TW201308692A - 利用轉移成型製造光電半導體組件之方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及一種利用轉移成型製造光電半導體組件(300)的方法。製作一個帶有複數個發射電磁輻射之半導體晶片(102)的載體(100)。在設置複數個半導體晶片(102)的電接觸(112)之後，在每一個半導體晶片(102)的輻射發射面(108)上設置一個輻射轉換元件(110)。將載體(100)放到一個轉移成型工具(200，210，220)的一個填充模穴(206)內。接著利用轉移成型將灌注材料(208)注入(S9)填充模穴(206)。待灌注材料(208)硬化後，將光電半導體組件(300)一個一個分開。本發明還涉及一種利用本發明的方法製造的光電半導體組件(300)，以及一種製造光電半導體組件(300)用的轉移成型工具(200，210，220)。
Description
本發明包括一種利用轉移成型製造光電半導體組件的方法、一種以這種方法製造的光電半導體組件、以及一種利用轉移成型製造光電半導體組件用的轉移成型工具。
例如光電半導體組件具有一個帶有輻射轉換元件的電接觸半導體晶片，其中半導體晶片及輻射轉換元件係埋在一個灌注材料中。在運轉中，半導體晶片會發出一次輻射，其中有一部分一次輻射會在輻射轉換元件內被轉換成具有另一波長的二次輻射。光電半導體組件產生的輻射是由輻射轉換元件發射的一次輻射及其產生的二次輻射組成。因此這種光電半導體組件很適用來製造發射白光的光源。
半導體晶片及至少一部分其他的元件是裝在一個外殼及/或埋在灌注材料中。一種已知的製造光電半導體組件的方法是經由擴散過程加入灌注材料。由於灌注材料需具備必要的流動性，因此必須使用非常軟的材料。另一個缺點是由於灌注材料及光電半導體組件之元件之間的黏著力不佳，可能出現不緊密的部位，例如在灌注材料及導線架之間出現不緊密的部位，因而無法確保光電半導體組件的力學穩定性。
本發明的目的是對現有技術進行改良。
本發明提出一種製造光電半導體組件的方法、一種光電半導體組件、以及一種製造光電半導體組件用的轉移成型工具，這種方法及轉移成型工具可應用於非常多種的灌注材料，而且能夠改善光電半導體組件的力學穩定性。
採用獨立申請專利項目1之製造光電半導體組件的方法，即可達到本發明的目的。
採用獨立申請專利項目13之光電半導體組件，即可達到本發明的目的。
採用獨立申請專利項目14之製造光電半導體組件的轉移成型工具，即可達到本發明的目的。
附屬申請專利項目之內容為本發明之各種改良及有利的實施方式。
實施方式的例子
本發明之製造光電半導體組件的方法具有以下的步驟：-- 製作一個帶有複數個發射電磁輻射之半導體晶片的載體；-- 設置複數個半導體晶片的電接觸；-- 在每一個半導體晶片的輻射發射面上設置一個輻射轉換元件；-- 將載體放到一個轉移成型工具的一個填充模穴內；-- 利用轉移成型將灌注材料注入填充模穴；-- 待灌注材料硬化後，將光電半導體組件一個一個分開。
根據本發明，製造光電半導體組的方法是利用轉移成型使設置電接觸且帶有輻射轉換元件的半導體晶片埋入灌注材料內及/或被灌注材料包封住。因此本發明的方法與已知的製造方法不同，是在放入設置電接觸的半導體晶片及輻射轉換元件之後，才注入灌注材料。由於使用轉移成型技術的關係，可供本發明之方法作為灌注材料的材料選擇範圍非常廣泛。尤其是可以使用硬度較大的材料，例如熱固性塑膠，這種材料可提高製成之半導體組件的力學穩定性。此外，也可以根據特定目的選擇所使用的材料，例如根據所需的熱膨脹係數。此外，由於使用轉移成型技術的關係，還可以改善灌注材料及元件之間的附著力，因此以本發明的方法製造出的光電半導體組件具有比已知方法製造的光電半導體組件更好的力學穩定性。
