WO2020077804A1 - Oled阵列基板及其制作方法 - Google Patents

Oled阵列基板及其制作方法 Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to the technical field of displays, in particular to an OLED array substrate and a manufacturing method thereof.
  • a bottom plate with an OLED unit on the bottom plate ;
  • a first inorganic layer provided on the OLED unit
  • An inorganic absorption layer provided on the organic layer, the inorganic absorption layer absorbing water and oxygen;
  • the first inorganic layer, the organic layer, the inorganic absorption layer, and the second inorganic layer constitute a thin-film encapsulation structure, and the thin-film encapsulation structure covers all The OLED unit without exposing the OLED unit.
  • the bottom plate is a flexible bottom plate, and the material of the bottom plate is polyimide.
  • the thickness of the first inorganic layer and the second inorganic layer is less than or equal to 1 ⁇ m
  • the thickness of the organic layer ranges from 3 ⁇ m to 8 ⁇ m
  • the inorganic absorption layer ranges from 50 Angstroms to 500 Angstroms.
  • the invention also provides an OLED array substrate, including:
  • a first inorganic layer provided on the OLED unit
  • An inorganic absorption layer provided on the organic layer, the inorganic absorption layer absorbing water and oxygen;
  • a second inorganic layer is provided on the inorganic absorption layer.
  • the first inorganic layer, the organic layer, the inorganic absorption layer, and the second inorganic layer constitute a thin-film encapsulation structure, and the thin-film encapsulation structure covers all The OLED unit without exposing the OLED unit.
  • the material of the first inorganic layer and the second inorganic layer is silicon nitride
  • the material of the organic layer is resin
  • the material of the inorganic absorption layer is iron
  • the thickness of the first inorganic layer and the second inorganic layer is less than or equal to 1 ⁇ m
  • the thickness of the organic layer ranges from 3 ⁇ m to 8 ⁇ m
  • the inorganic absorption layer ranges from 50 Angstroms to 500 Angstroms.
  • the invention also provides a method for manufacturing an OLED array substrate, including the following steps:
  • a second inorganic layer is formed on the inorganic absorption layer.
  • the first inorganic layer, the organic layer, the inorganic absorption layer and the second inorganic layer constitute a thin film encapsulation structure, and the thin film encapsulation structure covers The OLED unit without exposing the OLED unit.
  • the bottom plate is a flexible bottom plate, and the material of the bottom plate is polyimide.
  • the thickness of the first inorganic layer and the second inorganic layer is less than or equal to 1 ⁇ m
  • the thickness of the organic layer ranges from 3 ⁇ m to 8 ⁇ m
  • the inorganic absorption layer ranges from 50 Angstroms to 500 Angstroms.
  • the present invention provides an OLED array substrate and a manufacturing method thereof.
  • the inorganic absorption layer absorbs water and oxygen, which can prevent water and oxygen from invading and contacting the OLED unit, thereby prolonging the life of the OLED device.
  • FIG. 1 is an organic light emitting diode (Organic) proposed according to the present invention Light-Emitting Diode (OLED) cross-sectional side view.
  • Organic organic light emitting diode
  • OLED Light-Emitting Diode
  • FIG. 1 is a cross-sectional side view of an organic light-emitting diode (OLED) according to the present invention.
  • the present invention provides an OLED array substrate.
  • the OLED array substrate includes:
  • a second inorganic layer 304 is disposed on the inorganic absorption layer 303.
  • the first inorganic layer 301, the organic layer 302, the inorganic absorption layer 303 and the second inorganic layer 304 constitute a thin film encapsulation structure, the thin film encapsulation structure covers the OLED unit on the bottom plate 100 200 without exposing the OLED unit 200.
  • the bottom plate 100 is a flexible bottom plate.
  • the material of the flexible bottom plate may be polyimide.
  • the material of the first inorganic layer 301 and the second inorganic layer 304 may be silicon nitride (SiNx), and the material of the organic layer 302 may be resin.
  • the first inorganic layer 301 and the second inorganic layer 304 can be formed using chemical vapor deposition, and the organic layer 302 can be formed using inkjet printing.
  • the material of the inorganic absorption layer 303 is iron, that is, the inorganic absorption layer 303 is an iron layer.
