KR101523001B1 - 발광 다이오드 패키지 및 그 발광 다이오드 패키지의트랜스퍼 몰딩 방법 - Google Patents
발광 다이오드 패키지 및 그 발광 다이오드 패키지의트랜스퍼 몰딩 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101523001B1 KR101523001B1 KR1020080029106A KR20080029106A KR101523001B1 KR 101523001 B1 KR101523001 B1 KR 101523001B1 KR 1020080029106 A KR1020080029106 A KR 1020080029106A KR 20080029106 A KR20080029106 A KR 20080029106A KR 101523001 B1 KR101523001 B1 KR 101523001B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- substrate
- molding
- groove
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
하나 이상의 홈이 형성된 기판 위에 실장된 발광 다이오드 칩과, 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하되, 몰딩부는 트랜스퍼 몰딩에 의해 수지로 형성되며, 하나 이상의 홈은 기판의 가장자리 쪽으로부터 발광 다이오드 칩을 향하여 형성되어 상기 수지로 충진된 발광 다이오드 패키지가 제공된다.
렌즈, 몰딩, 수지, 트랜스퍼몰딩, 분리, 발광다이오드
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩 방법에 관한 것으로, 상세하게는 발광 다이오드 칩이 실장되는 기판에 하나 이상의 홈을 형성하여 트랜스퍼 몰딩시에 발광 다이오드 칩을 둘러싸서 렌즈를 이루는 몰딩부를 성형함과 아울러 수지가 그 홈에 채워지게 함으로써 수지와 기판 사이에 접착력을 증대시킨 발광 다이오드 패키지 및 그 발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드 패키지는 기판위에 실장된 발광 다이오드 칩을 외력으로부터 보호하기 위해 트랜스퍼 몰딩 공정을 통해 형성된 몰딩부를 포함하고 있다. 종래의 기술은 발광 다이오드 패키지에 트랜스퍼 몰딩을 할 경우, 크게 렌즈만을 몰딩하는 경우와 패키지 상부 전체를 몰딩하는 경우로 구분되어 트랜스퍼 몰딩이 이루어졌다.
발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩에서 렌즈만을 몰딩할 경우 접착력이 떨어지고, 트랜스퍼 몰딩을 수행하는 방법이 까다로우며 트랜스퍼 몰딩을 위한 금 형의 게이트 숫자도 증가한다. 한편, 패키지 상부에 전체적으로 트랜스퍼 몰딩하는 경우에는 패키지 커팅 이후 분류 및 탭핑(tapping) 공정에서 세라믹과 수지간의 계면 및 수지 떨어짐이 발생하여 불량이 많아질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광 다이오드 패키지를 위한 트랜스퍼 몰딩시에 기판과 수지의 접착력을 증대시키고 트랜스퍼 몰딩시에 사용되는 금형의 게이트 수를 줄이는데 있다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 발광 다이오드 패키지에 있어서, 하나 이상의 홈이 형성된 기판 위에 실장된 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하되, 상기 몰딩부는 트랜스퍼 몰딩에 의해 수지로 형성되며, 상기 하나 이상의 홈은 상기 기판의 가장자리 쪽으로부터 상기 발광 다이오드 칩을 향하여 형성되어 상기 수지로 충진되어 기판과 수지의 접착력을 향상시키고, 금형의 게이트를 줄일 수 있다.
상기 하나 이상의 홈은 상기 몰딩부로부터 상기 기판의 가장자리까지 연장된다.
상기 몰딩부는 상기 하나 이상의 홈에 충진된 상기 수지의 적어도 일부를 덮도록 형성된다.
상기 하나 이상의 홈은 상기 몰딩부로부터 방사형으로 배치되어 형성된다.
발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩 방법에 있어서,
하나 이상의 발광 다이오드 칩이 이격되어 실장된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 금형을 덮고 몰딩 컴파운드 수지를 주입하여 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 형성하는 트랜스퍼 몰딩을 수행하는 단계를 포함하되, 상기 기판은 가장자리 쪽으로부터 상기 발광 다이오드 칩을 향하여 하나 이상의 홈이 형성되어 있으며, 상기 금형은 상기 몰딩부를 형성하기 위한 형상과 상기 홈에 상기 수지를 충진하기 위한 형상을 포함한다.
상기 트랜스퍼 몰딩 수행단계는 상기 하나 이상의 홈을 상기 트랜스퍼 몰딩시 상기 수지를 유입하기 위한 게이트로 사용한다.
