CN100385707C - 有机电致发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机电致发光装置提供减少的反射率从而提高对比度和改善图像质量。这种有机电致发光装置包括基板，位于基板上的第一电极，位于第一电极上的至少一个有机电致发光层，位于至少一个有机电致发光层上由透明导电材料制成的第二电极，第二电极上的顶钝化层，和具有防反射涂层材料的补偿层。

Description

有机电致发光装置
本申请请求保护分别于2001年10月10日和2001年11月5日在韩国递交的韩国专利申请Nos.2001-62307和2001-68485的利益，在这里通过引用将它们合并进来。
技术领域
本发明涉及有机电致发光装置，并且更具体地涉及顶发射类型的有机电致发光装置。
背景技术
随着信息时代的迅速发展，其特征在于尺寸薄、重量轻和高效能的平板显示装置在显示领域中具有很高的需求。平板显示装置可以根据它发射或接收光划分为两种类型。一类是光发射型显示装置，发射光来显示图像，而另一类是光接收型显示装置，利用外部光源来显示图像。等离子体显示板、场致发射显示装置和电致发光显示装置是光发射型显示装置的例子，而液晶显示(LCD)装置是光接收显示装置的例子。
在平板显示装置中，  由于所显示的图像具有超高清晰度、彩色图像显示和质量，液晶显示装置已经广泛地应用在笔记本电脑和台式监视器等等中。但是，由于LCD装置是光接收类型的显示装置，它具有例如较差的对比度、较窄的视角和很难加大尺寸等一些缺点。因此，需要研究和开发新类型的平板显示装置从而克服上面提到的缺点。
有机电致发光显示装置已经成为研究和开发领域中的最新热点，因为它们与LCD装置相比是具有较宽视角和良好对比度的光发射类型显示器。由于有机电致发光装置是光发射类型的显示装置，它不需要背光源装置并且可以重量轻和薄。另外，有机电致发光装置的能耗低。当驱动有机电致发光显示装置时，可以使用低电压直流电，并且可以获得快速的响应速度。众所周知，由于有机电致发光显示装置与LCD装置不同是完全固体状态的，它足够坚硬来承受外部冲击和具有较大的温度范围。另外，可以以低成本制造有机电致发光装置。而且，由于在制造有机电致发光显示装置的过程中只需要设置和密封装置，可以简化工艺管理和实现适当的程序。
作为有机电致发光显示装置的操作方法，传统上采用不使用薄膜晶体管的被动矩阵操作方法。在这种类型的有机电致发光显示装置中，设置在一个矩阵图形上的扫描线和信号线彼此垂直地交叉。扫描电压顺序地作用到扫描线上从而操作每个像素。为了获得所需要的平均亮度，通过将平均亮度与扫描线的数量相乘，强化在所选择期间中的每个像素的瞬间亮度。
但是，作为操作有机电致发光显示装置的另一种方法，提出了不存在上述问题的有源矩阵操作方法。有源矩阵类型的有机电致发光显示装置通常包括使像素具有电压储存能力性能的成对的薄膜晶体管。每对薄膜晶体管中都具有选择晶体管和驱动晶体管。选择晶体管与用于提供数据信号的信号线和用于提供栅信号的扫描线连接。驱动晶体管与选择晶体管和恒定电压线连接。在有源矩阵类型的有机电致发光显示装置的结构中，作用到像素上的电压储存在储能电容器中，从而保持该信号直到作用电压的下一个周期。结果，基本上恒定的电流流过这些像素，并且在一个帧周期中有机电致发光显示装置以基本上恒定的亮度发射光。利用有源矩阵类型，由于作用到像素上的低电流，能够加大显示装置，从而基于恒定的亮度形成更精确的图形和获得更低的能量消耗。
现在将描述根据传统技术的显示装置的驱动原理。图1是具体表示有源矩阵类型的有机电致发光显示装置的像素的结构基础的等价电路图。
如图1中所示，扫描线设置在横断方向中，而信号线设置在与扫描线相垂直的长度方向中。与电源相连接从而提供驱动晶体管的电压的电压线也设置在横断方向中。一对信号线和一对扫描线限定一个像素区域。每个选择晶体管(即，通常称为转换薄膜晶体管(TFT))设置在接近扫描线与信号线的交点处的像素区域中，并且用来作为控制电压的寻址元件。储能电容器CST与电压线和转换TFT连接。每个驱动晶体管(即，通常称为驱动TFT)与储能电容器CST和电压线连接并且用来作为电流源元件。有机电致发光二极管与驱动晶体管连接。
有机电致发光二极管在阳极和阴极之间具有有机薄膜的双层结构。有机薄膜和制造技术已经改善。结果，有机电致发光二极管目前有助于在发射的光中提供彩色。由于已经得到了红、黄、蓝三原色，研究和开发已经集中到提供彩色的有机电致发光元件上。