在不同的實施方式中，轉移成型工具的形狀使輻射轉換元件背對半導體晶片的面上不會有灌注材料。由於轉移成型工具的形狀是配合輻射轉換元件設計的，因此可以防止灌注材料沉積在輻射轉換元件的頂面(也就是背對半導體晶片的面)上。這樣就可以避免光輸出及/或防止光電半導體組件的輻射特性發生不良的改變。
根據一種實施方式，轉移成型工具是平放在輻射轉換元件背對半導體晶片的面上。這樣就可以將轉移成型工具直接密封在輻射轉換元件上。因此能夠有效防止輻射轉換元件的頂面過度變形，同時又能使轉移成型工具具有一簡單的形狀。
根據一種實施方式，轉移成型工具具有沿著輻射轉換元件背對半導體晶片的面的邊緣排列的凸起。換句話說，轉移成型工具具有沿著輻射轉換元件的頂面邊緣排列並與該等邊緣對齊的凸起。因此轉移成型工具只有凸起部分位於輻射轉換元件的頂面邊緣上，並與該等邊緣對齊，其餘部分則不會直接位於輻射轉換元件上，這樣就可以防止輻射轉換元件受損及承受不必要的機械壓力。
根據一種實施方式，轉移成型工具具有複數個設置在輻射轉換元件之上方的真空鑽孔。這樣就可以在輻射轉換元件的範圍形成負壓，因而使輻射轉換元件被吸住而緊密的附在轉移成型工具上。這樣就可以在輻射轉換元件及轉移成型工具之間形成有效的密封，以防止不應被灌注材料封住之輻射轉換元件過度變形。
根據其他不同的實施方式，設置半導體晶片的電接觸的步驟包括設置一條接合線，其中該接合線在輻射發射面上方的垂直長度小於輻射轉換元件在輻射發射面上方的高度。由於接合線不會超過輻射轉換元件的頂面向外伸出，因此可以將轉移成型工具放在輻射轉換元件的頂面上，以便有效的將輻射轉換元件的頂面密封住。這樣做也能夠使轉移成型工具的製造及成型變得更簡單，因為無需預留容接合線用的空隙(以防止接合線受損)。因此能夠製造出形狀很平坦的光電半導體組件。
根據一種實施方式，本發明的方法還包括在輻射轉換元件及轉移成型工具之間設置一層薄膜的步驟。這樣
做一方面可以在輻射轉換元件及轉移成型工具之間形成更好的密封，以防止輻射轉換元件過度變形，另一方面又能夠使轉移成型工具更容易從輻射轉換元件移開，以避免輻射轉換元件受損。
根據一種實施方式，本發明的方法還包括以下的步驟：在將載體放入填充模穴內之前，在輻射轉換元件上塗上一層光致抗蝕劑，以及在硬化步驟之後將光致抗蝕劑去除。這樣做一方面可以在輻射轉換元件及轉移成型工具之間形成更好的密封，以防止輻射轉換元件過度變形，另一方面又能夠使轉移成型工具更容易從輻射轉換元件移開，以避免輻射轉換元件受損。這樣做也可以使輻射轉換元件的頂面在整個製造過程中都受到光致抗蝕劑的保護，以免受損。
根據其他不同的實施方式，本發明的方法還包括以下的步驟：製作彈性輻射轉換元件，尤其是矽樹脂製的輻射轉換元件。根據其他不同的實施方式，本發明的方法還包括以下的步驟：在半導體晶片及輻射轉換元件之間設置彈性層，尤其是矽樹脂製的彈性層，或是在輻射轉換元件背對半導體晶片的面上設置彈性層，尤其是矽樹脂製的彈性層。設樣就可以施壓將轉移成型工具安放在輻射轉換元件上，以改善轉移成型工具及輻射轉換元件之間的接觸及形成更好的密封，以避免灌注材料滲入不當的部位。由於元件受壓可能出現變形，因此輻射轉換元件的彈性或元件之間的彈性層的彈性亦有助於避免輻射轉換元件或其他元件因受壓而受損。
根據其他不同的實施方式，灌注材料是一種熱固性塑膠，尤其是一種環氧化物、矽樹脂或矽樹脂環氧化物混成材料。熱固性塑膠可以提高光電半導體組件的力學穩定性，因而延長其使用壽命。
根據其他不同的實施方式，灌注材料含有反射微粒及/或散射微粒，尤其是氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、硫酸鋇、色素、炭黑、有機填充料、或以上材料的混合物。因此可以避免輻射損失，例如避免側向散射或晶片載體的吸收作用造成的射損失。此外，透過從側面將半導體晶片及輻射轉換元件包封住的灌注材料能夠在一個有利的主方向上達到一特定的輻射角。
本發明還包括利用本發明的方法製造光電半導體組件。這種光電半導體組件具有較高的力學穩定性，因此使用壽命也比較長。
