TW201605075A - 發光裝置及製造發光裝置的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種發光裝置(129)，包括：- 一載體(101)，- 至少一個光電發光媒體(103、105)配置在該載體上，以便在發射區(122)中發光，- 其中一散色層(117)形成在該發射區(122)中，以藉由光在該散色層(117)之遠離該發光媒體(103、105)之表面上的散射而產生彩色。 此外，本發明亦涉及一種製造發光裝置(129)的方法。

Description

發光裝置及製造發光裝置的方法
本專利申請案主張德國專利申請案DE 10 2014 106 074.1之優先權，其已揭示的整個內容在此一併作為參考。
本發明涉及一種發光裝置及製造發光裝置的方法。
例如發光二極體配置在一載體上，載體中通常會發生彩色差異或不均勻性且觀看者會因此感受到光學上的干擾，所述彩色差異或不均勻性例如是由基板或載體、金屬層、轉換層(例如，磷層)、或導線所造成。當發光二極體關閉時，即，不發光時，特別會如此。
因此，其存在一種在光學印象中減低或甚至完全避免此等不均勻性的需求。
本發明的目的因此是提供一種發光裝置，其克服習知的缺點且具有均勻的光學印象。
本發明的目的是亦提供一種對應的方法以製造該發光裝置。
上述目的藉由獨立之請求項的各別標的來達成。本發明有利的構成是附屬之各別請求項之標的。
依據一態樣，製備一種發光裝置，包括：- 一載體，- 至少一個光電發光媒體配置在該載體上，以在發射區中發光，- 其中一散色層形成在該發射區中，以藉由光在該散色層之遠離該發光媒體之表面上的散射而產生彩色。
依據另一態樣，提供一種製造發光裝置的方法，包括以下步驟：- 於載體上配置光電發光媒體，以在發射區中發光，- 於該發射區中形成一散色層，以藉由光在該散色層之遠離該發光媒體之表面上的散射而產生彩色。
本發明因此特別是包括以下的構思：在該光電發光媒體之發射區中形成或配置一散色層。於是，在該光電發光媒體之方向中觀看該散色層時，例如能以有利的方式造成均勻的光學印象。然後，可能存在的不均勻性、對比或不同的彩色能以有利的方式藉由該散色層來覆蓋或至少部份被覆蓋。特別是該散色層以有利的方式使可能存在的不均勻性受到光學補償。因此，以有利的方式造成均勻的視覺印象。當該光電發光媒體未發光時，即，未開啟而處於靜止的操作狀態時，特別會如此。
均勻的整體印象特別是藉由“入射的光中只有特定的波長或特定的波長範圍被該散色層反射或散射”來達成。未反射及/或未散射的波長範圍較佳是被吸收。該散射層因此只使特定的波長範圍中入射至其遠離 該發光媒體之表面上的光反射或散射(在散射時應總是想到反射且反之亦同)。因此，以有利的方式形成一特定的彩色印象。這特別是以設計理由(特別是工業上的設計)而言是有利的。特別是藉此產生一種彩色。例如，該散色層可具有散色媒體。所述散色媒體例如可以是粒子(其亦可稱為散射粒子)，其可使特定的波長範圍中的光反射或散射。該散射層所反射或散射的彩色可用作標記以稱呼該散色層。在紅光散射時，該散色層可稱為紅散色層。在白光散射時，該散色層可稱為白散色層。所述粒子例如可以是二氧化鈦-及/或氧化鋁-粒子。特別是在白散射層中，光效益在該發光媒體處於靜止狀態時可提高。
因此，特別是在本發明的概念下形成散色層，其使入射至該散射層上的電磁輻射之特定波長或特定的波長範圍發生反射及/或散射且吸收未反射-及/或未散射的波長範圍(即，仍保留的或剩餘的波長範圍)。於是，以有利的方式產生一特定的彩色印象。這特別是在發光媒體處於靜止狀態時會如此。
特別是，本發明對以面板(panel)為主的產品特別有利。在發光媒體處於靜止狀態時，即，發光媒體未發光時，本發明特別是可使發光裝置之亮度和彩色都達成一種均勻性。發光媒體處於活性狀態是指該發光媒體發光時的狀態。本發明亦能以有利的方式使製造成本下降，特別是當濺鍍著散射層及/或轉換層時。
上述發射區特別是指該發光媒體之環境中該發光媒體發光的區域。
特別是在靜止的發光媒體中可使視覺上的整體印象獲得改良。特別是，藉由該散射層在發光媒體靜止時預設一特定的彩色。因此，可使發光裝置在光學上更佳地整合在目標應用裝置(例如，行動電話、平板電腦、相機(phablet))的殼體中。
依據一實施形式，該散色層可設置成非螢光之散色層。
依據一實施形式，該散色媒體可設置成非螢光之散色媒體。此散色媒體例如可以是非螢光的粒子(其亦可稱為非螢光的散色粒子)。
依據一實施形式，該彩色可設置成白色。即，特別是會造成一種白色的彩色印象。當觀看該散色層時，會產生白色的視覺整體印象。該散射層因此在白色波長範圍中發生反射或散射。即，特別是適當地形成該散色層，以便在所述波長範圍中發生反射或散射。
在另一實施形式中，該彩色可以是不同於白色的任意彩色。例如，該彩色可以是紅色、黃色、綠色、藍色或橘色。此處，具體的彩色特別是與具體的各別情況有關。該彩色層因此在一與該彩色對應的波長範圍中發生反射或散射。即，特別是該散射層須適當地形成，以便在所述波長範圍中發生反射或散射。特別是使用一種除了白色以外的彩色時可造成特別高的對比(例如，相對於發光裝置的殼體彩色、或相對於一種包含多個發光媒體之視訊牆)。
