16‧‧‧上表面

18‧‧‧間隔

19‧‧‧支持部

21‧‧‧第1轉印片

22‧‧‧第2轉印片

23‧‧‧第3轉印片

24‧‧‧第4轉印片

25‧‧‧第5轉印片

26‧‧‧第6轉印片

28‧‧‧耐熱性片材

29‧‧‧基板

30‧‧‧發光裝置

31‧‧‧第1感壓接著層

32‧‧‧第2感壓接著層

33‧‧‧支持片

34‧‧‧感壓接著層

40‧‧‧夾頭

51‧‧‧支持基板去除步驟

52‧‧‧耐熱性片材貼合步驟

53‧‧‧感壓接著片剝離步驟

61‧‧‧元件準備步驟

62‧‧‧密封步驟

63‧‧‧第1加熱步驟

64‧‧‧切斷步驟

65‧‧‧降低步驟

66‧‧‧第2加熱步驟

67‧‧‧第1轉印步驟

68‧‧‧延伸步驟

69‧‧‧第2轉印步驟

70‧‧‧檢查．篩選步驟

71‧‧‧第3轉印步驟

72‧‧‧第4轉印步驟

73‧‧‧第5轉印步驟

74‧‧‧第6轉印步驟

75‧‧‧剝離步驟

76‧‧‧安裝步驟

77‧‧‧第7轉印步驟

78‧‧‧第8轉印步驟

85‧‧‧下表面

86‧‧‧上表面

90‧‧‧烘箱

L0‧‧‧間隔

L1‧‧‧長度

L2‧‧‧間距

L4‧‧‧間隔

L5‧‧‧間隔

H0‧‧‧密封層完全硬化之熱歷程

H1‧‧‧於第1加熱步驟中賦予至密封層之熱歷程

H2‧‧‧於第2加熱步驟中賦予至密封層之熱歷程

H3‧‧‧於降低步驟中賦予至密封層之熱歷程

W1‧‧‧寬度

圖1係表示本發明之密封半導體元件之製造方法之第1實施形態之步驟圖。

圖2A~圖2D係本發明之密封半導體元件之製造方法之第1實施形態之製造步驟圖，

圖2A表示元件準備步驟，圖2B表示密封步驟，圖2C表示第1加熱步驟，圖2D表示切斷步驟。

圖3E~圖3H係繼圖2D後之本發明之密封半導體元件之製造方法之第1實施形態之製造步驟圖，圖3E表示支持基板去除步驟，圖3F表示耐熱性片材貼合步驟，圖3G表示降低步驟，圖3H表示感壓接著片剝離步驟。

圖4I~圖4L係繼圖3H後之本發明之密封半導體元件及半導體裝置之製造方法之第1實施形態之製造步驟圖，圖4I表示第2加熱步驟，圖4J表示第2轉印步驟，圖4K表示延伸步驟，圖4L表示檢查‧篩選步驟及第3轉印步驟。

圖5M~圖5P係繼圖4L後之本發明之密封半導體元件及半導體裝置之製造方法之第1實施形態之製造步驟圖，圖5M表示第4轉印步驟，圖5N表示第5轉印步驟，圖5O表示第6轉印步驟及剝離步驟，圖5P表示安裝步驟。

圖6係表示本發明之密封半導體元件之製造方法之第2實施形態之步驟圖。

圖7A~圖7D係本發明之密封半導體元件之製造方法之第2實施形態之製造步驟圖，圖7A表示元件準備步驟，圖7B表示密封步驟，圖7C表示第1加熱步驟，圖7D表示切斷步驟。

圖8E~圖8I係繼圖7D後之本發明之密封半導體元件之製造方法之第2實施形態之製造步驟圖，圖8E表示降低步驟，圖8F表示第2加熱步驟，圖8G表示第1轉印步驟，圖8H表示延伸步驟，圖8I表示第2轉印步驟。

圖9J~圖9N係繼圖8I後之本發明之密封半導體元件及半導體裝置之製造方法之第2實施形態之製造步驟圖，圖9J表示檢查．篩選步驟及第3轉印步驟，圖9K表示第4轉印步驟，圖9L表示第5轉印步驟，圖9M表示第6轉印步驟及剝離步驟，圖9N表示安裝步驟。

圖10係表示本發明之密封半導體元件之製造方法之第4實施形態之步驟圖。

圖11A~圖11D係本發明之密封半導體元件之製造方法之第4實施形態之製造步驟圖之一部分，圖11A表示第1轉印步驟，圖11B表示第2加熱步驟，圖11C表示第7轉印步驟，圖11D表示延伸步驟。

圖12表示本發明之密封半導體元件之製造方法之第5實施形態之步驟圖。

圖13A~圖13E係本發明之密封半導體元件之製造方法之第5實施形態之製造步驟圖之一部分，圖13A表示降低步驟，圖13B表示第8轉印步驟，圖13C表示第2加熱步驟，圖13D表示第1轉印步驟，圖13E表示切斷步驟。

圖14係表示實施例中之感壓接著層之拉伸彈性模數之測定方法之概略說明圖。

於圖2A~圖5P中，紙面上下方向為上下方向(第1方向、厚度方向)，紙面上側為上側(第1方向一側、厚度方向一側)，紙面下側為下側(第1方向另一側、厚度方向另一側)。於圖2A~圖5P中，紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交之第2方向)，紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。於圖2A~圖5P中，紙厚方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面近前側為前側(第3方向一側)，紙面進深側為後側(第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。

<第1實施形態>

如圖1所示，本發明之密封半導體元件之製造方法之第1實施形態具備元件準備步驟61、密封步驟62、第1加熱步驟63、切斷步驟64、支持基板去除步驟51、耐熱性片材貼合步驟52、降低步驟65、作為剝離步驟之一例之感壓接著片剝離步驟53、及第2加熱步驟66。又，第1實施形態具備複數個轉印步驟(第2轉印步驟69、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、第6轉印步驟74)、延伸步驟68、檢查‧篩選步驟70、及剝離步驟75。以下，對各步驟進行說明。

1.元件準備步驟

於元件準備步驟61中，如圖2A所示，將作為複數個半導體元件之一例之光半導體元件1配置於感壓接著片7之上。

1-1.光半導體元件

光半導體元件1例如為將電能轉換成光能之LED或LD(Laser Diode，雷射二極體)。較佳為光半導體元件1係發出藍色光之藍色LED(發光二極體元件)。另一方面，光半導體元件1不包含技術領域與光半導體元件不同之電晶體等整流器。

複數個光半導體元件1於感壓接著片7之上係於前後方向及左右方向上相互隔開間隔而整行配置。

光半導體元件1具有沿前後方向及左右方向之大致平板形狀。光半導體元件1具有電極側面3、對向面4、及周側面5。

電極側面3係光半導體元件1中之下表面，並且係供未圖示之電極形成之面。

對向面4係光半導體元件1中之上表面，並且相對於電極側面3隔開間隔對向地配置於上側。

周側面5將電極側面3之周端緣與對向面4之周端緣連結。

光半導體元件1之尺寸係適當設定，具體而言，厚度(高度)例如為0.1μm以上，較佳為0.2μm以上，又，例如為500μm以下，較佳為200μm以下。又，光半導體元件1之前後方向及/或左右方向上之長度L1例如為0.2mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為1.5mm以下，較佳為1.2mm以下。又，相鄰之光半導體元件1之間之間隔(前後方向及/或左右方向上之間隔)L0例如為0.05mm以上，較佳為0.1mm以上，又，例如為1.0mm以下，較佳為0.8mm以下。又，相鄰之光半導體元件1之間距L2、具體而言上述長度L1及間隔L0之和(L1+L0)例如為0.25mm以上，較佳為0.6mm以上，又，例如為2.5mm以下，較佳為2.0mm以下。

1-2.感壓接著片

感壓接著片7包含感壓接著劑。具體而言，感壓接著片7具備以藉由處理而感壓接著力降低之方式構成之感壓接著層34。詳細而言，感壓接著片7具備感壓接著層34、及介存於感壓接著層34之上下方向中途(具體而言為中央部)之支持片33。感壓接著層34中配置於支持片33之上之層為第1感壓接著層31，配置於支持片33之下之層為第2感壓接著層32。即，感壓接著層34具備第1感壓接著層31、及第2感壓接著層32。較佳為感壓接著層34僅由第1感壓接著層31及第2感壓接著層32 構成。

又，感壓接著片7支持於支持基板6。

1-2-1.第1感壓接著層

第1感壓接著層31配置(支持)於支持片33之整個上表面。

第1感壓接著層31係以藉由處理而感壓接著力降低之方式構成。具體而言，第1感壓接著層31係利用藉由照射活性能量線而感壓接著力降低之感壓接著劑以片狀(層狀)形成。第1感壓接著層31之厚度例如為5μm以上，較佳為10μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為50μm以下。

1-2-2.第2感壓接著層

第2感壓接著層32配置於支持片33之整個下表面。

第2感壓接著層32係利用公知之感壓接著劑以片狀(層狀)形成。第2感壓接著層32較佳為以感壓接著力不會藉由處理而降低之方式構成。具體而言，第2感壓接著層32包含例如日本專利特開2015-120884號公報等所記載之感壓接著劑。第2感壓接著層32之厚度例如為3μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為30μm以下，較佳為20μm以下。

較佳為感壓接著層34中僅第1感壓接著層31係以藉由處理而感壓接著力降低之方式構成，另一方面，第2感壓接著層32係以感壓接著力不會藉由處理而降低之方式構成。

又，感壓接著層34之厚度、即，第1感壓接著層31及第2感壓接著層32之總厚度例如為8μm以上，較佳為15μm以上，又，例如為130μm以下，較佳為70μm以下。

A.感壓接著劑

作為藉由處理而感壓接著力降低之感壓接著劑，例如可列舉導入有碳-碳雙鍵之樹脂組合物等。樹脂組合物可列舉具有碳-碳雙鍵之聚合物。

B.感壓接著劑之製備

此種聚合物例如係利用以下方法而製備。

即，例如將含有主乙烯基單體與具有第1官能基之副乙烯基單體之單體成分以第1官能基不會消失之方式進行共聚合，而製備具有第1官能基之前驅物聚合物。另外準備具有可與第1官能基反應之第2官能基及碳-雙鍵之化合物。其後，將該化合物調配至前驅物聚合物中，使第1官能基與第2官能基反應。

作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉羥基與異氰酸酯基之組合等。作為第1官能基，較佳為列舉羥基。作為第2官能基，較佳為列舉異氰酸酯基。

作為主單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(2EHA/2EHMA)、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等烷基部分之碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷基酯。較佳為列舉丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)。該等可單獨使用或併用。主單體於單體成分中之調配比率例如為70質量%以上，較佳為90質量%以上，又，例如為99質量%以下。

副乙烯基單體係可作為主乙烯基單體進行共聚合之乙烯基單體。作為副乙烯基單體，例如可列舉：含羧基之單體、含環氧基之單體、含羥基之單體、含異氰酸酯基之單體等，較佳為列舉含羥基之單體。

作為含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA/HEMA)、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥烷基酯等。較佳為列舉丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)。該等可單獨使用或併用。副乙烯基單體於單體成分中之調配比率例如為30質量%以下，又，例如為1質量%以上。

作為化合物，可列舉含異氰酸酯基之化合物，具體而言，可列舉：異氰酸(甲基)丙烯醯酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯等含異氰酸酯基之乙烯基單體。較佳為列舉異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯。