本發明還包括一種利用轉移成型製造光電半導體組件用的轉移成型工具，該轉移成型工具具有一個填充模穴，填充模穴的作用是容納載體及利用轉移成型填充灌注材料，其中載體具有：-- 複數個發射電磁輻射的電接觸的半導體晶片；及-- 在每一個半導體晶片的輻射發射面上都有一個輻射轉換元件。
透過使用特殊的轉移成型工具，可以使轉移成型工具的形狀與帶有電接觸的載體及帶有輻射轉換件的半導體晶片的形狀完全適配，以精確控制灌注材料的分佈。尤其是可以透過轉移成型工具的表面定義及改變製造出
的光電半導體組件的表面形狀及起伏。因此可以獲得所希望的結構。
根據其他不同的實施方式，轉移成型工具的形狀使輻射轉換元件背對半導體晶片的面上不會有灌注材料。透過使用形狀與輻射轉換元件適配的轉移成型工具，可以防止灌注材料沉積在輻射轉換元件的頂面(也就是背對半導體晶片的面)上。這樣就可以避免光輸出及/或防止光電半導體組件的輻射特性發生不良的改變。
以下將配合圖式進一步說明本發明之不同的實施方式。在以下的圖式中，元件符號的第一個數字代表第一次出現該元件的圖號。相同的元件符號代表在所有圖式中出現的相同、相同作用或具有相同特性的元件。
第1圖顯示載體100的俯視圖。第2圖顯示第1圖所示之載體的A-A’切面的側視圖。
在載體100上設有複數個半導體晶片102，例如排列成矩陣狀或其他任何形狀的半導體晶片。這些半導體晶片102都是光電半導體晶片102，例如是一種發光二極體或其他能夠發射或吸收電磁輻射的光電元件。例如半導體晶片102可以是由半導體製造過程在半導體基板上形成的層序列所構成。也可以利用薄膜製程製造出半導體晶片102。半導體晶片102具有一個接觸面104，並利用已知的方法(LED是利用接合法)將半導體晶片102的接觸面104設置在載體100上，並經由接觸面104使半導體晶片102具有至少一個電接觸。當然也可以經由
電接觸104在載體100上形成其他的電接觸。
視要製造的光電半導體組件的種類而定，載體100可以是一個導線架(leadframe)或基板。載體100的作用是提高光電半導體組件的力學穩定性及/或形成半導體晶片102與外部電接觸之間的導電連接。例如載體100可以是一種陶瓷載體或半導體載體。
在半導體晶片102與接觸面104相對而立的面上具有一個輻射發射面108。在半導體晶片102內產生的輻射是經由輻射發射面108向外輸出。例如為了盡可能提高輻射輸出效率，可以使載體100在接觸面104的區域具有一個反射表面。
在輻射發射面108上有一個輻射轉換元件110。輻射轉換元件110含有一種磷光材料，半導體晶片102產生的輻射至少會有一部分被該磷光材料吸收。輻射會在輻射轉換元件110內激發一個磷光轉換，使輻射轉換元件110發出波長不同於半導體晶片102產生之輻射的二次輻射。因此能夠製造出具有頻譜範圍很廣的光電半導體組件。
此外，半導體晶片102還經由導線連接112使輻射發射面108與載體100形成電接觸。導線連接尤其是一條接合線，其在輻射發射面108上方的垂直長度V1小於輻射轉換元件110在輻射發射面108上方的垂直長度V2。換句話說，光電半導體組件的高度不是由接合線決定，而是由輻射轉換元件決定。此處適用扁平接合法，例如反向接合、楔形接合或鋁條帶接合。
這樣做的優點是，灌注材料很容易就可以將接合線整個覆蓋住。因此無需為了保護接合線另外設置一個外殼件。此外，這樣做還可以使所有的元件都被相同的材料包封住，因此能夠降低因外殼材料或灌注材料之間不同的熱膨脹係數造成的熱應力。此外，這樣做亦有助於使光電半導體組件保持很低的高度。也就是說，光電半導體組件的高度僅由載體100的高度、半導體晶片的高度、以及輻射轉換元件110的高度決定。這樣做可以使光電半導體組件大幅縮小，而且無需使用如通孔敷鍍之類的特殊技術。
