JP2010212171A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低消費電力プラズマディスプレイパネルを実現する。
【解決手段】保護層９は下地膜９１と下地膜９１上に付着させたＭｇＯの結晶粒子９２ａが複数個凝集したＭｇＯ凝集粒子９２とを備え、下地膜９１をＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により、下地膜面のＸ線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するように形成し、かつ下地膜９１を形成した後、下地膜９１面に水または水酸化物の水被膜を形成し、その後、下地膜９１上にＭｇＯ凝集粒子９２を付着させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰもしくはパネルと呼ぶ）は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、１００インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、ＰＤＰにおいては、従来のＮＴＳＣ方式に比べて走査線数が２倍以上の高精細テレビへの適用が進められており、エネルギー問題に対応してさらなる消費電力低減への取り組みや、環境問題に配慮した鉛成分を含まないＰＤＰへの要求なども高まっている。

ＰＤＰは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法により製造された硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層とで構成されている。

一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。

前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）の放電ガスが５．３×１０４Ｐａ〜８．０×１０４Ｐａの圧力で封入されている。ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。

また、このようなＰＤＰの駆動方法としては、書込みをしやすい状態に壁電荷を調整する初期化期間と、入力画像信号に応じて書込み放電を行う書込み期間と、書込みが行われた放電空間で維持放電を生じさせることによって表示を行う維持期間を有する駆動方法が一般的に用いられている。これらの各期間を組み合わせた期間（サブフィールド）が、画像の１コマに相当する期間（１フィールド）内で複数回繰り返されることによってＰＤＰの階調表示を行っている。

このようなＰＤＰにおいて、前面板の誘電体層上に形成される保護層の役割としては、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することなどがあげられる。イオン衝撃から誘電体層を保護することは、放電電圧の上昇を防ぐ重要な役割であり、またアドレス放電を発生させるための初期電子を放出することは、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐ重要な役割である。

保護層からの初期電子の放出数を増加させて画像のちらつきを低減するために、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成された保護層に不純物を添加する例や、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粒子を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）薄膜で構成する下地膜上に形成した例が開示されている（例えば、特許文献１、２、３、４、５など参照）。
特開２００２−２６０５３５号公報 特開平１１−３３９６６５号公報 特開２００６−５９７７９号公報 特開平８−２３６０２８号公報 特開平１０−３３４８０９号公報

近年、テレビは高精細化が進んでおり、市場では低コスト・低消費電力・高輝度のフルＨＤ（ハイ・ディフィニション）（１９２０×１０８０画素：プログレッシブ表示）ＰＤＰが要求されている。保護層からの電子放出特性はＰＤＰの画質を決定するため、電子放出特性を制御することが非常に重要である。

すなわち、高精細化された画像を表示するためには、１フィールドの時間が一定にもかかわらず書込みを行う画素の数が増えるため、サブフィールド中の書込み期間において、アドレス電極へ印加するパルスの幅を狭くする必要が生じる。しかしながら、電圧パルスの立ち上がりから放電空間内で放電が発生するまでには「放電遅れ」と呼ばれるタイムラグの存在がある。そのため、パルスの幅が狭くなれば書込み期間内で放電が終了できる確率が低くなってしまう。その結果、点灯不良が生じ、ちらつきといった画質性能の低下という問題も生じてしまう。

また、消費電力低減のために放電による発光効率を向上させることを目的として、蛍光体の発光に寄与する放電ガスの一成分であるキセノン（Ｘｅ）の放電ガス全体における含有率をあげると、やはり放電電圧が高くなるとともに、「放電遅れ」が大きくなって点灯不良などの画質低下が発生するという問題が生じてしまう。

このようにＰＤＰの高精細化や低消費電力化を進めるにあたっては、放電電圧が高くならないようにすることと、さらに、点灯不良を低減して画質を向上させることを、同時に実現させなければならないという課題があった。

保護層に不純物を混在させることで電子放出特性を改善しようとする試みが行われている。しかしながら、保護層に不純物を混在させて電子放出特性を改善した場合には、保護層表面に電荷を蓄積させてメモリー機能として使用しようとする際に、電荷が時間とともに減少する減衰率が大きくなってしまうため、これを抑えるために印加電圧を大きくする必要があるなどの対策が必要になる。

一方、ＰＤＰのさらなる発光効率向上のために、保護層を構成する下地膜に二次電子放出係数が大きい酸化カルシウム（以下、ＣａＯと記す）、酸化ストロンチウム（以下、ＳｒＯと記す）、酸化バリウム（以下、ＢａＯと記す）と、酸化マグネシウム（以下、ＭｇＯと記す）との混成膜を用いることが検討されている。

特許文献１および２では、下地膜にＭｇＯを用いた時の製造方法は開示されているが、表面活性の高いＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを下地膜に含んだ時の課題については、検討されていない。ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは大気に含まれる二酸化炭素と反応して、その表面が容易に変質層を形成し、二次電子放出能力が減少するといった課題を有している。

従来は、このような変質層を加熱処理などによって除去して表面を清浄化していた。しかしながら、下地膜にＭｇＯ粒子を形成した保護層の場合には、下地膜の変質層を除去する過程でＭｇＯ粒子が剥がれやすくなるなどの課題を有していた。

本発明は、このような課題を解決して、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを含む下地膜上にＭｇＯ粒子を密着性良く付着させることができ、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐことが可能なＰＤＰの製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともに誘電体層上に保護層を形成した第１基板と、第１基板に放電ガスが充填された放電空間を形成するように対向配置され、かつ表示電極と交差する方向にアドレス電極を形成するとともに放電空間を区画する隔壁を設けた第２基板とを有するＰＤＰの製造方法であって、第１基板の保護層は下地膜と下地膜上に付着させたＭｇＯの結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子とを備え、下地膜をＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により、下地膜面のＸ線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するように形成し、かつ下地膜を形成した後、下地膜面に水または水酸化物の被膜を形成し、その後、下地膜上に酸化マグネシウムの結晶粒子が複数個凝集したＭｇＯ凝集粒子を付着させている。