化合物之調配比率係以聚合物中之雙鍵之導入量例如成為0.01毫莫耳/g以上，較佳為成為0.2毫莫耳/g以上，又，例如成為10.0毫莫耳/g以下，較佳為成為5.0毫莫耳/g以下之方式進行調整。

為了製備前驅物聚合物，使上述單體成分以上述比率於聚合起始劑之存在下例如進行溶液聚合。

作為聚合起始劑，例如可列舉：過氧化物、過硫酸鹽、氧化還原系起始劑等。該等可單獨使用或併用。較佳為列舉過氧化物。作為過氧化物，例如可列舉：過氧化二醯基、過氧酯、過氧化二碳酸酯、單過氧化碳酸酯、過氧縮酮、過氧化二烷基、過氧化氫、過氧化酮等，較佳為列舉二過氧化二醯基。

作為二過氧化二醯基，例如可列舉：過氧化二苯甲醯(BPO)、過氧化二-對硝基苯甲醯、過氧化二-對氯苯甲醯、過氧化二(3,5,5-三甲基己醯)、過氧化二-正辛醯、過氧化二癸醯、過氧化二月桂醯等。較佳為列舉過氧化二苯甲醯(BPO)。

關於聚合起始劑之調配比率，相對於單體成分100質量份，例如為0.005質量份以上，例如為1質量份以下。

又，於溶液聚合中使用聚合溶劑。作為聚合溶劑，例如可列舉：甲苯、二甲苯等芳香族烴，例如己烷等脂肪族烴等。較佳為列舉芳香族烴。

接下來，使含有主乙烯基單體及副乙烯基單體之單體成分以副乙烯基單體之第1官能基不會消失之方式進行共聚合而製備具有第1官能基之前驅物聚合物。

接下來，於前驅物聚合物中調配上述化合物。較佳為於含有羥基之前驅物聚合物中調配含異氰酸酯基之化合物，使羥基與異氰酸酯基反應而形成胺基甲酸酯鍵。接下來，將化合物所具有之碳-碳雙鍵導入至所獲得之聚合物中。

其後，於聚合物中調配光聚合起始劑。

光聚合起始劑係用以於下述降低步驟65(參照圖3G)中對感壓接著層34照射活性能量線時使自由基產生，從而使導入至樹脂組合物中之碳-碳雙鍵相互反應之光聚合觸媒。光聚合起始劑之10小時半衰期溫度例如為20℃以上，較佳為50℃以上，又，例如為107℃以下，較佳為100℃以下。

作為光聚合起始劑，例如可列舉：縮酮系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、安息香醚系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、苯偶姻系光聚合起始劑、苯偶醯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、9-氧硫系光聚合起始劑等。該等可單獨使用或併用。較佳為列舉9-氧硫系光聚合起始劑。作為9-氧硫系光聚合起始劑，例如可列舉：1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。較佳為列舉2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。

關於光聚合起始劑之調配比率，相對於聚合物100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為10質量份以下，較佳為5質量份以下。

又，可於聚合物中以適當之比率調配交聯劑等添加劑。作為交聯劑，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、胺系交聯劑等。較佳為列舉異氰酸酯系交聯劑。

C.感壓接著層之形成

為了將感壓接著層34配置於支持片33之上下兩面，例如將藉由處理而感壓接著力降低之上述感壓接著劑塗佈於支持片33之上表面，另一方面，將感壓接著力不會藉由處理而降低之感壓接著劑塗佈於支持片33之下表面。其後，使其等乾燥。乾燥溫度例如為40℃以上，較佳為60℃以上，又，例如為150℃以下，較佳為130℃以下。乾燥溫度例如為5分鐘以下。

其後，視需要使感壓接著劑老化。老化溫度例如為25℃以上，較佳為40℃以上，又，例如為70℃以下，較佳為60℃以下。老化時間例如為10小時以上，又，例如為120小時以下。

藉此，製作包含支持片33、第1感壓接著層31及第2感壓接著層32之感壓接著片7。

其後，將所製作之感壓接著片7之第2感壓接著層32貼合於支持基板6之上表面。

再者，感壓接著片7與支持基板6共同形成帶支持基板之感壓接著片(暫時固定構件)2。

D.感壓接著層之物性

感壓接著層34於25℃下之拉伸彈性模數例如為0.01MPa以上，較佳為0.02MPa以上，又，例如為1.0MPa以下，較佳為0.8MPa以下。

1-2-3.支持片

支持片33具有於感壓接著片7中沿面方向延伸之片狀。支持片33於感壓接著片7中支持感壓接著層34(具體而言為第1感壓接著層31及第2感壓接著層32)。支持片33位於感壓接著片7之上下方向中央部。支持片33例如包含聚乙烯膜、聚酯膜(PET膜等)等聚合物膜。支持片33之厚度例如為20μm以上，較佳為30μm以上，又，例如為120μm以下，較佳為100μm以下。

E.支持基板

支持基板6具有具有可撓性之平板形狀(膜形狀)。支持基板6配置於第2感壓接著層32(感壓接著層34)之整個下表面。作為支持基板6，可列舉：例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜；例如陶瓷片；及例如金屬箔等。支持基板6之厚度例如為100μm以上，較佳為300μm以上，又，例如為2000μm以下，較佳為1000μm以下。

如圖2A所示，為了將複數個光半導體元件1感壓接著於感壓接著片7之上，將複數個光半導體元件1之電極側面3載置(接觸)於感壓接著片7之上表面(第1感壓接著層31之上表面)，而將光半導體元件1暫時固定於感壓接著片7。藉此，經由感壓接著片7使複數個光半導體元件1支持於支持基板6。

2.密封步驟

如圖1所示，於元件準備步驟61之後實施密封步驟62。

於密封步驟62中，如圖2B所示，利用密封層10將感壓接著於感壓接著片7之光半導體元件1密封。

於密封步驟62中，首先，準備密封層10。

具體而言，如圖2A所示，首先，準備具備剝離片9與配置於剝離片9之下表面之密封層10之密封片8。密封片8較佳為僅由剝離片9與密封層10構成。

剝離片9例如係利用聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物以片狀形成。剝離片9之厚度例如為1μm以上，較佳為10μm以上，又，例如為2,000μm以下，較佳為1,000μm以下。

密封層10具有形成於剝離片9之整個下表面之層狀。密封層10係利用含有熱硬化性樹脂之密封組合物而製備。

作為熱硬化性樹脂，例如可列舉2段反應硬化性樹脂、1段反應硬化性樹脂。

2段反應硬化性樹脂具有2個反應機構，可於第1段之反應中自A階段狀態進行B階化(半硬化)，繼而，於第2段之反應中自B階段狀態進行C階化(完全硬化)。即，2段反應硬化性樹脂係可根據適度之加熱條件而成為B階段狀態之熱硬化性樹脂。B階段狀態係熱硬化性樹脂為液狀之A階段狀態與完全硬化之C階狀態之間之狀態，並且係稍微進行硬化及凝膠化且拉伸彈性模數小於C階狀態之彈性模數之半固體狀態或固體狀態。

1段反應硬化性樹脂具有1個反應機構，可於第1段之反應中自A階段狀態進行C階化(完全硬化)。此種1段反應硬化性樹脂係可於第1段之反應中途使該反應停止而自A階段狀態成為B階段狀態，並藉由其後之進一步之加熱而再次開始進行第1段之反應而自B階段狀態進行C階化(完全硬化)之熱硬化性樹脂。即，該熱硬化性樹脂係可成為B階段狀態之熱硬化性樹脂。因此，1段反應硬化性樹脂不包含無法以於1段反應中途停止之方式進行控制、即無法成為B階段狀態而是一次性自A階段狀態進行C階化(完全硬化)之熱硬化性樹脂。

總而言之，熱硬化性樹脂係可成為B階段狀態之熱硬化性樹脂。

作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。作為熱硬化性樹脂，較佳為列舉聚矽氧樹脂、環氧樹脂，更佳為列舉聚矽氧樹脂。

作為聚矽氧樹脂，例如可列舉於分子內包含苯基之苯基系聚矽氧樹脂等。

上述熱硬化性樹脂可為相同種類或複數種之任一種。

又，密封組合物可含有填料及/或螢光體。

作為填料，例如可列舉光擴散性粒子。作為光擴散性粒子，例如可列舉無機粒子、有機粒子等。

作為無機粒子，可列舉：例如二氧化矽(SiO₂)、滑石(Mg₃(Si₄O₁₀)(HO)₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化硼(B₂O₃)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鍶(SrO)、氧化鎂(MgO)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鋇(BaO)、氧化銻(Sb₂O₃)等氧化物；及例如氮化鋁(AlN)、氮化矽(Si₃N₄)等氮化物等無機物粒子(無機物)。又，作為無機粒子，例如可列舉由上述例示之無機物製備之複合無機物粒子，具體而言，可列舉由氧化物製備之複合無機氧化物粒子(具體而言為玻璃粒子等)。

作為無機粒子，較佳為列舉二氧化矽粒子、玻璃粒子。

作為有機粒子之有機材料，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、苯胍胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂等。

填料可單獨使用或併用。

關於填料之含有比率，相對於密封組合物，例如為1質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為80質量%以下，較佳為75質量% 以下。又，填料相對於熱硬化性樹脂100質量份之調配比率例如為10質量份以上，較佳為30質量份以上，又，例如為1,000質量份以下，較佳為200質量份以下。

作為螢光體，例如可列舉：可將藍色光轉換成黃色光之黃色螢光體、可將藍色光轉換成紅色光之紅色螢光體等。

作為黃色螢光體，可列舉：例如(Ba，Sr，Ca)₂SiO₄；Eu、(Sr，Ba)₂SiO₄：Eu(正矽酸鋇(BOS))等矽酸鹽螢光體；例如Y₃Al₅O₁₂：Ce(YAG(釔‧鋁‧石榴石)：Ce)、Tb₃Al₃O₁₂：Ce(TAG(鋱‧鋁‧石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶構造之石榴石型螢光體；及例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。

作為紅色螢光體，例如可列舉：CaAlSiN₃：Eu、CaSiN₂：Eu等氮化物螢光體等。

作為螢光體，較佳為列舉黃色螢光體，更佳為列舉石榴石型螢光體。

作為螢光體之形狀，例如可列舉：球狀、板狀、針狀等。

螢光體之最大長度之平均值(於為球狀之情形時為平均粒徑)例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，亦例如為200μm以下，較佳為100μm以下。

螢光體可單獨使用或併用。

關於螢光體之調配比率，相對於密封組合物，例如為5質量%以上，較佳為10質量%以上，又，例如為80質量%以下，較佳為70質量%以下。又，關於螢光體之調配比率，相對於熱硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如為90質量份以下，較佳為80質量份以下。

為了製備密封層10，例如調配上述熱硬化性樹脂及視需要調配之填料及/或螢光體，製備密封組合物之清漆，接下來，將其塗佈於剝離片9之表面。其後，使密封組合物進行B階化。具體而言，對密封組合物進行加熱。

加熱溫度例如為50℃以上，較佳為70℃以上，又，例如為120℃以下，較佳為100℃以下。加熱時間例如為5分鐘以上，較佳為10分鐘以上，又，例如為20分鐘以下，較佳為15分鐘以下。