依據一實施形式，該散射層可濺鍍在光電發光媒體上。
在另一實施形式中，所述形成包括“將散色層濺鍍在發光媒體上”。即，特別是濺鍍例如散色粒子，以形成該散色層。該散色層各別地濺鍍，即，特別是散色粒子各別地濺鍍在發光媒體上及/或在轉換層上及/或在電子組件上及/或在該載體之空出區上。這可類似地適用於轉換層，只有轉換用的粒子在上述各處各別地濺鍍。
於是，技術上的效果特別是可達成均勻的層厚度。因此，特別是以有利的方式簡易地在發射區中形成該散色層。這樣可簡化且縮短製造過程。
特別是可使用光罩來濺鍍，使得只有載體的特定區域係以適當的粒子(轉換用的粒子及/或散色粒子)來濺鍍。藉由此種濺鍍，就設計及/或幾何形式而言可達成特別高的變化性，此乃因通常只有光罩須對不同的設計或幾何形式作調整。
依據另一實施形式，光電發光媒體具有一已濺鍍的轉換層，其上濺鍍著散色層。
在另一實施形式中，一轉換層濺鍍在該光電發光媒體上，其中所述形成包括“將該散色層濺鍍在已濺鍍的轉換層上”。
在另一實施形式中，該轉換層黏合在發光媒體上或黏貼在該發光媒體上。
藉由設置一轉換層，則能以有利的方式達成技術上的效果，即，與光電發光媒體發出的光之波長無 關，可產生另一彩色，其由具有轉換層的發光媒體發出，最後是由發光裝置發出。因此，有適當的轉換層時光電發光媒體終將發出多種不同的彩色。該轉換層例如可以是磷層或包括磷層。磷層例如可受到摻雜。特別地形成本發明中所述的轉換層，對第一波長的入射光進行轉換，使該轉換層產生第二波長的光且發出。光電發光媒體例如可發出藍光。該轉換層(特別是磷層)可由藍光來產生例如綠光或黃光。
在另一實施形式中，該散色層可藉由一與發光媒體分開地形成且保持著該散色層之保持單元係配置在發射區中。
在另一實施形式中，所述形成係藉由一與發光媒體分開地形成該散色層之配置且保持著散色層之保持單元係包含在發射區中。
因此，以有利的方式設置一與發光媒體無關的保持件。即，特別是該散色層可與發光媒體無關地保持在該載體上。因此，可設有任意的發光媒體，這些發光媒體不影響該散色層在發射區中適當之配置方式。於是，在存在多種任意的發光媒體的情況下，能以有利的方式使用例如一種通用的保持單元。一保持單元因此可廣泛地使用於多種發光媒體。於是，能以有利的方式使該散色層有效地且簡易地配置在發射區中。
依據另一實施形式，該保持單元包括一用於容納該散色層之框架，其可固定在該載體上。
依據另一實施形式，該保持單元包括一用於容納該散色層之框架，其固定在該載體上。
框架是一種特殊的機械穩定之保持手段，以保持著該散色層。此外，亦能有利地容易以機械方式接近框架且該框架能簡易地固定在該載體上。因此，以有利的方式使該散色層機械式地良好地保持在光電發光媒體之發射區中的載體上。較佳是可設置成：該散色層在框架安裝於或固定於載體上之前配置在或固定在該框架上，然後該框架利用該散色層而固定在載體上。這樣能以有利的方式更簡易地製造該發光裝置。
依據另一實施形式，一透鏡可配置在發射區中，其中框架配置成靠近發光媒體之中心且透鏡遠離該發光媒體。
在另一實施形式中，在框架已固定之後於發射區中配置一透鏡，使該框架配置成靠近發光媒體之中心且透鏡遠離該發光媒體。
透鏡例如以有利的方式使已發出的光聚焦。於是，例如能以有利的方式來調整光電發光媒體之特定的發射特性。框架配置成靠近發光媒體之中心且透鏡遠離該發光媒體而各別地配置著，這特別是表示：框架較透鏡配置成更靠近發光媒體。即，特別是透鏡距該發光媒體的距離較框架距該發光媒體的距離更遠地配置著。在由發光媒體發出的光之發射方向中觀看時，這表示：該框架配置於透鏡之前。
依據另一實施形式，該保持單元包括一配置在發射區中的透鏡，透鏡上配置著該散色層。
在另一實施形式中，該保持單元包括一透鏡，透鏡上配置著該散色層，其中該透鏡配置在發射區中。
因此，以有利的方式使用一發光裝置之通常已存在的元件(此處是透鏡)作為該散色層之保持件。於是，未必需要設置另一保持手段。因此，能以有利的方式節省材料。特別是該散色層已在透鏡安裝在載體上之前配置在透鏡上，使透鏡和該散色層在一共同的安裝步驟中可配置在或固定在該載體上。於是，能以有利的方式縮短安裝時間。
依據一實施形式，該保持單元具有一整體上與載體一起形成的表面凸起，其上至少間接地可配置著該散色層的一區域。
在另一實施形式中，該保持單元具有一整體上與載體一起形成的表面凸起，其上至少間接地配置著該散色層的一區域。
藉由此種表面凸起的設置，能以有利的方式達成特殊的機械穩定性。此表面凸起通常可良好地被看見，且可特別簡易地接近此表面凸起，以便至少間接地將該散色層配置在此表面凸起上。因此，能以有利的方式使安裝或製造簡單化。特別是，該表面凸起的高度大於光電發光媒體之高度。即，特別是該表面凸起突出於該發光媒體。當在此種表面凸起上至少間接地配置該散 色層之區域時，則該散色層亦可在發光媒體上配置於發射區中。即，特別是因此可使該散色層配置成與發光媒體相隔一距離。表面凸起例如可具有步級形式。即，特別是該散色層的上述區域至少間接地可配置在該表面凸起之步級上。在本發明的概念中，至少間接地配置該散色層的區域特別是可表示：該散色層或該散色層的區域間接地配置在該表面凸起上。例如，容納著該散色層的框架可固定在該表面凸起上。特別是該散色層可直接以其區域配置在或固定在該表面凸起上。較佳是，可設有多個表面凸起，其特別是可相同或較佳是不同地形成。
