JP3126976B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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Description
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に
関する。 プラズマディスプレイパネル（PDP）は、薄い奥行き
で大型の表示画面を実現できるため、各種機器の表示手
段として広く利用されつつある。それ故、より表示品質
が安定し且つ長寿命であることが望まれている。
関する。 プラズマディスプレイパネル（PDP）は、薄い奥行き
で大型の表示画面を実現できるため、各種機器の表示手
段として広く利用されつつある。それ故、より表示品質
が安定し且つ長寿命であることが望まれている。
【０００２】
PDPは、表示側及び背面側の一対の透明基板を放電空
間を設けて対向配置し、格子状に対向する電極の交点で
画定される放電セルを選択的に発光可能に構成されてい
る。
間を設けて対向配置し、格子状に対向する電極の交点で
画定される放電セルを選択的に発光可能に構成されてい
る。
【０００３】 電極の表面には、低融点ガラスなどの誘電体層及び誘
電体を放電によるイオン衝撃から保護する保護膜が設け
られる。この保護膜は、放電開始電圧を下げるために２
次電子放出係数の大きな膜とされ、一般に、MgO（酸化
マグネシウム）などの耐熱性酸化物の蒸着によって形成
される。
電体を放電によるイオン衝撃から保護する保護膜が設け
られる。この保護膜は、放電開始電圧を下げるために２
次電子放出係数の大きな膜とされ、一般に、MgO（酸化
マグネシウム）などの耐熱性酸化物の蒸着によって形成
される。
【０００４】 また、放電空間には、ペニング効果により低い駆動電
圧で発光を生じる混合ガス、すなわち、いわゆるペニン
グガスが充填される。ペニングガスとしては、発光の主
体となる主ガスNe（ネオン）に少量の副ガスXe（キセノ
ン）を加えた２種の単原子分子（希ガス）からなる混合
ガスが一般に用いられるが、他にXeに代えてAr（アルゴ
ン）を加えたものなど、所望の発光色やPDPの構造など
に応じて主ガスと副ガスとからなる種々の組み合わせの
混合ガスが用いられている。
圧で発光を生じる混合ガス、すなわち、いわゆるペニン
グガスが充填される。ペニングガスとしては、発光の主
体となる主ガスNe（ネオン）に少量の副ガスXe（キセノ
ン）を加えた２種の単原子分子（希ガス）からなる混合
ガスが一般に用いられるが、他にXeに代えてAr（アルゴ
ン）を加えたものなど、所望の発光色やPDPの構造など
に応じて主ガスと副ガスとからなる種々の組み合わせの
混合ガスが用いられている。
【０００５】
従来においては、PDPを使用するにつれて、ペニング
ガスを構成する気体分子が放電空間に対して露出した保
護膜に吸着し、ペニングガスの組成が徐々に変化する。
例えば、上述の主ガスNeと副ガスXeとの混合ガスをペニ
ングガスとして用いた場合において、特に少量の副ガス
Xeが保護膜に吸着すると、ペニングガスの組成は大きく
変化する。この組成変化のため、表示動作の累積時間が
長くなるにつれて放電開始電圧が上昇し、表示動作が不
安定となって表示品質が損なわれるという問題があっ
た。また、放電開始電圧が所定値を越えると表示動作が
不能となり、このためにPDPの寿命が短いという問題が
あった。
ガスを構成する気体分子が放電空間に対して露出した保
護膜に吸着し、ペニングガスの組成が徐々に変化する。
例えば、上述の主ガスNeと副ガスXeとの混合ガスをペニ
ングガスとして用いた場合において、特に少量の副ガス
Xeが保護膜に吸着すると、ペニングガスの組成は大きく
変化する。この組成変化のため、表示動作の累積時間が
長くなるにつれて放電開始電圧が上昇し、表示動作が不
安定となって表示品質が損なわれるという問題があっ
た。また、放電開始電圧が所定値を越えると表示動作が
不能となり、このためにPDPの寿命が短いという問題が
あった。
【０００６】 本発明は、上述の問題に鑑み、発光のための混合ガス
の組成変化を抑え、プラズマディスプレイパネルの表示
動作の安定化及び長寿命化を図ることを目的としてい
る。
の組成変化を抑え、プラズマディスプレイパネルの表示
動作の安定化及び長寿命化を図ることを目的としてい
る。
【０００７】
請求項１の発明の方法は、放電空間に充填される主ガ