当正向电流作用到有机电致发光二极管上时，通过提供空穴的阳极与提供电子的阴极之间的P(正)-N(负)连接组合电子-空穴对。电子-空穴对与它们分离成电子和空穴时相比具有较低的能量。因此，在电子-空穴对的组合和分离之间产生能隙，并且该能量转换成由有机电致发光元件发射的光。也就是说，有机电致发光层吸收当电流流过时由于电子和空穴的再组合而产生的能量。
根据从有机电致发光二极管发射的光的前进方向，将有机电致发光装置划分成顶发射类型和底发射类型。在底发射类型的装置中，光在朝向设置有导线和TFT的基板的方向中发射。因此，由于所发射的光受到导线和TFT的阻挡而减小了显示面积。但是，在顶发射类型的装置中，由于光在与基板相反的方向中发射，显示面积可以达到整个平板面积的70-80％。
由于外部光反射的效果，顶发射类型与底发射类型相比具有较低的对比度。在有机电致发光装置中对比度是当装置开关时的亮度比。在装置关闭期间的亮度由装置的反射与外部光的比率决定。因此，为了得到较高的对比度，重点在于减小装置的反射与外部光的比率。
图2是表示根据传统技术的顶发射类型的有机电致发光显示装置的一个例子的部分剖面图。在图2中，有机电致发光显示装置包括驱动薄膜晶体管(TFT)T和有机电致发光二极管E。缓冲层10形成在基板1上。驱动TFTT包括位于缓冲层10上的半导体层32、栅极38、源极50和漏极52。从电压线伸出的电源电极42与源极50连接而有机电致发光二极管E与漏极52连接。由与半导体层32相同的材料制成的电容电极34设置在电源电极42下面。电源电极42与电容电极34相对应并且绝缘体夹在它们之间，从而形成储能电容器CST。
有机电致发光二极管E包括阳极58、阴极66和夹在它们之间的有机电致发光层64。图2中所示的有机电致发光装置具有发光区域A，有机电致发光二极管E发射在此产生的光。
顶钝化层68形成在阴极66上来保护有机电致发光元件不受外部环境例如潮湿的影响。作为用于顶钝化层68的材料，可以使用有机或无机材料。但是，由于有机或无机材料具有大于1.5的折射率，可能导致大约4％的表面反射率。因此，使得有机电致发光装置的对比度衰减。另外，有机电致发光二极管E的阳极58可以由具有高反射率例如大于大约60％的Au、Ag、Pt、Al等等制成。因此，由于由这些金属材料中的某一种制成的阳极58的反射，引人注目地降低了基于外部环境影响的对比度。
尽管图2中没有示出，控制入射光的相差的圆形偏振板可以形成在顶钝化层68上。但是，由于圆形偏振板受到湿度和高温的影响而损坏，产品的寿命变短和产品成本增加。
图3是表示根据传统技术的顶发射类型的有机电致发光显示装置的另一个例子的部分剖面图。
如图3中所示，有机电致发光显示装置包括位于发光区域A中的薄膜晶体管(TFT)T。该薄膜晶体管T包括栅极12、半导体层16、源极18和漏极20。与薄膜晶体管T连接的有机电致发光二极管E具有下电极24、上电极28和夹在它们之间的有机电致发光层26。这里，绝缘层27将有机电致发光层26划分成像素单元，并且有机电致发光层26重叠在薄膜晶体管T上。
根据由薄膜晶体管T提供的载流子的类型，有机电致发光二极管E的下和上电极24和28分别成为阴极和/或阳极。当具有电子作为载流子的n型TFT与有机电致发光二极管E连接时，下电极24成为阴极而上电极28成为阳极。但是，当具有空穴作为载流子的p型TFT与有机电致发光二极管E连接时，下电极24成为阳极而上电极30成为阴极。
仍然在图3中，缓冲层29形成在上电极28上并且钝化层30形成在缓冲层29上。缓冲层29是可以通过真空喷镀法设置在上电极28上的绝缘材料。另外，当形成钝化层30时缓冲层29保护有机电致发光二极管E。作为用于钝化层30的材料，通常采用厚绝缘材料或玻璃板。
但是，图3中所示的有机电致发光显示装置具有一定的问题。例如，由于下电极通常由具有大于大约60％的反射率的Au、Ag、Pt、Al等制成，在高亮度强度条件中，外部光很容易受到下电极的反射。结果，这种反射导致对比度的减小。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机电致发光装置，基本上解决了由于相关技术中的限制和缺点而造成的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种有机电致发光显示装置，减小了相对于外部光的反射率，从而提供改善的对比度和得到出色的显示质量。
