TWI531089B - 發光二極體封裝結構及其製造方法 - Google Patents

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Description

發光二極體封裝結構及其製造方法
本發明涉及一種半導體封裝結構，特別涉及一種發光二極體封裝結構，還涉及一種發光二極體封裝結構的製造方法。
發光二極體(Light Emitting Diode，LED)封裝結構的製作通常是先在一個樹脂或塑膠的基板上形成第一電極和第二電極，然後將發光二極體晶片固定於基板上並與第一電極和第二電極電性連接，最後形成封裝層覆蓋發光二極體晶片並切割形成多個元件。
然而，此種封裝方法要先提供一個基板，再在基板上面形成電極，再進行固晶、封裝，工序繁多。且由於需在基板上形成封裝層，也不利於散熱，從而導致不良品的出現，降低產品的合格率。
有鑒於此，有必要提供一種製造簡單、散熱良好的發光二極體封裝結構及其製造方法。
一種發光二極體封裝結構，包括電極、發光二極體晶片以及絕緣層，所述電極包括第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極相互間隔設置，所述發光二極體晶片與電極電性連接，所述絕緣層覆蓋該電極和發光二極體晶片，所述第一電極上設有凹槽，所述發光二極體晶片容置於該凹槽中，所述第一電極和第二電極相互間隔處形成通道，該通道與該凹槽連通，所述絕緣層經由該通 道填充於凹槽中。
一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括以下步驟：提供電極，該電極包括第一電極、第二電極，該第一電極和第二電極相互間隔設置並在間隔處形成一個通道，該第一電極上設有一個凹槽，該凹槽與通道連通；在所述凹槽中設置發光二極體晶片，並使發光二極體晶片與所述第一電極和第二電極電連接；提供一個遮擋罩，覆蓋於第一電極和第二電極之上；採用注塑成型方式，將流體狀透明絕緣材料自通道注入該凹槽中，並完全填充於第一電極和第二電極與遮擋罩之間；固化流體狀透明材料完成封裝。
直接採用相互間隔設置的第一電極和第二電極，並將發光二極體晶片固定於第一電極開設的凹槽內。由於該凹槽和第一、第二電極間隔的通道相導通，可藉由從通道向上注塑成型等多種方式對發光二極體封裝結構進行封裝。此製造方法工序少、簡單易行，且直接將發光二極體晶片固定在電極上，有利於散熱。
下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。
100、200、300‧‧‧發光二極體封裝結構
10‧‧‧電極
11‧‧‧第一電極
111、111a‧‧‧凹槽
112‧‧‧頂面
114‧‧‧反射層
12‧‧‧第二電極
13、13a‧‧‧通道
20‧‧‧連接電極
21‧‧‧第一連接電極
211、221‧‧‧固定端
212、222‧‧‧自由端
22‧‧‧第二連接電極
23‧‧‧間隙
30‧‧‧發光二極體晶片
31‧‧‧焊點
40、62‧‧‧透鏡
41‧‧‧入光面
42、621‧‧‧出光面
421‧‧‧凸出部
43‧‧‧側面
44‧‧‧空間
50、61‧‧‧絕緣層
60‧‧‧覆蓋層
63‧‧‧罩體
70‧‧‧模具
71‧‧‧容置腔體
72‧‧‧凹陷部
圖1為本發明第一實施方式的發光二極體封裝結構的剖視示意圖。
圖2為圖1中的發光二極體封裝結構的俯視示意圖。
圖3為本發明第二實施方式的發光二極體封裝結構的剖視示意圖。
圖4為本發明第三實施方式的發光二極體封裝結構的剖視示意圖。
圖5為圖4中的光發光二極體封裝結構的俯視示意圖。
圖6為本發明實施方式提供的發光二極體封裝結構的製造方法的流程圖。
圖7為本發明第三實施方式的發光二極體封裝結構的製造過程最後一步所得到的發光二極體封裝結構的剖視示意圖。
請一併參閱圖1和圖2，本發明第一實施方式提供的一種發光二極體封裝結構100包括電極10、連接電極20、發光二極體晶片30、透鏡40以及絕緣層50。
所述電極10包括第一電極11和第二電極12。所述第一電極11和第二電極12相互間隔設置，兩者之間形成一個通道13。該第一電極11和第二電極12均呈矩形狀，第一電極11的面積大於第二電極12的面積。該第一電極11具有一個頂面112，該頂面112上形成有一個凹槽111，所述發光二極體晶片30容置於該凹槽111中，並貼設於凹槽111底面上。所述凹槽111的底面可為平面或曲面，本實施方式中，該凹槽111的底面為平面。該凹槽111的深度可大於發光二極體晶片30的厚度，從而使發光二極體晶片30完全容置於該凹槽111中。該凹槽111的內表面上可形成一層反射層114。所述電極10的材料可選用銅，所述反射層114的材料可選用銀。
