CN106898617A - 基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种基板，该基板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定像素区域；设置在所述像素区域中的薄膜晶体管；依次设置在所述薄膜晶体管上的有机绝缘层和无机钝化层；所述有机绝缘层至少在与所述无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。本公开通过将有机绝缘层的至少与无机钝化层相接触的部分设置成凹凸不平的结构来增加无机钝化层与有机绝缘层的接触面积，从而释放了无机钝化层中易于导致裂纹的内应力，进而减少或者消除了无机钝化层脱落现象的发生。

Description

基板及其制备方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
在显示技术领域，随着显示技术的发展以及人们对视觉感受的要求逐渐提高，高分辨率和低功耗的显示器件越来越受到人们的关注。
通常，为了降低显示器件的功耗，在层叠设置的电极之间、电极线之间或者电极与电极线之间设置有有机绝缘层。有机绝缘层的引入可以增大电极之间、电极线之间或者电极与电极线之间的距离，从而可以减小寄生电容，进而可以降低显示器件的功耗。通常，在有机绝缘层的表面还需要再设置一层无机钝化层，以进一步地降低功耗，以及防止暴露的金属线或者金属电极被氧化。
发明内容
本发明至少一实施例提供一种基板,该基板包括衬底基板；设置在所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定像素区域；设置在所述像素区域中的薄膜晶体管；依次设置在所述薄膜晶体管上的有机绝缘层和无机钝化层；所述有机绝缘层至少在与所述无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，所述凹凸不平的结构包括至少一个凹面结构。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，所述有机绝缘层中设置有用于电连接的过孔结构，所述有机绝缘层至少在所述过孔结构的周边区域中与所述无机钝化层相接触的部分设置有所述凹面结构。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，所述凹面结构至少分布在距离所述过孔结构的预设距离内。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，所述凹面结构在所述有机绝缘层的表面呈均匀分布。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，距离所述过孔结构越远，所述凹面结构的密集程度越大。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，距离所述过孔结构越远，所述凹面结构的横截面积越大。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，所述有机绝缘层的厚度为1～3μm，所述过孔结构贯穿所述有机绝缘层，所述凹面结构在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸与所述过孔结构在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸之比为1/4～1/2。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，所述凹面结构的纵截面形状包括半圆形、半椭圆形、矩形和梯形中的至少之一。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，在所述有机绝缘层和所述无机钝化层之间形成有第一电极，所述第一电极通过所述过孔结构与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
例如，在本发明至少一实施例提供的基板中，所述有机绝缘层的材料包括聚酰亚胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸树脂或者聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
本发明至少一实施例提供的基板，还包括：设置在所述无机钝化层上的第二电极，其中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
本发明至少一实施例还提供一种显示面板，包括上述任一项基板。
本发明至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项显示面板。
本发明至少一实施例还提供一种基板的制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定像素区域；在所述像素区域中形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上依次形成有机绝缘层和无机钝化层；其中，所述有机绝缘层至少在与所述无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。