スと副ガスとからなるペニングガスに接する保護膜を有
したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記副ガスをイオン化して照射しつつ蒸着によって前記
保護膜を形成するものである。
スと副ガスとからなるペニングガスに接する保護膜を有
したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記副ガスをイオン化して照射しつつ蒸着によって前記
保護膜を形成するものである。
【０００８】 請求項２の発明の方法は、放電空間に充填されるキセ
ノンと副ガスとしたペニングガスに接する保護膜を有し
たプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、キ
セノンをイオン化して照射しつつ蒸着によって前記保護
膜を形成するものである。
ノンと副ガスとしたペニングガスに接する保護膜を有し
たプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、キ
セノンをイオン化して照射しつつ蒸着によって前記保護
膜を形成するものである。
【０００９】 イオン照射によって、蒸着中の膜内に気体31の分子が
とり込まれ、予めガス吸着に対して飽和状態となった保
護膜21が形成される。また、保護膜21は、イオンの衝突
による物理的な清浄作用、すなわち、いわゆるスパッタ
クリーニング作用を受けつつ形成されるので、その表面
（放電空間19に対する露出面）が平坦となり、ガス吸着
の起こりにくい性質をもった膜となる。
とり込まれ、予めガス吸着に対して飽和状態となった保
護膜21が形成される。また、保護膜21は、イオンの衝突
による物理的な清浄作用、すなわち、いわゆるスパッタ
クリーニング作用を受けつつ形成されるので、その表面
（放電空間19に対する露出面）が平坦となり、ガス吸着
の起こりにくい性質をもった膜となる。
【００１０】
以下、本発明の図面を参照しつつ説明する。 第２図は本発明に係るPDP1の構造を示す要部断面図で
ある。
ある。
【００１１】 PDP1は、表示側のガラス基板11、背面側のガラス基板
12、各ガラス基板11,12の表面に形成された複数の帯状
のＸ電極13及びＹ電極14、各電極13,14を覆う誘電体15
と保護膜21、球状のスペーサ18、スペーサ18で反射した
光を遮光する遮光マスク20、及び周囲を密封する封止ガ
ラス17などから構成されている。第２図において、ガラ
ス基板11の上面が表示面11Hとなる。
12、各ガラス基板11,12の表面に形成された複数の帯状
のＸ電極13及びＹ電極14、各電極13,14を覆う誘電体15
と保護膜21、球状のスペーサ18、スペーサ18で反射した
光を遮光する遮光マスク20、及び周囲を密封する封止ガ
ラス17などから構成されている。第２図において、ガラ
ス基板11の上面が表示面11Hとなる。
【００１２】 スペーサ18によって間隙寸法が規定された放電空間19
には、NeとXeとを混合したペニングガス30が500〜600
［Torr］程度の圧力となるように充填されている。PDP1
では、ペニングガス30中のXeの濃度は0.2％以下とされ
ている。
には、NeとXeとを混合したペニングガス30が500〜600
［Torr］程度の圧力となるように充填されている。PDP1
では、ペニングガス30中のXeの濃度は0.2％以下とされ
ている。
【００１３】 このようなPDP1の製造に際しては、まず、表示側のガ
ラス基板11上に、スパッタリング蒸着によってクロム、
銅、クロムを順に積層し、三層構造の金属薄膜（膜厚は
5000〜10000Å）を形成し、この金属薄膜をフォトリソ
グラフィ法によってパターンニングしてＸ電極13を形成
する。このとき、スペーサ18を設ける位置に対応させて
遮光マスク20を形成しておく。
ラス基板11上に、スパッタリング蒸着によってクロム、
銅、クロムを順に積層し、三層構造の金属薄膜（膜厚は
5000〜10000Å）を形成し、この金属薄膜をフォトリソ
グラフィ法によってパターンニングしてＸ電極13を形成
する。このとき、スペーサ18を設ける位置に対応させて
遮光マスク20を形成しておく。
【００１４】 続けて、Ｘ電極13を覆うようにガラス基板上に鉛ガラ
スなどの低融点ガラスペーストを塗布し、580℃程度の
温度で低融点ガラスペーストを焼成して誘電体15（厚さ
は20μｍ程度）を形成する。