依據一實施形式，該表面凸起藉由濺鍍澆注或模鑄方法而製成。
依據另一實施形式，該散色層，較佳是非螢光的散色層包括一以散色媒體(較佳是非螢光的散色媒體)來塗層的玻璃層及/或一陶瓷層或由此種玻璃層或陶瓷層形成。可反射白光的陶瓷層或玻璃層例如可稱為白陶瓷層或白玻璃層。陶瓷特別是可藉由散色媒體(較佳是非螢光的散色媒體)來塗層。該散色層特別是可形成為陶瓷窗或包括此種陶瓷窗。這樣可有利地造成漫射式的光散射。玻璃層例如可以是一種乳白色玻璃層。乳白色玻璃層表示一種粗糙化的玻璃層。藉由粗糙化，能以有利的方式造成散射。該散色層較佳是形成為玻璃，特別是乳白色玻璃。乳白色玻璃表示一種粗糙化的玻璃
該散射媒體(例如，散色粒子，較佳是非螢光之散色粒子)例如可以是二氧化鈦(TiO2)或氧化鋁。陶瓷 層例如可以是氧化鋁層。例如，此種玻璃層或陶瓷層可由框架容納著，其中該框架特別是固定在載體上。特別是，該玻璃層或陶瓷層能以一區域配置在該載體之一表面凸起上，特別是步級式的表面凸起上。特別是，此種玻璃層或陶瓷層可配置在或固定在透鏡上，其中該透鏡配置在發射區中。
在另一實施形式中，該散色層例如可具有一種介於5微米和100微米之間的厚度，例如，介於5微米和20微米之間的厚度。
在另一實施形式中，該散色層可包括至少一由以下的散色粒子之族群(group)構成的元素：SiO2、TiO2(較佳是亦具有另一塗層)、BaSO4、Al2O3、ZrO2、HfO2、玻璃球(較佳是直徑介於50奈米和5微米之間)。
作為散射/反射的白色材料，例如可設有SiO2、TiO2(較佳是亦具有另一塗層)、BaSO4、Al2O3、ZrO2、HfO2。
粒子大小例如較佳是介於50奈米至5微米之範圍中，特別佳地特別是在100奈米至500奈米的範圍中。
較佳是可使用具有另一不透明顏色的顏料，以便在俯視圖中例如產生一種所期望的與白色不同之不透明顏色。
例如，可使用過渡金屬和稀土、氧化物、硫化物、氰化物和鹵化物作為無機顏料。這些材料有利地只具有吸收性且不將所吸收的光發出。
散色粒子-及/或散色層中的顏料之填充度較佳是在0.05wt%-20wt%的範圍中，例如，在0.05wt%-55wt%的範圍中。
在一實施形式中，白色散色層包括填充度為1wt%之TiO2-粒子，其中該白色散色層具有一種介於90微米和110微米之間的厚度，此厚度特別是100微米。
在一實施形式中，白色散色層包括填充度為20wt%之TiO2-粒子，其中該白色散色層具有一種介於15微米和20微米之間的厚度。
通常，適當的情況例如：散色層越厚，則散色粒子或顏料之填充度可越小，以產生一特定的彩色印象。例如，在散色層之厚度和散色粒子-及/或散色層中的顏料之填充度之間可設置一種相反的比例。
例如，可設有以下的物質種類(該散色層因此特別是包括以下所述顏料之一種或多種)作為該散色層用的有機顏料和發光顏料：吖啶(Acridin)-顏料，吖啶酮(Acridinon)-顏料，Anthrachino-顏料，蒽(Anthracen)-顏料，花青基苷(Cyanin)-顏料，丹磺(Dansyl)-顏料，方烯鎓(Squaryllium)-顏料，螺吡喃(Spiropyrane)，硼(Boron)-二吡咯亞甲基(dipyrromethene)(BODIPY)，苝(Perylene)，芘(Pyrene)，萘(Naphthalene)，黃素(Flavine)，吡咯(Pyrrole)，紫質(Porphyrine)及其金屬複合物，二芳基甲烷(Diarylmethan)-顏料，二芳基甲烷(Triarylmethan)-顏料，硝基(Nitro)-及亞硝基(Nitroso)- 顏料，酞氰(Phthalocyanin)-顏料及酞氰之金屬複合物，醌(Quinone)，偶氮(Azo)-顏料，靛酚(Indophenol)-顏料，噁嗪(Oxazine)，噁酮(Oxazone)，噻嗪(Thiazine)及噻唑(Thiazole)，二苯并哌喃(Xanthene)，茀(Fluorene)，Flurone，哌咯寧(Pyronine)，玫瑰紅(Rhodamine)，香豆素(Coumarine)。
於是，能以有利的方式在與所選取的散色粒子或顏料無關的情況下產生不同的彩色。
依據另一實施形式，透鏡藉由一透鏡保持件而保持著，該透鏡保持件固定在載體上。該透鏡保持件係與該載體共同地特別用作殼體，其包封著該載體上的各別元件且保護著該些元件。即，特別是該載體和該透鏡保持件形成殼體，其中容納著多個元件(或一個元件，當只有一個元件配置在該載體上時)。
關於發光裝置之實施形式及/或功能及/或特徵，其都類似於上述方法之實施形式及/或功能且反之亦同。
依據一實施形式，可設有多個光電發光媒體。光電發光媒體例如可形成為相同或較佳是形成為不同。光電發光媒體例如可以是發光二極體，特別是有機發光二極體。