藉此，如圖2A所示，獲得具備剝離片9及密封層10之密封片8。

繼而，如圖2A之箭頭及圖2B所示，將密封層10壓接於光半導體元件1。

藉此，光半導體元件1之對向面4與周側面5經密封層10被覆。又，自光半導體元件1露出之感壓接著片7(第1感壓接著層31)之上表面86亦經密封層10被覆。因此，密封層10具有與感壓接著片7(第1感壓接著層31)之上表面86接觸並與電極側面3於前後方向及左右方向上以同一平面形成之下表面15、及對向配置於下表面15之上側及光半導體元件1之對向面4之上側並由剝離片9保護之上表面16。

其後，如圖2B之箭頭所示，將剝離片9自密封層10剝離。

藉此，密封層10之上表面16成為於上側露出之露出面。

藉此，以暫時固定於感壓接著片7之狀態獲得具備複數個光半導體元件1及將複數個光半導體元件1密封之密封層10之密封光半導體元件11。

3.第1加熱步驟

如圖1所示，於密封步驟62之後實施第1加熱步驟63。

如圖2C所示，於第1加熱步驟63中對密封層10進行加熱。具體而言，將具備密封層10之密封光半導體元件11與感壓接著片7(帶支持基板之感壓接著片2)一併進行加熱。

加熱條件係將較密封層10完全硬化(C階化)之熱歷程H0少之熱歷程H1賦予至密封層10之條件。

另一方面，加熱條件係密封層10(所含有之熱硬化性樹脂)之硬化進行至C階化之前之狀態，另一方面，密封層10具有於以下說明之切斷步驟64(參照圖2D)中可耐受切斷裝置(具體而言為晶圓切割機12)之切斷之機械強度的條件。

另一方面，加熱條件係與密封層10一併被加熱之感壓接著層34(具體而言為第1感壓接著層31)所含有之光聚合起始劑(較佳為9-氧硫系光聚合起始劑)實質上不會反應之條件(即，完全不會反應或即便一部分進行反應，於以後之降低步驟65(參照圖3G)中，亦可利用剩餘部分使導入至樹脂組成部中之碳-碳雙鍵進行反應之條件。即，可抑制光聚合起始劑之實質性失活之條件)。

具體而言，熱歷程H1係由加熱溫度及加熱時間之程度表示。

例如，熱歷程H1係於低於熱歷程H0之加熱溫度之溫度下對密封光半導體元件11及感壓接著片7進行加熱，且於短於熱歷程H0之加熱時間之時間內進行加熱之熱歷程。

又，於熱歷程H1中，於在與熱歷程H0之加熱溫度相同之溫度下對密封光半導體元件11及感壓接著片7進行加熱之情形時，係於短於熱歷程H0之加熱時間之時間內進行加熱。

進而，於熱歷程H1中，於在與熱歷程H0之加熱時間相同之時間內對密封光半導體元件11及感壓接著片7進行加熱之情形時，係於低於熱歷程H0之加熱溫度之溫度下進行加熱。

詳細而言，加熱溫度例如為60℃以上，較佳為80℃以上，更佳為100℃以上，又，例如為170℃以下，較佳為150℃以下。

加熱時間例如為5分鐘以上，較佳為10分鐘以上，更佳為30分鐘以上，又，例如為10小時以下，較佳為4小時以下，更佳為2小時以下。

若加熱溫度及加熱時間為上述上限以下，則可抑制感壓接著劑所包含之光聚合起始劑之失活，因此，於下述降低步驟65(參照圖3G)中，光聚合起始劑使碳-碳雙鍵充分地反應，藉此，於感壓接著片剝離步驟53(參照圖3H)中，可有效地抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3(糊劑殘留)之情況。又，若加熱溫度及加熱時間為上述上限以下，則可使密封層10之硬化進行至C階化之前之狀態。

另一方面，若加熱溫度及加熱時間為上述下限以上，則密封層10於以下說明之切斷步驟64(參照圖2D)中可耐受切斷裝置之切斷。

具體而言，為了對密封層10進行加熱，將具備密封層10之密封光半導體元件11與感壓接著片7於上述條件下一併投入至烘箱90等加熱裝置(加熱爐)中。

加熱後之密封層10於25℃下之拉伸彈性模數例如為10MPa以上，較佳為20MPa以上，更佳為30MPa以上，進而較佳為40MPa以上，又，例如為100MPa以下。

若密封層10之拉伸彈性模數M1為上述下限以上，則密封層10可耐受以下說明之切斷步驟64(參照圖2D)中之切斷。

4.切斷步驟

如圖1所示，於第1加熱步驟63之後實施切斷步驟64。

如圖2D所示，於切斷步驟64中，將密封層10以與複數個光半導體元件1之各者對應之方式切斷。

於密封層10之切斷中，例如利用使用圓盤狀之晶圓切割機(切割刀片)12(參照圖2D)之切晶裝置、使用切割刀之切割裝置、雷射照射裝置等切斷裝置。較佳為使用切晶裝置。

藉由密封層10之切斷，於密封層10上沿密封層10之前後方向及左右方向形成切斷面14。

於前後方向上對向之切斷面14間(於圖2D中未圖示)之間隔L4、及於左右方向上對向之切斷面14間之間隔L4與上述光半導體元件1之間距L2相同或者近似，具體而言，前後方向長度及左右方向長度例如為0.01mm以上，較佳為0.02mm以上，又，例如為2.5mm以下，較佳為2mm以下。

5.支持基板去除步驟

如圖1所示，於切斷步驟64之後實施支持基板去除步驟51。

如圖3E所示，於支持基板去除步驟51中去除支持基板6。例如，將支持基板6自感壓接著片7剝離。詳細而言，將支持基板6自第2感壓接著層32之下表面剝離。

6.耐熱性片材貼合步驟

如圖1所示，於支持基板去除步驟51之後實施耐熱性片材貼合步驟52。

如圖3F所示，於耐熱性片材貼合步驟52中，將耐熱性片材28貼合於密封光半導體元件11。具體而言，首先如圖3E所示，將耐熱性片材28配置於密封光半導體元件11之上側，繼而如圖3F所示，使耐熱性片材28直接接觸密封層10之上表面16。

耐熱性片材28係利用具有微感壓接著性(黏性)之感壓接著劑而形成為片狀(層狀)。作為感壓接著劑，例如可列舉：聚矽氧系感壓接著劑、環氧系感壓接著劑等耐熱性感壓接著劑。作為感壓接著劑，較佳為列舉聚矽氧系感壓接著劑。又，作為耐熱性片材28，可使用市售品，例如可列舉耐熱微黏著片TRM系列(日東電工公司製造)等。耐熱性片材28之厚度例如為20μm以上，較佳為30μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。

藉由耐熱性片材貼合步驟52，並利用感壓接著片7及耐熱性片材28之兩者自上下兩側支持複數個密封光半導體元件11。密封光半導體元件11之上表面16直接接觸耐熱性片材28，並且密封光半導體元件11之下表面15、及光半導體元件1之電極側面3直接接觸第1感壓接著層 31。

7.降低步驟

如圖1所示，於耐熱性片材貼合步驟52之後實施降低步驟65。

於降低步驟65中，藉由處理使感壓接著片7(感壓接著層34，較佳為第1感壓接著層31)之感壓接著力降低。如圖3G所示，具體而言，對感壓接著片7(感壓接著層34)照射活性能量線。更具體而言，自設置於感壓接著片7(帶支持基板之感壓接著片2)之上側之放射源(未圖示)及/或設置於下側之放射源13對感壓接著片7(感壓接著層34)進行照射。較佳為如圖3G所示般自設置於感壓接著片7(帶支持基板之感壓接著片2)之下側之放射源13以透過支持基板6之方式對感壓接著片7(感壓接著層34)進行照射。

作為活性能量線，可列舉紫外線、電子束等。較佳為列舉紫外線。

作為放射源，例如可列舉：化學燈、準分子雷射、黑光燈、水銀弧燈、碳弧燈、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈等照射裝置。

照射量例如係於感壓接著層34(較佳為第1感壓接著層31)中之碳-碳雙鍵可實質上進行反應之條件，具體而言，設定為光聚合起始劑可實質上進行反應之條件。具體而言，照射量例如為100mJ/cm²，較佳為400mJ/cm²以上，又，例如為2000mJ/cm²，較佳為1000mJ/cm²以下。

藉由該降低步驟65，感壓接著層34(具體而言為第1感壓接著層31)之上表面86對光半導體元件1之電極側面3與密封層10之下表面15(與電極側面3以同一平面形成之露出面)之感壓接著力充分地降低。

另一方面，密封光半導體元件11對感壓接著層34(第1感壓接著層 31及第2感壓接著層32)之暫時固定得以確保，即，密封光半導體元件11一面以相對較小之感壓接著力(微黏著力)感壓接著(黏著)於感壓接著層34(第1感壓接著層31及第2感壓接著層32)，一面被支持基板6所支持。

此種感壓接著層34於25℃下之拉伸彈性模數例如為20MPa以上，較佳為40MPa以上，又，例如為100MPa以下，較佳為80MPa以下。

而且，上述感壓接著層34之拉伸彈性模數X、即依序實施第1加熱步驟63之加熱與降低步驟65之處理後之感壓接著層34於25℃下之拉伸彈性模數X相對於僅實施降低步驟65之處理(具體而言為活性能量線之照射)後之感壓接著層34於25℃下之拉伸彈性模數Y之比(X/Y)例如超過0.60，較佳為0.70以上，更佳為0.80以上，進而較佳為0.90以上，又，例如為1.00以下。

若上述比(X/Y)為上述下限以上，則於第1加熱步驟(參照圖7C)中，可抑制感壓接著劑中所包含之光聚合起始劑之失活，因此，於降低步驟65(參照圖3G)中，光聚合起始劑使碳-碳雙鍵充分地反應，藉此，於以下之感壓接著片剝離步驟53(參照圖3H)中，可有效地抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3(糊劑殘留)之情況。

8.感壓接著片剝離步驟

如圖1所示，於降低步驟65之後實施感壓接著片剝離步驟53。

如圖3H所示，於感壓接著片剝離步驟53中，將感壓接著片7自複數個密封光半導體元件11剝離。具體而言，將第1感壓接著層31自光半導體元件1之電極側面3及密封層10之下表面15剝離。

接下來，藉由圖3F所示之耐熱性片材貼合步驟52、及圖3H所示之感壓接著片剝離步驟53將複數個光半導體元件1自感壓接著片7轉印至耐熱性片材28(第1轉印步驟之實施)。於該轉印步驟之中途，於密封光半導體元件11支持於耐熱性片材28及感壓接著片7之狀態下如圖2G所示般實施降低步驟65。

9.第2加熱步驟

如圖1所示，於感壓接著片剝離步驟53之後實施第2加熱步驟66。

於第2加熱步驟66中，如圖4I所示，對密封光半導體元件11中之密封層10進行加熱。具體而言，將密封光半導體元件11與耐熱性片材28一併進行加熱。

加熱條件係將與密封層10(所含有之熱硬化性樹脂)完全硬化之熱歷程H0相同或較其多之熱歷程H2賦予至密封層10之條件。

熱歷程H2係由加熱溫度及加熱時間之程度表示。

具體而言，加熱溫度例如為100℃以上，較佳為150℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為170℃以下。又，加熱時間例如為1小時以上，較佳為3小時以上，更佳為5小時以上，又，例如為24小時以下，較佳為22小時以下。