スなどの低融点ガラスペーストを塗布し、580℃程度の
温度で低融点ガラスペーストを焼成して誘電体15（厚さ
は20μｍ程度）を形成する。
【００１５】 次に、スクリーン印刷法によって誘電体15上の適所に
スペーサ18を点在させて載置し、熱処理を行って誘電体
15を軟化させ、スペーサ18を融着によって固定する。
スペーサ18を点在させて載置し、熱処理を行って誘電体
15を軟化させ、スペーサ18を融着によって固定する。
【００１６】 そして、後述する蒸着装置２を用いて誘電体15を覆う
ようにガラス基板11の表面に酸化マグネシウムからなる
保護膜21を蒸着する。保護膜21は、スペーサ18も上部を
も覆うが、保護膜21の厚みは4000〜6000Åであってスペ
ーサ18の直径（180〜200μｍ）に比べて極めて小さいの
で、放電空間19の間隙寸法にほとんど影響を与えない。
ようにガラス基板11の表面に酸化マグネシウムからなる
保護膜21を蒸着する。保護膜21は、スペーサ18も上部を
も覆うが、保護膜21の厚みは4000〜6000Åであってスペ
ーサ18の直径（180〜200μｍ）に比べて極めて小さいの
で、放電空間19の間隙寸法にほとんど影響を与えない。
【００１７】 その後、保護膜21を蒸着したガラス基板11と、別にＹ
電極14、誘電体15、及び誘電体15を覆う保護膜21を設け
た背面側のガラス基板12とを、各Ｘ電極13と各Ｙ電極14
とが格子状に対向するように重ね合わせ、封止ガラス17
による密封、及びペニングガス30の封入などを行い、PD
P1を完成する。
電極14、誘電体15、及び誘電体15を覆う保護膜21を設け
た背面側のガラス基板12とを、各Ｘ電極13と各Ｙ電極14
とが格子状に対向するように重ね合わせ、封止ガラス17
による密封、及びペニングガス30の封入などを行い、PD
P1を完成する。
【００１８】 第１図は本発明を実施するための蒸着装置２の概略の
構成を示す図である。 蒸着装置２は、チャンバー40と、その内部に設けられ
た電子ビーム加熱型の蒸発源41、ヒーター45、及びカウ
フマン型のイオン銃48などから構成されている。
構成を示す図である。 蒸着装置２は、チャンバー40と、その内部に設けられ
た電子ビーム加熱型の蒸発源41、ヒーター45、及びカウ
フマン型のイオン銃48などから構成されている。
【００１９】 蒸発源41は、熱電子を放出するフィラメント42、蒸発
物質（ターゲット）としてのMgOを収納する耐熱容器
（るつぼ）43、熱電子流EBを偏向してターゲットに導く
磁束発生部44からなり、熱電子流EBのエネルギーによっ
てMgOを加熱して蒸発させる。
物質（ターゲット）としてのMgOを収納する耐熱容器
（るつぼ）43、熱電子流EBを偏向してターゲットに導く
磁束発生部44からなり、熱電子流EBのエネルギーによっ
てMgOを加熱して蒸発させる。
【００２０】 一方、イオン銃48は、Xeガスボンベ50から調圧弁51を
介して流入されるXeをイオン化し、XeのイオンビームIB
を射出する。Xeは、上述したように、Neとともにペニン
グガス30を構成する成分の１つである。
介して流入されるXeをイオン化し、XeのイオンビームIB
を射出する。Xeは、上述したように、Neとともにペニン
グガス30を構成する成分の１つである。
【００２１】 次に、蒸着装置２を用いて行う保護膜21の蒸着につい
て説明する。 まず、誘電体15を設けた後の所定数のガラス基板11又
は12を、誘電体15が蒸発源41と対向するようにチャンバ
ー40内にて固定する。以下ではガラス基板11に対して保
護膜21の蒸着を行うものとする。
て説明する。 まず、誘電体15を設けた後の所定数のガラス基板11又
は12を、誘電体15が蒸発源41と対向するようにチャンバ
ー40内にて固定する。以下ではガラス基板11に対して保
護膜21の蒸着を行うものとする。
【００２２】 次に、図外の真空ポンプによりチャンバー40の排気を
行った後に、一旦、チャンバー40の内部を酸素雰囲気状
態とし、再び排気を行ってチャンバー40内を５×10
-5［Torr］程度の真空状態とする。
行った後に、一旦、チャンバー40の内部を酸素雰囲気状
態とし、再び排気を行ってチャンバー40内を５×10
-5［Torr］程度の真空状態とする。
【００２３】 この真空状態の形成と並行して、又は真空状態が形成
された後に、ヒーター45によってガラス基板11を加熱す
る。 誘電体15の表面温度が150℃程度に達すると、蒸発源4