このような方法によれば、表面活性の高いＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを含む下地膜面への二酸化炭素の吸着を抑制して変質層の形成を防止し、さらに、下地膜上へＭｇＯ凝集粒子を密着性良く付着させることができる。その結果、保護層における二次電子放出特性を向上させて放電開始電圧を低減し、さらに、放電遅れを低減して表示性能に優れたＰＤＰを実現することができる。

さらに、下地膜を形成した後に下地膜面を清浄化し、その後、連続して下地膜面に水または水酸化物の膜を形成することが望ましい。このような方法によれば、下地膜を形成した後の保管中などに、大気に含まれる二酸化炭素（ＣＯ_２）などが下地膜面へ吸着し下地膜が変質しても、表面を清浄化した後でＭｇＯ凝集粒子を付着させることができる。その結果、ＭｇＯ凝集粒子付着後には変質層の除去工程が不要となり、ＭｇＯ凝集粒子を下地膜に密着性良く付着させることができる。したがって、放電遅れを低減して表示性能に優れたＰＤＰを実現することができる。

さらに、下地膜を、真空中または窒素ガスを含む雰囲気中で焼成して下地膜面を清浄化することが望ましい。このような方法によれば、簡単な方法で下地膜面を正常化することができる。

以上のように、本発明によれば、保護層における二次電子放出特性を向上させて放電開始電圧を低減し、さらに、放電遅れを低減して表示性能に優れたＰＤＰを実現することができる。

以下、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について図面を用いて説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法を用いて作製したＰＤＰの構造を示す斜視図である。ＰＤＰの基本構造は、一般的な交流面放電型ＰＤＰと同様である。図１に示すように、ＰＤＰ１は前面ガラス基板３などよりなる前面板２と、背面ガラス基板１１などよりなる背面板１０とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、キセノン（Ｘｅ）とネオン（Ｎｅ）などの放電ガスが５．３×１０４Ｐａ〜８．０×１０４Ｐａの圧力で封入されている。

前面板２の前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極６とブラックストライプ（遮光層）７が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板３上には表示電極６と遮光層７とを覆うように、電荷を保持してコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成され、さらにその上に保護層９が形成されている。

また、背面板１０の背面ガラス基板１１上には、前面板２の走査電極４および維持電極５と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極１２が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層１３が被覆している。さらに、アドレス電極１２間の下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。隔壁１４間の溝ごとに、紫外線によって赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する蛍光体層１５が順次塗布して形成されている。走査電極４および維持電極５とアドレス電極１２とが交差する位置に放電セルが形成され、表示電極６方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層１５を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。

図２は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を用いて作製したＰＤＰ１の前面板２の構成を示す断面図であり、図２は図１と上下反転させて示している。図２に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板３上に、走査電極４と維持電極５よりなる表示電極６と遮光層７がパターン形成されている。走査電極４と維持電極５はそれぞれインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＳｎＯ_２）などからなる透明電極４ａ、５ａと、透明電極４ａ、５ａ上に形成された金属バス電極４ｂ、５ｂとにより構成されている。金属バス電極４ｂ、５ｂは透明電極４ａ、５ａの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀（Ａｇ）材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。

誘電体層８は、前面ガラス基板３上に形成されたこれらの透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂと遮光層７を覆って設けた第１誘電体層８１と、第１誘電体層８１上に形成された第２誘電体層８２の少なくとも２層構成とし、さらに第２誘電体層８２上に保護層９が形成されている。

保護層９は、誘電体層８に形成した下地膜９１と、下地膜９１上にＭｇＯ結晶粒子９２ａを複数個凝集させたＭｇＯ凝集粒子９２とにより構成している。下地膜９１は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成されている。

次に、本発明の特徴である下地膜９１の形成工程から、前面板２と背面板１０とを封着し放電ガスを導入するパネル組立工程までの詳細について説明する。

図３は、本発明の実施の形態１におけるＰＤＰ１の製造方法を示すフローチャートであり、誘電体層８までが形成された前面ガラス基板３に、保護層９と水または水酸化物の水被膜２１を形成する工程よりなる下地膜形成工程と、下地膜９１上にＭｇＯ凝集粒子９２を形成するＭｇＯ凝集粒子形成工程と、前面板２と背面板１０とを対向配置して組み立てるパネル組立工程とを示している。

まず、下地膜形成工程の詳細について述べる。図４は、本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法において、下地膜９１と水被膜２１とを形成するための下地膜形成装置３００の構成を示す図である。下地膜形成装置３００は基板投入室３０、基板の予備加熱室３１ 、真空蒸着室となる成膜室３２、基板冷却室３３、水被膜形成室３４、基板取出室３５より構成されている。

基板投入室３０には、表示電極６と誘電体層８が形成された前面ガラス基板３が誘電体層８を下面にして、ＰＤＰ１の表示領域に相当する領域が開口した基板トレイ３６に載せられた状態で搬入される。予備加熱室３１には、ヒーター（図示せず）が備えられ、搬送された前面ガラス基板３を基板トレイ３６ごと予備加熱する。成膜室３２の下部の蒸着ハース３２１内には、ＣａＯ、およびＭｇＯのペレットが蒸着材料３２０として、それぞれ所定の組成比で設置されている。

また、成膜室３２には、電子ビーム３２２を発生させるための電子銃３２３、成膜室３２内部を高真空に排気するための真空ポンプ３２４、成膜中の各種のガス成分を測定するためのガス分析手段である四重極質量分析器などの質量分析計３２５、酸素ガスを導入するためのガス導入口３２６および成膜室３２内の圧力を測定する圧力計３２７などが備えられている。基板冷却室３３には、内部を減圧状態に保つ真空ポンプ（図示せず）が設けられている。

