CN104425673A - 发光二极管制造方法 - Google Patents

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陈隆欣
曾文良
罗杏芬
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Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
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Abstract

一种发光二极管制造方法，包括：提供设有发光芯片的基板及设有荧光胶的覆盖层；将覆盖层朝向基板移动，使发光芯片压入荧光胶内；固化覆盖层而形成覆盖发光芯片的封装体。由于采用压合的方式将荧光胶设置于发光芯片上，因此可获得较高的生产效率。

Description

发光二极管制造方法
技术领域
本发明涉及一种二极管，特别是指一种发光二极管制造方法。
背景技术
发光二极管作为新兴的光源，已被广泛地应用于各种用途当中。发光二极管通常包括发光芯片及覆盖芯片的荧光粉。芯片发出的光线通过激发荧光粉而改变颜色，从而获得理想的光输出。
现有的荧光粉通常是通过人工点胶的方式形成于芯片上的。然而，对于多个芯片而言，往往需要逐个对每个芯片进行点胶。因此，现有的发光二极管的制造过程需要耗费大量的时间，从而影响到发光二极管的生产效率。
发明内容
因此，有必要提供一种生产效率较高的发光二极管制造方法。
一种发光二极管制造方法，包括：提供设有发光芯片的基板及设有荧光胶的覆盖层；将覆盖层朝向基板移动，使发光芯片压入荧光胶内；固化覆盖层而形成覆盖发光芯片的封装体。
由于是通过压合的方式将发光芯片嵌入荧光胶内，对于多个发光芯片而言，可在同一压合制程当中同时与多个荧光胶进行结合。相比于现有技术当中逐个点胶的方式，本发明的制造方法可快速地对多个发光芯片设置荧光粉，从而提升发光二极管的生产效率。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明一实施例的发光二极管制造方法的第一个步骤。
图2为发光二极管制造方法的第二个步骤。
图3为发光二极管制造方法的第三个步骤。
图4示出了图3中使用的覆盖层的底面。
图5为发光二极管制造方法的第四个步骤。
图6为发光二极管制造方法的第五个步骤。
图7为发光二极管制造方法的第六个步骤。
图8为发光二极管制造方法的第七个步骤。
图9为制造完成的发光二极管。
图10为图9的发光二极管的俯视图。
主要元件符号说明
基板 10
绝缘层 12
电极 14
第一电极 16
第二电极 18
绝缘带 19
发光芯片 20
导线 22
覆盖层 30
第一透光层 32
第二透光层 34
凹槽 340
底面 342
荧光胶 36
底面 362
封装体 38
模具 40
发光二极管 50
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1-10，示出了本发明一实施例的发光二极管制造方法，其主要包括如下步骤：
首先，如图1所示，提供一基板10。基板10包括一绝缘层12及形成于绝缘层12内的多对电极14。绝缘层12可由高分子树脂等绝缘性优良的材料通过射入成型、转移成型等方式制成。每对电极14相互之间隔开，以防止短路。每对电极14包括一第一电极16及与第一电极16间隔的第二电极18。第一电极16与第二电极18之间通过一绝缘带19隔开，以防止二者直接导通。
然后，如图2所示在基板10上安装多个发光芯片20。每一发光芯片20通过固晶胶或其他方式固定于一相应的第二电极18上，然后通过导线22与相邻的第一电极16及第二电极18电连接。这些发光芯片20可采用诸如氮化镓、氮化铝镓、氮化铝铟镓等半导体材料制造，其可受电流的激发而发射光线。优选地，本实施例中所采用的发光芯片20均为蓝光晶片，以合成出白光。
之后，如图3-4所示，再提供一覆盖层30。覆盖层30由第一透光层32及第二透光层34组合而成。本实施例中，第一透光层32与第二透光层34采用不同的透光材料(如玻璃、环氧树脂、硅胶等)制造，以具备不同的硬度。优选地，第一透光层32的硬度大于第二透光层34的硬度。比如，第一透光层32的硬度可为A 70或D，第二透光层34的硬度可为A 20。第一透光层32的厚度小于第二透光层34的厚度。第二透光层34贴设于第一透光层32的底部。第二透光层34底面342开设有多个分离的凹槽340。每一凹槽340大致呈矩形，其顶部与第二透光层34的顶面隔开，底部贯穿第二透光层34的底面342。多个荧光胶36填充于各个凹槽340内。每一荧光胶36可由钇铝石榴石、硅酸盐、氮氧化物等荧光材料混合透光胶体制成，其硬度可与第二透光层34的硬度相当或小于第二透光层34的硬度。当然，该透光胶体也可选用与第二透光层34相同的材料制造。每一荧光胶36在发光芯片20的蓝光激发下可发出黄光，继而与蓝光一起合成白光。每一荧光胶36的底面362与第二透光层34的底面342齐平。相邻的荧光胶36通过第二透光层34隔开。
如图5-6所示，将覆盖层30置于基板10上方，使各荧光胶36对准各发光芯片20，然后通过一模具40下压覆盖层30的第一透光层32，使覆盖层30与基板10接合。由于第二透光层34中的荧光胶36的硬度较小，因此在接触到凸出于基板10上的发光芯片20之后，将会被发光芯片20所挤压而发生变形。随着覆盖层30与基板10之间的距离逐渐减小，荧光胶36的变形程度也越来越大，直至将整个发光芯片20逐渐包入其中。在模具40的压力作用下，此时第二透光层34及荧光胶36的底面340、360均与基板10的顶面紧密贴合。荧光胶36的底面直接与第一电极16、第二电极18及位于第一电极16及第二电极18之间的绝缘带19接触，第二透光层34的底面则直接与第一电极16及绝缘层12接触。
随后，如图7所示，移开模具40，再固化覆盖层30。固化覆盖层30可采用紫外光照射、烘烤等方式实现。覆盖层30在固化之后硬度增大，从而形成与基板10紧密接合的封装体38。
最后，如图8所示，沿着相邻两对电极14之间的位置处切割封装体38及基板10，形成如图9-10所示的多个独立的发光二极管50。
由于采用压合的方式将荧光胶36设置于发光芯片20上，因此即使发光芯片20的数量较多，也可在同一制程内同时完成。相比于现有的点胶方式，本发明的发光二极管制造方法具有更高的生产效率。
可以理解地，由于是通过压合的方式将发光芯片20压入荧光胶36内的，发光芯片20上的导线22可能会受到荧光胶36的压力而发生形变。为避免导线22出现形变的情况，可将发光芯片20换成倒装型发光芯片，使倒装型发光芯片的二电极直接与第一电极16及第二电极18连接。此种情况下无需使用导线22，因而也就不会出现导线22变形的问题。