本公开通过将有机绝缘层的至少与无机钝化层相接触的部分设置成凹凸不平的结构来增加无机钝化层与有机绝缘层的接触面积，从而释放了无机钝化层中易于导致裂纹的内应力，进而减少或者消除了无机钝化层脱落现象的发生。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种膜层脱落的扫描电镜图；
图2为本发明一实施例提供的一种基板的平面结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种基板的截面结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的一种有机绝缘层和无机钝化层的透视结构示意图；
图5为图4所示结构沿A-B切割后的截面结构示意图；
图6为本发明再一实施例提供的一种有机绝缘层和无机钝化层的透视结构示意图；
图7为图6所示结构沿A-B切割后的截面结构示意图；
图8为本发明又一实施例提供的一种有机绝缘层和无机钝化层的透视结构示意图；
图9为图8所示结构沿A-B切割后的截面结构示意图；
图10为本发明一实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；
图11为本发明一实施例提供的一种显示装置的框图；
图12为本发明一实施例提供的一种基板的制备方法的流程图。
附图标记：
01-基板；2-漏极；3-源极；4-有源层；5-栅绝缘层；6-栅极；7-衬底基板；8-第二电极；9-第一电极；10-无机钝化层；11-有机绝缘层；12-过孔结构；13-栅线；14-数据线；15-像素区域；16-薄膜晶体管；17-凹面结构；20-显示面板；21-对置基板；22-液晶分子；30-显示装置。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在制备显示器件的过程中，为了降低显示器件的功耗、提高显示器件的分辨率，往往会在层叠设置的电极之间、电极线之间或者电极与电极线之间设置有机绝缘层，以增大电极之间、电极线之间或者电极与电极线之间的距离，从而减小寄生电容，进而降低显示器件的功耗。在有机绝缘层的表面还可以再设置一层无机钝化层，以进一步地降低功耗，以及防止暴露在外的金属线或者金属电极被氧化。然而，在形成有机绝缘层后，在后续的高温处理过程中，有机绝缘层中的溶剂会挥发出来，从而形成在其上的无机钝化层容易从有机绝缘层上脱落，进而导致显示器件显示不良。本公开的发明人发现无机钝化层脱落的区域往往不在过孔结构处，而是在过孔结构的周边，例如，图1为一种膜层脱落的扫描电镜图，如图所示，在过孔结构之间的无机钝化层和形成在无机钝化层上的电极层脱落相对更严重，可以通过改变过孔结构周边有机绝缘层的结构来减少无机钝化层脱落现象的发生。
本发明至少一实施例提供一种基板，该基板包括：衬底基板；设置在衬底基板上的栅线和数据线，该栅线和数据线交叉限定像素区域；设置在像素区域中的薄膜晶体管；依次设置在薄膜晶体管上的有机绝缘层和无机钝化层；该有机绝缘层至少在与无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。
本公开通过将有机绝缘层的至少与无机钝化层相接触的部分设置成凹凸不平的结构来增加无机钝化层与有机绝缘层的接触面积，从而释放了无机钝化层中易于导致裂纹的内应力，进而减少或者消除了无机钝化层脱落现象的发生。
下面通过几个实施例进行说明。
实施例一
本实施例提供一种基板，例如，图2为本实施例提供的一种基板的平面结构示意图，图3为本实施例提供的一种基板的截面结构示意图。如图2和图3所示，该基板01包括：衬底基板7；设置在衬底基板7上的栅线13和数据线14，该栅线13和数据线14交叉限定像素区域15；设置在像素区域15中的薄膜晶体管16；依次设置在该薄膜晶体管16上的有机绝缘层11和无机钝化层10；该有机绝缘层11至少在与无机钝化层10相接触的部分设置成凹凸不平的结构，即有机绝缘层11至少在与无机钝化层10直接接触的界面被设置为凹凸不平。
例如，该凹凸不平的结构包括至少一个凹面结构。
需要说明的是，该凹凸不平的结构是指根据需要针对有机绝缘层而设置的结构，区别于常规的制作方法中避免不了出现的不平整状态，该凹凸不平的结构也区别于起连接作用的过孔结构，该凹凸不平的结构可以包括相对于衬底基板凹陷的结构，也包括相对于衬底基板凸起的结构。该凹凸不平的结构可以为凹面结构也可以为凸出结构，或者为凹面结构和凸出结构的组合，该凹面结构相对于平坦表面的整体而言呈凹入状态，而该凸出结构相对于平坦表面的整体而言呈凸出状态。下面以该凹凸不平的结构为凹面结构为例进行说明，但是本公开的实施例不限于此。
例如，该薄膜晶体管16可以为底栅型薄膜晶体管，也可以为顶栅型薄膜晶体管，还可以为双栅型薄膜晶体管。如图3所示，以底栅型薄膜晶体管为例加以说明，该薄膜晶体管包括设置在衬底基板7上的与栅线13连接的栅极6；设置在栅线13和栅极6上的栅绝缘层5，设置在栅绝缘层5上的与栅极6相对应的有源层4，漏极2和源极3。该薄膜晶体管16作为形成在像素区域15中的子像素的开关元件。