また、水被膜形成室３４には、内部を真空に減圧する真空ポンプ３４０、および水分を含む窒素ガスを導入する加湿ガス導入口３４１が設けられている。基板取出室３５には、下地膜９１上に水または水酸化物の水被膜２１が形成された前面ガラス基板３を取り出すための機構（図示せず）が設けられている。

図５は本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法によって下地膜９１に水被膜２１を形成する工程における前面板２の状態を示す断面図である。図５（ａ）は下地膜９１形成後の状態、図５（ｂ）は下地膜９１表面に水分子２０が吸着する状態、図５（ｃ）は下地膜９１表面に水被膜２１が形成された状態を示す。なお理解を容易にするために、下地膜９１、水分子２０、水または水酸化物の水被膜２１の断面縦方向を拡大して記載している。

次に、本発明の実施の形態１として、下地膜９１としてＣａＯとＭｇＯの金属酸化物よりなる下地膜９１を形成し、その上に、水または水酸化物の水被膜２１を形成する下地膜形成工程の詳細を、図３、図４および図５を参照しながら説明する。

まず、図３に示す下地膜９１を真空蒸着法によって形成する下地膜蒸着ステップ（ＳＴ１１）について説明する。図４に示すように、表示電極６および誘電体層８までが形成された前面ガラス基板３を、基板トレイ３６に載せて基板投入室３０に投入する。次に予備加熱室３１に搬送し、そこで真空に排気しながら前面ガラス基板３を加熱ヒータによって約２８０℃に加熱する。その後、成膜室３２内に矢印Ａのように搬送する。成膜室３２内は真空ポンプ３２４によって圧力が１０^−４Ｐａ程度まで減圧された後に、ガス導入口３２６から酸素ガスを供給し、酸素ガスの分圧が３×１０^−２Ｐａ程度になるように制御する。続いて、酸素ガスの分圧および前面ガラス基板３の温度を調節しながら、電子銃３２３から蒸着材料３２０であるＣａＯ、およびＭｇＯのペレットに向けて電子ビーム３２２を照射し、ＣａＯおよびＭｇＯを蒸発させる。ＣａＯおよびＭｇＯの蒸気流が、シャッター３２８上を一定の速度で搬送される前面ガラス基板３上に堆積して下地膜９１が形成される。

また、このとき、成膜速度は蒸着材料３２０に照射される電子ビーム３２２のパワー、成膜室３２圧力などの複数のパラメータで決定され、これらを調整することにより図５（ａ）に示すように前面ガラス基板３上に膜厚８００ｎｍのＣａＯとＭｇＯからなる下地膜９１が形成される（ＳＴ１１）。

なお、上記では、ＣａＯとＭｇＯの酸化物よりなる金属酸化物としての下地膜９１を形成する場合について述べた。しかしながら、蒸着ハース３２１に設置する蒸着材料３２０の種類および体積比を変更することで、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる組成比の異なる金属酸化物よりなる下地膜９１を形成することが可能である。

本発明の実施の形態１においては、図２に示すように、保護層９は、誘電体層８に形成した下地膜９１と、下地膜９１上に付着させたＭｇＯ結晶粒子９２ａが複数個凝集したＭｇＯ凝集粒子９２とにより構成されている。また、下地膜９１を、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成し、金属酸化物は下地膜９１面のＸ線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。

図６は、本発明の実施の形態１におけるＰＤＰ１の保護層９を構成する下地膜９１面におけるＸ線回折結果を、下地膜９１を構成する単体成分が２成分の場合について示している。また、図６中には、ＭｇＯ単体、ＣａＯ単体、ＳｒＯ単体、およびＢａＯ単体のＸ線回折分析の結果も示す。

図６において、横軸はブラッグの回折角（２θ）であり、縦軸はＸ線回折波の強度である。回折角の単位は１周を３６０度とする度で示し、強度は任意単位（ａｒｂｉｔｒａｒｙ ｕｎｉｔ）で示している。図中には特定方位面である結晶方位面を括弧付けで示している。図６に示すように、結晶方位面の（１１１）では、ＣａＯ単体では回折角３２．２度、ＭｇＯ単体では回折角３６．９度、ＣａＯ単体では回折角３０．０度、ＢａＯ単体では回折角２７．９度にピークを有していることがわかる。

すなわち、図６に示すように、ＭｇＯとＣａＯの単体を用いて形成した下地膜９１のＸ線回折結果をＡ点、ＭｇＯとＳｒＯの単体を用いて形成した下地膜９１のＸ線回折結果をＢ点、さらに、ＭｇＯとＢａＯの単体を用いて形成した下地膜９１のＸ線回折結果をＣ点で示している。Ａ点は特定方位面としての結晶方位面の（１１１）において、単体の酸化物の最大回折角となるＭｇＯ単体の回折角３６．９度と、最小回折角となるＣａＯ単体の回折角３２．２度との間である回折角３６．１度にピークが存在している。同様に、Ｂ点、Ｃ点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の３５．７度、３５．４度にピークが存在している。

また、図７には、図６と同様に、下地膜９１を構成する単体成分が３成分以上の場合のＸ線回折結果を示している。すなわち、図７には、単体成分としてＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯを用いた場合の結果をＤ点、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＢａＯを用いた場合の結果をＥ点、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯを用いた場合の結果をＦ点で示している。

すなわち、Ｄ点は特定方位面としての結晶方位面の（１１１）において、単体の酸化物の最大回折角となるＭｇＯ単体の回折角３６．９度と、最小回折角となるＳｒＯ単体の回折角３０．０度との間である回折角３３．４度にピークが存在している。同様に、Ｅ点、Ｆ点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の３２．８度、３０．２度にピークが存在している。