  • the inorganic absorption layer 303 may be formed using physical vapor deposition (sputtering).
  • the thickness of the first inorganic layer 301 and the second inorganic layer 304 is less than or equal to 1 micrometer, and the thickness of the organic layer 302 ranges from 3 micrometers to 8 micrometers.
  • the thickness of the inorganic absorption layer 303 is between 50 angstroms and 500 angstroms.
  • the inorganic absorption layer 303 can absorb water and oxygen. If water and oxygen penetrate and pass through the second inorganic layer 304, the inorganic absorption layer 303 will absorb water and oxygen to avoid further intrusion of water and oxygen into the OLED unit 200, thereby extending the life of the OLED device.
  • the invention also provides a method for manufacturing an OLED array substrate.
  • the method includes the following steps:
  • the inorganic absorption layer 303 absorbs water and oxygen
  • a second inorganic layer 304 is formed on the inorganic absorption layer 303.
  • the first inorganic layer 301, the organic layer 302, the inorganic absorption layer 303 and the second inorganic layer 304 constitute a thin film encapsulation structure, the thin film encapsulation structure covers the OLED unit on the bottom plate 100 200 without exposing the OLED unit 200.
  • the bottom plate 100 is a flexible bottom plate.
  • the material of the flexible bottom plate may be polyimide.
  • the material of the first inorganic layer 301 and the second inorganic layer 304 may be silicon nitride (SiNx), and the material of the organic layer 302 may be resin.
  • the first inorganic layer 301 and the second inorganic layer 304 can be formed using chemical vapor deposition, and the organic layer 302 can be formed using inkjet printing.
  • the material of the inorganic absorption layer 303 is iron, that is, the inorganic absorption layer 303 is an iron layer.
  • the inorganic absorption layer 303 may be formed using physical vapor deposition (sputtering).
  • the thickness of the first inorganic layer 301 and the second inorganic layer 304 is less than or equal to 1 micrometer, and the thickness of the organic layer 302 ranges from 3 micrometers to 8 micrometers
  • the thickness of the inorganic absorption layer 303 is between 50 angstroms and 500 angstroms.
  • the inorganic absorption layer 303 can absorb water and oxygen. If water and oxygen penetrate and pass through the second inorganic layer 304, the inorganic absorption layer 303 will absorb water and oxygen to avoid further intrusion of water and oxygen into the OLED unit 200, thereby extending the life of the OLED device.
  • the present invention provides an OLED array substrate and a manufacturing method thereof.
  • the inorganic absorption layer absorbs water and oxygen, which can prevent water and oxygen from invading and contacting the OLED unit, thereby prolonging the life of the OLED device.

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Abstract

本发明提出一种OLED阵列基板。所述OLED阵列基板包括：一底板，所述底板上具有一OLED单元；一第一无机层，设置在所述所述OLED单元上；一有机层，设置在所述第一无机层上；一无机吸收层，设置在所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及一第二无机层，设置在所述无机吸收层上。