상기 트랜스퍼 몰딩을 수행한 후에, 상기 트랜스퍼 몰딩이 수행된 상기 기판을 상기 발광 다이오드 칩별로 다이싱하는 단계를 더 포함한다.
상기 하나 이상의 홈은 상기 몰딩부로부터 상기 기판의 가장자리까지 연장된다.
상기 몰딩부는 상기 하나 이상의 홈에 충진된 상기 수지의 적어도 일부를 덮도록 형성된다.
상기 하나 이상의 홈은 상기 몰딩부로부터 방사형으로 배치되어 형성된다.
발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩 방법에 있어서,
하나 이상의 발광 다이오드 칩이 이격되어 실장된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 금형을 덮고 몰딩 컴파운드 수지를 주입하여 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 형성하는 트랜스퍼 몰딩을 수행하는 단계를 포함하되, 상기 기판은 가장자리 쪽으로부터 상기 발광 다이오드 칩을 향하여 하나 이상의 홈이 형성되어 있으며, 상기 금형은 상기 몰딩부를 형성하기 위한 형상과 상기 홈에 상기 수지를 충진하기 위한 형상을 포함한다.
상기 트랜스퍼 몰딩 수행단계는 상기 하나 이상의 홈을 상기 트랜스퍼 몰딩시 상기 수지를 유입하기 위한 게이트로 사용한다.
상기 트랜스퍼 몰딩을 수행한 후에, 상기 트랜스퍼 몰딩이 수행된 상기 기판을 상기 발광 다이오드 칩별로 다이싱하는 단계를 더 포함한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
본 발명의 실시예에 의하면, 기판위에 발광 다이오드 칩을 실장한 후에 트랜스퍼 몰딩을 수행할 때 기판위에 형성된 하나 이상의 홈에 수지가 채워지도록 하여 기판과 수지 사이에 접착력을 강화시킬 수 있으며, 기판에 형성된 홈들을 금형의 게이트로 사용하는 경우에는 게이트의 개수를 줄일 수 있어 수지의 소모를 줄일 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 기판(10)과, 기판(20)위에 실장된 발광 다이오드 칩(20)과, 발광 다이오드 칩(20)을 둘러싸서 렌즈를 형성하는 몰딩부(30)를 포함한다. 몰딩부(30)는 트랜스 퍼 몰딩에 의해 수지로 형성된다. 기판(10)은 몰딩부(30)로부터 기판(10)의 가장자리쪽으로 연장되어 형성된 하나 이상의 홈(11)이 형성되어 있으며, 이 홈은 수지(31)로 채워져 있다. 기판(10)은 발광 다이오드 칩(20)을 실장하기 위한 것으로 예를 들어 세라믹 기판일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 기판의 사시도이다. 도 3을 참조하면, 기판(10)에는 몰딩부(30)가 형성될 부분으로부터 기판(10)의 가장자리쪽으로 연장되어 하나 이상의 홈(11)이 형성되어 있다. 상기 하나 이상의 홈(11)은 몰딩부(30)가 형성될 부분으로부터 기판(10)의 가장자리에 이르도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 하나 이상의 홈(11)은 몰딩부(20)가 형성된 부분으로부터 방사형으로 배치되어 형성될 수 있다. 홈(11)은 직선 형태 또는 비직선 형태로 형성될 수 있다. 아울러, 상기 홈(11)은 트랜스퍼 몰딩시 수지가 유입되는 게이트로 사용될 수 있는 형상(폭과 깊이)으로 형성될 수 있다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 트랜스퍼 몰딩하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4를 참조하면, 기판(10)을 준비한다. 상기 기판(10)은 하나 이상의 발광 다이오드 칩을 이격하여 실장하기 위한 충분한 면적을 가지고 있다. 기판(10)에는 발광 다이오드 칩(도 1에서의 20)이 실장된 후 몰딩부(도 1에서의 30)가 형성될 부분으로부터 기판(10)의 가장자리쪽으로 연장되어 하나 이상의 홈(11)이 형성되어 있다. 예를 들어 도면에는 각 발광 다이오드 칩별로 4개의 홈(11)이 형성되어 있다. 하나의 홈(11)은 인접하는 두 개의 발광 다이오드 칩을 위하여 공통적으로 사 용될 수 있는 길이를 가지고 있다. 하나의 홈(11)이 인접하는 두 개의 발광 다이오드 칩을 위하여 형성되어 있음에 따라 각 홈(11)은 트랜스퍼 몰딩시에 수지를 주입하기 위한 게이트로 사용될 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 기판을 부분적으로 확대하여 하나의 발광 다이오드 칩이 실장되는 부분에 대하여 나타낸 도면이다. 도 5를 참조하면, 발광 다이오드 칩이 실장될 중앙 부분은 비어 있고, 그 중앙 부분을 중심으로 4개의 홈(11)이 방사형으로 배치되어 형성되어 있다. 도면에서는 홈(11)이 직선형태로 형성되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 비직선 형태로 얼마든지 변형하여 형성될 수 있다. 아울러, 홈(11)의 폭 또는 깊이는 기판(10)과 수지의 접착성을 고려하여 결정될 수 있으며, 트랜스퍼 몰딩시 수지가 유입되는 게이트로 사용될 수 있는 형상(폭과 깊이)으로 결정될 수 도 있다.