所述連接電極20包括第一連接電極21和第二連接電極22。該第一連接電極21呈條狀，其包括固定端211和自由端212。該固定端211固定連接於第一電極11的頂面112上，自由端212延伸至凹槽111的上方。該第二連接電極22也呈條狀，其包括固定端221和自由端222。固定端221固定連接於第二電極12的一個頂面112上，自由端222延伸至凹槽111的上方，且與第一連接電極21的自由端212相距一定的距離。第一連接電極21和第二連接電極22的頂面位於同一水平面上，且第二連接電極22與第一電極11的頂面112之間具有一個間隙23，該間隙23連通通道13和凹槽111。該連接電極20與所述電極10可採用相同的材料製作，在其他實施例中，該第一電極11和第一連接電極21可以為一體成型結構，該第二電極12和第二連接電極22也可以為一體成型結構。
所述發光二極體晶片30裝設於第一電極11的凹槽111內。該發光二極體晶片30貼設於該凹槽111的底面上。該發光二極體晶片30具有兩電極(圖未示)，該兩電極上分別設有一個焊點31。該兩個焊點31分別連接於第一連接電極21的自由端212和第二連接電極22的自由端222，從而使得發光二極體晶片30與第一電極11和第二電極12電性連接。
所述透鏡40為一透明體，包括靠近發光二極體晶片30的入光面41、遠離發光二極體晶片30的出光面42，以及連接入光面41和出光面42的側面43。該入光面41為一平面，其緊貼於第一連接電極21和第二連接電極22。由於第一連接電極21和第二連接電極22具有一定的高度，故該入光面41與第一電極11的頂面分隔開來並形成空間44。該出光面42具有至少一個凸出部421，該凸出部421朝向 遠離發光二極體晶片30的方向凸伸。當然在其他實施例中，該凸出部421還可以設計為多個，以滿足不同的出光需要。該側面43與第一電極11和第二電極12組成的週邊相平齊，從而使得透鏡40完全覆蓋於第一電極11和第二電極12。該透鏡40可選用矽樹脂、環氧樹脂或氧化矽等材料製作而成。
所述絕緣層50填充於透鏡40與第一電極11、第二電極12之間的通道13，並完全填充於凹槽111內的發光二極體晶片30的四周，以及透鏡40與電極10之間的空間44。該絕緣層50填充於發光二極體晶片30的四周，從而能夠起到一定的隔熱效果。該絕緣層50可採用注塑成型等方式製作而成，且可以預先在該絕緣層50材料中均勻添加螢光粉，使得成型後的絕緣層50內均勻分佈有螢光粉，從而改善該發光二極體封裝結構100的出光特性。
請一併參閱圖3，本發明第二實施例提供的發光二極體封裝結構200，其與第一實施方式的不同之處在於：所述第一電極11的頂面112上形成的凹槽111a具有一個面向第二電極12的開口，所述凹槽111a藉由該開口直接與通道13連通。當然，在其他實施例中，第二電極12上也可開設另一凹槽(圖未視)，該凹槽的開口面向相第一電極11，並與第一電極11的凹槽111a組合形成一個完整的過度平滑的凹槽。
請一併參閱圖4和圖5，本發光第三實施方式提供的發光二極體封裝結構300包括電極10、連接電極20、發光二極體晶片30以及覆蓋層60。
本實施方式的電極10、連接電極20以及發光二極體晶片30與第一實施方式相同。與第一實施方式不同之處在於，所述覆蓋層60包 括填充於發光二極體晶片30周圍並覆蓋於連接電極20上的絕緣層61和絕緣層61上的透鏡62。該絕緣層61和透鏡62為一體成型結構。該絕緣層61還填充於第一電極11和第二電極12間隔的通道13處。該透鏡62包括遠離發光二極體晶片30的出光面621，該出光面621上形成至少一個凸出部。該絕緣層61和出光面621的四周邊緣相連接，四周的邊緣朝向電極10的方向延伸形成罩體63。該罩體63環繞包覆電極10四周的側壁，並與電極10遠離發光二極體晶片30的底面相平齊。該罩體63的形成使得覆蓋層60與電極10的連接更為緊固。當然該也可不用形成該罩體63，直接對齊電極10的四周形成覆蓋層覆蓋於電極10的上方。
請一併參閱圖6，以第一實施方式提供的發光二極體封裝結構100為例，介紹本發明實施方式提供的一種發光二極體封裝結構的製造方法，該製造方法包括以下步驟：提供電極10，該電極10包括第一電極11、第二電極12，該第一電極11和第二電極12相互間隔設置並在間隔處形成一個通道13，該第一電極11上設有一個凹槽111，該凹槽111與通道13連通；在所述凹槽111中設置發光二極體晶片30，並使發光二極體晶片30與所述第一電極11和第二電極12電連接；提供一個遮擋罩，覆蓋於第一電極11和第二電極12之上；採用注塑成型方式，將流體狀透明絕緣材料自通道13注入該凹槽111中，並完全填充於第一電極11和第二電極12與遮擋罩之間；固化流體狀透明材料完成封裝。
在上述製造方法中，該遮擋罩可直接利用第一實施方式中的透鏡 40。發光二極體晶片30與電極10的連接可利用連接電極20完成，該連接電極20包括第一連接電極21和第二連接電極22。該連接電極20預先粘接於透鏡40的入光面41上，將電極10與透鏡40相互貼合後，再將發光二極體晶片30固晶連接於第一連接電極21和第二連接電極22。在其他實施方式中，若連接電極20與電極10採用相同材料並採用一體成型方式製作而成，則需先將發光二極體晶片30與連接電極20固晶連接，再將電極10與透鏡40相貼合。