将在下面的说明中给出本发明的其他特征和优点，将从下面的说明中更清楚，或者可以从本发明的实践中了解到。通过具体在书面的说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和达到本发明的目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并且与本发明的目的一致，如在这里具体化和广泛描述的，一种有机电致发光装置包括基板；设置在基板上的第一电极，第一电极引起入射光的光干涉；设置在第一电极上的至少一个有机电致发光层；设置在至少一个有机电致发光层上的第二电极，第二电极包括透明导电材料；设置在第二电极上的顶钝化层；和设置在顶钝化层上的补偿层，补偿层包括防反射涂层材料。
在另一方面，一种有机电致发光装置包括基板；设置在基板上的第一电极；设置在第一电极上的第一补偿层，第一补偿层包括具有导电和光吸收特性的材料；设置在第一补偿层上的至少一个有机电致发光层；设置在至少一个有机电致发光层上的第二电极，该第二电极包括透明导电材料；设置在第二电极上的顶钝化层；和设置在顶钝化层上的补偿层，该补偿层包括防反射涂层材料和防闪光涂层材料中的至少一种。
在另一方面，一种有机电致发光装置包括基板；设置在基板上的第一补偿层，第一补偿层包括具有光吸收特性的有机绝缘材料；设置在第一补偿层上的第一电极，该第一电极包括第一透明导电材料；设置在第一电极上的至少一个有机电致发光层；设置在至少一个有机电致发光层上的第二电极，该第二电极包括与第一透明导电材料相同或不同材料的第二透明导电材料；设置在第二电极上的顶钝化层；和设置在顶钝化层上的补偿层，该补偿层包括防反射涂层材料和防闪光涂层材料中的至少一种。
在另一方面，一种有机电致发光装置包括基板；设置在基板上的至少一个薄膜晶体管；设置在基板和至少一个薄膜晶体管上的光屏蔽层；和有机电致发光二极管，包括位于光屏蔽层上的第一电极，位于光屏蔽层上的第二电极，和夹在第一电极与第二电极之间的至少一个有机电致发光层。
将会理解前面给出的概述性的描述和下面示范性地和说明性地给出的详细描述，并且准备给出如权利要求所限定的本发明的更详细的解释。
附图的简要说明
下面的附图用来给出对本发明的进一步理解并且包含在和构成本说明书的一部分，图解式地说明本发明的实施例并且与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是表示有源矩阵类型的有机电致发光显示装置的像素的结构原理的等价电路图；
图2是根据相关技术的顶发射类型的有机电致发光显示装置的一个例子的部分剖面图；
图3是根据相关技术的顶发射类型的有机电致发光显示装置的另一个例子的部分剖面图；
图4是表示根据本发明的第一个实施例的一种顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图；
图5是图4中的区域B的放大剖面图，表示有机电致发光二极管的第一电极的层结构和构造；
图6是表示根据本发明的第二个实施例的另一种顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图；
图7是表示根据本发明的第三个实施例的另一种顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图；
图8是表示根据本发明的第四个实施例的顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图；
图9是图8中的光屏蔽层的平面图；和
图10是表示根据本发明的第五个实施例的另一种顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的优选实施例，在所附附图中给出了它们的例子。在可能的情况下，在所有的附图中采用同样的附图标记指代相同或相似的部分。
图4是根据本发明的第一个实施例的一种顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图。在图4中，根据该实施例的有机电致发光显示装置包括驱动薄膜晶体管(TFT)T和有机电致发光二极管E。缓冲层104形成在基板100上。驱动TFT T包括形成在缓冲层104上的半导体层106，形成在半导体层106上的栅极112，以及源/漏极120和122。
从电压线(图中没有示出)中伸出的电源电极116与源极120连接，而有机电致发光二极管E与漏极122连接。电容电极108设置在电源电极116的下面。因此，电源电极116与电容电极108相对应并且绝缘体114夹在它们之间，从而形成储能电容CST。
有机电致发光二极管E包括第一电极126，第二电极130和夹在它们之间的有机电致发光层128。图4中所示的有机电致发光装置还包括发光区域A，有机电致发光二极管E从此发射在此产生的光。
顶钝化层136形成在第二电极130上，从而保护有机电致发光元件不受外部环境例如潮湿的影响。第一补偿层138设置在顶钝化层136上。作为用于顶钝化层136的材料，可以利用有机或无机材料或具有良好的光透射率的材料。作为用于第一补偿层138的材料，最好使用具有低反射特性的材料。可以通过防反射涂层处理或防闪光涂层处理对用于第一补偿层138的这种材料进行处理。
当第一补偿层138由经过防反射涂层工艺处理后的材料制成时，一层或多层构成第一补偿层138。如果第一补偿层138由多个防反射涂层形成，在每个层之间发生的光干涉减少入射光的反射。通过真空喷镀、溅射、化学气相沉积(CVD)或其他适当的工艺形成多个防反射涂层。
当第一补偿层138由经过防闪光涂层工艺处理后的材料制成时，硅微粒混合到树脂中。掺杂在树脂中的硅微粒使得入射光分散从而减少外部光的反射。通过旋转式涂布或其他适当的工艺可以进行防闪光涂层处理。
图5是图4中区域B的放大剖面图并且示出有机电致发光二极管的第一电极的层结构和构造。第一电极126包括半透明层126a、透明层126b和反射层126c。反射层126c最好由具有较高反射率的Au、Ag、Pt和Al等制成，而透明层126b由例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导电层制成。另外，半透明层126a可以是当它是大约100埃或更小的厚度时具有半透明特性的金属薄膜。由于半透明层126a与有机电致发光层128相邻，需要半透明层126a具有足够的导电性用于有效的空穴注入。同样地，半透明层126a最好具有与有机电致发光层128的功函数略微不同的功函数。
将说明入射光相对于有机电致发光元件的前进方向。当具有第一部分L1、第二部分L2和第三部分L3[其中L1＜(L2≈L3)]的外部光入射到有机电致发光元件上时，第一部分L1首先散射或者没有被第一补偿层138反射，使得外部光的反射降低。当第二部分L2到达有机电致发光二极管E时，第二部分L2被半透明层126a反射。当第三部分L3同时穿过半透明层126a和透明层126b时，第三部分L3被反射层126c反射。因此，被半透明层126a反射的光和被反射层126c反射的光彼此破坏性相互干涉。因此，该破坏性的干涉导致反射率的整体下降。
与此同时，为了图4中所示的元件之间的隔离，设有第一钝化层114、第二钝化层118、第三钝化层124和第四钝化层129。第一钝化层114位于储能电容器CST中的电容电极108与电源电极116之间。第二钝化层118位于电源电极116与源极120之间。第三钝化层124位于第一电极126与漏极122之间。第四钝化层129夹在薄膜晶体管T与有机电致发光层128之间。第一至第四钝化层都具有接触孔用于提供元件之间的电连接。第一至第四钝化层114、118、124和129最好由例如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)等无机绝缘材料制成。与此同时，有机电致发光二极管E的第二电极130是由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成的单层结构，或者是由薄膜金属层与ITO或IZO之一形成的双层结构。
设置在第一电极126与第二电极130之间的有机电致发光层128是多层的结构，其包括空穴注入层、空穴传输层、发射层和电子运输层。另外，在本发明中，最好由真空喷镀方法制造有源矩阵类型的有机电致发光。