したがって、本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法による下地膜９１は、単体成分として２成分であれ、３成分であれ、下地膜９１を構成する金属酸化物の下地膜９１面のＸ線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生するピークの最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。

なお、上記の説明では特定方位面としての結晶方位面として（１１１）を対象として説明したが、他の結晶方位面を対象とした場合も金属酸化物のピークの位置が上記と同様である。

ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの真空準位からの深さはＭｇＯと比較して浅い領域に存在する。そのため、ＰＤＰ１を駆動する場合において、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのエネルギー準位に存在する電子がキセノン（Ｘｅ）イオンの基底状態に遷移する際に、オージェ効果により放出される電子数が、ＭｇＯのエネルギー準位から遷移する場合と比較して多くなると考えられる。したがって、下地膜９１のエネルギー準位も単体の酸化物の間に存在し、オージェ効果により他の電子が獲得するエネルギー量が真空準位を超えて放出されるに十分な量とすることができる。

その結果、下地膜９１では、ＭｇＯ単体と比較して、良好な二次電子放出特性を発揮することができ、結果として、放電維持電圧を低減することができる。そのため、特に輝度を高めるために放電ガスとしてのキセノン（Ｘｅ）分圧を高めた場合に、放電電圧を低減し、低電圧でなおかつ高輝度のＰＤＰを実現することが可能となる。

このようにして、下地膜９１が形成された前面ガラス基板３は、基板トレイ３６とともに基板冷却室３３に搬送され、真空中で例えば室温まで冷却される。

次に、水または水酸化物の水被膜２１を形成する水被膜形成ステップ（ＳＴ１２）について詳細に説明する。水被膜形成室３４内は真空ポンプ３４０によって１×１０^−２Ｐａ程度まで減圧排気される（ＳＴ１２１）。その後、基板冷却室３３との間のゲート（図示せず）が開かれ、基板トレイ３６に載せられた前面ガラス基板３が水被膜形成室３４まで搬送される。

水被膜形成室３４では、基板冷却室３３との間のゲート（図示せず）を閉じた後に、真空ポンプ３４０と水被膜形成室３４との間のバルブ（図示せず）を閉じる。その後、加湿ガス導入口３４１から、２５℃の純水中をバブリングすることで露点温度が、例えば１５℃になるまで水分を含ませた２５℃の窒素（Ｎ_２）ガスを、例えば流量５ＳＬＭで水被膜形成室３４内に導入し、水被膜形成室３４の内圧を０．１ＭＰａ程度まで増圧させる（ＳＴ１２２）。その後、前面ガラス基板３を例えば５分間程度、水被膜形成室３４内で保持する。その結果、図５（ｂ）に示すように、下地膜９１表面へ、窒素ガス（Ｎ_２）中に含まれる水分子２０の吸着が始まり（ＳＴ１２３）、図５（ｃ）に示すように下地膜９１全体を覆うように水分子２０が液相化して水または水酸化物の水被膜２１が形成される（ＳＴ１２４）。これらの工程を経て、下地膜９１上への水または水酸化物の水被膜２１の形成工程が完了する。

次に、水被膜２１が形成された前面ガラス基板３は、基板取出室３５に搬送されて取り出され（ＳＴ１３）、次のＭｇＯ凝集粒子形成工程に移送される。

図８は、本発明の実施の形態１におけるＰＤＰ１の製造方法におけるＭｇＯ凝集粒子形成装置５００の構成図である。ＭｇＯ凝集粒子形成装置５００はＭｇＯ凝集粒子９２を含んだ溶液の塗布装置５０、乾燥装置５１および塗布装置５０から乾燥装置５１へ前面ガラス基板３を搬送するコンベアローラー５２により構成される。

また、図９はＭｇＯ凝集粒子９２を塗布付着させた状態を示す前面板２の断面図であり、図９（ａ）はＭｇＯ凝集粒子９２を含む溶液を塗布した状態を示す図、図９（ｂ）は塗布後に希釈溶剤９３を真空乾燥し除去した状態を示す図である。

塗布装置５０は前面ガラス基板３を設置するテーブル５０１、スリットダイヘッド５０２からなる。塗布溶液としては、平均粒子径が１．２μｍのＭｇＯ凝集粒子９２を０．２体積％となるように希釈溶剤９３中に分散させた溶液を準備した。ここで希釈溶剤９３としては３メチルー３メトキシブタノール９５体積％、α−ターピネオール５体積％を使用し、粘度は１０ｃｐに調整した。

テーブル５０１上に設置された前面ガラス基板３は、テーブル５０１上に真空チャックされ、固定される。レーザー変位計（図示せず）によりスリットダイヘッド５０２と前面ガラス基板３間の距離（ギャップ）ｈを測定し、その距離が１００μｍになるように、スリットダイヘッド５０２の高さを調節しつつ、５０ｍｍ／ｓの等速度で矢印Ｂの方向へ移動させる。溶液タンク（図示せず）から送液ポンプ（図示せず）によってスリットダイヘッド５０２に送られたＭｇＯ凝集粒子９２を含む塗布溶液が、膜厚１５μｍで前面ガラス基板３の下地膜９１上に均一に塗布される（ＳＴ２１）。ここで下地膜９１上に形成された水被膜２１のため、塗布溶液の濡れ性が向上し疎密なく溶液を塗布することができる。その結果、図９（ａ）に示すように、ＭｇＯ凝集粒子９２が希釈溶剤９３中に分散した塗膜が下地膜９１上に形成される。当然ながら、時間とともにＭｇＯ凝集粒子９２は沈降し、水被膜２１が形成された下地膜９１上に付着する。

次に、前面ガラス基板３はコンベアローラー５２によって、乾燥装置５１へ移送される。乾燥装置５１は真空チャンバー５１１、ヒータブロック５１２、テーブル５１３、真空ポンプ５１４、圧力計５１５から構成される。

乾燥装置５１では、大気圧に調整された真空チャンバー５１１内の、ヒータブロック５１２により予め所定の温度に保持されたテーブル５１３上に前面ガラス基板３を設置する。その後、真空ポンプ５１４により、真空チャンバー５１１内部を所定の圧力まで排気し、希釈溶剤９３を乾燥除去する（ＳＴ２２）。

なお、この溶剤乾燥除去工程（ＳＴ２２）では、希釈溶剤９３のみを乾燥・脱離させ、水または水酸化物の水被膜２１は残留させるようにしている。本発明の実施の形態では、真空チャンバー５１１の温度が０℃〜１００℃、圧力が０．１Ｐａ〜１０Ｐａ、処理時間が５分の条件では、下地膜９１から希釈溶剤９３のみを除去することができることを確認している。この溶剤乾燥除去工程の終了後には、図９（ｂ）に示すように、希釈溶剤９３は除去されて、下地膜９１上に形成した水または水酸化物の水被膜２１は残留し、さらに、ＭｇＯ凝集粒子９２が水被膜２１に付着した状態となる。この状態では、ＭｇＯ凝集粒子９２は下地膜９１との面積比で５〜１０％の被覆率になっている。

なお、このような乾燥除去条件は、使用する希釈溶剤の種類や塗布溶液の塗膜の膜厚などによっても変動するため、適宜変更し得る。

この状態では、下地膜９１上に形成した水または水酸化物の水被膜２１によって下地膜９１を構成する金属酸化物が保護されている。そのため、下地膜９１と希釈溶剤９３とが直接接触することはなく、下地膜９１の金属酸化物に悪影響を及ぼすことがない。

次に、この状態の前面ガラス基板３を乾燥装置５１から取り出し（ＳＴ２３）、次の、パネル組立工程に移行する 。図３、図１０を参照しながら、パネル組立工程について説明する。
なお、下地膜９１上に形成した水または水酸化物の水被膜２１がパネル内に残留すると、放電電圧を変動させ、下地膜９１の耐スパッタ性能を劣化させるなどの不具合が生じる。そこで、水被膜２１をこのパネル組立工程中で放電ガスを封入する前に除去する必要がある。

図１０は、本発明の実施の形態１におけるパネル組立工程の封着装置７００を示す図である。封着装置７００では、前面板２と背面板１０とを封着し、排気、放電ガス導入を行う。封着炉７０は、ヒータブロック７１および温度調整機構（図示せず）から構成され、前面板２および背面板１０の加熱温度を調整する。炉内排気装置７２は、排気ポンプ（図示せず）と圧力計（図示せず）から構成され、封着炉７０の内部を排気する。パネル内排気装置７３は排気ポンプ（図示せず）と圧力計（図示せず）から構成され、前面板２と背面板１０との間の放電空間１６を排気する。放電ガス導入装置７４は、放電ガスとしてネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスのガスボンベ（図示せず）と圧力計（図示せず）から構成され、放電空間１６に放電ガスを導入するものである。なお、切換バルブ７５によって排気ライン、およびガス導入ラインのライン切換えを行う。

また、図１１は、パネル組立工程でのＰＤＰ１の状態を示す断面図である。図１１（ａ）には、前面板２と背面板１０とを対向配置して、下地膜９１上に水被膜２１が残留している状態を示し、図１１（ｂ）には、水被膜２１が除去されてＰＤＰ１の組み立てが完成した状態を示す。

図３、図１０に示すように、下地膜９１上に水被膜２１が形成された前面板２と背面板１０とは、大気圧下においてアライメント装置（図示せず）によって適正な位置にアライメント（位置決め）される（ＳＴ３１）。このとき、基板周辺部に設けられた封着材であるシール部材１７を挟んで対向配置され、例えばクリップなどで仮固定されて封着炉７０内にパネル設置される（ＳＴ３２）。背面板１０には、排気孔１８を通じて放電空間１６と導通できる、例えばガラス材料からなる排気管１９が配置されている。排気管１９は、パネル内排気装置７３および放電ガス導入装置７４に接続されている。シール部材１７としては、例えば軟化点温度が３８０℃の低融点ガラスを用いている。このパネル設置ステップ（ＳＴ３２）の状態では、図１１（ａ）に示すように、前面板２の下地膜９１上には、水被膜２１とＭｇＯ凝集粒子９２が形成されている。

次に、封着炉７０の内部を炉内排気装置７２によって１×１０^−２Ｐａ程度まで減圧排気する炉内排気ステップ（ＳＴ３３）に入る。このとき、背面板１０と前面板２とは未だ封着がなされていないため、パネル内部と封着炉７０内は同一圧力となる。

炉内排気装置７２により排気を継続したまま、パネル温度がシール部材１７の軟化点温度３８０℃以下で、水被膜２１の脱離に必要な、例えば３３０℃程度になるまでヒータブロック７１を昇温させ、その温度で１０分間保持する水被膜除去ステップ（ＳＴ３４）に入る。この水被膜除去ステップ（ＳＴ３４）により、下地膜９１上に形成された水被膜２１が、Ｈ_２Ｏ分子として下地膜９１の表面から脱離してパネル外へ排気される。したがって、この水被膜除去ステップ（ＳＴ３４）の後には、図１１（ｂ）に示すように、前面板２の下地膜９１面には、ＭｇＯ凝集粒子９２のみが露出している。

次に、排気を継続したまま、パネルがシール部材１７の軟化点温度３８０℃を超える温度、例えば４２０℃程度になるまでヒータブロック７１を昇温し、その温度で１０分間程度保持する。この工程によって、シール部材１７を十分に溶融させ、次に、シール部材１７の軟化点温度以下の例えば３００℃まで降温させることによって、前面板２と背面板１０とを封着する封着・排気ステップ（ＳＴ３５）を行う。

さらに、パネル内排気装置７３によって１×１０^−４Ｐａ程度となるまで排気を継続した後、切換バルブ７５によってラインをガス導入ライン側に切換え、放電ガス導入装置７４によって放電空間１６に放電ガスを導入する放電ガス導入ステップ（ＳＴ３６）を行う。放電ガスとしては、例えばネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスを圧力６６．５ｋＰａで導入して排気管１９を封止し、封着装置７００からパネルを取り出す（ＳＴ３７）。

以上の工程によって、前面板２と背面板１０を貼り合わせた、パネル組立工程が完了しＰＤＰ１が完成する。
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２におけるＰＤＰの製造方法について説明する。本発明の実施の形態２においては、ＰＤＰの構造および構成要素は実施の形態１と同様であるためその詳細な説明については省略する。

図１２は、本発明の実施の形態２におけるＰＤＰの製造方法における製造工程フローチャートであり、図３に示す実施の形態１と異なるのは、下地膜形成工程に下地膜面を清浄化する変質層除去ステップ（ＳＴ１４）を付加したことである。

すなわち、本発明の実施の形態２におけるＰＤＰの製造方法の製造工程フローチャートにおいては、変質層除去ステップ（ＳＴ１４）以外の工程は実施の形態１と同様であるので、説明は変質層除去ステップ（ＳＴ１４）を主に説明する。

図１３は、本発明の実施の形態２におけるＰＤＰの製造方法に用いた変質層除去装置８００の構成を示す図である。変質層除去装置８００では、下地膜９１面を清浄化するための変質層除去と、下地膜９１面に水被膜２１を形成するための水被膜形成とを行う。なお、図４に示す実施の形態１では、水被膜形成室を成膜室３２、基板冷却室３３に連続して設けているが、本発明の実施の形態２では、下地膜９１を形成した前面ガラス基板３を成膜室３２から取り出した場合について説明する。すなわち、下地膜９１を成膜後に、所定環境で保管した状態の前面ガラス基板３の下地膜９１面に形成された変質層を除去するようにしている。

したがって、図１３に示すように、変質層除去装置８００は次のように構成されている。すなわち、基板投入室１００、基板の予備加熱室１１０、変質層除去室１２０、基板冷却室１３０、水被膜形成室１４０、基板取出室１５０により構成されている。
基板搬入室１００には、下地膜９１形成済みの前面ガラス基板３が下地膜９１を上面にして、結晶化ガラスのセッター１６０に載せられて搬入され、各室に設けられたセッター１６０搬送用のローラー１７０によって装置内を搬送される。予備加熱室１１０には、ヒーター（図示せず）が備えられ、搬送された前面ガラス基板３を予備加熱する。

変質層除去室１２０には、内部を高真空に排気するための真空ポンプ１２１、各種のガス成分を測定するためのガス分析手段である四重極質量分析器などの質量分析計１２２、圧力計１２３などが備えられている。

前面ガラス基板３に真空蒸着などの一般的な方法で形成された下地膜９１の表面には、大気中における搬送、保管などにより、大気中の炭酸ガスおよび水分が下地膜９１の表面に吸着・反応して変質層が形成されている。特に、本願発明では下地膜９１を、ＭｇＯと表面活性の高いＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯなどの酸化物からなる金属酸化物で形成している。ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは大気に含まれる二酸化炭素などと反応して、その表面に容易に変質層を形成し、その結果、保護層９の二次電子放出能力を低下させる。

例えば、ＭｇＯとＣａＯの酸化物により形成された下地膜９１面には、大気中の二酸化炭素と反応して、炭酸化物（ＣａＣＯ_３、ＭｇＣＯ_３）と水酸化物（Ｃａ（ＯＨ）_２、Ｍｇ（ＯＨ）_２）および水和物の複合酸化物などの変質層が生成される。

図１３に示すように、基板投入室１００に、前面ガラス基板３を１６０に載せて投入する。次に予備加熱室１１０にローラー搬送し、そこで真空に排気しながら前面ガラス基板３を加熱ヒータ（図示せず）によって２８０℃程度に加熱される、前面ガラス基板３はセッター１６０に載ったまま真空ポンプ１２１によって１×１０^−４Ｐａ程度まで減圧された変質層除去室１２０内に搬送される。変質層除去室１２０に搬送された前面ガラス基板３が、加熱ヒータ（図示せず）によって５００℃程度まで昇温され、そのまま約１０分間保持される。

変質層除去室１２０における変質層除去ステップ（ＳＴ１４）によって、下地膜９１の表面に生成した炭酸化物および水酸化物の炭酸基および水酸基は、ＣＯ_２およびＨ_２Ｏとして下地膜９１の表面から脱離、除去され、下地膜９１の表面が清浄化される。

下地膜９１の表面から変質層が除去された、いわゆる清浄化が終了した前面ガラス基板３は１６０に載せられたまま基板冷却室１３０に搬送され、真空中で室温まで冷却される。

次に、水被膜形成室１４０に搬送され、実施の形態１と同様な方法で水被膜形成ステップ（ＳＴ１２）において、加湿ガス導入口１４２から加湿ガスを導入して、水または水酸化物の水被膜２１を下地膜９１面に形成するようにする。その後、図３に示す実施の形態１と同様に、ＭｇＯ凝集粒子形成工程およびパネル組立工程を経て、ＰＤＰ１が完成される。