更具體而言，於在第1加熱步驟63中將加熱溫度為80℃以上、120℃以下且加熱時間為30分鐘以上、2小時以下之熱歷程H1賦予至密封層10之情形時，於第2加熱步驟66中，將加熱溫度為150℃以上、170℃以下且加熱時間為5小時以上、22小時以下之熱歷程H2賦予至密封層10。

為了對密封層10進行加熱，將具備密封層10之密封光半導體元件11與耐熱性片材28於上述條件下一併投入至烘箱90等加熱裝置(加熱爐)中。

藉此，密封層10(所含有之熱硬化性樹脂)完全硬化(C階化)。

加熱後之密封層10於25℃下之拉伸彈性模數例如為50MPa以上，較佳為65MPa以上，又，例如為200MPa以下，較佳為100MPa 以下。

10.複數個轉印步驟、延伸步驟、檢查‧篩選步驟、剝離步驟

如圖1所示，於第2加熱步驟66之後實施複數個轉印步驟。

複數個轉印步驟具備第2轉印步驟69、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、及第6轉印步驟74。將第2轉印步驟69、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、及第6轉印步驟74按照其等之順序依序實施，並於其等之間、之前及之後之任一者實施延伸步驟68、檢查‧篩選步驟70及剝離步驟75。具體而言，依序實施第2轉印步驟69、延伸步驟68、檢查‧篩選步驟70、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、第6轉印步驟74、及剝離步驟75。

10-1.第2轉印步驟

如圖1所示，於第2加熱步驟66之後實施第2轉印步驟69。

如圖4J所示，於第2轉印步驟69中，將複數個密封光半導體元件11自耐熱性片材28轉印至作為轉印片之一例之第2轉印片22。

第2轉印片22係以沿面方向(前後方向及左右方向)延伸之方式構成且具有微感壓接著(黏著)性之延伸片。作為第2轉印片22，可列舉公知之轉印片。作為第2轉印片22，例如使用市售品，例如使用SPV系列(日東電工公司製造)等。

為了將複數個密封光半導體元件11自耐熱性片材28轉印至第2轉印片22，將第2轉印片22配置於複數個密封光半導體元件11之下側，接下來，如圖4J所示，使第2轉印片22之上表面與密封層10之下表面15、及光半導體元件1之電極側面3接觸。繼而，如圖4J之假想線所示，將耐熱性片材28自密封層10之上表面16剝離。

藉由該第2轉印步驟69，光半導體元件1之電極側面3與密封層10之下表面15由第2轉印片22被覆(感壓接著)。另一方面，密封層10之上表面16於上側露出。

再者，於第2轉印步驟69中，密封光半導體元件11係以維持密封層10中之切斷面14之方式自耐熱性片材28轉印至第2轉印片22。

10-2.延伸步驟

如圖1所示，於第2轉印步驟69之後實施延伸步驟68。

於延伸步驟68中，如圖4K所示，使第2轉印片22之周端緣(具體而言為前端緣及後端緣與右端緣及左端緣)向外側(即前後方向外側及左右方向外側)延伸。

藉此，於切斷面14間形成間隔18。即，複數個密封光半導體元件11之各者係相互隔開間隔18而支持於第2轉印片22。將相鄰之密封光半導體元件11隔開之間隔18之寬度W1例如為200μm以上，較佳為500μm以上。

上述第2轉印步驟69(參照圖4J)及延伸步驟68(參照圖4K)係本發明之延伸剝離步驟之一例。

10-3.檢查‧篩選步驟

如圖1所示，於延伸步驟68之後實施檢查‧篩選步驟70。

於第3轉印步驟70中，例如使用測試機等檢查複數個密封光半導體元件11之各者係具有所需之發光波長及/或發光效率之良品或不具有所需之發光波長及/或發光效率之不良品。

其後，雖未圖示，但將判別為不良品之密封光半導體元件11去除。另一方面，如圖4L所參照般，僅留下判定為良品之密封光半導體元件11。

10-4.第3轉印步驟

如圖1所示，於檢查‧篩選步驟70之後實施第3轉印步驟71。

如圖4L所示，於第3轉印步驟71中，將密封光半導體元件11自第2轉印片22轉印至第3轉印片23。作為第3轉印片23，可列舉公知之轉印片，具體而言，可列舉與第2轉印片22相同之轉印片。

於將密封光半導體元件11自第2轉印片22轉印至第3轉印片23時，將密封光半導體元件11自第2轉印片22移載至第3轉印片23。即，於第3轉印步驟71中，光半導體元件1之電極側面3與密封層10之下表面15亦由第3轉印片23之上表面被覆。又，於第3轉印步驟71中，密封層10之上表面16亦於上側露出。

具體而言，使用日本專利特開2014-168032號公報、日本專利特開2014-168033號公報、日本專利特開2014-168034號公報、日本專利特開2014-168035號公報、日本專利特開2014-168036號公報等所記載之具備按壓構件及抽吸構件之拾取裝置等將密封光半導體元件11自第2轉印片22移載至第3轉印片23。即，使拾取裝置之抽吸構件(未圖示)接觸上表面16，將電極側面3與下表面15自第2轉印片22剝離，其後，使電極側面3與下表面15接觸(感壓接著)第3轉印片23之上表面。其後，將抽吸構件自上表面16提起。此時，複數個密封光半導體元件11再次於前後方向及左右方向上隔開間隔L5而整行配置於第3轉印片23之上。間隔L5例如為0.1mm以上，較佳為0.2mm以上，又，例如為2mm以下，較佳為1mm以下。

10-5.第4轉印步驟

如圖1所示，於第3轉印步驟71之後實施第4轉印步驟72。

於第4轉印步驟72中，如圖5M所示，將複數個密封光半導體元件11自第3轉印片23轉印至第4轉印片24。作為第4轉印片24，可列舉公知之轉印片，具體而言，可列舉與第2轉印片22相同之轉印片。利用與上述第3轉印步驟71相同之方法實施第4轉印步驟72。

10-6.第5轉印步驟

如圖1所示，於第4轉印步驟72之後實施第5轉印步驟73。

於第5轉印步驟73中，如圖5N所示，將複數個密封光半導體元件11自第4轉印片24轉印至第5轉印片25。作為第5轉印片25，可列舉公知之轉印片，可列舉與第2轉印片22相同之轉印片。

利用與第3轉印步驟71(參照圖4J)相同之方法實施第5轉印步驟73。

10-7.第6轉印步驟

如圖1所示，於第5轉印步驟73之後實施第6轉印步驟74。

於第6轉印步驟74中，如圖5O所示，將複數個密封光半導體元件11自第5轉印片25轉印至第6轉印片26。作為第6轉印片26，可列舉公知之轉印片，具體而言，可列舉與第2轉印片22相同之轉印片。利用與上述第2轉印步驟69(參照圖4J)相同之方法實施第6轉印步驟74。

再者，於第6轉印片26之周端緣設置有以把持該周端緣而使周端緣(具體而言為前端緣及後端緣與左端緣及右端緣)不會向內側(具體而言為前後方向外側及左右方向外側)移動之方式構成之支持部19。支持部19包含金屬等，於俯視下具有大致框形狀(具體而言為環形狀)。

10-6.剝離步驟

如圖1所示，於第6轉印步驟74之後實施剝離步驟75。

於剝離步驟75中，如圖5O之箭頭所示，利用上述拾取裝置(未圖示)等將複數個密封光半導體元件11之各者自第6轉印片26剝離。

具體而言，利用拾取裝置之按壓構件(未圖示)自第6轉印片26之下側將與密封光半導體元件11對應之第6轉印片26向上推(按壓)而將密封光半導體元件11上推至上側。此時，第6轉印片26之周端緣由支持部19支持而不會向內側移動。接下來，使拾取裝置之抽吸構件(未圖示)接觸密封光半導體元件11之上表面16，一面抽吸密封光半導體元件11，一面將其自第6轉印片26剝離。

即，將光半導體元件1之電極側面3與密封層10之下表面15自第6轉印片26之上表面剝離。

藉此，如圖5O之假想線所示，於自第6轉印片26剝離之狀態下獲得具備光半導體元件1及將光半導體元件1密封之密封層10之密封光半導體元件11。

密封光半導體元件11並非發光裝置30(參照圖5P)，即不包含發光裝置30所具備之基板29。即，密封光半導體元件11係以其電極(未圖示)尚未與設置於發光裝置30之基板29之端子(未圖示)電性連接之方式構成。又，密封光半導體元件11係發光裝置30之一零件，即係用以製作發光裝置30之零件，且係可作為零件單獨流通且可於產業上利用之裝置。密封光半導體元件11僅由較佳為光半導體元件1與密封層10構成。

又，本發明之半導體裝置之製造方法之第1實施形態具備利用上述密封光半導體元件11之製造方法(參照圖2A~圖5O)製造密封光半導體元件11之步驟、及將密封光半導體元件11安裝於基板29之安裝步驟76。

11.安裝步驟

如圖1所示，於剝離步驟75之後實施安裝步驟76。

於安裝步驟76中，如圖5P所示，將密封光半導體元件11安裝於基板29。

基板29具有大致平板形狀，例如為絕緣基板。又，基板29具備配置於上表面之端子(未圖示)。

為了將密封光半導體元件11安裝於基板29，將形成於密封光半導體元件11之電極側面3之電極(未圖示)電性連接於基板29之端子。即，將密封光半導體元件11覆晶安裝於基板29。再者，使密封層10之下表面15接觸基板29之上表面。

藉此，獲得具備基板29及密封光半導體元件11之作為半導體裝置之一例之發光裝置30。

較佳為發光裝置30僅由基板29、光半導體元件1、及密封層10構成。

<第1實施形態之作用效果>

而且，根據上述密封光半導體元件11之製造方法，於第1加熱步驟63中，如圖2C所示，於降低步驟65之前，以較熱硬化性樹脂完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H1賦予至熱硬化性樹脂之方式對密封層10進行加熱，因此可抑制第1加熱步驟63中之感壓接著片7之感壓接著力之降低。因此，與於第1加熱步驟63及第2加熱步驟66之後實施降低步驟65並且第2加熱步驟66中之感壓接著片7之感壓接著力大幅降低之情形時相比，於降低步驟65中，如圖3H所示，可充分地降低感壓接著片7之感壓接著力。因此，於感壓接著片剝離步驟53中，可容易且確實地將密封光半導體元件11自感壓接著片7剝離，從而可抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3。

另一方面，該光半導體元件1之製造方法與於降低步驟65之後實施第1加熱步驟63及第2加熱步驟66之情形時相比，於感壓接著片剝離步驟53中，如圖4J所示，亦可容易且確實地將密封光半導體元件11自感壓接著片7剝離，從而可抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3。