接著如第3圖所示，將帶有電接觸的半導體晶片102及輻射轉換元件110的載體100放到轉移成型工具200的填充模穴206內。在這個例子中，第3圖顯示的轉移成型工具200是由兩個能夠結合在一起的工具部分202，204構成，工具部分202，204緊靠在載體100上將載體100封閉住，並與載體100構成如第4圖所示的封閉的填充模穴206。
轉移成型及其使用的設備均屬於已知技術，其是在高溫(例如110℃至200℃)下以壓力(例如1MPa至20MPa)填充灌注材料，並在灌注材料硬化後將轉移成型工具打開，以取出成型件。因此以下將詳細說明轉移成型工具。在以下的描述中，除另有說明外，本發明使用的都是已知的轉移成型設備及轉移成型方法。
雖然圖式中顯示的是兩個工具部分202，204，但本發明並不限於使用具有兩個工具部分的轉移成型工具，
而是可以使用具有任意數量及形狀之工具部分的轉移成型工具。工具部分只要能夠將載體100封閉，以構成能夠容納灌注材料的封閉的填充模穴206即可。封閉的填充模穴具有至少一個讓在壓力被注入的灌注材料進入的入口。在注入之前，先將灌注材料208加熱到前面提及的溫度，例如110℃至200℃。先將灌注材料208熔化可使灌注材料208在填充模穴206內具有流動性，以使載體100的元件完全埋到灌注材料208中。
根據不同的實施方式，轉移成型工具200的形狀要能夠使輻射轉換元件110的頂面114(也就是輻射轉換元件110背對半導體晶片102的面114)基本上不會有灌注材料208。這可以透過不同的形狀的轉移成型工具200或選擇性的在填充模穴206內設置其他的元件來達成，這將下以下的描述中加以說明。
根據第4圖顯示的轉移成型工具200的第1個實施方式，轉移成型工具200或第一個工具部分202是平放在輻射轉換元件110的頂面114上。
第5圖顯示在封閉之轉移成型工具200的填充模穴206內的載體100，其中填充模穴206已填滿灌注材料208。由於填充模穴206的整個空腔全部填滿灌注材料208，因此載體100的所有元件都埋在灌注材料208中。尤其是連接導線112整個被灌注材料208包封住。
在這個實施例中，由於轉移成型工具200是平放在輻射轉換元件110的頂面114上，因此灌注材料208不會流到輻射轉換元件110的頂面114。但是灌注材料208
將半導體晶片102包封住，以及從側面將輻射轉換元件110一直包封到輻射轉換元件110的上緣。由於載體100的所有元件完全埋在灌注材料208中，因此無需另外設置一個外殼。由於不需要填充模穴，因此也可以縮小組件台面面積。
此外，由於半導體晶片102、連接導線112及其他元件都是被相同的材料包封住，也就是被具有相同的熱膨脹係數的材料包封住。這樣就可以縮小因使用不同的灌注材料或外殼材料而產生的熱應力。這個優點亦擴及其他的元件，例如也可以將ESD二極體整合進去。
和已知的擴散法不一樣的是，有許多材料可作為本發明使用的灌注材料208。一種非常有利的方式是以熱固性塑膠作為灌注材料，因為其在硬化後具有很好的熱學及力學穩定性。但本發明並不僅限於使用熱固性塑膠，而是可以視要製造的光電半導體組件的需要及要求以任何材料或混合材料作為灌注材料，當然前提是該材料要能夠以轉移成型法加工。例如以環氧化物、矽樹脂或矽樹脂環氧化物混成材料作為灌注材料(Moldcompound)。也可以用熱塑性塑膠作為灌注材料208，然後利用注射成型(injection molding)將其注入填充模穴。
灌注材料208最好是含有反射微粒及/或散射微粒，尤其是氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、硫酸鋇、色素、炭黑、有機填充料、或以上材料的混合物。
待灌注材料208硬化後，將轉換成型工具從帶有元
件及灌注材料208的載體100移除，或是將載體100從填充模穴206取出。接著沿著6圖中的分割線C將載體100鋸開、切開、沖壓、或劃開，然後鑽孔，這樣就可以獲得如第7圖所示的一個一個的光電半導體組件300。