例如，栅绝缘层5的材料包括氧化硅、氮化硅；用于有源层4的材料包括非晶硅、金属氧化物半导体以及有机物半导体等；用于漏极2和源极3的材料可以为铜、铜合金、铝、铝合金、钼、钼合金或其他适合的材料。
例如，衬底基板7包括透明绝缘基板，其材料可以是玻璃、石英、塑料或其他适合的材料。
例如，如图2所示，两条栅线13和两条数据线14交叉设置限定像素区域15。图3只示出了两条栅线13和两条数据线14，可以在衬底基板7上设置多条栅线13和多条数据线14。栅线13包括从其上分叉的多个栅极16，栅信号通过栅线13被施加到栅极16上。
例如，可用于栅线13和数据线14的材料包括铜、铜合金、铝、铝合金、钼、钼合金或其他适合的材料。
例如，如图2和图3所示，在有源层4、漏极2和源极3上设置有有机绝缘层11，在有机绝缘层11上设置有用于电连接的过孔结构12，第一电极9通过该过孔结构12与漏极2电连接。
例如，如图3所示，薄膜晶体管的源极3与数据线14电连接或一体形成。
例如，有机绝缘层11至少在过孔结构12的周边区域中与无机钝化层10相接触的部分设置有凹面结构。例如，至少在如图3中虚线框所示的区域设置有凹面结构。需要说明的是，在这里，过孔结构12的周边区域是指有机绝缘层中相邻的两个过孔结构之间的区域。
例如，有机绝缘层11与第一电极9接触的部分也可以设置凹面结构，这样可以增强第一电极9和有机绝缘层11之间的粘附能力。
例如，凹面结构至少分布在距离过孔结构12的预设距离内。该预设距离例如为有机绝缘层中相邻的两个过孔结构之间距离的一半，又例如为有机绝缘层中相邻的两个过孔结构之间距离的三分之一。
例如，该凹面结构的纵截面形状包括半圆形、半椭圆形、矩形和梯形中的至少之一。
例如，图4为本实施例提供的一种有机绝缘层和无机钝化层的透视结构示意图，图5为图4所示结构沿A-B切割后的截面结构示意图。如图4和图5所示，该凹面结构17的横截面的形状为圆形，该凹面结构17增大了有机绝缘层和无机钝化层的接触面积，使无机钝化层的裂纹应力得以释放，从而可以减少或者消除无机钝化层脱落的现象。
例如，如图4所示，该凹面结构17在有机绝缘层11的表面呈均匀分布，即凹面结构17在有机绝缘层11的表面间隔均匀。
例如，如图4所示，距离过孔结构12越远，凹面结构17的横截面积越大。即在图4中，从左至右，凹面结构的横截面积越大逐渐增大。
例如，图6为本实施例提供的再一种有机绝缘层和无机钝化层的透视结构示意图，图7为图6所示结构沿A-B切割后的截面结构示意图。如图6和图7所示，该凹面结构17的横截面的形状为矩形，纵截面的形状为梯形，该凹面结构17增大了有机绝缘层和无机钝化层的接触面积，使无机钝化层易于造成裂纹的内应力得以释放，从而可以减少或者消除无机钝化层脱落现象的发生。
例如，如图6和图7所示，距离过孔结构越远，凹面结构的密集程度(单位面积内的数量)越大。即在图6和图7中，从左至右，凹面结构的密集程度逐渐增大。过孔结构的存在减小了无机钝化层脱落的风险，在距离过孔结构越远的区域，无机钝化层脱落的风险越大，可以通过在距离过孔结构越远的区域增加凹面结构的密集程度来增加有机绝缘层和无机钝化层的接触面积，从而可以减少或者消除无机钝化层脱落现象的发生。
例如，图8为本实施例提供的又一种有机绝缘层和无机钝化层的透视结构示意图，图9为图8所示结构沿A-B切割后的截面结构示意图。例如，在图8所示的结构中，凹面结构的横截面为矩形，凹面结构的纵截面为倒梯形，这样进一步地增大了钝化层和有机绝缘层的接触面积，减小了钝化层从有机绝缘层上脱落的可能性。
例如，该有机绝缘层上的凹面结构的横截面或者纵截面的形状可以各不相同。
例如，该有机绝缘层的厚度为大约1～3μm，例如，1μm、1.5μm、2μm或者3μm。过孔结构贯穿该有机绝缘层11，凹面结构17在垂直于衬底基板的方向上的尺寸与过孔结构在垂直于衬底基板的方向上的尺寸之比为1/4～1/2，即凹面结构17与过孔结构的深度之比为1/4～1/2。如图9所示，凹面结构17在垂直于衬底基板的方向上的尺寸为d1，过孔结构在垂直于衬底基板的方向上的尺寸为有机绝缘层11的厚度，即为d2。例如，过孔结构的深度为1～3μm，则过孔结构12的深度为0.25～1.5μm，例如，0.25μm、1μm、1.25μm或者1.5μm。将凹面结构设计成上述尺寸可以增大钝化层和有机绝缘层的接触面积，同时还可以减小电极与电极之间、电极与电极线之间或者电极线与电极线之间的电容。
例如，该有机绝缘层11的材料包括聚酰亚胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸树脂或者聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
例如，该无机钝化层10的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、二氧化钛或者三氧化二铝中的一种或多种。
例如，如图3所示，该基板01还包括设置在无机钝化层10上的第二电极8，这样，第一电极9为像素电极，第二电极8为公共电极。
例如，该第一电极9和第二电极8可以由透明导电材料或金属材料形成，例如，该透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。该金属材料包括银、铝等。
实施例二