因此，可製造電性連接可靠性優異之密封光半導體元件11。

另一方面，如圖4I所示，可預先利用第2加熱步驟66使密封層10之熱硬化性樹脂熱硬化，因此可簡單且確實地提高密封層10對光半導體元件1之密封性。

其結果，可製造密封性及電性連接可靠性優異之密封光半導體元件11。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，上述比(X/Y)為特定值以上，因此可有效地抑制第1加熱步驟63中之感壓接著片7之感壓接著力之降低。因此，於降低步驟65中，如圖3H所示，可進一步充分地降低感壓接著片7之感壓接著力。因此，於感壓接著片剝離步驟53中，如圖3H所示，可容易且確實地將密封光半導體元件11自感壓接著片7剝離，從而可有效地抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，如圖2C所示，可利用第1加熱步驟63逐漸進行密封層10之熱硬化，藉此，如圖2D所示，可提高於第1加熱步驟63之後實施之切斷步驟64中之密封層10之機械強度。因此，可將密封層10確實地切斷。其結果，可一面將密封光半導體元件11中之密封層10確實地切斷，一面有效率地製造複數個密封光半導體元件11。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，於實施圖4I所示之第2加熱步驟66時，如圖3H所示，於感壓接著片剝離步驟53中，感壓接著片7已經自密封光半導體元件11剝離。因此，可防止第2加熱步驟66中之感壓接著片7向密封光半導體元件11之附著。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，於圖3G所示之降低步驟65之前，如圖3F所示，將耐熱性片材28貼合於密封光半導體元件11。因此，即便藉由加熱實施降低步驟65，亦可一面利用耐熱性片材支持密封光半導體元件11，一面實施降低步驟65。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，如圖4J所示，可將支持於第2轉印片22之密封光半導體元件11用於各種用途。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，於第2轉印步驟69(參照圖4J)及延伸步驟68(參照圖4K)中，使轉印有密封光半導體元件11之第2轉印片22沿面方向延伸，並將密封光半導體元件11自第2轉印片22剝離。因此，確實地形成相鄰之密封光半導體元件11間之間隔18，如圖4L所示，例如於第3轉印步驟71中，可將複數個密封光半導體元件11之各者自第2轉印片22確實地剝離。

又，於該密封光半導體元件11之製造方法中，於降低步驟65中，如圖3G所示，對感壓接著片7照射活性能量線，因此可簡單地降低感壓接著片7之感壓接著力。

又，根據上述發光裝置30之製造方法，如圖5P所示，將感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3之情況得以抑制之密封光半導體元件11安裝於基板29，因此可製造可靠性優異之發光裝置30。

<第1實施形態之變化例>

於變化例中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。

於第1實施形態中，作為半導體元件之一例，列舉了LED或LD等光半導體元件1，例如亦可為將電能轉換成光以外之能量、具體而言信號能量等之半導體元件，具體而言，亦可列舉電晶體等整流器等。

於第1實施形態中，如圖1所示，複數個轉印步驟實施第2轉印步驟69、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73及第6轉印步驟74，但亦可不實施其等之全部。例如，雖未圖示，亦可實施第2轉印步驟69、第3轉印步驟71及第4轉印步驟72，省略(不實施)第5轉印步驟73及第6轉印步驟74，其後，依序實施剝離步驟75及安裝步驟76。

又，由2層、即第1感壓接著層31及第2感壓接著層32形成感壓接著層34，亦可僅由1層、具體而言第1感壓接著層31形成感壓接著層34。於此情形時，感壓接著片7僅由第1感壓接著層31構成。感壓接著片7亦可不具備支持片33。即，感壓接著片7只要至少具備感壓接著層34即可。

<第2實施形態>

於第2實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。

如圖6所示，本發明之密封半導體元件之製造方法之第2實施形態具備元件準備步驟61、密封步驟62、第1加熱步驟63、切斷步驟64、降低步驟65、及第2加熱步驟66。又，第2實施形態具備複數個轉印步驟(第1轉印步驟67、第2轉印步驟69、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、第6轉印步驟74)、延伸步驟68、檢查‧篩選步驟70、及剝離步驟75。以下，對各步驟進行說明。

1.元件準備步驟

於元件準備步驟61中，如圖7A所示，將複數個光半導體元件1配置於感壓接著片7之上。

2.密封步驟

如圖6所示，於元件準備步驟61之後實施密封步驟62。

於密封步驟62中，如圖7B所示，利用密封層10將感壓接著於感壓接著片7之光半導體元件1密封。

3.第1加熱步驟

如圖6所示，於密封步驟62之後實施第1加熱步驟63。

如圖7C所示，於第1加熱步驟63中對密封層10進行加熱。具體而言，將具備密封層10之密封光半導體元件11與帶支持基板之感壓接著片2一併進行加熱。

4.切斷步驟

如圖6所示，於第1加熱步驟63之後實施切斷步驟64。

如圖7D所示，於切斷步驟64中，將密封層10以與複數個光半導體元件1之各者對應之方式切斷。

5.降低步驟

如圖6所示，於切斷步驟64之後實施降低步驟65。

於降低步驟65中，如圖8E所示，藉由處理使感壓接著片7(感壓接著層34)之感壓接著力降低。

再者，密封光半導體元件11對感壓接著層34(第1感壓接著層31及第2感壓接著層32)之暫時固定得以確保，即，密封光半導體元件11一面以相對較小之感壓接著力(微黏著力)感壓接著(黏著)於感壓接著層34(第1感壓接著層31及第2感壓接著層32)，一面支持於支持基板6。

此種感壓接著層34於25℃下之拉伸彈性模數X例如為20MPa以上，較佳為40MPa以上，又，例如為100MPa以下，較佳為80MPa以下。

若上述比(X/Y)為上述下限以上，則於第1加熱步驟(參照圖7C)中，可抑制感壓接著劑所包含之光聚合起始劑之失活，因此，於降低步驟65(參照圖8E)中，光聚合起始劑使碳-碳雙鍵充分地反應，藉此，於轉印步驟(參照圖8G)中，可有效地抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3(糊劑殘留)。

6.第2加熱步驟

如圖6所示，於降低步驟65之後實施第2加熱步驟66。

於第2加熱步驟66中，如圖8F所示，對密封光半導體元件11中之密封層10進行加熱。具體而言，將密封光半導體元件11與帶支持基板之感壓接著片2一併進行加熱。

熱歷程H2係由加熱溫度及加熱時間之程度表示。

7.複數個轉印步驟、延伸步驟、檢查‧篩選步驟、剝離步驟

如圖6所示，於第2加熱步驟66之後實施複數個轉印步驟。

複數個轉印步驟具備作為剝離步驟之一例之第1轉印步驟67、第2轉印步驟69、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、及第6轉印步驟74。將第1轉印步驟67、第2轉印步驟69、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、及第6轉印步驟74按照其等之順序依序實施，並於其等之間、之前及之後之任一者實施延伸步驟68、檢查‧篩選步驟70及剝離步驟75。具體而言，依序實施第1轉印步驟67、延伸步驟68、第2轉印步驟69、檢查‧篩選步驟70、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、第6轉印步驟74、及剝離步驟75。

7-1.第1轉印步驟

如圖6所示，於第2加熱步驟66之後實施第1轉印步驟67。

於第1轉印步驟67中，如圖8G所示，將密封光半導體元件11自感壓接著片7轉印至作為轉印片之一例之第1轉印片21。

第1轉印片21係以沿面方向(前後方向及左右方向)延伸之方式構成且具有微感壓接著(黏著)性之延伸片。作為第1轉印片21，可列舉公知之轉印片。作為第1轉印片21，例如使用市售品，例如使用SPV系列(日東電工公司製造)等。

為了將密封光半導體元件11自感壓接著片7轉印至第1轉印片21，將第1轉印片21配置於密封光半導體元件11之上側，接下來，如圖8G所示，使第1轉印片21之下表面與密封層10之上表面16接觸。繼而，如圖8G之假想線所示，將密封層10之下表面15與光半導體元件1之電極側面3自感壓接著片7(第1感壓接著層31)之上表面86剝離。即，將密封光半導體元件11自感壓接著片7(第1感壓接著層31)剝離(剝離步驟)。

藉由第1轉印步驟67，光半導體元件1之電極側面3與密封層10之下表面15於下側露出。另一方面，密封層10之上表面16由第1轉印片21被覆(感壓接著)。

再者，於第1轉印步驟67中，密封光半導體元件11係以維持密封層10中之切斷面14之方式自感壓接著片7轉印至第1轉印片21。

7-2.延伸步驟

如圖6所示，於第1轉印步驟67之後實施延伸步驟68。

於延伸步驟68中，如圖8H所示，使第1轉印片21之周端緣(具體而言為前端緣及後端緣與右端緣及左端緣)向外側(即前後方向外側及左右方向外側)延伸。

上述第1轉印步驟67(參照圖8G)及延伸步驟68(參照圖8H)係本發明之延伸剝離步驟之一例。

7-3.第2轉印步驟

如圖6所示，於延伸步驟68之後實施第2轉印步驟69。

如圖8I所示，於第2轉印步驟69中，將複數個密封光半導體元件11自第1轉印片21轉印至第2轉印片22。作為第2轉印片22，可列舉公知之轉印片，具體而言，可列舉與第1轉印片21相同之轉印片。

為了將複數個密封光半導體元件11自第1轉印片21轉印至第2轉印片22，如圖8H所示，將第2轉印片22配置於複數個密封光半導體元件11之下側，接下來，如圖8I所示，使第2轉印片22之上表面與密封層10之下表面15、及光半導體元件1之電極側面3接觸。繼而，將密封層10之上表面16自第1轉印片21之上表面剝離。

再者，複數個密封光半導體元件11係以維持間隔18之方式自第1 轉印片21轉印至第2轉印片22。

7-4.檢查‧篩選步驟

如圖6所示，於第2轉印步驟69之後實施檢查‧篩選步驟70。

接下來，於該第2實施形態中實施元件準備步驟61、密封步驟62、第1加熱步驟63、切斷步驟64、降低步驟65、第2加熱步驟66、第1轉印步驟67、延伸步驟68、第2轉印步驟69、檢查‧篩選步驟70、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、第6轉印步驟74、及剝離步驟75。其後，實施安裝步驟76。

<第2實施形態之作用效果>

而且，根據上述密封光半導體元件11之製造方法，於第1加熱步驟63中，如圖7C所示，於降低步驟65之前，以將較熱硬化性樹脂完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H1賦予至熱硬化性樹脂之方式對密封層10進行加熱，因此可抑制第1加熱步驟63中之感壓接著片7之感壓接著力之降低。因此，與於第1加熱步驟63及第2加熱步驟66之後實施降低步驟65並且第2加熱步驟66中之感壓接著片7之感壓接著力大幅降低之情形時相比，於降低步驟65中，如圖8E所示，可充分地降低感壓接著片7之感壓接著力。因此，於第1轉印步驟67中，如圖8G所示，可容易且確實地將密封光半導體元件11自感壓接著片7剝離，從而可抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3。

另一方面，該光半導體元件1之製造方法與於降低步驟65之後實施第1加熱步驟63及第2加熱步驟66之情形時相比，於第1轉印步驟67中，如圖8G所示，亦可容易且確實地將密封光半導體元件11自感壓接著片7剝離，從而可抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3。

因此，可製造電性連接可靠性優異之密封光半導體元件11。

另一方面，如圖8F所示，可預先利用第2加熱步驟66使密封層10 之熱硬化性樹脂熱硬化，因此，可簡單且確實地提高密封層10對光半導體元件1之密封性。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，上述比(X/Y)為特定值以上，因此，可有效地抑制第1加熱步驟63中之感壓接著片7之感壓接著力之降低。因此，於降低步驟65中，如圖8E所示，可進一步充分地降低感壓接著片7之感壓接著力。因此，於第1轉印步驟67中，如圖8G所示，可容易且確實地將密封光半導體元件11自感壓接著片7剝離，從而可有效地抑制感壓接著劑附著於光半導體元件1之電極側面3。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，如圖7C所示，可藉由第1加熱步驟63逐漸進行密封層10之熱硬化，藉此，如圖7D所示，可提高於第1加熱步驟63之後實施之切斷步驟64中之密封層10之機械強度。因此，可將密封層10確實地切斷。其結果，可一面將密封光半導體元件11中之密封層10確實地切斷，一面有效率地製造複數個密封光半導體元件11。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，如圖8G所示，可將支持於第1轉印片21之密封光半導體元件11用於各種用途。