依據一實施形式，散色層可配置成覆蓋或未覆蓋該發光媒體。即，特別是該散色層“未覆蓋或覆蓋”該發光媒體。本發明的概念中“未覆蓋或覆蓋”的意義未必是指：該散色層亦接觸該發光媒體。然而，可設置成 有接觸，特別是當該散色層濺鍍在光電發光媒體上時。該散色層特別是具有一種範圍，使其覆蓋或未覆蓋各別配置在該載體上之元件(發光媒體和可能存在的電子組件)。因此，在由上方經由該散色層來觀看的俯視圖中，能以有利的方式造成一種均勻的光學印象。
依據另一實施形式，該散色層除了發光媒體以外亦可未覆蓋該載體的其它區域，即，適當地配置著。較佳是，該散色層至少一部份濺鍍在該載體上或可濺鍍在該載體上。
依據另一實施形式，該載體上配置著至少另一電子組件。較佳是，設有多個電子組件，其特別是可形成為相同或較佳是形成為不同。電子組件例如可以是一種保護二極體。此種保護二極體能以有利的方式針對靜電放電來進行保護。例如，電子組件可以是溫度檢測器。較佳是，該散色層亦可類似於發光媒體而適當地配置(例如，濺鍍)或施加在該電子組件上或適當地相隔開一距離而形成或配置在該電子組件上，以便亦可未覆蓋該電子組件且補償可能存在的非均勻性。於是，亦能以有利的方式達成均勻的光學印象。
在一實施形式中，載體例如可以是基板或電路板。
依據另一實施形式，於載體上配置該發光媒體，此種配置包括與發光媒體連接之電性接線。
依據另一實施形式，該散色層另外可設置在或已設置在該載體之空出區中。載體之空出區中未配置 發光媒體或電子組件。因此，可達成一種更均勻的視覺上的整體印象。於是，例如該散色層可濺鍍在空出區上。這樣，在發光媒體上或轉換層上及空出區上都可藉由散射粒子的濺鍍來形成該散色層。
在另一實施形式中，至少一電子組件，較佳是多個電子組件，可澆注或已澆注在該載體中。
依據一實施形式，發光媒體之相對向的側面未具有轉換層及/或未具有散色層。該些側面因此沒有轉換層及/或散色層。這特別是可藉由”只在該發光媒體之遠離該載體之一表面上施加一轉換層(其特別是通稱為CLC-層(CLC-layer)、晶片位準轉換層(Chip level conversion-layer))或一散色層”來達成，但不是施加在側面上。然後，在如此施加的轉換層上施加(例如，黏合)一該散色層。因此，所述側面保留著一轉換層和一散色層。
本發明的上述性質、特徵和優點及其達成之形式和方式在與以下各實施例的說明結合下將變得更清楚及更容易理解，各實施例將與圖式一起詳述。
101‧‧‧載體
103、105‧‧‧發光媒體
107、109‧‧‧保護二極體
111‧‧‧溫度檢測器
113、115‧‧‧轉換層
117‧‧‧散色層
119‧‧‧透鏡保持件
120‧‧‧發射方向
121‧‧‧框架
122‧‧‧發射區
123‧‧‧表面凸起
125、127‧‧‧步級
129‧‧‧發光裝置
131‧‧‧發光媒體之側面
401‧‧‧載體之區域
501‧‧‧透鏡保持件之腰
1201‧‧‧散色層之末端區
1401‧‧‧散色層之表面
第1圖至第5圖分別顯示一種製造發光裝置的方法中的時間點。
第6圖和第7圖分別顯示另一種製造發光裝置的方法中的時間點。
第8圖顯示另一製造發光裝置的方法中的時間點。
第9圖至第13圖分別顯示仍是一種製造發光裝置的方法中的時間點。
第14圖至第21圖分別顯示一種發光裝置。
以下，相同的特徵可使用相同的參考符號。為了清楚之故，即使未在全部的圖式中亦可使用全部的參考符號。
第1圖至第5圖分別顯示一種製造發光裝置的方法中的時間點。
依據第1圖，製備一載體101。此載體101例如可以是基板。此載體101例如可以是電路板。
依據第2圖，在載體101上配置二個光電發光媒體103和105。此處，特別是設置成：該二個光電發光媒體103、105與載體101係以電性導線相連接。這在該載體101是電路板時特別是如此。類似地，二個保護二極體107和109以及一個溫度檢測器111配置在載體101上作為電子組件且與載體101係以電性導線相連接。電性導線在英文中通稱為”wire bonding”。在一未顯示的實施例中，可設有多於二個或少於二個的發光媒體103、105。在另一未顯示的實施例中，除了或取代上述保護二極體107、109及溫度檢測器111以外，可設有其它的電子組件。這裡所顯示的選擇和數目不作為限制用而是只作為一種範例。
在另一未顯示的實施例中，該二個發光媒體103和105是發光二極體，特別是有機發光二極體。
依據第3圖，一轉換層113濺鍍在發光媒體103上。類似地，一轉換層115濺鍍在發光媒體105上。這例如可藉由對應的光罩來達成，在對應的濺鍍過程中不濺鍍的發光媒體未被該光罩覆蓋。該二個轉換層113和115例如可包含磷(特別是摻雜之磷)或形成為磷層，特別是摻雜的磷層。