本实施例提供一种显示面板，该显示面板包括实施例一中的任一基板。
例如，该基板可应用于例如液晶显示面板、有机发光二极管显示面板、电子纸显示面板等。
例如，图10为本实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图。例如，以液晶显示面板为例加以说明，如图10所示，该显示面板20包括实施例一中的任一基板01、与衬底基板7平行设置的对置基板21和设置于基板01和对置基板之间21的液晶分子22。例如，该基板01例如为阵列基板，该对置基板21例如为彩膜基板，阵列基板与彩膜基板21彼此对置以形成液晶盒。
例如，当该显示面板为有机发光二极管显示面板时，基板上还形成有有机发光材料叠层，例如，该有机发光材料叠层可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。每个像素单元的像素电极作为阳极或阴极用于驱动有机发光材料发光以进行显示操作。
例如，当该显示面板为电子纸显示面板时，基板上还形成有电子墨水层，每个像素单元的像素电极作为用于施加驱动电子墨水中的带电微颗粒移动以进行显示操作的电压。
实施例三
本发明至少一实施例还提供一种显示装置，包括实施例二中的任一显示面板。例如，图11为本实施例提供的一种显示装置的框图。如图11所示，该显示装置30包括显示面板20。
该显示装置30的一个示例为液晶显示装置，其中，基板与对置基板彼此对置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。该对置基板例如为彩膜基板。该基板为阵列基板，阵列基板的每个子像素的像素电极用于施加电场对液晶材料的旋转的程度进行控制从而进行显示操作。在一些示例中，该液晶显示装置还包括为阵列基板提供背光的背光源。
该显示装置30的另一个示例为有机发光二极管显示装置(OLED)，其中，基板上形成有有机发光材料叠层，每个像素单元的像素电极作为阳极或阴极用于驱动有机发光材料发光以进行显示操作。
该显示装置30的再一个示例为电子纸显示装置，其中，基板上形成有电子墨水层，每个像素单元的像素电极作为用于施加驱动电子墨水中的带电微颗粒移动以进行显示操作的电压。
例如，该显示装置30中的其他结构可参见常规设计。该显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述有机电致发光器件的实施例，重复之处不再赘述。
实施例四
本实施例提供一种基板的制备方法。例如，图12为实施例提供的一种基板的制备方法的流程图，该制备方法包括：
S101：提供衬底基板；
例如，该衬底基板可以是透明绝缘基板，其材料可以是玻璃、石英、塑料或者其他适合的材料。
S102：在衬底基板上形成栅线和数据线，该栅线和数据线交叉限定像素区域；
例如，两条栅线和两条数据线交叉设置限定像素区域。栅线包括从其上分叉的多个栅极，栅信号通过栅线被施加到栅极上。
例如，可用于栅线和数据线的材料包括铜、铜合金、铝、铝合金、钼、钼合金或其他适合的材料。
S103：在像素区域中形成薄膜晶体管；
例如，该薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管，也可以为顶栅型薄膜晶体管，还可以为双栅型薄膜晶体管。以底栅型薄膜晶体管为例加以说明，该薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的与栅线连接的栅极；设置在栅线和栅极上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的与栅极相对应的有源层、源极和漏极，该薄膜晶体管可以作为形成在像素区域中的子像素的开关元件。
例如，栅绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅；用于有源层的材料包括非晶硅、金属氧化物半导体以及有机物半导体等；用于源极和漏极的材料可以为铜、铜合金、铝、铝合金、钼、钼合金或其他适合的材料。
S104：在该薄膜晶体管上依次形成有机绝缘层和无机钝化层，该有机绝缘层至少在与无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。
需要说明的是，该凹凸不平的结构是指根据需要针对有机绝缘层而设置的结构，区别于常规的制作方法中避免不了出现的不平整状态，该凹凸不平的结构也区别于起连接作用的过孔结构，该凹凸不平的结构可以包括相对于衬底基板凹陷的结构，也包括相对于衬底基板凸起的结构。该凹凸不平的结构可以为凹面结构也可以为凸出结构，或者为凹面结构和凸出结构的组合，该凹面结构相对于平坦表面的整体而言呈凹入状态，而该凸出结构相对于平坦表面的整体而言呈凸出状态。下面以该凹凸不平的结构为凹面结构为例进行说明，但是本公开的实施例不限于此。
例如，该凹面结构的纵截面形状包括半圆形、半椭圆形、矩形和梯形中的至少之一。该凹面结构的横截面的形状包括圆形、矩形等。
例如，该制备方法还包括在有机绝缘层中形成用于电连接的过孔结构，有机绝缘层至少在过孔结构的周边区域中与无机钝化层相接触的部分设置有凹面结构。
例如，凹面结构至少分布在距离过孔结构的预设距离内。该预设距离例如为相邻的两个过孔结构之间距离的一半，又例如为有机绝缘层中相邻的两个过孔结构之间距离的三分之一。
