JP4249330B2

JP4249330B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置

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Publication number: JP4249330B2
Application number: JP15336299A
Authority: JP
Inventors: 和雄鈴木; 通文河合; 重明鈴木; 直人柳原; 明薮下; 誠福島; 昇堀田; 永二松崎
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-06-01
Filing date: 1999-06-01
Publication date: 2009-04-02
Anticipated expiration: 2019-06-01
Also published as: JP2000348626A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレイパネル（ＰｌａｓｍａＤｉｓｐｌａｙＰａｎｅｌ：ＰＤＰ）、それを用いた表示装置及びその製造方法並びに製造装置に係わり、特に、誘電体保護膜として酸化マグネシウム膜を採用している交流駆動型のプラズマディスプレイパネル、それを用いた表示装置及びその製造方法並びに製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は自己発光により表示を行うため、視野角が広く、表示が見やすい。また、薄型のものが作製できることや大画面を実現できるなどの特長を持っており、情報端末機器の表示装置や高品位テレビジョン受像機に広く使用されるようになってきた。
【０００３】
ＰＤＰは主として、交流駆動型と直流駆動型の二型式に分類できる。このうち交流駆動型ＰＤＰでは、電極を覆っている誘電体層のメモリー作用を利用して、以下の駆動方法により画像表示を行っている。
【０００４】
まず表示させたいセルを選択するために、前記当するセル内を通過している電極間でライン順次のアドレス放電を生じさせ、このセル内に壁電荷と呼称される電荷を蓄積する。アドレス放電後、表示を維持させる放電（サステイン放電）を発生させるために全てのセルに対して一斉に交流極性の所定の電圧（アドレス放電）を印加すると、壁電荷が蓄積されたセルにおいてのみ壁電荷の電圧とサステイン電圧とが重畳される。その結果、セル内の実効電圧が放電開始電圧を上回り、サステイン放電が生じる。このサステイン放電で生じる紫外線により蛍光体層を発光させて表示を行う。一方、アドレス放電が行われなかったセルでは壁電荷が形成されていないため、サステイン電圧を印加しても主放電は発生しない。すなわち、ＰＤＰでは、セル内の壁電荷の有無により発光させるべきセルを選択している。
【０００５】
現在、一般に使用されているＰＤＰの例を図２と図３に示す。
図２はプラズマディスプレイパネルの構造を示す斜視図である。図を見易くするため、図2においては、前面基板１を背面基板２と放電空間領域３より離して図示した。前面基板１は、前面ガラス基板４上にＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）などの透明導電材料からなる表示電極６ａ、６ｂ（通常表示電極はＸ電極６ａ、Ｙ電極６ｂから構成されている）と、低抵抗材料からなるバス電極７ａ、７ｂ（Ｘバス電極７ａ、Ｙバス電極７ｂ）と、透明な絶縁材料からなる誘電体層８、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの材料からなる保護膜９が形成された構造となっている。保護膜９は、放電ガスが誘電体層８をスパッタリングしてしまうのを防止するだけでなく、その高い二次電子放出比により放電開始電圧を低減する役割も有している。背面基板２は、背面ガラス基板５上にアドレス電極１０とバリアリブ１１、蛍光体層１２が形成された構造となっている。そして、前面基板１と背面基板２を表示電極６とアドレス電極１０がほぼ直交するように張合わせることにより、放電空間領域３が前面基板１と背面基板２の間に形成されている。