以下將配合第8圖詳細說明本發明的方法及各個步驟。第8圖是一個步驟流程圖。第8圖中的步驟並非每一個都必須被執行，而是可以略去某些步驟，但前提是略去之後仍要能夠實現本發明的理論。也可以加入未在第8圖中顯示的其他步驟。此外，步驟的順序是可以改動的，而不是一定要按照第8圖的順序執行。
本發明的方法是從步驟S0開始。接下來的步驟S1是製作帶有複數個半導體晶片102的載體100。接著步驟S2是使半導體晶片102形成電接觸，例如利由接合線構成的導線連接112。接下來的步驟S3是在每一個半導體晶片102上設置一個輻射轉換元件110。輻射轉換元件110可以是由一種彈性材料(例如矽樹脂)製成，這樣就可以在轉移成型工具200及輻射轉換元件110之間形成更好的密封。
可以視需要將步驟S4移到步驟S1至S3之間的任一個位置執行，也就是在輻射轉換元件110及半導體晶片102之間或輻射轉換元件110的頂面設置一個彈性層。這樣做可以提高整體元件的彈性，這樣經由轉移成型工具200作用的壓力就不會使元件受損，並在元件及轉移成型工具200之間形成更好的密封。
步驟S5及S6是可以選擇性執行的步驟，其目的是
在輻射轉換元件110及轉移成型工具200之間形成更好的密封，以及使轉移成型工具200更容易從輻射轉換元件110被移開。如第11圖所示，步驟S5是將薄膜402(例如由離型膜PTFE構成的薄膜)放到輻射轉換元件110上。薄膜402可以是單獨一片的薄膜，也可以是由多片薄膜組成。如第12圖所示，步驟S6是將一個可移除的層(例如光致抗蝕層404或一層可溶於水的漆)塗在輻射轉換元件110的頂面114上。
步驟S7是製作一個本發明的轉移成型工具200，其作用是將帶有元件的載體100容納於其填充模穴206內。一種有利的方式是，轉移成型工具200或轉移成型工具200的一或複數個工具部分202，204的形狀設計成使輻射轉換元件110的頂面114上不會有灌注材料。如在轉移成型工具200的第1個實施方式中已說明過的，這可以透過將轉移成型工具200平放在輻射轉換元件110的頂面114上獲得實現。本文後面將會說明轉移成型至具200的另外一種實施方式。
步驟S8是將載體100放到轉移成型工具200的填充模穴206內，並將轉移成型工具200封住，這樣工具部分202，204就會密封在載體100上，並與載體100共同構成一個封閉的填充模穴206，且填充模穴206具有至少一個讓灌注材料208進入的入口。
步驟S9是在高溫下以壓力利用轉移成型將灌注材料208注入填充模穴206。待灌注材料硬化後，執行步驟S10將載體100從填充模穴206中取出。
如果有使用保護元件或密封元件，則應執行步驟11將其去除。例如去除輻射轉換元件110的頂面114上的彈性元件、漆或薄膜。
接下來的步驟S12是將光電半導體組件300一個一個分開。例如可以沿著規定的分割線以鋸開、沖壓或切割等方式將光電半導體組件300分開。也可以利用先刻劃再折斷的方式將光電半導體組件300分開。最後一個步驟S13是製作出本發明的光電半導體組件300。
以下將配合第9圖及第10圖說明轉移成型工具200的另一種實施方式。
第9圖顯示的第2個實施方式。設置在輻射轉換元件110之頂面114上的第一個工具部分212帶有改善密封用的凸起216，其中凸起216沿著輻射轉換元件110之頂面114的邊緣排列，並與頂面114對齊。這樣可以在輻射轉換元件110之頂面114的邊緣達到特別有效的密封，因不會有灌注材料208流到輻射轉換元件110的頂面114。同時可以使從輻射轉換元件110去除工具部分212的工作變得更容易，因為工具部分212僅是以凸起216的點靠放在輻射轉換元件110。第9圖顯示通過工具部分212的一個切面。
第10圖顯示的第3個實施方式。根據這個實施方式中，工具部分222，224具有至少一個與相應的真空泵500連接的真空鑽孔226。第10圖顯示複數個真空鑽孔226，這些真空鑽孔226均與真空泵500(未在第10圖中繪出)連接。真空鑽孔226係設置在第一個工具部分