依據第4圖，各保護二極體107、109、溫度檢測器111、該二個發光媒體113、115藉由散色層117的方式而設有其各別濺鍍的轉換層113和115以及該載體101之對應的位於轉換層之間的區域。此處的設置方式為：該散色層117濺鍍在各別元件上及各別元件之間的區域(即，介於上述元件之間的區域)上。特別是可濺鍍二氧化鈦。因此，以有利的方式藉由一散色層117來覆蓋上述元件之各別的表面，該些元件配置在載體101上。於是，能以有利的方式來補償或去除不均勻性，該不均勻性例如可由各別元件之間的彩色差異所造成。如第4圖所示，該載體101之各別相對向的區域401保持成未具備該散色層117。在一未顯示的實施例中，載體101之一表面上配置著各別的元件，此表面係被散色層117完全地覆蓋或係充分地覆蓋。
依據第5圖，在該散色層117濺鍍之後，在載體101上配置一透鏡保持件119。此透鏡保持件119具有一此處未顯示的透鏡。依據第5圖，此透鏡保持件119具有一種U形的形式，其包括二個平行的腰501。此二個腰501分別固定在載體101之二個區域401之一。 在一未顯示的實施例中，該透鏡保持件119具有弧形或圓頂形。
只要對一基板或一載體101之不同區域分別進行上述步驟，則在配置該透鏡保持件119之後或在藉由濺鍍而施加該散色層117之後該些區域可互相分離，即，各別地切開。因此，特別是該載體分離成或切割成對應於該些區域的部份。
所發出之光之發射方向在第5圖中例示性地以參考符號120所示的多個箭頭來表示。為了清楚之故，省略了發光媒體105之對應的圖樣。同樣，為了清楚之故，在其它圖式中省略了對應的圖樣。發射區是由發射方向120來界定。該散色層117形成在發射區中。該參考符號122例示性地顯示在發光媒體103之發射區上。這亦類似地適用於發光媒體105。同樣，由此觀之，在其它圖式中仍只將該發射區顯示一次。
第6圖和第7圖分別顯示另一種製造發光裝置的方法中的時間點。第1圖至第3圖及對應的實施例亦適用於這些方法。請參閱對應的實施例及第1圖至第3圖。
依據第6圖，現在取代“各別元件以散色層來濺鍍”，將框架121固定在載體101上。此框架121例如具有一塗層的玻璃。此框架121例如可包括一漫射式玻璃或一種陶瓷或一種陶瓷層。此塗層的玻璃、漫射式玻璃及陶瓷在本實施例中形成該散色層。為了清楚之故，該散射層未顯示成塗層的玻璃、漫射式玻璃或陶瓷層的 形式。此處，該散色層117類似於第4圖中已濺鍍的散射層而配置在各別元件的上方且覆蓋該些元件。例如，該散色層117可以是一種白散色層。即，特別是該散色層117使白光反射。
類似於第5圖，第7圖所示的另一方法中該載體101上亦施加或配置一透鏡保持件119。此處，依據先前所述的實施例亦可將對應的多個區域切割或分離。
第8圖顯示另一製造發光裝置的方法中的時間點。類似於第6圖和第7圖之另一方法，第1圖至第3圖及其對應的實施例亦適用於第8圖之方法。然而，依據第8圖，取代第4圖或第6圖之設置方式，在載體101上配置一透鏡保持件119，其具有散色層117。即，特別是該散色層117係施加在或配置在透鏡保持件119上。特別是，該散色層117可配置在未顯示的透鏡上。該散色層117具有一種範圍，使其覆蓋著配置在該載體101上的各別元件。在由上方經由該散色層117來觀看的俯視圖中，因此能以有利的方式來造成均勻的光學印象。
第9圖至第13圖分別顯示仍是一種製造發光裝置的方法中的時間點。
依據第9圖，製備一載體101。此載體101中澆注著二個保護二極體107和109。由於澆注(例如，藉由一種模鑄方法或濺鍍澆注方法/過程)，則特別是可在載體101上設置二個表面凸起123。此二個表面凸起 123分別具有二個步級125和127。即，特別是此二個表面凸起123可藉由澆注方法形成。
依據第10圖，二個發光媒體103、105及溫度檢測器111在該二個表面凸起123之間配置於載體101上且類似於第2圖而與該載體101形成電性接線。
類似於第3圖，依據第11圖，本方法中在發光媒體103或105上分別施加一轉換層113或115。此種施加例如可藉由濺鍍來進行。特別是，已預先製成的轉換層113、115可施加在對應的發光媒體上。
依據第12圖，該散色層117之相對向的末端區1201配置在步級127上。此處，該散色層117例如可以是白色塗層的玻璃或白色陶瓷層。末端區1201例如可黏合在該二個步級127上。對應地，特別是一框架可設置在或配置在該二個步級127上，其中該框架保持著彩色塗層(特別是白色塗層)的玻璃或彩色(特別是白色)的陶瓷層。該玻璃例如可以是乳白色玻璃。這特別是通常亦可與此具體實施例不同。乳白色玻璃稱為粗糙玻璃。
然後，依據第13圖，類似於第5圖，透鏡保持件119以一未顯示的透鏡固定在載體101上。透鏡保持件119及其透鏡和載體101係用作殼體或形成殼體，其包封著或容納著配置在該載體101上的各別元件。
第14圖至第21圖分別顯示一種發光裝置129。
第14圖之發光裝置129基本上對應於第5圖所示之實施形式。作為一種區別，發光媒體103、105 之相對向的側面131未具備轉換層113或115且亦未具備散色層117。這特別是藉由下述方式來達成：分別在發光媒體103、105之遠離該載體101之一表面1401上施加(例如，黏合)對應的轉換層113、115，但不是施加在側面131上，然後，在已施加的轉換層113、115上分別施加(例如，黏合)一特定的散色層117。因此，各側面131保著成未具備轉換層和散色層的狀態。