進而，根據該密封光半導體元件11之製造方法，於第1轉印步驟67(參照圖8G)及延伸步驟68(參照圖8H)中，使轉印有密封光半導體元件11之第1轉印片21沿面方向延伸，並將密封光半導體元件11自第1轉印片21剝離。因此，確實地形成相鄰之密封光半導體元件11間之面方向上之間隔18，例如，如圖8I所示，於第2轉印步驟69中，可將複數個密封光半導體元件11之各者自第1轉印片21確實地剝離。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，於如圖8F所示般於第2加熱步驟66中使密封層10完全硬化，其後，如圖8G所示般於第1轉印步驟67中將密封光半導體元件11轉印至第1轉印片21時，密封層10已經完全硬化，因此可將密封光半導體元件11中之密封層10自感壓接著片7確實地剝離。

又，於該密封光半導體元件11之製造方法中，於降低步驟65中，如圖8E所示，對感壓接著片7照射活性能量線，因此可簡單地降低感壓接著片7之感壓接著力。

<第3實施形態>

於第3實施形態中，對與第1~第2實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。

於第2實施形態中，如圖8E所示，於降低步驟65中，對感壓接著片7照射活性能量線。然而，降低步驟65只要為可降低感壓接著片7之感壓接著力之處理，則並無特別限定。於第3實施形態中，例如雖未圖示，但於降低步驟65中對感壓接著片7進行加熱。

1.元件準備步驟

於元件準備步驟61中，如圖7A所參照般，感壓接著片7係利用以藉由加熱而感壓接著力降低之方式構成之感壓接著劑以片狀(層狀)形成。

作為感壓接著劑，例如可列舉發泡性樹脂組合物。發泡性樹脂組合物例如含有基礎感壓接著劑與發泡劑。

作為基礎感壓接著劑，例如可列舉：丙烯酸系接著劑、橡膠系接著劑、乙烯基烷基醚系接著劑、聚矽氧系接著劑、聚酯系接著劑、聚醯胺系接著劑、胺基甲酸酯系接著劑、氟系接著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系接著劑等。此種基礎感壓接著劑亦可單獨使用或併用。較佳為列舉丙烯酸系基礎感壓接著劑。

作為發泡劑，例如可列舉：熱膨脹性微小球、無機系發泡劑、有機系發泡劑等，較佳為列舉熱膨脹性微小球。熱膨脹性微小球係經微膠囊化之發泡劑，例如包含構成具有彈性之外殼之殼及內包於該殼之內包物。作為形成殼之材料，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。內包物係藉由加熱而氣化並膨脹之物質，例如可列舉：異丁烷、丙烷、戊烷等。再者，作為熱膨脹性微小球，可使用市售品，例如可列舉Matsumoto Microsphere(松本油脂製藥公司製造)等。關於發泡劑之含有比率，相對於基礎感壓接著劑100質量份，例如為5質量份以上，較佳為10質量份以上，例如為50質量份以下，較佳為30質量份以下。

為了製備發泡性樹脂組合物，製備基礎感壓接著劑，繼而，於其中調配發泡劑或於製備基礎感壓接著劑之前之原料中調配發泡劑。進而，亦可於製備基礎感壓接著劑之中途調配發泡劑。

感壓接著片7之厚度例如為5μm以上，較佳為10μm以上，例如為100μm以下，較佳為50μm以下。

又，於元件準備步驟61中，可使用市售品作為感壓接著片7，例如可列舉Revalpha(日東電工公司)等。

2.降低步驟

於降低步驟65中，雖未於圖8E中進行圖示，但對感壓接著片7進行加熱。具體而言，將感壓接著片7與密封光半導體元件11及支持基板6一併進行加熱。

加熱條件係將較密封光半導體元件11中之密封層10完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H3賦予至密封層10之條件。

熱歷程H3係由加熱溫度及加熱時間之程度表示。

具體而言，加熱溫度亦取決於以下說明之加熱時間，例如與將熱歷程H1賦予至感壓接著片7之溫度相同或較其高。具體而言，加熱溫度係與於感壓接著片7中開始自發泡劑產生氣體之溫度相同或較其高之溫度，更具體而言，係殼軟化或熔融並且內包物氣化並膨脹之溫度或較其高之溫度。詳細而言，加熱溫度例如為100℃以上，較佳為200℃以上，又，例如為250℃以下，較佳為220℃以下。

加熱時間例如與將熱歷程H0(密封光半導體元件11中之密封層10完全硬化之熱歷程H0)賦予至感壓接著片7之時間相同或較其短，較佳為與將熱歷程H1(於第1加熱步驟63中賦予至密封層10之熱歷程H1)賦予至感壓接著片7之時間相同或較其短。具體而言，例如為1秒以上，較佳為10秒以上，更佳為20秒以上，又，例如為100秒以下，較佳為60秒以下。

於加熱溫度及加熱時間為上述上限以下之情形時，可更確實地將熱歷程H3設定為少於密封光半導體元件11中之密封層10完全硬化之熱歷程H0。另一方面，於加熱溫度及加熱時間為上述下限以上之情形時，於降低步驟65中，可於感壓接著片7中自發泡劑充分地產生氣體，因此，可充分地降低感壓接著片7之感壓接著力。

<第3實施形態之作用效果>

根據該第3實施形態，亦可發揮與第1實施形態及第2實施形態相同之作用效果。即，於降低步驟65中，如圖8E所參照般，可簡單地降低感壓接著片7之感壓接著力。

又，根據該第3實施形態，與第1實施形態及第2實施形態不同，無須準備用以對感壓接著片7照射活性能量線之放射源13(參照圖3G及圖8E)，例如可將用以實施第1加熱步驟63及第2加熱步驟66之加熱裝置(具體而言為烘箱等)直接轉用於降低步驟65。因此，可使製造設備簡易，可降低密封光半導體元件11之製造成本，進而，可降低發光裝置30之製造成本。

另一方面，根據第1實施形態及第2實施形態，於降低步驟65 中，可不如第3實施形態般計算並設定密封層10完全硬化之熱歷程H3而確實且簡易地實施降低步驟65。

<第4實施形態>

於第4實施形態中，對與第1~第3實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。

於第2實施形態中，如圖6所示，實施第2加熱步驟66，其後，實施第1轉印步驟67。然而，於第4實施形態中，例如，如圖10所示，實施第1轉印步驟67，其後，實施第2加熱步驟66。

又，於第1實施形態中，如圖1所示，於降低步驟65之前後(隔著降低步驟65)實施支持基板剝離步驟51及感壓接著片剝離步驟53，而將密封光半導體元件11自耐熱性片材28轉印至第2轉印片22(第1轉印步驟)。然而，於第4實施形態中，如圖10所示，於降低步驟65之後實施將密封光半導體元件11自感壓接著片7一次性轉印至耐熱性片材28之第1轉印步驟67。

1.元件準備步驟

於元件準備步驟61中，如圖2A所參照般，感壓接著片7中之感壓接著層34中之第1感壓接著層31及第2感壓接著層32均可包含例如藉由照射活性能量線而感壓接著力降低之感壓接著劑。

2.第1轉印步驟

如圖10所示，於降低步驟65之後實施第1轉印步驟67。

於第1轉印步驟67中，如圖11A所示，將密封光半導體元件11(參照圖8E)自感壓接著片7轉印至耐熱性片材28。

耐熱性片材28係利用具有微感壓接著(黏著)性之感壓接著劑以片狀(層狀)形成。作為感壓接著劑，例如可列舉：聚矽氧系感壓接著劑、環氧系感壓接著劑等耐熱性感壓接著劑。作為感壓接著劑，較佳為列舉聚矽氧系感壓接著劑。又，作為耐熱性片材28，可使用市售品，例如可列舉耐熱微黏著片TRM系列(日東電工公司製造)等。耐熱性片材28之厚度例如為20μm以上，較佳為30μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。

於該第1轉印步驟67中，首先，將耐熱性片材28配置於密封光半導體元件11之上側，繼而，如圖11A所示，使耐熱性片材28之下表面接觸密封光半導體元件11之上表面16。接下來，如圖11A之假想線所示，將感壓接著片7(第1感壓接著層31)之上表面自密封光半導體元件11中之下表面15與電極側面3剝離。

藉此，密封層10之上表面16由耐熱性片材28之下表面被覆(感壓接著)。又，光半導體元件1之電極側面3與密封層10之下表面15於下側露出。

3.第2加熱步驟

如圖10所示，於第1轉印步驟67之後實施第2加熱步驟66。

於第2加熱步驟66中，如圖11B所示，密封光半導體元件11之密封層10係於由耐熱性片材28支持之狀態下被加熱而完全硬化。具體而言，將密封光半導體元件11與耐熱性片材28投入至烘箱90等加熱裝置並對其等進行加熱。

4.第7轉印步驟

如圖10所示，於第2加熱步驟66之後實施第7轉印步驟77。

第7轉印步驟77係轉印步驟之一例。於第7轉印步驟77中，如圖11C所示，將密封光半導體元件11自耐熱性片材28轉印至作為轉印片之一例之第2轉印片22。第2轉印片22係與第1轉印片21相同之延伸片。

5.延伸步驟

如圖10所示，於第7轉印步驟77之後實施延伸步驟68。

接下來，於該第4實施形態中，依序實施元件準備步驟61、密封步驟62、第1加熱步驟63、切斷步驟64、降低步驟65、第1轉印步驟67、第2加熱步驟66、第7轉印步驟77、延伸步驟68、第2轉印步驟69、檢查‧篩選步驟70、第3轉印步驟71、第4轉印步驟72、第5轉印步驟73、第6轉印步驟74、及剝離步驟75。其後，實施安裝步驟76。

<第4實施形態之作用效果>

根據該第4實施形態，於第1轉印步驟67中，如圖11A所示，將密封光半導體元件11(參照圖8E)自感壓接著片7轉印至耐熱性片材28，其後，如圖11B所示，實施第2加熱步驟66，因此，於第2加熱步驟66中，可一面利用耐熱性片材28支持密封光半導體元件11，一面使密封光半導體元件11中之密封層10完全硬化。

又，根據該第4實施形態，如圖11B所示，於第2加熱步驟66中使密封層10完全硬化，其後，於第7轉印步驟77中將密封光半導體元件11轉印至第2轉印片22時，密封層10已經完全硬化，因此，可將密封光半導體元件11中之密封層10自感壓接著片7確實地剝離。

又，根據該光半導體元件1之製造方法，如圖11C所示，於第2加熱步驟66之後將密封光半導體元件11自耐熱性片材28轉印至第2轉印片22，因此，可將支持於第2轉印片22之密封光半導體元件11用於各種用途。