도 6을 참조하면, 도 5에 도시된 기판(10)의 중앙 부분에 발광 다이오드 칩(11)을 실장한다. 이에 따라, 도면에는 생략되어 있지만, 기판(10)에 하나 이상의 발광 다이오드 칩(20)이 이격되어 실장되어진다.
도 7을 참조하면, 발광 다이오드 칩(20)이 실장된 기판(10)위에 금형(40)을 덮는다. 금형(40)은 기판(10)위에 발광 다이오드 칩(20)을 둘러싸서 렌즈를 이루는 몰딩부(30)를 형성하기 위한 형상(41)을 포함하며, 홈(11)에 수지(31)를 채우기 위한 형상(42)을 더 포함한다. 이때, 홈(11)은 수지를 유입하기 위한 게이트로 사용될 수 있다. 금형(40)을 덮은 후에 게이트로 사용할 홈(11)을 통해 고온의 몰딩 컴파운드 수지를 주입하여 금형(40)의 내부 공간(43)에 채운다. 트랜스퍼 몰딩을 수 행하여 몰딩부를 형성한 후 주입된 수지를 경화시킨다. 이후, 금형(40)을 제거한다. 금형(40)을 제거한 후 트랜스퍼 몰딩이 수행된 기판(10)을 발광 다이오드 칩(20)별로 다이싱하면, 도 1에 도시된 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지가 완성된다.
발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩에서 렌즈만을 몰딩하는 것에 비하여, 렌즈의 몰딩과 아울러 몰딩부를 둘러싸고 있는 홈들에 수지를 채움으로써 세라믹 기판과 수지의 접착력을 강화시키고, 트랜스퍼 몰딩을 위한 금형의 게이트 숫자도 줄여서 패키지 커팅 이후 분류 및 탭핑(tapping) 공정에서 세라믹과 수지사이의 결합이 훼손되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 2에서 기판의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 기판을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4에서 기판의 부분 확대도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 기판에 발광 다이오드 칩이 실장된 것을 보여주는 평면도이다
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 금형으로 덮은 것을 보여주는 단면도이다.
Claims (7)
- 광 다이오드 패키지에 있어서,하나 이상의 홈이 형성된 기판 위에 실장된 발광 다이오드 칩; 및상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하되,상기 몰딩부는 트랜스퍼 몰딩에 의해 수지로 형성되며,상기 하나 이상의 홈은 상기 수지가 주입되는 게이트로 이용되도록 상기 기판의 가장자리에서 상기 발광 다이오드 칩이 실장된 위치를 향한 방향으로 형성되어 상기 수지로 충진되고,상기 하나 이상의 홈은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 일정 간격 이격되어 상기 기판의 가장자리까지 연장된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 청구항 1에 있어서,상기 하나 이상의 홈은 서로 일정 간격 이격되고, 상기 몰딩부의 가장자리와 접하는 발광 다이오드 패키지.
- 청구항 1에 있어서,상기 몰딩부는 상기 하나 이상의 홈에 충진된 상기 수지의 적어도 일부를 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 청구항 1에 있어서,상기 하나 이상의 홈은 상기 몰딩부로부터 방사형으로 배치되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩 방법에 있어서,하나 이상의 발광 다이오드 칩이 이격되어 실장된 기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 위에 금형을 덮고 몰딩 컴파운드 수지를 주입하여 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 형성하는 트랜스퍼 몰딩을 수행하는 단계를 포함하되,상기 기판에는 상기 수지가 주입되는 게이트로 이용되도록 가장자리에서 상기 발광 다이오드 칩이 실장된 위치를 향한 방향으로 형성된 하나 이상의 홈이 형성되어 있으며,상기 금형은 상기 몰딩부를 형성하기 위한 형상과 상기 홈에 상기 수지를 충진하기 위한 형상을 포함하고,상기 하나 이상의 홈은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 일정 간격 이격되어 상기 기판의 가장자리까지 연장된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩 방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 트랜스퍼 몰딩 수행단계는,상기 하나 이상의 홈을 상기 트랜스퍼 몰딩시 상기 수지를 유입하기 위한 게이트로 사용되고, 서로 일정 간격 이격되어 상기 몰딩부의 가장자리와 접하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩 방법.