Description

OLED阵列基板及其制作方法 技术领域
本发明涉及显示器的技术领域，特别涉及一种OLED阵列基板及其制作方法。
 背景技术
在平板显示技术中，有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的显示技术。相对于液晶显示器(Liquid crystal displays，LCD)，OLED显示器具有更省电，更薄，且视角宽的优势，这是LCD无法比拟的。
OLED显示器的核心组件是OLED器件。OLED器件对水和氧极为敏感。若水和氧入侵并接触OLED器件，OLED器件的发光效率和寿命会受到影响，这会使得OLED器件的发光效率变差，且使得显示画面产生暗斑问题。目前广泛应于OLED器件的封装技术是薄膜封装技术，薄膜封装技术主要涉及形成由三层组成的封装结构，所述三层是指无机层SiNx、有机层、无机层SiNx，封装结构用以避免水和氧入侵OLED器件。
然而，现有的薄膜封装技术只能把水和氧隔绝在OLED器件外面，一旦水和氧渗透薄膜封装结构且入侵并接触到OLED器件后则无法去除，而且有机层会与水和氧发生反应，使OLED器件的性能急剧下降，严重影响其寿命。
因此，有必要提供一种薄膜封装结构及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
 技术问题
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）阵列基板及其制作方法，以解决现有技术所存在的OLED器件的性能差且寿命短的问题。
 技术解决方案
为解决上述技术问题，本发明提供一种OLED阵列基板，包括：
一底板，所述底板上具有一OLED单元；
一第一无机层，设置在所述所述OLED单元上；
一有机层，设置在所述第一无机层上；
一无机吸收层，设置在所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及
一第二无机层，设置在所述无机吸收层上；
其中所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅，所述有机层的材质是树脂，及所述无机吸收层的材质是铁。
根据本发明一优选实施例，所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元，而不使所述OLED单元外露。
根据本发明一优选实施例，所述底板是一柔性底板，所述底板的材质是聚酰亚胺。
根据本发明一优选实施例，所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米，所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
本发明还提供一种OLED阵列基板，包括：
一底板，所述底板上具有一OLED单元；
一第一无机层，设置在所述所述OLED单元上；
一有机层，设置在所述第一无机层上；
一无机吸收层，设置在所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及
一第二无机层，设置在所述无机吸收层上。
根据本发明一优选实施例，所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元，而不使所述OLED单元外露。
根据本发明一优选实施例，所述底板是一柔性底板，所述底板的材质是聚酰亚胺。
根据本发明一优选实施例，所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅，所述有机层的材质是树脂，及所述无机吸收层的材质是铁。
根据本发明一优选实施例，所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米，所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
本发明还提供一种制作OLED阵列基板的方法，包括以下步骤：
提供一底板，所述底板上具有一OLED单元；
形成一第一无机层于所述OLED单元上；
形成一有机层于所述第一无机层上；
形成一无机吸收层于所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及
形成一第二无机层于所述无机吸收层上。
根据本发明一优选实施例，所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元，而不使所述OLED单元外露。
根据本发明一优选实施例，所述底板是一柔性底板，所述底板的材质是聚酰亚胺。
根据本发明一优选实施例，所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅，所述有机层的材质是树脂，及所述无机吸收层的材质是铁。
根据本发明一优选实施例，所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米，所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
 有益效果
相较于现有技术，本发明提出一种OLED阵列基板及其制作方法。通过设置一无机吸收层在薄膜封装结构中，其中无机吸收层会吸收水和氧，可以避免水和氧入侵而接触到OLED单元，藉此延长OLED器件的寿命。
 附图说明
图1为为根据本发明提出的一种有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）的剖面侧视图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1，图1为根据本发明提出的一种有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）的剖面侧视图。
如图1所示，本发明提供一种OLED阵列基板。所述OLED阵列基板包括：
一底板100，所述底板100上具有一OLED单元200；
一第一无机层301，设置在所述所述OLED单元200上；
一有机层302，设置在所述第一无机层301上；
一无机吸收层303，设置在所述有机层302上，所述无机吸收层303吸收水和氧；及
一第二无机层304，设置在所述无机吸收层303上。
所述第一无机层301、所述有机层302、所述无机吸收层303及所述第二无机层304构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板100上的所述OLED单元200，而不使所述OLED单元200外露。
优选地，所述底板100是一柔性底板。例如，所述柔性底板的材质可以是聚酰亚胺。所述第一无机层301与所述第二无机层304的材质可以是氮化硅(SiNx)，所述有机层302的材质可以是树脂。优选地，可以使用化学气相沉积来形成所述第一无机层301与所述第二无机层304，及可以使用喷墨打印来形成所述有机层302。