<第5實施形態>

於第5實施形態中，對與第1~第4實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。

於第1~第4實施形態中，如圖1、圖6及圖10所示，於降低步驟65之前實施切斷步驟64。然而，於第5實施形態中，如圖12所示，於降低步驟65之後實施切斷步驟64。

於該第5實施形態中，具體而言，於第1轉印步驟67之後實施切斷步驟64。

詳細而言，於第5實施形態中，依序實施元件準備步驟61(參照圖7A)、密封步驟62(參照圖7B)、第1加熱步驟63(參照圖7C)、降低步驟65(參照圖13A)、作為剝離步驟之一例之第8轉印步驟78(參照圖13B)、第2加熱步驟66(參照圖13C)、作為轉印步驟之一例之第1轉印步驟67(參照圖13D)、切斷步驟64(參照圖13E)、延伸步驟68(參照圖8H)、作為轉印步驟之一例之第2轉印步驟69(參照圖8I)、檢查‧篩選步驟70(參照圖9J)、第3轉印步驟71(參照圖9J)、第4轉印步驟72(參照圖9K)、第5轉印步驟73(參照圖9L)、第6轉印步驟74(參照圖9M)及剝離步驟75(參照圖9M之箭頭及假想線)。

1.元件準備步驟

於元件準備步驟61中，如圖7A所參照般，自感壓接著層34形成感壓接著片7。具體而言，利用以藉由加熱而感壓接著力降低之方式構成之感壓接著劑以片狀(層狀)形成感壓接著層34。作為感壓接著劑，可列舉第3實施形態中所例示之發泡性樹脂組合物等。

2.降低步驟

如圖13A所示，於降低步驟65中，較佳為藉由加熱使感壓接著片7之感壓接著力降低，並且將支持基板6自感壓接著片7剝離(支持基板去除步驟)。即，將支持基板6之上表面(參照圖7A)自第2感壓接著層32之下表面85剝離，從而將支持基板6自感壓接著片7去除。

藉此，第2感壓接著層32之下表面85於下側露出。

加熱條件係將上述熱歷程H3(較密封層10完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H3)賦予至密封層10之條件，具體而言，加熱溫度例如為80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如為170℃以下，較佳為150℃以下。又，加熱時間例如為0.1小時以上，較佳為0.5小時以上，又，例如為5小時以下，較佳為2小時以下。

3.第8轉印步驟

如圖12所示，於降低步驟65之後實施第8轉印步驟78。

於第8轉印步驟78中，如圖13B所示，將密封光半導體元件11自感壓接著片7轉印至耐熱性片材28。

具體而言，將耐熱性片材28配置於密封光半導體元件11之上側，繼而，如圖13B所示，使耐熱性片材28之下表面接觸密封層10之上表面16，繼而，如圖13B之假想線所示，將密封光半導體元件11中之光半導體元件1之電極側面3、及密封層10之下表面15自感壓接著片7(第1感壓接著層31)剝離。

藉由第8轉印步驟78，光半導體元件1之電極側面3與密封層10之下表面15於下側露出。又，藉由第8轉印步驟78，密封層10之上表面16由耐熱性片材28之下表面被覆(感壓接著)。

4.第2加熱步驟

如圖12所示，於第8轉印步驟78之後實施第2加熱步驟66。

如圖13C所示，於第2加熱步驟66中，將密封光半導體元件11與耐熱性片材28投入至烘箱90等加熱裝置。

5.第1轉印步驟

如圖12所示，於第2加熱步驟66之後實施第1轉印步驟67。

如圖13D所示，將密封光半導體元件11自耐熱性片材28轉印至作為轉印片之一例之第1轉印片21。

於將密封光半導體元件11自耐熱性片材28轉印至第1轉印片21時，將密封光半導體元件11自耐熱性片材28移載至第1轉印片21。電極側面3與下表面15露出，上表面16由耐熱性片材28被覆。

6.切斷步驟

如圖12所示，於第1轉印步驟67之後實施切斷步驟64。

<第5實施形態之作用效果>

根據該密封光半導體元件11之製造方法，藉由第2加熱步驟66，如圖13C所示，可使密封層10完全硬化，從而如圖13E所示，可提高於第2加熱步驟66之後實施之切斷步驟64中之密封層10之機械強度。因此，於切斷步驟64中，可該密封層10確實地切斷。其結果，可一面將密封層10確實地切斷，一面有效率地製造複數個密封光半導體元件11。

又，根據該密封光半導體元件11之製造方法，如圖13B所示，於第8轉印步驟78中，將密封光半導體元件11轉印至耐熱性片材28，其後，如圖13C所示，實施第2加熱步驟66，因此，於第2加熱步驟66中，可一面利用耐熱性片材28支持密封光半導體元件11，一面使密封光半導體元件11中之密封層10完全硬化。

又，根據該光半導體元件1之製造方法，如圖13D所示，於第2加熱步驟66之後，將密封光半導體元件11自耐熱性片材28轉印至第1轉印片21，因此，可將支持於第1轉印片21之密封光半導體元件11用於各種用途。

進而，根據該密封光半導體元件11之製造方法，於第1轉印步驟67及延伸步驟68中，如圖8H及圖8I所示，使轉印有密封光半導體元件11之轉印片21沿前後方向及左右方向延伸，並將密封光半導體元件11自第1轉印片21剝離，因此，可確實地形成相鄰之密封光半導體元件11間之正交方向上之間隔18，從而可將複數個密封光半導體元件11之各者自第1轉印片21確實地剝離。

<變化例>

可將第1實施形態~第5實施形態適當進行組合。

例如，可將第2實施形態及第3實施形態進行組合，並於降低步驟65中同時地或依序實施對感壓接著片7之活性能量線之照射與對感壓接著片7之加熱。

進而，本發明依序實施密封步驟、第1加熱步驟、降低步驟及第 2加熱步驟，又，於降低步驟之後實施剝離步驟。即，剝離步驟只要於降低步驟之後，則並無特別限定，例如可於第2加熱步驟之前後之任一者實施。

[實施例]

於以下記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體之數值可代替上述「用以實施發明之形態」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等對應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。

製備例1

感壓接著劑片材A之製備

於具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管之反應容器中將丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)12.6質量份、過氧化二苯甲醯(BPO，聚合起始劑)(商品名「Nyper BW」，日油公司製造)0.25質量份投入至甲苯(聚合溶劑)中，並於氮氣氣流下於60℃下使單體成分進行共聚合。藉此，獲得丙烯酸系聚合物之45質量%甲苯溶液。於其中調配異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯13.5質量份，使異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯(含異氰酸酯基之化合物)與丙烯酸系聚合物進行加成反應，而製備具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。又，相對於丙烯酸系聚合物之固形物成分100質量份，向上述丙烯酸系聚合物之甲苯溶液中添加異氰酸酯系交聯劑(商品名「Coronate L」、Nippon Polyurethane工業公司製造)0.1質量份、光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」，(2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮，Ciba Specialty Chemicals公司製造)2質量份。藉此，製備包含導入有碳-碳雙鍵之樹脂組合物之感壓接著劑A。

製作例A

首先，如圖7A所參照般，準備包含厚度38μm之PET膜(大三紙業公司製造)之支持片33。將上述感壓接著劑A塗佈於支持片33之上下兩面，其後，於120℃下乾燥3分鐘，進而於50℃下老化24小時，藉此製作具備厚度30μm之第1感壓接著層31與厚度10μm之第2感壓接著層32之感壓接著片7(A)。再者，第1感壓接著層31及第2感壓接著層32於25℃下之拉伸彈性模數X為0.02MPa。

接下來，將感壓接著片7(A)貼附於包含厚度700μm之玻璃板之支持基板6。

繼而，將複數個光半導體元件1(EDI-FA4545A，Epistar公司製造)配置於感壓接著片7之上，並將光半導體元件1暫時固定於感壓接著片7(A)(元件準備步驟)。

製作例B

將光半導體元件1(EDI-FA4545A，Epistar公司製造)變更為光半導體元件1(ES-CEDB/BLV10C，Epistar公司製造)，除此以外，以與製作例A相同之方式進行處理。

<感壓接著劑對光半導體元件之附著>

試驗例1A~6A

將藉由製作例A所獲得之具備感壓接著片7(A)及支持基板6之帶支持基板之感壓接著片2與藉由感壓接著片7(A)而暫時固定於支持基板6之光半導體元件1如圖7C所參照般於表1所記載之加熱條件(於試驗例1中未進行加熱)(具體而言為熱歷程H1)下進行加熱(第1加熱步驟)。

其後，如圖8E所參照般，以照射至感壓接著片7之照射能量成為460mJ/cm²之方式利用高壓水銀燈自下側對感壓接著片7照射紫外線。

其後，如圖8F所參照般，於表1所記載之條件下對感壓接著片7進行加熱(第2加熱步驟)。

其後，如圖9M所參照般，將光半導體元件1自感壓接著片7剝離。

接下來，觀察感壓接著劑是否附著於已剝離之光半導體元件1之電極側面3。

將其結果示於表1。

又，測定照射紫外線後之感壓接著片7之感壓接著層34之拉伸彈性模數X。

另一方面，測定未進行加熱而僅實施了紫外線之照射後之感壓接著片7之感壓接著層34之拉伸彈性模數Y。

再者，關於拉伸彈性模數，如圖14所示，將感壓接著層34摺疊，以厚度1.5mm、長度30mm之尺寸成形而製作樣本。其後，利用夾頭40抓持樣本之長度方向兩端部，於25℃下以夾頭間距離10mm、拉伸速度300mm/min之條件進行測定，求出斷裂強度，並將斷裂強度除以樣本之截面積而算出拉伸彈性模數。以下，拉伸彈性模數係根據上述條件進行測定。

接下來，算出X/Y。將其結果示於表1。

試驗例1B~3B

將製作例A之光半導體元件1(EDI-FA4545A，Epistar公司製造)變更為光半導體元件1(ES-CEDB/BLV10C，Epistar公司製造)，除此以外，以與試驗例1A~3A相同之方式進行處理，並觀察感壓接著劑是否附著於光半導體元件1之電極側面3。

將其結果示於表1。

<密封層之切割>

試驗例7~11

如圖7B所參照般，於製作例A中，利用密封層10將暫時固定於感壓接著片7之上之光半導體元件1密封(密封步驟)。

即，準備具備包含PET之厚度50μm之剝離片9與配置於剝離片9之下表面且厚度500μm之B階段之密封層10之密封片8。密封層10係由含有苯基系聚矽氧樹脂50質量份、玻璃粒子40質量份、及螢光體10質量份之密封組合物製備。繼而，利用密封層10將複數個光半導體元件1埋設，並將複數個光半導體元件1於隔著感壓接著片7由支持基板6支持之狀態下密封。

其後，如圖7C所參照般，將密封光半導體元件11與帶支持基板之感壓接著片2(A)於表1所記載之加熱條件(試驗例1中未加熱，具體而言為熱歷程H1)下進行加熱(第1加熱步驟)。

其後，如圖7D所參照般，利用晶圓切割機12將密封層10以複數個密封光半導體元件11之各者被個片化之方式切割(切斷步驟)。切斷面14間之間隔14為0.04mm。

此時，基於下述基準對切斷步驟進行評價。將其結果示於表2。

○：可順利地將密封層10切斷。

×：密封層10無法順利地切斷。

此外，測定第1加熱步驟後之密封層10於25℃下之拉伸彈性模數。將其結果示於表2。再者，關於試驗例7，由於密封層10過分柔軟，故而無法測定拉伸彈性模數。

實施例1

基於第1實施形態，如圖4I所示，於支持於耐熱性片材28之狀態下獲得密封光半導體元件11。

即，如圖1所示，依序實施元件準備步驟61、密封步驟62、第1加熱步驟63、切斷步驟64、支持基板去除步驟51、耐熱性片材貼合步驟52、降低步驟65、感壓接著片剝離步驟53、及第2加熱步驟66。