【０００６】
図３は図２に示したプラズマディスプレイパネルの断面図であり、図３（ａ）はアドレス電極に平行な断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。図３において、図２と同じ構成要素については同一の参照番号をつけてその説明を省略する。図３（ａ）、図３（ｂ）から明らかなように、ＰＤＰは、前面基板１と背面基板２との間にバリアリブ１１により区画された画素となる多数のセルを備えた構造を有している。
【０００７】
以下、図４を用いて、図２と図３に示した従来のＰＤＰの製造工程の一例を簡単に説明する。
図４は従来のプラズマディスプレイの製造工程を説明するためのフロー図である。
まず、前面基板１の製造工程について説明する。
ガラス基板受け入れ工程８０でソーダライムガラス等からなる前面ガラス基板４をラインに入れて洗浄し、透明電極形成工程８１でガラス基板４の一方の主表面上に透明な表示電極パターン６を形成する。透明電極材料として、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）を用いた場合、透明な表示電極パターン６の形成は、スパタッタリング法等を用いてＩＴＯを成膜した後に、周知のフォトエッチング法によって不要な部分を取り除く。次に、バス電極形成工程４２に移行し、バス電極７を形成する。バス電極７には銀（Ａｇ）ペーストを用いた印刷膜や、銅（Ｃｕ）膜をクロム（Ｃｒ）膜でサンドイッチしたＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜が用いられることが多く、前者はスクリーンを用いた印刷法により、また後者は成膜後に周知のフォトエッチングを行うことによって形成される。次に、誘電体形成工程８３に移行し、透明電極６とバス電極７を形成した前面ガラス基板４上に、鉛ガラスを主成分とする誘電体ペーストを印刷し、乾燥、焼結を行うことによって透明な誘電体層８を形成する。さらに、保護膜形成工程８４で誘電体層８上に真空蒸着法等によって酸化マグネシウム膜の保護膜９が形成される。これで前面基板１が完成する。
【０００８】
次に、背面基板２の製造工程について説明する。まず、ガラス基板受け入れ工程８５でソーダライムガラス等からなる背面ガラス基板５を洗浄した後、アドレス電極形成工程８６で、背面ガラス基板５の一方の主表面上に銀（Ａｇ）ペーストを用いた厚膜印刷法により、アドレス電極パターン１０を形成する。次に、バリアリブ形成工程８７でアドレス電極１０を形成した背面ガラス基板５上に、厚膜印刷と乾燥を繰り返すことによって、バリアリブ１１を形成する。次いで、蛍光体層形成工程８８に移行し、厚膜印刷法によって各々の放電セルに塗り分けられた赤、緑及び青の蛍光体層１２を形成する。蛍光体形成の完了後、シール層形成工程８９で背面ガラス基板５の周辺部分に、印刷法によって真空封止を行うためのシール層１７が形成されることによって背面基板２が完成する。
【０００９】
次に、この前面基板１と背面基板２の組み立て工程９０に移行する。この工程９０では、完成した前面基板１と背面基板２を、位置合わせをしながら組み立てる。その後、封止・排気・ガス封入工程９１に移行する。この工程９１では、排気や封入ガス導入を行う排気管（図示せず）を取り付け、その後、封着炉で基板同士のシールと排気管の固定を行う。基板同士のシールは、基板工程で形成したシール層１７（低融点ガラス、フリット）により溶融固着させる。次に、排気装置にパネルを取り付け、パネルをベーキング（例えば、酸化マグネスウムからなる保護膜９上に吸着している不要なガスを除去するために加熱）しながら排気管で真空排気する。この後、例えばネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスを封入する。次に、エージング工程９２で排気管のチップオフとエージングを行うことにより、図３と図４に示した従来のプラズマディスプレイ装置が完成する。ここで示したプラズマディスプレイ装置の従来例は、たとえば、フラットパネルディスプレ１９９６（日経マイクロデバイス編、１９９５年）の第２０８頁から２１５頁に記載されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
酸化マグネシウムは水（Ｈ₂Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ₂）などのガスを吸収し、水酸化化合物や炭酸化合物を容易に形成するという性質がある。上記従来技術では、前面基板１の最も表層側に酸化マグネシウムの保護膜９が形成されており、保護膜９は誘電体層８上に形成された後は組立工程までの期間、大気雰囲気（Ｈ₂Ｏ、ＣＯ₂）に曝されるという問題があった。また、組立工程では、前面基板１と背面基板２のシール工程、ベーキングしながらの真空排気工程などの加熱工程があり、パネルの加熱処理中に蛍光体１２やバリアリブ１１、シール層１７といった背面基板２の構成材料から放出されるガスに酸化マグネシウムが曝されるという問題があった。
【００１１】
なお真空排気工程ではパネル外部の排気装置によりパネル内部を排気しているが、放電空間領域３の断面積がおよそ０．０１〜０．０２ｍｍ２と狭い。一方、バリアリブ１１の長さは５００〜１０００ｍｍ（放電空間断面積およびバリアリブ長さはパネルのサイズや画素数によって異なるが、ここでは商品化されているＰＤＰでの一般的な値を用いた）と長いため、コンダクタンスが小さく、特にパネル中央部で発生したガスを排気することは困難であると考えられている。
【００１２】
このように、ＰＤＰ製造工程中のガス吸収により形成された酸化マグネシウムの水酸化化合物や炭酸化合物は、酸化マグネシウムに比べて二次電子放出比が低いため放電開始電圧を上昇させてしまい、ＰＤＰの駆動マージンを狭めてしまうという問題があった。また膜表面の水（Ｈ₂Ｏ）が表面電気抵抗を低下させるために、アドレス放電で蓄積した壁電荷が移動消滅してしまい、表示させたいセルを正確に表示させることができないという問題があった。
【００１３】
本発明の目的は、プラズマディスプレイパネルの製造工程中での酸化マグネシウムのガス吸収を低減したプラズマディスプレイパネル、それを用いた表示装置及びその製造方法並びに製造装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明によるプラズマディスプレイパネル及びそれを用いた表示装置は、酸化マグネシウム膜上に絶縁性かつ可視光透過性の膜を形成し、ＰＤＰ製造工程中での酸化マグネシウム膜のガス吸収を防止し、これにより電気的特性の劣化を防止することで上記目的を達成するものである。
【００１５】
また、この発明においては、パネル完成後にサステイン放電を行ってこのガス吸収防止膜をスパッタリングにより除去し、主放電電極直上の放電空間領域に、水（Ｈ₂Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ₂）、背面基板からの放出ガスに汚染されていない安定な表面を持つ酸化マグネシウムを露出させることで上記目的を達成するものである。
【００１６】
また、この発明においては、ガス吸収防止膜の材料としてＨ₂ＯやＣＯ₂といったガスを吸収しにくく化合物を形成しにくい、除去のためのサステイン放電が行い易いよう二次電子放出比が高い、サステイン放電により除去しやすいようスパッタリングされやすい、すなわち低融点である、という条件を満たすフッ化物材料を使用することで上記目的を達成するものである。またフッ化物材料はＰＤＰで使用する真空紫外線をよく透過させるため、本ガス吸収防止膜がサステイン放電によりスパッタリングされて蛍光体上に付着しても、放電で発生した紫外線を効率よく蛍光体に吸収させることが可能である。
【００１７】
本発明による製造装置は、酸化マグネシウム膜への大気雰囲気ガスの吸収を防ぐため、酸化マグネシウム膜の形成とガス吸収防止膜の形成を連続して行うことで上記目的を達成するものである。膜形成の方法としては、スパッタリング法や蒸着法などが挙げられるが、その他の形成手法を使用しても差し支えない。
【００１８】
本発明により製造方法は、ガス吸収が少なく放電を起こしやすいガス吸収防止膜の膜質を得るために、成膜装置内にガスを意図的に導入することで上記目的にを達成するものである。導入するガスは膜組成を含めた膜質を制御するために、その組成や流量、成膜用真空槽に導入されたときの圧力などが重要となる。
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明によるプラズマディスプレイパネルは、表示用の放電を発生させるための表示電極を覆うように誘電体層が形成され、前記誘電体層上に保護膜が形成された第１の基板と、表示画素を選択するためのアドレス電極が設けられた第２の基板とを張り合わせてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、前記保護膜上にガス吸収防止用のガス吸収防止膜を設ける。
【００２０】
また、上記目的を達成するために、本発明によるプラズマディスプレイパネルは、表示用の放電を発生させる表示電極を覆うように誘電体層が形成され、前記誘電体層が前記表示電極と接する面と並向する面上に酸化マグネシウム膜を設けた第１の基板と、少なくとも表示画素を選択するためのアドレス電極を設けた第２の基板とを貼り合わせてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、前記酸化マグネシウム膜上に、絶縁性のガス吸収防止膜を設ける。
【００２１】
このプラズマディスプレイパネルにおいて、前記表示電極は第１と第２の電極から構成され、前記第１と前記第２の電極間の放電により、前記ガス吸収防止膜の一部もしくは全てを除去する。
このプラズマディスプレイパネルにおいて、前記ガス吸収防止膜の主成分がフッ化物材料である。前記ガス吸収防止膜の主成分がフッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウムのいずれかを用いると好適である。要は、前記ガス吸収防止膜は、酸化マグネシウムよりも水酸化化合物および炭酸化合物を生成し難い性質を有する材料を主成分とすると好適である。
【００２２】
本発明の目的を達成するために、本発明によるプラズマディスプレイパネルを用いた表示装置は、表示用の放電を発生させるための表示電極を覆うように誘電体層が形成され、前記誘電体層上に保護膜が形成され、更に前記保護膜上にガス吸収防止用のガス吸収防止膜を設けた第１の基板と、表示画素を選択するためのアドレス電極が設けられた第２の基板とを張り合わせてなる。
【００２３】
また、本発明によるプラズマディスプレイパネルを用いた表示装置は、表示用の放電を発生させる表示電極を覆うように誘電体層が形成され、前記誘電体層が前記表示電極と接する面と並向する面上に酸化マグネシウム膜を設け、前記酸化マグネシウム膜上に、絶縁性のガス吸収防止膜を設けた第１の基板と、少なくとも表示画素を選択するためのアドレス電極を設けた第２の基板とを貼り合わせてなるプラズマディスプレイパネルを用いる。
【００２４】
これらの表示装置において、前記表示電極は第１と第２の電極から構成され、前記第１と前記第２の電極間の放電により、前記ガス吸収防止膜の一部もしくは全てを除去する。前記ガス吸収防止膜の主成分はフッ化物材料が好適である。
【００２５】
本発明によるディスプレイパネルの製造装置は、真空槽と、前記真空槽内に設けられ膜を形成するための材料を載置する容器と、表示電極と絶縁体層が設けられた基板を保持する手段と、前記材料を気相化させる手段と、第１の材料を気相化させて前記絶縁基板の一面に酸化マグネシウム膜を堆積させる手段と、第２の材料を気相化させて前記酸化マグネスウム膜上にガスの吸収を防止するガス吸収防止膜を堆積させる手段とを備える。
【００２６】
また、本発明によるディスプレイパネルの製造装置は、真空槽と、前記真空槽内に配置され、表示電極および前記絶縁体層を配した基板と膜を形成するための材料とを対峙させる手段と、第１の材料を気相化させて前記基板上に輸送し、前記基板上に前記酸化マグネシウム膜と堆積させる手段と、第２の材料を気相化させて、前記酸化マグネシウム膜の上にガスの吸収を防止するガス吸収防止膜が成膜される位置あるいは順序に前記第２の材料を設置する。
【００２７】
これらの製造装置において、ガス導入機構を設け、前記ガス導入機構によって前記真空槽内にガスを導入し、前記ガスの放電により前記材料を気相化させる。又は、電子銃を設け、前記電子銃から放出される電子ビームを前記材料に照射して加熱蒸発させ、気相化させる。
【００２８】
これらの製造装置において、仕切り板を設け、前記真空層を仕切り板により複数の部屋に分離し、前記酸化マグネシウム膜を成膜するための材料を設置した部屋と、前記ガス吸収防止膜を成膜するための材料を設置した部屋と備えると好適である。
【００２９】
本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、真空槽内で表示電極と絶縁体層が設けられた基板の一面に酸化マグネシウム膜を設ける工程と、フッ化物を気相化して前記酸化マグネシウム膜上にガス吸収防止膜を堆積させる工程とを備える。前記ガス吸収防止膜を堆積させる工程は、真空槽内にガスを導入して膜質の制御を行う工程を備える。又は、前記ガス吸収防止膜を堆積させる工程は、前記真空槽内に導入したガスの組成とガスの圧力とガスの流量とにより膜質の制御を行う工程を備える。また、前記ガス吸収防止膜を堆積させる工程は、電子ビームを前記フッ化物に照射して前記フッ化物を気相化させる工程を備える。
【００３０】
これらの製造方法において、前記表示電極間の放電により、前記ガス吸収防止膜の一部もしくは全てを除去する工程を含む。また、前記ガス吸収防止膜を堆積させる工程は、前記真空槽内に導入したガスの組成とガスの圧力とガスの流量とにより膜質の制御を行う工程を備えると好適である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による実施の形態を実施例を用い、図面を参照して説明する。
【００３２】
図１は本発明によるプラズマディスプレイパネルの一実施例を示すを断面図であり、図１（ａ）はアドレス電極に平行な断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ｂ断面である。図においてい、１は前面基板、２は背面基板、３は放電空間領域、４は前面ガラス基板、５は背面ガラス基板、６ａ、６ｂは表示電極、７ａ、７ｂはバス電極、８は誘電体層、９は保護膜、１０はアドレス電極、１１はバリアリブ、１２は蛍光体層、１００は主放電空間、２００はガス吸収防止膜である。まお、前述した図面に示したものと同じ物は同一の参照番号を付けてその説明を省略する。
【００３３】
図に示すように、誘電体層８上に酸化マグネシウムの保護膜９が形成されており、更にその上にガスの吸収を防止するためのガス吸収防止膜２００が形成されている。図の実施例では酸化マグネシウムで形成された保護膜９上にガスの吸収を防止するガス吸収防止膜２００を設けることによって、酸化マグネシウムのガスの吸収を低減し放電開始電圧を低減することができる。よって、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の放電の安定化及び高性能化を図ることができる。
【００３４】
次に、図１に示したＰＤＰの製造方法について説明する。
図５は本発明によりプラズマディスプレイパネルの製造方法の一実施例を説明するための製造装置の概略の構成図である。図において、製造装置１０１は、真空槽７０とガス導入機構４７ａおよび４７ｂ、電子銃５２ａ、５２ｂから構成されている。真空槽７０の内部には、基板保持機構６１、ヒーター３３ａ〜３３ｂ、真空計４０ａおよび４０ｂ、蒸発ユニット５５a、５５ｂなどから構成されている。また、真空槽７０は、仕切り板７２により酸化マグネシウム膜９成膜用の部屋７０ａとガス吸収防止膜２００成膜用の部屋７０ｂに仕切られている。蒸発ユニット５５ａは蒸発源５０ａ、例えば酸化マグネシウム５０ａを収納する耐熱容器５１ａ、電子銃５２ａから発生された電子ビームＥＢを偏向して蒸発源５０に導く磁束発生部５３ａから構成されており、蒸発ユニット５５ｂは蒸発源５３ｂ、例えば、フッ化物材料５０ｂを収納する耐熱容器５１ｂ、電子銃５２ｂから放射された電子ビームＥＢを偏向して蒸発源５０に導く磁束発生部５３ａなどから構成されている。なお図５では基板保持機構６１は成膜時に水平方向に移動する形式となっているが、つり下げ形式のものでも差し支えない。ガス導入機構４７ａ、４７ｂはそれぞれガスボンベ４４ａ、４４ｂ、マスフローコントローラ（流量調整機構）４２ａ、４２ｂから構成されている。
【００３５】
まず、前面基板１の成膜面１ａが、成膜時に蒸発源５０ａと対向するように、前面基板１を基板保持機構６１に固定する。続いて、真空ポンプ（図示せず）により真空槽７０の排気を行い、真空槽７０内を１×１０^-5［Ｐａ］程度の真空状態とする。この真空状態の形成と並行して、もしくは真空状態形成後にヒーター３３によって前面基板１を加熱する。
【００３６】
前面基板１の表面温度が２５０℃程度に達したら、電子銃５２ａと磁束発生部５３ａを作動させて、部屋７０ａ内で酸化マグネシウム膜用の蒸発源５０ａを蒸発させる。電子線のエネルギーによって加熱蒸発された蒸発源５０ａ、例えば酸化マグネシウムは、蒸気流ＭＢとなって矢印で示すように開口部７１を通過し、前面基板１の成膜面１ａ上に堆積する。このとき、例えば滞積速度が２５オングストローム／秒となるように電子銃５２ａの制御を行う。
【００３７】
これと並行して、部屋７０ａに設けられているガス導入機構４７ａを利用して、ガスボンベ４４ａから部屋７０ａ内へ反応ガス４３として酸化性ガス、例えば酸素ガス４３ａを導入し、この反応ガス４３を放電させて、蒸発源５０ａの気相化を促進する。このときマスフローコントローラ４２ａによって酸素ガス４３ａの供給量を調節し、部屋７０ａの圧力を真空計４０ａにより所定値、例えば２×１０^-2［Ｐａ］に保つ。これによって膜質を制御することができる。
酸化マグネシウム膜９が所定の膜厚、例えば７０００Åになり、成膜が終了したら、電子銃５２ａおよび磁束発生部５３ａの作動を停止する。
【００３８】
続いて酸化マグネシウム膜９の場合と同様の手法でガス吸収防止膜２００の成膜を行う。まず、基板保持機構６１を部屋７０ｂ上に移動させて前面基板１の成膜面１ａを蒸発源５０ｂと対向するように配置する。電子銃５２ｂと磁束発生部５３ｂを作動させて、ガス吸収防止膜用の蒸発源５０ｂ、例えば、フッ化マグネスウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム等のフッ化物を蒸発させる。電子銃５２ｂから発生された電子線のエネルギーによって加熱蒸発された蒸発源５０ｂは、前面基板１の酸化マグネシウム膜９上に堆積する。このとき、例えば滞積速度が５オングストローム／秒となるように電子銃５２ｂの制御を行う。また必要に応じて、部屋７０ｂに設けられているガス導入機構４７ｂにより、ガスボンベ４４ｂから部屋７０ｂ内へ反応ガス４３、例えば、フッ素ガス、塩素ガス、臭素ガス等のハロゲン系ガスを導入する。或いはこの反応ガスを放電させることにより、蒸発源５０ｂの膜質を制御する。
【００３９】
ガス吸収防止膜２００が所定の膜厚、例えば３００Å、となり成膜が終了したら、電子銃５２ｂおよびヒーター３３などの作動を停止し、前面基板１の表面温度がある程度下がるのを待って真空槽７０から取り出し、取り出した前面基板１を組立工程に送る。そして組立工程においてＰＤＰを完成した後、サステイン放電によりガス吸収を防止するためのガス吸収防止膜２００を除去する。
【００４０】
図５の実施例において、反応ガス４３の放電によって蒸発源５０ａ、５０ｂを気相化させるいわゆるスパッタ法で製造する場合、反応ガス４３がプラスイオンを帯び、負の電圧がかけられている蒸発源５０ａ、５０ｂ、即ち成膜材料に衝突する。この衝突の際に蒸発源５０ａ、５０ｂに原子にエネルギーを与えてこの蒸発源５０ａ、５０ｂを気相化させることができる。この際反応ガス４３の圧力を変化させると、膜質も変化する。また、酸化マグネシウムをスパッタ法で成膜する場合、反応ガス中に酸素（Ｏ２）ガスを混合すると、反応ガスと酸素の組成（存在比率）により、膜中の金属原子（Ｍｇ）と酸素原子（Ｏ）の比率を制御することができる。このように、導入した反応ガス、又は圧力を変化させることによって、気相化、膜質制御の両方を行うことができる。
【００４１】
本実施例において、真空槽内における酸素（Ｏ２）の割合を反応ガスの１％、ガスの全圧力が０．７Ｐａ、全ガス流量を標準状態（０℃、１気圧）で１分間に９０ｃｃとすると好適である。
【００４２】
図６はガス吸収防止膜の有無と、単位膜厚あたりの酸化マグネシウムのＭｇ−ＯＨおよびＭｇ−ＣＯ振動赤外吸収強度の相関関係を示す特性図である。第１の縦軸は単位膜厚あたりのＭｇ−ＯＨ振動赤外吸収強度を示し、第２の縦軸は単位膜厚あたりのＭｇ−ＣＯ振動赤外吸収強度を示し、横軸はガス吸収防止膜の有無を示す。なお、図において、ガス吸収防止膜２００が無い場合の単位膜厚あたりのＭｇ−ＯＨの振動赤外吸収強度を三角形（△）で示し、単位膜厚あたりのＭｇ−ＣＯ振動赤外吸収強度を四角形（□）で示し、本発明によりガス吸収防止膜を設けた場合の単位膜厚あたりのＭｇ−ＯＨ振動赤外吸収強度を逆三角形（▽）で示し、単位膜厚あたりのＭｇ−ＣＯ振動赤外吸収強度を菱形（◇）で示す。
【００４３】
この図より明らかなように、本実施に示すように、製造過程でガス吸収防止膜２００として酸化マグネシウム膜を設けた場合と、ガス吸収防止膜２００が無い場合と比較すると、水（Ｈ₂Ｏ）および異二酸化炭素（ＣＯ₂）の吸収が少ないことがわかる。すなわち上述した製造装置および成膜方法を用いることにより、酸化マグネシウムのガスの吸収を低減することが可能である。
【００４４】
図７は本発明によるガス吸収防止膜の適用の有無と、ＰＤＰ放電開始電圧の時間変化との相関関係を示す特性図である。なお、このガス吸収防止膜２００はＰＤＰの製造後短時間のサステイン放電により充分に除去されている。図において、横軸は放電時間ｔを示し、縦軸は放電開始電圧Ｖｄ（Ｖ）を示し、製造工程でガス吸収防止膜２００を設け場合の放電開始電圧Ｖｄ（Ｖ）を白丸を結んだ曲線１５１で示し、ガス吸収防止膜２００を設けない場合の放電開始電圧Ｖｄ（Ｖ）を黒丸結んだ曲線１５２で示す。この特性図より明らかなように、本実施によって製造したＰＤＰのほうが放電に必要な電圧が低く、経時変化も少ないことがわかる。すなわち上述した製造装置および成膜方法を用いることにより、放電が安定で高性能なＰＤＰを製造することが可能である。
【００４５】
上述の記述例において、真空槽７０の構造、蒸発ユニット５５の形式、反応ガス導入機構４７の形式、蒸発の制御条件、成膜時の条件は、適宜変更することができる。
【００４６】
ガス吸収防止膜として、フッ化マグネスウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム等のフッ化物を例示したが、本発明の保護膜としては酸化マグネシウムよりも水酸化化合物および炭酸化合物を生成し難い性質を有するものであり、絶縁性を有するものであればどのようなものであってもよい。
【００４７】
本発明の実施例においては、真空槽に仕切り板を設け、基板保持機構を移動させて、酸化マグネシウム膜上にガス吸収防止膜を堆積させているが、仕切り板を取り去り、基板保持機構を移動させずに、耐熱容器を移動、例えば図５に向かって垂直方向に耐熱容器を回転させても良い。又は、耐熱容器を一つとし、蒸発源を入れ替えても良い。
【００４８】
また、本発明においては、真空槽内に導入されたガスによって酸化マグネシウム膜やガス吸収防止膜の膜質の制御を行うことができる。特に、真空槽内に導入したガスの組成とガスの圧力とガスの流量とにより膜質の制御を行うと好適である。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、酸化マグネシウム膜上に連続してガス吸収防止膜を成膜することにより、酸化マグネシウムのガスの吸収を低減し、放電開始電圧を低減することができる。従って、ＰＤＰの放電の安定化及び高性能化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるプラズマディスプレイパネルの一実施例を示すを断面図である。
【図２】プラズマディスプレイパネルの構造を示す斜視図である。
【図３】図２に示したプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図４】従来のプラズマディスプレイの製造工程を説明するためのフロー図である。
【図５】本発明によりプラズマディスプレイパネルの製造方法の一実施例を説明するための製造装置の概略の構成図である。
【図６】ガス吸収防止膜の有無と、単位膜厚あたりの酸化マグネシウムのＭｇ−ＯＨおよびＭｇ−ＣＯ振動赤外吸収強度の相関関係を示す特性図である。