在採用注塑成型時，將流體狀透明絕緣材料自第一電極11和第二電極12相間隔的通道13處注入，直到流體狀透明絕緣材料填滿發光二極體晶片30所容置的凹槽111，以及透鏡40與電極10之間的空間44，直到多餘流體狀透明絕緣材料從透鏡40與電極10的側邊四周流出，即表示注滿。之後進行固化，從而形成固態的絕緣層50。在注塑成型之前，可預先在流體狀透明絕緣材料中添加螢光粉，從而使固化後的絕緣層50內均勻分佈有螢光粉。
然而所述遮擋罩也可以採用如圖7中所示的模具70。該模具70包括一個容置腔體71和至少一個向內凹的凹陷部72。該容置腔體71的尺寸大於第一電極11和第二電極12合圍的尺寸，以將第一電極11和第二電極12扣設於容置腔體71內。然後在進行注塑成型工藝時，將流體狀透明絕緣材料自第一電極11和第二電極12相間隔的通道13處注入，直至填滿該模具70。模具70內的流體狀透明絕緣材料即形成如第二實施方式中的覆蓋層60，其中覆蓋發光二極體晶片30以及電極10的為絕緣層61，絕緣層61以上。
本發明的發光二極體封裝結構利用第一電極11與第二電極12間隔處的通道13與第一電極11上開設的凹槽111連通，直接將流體材 料注入進行封裝，製造工序少，製作方法簡單。且將發光二極體晶片30容置於該凹槽111中，第一電極11即相當於承載發光二極體晶片30的基板。由於電極10採用金屬材料，第一電極11既具有良好的導電性能，有具有良好的熱傳導性，故發光二極體晶片30產生的熱量能夠經由第一電極11快速散發，能夠有效的提高發光二極體封裝結構的散熱效率，從而可以將其製作成為高功率、高亮度的產品。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10‧‧‧電極
11‧‧‧第一電極
111‧‧‧凹槽
112‧‧‧頂面
114‧‧‧反射層
12‧‧‧第二電極
13‧‧‧通道
20‧‧‧連接電極
21‧‧‧第一連接電極
211、221‧‧‧固定端
212、222‧‧‧自由端
22‧‧‧第二連接電極
23‧‧‧間隙
30‧‧‧發光二極體晶片
31‧‧‧焊點
40‧‧‧透鏡
41‧‧‧入光面
42‧‧‧出光面
421‧‧‧凸出部
43‧‧‧側面
44‧‧‧空間
50‧‧‧絕緣層

Claims (9)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括電極、發光二極體晶片以及絕緣層，所述電極包括第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極相互間隔設置，所述發光二極體晶片與電極電性連接，所述絕緣層覆蓋該電極和發光二極體晶片，其改良在於：所述第一電極上設有凹槽，所述發光二極體晶片容置於該凹槽中，所述第一電極和第二電極相互間隔處形成通道，該通道與該凹槽連通，所述絕緣層經由該通道填充於凹槽中，所述發光二極體封裝結構還包括連接電極，該連接電極包括第一連接電極和第二連接電極，所述第一連接電極連接固定於第一電極，第二連接電極固定於第二電極，所述第一連接電極包括固定端和自由端，該固定端固定於第一電極的頂面，該自由端延伸至凹槽的上方，所述第二連接電極包括固定端和自由端，該固定端固定於第二電極的頂面，該自由端延伸至凹槽的上方，該兩個自由端彼此間隔，發光二極體晶片與兩自由端連接從而與電極電性連接，所述第一連接電極和所述第二連接電極的頂部共面，所述發光二極體封裝結構還包括一透鏡，所述透鏡貼設在所述第一連接電極和所述第二連接電極上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述第一電極具有一個頂面，所述凹槽自該頂面向內凹陷形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述凹槽具有一個面向第二電極的開口，所述第二電極具有面向第一電極的另一個凹槽。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述第二連接電極與第一電極之間形成間隙，所述通道經由該間隙與凹槽連通。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中，該透鏡覆蓋所述絕緣層，該透鏡包括出光面，該出光面上形成至少一個凸出部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體封裝結構，其中，所述透鏡與絕緣層為一體成型，該絕緣層還包括連接絕緣層和出光面的四周並向電極底面延伸的罩體，該絕緣層填充於第一電極與第二電極之間的通道、容置發光二極體晶片的凹槽內，以及覆蓋於連接電極和發光二極體晶片上，該罩體環繞包覆電極四周的外壁。