图6是表示根据本发明的第二个实施例的另一种顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图。图6中所示的有机电致发光显示装置具有几乎与图4中所示装置完全相同的结构。但是，与第一个实施例有一些差别。例如，如图6中所示，第一补偿层238设置在有机电致发光显示装置的顶部，用来降低外部光的反射率。另外，第二补偿层226形成在有机电致发光二极管E中。第一补偿层238由与图4所示的第一实施例中的补偿层138相同的材料制成。第二补偿层226夹在第一电极224与有机电致发光层228之间。第二补偿层226由具有导电性和光吸收特性的材料制成。例如，包括铬(Cr)的材料适合用于第二补偿层226。
图7是表示根据本发明的第三个实施例的顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图。图7中的有机电致发光显示装置与图6中的非常相似，但第二补偿层位于不同的位置上。
如图7中所示，第一补偿层338设置在有机电致发光显示装置的顶部。第一补偿层338通常与图4和图6中所示的第一补偿层138和238相同。与第二个实施例不同，第二补偿层322位于有机电致发光二极管E的第一电极324的下面。第二补偿层322基本上由有机绝缘材料例如黑树脂制成。
当然，应当注意到前面提到的本发明的第一至第三个实施例可以适用于被动矩阵类型的有机电致发光显示装置。另外，上面提到的与有机电致发光二极管连接的薄膜晶体管包括p型或n型半导体层。当采用p型半导体驱动TFT时，空穴用来作为载流子。相反地，当采用n型半导体驱动TFT时电子作为载流子。因此，如果采用p型半导体来驱动本发明中的TFT T，有机电致发光二极管的第一电极是阳极而第二电极是阴极。或者是，如果采用n型半导体驱动TFT T，则第一电极是阴极而第二电极是阳极。
根据本发明的第一至第三个实施例，由于第一补偿层降低顶钝化层的反射率并且由于第二补偿层降低有机电致发光二极管的反射率，外部光几乎不受到反射并且极大地提高对比度。由于位于顶钝化层上的补偿层比圆形偏振板便宜，并且具有优秀的抗湿度和抗高温的性能，因此有机电致发光显示装置的稳定性增强而制造成本降低。
图8是表示根据本发明的第四个实施例的顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图。
在图8中，有机电致发光显示装置包括薄膜晶体管T和有机电致发光二极管E。薄膜晶体管T包括栅极402、栅绝缘层404、半导体层406、源极408和漏极410。栅极402形成在基板100上而栅绝缘层404覆盖栅极402。半导体层406设置在位于栅极402上的栅绝缘层404上，并且接下来包括有源层406a和欧姆接触层406b。在欧姆接触层406b上，形成彼此相隔一定距离的源极408和漏极410。去掉位于源极408与漏极410之间的部分欧姆接触层406b，从而在有源层406a中形成沟道CH。
第一钝化层412形成在栅绝缘层404上来覆盖薄膜晶体管T，从而保护薄膜晶体管T。在第一钝化层412上，依次形成光屏蔽层414和第一电极416。同时穿过第一钝化层412和光屏蔽层414形成漏接触孔413，并且因此第一电极416通过漏接触孔413与漏极410接触。第二钝化层418形成在第一电极416上并且限定一个用于发光区域A的面积。也就是说，通过使得几乎整个第一电极416暴露(exposing)，形成在第一电极416上的第二钝化层418限定有机电致发光装置的发光区域A。因此，有机电致发光层420形成在发光区域A上。第二电极422设置在有机电致发光层420上，并且缓冲层424形成在第二电极422上。顶钝化层426设置在前面提到的有机电致发光显示装置的顶部上。缓冲层424是通过真空喷镀方法能够设置在第二电极422上的绝缘材料。另外，缓冲层424在形成钝化层426的过程中保护有机电致发光二极管E。作为用于钝化层426的材料，通常采用厚绝缘材料或玻璃板。
在上面提到的有机电致发光显示装置中，采用例如氧化铟锡(ITO)等透明导电材料同时用于第一和第二电极416和422。如前面所提到的，当将p型半导体层用于薄膜晶体管T时，第一电极416是提供空穴作为载流子的阳极。但是，当将n型半导体层用于薄膜晶体管T时，第一电极416是提供电子作为载流子的阴极。这里，第一电极416的材料应当具有与有机电致发光层420略微不同的功函数。也就是说，第一电极416必须具有与有机电致发光层420不同的较小的功函数。另外，也从具有与有机电致发光层420不同的较小的功函数的材料中选择第二电极422。
根据本发明的第四个实施例，由于第一电极416由透明导电材料制成，光屏蔽层414形成在第一电极41 6的下面，从而防止在向下方向中的光泄漏。光屏蔽层414保护沟道CH不受从有机电致发光二极管发射来的光以及外部光的照射。因此，光屏蔽层414的材料最好能够尽可能地吸收或反射紫外线、可见光和/或红外线辐射。因此，优选例如黑树脂的具有光吸收特性的聚合材料。另外，光屏蔽层414用来作为使得具有薄膜晶体管T的基板100的表面平整化的平面层。光屏蔽层414还用来作为使得薄膜晶体管T与有机电致发光二极管E电绝缘的绝缘体。
前面提到的本发明的第四个实施例可以适用于被动矩阵类型的有机电致发光显示装置。尽管图8中所示的薄膜晶体管是包括非晶硅的反向交错类型(inverted staggered type)的，在第四个实施例中的有机电致发光显示装置可以采用由多晶硅制成的共面类型的薄膜晶体管。另外，图8中所示的元件各层最好通过真空喷镀处理形成。
图9是图8中的光屏蔽层414的平面图。光屏蔽层414的尺寸足够大从而覆盖基板的全部表面，从面防止光穿过基板。分别对应于每个漏极的多个接触孔413形成在光屏蔽层414中。
图10是表示根据本发明的第五个实施例的顶发射类型的有机电致发光显示装置的部分剖面图。由于该有机电致发光显示装置与图8中所示的类似，下文中省略对相同部件的解释。第五个实施例的有机电致发光显示装置包括与图8中所示的这些类似的薄膜晶体管T和有机电致发光二极管。但是，图10中所示的有机电致发光显示装置还包括位于顶钝化层426上的补偿层510。
补偿层510由防反射涂层材料或防闪光涂层材料制成。也就是说，作为用于补偿层510的材料，基本上采用具有较低反射特性的材料。通过防反射涂层处理或通过防闪光涂层处理对用于补偿层510的这种材料进行处理。
当补偿层510由经过了防反射涂层处理后的材料制成时，单层或多层构成补偿层510。如果补偿层510由多个防反射涂层构成，在每个层之间发生的光干涉将减少入射光的反射。通过真空喷镀、溅射、化学气相沉积(CVD)或其他适当的工艺形成多个防反射涂层。
当补偿层510由经过防闪光涂层工艺处理后的材料制成时，硅微粒混合到树脂中。掺杂在树脂中的硅微粒使得入射光分散从而减少外部光的反射。通过旋转式涂布或其他适当的工艺可以进行防闪光涂层处理。
根据本发明的第五个实施例，由于补偿层510减少了外部光在基板表面上的反射，对比度没有降低。由于光屏蔽层阻止光到达薄膜晶体管，防止在沟道中发生光流动。
本领域普通技术人员应当清楚，在没有脱离本发明的精神或范围的情况下.能够对本发明的有机电致发光装置做出多种改进和变化。因此，准备使得本发明覆盖通过所附权利要求和它们的相等物的范围提供的本发明的改进和变形。

Claims (10)

1.一种有机电致发光装置包括：
基板；
设置在基板上的第一电极，该第一电极引起入射光的光干涉；
设置在第一电极上的至少一个有机电致发光层；
设置在至少一个有机电致发光层上的第二电极，该第二电极包括透明导电材料；
设置在第二电极上的顶钝化层；和
设置在顶钝化层上的补偿层，该补偿层包括防反射涂层材料。
2.根据权利要求1的装置，其中第二电极的透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种。
3.根据权利要求2的装置，其中第二电极是由氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)之一形成的单层结构。
4.根据权利要求2的装置，其中第二电极具有包括金属薄膜与氧化铟锡(ITO)的双层结构或者具有包括金属薄膜与氧化铟锌(IZO)的双层结构。
5.根据权利要求1的装置，其中补偿层包括防反射涂层材料，通过真空喷镀、溅射或化学气相沉积(CVD)之一形成该防反射涂层材料。
6.根据权利要求1的装置，其中补偿层还包括防闪光涂层材料，通过旋转式涂布硅微粒与树脂的混合物的方法形成该防闪光涂层材料。
7.根据权利要求1的装置，还包括至少一个薄膜晶体管。
8.根据权利要求7的装置，其中至少一个薄膜晶体管包括p型晶体管，并且其中第一电极用来作为阳极而第二电极用来作为阴极。
9.根据权利要求1的装置，其中第一电极包括半透明层、透明层和反射层。
10.根据权利要求9的装置，其中半透明层具有与至少一个有机电致发光层的功函数不同的功函数。
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