第15圖顯示第5圖之製造方法之時間點上的發光裝置129。第16圖顯示第8圖之製造方法之時間點上的發光裝置129。第17圖顯示第7圖之製造方法之時間點上的發光裝置129。第18圖顯示第13圖之製造方法之時間點上的發光裝置129。
第19圖至第21圖分別顯示一種發光裝置129，其基本上類似於依據第5圖(對應於第19圖)或第8圖(對應於第20圖)或第7圖(對應於第21圖)之製造時間點而得的實施形式。作為一種區別，此處該二個保護二極體107、109及溫度檢測器111配置(特別是澆注或模鑄)在載體101中。
雖然本發明已詳細藉由較佳實施例來圖示和說明，但本發明不受限於已揭示的範例且其它變化可由此行的專家推導出而未偏離本發明的保護範圍。
101‧‧‧載體
103、105‧‧‧發光媒體
107、109‧‧‧保護二極體
111‧‧‧溫度檢測器
113、115‧‧‧轉換層
117‧‧‧散色層
119‧‧‧透鏡保持件
120‧‧‧發射方向
122‧‧‧發射區
401‧‧‧載體之區域
501‧‧‧透鏡保持件之腰

Claims (18)

  1. 一種發光裝置(129)，包括：- 一載體(101)，- 至少一個光電發光媒體(103、105)配置在該載體上，以便在發射區(122)中發光，- 其中一散色層(117)形成在該發射區(122)中，以藉由光在該散色層(117)之遠離該發光媒體(103、105)之表面上的散射而產生彩色。
  2. 如請求項1之發光裝置(129)，其中該散色層(117)濺鍍在光電發光媒體(103、105)上。
  3. 如請求項1或2之發光裝置(129)，其中光電發光媒體(103、105)具有濺鍍成的轉換層(113、115)，其上濺鍍著該散色層(117)。
  4. 如請求項1之發光裝置(129)，其中該散色層(117)藉由一與發光媒體(103、105)分開形成且保持著該散色層(117)之保持單元而配置在發射區(122)中。
  5. 如請求項4之發光裝置(129)，其中該保持單元包括一用於容納該散色層(117)之框架(121)，其固定在該載體(101)上。
  6. 如請求項5之發光裝置(129)，其中一透鏡配置在發射區(122)中，且其中該框架(121)配置成靠近發光媒體(103、105)且該透鏡配置成遠離發光媒體(103、105)。
  7. 如請求項4之發光裝置(129)，其中該保持單元包括一配置在發射區(122)中的透鏡，其上配置著該散色層(117)。
  8. 如請求項4至7中任一項之發光裝置(129)，其中該保持單元具有一整體上與該載體(101)一起形成的表面凸起(123)，其上至少間接地配置著該散色層(117)之一區域。
  9. 如請求項4至8中任一項之發光裝置(129)，其中該散色層(117)包括一以散色媒體來塗層的玻璃層及/或一陶瓷層或由此種玻璃層或陶瓷層形成。
  10. 一種製造發光裝置(129)的方法，包括以下步驟：- 配置光電發光媒體(103、105)於載體(101)上，以便在發射區(122)中發光，- 形成一散色層(117)於該發射區(122)中，以藉由光在該散色層(117)之遠離該發光媒體(103、105)之表面上的散射而產生彩色。
  11. 如請求項10之方法，其中該形成包括將該散色層(117)濺鍍在發光媒體(103、105)上。
  12. 如請求項10或11之方法，其中一轉換層(113、115)濺鍍在光電發光媒體(103、105)上且該形成包括將該散色層(117)濺鍍在已濺鍍之該轉換層(113、115)上。
  13. 如請求項10之方法，其中該形成係藉由一與該發光媒體(103、105)分開地形成該散色層(117)之配置且保持該散色層(117)保持單元包含在發射區(122)中。
  14. 如請求項13之方法，其中該保持單元包括一容納該散色層(117)之框架(121)，其固定在該載體(101)上。
  15. 如請求項14之方法，其中固定該框架(121)後，在發射區(122)中配置一透鏡，使得該框架(121)配置成靠近 發光媒體(103、105)且該透鏡配置成遠離發光媒體(103、105)。
  16. 如請求項13之方法，其中該保持單元具有一透鏡，其上配置著該散色層(117)，該透鏡配置在發射區(122)中。
  17. 如請求項13至16中任一項之方法，其中該保持單元具有一整體上與該載體(101)一起形成的表面凸起(123)，其上至少間接地配置著該散色層(117)之一區域。
  18. 如請求項13至17中任一項之方法，其中該散色層(117)包括一以散色媒體來塗層的玻璃層及/或一陶瓷層或由此種玻璃層或陶瓷層形成。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109690181A (zh) * 2016-09-08 2019-04-26 晶元光电股份有限公司 光学半导体元件覆盖用薄片