具體而言，首先，於元件準備步驟61中，如圖2A所示，將複數個光半導體元件1(EDI-FA4545A，Epistar公司製造)配置於感壓接著片7之上。於包含厚度700μm之玻璃板之支持基板6之上準備感壓接著片7。

將厚度30μm之第1感壓接著層31、及厚度10μm之第2感壓接著層32分別積層於包含厚度38μm之PET膜之支持片33之上下兩面，藉此準備包含支持片33、第1感壓接著層31及第2感壓接著層32之感壓接著片7。

繼而，於密封步驟62中，首先，如圖2B所示，準備具備包含PET膜之厚度50μm之剝離片9及配置於剝離片9之下表面且包含密封組合物之密封層10之密封片8。密封組合物係由苯基系聚矽氧樹脂50質量份、玻璃粒子40質量份、及螢光體10質量份製備。密封層10之厚度為500μm。

繼而，利用密封片8將複數個光半導體元件1密封。

其後，如圖2B之箭頭所示，將剝離片9自密封片8剝離。

藉此，於支持於帶支持基板之感壓接著片2之狀態下獲得密封光半導體元件11。

繼而，於第1加熱步驟63中，如圖2C所示，將密封光半導體元件11與帶支持基板之感壓接著片2投入至100℃之烘箱中2小時。藉此，使密封層10進行B階化。密封層10於25℃下之拉伸彈性模數為41 MPa。

繼而，如圖2D所示，於切斷步驟64中，利用晶圓切割機12將密封層10以與複數個光半導體元件1之各者對應之方式切割。

繼而，於支持基板去除步驟51中，如圖3E所示，將支持基板6自感壓接著片7剝離。

繼而，於耐熱性片材貼合步驟52中，如圖3F所示，將耐熱性片材28貼合於密封光半導體元件11中之密封層10之上表面16。耐熱性片材28包含耐熱微黏著片TRM6250L(日東電工公司製造)，且厚度為30μm。

繼而，於降低步驟65中，如圖3G所示，以照射至感壓接著片7之照射能量成為460mJ/cm²之方式利用高壓水銀燈自下側對感壓接著片7照射紫外線。藉此，使感壓接著片7之感壓接著力降低。

繼而，於感壓接著片剝離步驟53中，如圖3H所示，將感壓接著片7自密封光半導體元件11剝離。

繼而，於第2加熱步驟66中，如圖4I所示，將密封光半導體元件11與耐熱性片材28投入至150℃之烘箱中5小時。藉此，使密封層10進行C階化。密封層10於25℃下之拉伸彈性模數為70MPa。

藉此，於支持於耐熱性片材28之狀態下獲得密封光半導體元件11。

實施例2

基於第2實施形態，如圖8G所示，於支持於第1轉印片21之狀態下獲得密封光半導體元件11。

即，如圖6所示，依序實施元件準備步驟61、密封步驟62、第1加熱步驟63、切斷步驟64、降低步驟65、第2加熱步驟66、及第1轉印步驟67。

具體而言，首先，於元件準備步驟61中，如圖7A所示，將複數個光半導體元件1(EDI-FA4545A，Epistar公司製造)配置於感壓接著片7之上。於包含厚度700μm之玻璃板之支持基板6之上準備感壓接著片7。

繼而，於密封步驟62中，首先，如圖7B所示，準備具備包含PET膜之厚度50μm之剝離片9及配置於剝離片9之下表面且包含密封組合物之密封層10之密封片8。密封組合物係由苯基系聚矽氧樹脂50質量份、玻璃粒子40質量份、及螢光體10質量份製備。密封層10之厚度為500μm。

繼而，利用密封片8將複數個光半導體元件1密封。

其後，將剝離片9自密封片8剝離。

繼而，於第1加熱步驟63中，如圖7C所示，將密封光半導體元件11與帶支持基板之感壓接著片2投入至100℃之烘箱中2小時。藉此，使密封層10進行B階化。密封層10於25℃下之拉伸彈性模數為41MPa。

繼而，如圖7D所示，於切斷步驟64中，利用晶圓切割機12將密封層10以與複數個光半導體元件1之各者對應之方式切割。

繼而，於降低步驟65中，如圖8E所示，以照射至感壓接著片7之照射能量成為460mJ/cm²之方式利用高壓水銀燈自下側對感壓接著片7照射紫外線。藉此，使感壓接著片7之感壓接著力降低。

繼而，於第2加熱步驟66中，如圖8F所示，將密封光半導體元件 11與帶支持基板之感壓接著片2投入至150℃之烘箱中5小時。藉此，使密封層10進行C階化。密封層10於25℃下之拉伸彈性模數為70MPa。

其後，於第1轉印步驟67中，如圖8G所示，將密封光半導體元件11轉印至具有微感壓接著(黏著)性及延伸性之第1轉印片21。第1轉印片21包含SPV224S(日東電工公司製造)，且厚度為80μm。

實施例3

基於第4實施形態，如圖11B所示，於支持於耐熱性片材28之狀態下獲得密封光半導體元件11。

即，如圖10所示，依序實施元件準備步驟61、密封步驟62、第1加熱步驟63、切斷步驟64、降低步驟65、第1轉印步驟67、及第2加熱步驟66。

首先，以與實施例2相同之方式實施元件準備步驟61(參照圖7A)、密封步驟62(參照圖7B)、第1加熱步驟63(參照圖7C)、切斷步驟64(參照圖7D)及降低步驟65(參照圖8E)。

其後，於第1轉印步驟67中，如圖11A所示，將密封光半導體元件11自感壓接著片7轉印至耐熱性片材28。耐熱性片材28包含耐熱微黏著片TRM6250L(日東電工公司製造)，且厚度為30μm。

接下來，以與實施例2相同之條件如圖11B所示般實施第2加熱步驟66。

實施例4

基於第3實施形態，於支持於耐熱性片材28之狀態下獲得密封光半導體元件11。

即，變更下述步驟，除此以外，以與實施例3相同之方式進行處理。

具體而言，於元件準備步驟61中，如圖7A所參照般，利用 Revalpha(發泡性樹脂組合物，日東電工公司製造)形成感壓接著片7。感壓接著片7之厚度為10μm。

於降低步驟65中，如圖8E所參照般，將密封光半導體元件11及帶支持基板之感壓接著片2投入至200℃之烘箱中20秒。藉此，使感壓接著片7之感壓接著力降低。

比較例1

未實施第1加熱步驟63(參照圖7C)，除此以外，以與實施例2相同之方式進行處理。

比較例2

未實施第1加熱步驟63(參照圖7C)，除此以外，以與實施例4相同之方式進行處理。

比較例3

未實施第2加熱步驟66，且將第1加熱步驟63中之條件變更為150℃、5小時，除此以外，以與實施例2相同之方式進行處理。

各實施例及各比較例之評價

關於各實施例及各比較例，測定第1加熱步驟63後之感壓接著層34於25℃下之拉伸彈性模數、第2加熱步驟66後之感壓接著層34於25℃下之拉伸彈性模數，其後，算出X/Y。

將其等之結果示於表3。

[產業上之可利用性]

密封半導體元件之製造方法可用於製造半導體裝置。

61‧‧‧元件準備步驟

62‧‧‧密封步驟

63‧‧‧第1加熱步驟

64‧‧‧切斷步驟

51‧‧‧支持基板去除步驟

52‧‧‧耐熱性片材貼合步驟

65‧‧‧降低步驟

53‧‧‧感壓接著片剝離步驟

66‧‧‧第2加熱步驟

69‧‧‧第2轉印步驟

68‧‧‧延伸步驟

70‧‧‧檢查．篩選步驟

71‧‧‧第3轉印步驟

72‧‧‧第4轉印步驟

73‧‧‧第5轉印步驟

74‧‧‧第6轉印步驟

75‧‧‧剝離步驟

76‧‧‧安裝步驟

Claims

一種密封半導體元件之製造方法，其具備：密封步驟，其利用含有熱硬化性樹脂之密封層將感壓接著於以藉由處理而感壓接著力降低之方式構成之感壓接著片之半導體元件進行密封，而獲得具備上述半導體元件、及將上述半導體元件密封之上述密封層的密封半導體元件；第1加熱步驟，其於上述密封步驟之後，以將較上述密封層完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H1賦予至上述密封層之方式對上述密封層進行加熱；降低步驟，其於上述第1加熱步驟之後，藉由上述處理使上述感壓接著片之感壓接著力降低；第2加熱步驟，其於上述降低步驟之後，以將與上述密封層完全硬化之熱歷程H0相同或較其多之熱歷程H2賦予至上述密封層之方式對上述密封層進行加熱；及剝離步驟，其將上述密封半導體元件自上述感壓接著片剝離。
如請求項1之密封半導體元件之製造方法，其中上述感壓接著片具備與上述半導體元件感壓接著之感壓接著層，依序實施上述第1加熱步驟之加熱與上述降低步驟之上述處理後之上述感壓接著層之25℃下之拉伸彈性模數X相對於僅實施上述降低步驟之上述處理後之上述感壓接著層之25℃下之拉伸彈性模數Y之比(X/Y)為0.70以上。
如請求項1之密封半導體元件之製造方法，其中於上述密封步驟中，利用上述密封層將複數個上述半導體元件進行密封而獲得具備複數個上述半導體元件之上述密封半導體元件，且該製造方法於上述第1加熱步驟之後並且上述降低步驟之前進而具備將上述密封層以與複數個上述半導體元件之各者對應之方式切斷之切斷步驟。
如請求項1之密封半導體元件之製造方法，其中於上述降低步驟之後並且上述第2加熱步驟之前實施上述剝離步驟。
如請求項1之密封半導體元件之製造方法，其於上述降低步驟之前進而具備將耐熱性片材貼合於上述密封半導體元件之耐熱性片材貼合步驟。
如請求項4之密封半導體元件之製造方法，其中於上述剝離步驟中，將上述密封半導體元件自上述感壓接著片轉印至耐熱性片材。
如請求項5之密封半導體元件之製造方法，其具備將上述密封半導體元件自上述耐熱性片材轉印至轉印片之轉印步驟。
如請求項1之密封半導體元件之製造方法，其中於上述第2加熱步驟之後實施上述剝離步驟，且於上述剝離步驟中，將上述密封半導體元件自上述感壓接著片轉印至轉印片。
如請求項7之密封半導體元件之製造方法，其中上述轉印片係以沿與厚度方向正交之方向延伸之方式構成之延伸片，且該製造方法具備延伸剝離步驟，該延伸剝離步驟使轉印有上述密封半導體元件之上述轉印片沿上述正交方向延伸，並將上述密封半導體元件自上述轉印片剝離。
如請求項1之密封半導體元件之製造方法，其中於上述密封步驟中，利用上述密封層將複數個上述半導體元件進行密封而獲得具備複數個上述半導體元件之上述密封半導體元件，且該製造方法於上述第2加熱步驟之後進而具備將上述密封層以與複數個上述半導體元件之各者對應之方式切斷之切斷步驟。
如請求項1之密封半導體元件之製造方法，其中於上述降低步驟中，對上述感壓接著片照射活性能量線。
如請求項1之密封半導體元件之製造方法，其中於上述降低步驟中，以將較上述密封層完全硬化之熱歷程H0少之熱歷程H3賦予至上述密封層之方式對上述感壓接著片進行加熱。
一種半導體裝置之製造方法，其具備：藉由如請求項1之製造方法而製造密封半導體元件之步驟；及將上述密封半導體元件安裝於基板之步驟。