【図７】本発明によるガス吸収防止膜の適用の有無と、ＰＤＰ放電開始電圧の時間変化との相関関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１…前面基板、２…背面基板、３…放電空間領域、４…前面ガラス基板、５…背面ガラス基板、６ａ、６ｂ…表示電極、７ａ、７ｂ…バス電極、８…誘電体層、９…酸化マグネシウム膜、１０…アドレス電極、１１…バリアリブ、１２…蛍光体層、２００…ガス吸収防止膜。

Claims

表示電極を覆う絶縁体層を基板上に形成する工程と、
前記絶縁体層を覆う酸化マグネシウム膜を形成する工程と、
前記酸化マグネシウム膜を形成した後、フッ化物を気相化して前記酸化マグネシウム膜上にガス吸収防止膜を形成する工程と、を備え、
前記酸化マグネシウム膜を形成する工程と前記ガス吸収防止膜を形成する工程を、同一の真空槽内で前記基板を加熱しながら連続して行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
請求項１記載の製造方法において、前記ガス吸収防止膜を形成する工程は、真空槽内にガスを導入して膜質の制御を行う工程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
請求項１記載の製造方法において、前記ガス吸収防止膜を形成する工程は、前記真空槽内に導入したガスの組成とガスの圧力とガスの流量とにより膜質の制御を行う工程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
請求項１記載の製造方法において、前記ガス吸収防止膜を形成する工程は、電子ビームを前記フッ化物に照射して前記フッ化物を気相化する工程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
請求項１記載の製造方法において、前記表示電極間の放電により、前記ガス吸収防止膜の一部もしくは全てを除去する工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
請求項４記載の製造方法において、前記ガス吸収防止膜を形成する工程は、前記真空槽内に導入したガスの組成とガスの圧力とガスの流量とにより膜質の制御を行う工程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
真空槽と、
前記真空槽内に設けられ膜を形成するための材料を載置する容器と、
表示電極と絶縁体層が設けられた基板を保持する保持手段と、
前記材料を気相化させる気相化手段と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
第１の材料を気相化させて前記基板上に酸化マグネシウム膜を形成する酸化マグネシウム膜形成手段と、
前記酸化マグネシウム膜を形成した後、第２の材料を気相化させて前記酸化マグネシウム膜上にガス吸収防止膜を形成するガス吸収防止膜形成手段と、を備え、
前記酸化マグネシウム膜形成手段と前記ガス吸収防止膜形成手段は、同一の真空槽内で前記基板を加熱しながら連続して前記酸化マグネシウム膜と前記ガス吸収防止膜の形成を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
請求項７記載の製造装置において、ガス導入機構を設け、前記ガス導入機構によって前記真空槽内にガスを導入し、前記ガスの放電により前記材料を気相化させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
請求項７記載の製造装置において、電子銃を設け、前記電子銃から放出される電子ビームを前記材料に照射して加熱蒸発させ、気相化させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
請求項７記載の製造装置において、仕切り板を設け、前記真空槽を仕切り板により複数の部屋に分離し、前記酸化マグネシウム膜を成膜するための材料を設置した部屋と、前記ガス吸収防止膜を成膜するための材料を設置した部屋と備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。