  7. 一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括以下步驟：提供電極，該電極包括第一電極、第二電極，該第一電極和第二電極相互間隔設置並在間隔處形成一個通道，該第一電極上設有一個凹槽，該凹槽與通道連通；在所述凹槽中設置發光二極體晶片，並使發光二極體晶片與所述第一電極和第二電極藉由連接電極電連接，該連接電極包括第一連接電極和第二連接電極，所述第一連接電極連接固定於第一電極，第二連接電極固定於第二電極，所述第一連接電極包括固定端和自由端，該固定端固定於第一電極的頂面，該自由端延伸至凹槽的上方，所述第二連接電極包括固定端和自由端，該固定端固定於第二電極的頂面，該自由端延伸至凹槽的上方，該兩個自由端彼此間隔，發光二極體晶片與兩自由端連接從而與電極電性連接，所述第一連接電極和所述第二連接電極的頂部共面；提供一個遮擋罩，覆蓋於第一電極和第二電極之上，並貼設在所述第一連接電極和所述第二連接電極上；採用注塑成型方式，將流體狀透明絕緣材料自通道注入該凹槽中，並完全填充於第一電極和第二電極與遮擋罩之間；固化流體狀透明材料完成封裝。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中，所述遮擋罩為透鏡，該透鏡覆蓋所述電極，該透鏡包括出光面和入光面，該出光面上形成至少一個凸出部，該入光面與電極之間形成空間，所述絕緣層自通道注入凹槽，直至填滿該空間。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中，所述遮擋罩為一個模具，該模具包括容置腔體和凹陷部，該凹陷部自容置腔體向內凹陷形成，所述電極收容於該容置腔體內。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103151445B (zh) * 2013-03-04 2017-02-08 中国科学院半导体研究所 低热阻led封装结构及封装方法
CN103151446A (zh) * 2013-03-04 2013-06-12 中国科学院半导体研究所 无支架led封装结构及封装方法
KR101589373B1 (ko) * 2013-05-21 2016-01-28 주식회사 엘지화학 유기전자장치
CN104752369B (zh) * 2013-12-27 2018-02-16 展晶科技(深圳)有限公司 光电元件模组
JP6227782B2 (ja) * 2013-12-27 2017-11-08 インテル コーポレイション 光電子パッケージアセンブリ
DE102015214228A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
KR102503215B1 (ko) 2016-03-28 2023-02-24 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
TWI662724B (zh) * 2018-06-06 2019-06-11 海華科技股份有限公司 覆晶式發光模組
CN118016782A (zh) * 2024-04-10 2024-05-10 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 一种深紫外led器件及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270638A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Nec Corp 半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装置
KR100662844B1 (ko) 2005-06-10 2007-01-02 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈
CN100487933C (zh) * 2006-02-23 2009-05-13 宏齐科技股份有限公司 发光二极管的封装结构及其封装方法
US20070290220A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Bily Wang Package for a light emitting diode and a process for fabricating the same
CN101378096A (zh) * 2007-08-27 2009-03-04 财团法人工业技术研究院 发光二极管封装结构
CN101338865A (zh) * 2008-05-23 2009-01-07 段永成 一种低衰减高光效led照明装置及制备方法
CN102054829A (zh) * 2010-11-05 2011-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管封装构造

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