次に、本発明の実施の形態１および実施の形態２の製造方法でＰＤＰを試作し、それらの性能評価を行った結果について述べる。
（性能評価実験）
性能評価は、ＰＤＰの書込み放電時の「放電遅れ」のために、ちらつきが発生する走査パルス印加時間で評価した。ここで「放電遅れ」とは、走査パルスの立ち上がりから遅れて発生する放電の遅れ時間を意味し、「放電遅れ」は、放電が発生する際にトリガーとなる下地膜９１およびＭｇＯ凝集粒子９２から放出される初期電子の放出量によって変動することが主要因として考えられる。

図１４は、ＰＤＰの性能評価に用いた電圧波形図である。図１４に示す駆動波形を走査電極４、維持電極５、アドレス電極１２の各端子に印加した状態で、走査パルス印加時間（走査パルス幅）を１．５μｓから０．１μｓ間隔で０．４μｓまで変化させた。

走査パルス印加時間が十分長いと、走査電極４とアドレス電極１２との間で発生させる書込み放電が遅れても、走査電極４と維持電極５との間で維持放電を発生し得るだけの壁電荷を下地膜９１上に蓄積することができる。しかしながら、走査パルス印加時間を短縮すると、書込み放電中に走査パルスが立ち下がり、下地膜９１への壁電荷の蓄積が不十分となる。このような壁電荷蓄積が不十分な放電セルにおいては、維持パルスを印加しても、安定した維持放電が発生するだけの壁電荷が蓄積されていないためにちらつきが発生する。
したがって、ＰＤＰの点灯性能評価として、正常点灯している時の走査パルス印加時間から順次短縮していき、ちらつきが発生し始めた時の走査パルス印加時間を求めることで、ＰＤＰの「放電遅れ」特性を評価することができる。

なお、この性能評価実験でＰＤＰに印加する電圧の実験条件は以下のとおりである。
初期化電圧（固定）：３３０Ｖ
走査電圧（固定）：−１４０Ｖ、パルス幅（可変）０．４μｓ〜１．５μｓ
書込み電圧（固定）：７０Ｖ
維持電圧（固定）：２００Ｖ、維持周期０．５μｓ
また、試作したＰＤＰはいずれも対角４２インチのＰＤＰであり、保護層９以外は全て同様の構成、材料で作製して、保護層９のみを実施の形態１および実施の形態２で述べた方法で作製した。

試作したＰＤＰサンプルの作製条件を表１に示す。

表１に示す各ＰＤＰサンプルは、保護層９としては下地膜９１とＭｇＯ凝集粒子９２とを備え、下地膜９１を構成する酸化物の材料成分と、下地膜９１の表面清浄工程の有無、さらには下地膜９１面への水被膜２１の有無とその形成過程が異なる。

すなわち、比較例１〜３は、下地膜９１を形成後に水被膜２１を形成せずにＭｇＯ凝集粒子９２を付着させ、その後下地膜９１の表面清浄処理を行った保護層９を形成したＰＤＰサンプルであり、下地膜９１を構成する材料組成を異ならせている。一方、実施例１〜３は、本発明の実施の形態１で述べたように、下地膜９１を形成後に連続して水被膜２１を形成し、その後、ＭｇＯ凝集粒子９２を付着させ、さらにその後に、水被膜２１を除去した場合のＰＤＰサンプルである。また、実施例４〜６は、本発明の実施の形態２で述べたように、下地膜９１を形成後に保管状態のものを、下地膜９２１表面の変質層を除去する表面清浄を行い、その後、水被膜２１を形成してＭｇＯ凝集粒子９２を付着させ、その後、水被膜２１を除去したＰＤＰサンプルである。なお、比較例１〜３の表面清浄化条件は実施例４〜６と同様である。また、全てのＰＤＰサンプルは、ガラス基板の工程投入時より同一ロットとして誘電体層形成、下地膜形成、ＭｇＯ凝集粒子形成を行っているので製造工程上のバラツキは排除されている。なお、上記いずれのＰＤＰサンプルも封着工程は真空中で実施している。

図１５は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰサンプルの、ちらつきが発生し始める走査パルス印加時間を示す図である。実施例１〜６は、それぞれ０．５μｓないし０．７μｓでちらつきが発生し始めた。これは、保護層９上に形成した水被膜２１が変質層の生成を効果的に抑制することで、ＭｇＯ凝集粒子９２が下地膜９１上に密着性良く付着して、走査パルス印加時に十分な量の初期電子を放出しするために「放電遅れ」時間が短縮されたためである。

一方、比較例１〜３においては、それぞれ１．０μｓないし１．１μｓでちらつきが発生し始めた。これは、下地膜９１にＭｇＯ凝集粒子９２を付着させた後の封着前に表面清浄化すると、下地膜９１からＭｇＯ凝集粒子９２の一部が剥がれ落ち、ＭｇＯ凝集粒子９２による初期電子放出量が減少して「放電遅れ」時間が増大したためである。

これらの結果から、比較例１〜３と本発明の実施例１〜６とを比較すると、走査パルス印加時間の差は概ね０．４μｓである。すなわち、比較例１〜３の製造工程で生産したＰＤＰをちらつきなく点灯させるためには、実施例１〜６よりも、少なくとも垂直方向１画素あたり０．４μｓ以上の走査パルス印加時間を余分に必要とすることになる。したがって、１フィールドに配分されている時間は固定されているので、走査パルス印加時間を増加させると、必然的に維持パルス印加時間を減らすか、サブフィールド数を減らす対策を取ることになる。前者の対策ではＰＤＰの輝度が減少し、後者の対策では表現できる階調数が減少して、いずれにしてもＰＤＰの表示品質劣化を招くことになる。この結果より、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法によれば、書込み放電時の「放電遅れ」の問題を解決し、表示品質を向上させるＰＤＰを実現することが可能となる。

なお、本発明の実施の形態においては、下地膜上の凝集粒子としてＭｇＯ結晶粒子を用いて説明したが、この他の高い電子放出性能を持つＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌなどの金属酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができるため、粒子種としてはＭｇＯに限定されるものではない。