222，且均位於輻射轉換元件110之上方，因此所產生的負壓會將輻射轉換元件110吸住，因而達到改善填充模穴206內的輻射轉換元件110及移成型工具220之間的密封的效果。這樣就可以有效防止不應有灌注材料208的元件出現過度變型的情況。雖然第10圖顯示真空鑽孔226位於輻射轉換元件110之上方，但實際上也可以將一或複數個真空鑽孔226設置於另一個工具部分，這樣就可以吸住填充模穴206內的不同的元件，以達到最佳的密封。
本發明可以簡化光電半導體組件的製造過程。尤其是所需的製造時間短於已知的擴散法。由於僅使用一種灌注材料，以及灌注材料的選擇範圍很廣泛，因此不但可以降低製造成本，而且適於大量生產。而且製造出的光電半導體組件具有很高的力學穩定性，因此在後續的加工過程中較易於處理。例如可以在下一個步驟(例如壓製成型步驟)中為光電半導體組件裝上一個光學元件(例如透鏡)。
最後說明事項
以上配合若干個實施例說明本發明之光電半導體組件及製造光電半導體組件的方法所依據的想法。這些實施例並未受限於特定的特徵組合。即使若干特徵及佈置僅是以一個特殊的實施例或個別的實施例加以描述，這些特徵及佈置仍可與其他實施例描述的特徵及佈置組合。同樣的，也可以加上或去除在實施例中個別描述的特徵或特殊的佈置，但前提是普遍成立的技術理論仍然
要能夠獲得實現。
即使前面是以特定的順序描述製造光電半導體組件的步驟，但是本發明所揭示的每一個方法都能夠以任何一種合理的步驟順序被執行，而且也可以去除或加上若干步驟，但前提是不能偏離本發明的基本構想及理論。
100‧‧‧載體
102‧‧‧半導體晶片
104‧‧‧接觸面
108‧‧‧輻射發射面
110‧‧‧輻射轉換元件
112‧‧‧導線連接
114‧‧‧頂面
200‧‧‧轉移成型工具的第1個實施方式
202‧‧‧轉移成型工具200的第一個工具部分0
204‧‧‧轉移成型工具200的第二個工具部分0
206‧‧‧填充模穴
208‧‧‧灌注材料
210‧‧‧轉移成型工具的第2個實施方式
212‧‧‧轉移成型工具
214‧‧‧轉移成型工具210的第二個工具部分
216‧‧‧凸起
220‧‧‧轉移成型工具的第3個實施方式
222‧‧‧轉移成型工具220的第一個工具部分
224‧‧‧轉移成型工具220的第二個工具部分
226‧‧‧空鑽孔
300‧‧‧光電半導體組件
402‧‧‧薄膜
404‧‧‧漆
500‧‧‧真空泵
第1圖：一個載體的俯視圖，該載體帶有複數個電接觸且其半導體晶片具有輻射轉換元件。
第2圖：第1圖所示之載體的A-A’切面的側視圖。
第3圖：將第2圖所示之載體放到第1個實施方式之轉移成型工具內的示意圖。
第4圖：第2圖所示之載體在封閉之轉移成型工具內的示意圖。
第5圖：第4圖所示之載體在轉移成型工具內被埋在灌注材料中的示意圖。
第6圖：第5圖所示之載體外轉移成型工具外的示意圖。
第7圖：被一個一個分開的光電半導體組件的示意圖。
第8圖：本發明之製造方法的步驟流程圖。
第9圖：轉移成型工具的第2個實施方式。
第10圖：轉移成型工具的第3個實施方式。
第11圖：第2圖所示之在轉移成型工具內的載體的另外一個實施方式的側視圖。
第12圖：第2圖所示之在轉移成型工具內的載體的
另外一個實施方式的側視圖。
100‧‧‧載體
102‧‧‧半導體晶片
110‧‧‧輻射轉換元件
112‧‧‧導線連接
114‧‧‧頂面
200‧‧‧轉移成型工具的第1個實施方式
202‧‧‧轉移成型工具200的第一個工具部分0
204‧‧‧轉移成型工具200的第二個工具部分0
208‧‧‧灌注材料
Claims (15)