例如，该凹面结构在有机绝缘层的表面均匀分布。即凹面结构在有机绝缘层的表面间隔均匀。
例如，距离过孔结构越远，凹面结构的横截面积越大。
例如，该有机绝缘层的材料包括聚酰亚胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸树脂或者聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
例如，该无机钝化层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、二氧化钛或者三氧化二铝中的一种或多种。
例如，在薄膜晶体管上形成有机绝缘层的过程包括：在薄膜晶体管上涂覆有机绝缘层薄膜；在有机绝缘层薄膜上涂覆光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光、显影。
例如，对光刻胶进行曝光包括对光刻胶进行全曝光和灰度曝光处理。通过全曝光和灰度曝光处理以及显影后形成有机绝缘层的图案，且该有机绝缘层的图案包括设置在过孔结构周边的凹面结构。
例如，涂覆的光刻胶的厚度为2μm～3μm。例如2μm、2.5μm或者3μm。
例如，形成有机绝缘层的过程还包括对有机绝缘层进行烘干处理，烘干处理以使有机绝缘层固化。
例如，采用等离子体增强化学气相沉积法或者溅射的方法沉积无机钝化薄膜，然后通过构图工艺形成无机钝化层的图案。
本发明的实施例提供的一种基板及其制备方法、显示面板和显示装置具有以下至少一项有益效果：通过将有机绝缘层的至少与无机钝化层相接触的部分设置成凹凸不平的结构来增加无机钝化层与有机绝缘层的接触面积，从而释放了无机钝化层的中易于导致裂纹的内应力，进而减少或者消除了无机钝化层脱落现象的发生。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种基板,包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定像素区域；
设置在所述像素区域中的薄膜晶体管；
依次设置在所述薄膜晶体管上的有机绝缘层和无机钝化层；
所述有机绝缘层至少在与所述无机钝化层相接触的部分设置有凹凸不平的结构。
2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述凹凸不平的结构包括至少一个凹面结构。
3.根据权利要求2所述的基板，其中，所述有机绝缘层中设置有用于电连接的过孔结构，所述有机绝缘层至少在所述过孔结构的周边区域中与所述无机钝化层相接触的部分设置有所述凹面结构。
4.根据权利要求3所述的基板，其中，所述凹面结构至少分布在距离所述过孔结构的预设距离内。
5.根据权利要求4所述的基板，其中，所述凹面结构在所述有机绝缘层的表面均匀分布。
6.根据权利要求4所述的基板，其中，距离所述过孔结构越远，所述凹面结构的密集程度越大。
7.根据权利要求4所述的基板，其中，距离所述过孔结构越远，所述凹面结构的横截面积越大。
8.根据权利要求2-7中任一项所述的基板，其中，所述过孔结构贯穿所述有机绝缘层，所述凹面结构在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸与所述过孔结构在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸之比为1/4～1/2。
9.根据权利要求2-7中任一项所述的基板，其中，所述凹面结构的纵截面形状包括半圆形、半椭圆形、矩形和梯形中的至少之一。
10.根据权利要求9所述的基板，其中，在所述有机绝缘层和所述无机钝化层之间设置有第一电极，所述第一电极通过所述过孔结构与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
11.根据权利要求10所述的基板，其中，所述有机绝缘层的材料包括聚酰亚胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸树脂或者聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
12.根据权利要求11所述的基板，还包括：设置在所述无机钝化层上的第二电极，其中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
13.一种显示面板，包括权利要求1-12中任一项所述的基板。
14.一种显示装置，包括权利要求13所述的显示面板。
15.一种基板的制备方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成栅线和数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定像素区域；
在所述像素区域中形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上依次形成有机绝缘层和无机钝化层；
其中，所述有机绝缘层至少在与所述无机钝化层相接触的部分设置成凹凸不平的结构。
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