根据本发明，所述无机吸收层303的材质是铁，亦即所述无机吸收层303为一铁层。优选地，可以使用物理气相沉积(溅射)来形成所述无机吸收层303。
为了确保封装结构的透光性，所述第一无机层301与所述第二无机层304的厚度小于或等于1微米，所述有机层302的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层303的厚度范围在50埃至500埃之间。
根据本发明，由于所述无机吸收层303的材质是铁，所述无机吸收层303可以吸收水和氧。若水和氧渗透且通过第二无机层304时，所述无机吸收层303会吸收水和氧，以避免水和氧进一步向内入侵而接触到OLED单元200，藉此延长OLED器件的寿命。
本发明还提供一种制作OLED阵列基板的方法。所述方法包括以下步骤：
提供一底板100，所述底板上具有一OLED单元200；
形成一第一无机层301于所述OLED单元200上；
形成一有机层302于所述第一无机层301上；
形成一无机吸收层303于所述有机层302上，所述无机吸收层303吸收水和氧；及
形成一第二无机层304于所述无机吸收层303上。
所述第一无机层301、所述有机层302、所述无机吸收层303及所述第二无机层304构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板100上的所述OLED单元200，而不使所述OLED单元200外露。
优选地，所述底板100是一柔性底板。例如，所述柔性底板的材质可以是聚酰亚胺。所述第一无机层301与所述第二无机层304的材质可以是氮化硅(SiNx)，所述有机层302的材质可以是树脂。优选地，可以使用化学气相沉积来形成所述第一无机层301与所述第二无机层304，及可以使用喷墨打印来形成所述有机层302。
根据本发明，所述无机吸收层303的材质是铁，亦即所述无机吸收层303为一铁层。优选地，可以使用物理气相沉积(溅射)来形成所述无机吸收层303。
为了确保封装结构的透光性，所述第一无机层301与所述第二无机层304的厚度小于或等于1微米，所述有机层302的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层303的厚度范围在50埃至500埃之间。
根据本发明，由于所述无机吸收层303的材质是铁，所述无机吸收层303可以吸收水和氧。若水和氧渗透且通过第二无机层304时，所述无机吸收层303会吸收水和氧，以避免水和氧进一步向内入侵而接触到OLED单元200，藉此延长OLED器件的寿命。
相较于现有技术，本发明提出一种OLED阵列基板及其制作方法。通过设置一无机吸收层在薄膜封装结构中，其中无机吸收层会吸收水和氧，可以避免水和氧入侵而接触到OLED单元，藉此延长OLED器件的寿命。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (14)

  1. 一种OLED阵列基板，包括：
    一底板，所述底板上具有一OLED单元；
    一第一无机层，设置在所述所述OLED单元上；
    一有机层，设置在所述第一无机层上；
    一无机吸收层，设置在所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及
    一第二无机层，设置在所述无机吸收层上；
    其中所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅，所述有机层的材质是树脂，及所述无机吸收层的材质是铁。
  2. 根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元，而不使所述OLED单元外露。
  3. 根据权利要求2所述的OLED阵列基板，其中所述底板是一柔性底板，所述底板的材质是聚酰亚胺。
  4. 根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米，所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
  5. 一种OLED阵列基板，包括：
    一底板，所述底板上具有一OLED单元；
    一第一无机层，设置在所述所述OLED单元上；
    一有机层，设置在所述第一无机层上；
    一无机吸收层，设置在所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及
    一第二无机层，设置在所述无机吸收层上。
  6. 根据权利要求5所述的OLED阵列基板，其中所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元，而不使所述OLED单元外露。
  7. 根据权利要求6所述的OLED阵列基板，其中所述底板是一柔性底板，所述底板的材质是聚酰亚胺。
  8. 根据权利要求6所述的OLED阵列基板，其中所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅，所述有机层的材质是树脂，及所述无机吸收层的材质是铁。
  9. 根据权利要求5所述的OLED阵列基板，其中所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米，所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
  10. 一种制作OLED阵列基板的方法，包括以下步骤：
    提供一底板，所述底板上具有一OLED单元；
    形成一第一无机层于所述OLED单元上；
    形成一有机层于所述第一无机层上；
    形成一无机吸收层于所述有机层上，所述无机吸收层吸收水和氧；及
    形成一第二无机层于所述无机吸收层上。
  11. 根据权利要求10所述的制作OLED阵列基板的方法，其中所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构，所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元，而不使所述OLED单元外露。
  12. 根据权利要求11所述的制作OLED阵列基板的方法，其中所述底板是一柔性底板，所述底板的材质是聚酰亚胺。
  13. 根据权利要求11所述的制作OLED阵列基板的方法，其中所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅，所述有机层的材质是树脂，及所述无机吸收层的材质是铁。
  14. 根据权利要求10所述的制作OLED阵列基板的方法，其中所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米，所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间，所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
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