- 一種製造光電半導體組件(300)的方法，具有以下的步驟：--製作(S1)一個帶有複數個發射電磁輻射之半導體晶片(102)的載體(100)；--設置(S2)複數個半導體晶片(102)的電接觸(112)；--在每一個半導體晶片(102)的輻射發射面(108)上設置(S3)一個輻射轉換元件(110)；--將載體(100)放到(S8)一個轉移成型工具(200，210，220)的一個填充模穴(206)內；--利用轉移成型將灌注材料(208)注入(S9)填充模穴(206)；--待灌注材料(208)硬化後，將光電半導體組件(300)一個一個分開(S13)。
- 如申請專利範圍第1項的方法，其中轉移成型工具(200，210，220)的形狀使輻射轉換元件(110)背對半導體晶片(102)的面(114)上不會有灌注材料(208)。
- 如前述申請專利範圍中任一項的方法，其中轉移成型工具(200)平放在輻射轉換元件(110)背對半導體晶片(102)的面上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項的方法，其中轉移成型工具(210)具有沿著輻射轉換元件(110)背對半導體晶片(102)的面(114)的邊緣排列的凸起(216)。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項的方法，其中轉移成型工具(220)具有複數個設置在輻射轉換 元件(110)之上方的真空鑽孔(226)。
- 如前述申請專利範圍中任一項的方法，其中設置半導體晶片(112)的電接觸(112)的步驟包括設置(S2)一條接合線，其中該接合線在輻射發射面(108)上方的垂直長度(V1)小於輻射轉換元件(110)在輻射發射面(108)上方的高度(V2)。
- 如前述申請專利範圍中任一項的方法，其中包括以下的步驟：--在輻射轉換元件(110)及轉移成型工具(200，210，220)之間設置(S5)一層薄膜(402)。
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項的方法，其中包括以下的步驟：--在將載體放入(S9)填充模穴內(206)之前，在輻射轉換元件(110)上塗上(S6)一層漆(404)；--在硬化步驟之後將漆(404)去除(S11)。
- 如前述申請專利範圍中任一項的方法，其中包括以下的步驟：--製作(S3)彈性輻射轉換元件(110)，尤其是矽樹脂製的輻射轉換元件(110)。
- 如前述申請專利範圍中任一項的方法，其中包括以下的步驟：--在半導體晶片(102)及輻射轉換元件(110)之間設置(S4)彈性層，尤其是矽樹脂製的彈性層；或是--在輻射轉換元件(110)背對半導體晶片(102)的面上設置(S4)彈性層，尤其是矽樹脂製的彈性層。
- 如前述申請專利範圍中任一項的方法，其中灌注材料(208)是一種熱固性塑膠，尤其是一種環氧化物、矽樹脂或矽樹脂環氧化物混成材料。
- 如前述申請專利範圍中任一項的方法，其中灌注材料(208)含有反射微粒及/或散射微粒，尤其是氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、硫酸鋇、色素、炭黑、有機填充料、或以上材料的混合物。
- 按照申請專利範圍第1項至第12項中任一項的方法製造光電半導體組件(300)。
- 利用轉移成型製造光電半導體組件(300)用的轉移成型工具(200，210，220)，具有一個填充模穴(206)，其作用是容納載體(100)及利用轉移成型填充灌注材料(208)，其中載體(100)具有：--複數個發射電磁輻射的電接觸的半導體晶片102)；及--在每一個半導體晶片(102)的輻射發射面(108)上都有一個輻射轉換元件(110)。
- 如申請專利範圍第14項的轉移成型工具(200，210，220)，其中轉移成型工具(200，210，220)的形狀使輻射轉換元件(110)背對半導體晶片(102)的面上不會有灌注材料(208)。
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