Claims (10)

1.一种发光二极管制造方法，包括：
提供设有发光芯片的基板及设有荧光胶的覆盖层；
将覆盖层朝向基板移动，使发光芯片被压入荧光胶内；
固化覆盖层，形成覆盖发光芯片的封装体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：覆盖层包括第一透光层及第二透光层，荧光胶设于第二透光层内。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：第一透光层的硬度大于第二透光层。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：第一透光层及第二透光层采用不同的材料制造。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：第一透光层的厚度小于第二透光层的厚度。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：第二透光层开设朝向基板开口的凹槽，荧光胶收容于凹槽内。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于：相邻的荧光胶通过第二透光层隔开。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于：将覆盖层朝向基板移动是通过模具抵压第一透光层实现的。
9.如权利要求2所述的方法，其特征在于：发光芯片被压入荧光胶内之后第二透光层的底面与基板的顶面接合。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在固化覆盖层之后还包括对基板及覆盖层切割而形成多个独立的发光二极管的步骤。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109155118B (zh) * 2018-07-20 2020-12-29 深圳市雷迪奥视觉技术有限公司 显示屏面罩的制备工艺及显示屏

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007127029A2 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
CN102299245A (zh) * 2010-06-22 2011-12-28 日东电工株式会社 复合膜和使用该复合膜的半导体发光器件
CN102447051A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 日东电工株式会社 发光二极管密封材料和发光二极管装置的制造方法
CN102496672A (zh) * 2011-12-22 2012-06-13 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US20130062650A1 (en) * 2010-10-06 2013-03-14 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Led package and mold of manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007127029A2 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
CN102299245A (zh) * 2010-06-22 2011-12-28 日东电工株式会社 复合膜和使用该复合膜的半导体发光器件
CN102447051A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 日东电工株式会社 发光二极管密封材料和发光二极管装置的制造方法
US20130062650A1 (en) * 2010-10-06 2013-03-14 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Led package and mold of manufacturing the same
CN102496672A (zh) * 2011-12-22 2012-06-13 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法

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