- 청구항 5에 있어서,상기 트랜스퍼 몰딩을 수행한 후에, 상기 트랜스퍼 몰딩이 수행된 상기 기판을 상기 발광 다이오드 칩별로 다이싱하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지의 트랜스퍼 몰딩 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080029106A KR101523001B1 (ko) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 발광 다이오드 패키지 및 그 발광 다이오드 패키지의트랜스퍼 몰딩 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080029106A KR101523001B1 (ko) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 발광 다이오드 패키지 및 그 발광 다이오드 패키지의트랜스퍼 몰딩 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090103473A KR20090103473A (ko) | 2009-10-01 |
| KR101523001B1 true KR101523001B1 (ko) | 2015-05-27 |
Family
ID=41533005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080029106A KR101523001B1 (ko) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | 발광 다이오드 패키지 및 그 발광 다이오드 패키지의트랜스퍼 몰딩 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101523001B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5310672B2 (ja) | 2009-10-15 | 2013-10-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN106067507B (zh) * | 2012-11-12 | 2019-05-10 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装构造及其制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969951A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-20 | Toshiba Corp | パツケ−ジ封止方法 |
| KR19980019661A (ko) * | 1996-09-02 | 1998-06-25 | 김광호 | 홈이 형성된 인쇄회로기판을 이용한 COB(Chip On Board)패키지 |
| JP2007027433A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光装置 |
| KR20070117749A (ko) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | 주식회사 이츠웰 | 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법 |
-
2008
- 2008-03-28 KR KR1020080029106A patent/KR101523001B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969951A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-20 | Toshiba Corp | パツケ−ジ封止方法 |
| KR19980019661A (ko) * | 1996-09-02 | 1998-06-25 | 김광호 | 홈이 형성된 인쇄회로기판을 이용한 COB(Chip On Board)패키지 |
| JP2007027433A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光装置 |
| KR20070117749A (ko) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | 주식회사 이츠웰 | 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090103473A (ko) | 2009-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI712189B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| TWI424538B (zh) | 具備殼體的光電子裝置 | |
| US9966515B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
| JP2008004570A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置の製造装置、および樹脂封止型半導体装置 | |
| TW201308692A (zh) | 利用轉移成型製造光電半導體組件之方法 | |
| KR20090032866A (ko) | 계면 분리를 줄인 ｌｅｄ 패키지 | |
| US20130015490A1 (en) | Led and method for manufacturing the same | |
| KR20110133498A (ko) | 복수의 광전자 반도체 컴포넌트들을 생산하는 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트 | |
| US8791497B2 (en) | Mold for light-emitting device package | |
| TWI479699B (zh) | 發光二極體封裝結構之製造方法 | |
| US11728321B2 (en) | Optoelectronic component and manufacturing method | |
| KR101523001B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 발광 다이오드 패키지의트랜스퍼 몰딩 방법 | |
| KR20110115846A (ko) | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 | |
| SG134268A1 (en) | Thermally enhanced semiconductor package and method of producing the same | |
| KR101598688B1 (ko) | 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스 | |
| KR100757825B1 (ko) | 발광 다이오드 제조방법 | |
| KR102465972B1 (ko) | 몰딩된 패키지 및 제조 방법 | |
| TWI419557B (zh) | 鏡頭模組、其製作方法及形成多個鏡頭模組的晶圓結構 | |
| WO2010107239A3 (ko) | 발광 다이오드 장치의 제조방법과 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 모듈, 그리고 이를 구비한 조명등기구 | |
| JP2013207225A (ja) | 表面実装パッケージの製造方法 | |
| TW201344986A (zh) | 發光二極體及其封裝方法 | |
| KR101926721B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| TWI440225B (zh) | 發光二極體的製造方法 | |
| KR100901435B1 (ko) | Ｌｅｄ 렌즈 성형몰드 | |
| TWI485887B (zh) | 發光二極體封裝方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |