TW201902697A - 封裝膜 - Google Patents

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Abstract

本申請案係關於封裝膜、製造彼之方法、包含彼之有機電子裝置、以及使用彼製造有機電子裝置之方法，該方法使得形成能阻擋濕氣或氧從外部引入有機電子裝置之結構，以及可有效釋放該有機電子裝置內部累積的熱且防止該有機電子裝置發生亮點。

Description

封裝膜
本申請案係關於封裝膜、製造彼之方法、包含彼之有機電子裝置、及使用彼製造有機電子裝置之方法。
有機電子裝置(OED)意指包含使用電洞及電子產生電荷之交流電流的有機材料層之裝置，及其實例可包括光伏打裝置、整流器、發射器及有機發光二極體(OLED)等。
在上述有機電子裝置當中之有機發光二極體(OLED)比起現有光源具有較低功率消耗及較快反應速度，且有利於使顯示裝置或照明設備薄型化。此外，OLED具有空間利用率，因而預期可應用於涵蓋各種可攜裝置、監視器、筆記型電腦及電視之各種不同領域。
在OLED之商業化及應用擴展中，最重要的問題為耐用性問題。OLED中所含之有機材料及金屬電極等非常容易因外部因素(諸如濕氣)而氧化。此外，亦存在因OLED裝置內部可能發生之排氣而發生OLED光點的問題。即，含有OLED之產品對於環境因素高度敏感。因此，已提出各種方法以有效阻擋氧或濕氣從外部滲入有機電子裝置(諸如OLED)內以及抑制內部產生排氣。
技術問題
本申請案提供封裝膜，其使得形成能阻擋濕氣或氧從外部引入有機電子裝置之結構，以及可有效釋放該有機電子裝置內部累積的熱，藉由磁性提高製程效率，且防止該有機電子裝置發生亮點。 技術解決方案
本申請案係關於封裝膜。封裝膜可應用以密封或封裝有機電子裝置，諸如例如OLED。
在本說明書中，用語「有機電子裝置」意指具有包含使用彼此相對的電極對之間的電洞及電子產生電荷的交流電流之有機材料層的結構之物件或裝置，及其實例可包括但不局限於光伏打裝置、整流器、發射器及有機發光二極體(OLED)等。在本發明之一個實例中，有機電子裝置可為OLED。
例示性封裝膜(10)可包括包含濕氣吸附劑之封裝層(11)；形成於封裝層(11)上且包括磁性粒子之磁性層(12)；以及形成於磁性層(12)上且具有50至800W/m·K之熱傳導率的金屬層(13)，如圖1所示。本申請案之封裝膜整體提供金屬層、磁性層及封裝層。此處，封裝層可密封有機電子裝置之頂側。本申請案藉由提供上述結構之封裝膜而可有效釋放有機電子裝置內部累積的熱並具有濕氣障壁性質，且防止該有機電子裝置內因排氣發生導致亮點。
本申請案之封裝膜不局限於上述結構，而是可進一步包含樹脂層。樹脂層可意指塗層或黏著劑層，其可包含至少一種樹脂組分。在本申請案實施態樣中，樹脂層可形成於磁性層與金屬層之間或於封裝層與磁性層之間。本申請案提供多層整體膜，其用於使封裝膜具有磁性與具有熱釋放功能，但基於濕氣阻擋之基本發明目的，其可包含樹脂層。即，本申請案可包含樹脂層以阻擋濕氣侵入具有濕氣阻擋性質略低之磁性層的側表面或上表面。因此，樹脂層可包含濕氣吸附劑，但不局限於此。濕氣吸附劑及樹脂組分分別可與封裝層中所含之濕氣吸附劑及封裝樹脂相同或不同。例如，樹脂層可包含丙烯酸系樹脂、以烯烴為主之樹脂、以胺甲酸乙酯為主之樹脂、或環氧樹脂。此外，在一個實例中，樹脂層可為硬塗層。硬塗層之材料無特別限制，可包含紫外線可固化樹脂及固化引發劑，及可與下述封裝層之樹脂組分相同或不同。
此外，封裝膜可包含下文說明之於金屬層上的保護層，及可進一步包含黏著劑層以將金屬層附著至保護層。
在一個實例中，封裝膜可包含亮點抑制劑。亮點抑制劑可存在於封裝層或磁性層中，但不局限於此。只要於將封裝膜應用於有機電子裝置時，亮點抑制劑具有防止有機電子裝置之面板中的亮點之效應，其材料無限制。例如，亮點抑制劑可為能吸收作為沉積層(諸如沉積於有機電子元件之電極上的氧化矽、氮化矽或氮氧化矽之鈍化膜(無機氣相沉積層))中所產生的排氣，例如H原子、氫氣(H2 )、氨(NH3 )氣、H+ 、NH2+ 、NHR2 及/或NH2 R例示之材料的材料。此處，R可為有機基團，及例如，可以烷基、烯基、炔基等為例，但不局限於此。
亮點抑制劑可具有以密度泛函理論計算為0eV或更低之排氣吸附能。吸附能之下限值無特別限制，但可為-20eV。在本申請案實施態樣中，介於亮點抑制劑與造成亮點的原子或分子之間的吸附能可經由根據密度泛函理論之電子結構計算來計算。上述計算可藉由本技術中已知的方法進行。例如，在本申請案中，於其中具有結晶結構之亮點抑制劑的最緊密填充表面係曝露於表面然後進行結構最佳化來製造二維板坯結構，以及對於造成亮點的分子係吸附於此真空狀態之表面上的結構進行結構最佳化之後，將造成亮點的分子之總能從這兩個系統之總能差扣除所獲得的值係定義為吸附能。就關於各系統之總能計算而言，使用為GGA(廣義梯度近似，generalized gradient approximation))級數之函數的經修訂PBE函數係用作交換-相關(exchange-correlation)以模擬電子與電子之間的相互作用，所使用之電子動能截止為500eV，且只包括及計算對應於倒易空間之原點的γ點。共軛梯度法係用以最佳化各系統之原子結構，且進行迭代計算直到原子間力為0.01 eV/Å或更低。經由作為市售程式之VASP進行一系列計算。
在一個實例中，亮點抑制劑之材料無限制，只要其符合上述吸附能值即可，其可為金屬或非金屬。亮點抑制劑可包含例如Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si、或其調配物，可包含材料之氧化物或氮化物，及可包含材料之合金。在一個實例中，亮點抑制劑可包含鎳粒子、氧化鎳粒子、氮化鈦、鐵-鈦之以鈦為主的合金粒子、鐵-錳之以錳為主的合金粒子、鎂-鎳之以鎂為主的合金粒子、以稀土為主的合金粒子、沸石粒子、矽石粒子、奈米碳管、石墨、鋁磷酸鹽分子篩粒子或內消旋矽石粒子。於封裝膜中，亮點抑制劑之含量，相對於100重量份之磁性粒子，可為1至120重量份、5至109重量份、7至100重量份、9至92重量份或10至83重量份。亮點抑制劑之含量，相對於100重量份層中之樹脂組分，可為3至150重量份、6至143重量份、8至131重量份、9至123重量份或10至116重量份。本申請案可實現防止有機電子裝置之亮點，同時改善於上述含量範圍之膜的黏著性及耐用性。此外，亮點抑制劑可具有粒徑在10 nm至30 μm、50 nm至21 μm、105 nm至18 μm、110 nm至12 μm、120 nm至9 μm、140 nm至4 μm、150 nm至2 μm、180 nm至900 nm、230 nm至700 nm或270 nm至400 nm之範圍。藉由包含亮點抑制劑，本申請案可實現封裝膜之濕氣障壁性質及耐久可靠度，同時有效率地吸附有機電子裝置中產生的氫。於本說明書中，用語樹脂組分可為封裝樹脂及/或黏合劑樹脂，其係於下文說明。
在本申請案一實施態樣中，封裝膜可包含至少兩個封裝層，以及封裝膜可包含接觸有機電子元件之第一層以及不接觸有機電子元件之第二層。此外，第二層或磁性層可包含具有以密度泛函理論計算為0eV或更低之排氣吸附能的亮點抑制劑。藉由將亮點抑制劑包括於不接觸有機電子元件之第二層或磁性層中，本申請案之封裝膜可防止根據因亮點抑制劑所致之應力集中而對有機電子裝置之損壞。有鑒於上述，第一層可包含或可不包含以封裝膜中之總亮點抑制劑的質量計為15%或更低含量之亮點抑制劑。此外，不接觸有機電子元件之層(第一層除外)可包含以封裝膜中之總亮點抑制劑的質量計為85%或更高之亮點抑制劑。即，於本申請案中，相較於接觸有機電子元件之第一層，不接觸有機電子元件之其他層(例如，第二層或磁性層)可包含較高含量之亮點抑制劑，因而防止施加至該元件的物理性損壞，同時實現該膜之濕氣障壁性質及亮點防止性質。
如上述之本申請案的金屬層可具有50 W/m·K或更高、60 W/m·K或更高、70 W/m·K或更高、80 W/m·K或更高、90 W/m·K或更高、100 W/m·K或更高、110 W/m·K或更高、120 W/m·K或更高、130 W/m·K或更高、140 W/m·K或更高、150 W/m·K或更高、200 W/m·K或更高、或210 W/m·K或更高之熱傳導率。熱傳導率之上限無特別限制，其可為800 W/m·K或更低。具有此種高熱傳導率，於金屬層之結合製程時在結合界面產生的熱可更迅速釋放。此外，因高熱傳導率而使有機電子裝置操作期間累積的熱迅速釋放，因而有機電子裝置本身的溫度可保持在較低溫度，以及減少龜裂及缺陷發生。熱傳導率可在15至30℃之溫度範圍內的任何溫度測量。
此處之用語「熱傳導率」為表示材料能藉由傳導而傳遞熱的能力程度，其中之單位至以W/m·K表示。該單位表示在相同溫度及距離下材料傳遞熱的程度，其意指熱之單位(瓦)對距離之單位(米)與溫度之單位(克耳文)。
在本申請案一實施態樣中，封裝膜之金屬層可為透明及不透明的。金屬層可具有在3 μm至200 μm、10 μm至100 μm、20 μm至90 μm、30 μm至80 μm、或40 μm至75 μm之範圍的厚度。本申請案藉由控制金屬層之厚度可提供薄膜封裝膜同時實現足夠的熱釋放效應。金屬層可為薄金屬箔或沉積有金屬之聚合物基底層。金屬層無特別限制，只要其為符合上述熱傳導率且含有金屬即可。金屬層可包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物、及其調配物中之任一者。例如，金屬層可包含其中一或多種金屬元素或非金屬元素係添加至一種金屬之合金，及可包含例如不鏽鋼(SUS)。此外，在一個實例中，金屬層可包含鐵、鉻、銅、鋁、鎳、氧化鐵、氧化鉻、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮及其調配物。金屬層可藉由電解、輥壓、蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、反應性濺鍍、化學氣相沉積、電漿化學氣相沉積或電子迴旋加速共振源電漿化學氣相沉積來沉積。在本申請案一個實例中，金屬層可藉由反應性濺鍍沉積。
以往，經常使用鎳-鐵合金(Invar)作為封裝膜，但該鎳-鐵合金的缺點係其價格高、其熱傳導率低、以及其裁切性質差。本申請案提供防止有機電子裝置產生亮點、具有優異熱釋放特徵、以及因磁性而落實製程便利性，而不使用該鎳-鐵合金作為金屬層之封裝膜。
在本申請案一實施態樣中，如上述，封裝膜包含含有磁性粒子之磁性層。本申請案藉由包含含有磁性粒子之磁性層而使得能進行藉由磁性之製程。具體而言，根據本申請案之封裝膜具有足夠的磁性，因而該膜可藉由磁鐵固定，因此因不需要額外的製程來固定該膜而使生產力獲得改善。
只要磁性層包含磁性粒子，其材料無特別限制。在一個實例中，磁性層可為壓感性黏著劑層或包含壓感性黏著劑組成物或黏著劑組成物之黏著劑層。
磁性層可進一步包含黏合劑樹脂。構成黏合劑樹脂之材料無特別限制。在一個實例中，黏合劑樹脂可包括丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂、胺甲酸酯樹脂、苯乙烯樹脂、聚烯烴樹脂、熱塑性彈性體、聚氧化烯樹脂、聚酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醯胺樹脂或其混合物，但不局限於此。黏合劑樹脂可具有低於0℃、低於-10℃、低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃之玻璃轉化溫度。此處，玻璃轉化溫度可為固化後之玻璃轉化溫度，及在一個實施態樣中，其可意指經約1 J/cm2 或更高之紫外線照射後的玻璃轉化溫度；或於紫外線照射後進一步進行熱固化之後的玻璃轉化溫度。
在一個實例中，只要磁性粒子具有磁性，其類型無特別限制，其可為本技術中已知的材料。例如，磁性粒子可為Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物，以及在本申請案一實施態樣中，磁性粒子可包括Cr、Fe、Fe3 O4 、Fe2 O3 、MnFe2 O4 、BaFe12 O19 、SrFe12 O19 、CoFe2 O4 、CoPt、或FePt。在一個實例中，磁性粒子可具有在10 nm至200 μm、90 nm至180 μm、120 nm至130 μm、280 nm至110 μm、450 nm至100 μm、750 nm至90 μm、950 nm至70 μm、990 nm至30 μm、或995 nm至20 μm之範圍的大小。呈粉末形式之磁性粒子可與磁性層之黏合劑樹脂一起形成磁性層。此外，在本申請案一實施態樣中，黏合劑樹脂之含量，相對於100重量份之磁性粒子，可為5至30重量份、8至28重量份、9至23重量份、10至18重量份、或11至14重量份。當包括上述比率之黏合劑樹脂及磁性粒子時，該膜可藉由具有足夠的磁性之磁鐵固定，以及可提供在如上述之防止亮點及濕氣障壁方面具有所希望的高可靠度之膜。另一方面，同時具有磁性、防止亮點性能及/或濕氣吸附性能之粒子可存在本申請案之封裝膜內部，在該情況下，該等粒子可發揮亮點抑制劑、磁性粒子及/或濕氣吸附劑全部功能。此外，在本申請案中，當存在二或更多種粒子時，具有較低吸附能之粒子可定義為亮點抑制劑。
在一個實例中，磁性層具有在5 μm至200 μm、10 μm至150 μm、13 μm至120 μm、18 μm至90 μm、22 μm至70 μm、或26 μm至50 μm之範圍的厚度。本申請案可提供薄膜封裝膜，同時藉由將磁性層之厚度控制在上述範圍而具有足夠的磁性性質。
在一個實例中，封裝膜可包含封裝層。在一個實例中，封裝層可為單層或具有二或更多層之多層結構。當二或更多層構成封裝層時，封裝層中之各層的組成可相同或不同。在一個實例中，封裝層可為壓感性黏著劑層或包含壓感性黏著劑組成物或黏著劑組成物之黏著劑層。
在本發明之一實施態樣中，封裝層可包含封裝樹脂。封裝樹脂可具有低於0℃、低於-10℃、低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃之玻璃轉化溫度。此處，玻璃轉化溫度可為固化後之玻璃轉化溫度，及在一個實施態樣中，其可意指經約1 J/cm2 或更高之紫外線照射後的玻璃轉化溫度；或於紫外線照射後進一步進行熱固化之後的玻璃轉化溫度。
在一個實例中，封裝樹脂可包含苯乙烯樹脂或彈性體、聚烯烴樹脂或彈性體、其他彈性體、聚氧化烯樹脂或彈性體、聚酯樹脂或彈性體、聚氯乙烯樹脂或彈性體、聚碳酸酯樹脂或彈性體、聚苯硫醚樹脂或彈性體、烴類之混合物、聚醯胺樹脂、丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂樹脂、聚矽氧樹脂或彈性體、氟樹脂或彈性體或其混合物等。
此處，作為苯乙烯樹脂或彈性體，可以例如苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(ABS)、丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物(ASA)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯同元聚合物或其混合物為例。作為烯烴樹脂或彈性體，可以例如高密度聚乙烯樹脂或彈性體、低密度聚乙烯樹脂或彈性體、聚丙烯樹脂或彈性體或其混合物為例。作為彈性體，例如可使用酯熱塑性彈性體、烯烴彈性體、聚矽氧彈性體、丙烯酸系彈性體或其混合物等。尤其是，作為烯烴熱塑性彈性體，可使用聚丁二烯樹脂或彈性體或聚異丁烯樹脂或彈性體等。作為聚氧化烯樹脂或彈性體，可以例如聚甲醛樹脂或彈性體、聚氧乙烯樹脂或彈性體或其混合物等為例。作為聚酯樹脂或彈性體，可以例如聚對酞酸伸乙酯樹脂或彈性體、聚對酞酸伸丁酯樹脂或彈性體或其混合物等為例。作為聚氯乙烯樹脂或彈性體，可以例如聚偏二氯乙烯等為例。作為烴類之混合物，可以例如三十六烷或石蠟等為例。作為聚醯胺樹脂或彈性體，可以例如耐綸等為例。作為丙烯酸酯樹脂或彈性體，可以例如本文(甲基)丙烯酸丁酯等為例。作為環氧樹脂或彈性體，可以例如雙酚型，諸如雙酚A型、雙酚F型、或雙酚S型、其氫化產物；酚醛清漆型，諸如苯酚酚醛清漆型或甲酚酚醛清漆型；含氮環狀型，諸如三聚異氰酸三環氧丙酯型或乙內醯脲型；脂環型；脂族型；芳族型，諸如萘型及聯苯型；環氧丙基型，諸如環氧丙基醚型、環氧丙基胺型及環氧丙基酯型；二環型，諸如二環戊二烯型；酯型；醚酯型或其混合物等為例。作為聚矽氧樹脂或彈性體，可以例如聚二甲基矽氧烷等為例。此外，作為氟樹脂或彈性體，可以聚三氟乙烯樹脂或彈性體、聚四氟乙烯樹脂或彈性體、聚氯三氟乙烯樹脂或彈性體、聚六氟丙烯樹脂或彈性體、聚氟化亞乙烯(polyfluorinated vinylidene)、聚氟化乙烯(polyfluorinated vinyl)、聚氟化乙烯丙烯或其混合物等為例。
上列樹脂或彈性體亦可例如藉由經順丁烯二酸酐等接枝、藉由經由用於製造樹脂或彈性體之單體而與其他樹脂或彈性體共聚、及藉由經其他化合物改質之方式使用。上述其他化合物之實例可包括羧基末端之丁二烯-丙烯腈共聚物等。
在一個實例中，封裝層可包含但不局限於上述類型當中之烯烴彈性體、聚矽氧彈性體或丙烯酸系彈性體等作為封裝樹脂。
在本發明之一個實施態樣中，封裝樹脂可為烯烴樹脂。在一個實例中，烯烴樹脂可為丁烯單體之同元聚合物；藉由共聚丁烯單體與其他可聚合單體所獲得之共聚物；使用丁烯單體之反應性寡聚物；或其混合物。丁烯單體可包括例如1-丁烯、2-丁烯或異丁烯。
可與丁烯單體或衍生物聚合之單體可包括例如異戊二烯、苯乙烯、或丁二烯等。藉由使用共聚物，可維持物理性質，諸如加工性及交聯程度，因此於應用至有機電子裝置時可確保黏著劑本身的耐熱性。
此外，藉由使用丁烯單體之反應性寡聚物可包含具有反應性官能基之丁烯聚合物。該寡聚物可具有範圍在500至5,000之重量平均分子量。此外，丁烯聚合物可與具有反應性官能基之其他聚合物偶合。該其他聚合物可為但不局限於(甲基)丙烯酸烷酯。反應性官能基可為羥基、羧基、異氰酸酯基或含氮基團。此外，該反應性寡聚物及該其他聚合物可藉由多官能交聯劑交聯，且該多官能交聯劑可為選自由下列所組成之群組的至少一者：異氰酸酯交聯劑、環氧基交聯劑、氮交聯劑及金屬螯合物交聯劑。
在一個實例中，本申請案之封裝樹脂可為二烯與含有一個碳-碳雙鍵之烯烴化合物的共聚物。此處，該烯烴化合物可包括丁烯等，及該二烯可為能與該烯烴化合物聚合的單體，及可包括例如異戊二烯或丁二烯等。例如，含有一個碳-碳雙鍵之烯烴化合物與二烯的共聚物可為丁基橡膠。
在封裝層中，樹脂或彈性體組分可具有可使壓感性黏著劑組成物形成膜形狀的程度之重量平均分子量(Mw)。例如，樹脂或彈性體可具有約100,000至2,000,000、120,000至1,500,000、或150,000至1,000,000之重量平均分子量。本文之用語重量平均分子量意指轉化成藉由GPC(凝膠滲透層析術)所測量之標準聚苯乙烯的值。然而，樹脂或彈性體不一定具有上述重量平均分子量。例如，在樹脂或彈性體組分之分子量為不足以形成膜的水準之情況下，可將單獨的黏合劑樹脂摻合至壓感性黏著劑組成物中。
在其他實施態樣中，根據本申請案之封裝樹脂可為可固化樹脂。當封裝樹脂為可固化樹脂時，該封裝樹脂可為固化之後具有85℃或更高之玻璃轉化溫度的樹脂。玻璃轉化溫度可為光固化或熱固化封裝樹脂之後的玻璃轉化溫度。可用於本發明之可固化樹脂的具體種類無特別限制，以及例如可使用本領域已知的各種熱固化或光可固化樹脂。用語「熱固化樹脂」意指可經由適當熱施加或老化製程固化的樹脂，及用語「光可固化樹脂」意指可藉由電磁波照射固化的樹脂。此外，可固化樹脂可為包括熱固化及光固化性質二者的雙重可固化樹脂。
在本申請案中，可固化樹脂之具體種類並無限制，只要其具有前文提及之特性即可。例如，可經固化以展現黏著劑性質者可包括包含下列之樹脂：一或多個熱可固化官能基，諸如環氧丙基、異氰酸酯基、羥基、羧基或醯胺基；或一或多個能藉由電磁波照射而固化之官能基，諸如環氧基、環醚基、硫醚基、縮醛基或內酯基。此外，此種樹脂之具體種類可包括丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂或環氧樹脂等，但不局限於此。
在本申請案中，作為可固化樹脂，可使用芳族或脂族；或直鏈或支鏈環氧樹脂。在本發明之一個實施態樣中，可使用環氧當量為180 g/eq至1,000 g/eq之含有二或更多個官能基的環氧樹脂。藉由使用環氧當量在上述範圍的環氧樹脂，可有效維持諸如固化產物的黏著性能及玻璃轉化溫度等特性。此種環氧樹脂的實例可包括甲酚酚醛清漆環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型酚醛清漆環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、四官能環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、經烷基改質之三酚甲烷環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂或經二環戊二烯改質之酚型環氧樹脂中的一者或二或更多者之混合物。
在本申請案中，作為可固化樹脂，可使用分子結構中包含環狀結構之環氧樹脂，及可使用包含芳族基(例如苯基)之環氧樹脂。當環氧樹脂包含芳族基時，固化產物具有優異熱及化學安定性，同時展現低濕氣吸收量，因而有機電子裝置封裝結構的可靠度可獲得改善。可用於本發明的含芳族基之環氧樹脂的具體實例可為聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、經二環戊二烯改質之酚型環氧樹脂、以甲酚為主的環氧樹脂、以雙酚為主的環氧樹脂、以二甲苯為主的環氧樹脂、多官能環氧樹脂、苯酚酚醛清漆環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂及經烷基改質之三酚甲烷環氧樹脂等之一者或二或更多者之混合物，但本發明不局限於此。
此外，本申請案之封裝層可包含與封裝樹脂高度相容且可與該封裝樹脂一起形成特殊交聯結構的可活性能射線聚合化合物。在該情況下，封裝樹脂可為可交聯樹脂。
例如，視封裝樹脂之類型而定，本申請案之封裝層可包含可藉由與該封裝樹脂一起照射活性能射線而聚合的多官能可活性能射線聚合化合物。可活性能射線聚合化合物可意指包含二或更多個能藉由照射活性能射線而參與聚合反應之官能基的化合物，該官能基係例如含有乙烯系不飽和雙鍵之官能基，諸如丙烯醯基或甲基丙烯醯基，或諸如環氧基或氧呾基之官能基。
作為多官能可活性能射線聚合化合物，可使用例如多官能丙烯酸酯(MFA)。
此外，可活性能射線聚合化合物之含量，相對於100重量份之封裝樹脂，可為5至30重量份、5至25重量份、8至20重量份、10至18重量份或12至18重量份。本申請案提供在嚴苛條件(諸如在上述範圍之高溫及高濕度)下具有優異耐久可靠度之封裝膜。
可使用可藉由活性能射線照射聚合之多官能可活性能射線聚合化合物而無任何限制。例如，該化合物可包括二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,3-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,8-辛二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,12-十二烷二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸二環戊烷酯、二(甲基)丙烯酸環己烷-1,4-二醇酯、(甲基)二丙烯酸三環癸烷二甲醇酯、二(甲基)丙烯酸二羥甲基二環戊烷酯、 新戊二醇改質之二(甲基)丙烯酸三甲基丙烷酯、二(甲基)丙烯酸金剛烷酯(admantane di(meth)acrylate)、三(甲基)丙烯酸三羥甲丙烷酯、或其混合物。
作為多官能可活性能射線聚合化合物，可使用例如具有低於1,000之分子量且含有二或更多個官能基之化合物。在此情況下，分子量可意指重量平均分子量或典型分子量。包括在多官能可活性能射線聚合化合物中之環結構可為碳環結構或雜環結構中的任一者；或為單環或多環結構。
在本申請案一實施態樣中，封裝層可進一步包含自由基引發劑。自由基引發劑可為光引發劑或熱引發劑。該光引發劑之具體種類可考慮固化速率及黃化可能性等而適當地選擇。例如，可使用以安息香為主、以羥基酮為主、以胺基酮為主，或以氧化膦為主光引發劑等，特別是，安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香正丁醚、安息香異丁醚、苯乙酮、二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙-1-酮、4-(2-羥乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯甲酮、對苯基二苯甲酮、4,4'-二乙胺基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基硫代 酮、2-乙基硫代 酮、2-氯硫代 酮、2,4-二甲基硫代 酮、2,4-二乙基硫代 酮、苯甲基二甲縮酮、苯乙酮二甲縮酮、對二甲胺基苯甲酸酯、寡[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]及2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦等。
自由基引發劑包含之比，相對於100重量份之可活性能射線聚合化合物，可為0.2至20重量份、0.5至18重量份、1至15重量份、或2至13重量份。因此，可有效引發可活性能射線聚合化合物之反應且亦可防止因固化後殘留的組分所致之封裝層組成物的物理性質惡化。
在本申請案一實施態樣中，封裝膜之封裝層、磁性層或樹脂層可視所包括之樹脂組分的種類而進一步包含固化劑。例如，其可進一步包含能與前文提及之封裝樹脂反應以形成交聯結構等的固化劑。在本說明書中，用語封裝樹脂及/或黏合劑樹脂可與樹脂組分同義使用。
固化劑之種類可視樹脂組分之類型或該樹脂中所含的官能基而適當選擇及使用。
在一個實例中，當樹脂組分為環氧樹脂時，固化劑為本技術中已知之環氧樹脂的固化劑，及可使用例如胺固化劑、咪唑固化劑、酚固化劑、磷固化劑或酸酐固化劑等之一或二或更多者，但不局限於此。
在一個實例中，作為固化劑，可使用於室溫下為固態且熔點或分解溫度為80℃或更高之咪唑化合物。作為此種化合物，可以例如：2-甲基咪唑、2-十七基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑或1-氰乙基-2-苯基咪唑等為例，但不局限於此。
固化劑之含量可視組成物之組成，例如，封裝樹脂之類型或比率來選擇。例如，固化劑之含量，相對於100重量份之樹脂組分，可為1至20重量份、1至10重量份或1至5重量份。然而，重量比可視封裝樹脂之類型及比率或樹脂之官能基、或待實施之交聯密度等而改變。
當樹脂組分為可藉由照射活性能射線固化的樹脂時，例如可使用陽離子光聚合引發劑作為引發劑。
作為陽離子光聚合引發劑，可使用可使用鎓鹽有機金屬鹽系之離子化陽離子引發劑、或有機矽烷或潛磺酸系(latent sulfonic acid series)之非離子化陽離子光聚合引發劑。作為鎓鹽系之引發劑，可以二芳基錪鎓鹽、三芳基鋶鹽或芳基重氮鹽等為例；作為有機金屬鹽系之引發劑，可以鐵芳烴等為例；作為有機矽烷系之引發劑，可以鄰硝基苯甲基三芳基矽基醚、過氧化三芳基矽基或醯基矽烷等為例；以及作為潛硫酸系(latent sulfuric acid series)之引發劑，可以α-磺醯氧基酮或α-羥基甲基安息香磺酸酯為例，但不局限於此。
在一個實例中，作為陽離子引發劑，可使用離子化陽離子光聚合引發劑。
在一個實例中，封裝層及/或磁性層可進一步包含膠黏劑，其中該膠黏劑較佳可為氫化環狀烯烴聚合物。作為膠黏劑，例如可使用藉由氫化石油樹脂而獲得之氫化石油樹脂。氫化石油樹脂可為部分或完全氫化樹脂，及亦可為此等樹脂之混合物。此種膠黏劑可經選擇以具有良好的與壓感性黏著劑組成物之相容性、優異的濕氣阻擋性質、及低有機揮發性組分。氫化石油樹脂之具體實例可包括氫化萜樹脂、氫化酯樹脂、氫化二環戊二烯樹脂等。膠黏劑可具有為約200至5,000之重量平均分子量。膠黏劑之含量可視需要而適當地調整。例如，膠黏劑之含量可考慮下述凝膠含量等予以選擇，根據一個實例，其包含比率，相對於100重量份之樹脂組分，可為5至100重量份、8至95重量份、10至93重量份或15至90重量份。
如上述，封裝層可進一步包含濕氣吸附劑。在本說明書中，用語「濕氣吸附劑」可意指例如如下述經由與穿透封裝膜之濕氣或濕度的化學反應而能移除濕氣或濕度之化學反應性吸附劑。
例如，濕氣吸附劑可以於封裝層或封裝膜中均勻分散狀態存在。此處，均勻分散狀態可意指濕氣吸附劑均以相同或實質上相同密度存在於封裝層或封裝膜之任何部分。可用於上述之濕氣吸附劑可包括例如金屬氧化物、硫酸鹽或有機金屬氧化物等。具體而言，硫酸鹽之實例可包括硫酸鎂、硫酸鈉或硫酸鎳等，以及有機金屬氧化物之實例可包括辛酸氧化鋁等。此處，金屬氧化物之具體實例可包括五氧化二磷(P2 O5 )、氧化鋰(Li2 O)、氧化物鈉(Na2 O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)或氧化鎂(MgO)等；而金屬鹽之實例可包括硫酸鹽，諸如硫酸鋰(Li2 SO4 )、硫酸鈉(Na2 SO4 )、硫酸鈣(CaSO4 )、硫酸鎂(MgSO4 )、硫酸鈷(CoSO4 )、硫酸鎵(Ga2 (SO4 )3 )、硫酸鈦(Ti(SO4 )2 )或硫酸鎳(NiSO4 )；金屬鹵化物，諸如氯化鎂(MgCl2 )、氯化鍶(SrCl2 )、氯化釔(YCl3 )、氯化銅(CuCl2 )、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF5 )、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr2 )、溴化銫(CeBr3 )、溴化硒(SeBr4 )、溴化釩(VBr3 )、溴化鎂(MgBr2 )、碘化鋇(BaI2 )或碘化鎂(MgI2 )；或金屬氯酸鹽，諸如過氯酸鋇(Ba(ClO4 )2 )或過氯酸鎂(Mg(ClO4 )2 )等，但不局限於此。作為可含於封裝層中之濕氣吸附劑，亦可使用上述成分之一或二或更多者。在一個實例中，當使用二或更多者作為吸濕劑時，可使用經煅燒白雲石等。
此種濕氣吸附劑可視應用而控制至適當大小。在一個實例中，濕氣吸附劑之平均粒徑可控制為100至15000 nm、500 nm至10000 nm、800 nm至8000 nm、1 μm至7 μm、2 μm至5 μm、或2.5 μm至4.5 μm。具有在上述範圍內之大小的濕氣吸附劑與濕氣反應速率不會太快，因此容易貯存，以及不會損壞待封裝之元件，且有效移除濕氣，而不干擾氫吸附程序。此外，在本申請案一實施態樣中，亮點抑制劑粒徑對濕氣吸附劑粒徑之比可在0.01至1.5或0.1至0.95之範圍。在本說明書中，粒徑可意指平均粒徑，及可使用D50粒徑分析儀藉由已知方法測量。本申請案藉由控制存在於封裝膜內部之亮點抑制劑與濕氣吸附劑的粒徑比，可實現是為封裝膜原始功能之濕氣阻擋性質，以及元件之可靠度及防止亮點。
濕氣吸附劑之含量無特別限制，其可考慮所希望之阻擋特性而適當地選擇。在一個實例中，本申請案之封裝膜之亮點抑制劑對濕氣吸附劑的重量比係在0.05至0.8或0.1至0.7之範圍。在本申請案中，亮點抑制劑係分散於膜中以防止亮點，但考慮到是為封裝膜固有功能之濕氣阻擋性質以及元件之可靠度實施，可包括與濕氣吸附劑呈特殊含量比之添加用以防止亮點的亮點抑制劑。
若需要，封裝層亦可包含濕氣阻擋劑。在本說明書中，用語「濕氣阻擋劑」可意指與濕氣無反應性或具低反應性，但可物理性阻擋或阻礙膜內之濕氣或濕度移動的材料。作為濕氣阻擋劑，例如，可使用黏土、滑石、針狀矽石、板狀矽石、多孔矽石、沸石、氧化鈦或氧化鋯中之一或二或更多者。此外，濕氣阻擋劑可經有機改質劑等表面處理以促進有機物質穿透。作為此種有機改質劑，可使用例如二甲基苯甲基氫化牛脂四級銨、二甲基氫化牛脂四級銨、甲基牛脂雙2-羥乙基四級銨、二甲基氫化牛脂2-乙基己基四級銨、二甲基脫氫牛脂四級銨或其混合物等。
濕氣阻擋劑之含量無特別限制，及可考慮所希望之阻擋特性而適當地選擇。
除了上述成分之外，視下述封裝膜之應用及製造程序而定，封裝層可包含各種不同添加劑。例如，封裝層可視所期望的物理性質而包含適當含量範圍之可固化材料、交聯劑、填料等。
在本申請案一實施態樣中，封裝層可形成為如上述之單一層結構，或可由二或更多層形成。當該層係由二或更多層形成時，接近磁性層之層可包含濕氣吸附劑。例如，在由二或更多層形成之情況下，封裝層之最外層可不含濕氣吸附劑。
在一個實例中，考慮到封裝膜係應用於有機電子元件之封裝，可考慮元件之損壞等來控制濕氣吸附劑之含量。例如，接觸元件之層可包含少量濕氣吸附劑，或可不含濕氣吸附劑。在一個實例中，相對於封裝膜中所含之濕氣吸附劑的總質量，與元件接觸之封裝層可包含0至20%之濕氣吸附劑。此外，相對於封裝膜中所含之濕氣吸附劑的總質量，不接觸元件之封裝層可包含80至100%之濕氣吸附劑。
在本申請案一實施態樣中，於封裝層與磁性層之間可進一步包括包含濕氣吸附劑之硬塗層。硬塗層可經由將硬樹脂(諸如丙烯酸系樹脂、胺甲酸酯樹脂或矽氧烷樹脂)施加至封裝層或金屬層之一側上並固化該塗層的方法來形成，其中其層厚度通常可為0.1 μm至30 μm、1 μm至23 μm、或3 μm至18 μm左右。硬塗層可藉由包含濕氣吸附劑而抑制自外部引入之濕氣穿透。
在本申請案一實施態樣中，於金屬層與磁性層之間可進一步包括黏著劑層。此外，於磁性層上可進一步包括保護層，其中於該磁性層與該保護層之間可進一步包括黏著劑層。黏著劑層之材料無特別限制，其可與如上述之封裝層的材料相同或不同，以及若需要，其可包含上述濕氣吸附劑。在一個實例中，黏著劑層可為丙烯酸系黏著劑。黏著劑層可具有2至50 μm、6至42 μm、或9至33 μm左右之厚度。
在一個實例中，保護層可包含樹脂組分。構成保護層之材料無特別限制。在一個實例中，保護層可為能阻擋濕氣滲透之防濕氣層。在一個實例中，構成保護層之樹脂組分可包含選自由下列所組成之群組的一或多者：聚有機矽氧烷、聚醯亞胺、苯乙烯樹脂或彈性體、聚烯烴樹脂或彈性體、聚氧化烯樹脂或彈性體、聚酯樹脂或彈性體、聚氯乙烯樹脂或彈性體、聚碳酸酯樹脂或彈性體、聚苯硫醚樹脂或彈性體、聚醯胺樹脂或彈性體、丙烯酸酯樹脂或彈性體、環氧樹脂或彈性體、聚矽氧樹脂或彈性體、及氟樹脂或彈性體，但不局限於此。樹脂組分可具有低於0℃、低於-10℃或低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃之玻璃轉化溫度。此處，玻璃轉化溫度可為固化後之玻璃轉化溫度，及在一個實施態樣中，其可意指經約1 J/cm2 或更高之紫外線照射後的玻璃轉化溫度；或於紫外線照射後進一步進行熱固化之後的玻璃轉化溫度。保護層可具有10至100 μm、18至88 μm、或22至76 μm左右之厚度。
封裝膜可進一步包含基底膜或脫離膜(下文可稱為「第一膜」)，其可具有封裝層係形成於該基底或脫離膜上的結構。此外，該結構可進一步包含形成於金屬層上之基底或脫離膜(下文可稱為「第二膜」)。
可用於本申請案之第一膜的具體種類無特別限制。在本申請案中，例如，可使用本領域中之一般聚合物膜作為第一膜。在本申請案中，例如，作為基底或脫離膜，可使用聚對酞酸伸乙酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚氯乙烯膜、聚胺甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜或聚醯亞胺膜等。此外，可在本申請案之基底膜或脫離膜的一側或雙側進行適合之脫模處理。作為基底膜之脫離處理所使用的脫離劑之實例，可使用醇酸系、聚矽氧系、氟系、不飽和酯系、聚烯烴系或蠟系等，其中，基於耐熱性，較佳係使用醇酸系、聚矽氧系或氟系之脫離劑，但不局限於此。
在本申請案中，如上述基底膜或脫離膜(第一膜)之厚度無特別限制，其可視其所應用的應用而適當地選擇。例如，在本申請案中，第一膜之厚度可為10 μm至500 μm，較佳為20 μm至200 μm左右。若厚度低於10 μm，於製造程序期間容易發生基底膜變形，然而若其超過500 μm，經濟效益低。
包括於本申請案之封裝膜中的封裝層之厚度無特別限制，其可考慮該膜所應用的應用而根據下列條件適當地選擇。封裝層之厚度可為5 μm至200 μm，較佳為5 μm至100 μm左右。若封裝層之厚度小於5 μm，無法展現足夠的濕氣阻擋能力，然而若其超過200 μm，則難以確保加工性，因濕氣反應性所致之厚度膨脹大，因此有機發光元件之沉積膜會受損，且經濟效益低。
此外，包含金屬層、磁性層及封裝層之封裝膜的厚度可在10 μm至500 μm、23 μm至480 μm或34 μm至430 μm之範圍。此處，封裝膜之厚度可意指不包括基底膜或脫離膜之狀態的厚度。本申請案藉由控制封裝膜之厚度範圍而可提供具有優異濕氣障壁性質之薄膜有機電子裝置。
本申請案亦關於製造上述封裝膜之方法。製造封裝膜之例示性方法可包含於金屬層之一側上形成磁性層的步驟。磁性層可形成為與金屬層直接接觸，但不局限於此，及可經由樹脂層或黏著劑層形成。形成磁性層之步驟可包含輥壓或塗布方法。
在一個實例中，該方法可包含將含有構成如上述磁性層之組分的塗布溶液呈薄片或膜形狀施加至基底或脫離膜上，並乾燥所施加之塗布溶液。
塗布於基底或脫離膜上之磁性層可使用輥壓形成於金屬層上。輥壓可於50℃或更高且為100℃或更低之高溫下進行，但不局限於此。
在其他實例中，塗布溶液可直接施加至金屬層上，例如，可應用已知塗布方法，諸如刮刀塗布、輥塗、噴塗、凹版塗布、淋幕式塗布、缺角輪塗布(comma coating)或端緣塗布(lip coating)。
此外，本申請案可包含將封裝層形成於磁性層一側上之步驟。如上述形成磁性層之步驟及形成封裝層之步驟的順序無特別限制。封裝層可形成為與磁性層直接接觸，但不局限於此。封裝層亦可藉由與磁性層形成之相同方法形成，但不局限於此。
在一個實例中，封裝層可經由捲軸式方法層合至金屬層及磁性層之結構中的磁性層側。層合方法亦可藉由已知方法進行。
本申請案可進一步包含裁切封裝膜之步驟。裁切可意指將封裝層、磁性層或金屬層形成所希望形狀，例如多邊形或圓形。裁切步驟包含使用雷射或切刀裁切封裝層、磁性層或金屬層。切刀裁切可藉由引入適合格式(諸如例如木型刀、尖柱(pinnacle)刀、切片刀或超級刀(super cutter))進行。本申請案能刀切的原因在於可不使用鎳-鐵合金，因而可改善製程效率。
本申請案亦關於有機電子裝置。如圖2所示，有機電子裝置可包含基材(21)；形成於該基材(21)上之有機電子元件(22)；以及上述用於封裝該有機電子元件(22)之封裝膜(10)。封裝膜可封裝頂側，例如，形成於基材上之有機電子元件的整個上部部分及側表面。封裝膜可包含含有呈交聯或固化狀態之壓感性黏著劑組成物或黏著劑組成物的封裝層。此外，有機電子裝置可形成為使封裝層接觸有機電子元件之頂側。
在本申請案一實施態樣中，有機電子元件可包含一對電極、至少含有發光層之有機層、及鈍化膜。具體而言，有機電子元件可包含第一電極層、形成於該第一電極層上且至少含有發光層之有機層，以及形成於該有機層上之第二電極層，以及可包含用於保護該第二電極層及該有機層上之電極的鈍化膜。該第一電極層可為透明電極層或反射電極層，以及該第二電極層亦可為透明電極層或反射電極層。更具體而言，該有機電子元件可包含形成於基材上之透明電極層、形成於該透明電極層上且至少含有發光層之有機層，以及形成於該有機層上之反射電極層。
此處，有機電子元件可為例如有機發光元件。
鈍化膜可包含無機膜及有機膜。在一個實施態樣中，無機膜可為選自由下列所組成之群組的一或多種金屬氧化物或氮化物：Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn及Si。無機膜之厚度可為0.01 μm至50 μm或0.1 μm至20 μm、或1 μm至10 μm。在一個實例中，本申請案之無機膜可為不含摻雜劑之無機材料，或可為含有摻雜劑之無機材料。可摻雜之摻雜劑可為選自由下列所組成之群組的一或多種元素：Ga、Si、Ge、Al、Sn、Ge、B、In、Tl、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co及Ni、或該元素之氧化物，但不局限於此。有機膜與至少含有發光層之有機層的分別在於其不包括發光層，以及可為含有環氧化合物之有機沉積層。
無機膜或有機膜可藉由化學氣相沉積(CVD)形成。例如，作為無機膜，可使用氮化矽(SiNx)。在一個實例中，用作無機膜之氮化矽(SiNx)可沉積至0.01至50 μm之厚度。在一個實例中，有機膜可具有在2 μm至20 μm、2.5 μm至15 μm、及2.8 μm至9 μm之範圍的厚度。
本申請案亦提供用於製造有機電子元件之方法。製造方法可包含將上述封裝膜施加至上面形成有機電子元件之基材，以覆蓋該有機電子元件。該製造方法亦進一步包含固化封裝膜之步驟。固化封裝膜之步驟意指封裝層固化，其可於施加封裝層以覆蓋有機電子元件的步驟之前或之後進行。
在本說明書中，用語「固化」可意指本發明之壓感性黏著劑組成物經由加熱或UV照射程序等形成交聯結構，以製成壓感性黏著劑形式。或者，其可意指黏著劑組成物係經固化(solidified)且附著作為黏著劑。
具體而言，有機電子元件可藉由諸如真空蒸鍍或濺鍍之方法於用作基材之玻璃或聚合物膜上形成透明電極，於該透明電極上形成由例如電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層等所構成的發光有機材料層，然後於其上進一步形成電極層來形成。隨後，放置封裝膜之封裝層以覆蓋經歷上述製程之基材的有機電子元件之頂側。 有利效果
本申請案之封裝膜可應用以密封或封裝有機電子裝置，諸如OLED。該膜使得形成能阻擋濕氣或氧從外部引入有機電子裝置之結構，以及可有效釋放該有機電子裝置內部累積的熱，藉由磁性提高製程效率，且防止該有機電子裝置發生亮點。
下文茲經由根據本發明之實施例及非根據本發明之對照實例更詳細描述本發明，但本發明範圍不局限於以下實施例。
實施例1
磁性層之製造
作為磁性粒子之Fe粒子(粒徑為約1至10 μm，薄片型)及作為黏合劑樹脂之丙烯酸系樹脂係以90：10(磁性粒子：黏合劑樹脂)之重量比混合，以製備經甲苯稀釋的溶液(固體含量50%)。
使用缺角輪塗布器(comma coater)將前文製備之溶液施加至脫離PET之脫離表面，並於乾燥器中於130℃乾燥3分鐘，以形成具有厚度為30 μm之磁性層。
封裝層之製造
製備CaO(平均粒徑3 μm)溶液(固體含量50%)作為濕氣吸附劑。另外，製備其中200 g之丁基橡膠樹脂(BT-20，Sunwoo Chemtech)及60 g之DCPD石油樹脂(SU5270，Sunwoo Chemtech)係經甲苯稀釋之溶液(固體含量50%)，然後將該溶液均質化。將10 g之光固化劑(TMPTA，Miwon)及15 g之光引發劑(Irgacure 819，Ciba)引入該經均質化溶液，將之均質化然後將100 g之CaO溶液引入其中，然後以高速攪拌1小時以製備封裝層溶液。
使用缺角輪塗布器將前文製備之封裝層溶液施加至脫離PET之脫離表面，並於乾燥器中於130℃乾燥3分鐘，以形成具有厚度為50 μm之封裝層。
封裝膜之製造
將附著至前文製造之磁性層兩外側的經脫離處理之PET剝離，並藉由施加於180℃之輥壓而將磁性層層合至事先製備的金屬層(鋁箔，厚度70 μm)上。
將附著至前文製造之封裝層一側的經脫離處理之PET剝離，並以捲軸式方法(roll-to-roll process)於75℃下將該封裝層層合至該經層合的磁性層，以製造其中依序層合金屬層、磁性層及封裝層之封裝膜。
經由木材裁切機以切刀將所製造之封裝膜切成正方形薄片形狀，以製造用於封裝有機電子元件的膜。
實施例2
以與實施例1相同方法製造封裝膜，除了在磁性層之製造中，作為磁性粒子之Fe粒子(粒徑為約1至10 μm，薄片型)及作為亮點抑制劑之Ni粒子(粒徑為約300 nm)係以9：1之重量比混合，以及作為黏合劑樹脂之丙烯酸系樹脂係以90：10(磁性粒子+亮點抑制劑：黏合劑樹脂)之重量比與磁性粒子和亮點抑制劑混合，以製備經甲苯稀釋的溶液(固體含量50%)，然後形成磁性層。
實施例3
以與實施例2相同方法製造封裝膜，除了磁性粒子及亮點抑制劑係以6：4之重量比混合。
實驗實例1 - 有機電子裝置封裝之評估
將有機電子元件沉積於玻璃基材上之後，使用真空層合機於50℃、真空度50 mtorr及0.4 MPa之條件下，將實施例中所製造的各封裝膜層合至該元件上，以製造有機電子面板。
將前文製造之面板置於85℃及85%之固定溫度及濕度室中，並貯存之。於1000小時之後，將其取出並開啟以檢查是否產生亮點或元件是否收縮。當未發生亮點及元件收縮時，其係分級為◎，當發生非常少的亮點及元件收縮時，分級為O，以及當發生亮點缺陷且發生元件收縮時，分級為X。
實驗實例2 - 吸附能之計算
實施例中所使用之亮點抑制劑對於排氣的吸附能係經由根據密度泛函理論之電子結構計算來計算。於其中具有結晶結構之亮點抑制劑的最緊密填充表面係曝露於表面然後進行結構最佳化來製造二維板坯結構，以及對於造成亮點的分子係吸附於該真空狀態之表面上的結構進行結構最佳化之後，將造成亮點的分子之總能從這兩個系統之總能差扣除所獲得的值係定義為吸附能。就關於各系統之總能計算而言，使用作為GGA(廣義梯度近似，generalized gradient approximation))級數之函數的經修訂PBE函數係用作交換-相關(exchange-correlation)以模擬電子與電子之間的相互作用，所使用之電子動能截止為500eV，且只包括及計算對應於倒易空間之原點的γ點。共軛梯度法係用以最佳化各系統之原子結構，且進行迭代計算直到原子間力為0.01 eV/Å或更低。經由作為市售程式之VASP進行一系列計算。
[表1]
10‧‧‧封裝膜
11‧‧‧封裝層
12‧‧‧磁性層
13‧‧‧金屬層
21‧‧‧基材
22‧‧‧有機電子元件
圖1為顯示根據本申請案之一個實施例的封裝膜之橫斷面圖。
圖2為顯示根據本申請案之一個實施例的有機電子裝置之橫斷面圖。

Claims (21)

  1. 一種有機電子元件封裝膜，其包含：含有濕氣吸附劑之封裝層；形成於該封裝層上且含有磁性粒子之磁性層；以及形成於該磁性層上且具有50至800W/m·K之熱傳導率的金屬層。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其進一步包含樹脂層，其中該樹脂層係形成於該磁性層與該金屬層之間或於該封裝層與該磁性層之間。
  3. 如申請專利範圍第2項之有機電子元件封裝膜，其中該樹脂層包含濕氣吸附劑。
  4. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其進一步包含形成於該金屬層上之保護層。
  5. 如申請專利範圍第4項之有機電子元件封裝膜，其進一步包含形成於該金屬層與該保護層之間的黏著劑層。
  6. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該金屬層具有在3 μm至200 μm之範圍的厚度。
  7. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該金屬層包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物(metal oxyboride)、及其調配物中之任一者。
  8. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該金屬層包含鐵、鉻、鋁、銅、鎳、氧化鐵、氧化鉻、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、及其調配物中之任一者。
  9. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該磁性層包含黏合劑樹脂。
  10. 如申請專利範圍第9項之有機電子元件封裝膜，其中該黏合劑樹脂之含量，相對於100重量份之該磁性粒子，為5重量份至30重量份。
  11. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該磁性粒子包含Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物。
  12. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該磁性層具有在5 μm至200 μm之範圍的厚度。
  13. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該封裝層係由單一層或二或更多層形成。
  14. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該封裝層包含封裝樹脂。
  15. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該濕氣吸附劑為化學反應性吸附劑。
  16. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中該封裝層密封形成於基材上之有機電子元件的頂側。
  17. 如申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其進一步包含具有以密度泛函理論計算為0eV或更低之排氣吸附能的亮點抑制劑。
  18. 如申請專利範圍第17項之有機電子元件封裝膜，其中該封裝層包含與有機電子元件接觸之第一層以及不與該有機電子元件接觸之第二層，且該亮點抑制劑係包含在該第二層或該磁性層中。
  19. 如申請專利範圍第17項之有機電子元件封裝膜，其中該亮點抑制劑具有在10 nm至30 μm之範圍的粒徑。
  20. 一種有機電子裝置，其包含基材；形成於該基材上之有機電子元件；以及用於封裝該有機電子元件之如申請專利範圍第1項之封裝膜。
  21. 一種製造有機電子裝置之方法，其包含將如申請專利範圍第1項之封裝膜施加至上面形成有機電子元件之基材，以覆蓋該有機電子元件。
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