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016103862A1 (de) * 2016-03-03 2017-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung, Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronisches Leuchtsystem
CN108780831B (zh) * 2016-03-10 2022-01-11 亮锐控股有限公司 Led模块
DE102017103328A1 (de) * 2017-02-17 2018-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Konversionsvorrichtung mit einem Konversionselement und einer Streumaterialbeschichtung
JP6777105B2 (ja) 2018-01-31 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7037046B2 (ja) 2018-01-31 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6777104B2 (ja) 2018-01-31 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11442218B2 (en) * 2019-02-15 2022-09-13 Intematix Corporation Color liquid crystal displays and display backlights
CN114236955A (zh) * 2020-09-09 2022-03-25 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 透射式波长转换装置及其发光装置
CN117425817A (zh) * 2021-07-02 2024-01-19 株式会社日立高新技术 光源及自动分析装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000076908A (ja) 1998-09-01 2000-03-14 Ichikoh Ind Ltd 車両用灯具
JP2001189105A (ja) 2000-01-05 2001-07-10 Shiseido Co Ltd 照明用光拡散素材及び照明機器
WO2002089219A1 (fr) * 2001-04-17 2002-11-07 Nichia Corporation Appareil electroluminescent
DE10327066A1 (de) * 2002-11-29 2004-09-16 Max-Delbrück-Centrum für Molekulare Medizin Bestimmung agonistischer Autoantikörper
DE10361661A1 (de) 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement mit einem Lumineszenz-Konversionselement
US7531955B2 (en) * 2005-07-12 2009-05-12 Eastman Kodak Company OLED device with improved efficiency and robustness
CN101652601A (zh) 2007-04-03 2010-02-17 皇家飞利浦电子股份有限公司 光输出设备
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
TWI381556B (zh) * 2009-03-20 2013-01-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
JP5660766B2 (ja) 2009-06-26 2015-01-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20110031516A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
DE102010009456A1 (de) 2010-02-26 2011-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20110309393A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Micron Technology, Inc. Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods
DE102010038396B4 (de) 2010-07-26 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Leuchtvorrichung damit
JP5768816B2 (ja) 2010-11-19 2015-08-26 コニカミノルタ株式会社 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP5563440B2 (ja) 2010-12-24 2014-07-30 株式会社朝日ラバー 樹脂レンズ、レンズ付ｌｅｄ装置及びレンズ付ｌｅｄ装置の製造方法
JP2012226892A (ja) 2011-04-18 2012-11-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置および照明器具
WO2012153212A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-enhanced lighting device, retrofit light bulb and light tube with reduced color appearance
DE102011050450A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102011102350A1 (de) 2011-05-24 2012-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieser
JP5452645B2 (ja) 2011-09-02 2014-03-26 三菱電機株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP5747994B2 (ja) 2011-10-12 2015-07-15 コニカミノルタ株式会社 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP5641544B2 (ja) 2011-11-15 2014-12-17 マイクロコントロールシステムズ株式会社 配光分散制御型ｌｅｄ照明デバイス、装置及び照明方法
JP5652410B2 (ja) 2012-02-03 2015-01-14 信越化学工業株式会社 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP2013175531A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
DE102012104148A1 (de) * 2012-05-11 2013-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optischen Diffusorelement und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterbauelements
JPWO2014030342A1 (ja) 2012-08-21 2016-07-28 コニカミノルタ株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
JP2014067965A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Asahi Glass Co Ltd 発光装置
JP5960565B2 (ja) 2012-09-28 2016-08-02 スタンレー電気株式会社 自動車ヘッドランプ用発光装置及びその製造方法
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109690181A (zh) * 2016-09-08 2019-04-26 晶元光电股份有限公司 光学半导体元件覆盖用薄片
US11269118B2 (en) 2016-09-08 2022-03-08 Epistar Corporation Optical semiconductor element coating sheet
CN109690181B (zh) * 2016-09-08 2022-07-19 晶元光电股份有限公司 光学半导体元件覆盖用薄片

Also Published As

Publication number Publication date
DE112015002048A5 (de) 2017-03-09
JP2017515310A (ja) 2017-06-08
WO2015166022A1 (de) 2015-11-05
TWI597870B (zh) 2017-09-01
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