また、本発明の実施の形態においては、下地膜を真空蒸着法によって形成したが、スパッタ法、イオンプレーティング法でも真空中で下地膜を形成できるので、同様の効果を得ることができる。

また、下地膜上に水被膜を形成するために、下地膜表面を水分子を含んだ窒素ガスに晒しているが、例えば超音波式の噴霧器やインジェクターを用いて水を散布する方法などでも可能である。

さらに、下地膜状上へのＭｇＯ凝集粒子の形成方法は、スクリーン印刷方法や、オフセット印刷法、さらにはスプレイ法などによっても可能である。

さらに、本発明の実施の形態では、下地膜層の表面に生成された変質層を除去するために、真空焼成を施しているが、例えば炭酸ガスを含まないＮ_２雰囲気やＡｒ等の不活性ガス雰囲気において焼成することも可能である。

同様に、パネル組立工程においても、例えば加熱炉内を二酸化炭素および一酸化炭素を含まないＮ_２ガスやＮ_２とＯ_２との混合ガスあるいはＡｒ等の不活性ガスでパネル内をパージしつつ水被膜を脱離除去させてもかまわない。

さらに、本発明の実施の形態においては、下地膜をＣａＯあるいはＳｒＯあるいはＢａＯとＭｇＯとの金属酸化物としているが、下地膜上の水被膜の形成および除去は物理的な作用であるため下地膜の組成による影響は軽微なものである。すなわちＭｇＯの代わりにＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２などを使用することもでき、また、ＣａＯあるいはＳｒＯあるいはＢａＯ同士を用いた金属酸化物とすることも可能である。

以上のように本発明は、高画質の表示性能を備え、かつ、低消費電力のＰＤＰを実現する上で有用である。

本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法を用いて作製したＰＤＰの構造を示す斜視図 同ＰＤＰの前面板の構成を示す断面図 本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法を示すフローチャート 本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法における下地膜形成装置の構成を示す図 同製造方法における下地膜に水被膜を形成する工程の前面板の状態を示す断面図 同ＰＤＰの下地膜面におけるＸ線回折結果を示す図 同下地膜を構成する単体成分が３成分以上の場合のＸ線回折結果を示す図 同製造方法におけるＭｇＯ凝集粒子形成装置の構成を示す図 同製造方法におけるＭｇＯ凝集粒子を塗布付着させた前面板の状態を示す断面図 同製造方法におけるパネル組立工程の封着装置の構成を示す図 同パネル組立工程でのＰＤＰの状態を示す断面図 本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法を示すフローチャート 同製造方法に用いた変質層除去装置の構成を示す図 ＰＤＰの特性評価に用いた電圧波形図 本発明の実施の形態におけるＰＤＰサンプルの、ちらつきが発生し始める走査パルス印加時間を示す図

１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ、パネル）
２ 前面板
３ 前面ガラス基板
４ 走査電極
４ａ，５ａ 透明電極
４ｂ，５ｂ 金属バス電極
５ 維持電極
６ 表示電極
７ ブラックストライプ（遮光層）
８ 誘電体層
９ 保護層
１０ 背面板
１１ 背面ガラス基板
１２ アドレス電極
１３ 下地誘電体層
１４ 隔壁
１５ 蛍光体層
１６ 放電空間
１７ シール部材
１８ 排気孔
１９ 排気管
２０ 水分子
２１ 水被膜
３０，１００ 基板投入室
３１，１１０ 予備加熱室
３２ 成膜室
３３，１３０ 基板冷却室
３４，１４０ 水被膜形成室
３５，１５０ 基板取出室
３６ 基板トレイ
５０ 塗布装置
５１ 乾燥装置
５２ コンベアローラー
７０ 封着炉
７１，５１２ ヒータブロック
７２ 炉内排気装置
７３ パネル内排気装置
７４ 放電ガス導入装置
７５ 切換バルブ
８１ 第１誘電体層
８２ 第２誘電体層
９１ 下地膜
９２ ＭｇＯ凝集粒子
９２ａ ＭｇＯ結晶粒子
９３ 希釈溶剤
１２０ 変質層除去室
１２１，１４１，３２４，３４０，５１４ 真空ポンプ
１２２，３２５ 質量分析計
１２３，３２７，５１５ 圧力計
１４２，３４１ 加湿ガス導入口
１６０ セッター
１７０ ローラー
３００ 下地膜形成装置
３２０ 蒸着材料
３２１ 蒸着ハース
３２２ 電子ビーム
３２３ 電子銃
３２６ ガス導入口
３２８ シャッター
５００ ＭｇＯ凝集粒子形成装置
５０１，５１３ テーブル
５０２ スリットダイヘッド
５１１ 真空チャンバー
７００ 封着装置
８００ 変質層除去装置

Claims (3)

1. 基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともに前記誘電体層の上に保護層を形成した第１基板と、前記第１基板に放電ガスが充填された放電空間を形成するように対向配置され、かつ前記表示電極と交差する方向にアドレス電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記第１基板の前記保護層は下地膜と前記下地膜の上に付着させた酸化マグネシウムの結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子とを備え、
   前記下地膜を、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、および酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により、前記下地膜面のＸ線回折分析において、特定方位面の前記金属酸化物を構成する前記酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するように形成し、
   かつ前記下地膜を形成した後、前記下地膜面に水または水酸化物の被膜を形成し、その後、前記下地膜上に酸化マグネシウムの結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子を付着させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. 前記下地膜を形成した後に前記下地膜面を清浄化し、
   その後、連続して前記下地膜面に水または水酸化物の膜を形成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
3. 前記下地膜を、真空中または窒素ガスを含む雰囲気中で焼成して前記下地膜面を清浄化することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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