1を作動させてMgOを蒸発させる。蒸発したMgOは、蒸気
流MBとなってガラス基板11に到達し、誘電体15の表面15
a（被蒸着面）に堆積するように蒸着する。このとき、
堆積速度が毎秒20Åとなるように、蒸発源41の制御を行
う。
された後に、ヒーター45によってガラス基板11を加熱す
る。 誘電体15の表面温度が150℃程度に達すると、蒸発源4
1を作動させてMgOを蒸発させる。蒸発したMgOは、蒸気
流MBとなってガラス基板11に到達し、誘電体15の表面15
a（被蒸着面）に堆積するように蒸着する。このとき、
堆積速度が毎秒20Åとなるように、蒸発源41の制御を行
う。
【００２４】 このようなMgOの蒸着と並行して、イオン銃48に10〜2
0［sccm］の流量でXeガス31を供給し、1000〜1500［e
V］のエネルギーをもつイオンビームIBを誘電体15の表
面15aに向けて照射する。
0［sccm］の流量でXeガス31を供給し、1000〜1500［e
V］のエネルギーをもつイオンビームIBを誘電体15の表
面15aに向けて照射する。
【００２５】 これにより、蒸着中のMgOにXeが吸着し、保護膜15に
予めXeがとり込まれる。 MgOの膜厚が上述の所定値に達して保護膜15の形成が
終了すると、蒸発源41、イオン銃48、及びヒーター45の
作動を停止し、ガラス基板11の温度がある程度下がるの
を待ってチャンバー40内を大気圧に戻し、ガラス基板11
を取り出す。そして、取り出したガラス基板11を後工程
へ送る。
予めXeがとり込まれる。 MgOの膜厚が上述の所定値に達して保護膜15の形成が
終了すると、蒸発源41、イオン銃48、及びヒーター45の
作動を停止し、ガラス基板11の温度がある程度下がるの
を待ってチャンバー40内を大気圧に戻し、ガラス基板11
を取り出す。そして、取り出したガラス基板11を後工程
へ送る。
【００２６】 以上のようにして形成された保護膜15は、放電空間19
にペニングガス30を封入した時点で、ペニングガス30と
接することになるが、保護膜15はその形成の段階で既に
Xeの吸着が飽和状態となっているので、ペニングガス30
中のXeの保護膜15への吸着がほとんど起こらない。
にペニングガス30を封入した時点で、ペニングガス30と
接することになるが、保護膜15はその形成の段階で既に
Xeの吸着が飽和状態となっているので、ペニングガス30
中のXeの保護膜15への吸着がほとんど起こらない。
【００２７】 また、イオンビームIBの照射により、蒸着面が物理的
に清浄化されつつMgOの蒸着が進行するので、保護膜15
の表面は密となる。したがって、ペニングガス30中のNe
の保護膜15への吸着も起こりにくい。
に清浄化されつつMgOの蒸着が進行するので、保護膜15
の表面は密となる。したがって、ペニングガス30中のNe
の保護膜15への吸着も起こりにくい。
【００２８】 実際に、本実施例の保護膜15を設けたPDP1の耐久試験
を行ったところ、表示動作に伴うペニングガス30のガス
成分の経時変化がほとんど無いことが確認できた。
を行ったところ、表示動作に伴うペニングガス30のガス
成分の経時変化がほとんど無いことが確認できた。
【００２９】 上述の実施例によれば、保護膜15に予めXeを吸着させ
ておくことにより、ペニングガス30の成分の内、特に微
量成分であるために、その減少がペニングガス30の組成
変化に大きく影響するXeの保護膜15への吸着を可及的に
抑えることができ、ペニングガス30の組成変化がなく表
示動作が安定であり長寿命のPDP1を得ることができる。
ておくことにより、ペニングガス30の成分の内、特に微
量成分であるために、その減少がペニングガス30の組成
変化に大きく影響するXeの保護膜15への吸着を可及的に
抑えることができ、ペニングガス30の組成変化がなく表
示動作が安定であり長寿命のPDP1を得ることができる。
【００３０】 上述の実施例において、蒸発源41及びイオン銃48の形
式、構造、配置、蒸着の制御条件は適宜変更することが
できる。
式、構造、配置、蒸着の制御条件は適宜変更することが
できる。
【００３１】
請求項１又は請求項２の発明によれば、発光のための
混合ガスの組成変化を抑えることができ、プラズマディ
スプレイパネルの表示動作の安定化及び長寿命化を図る
ことができる。
混合ガスの組成変化を抑えることができ、プラズマディ
スプレイパネルの表示動作の安定化及び長寿命化を図る
ことができる。
【図１】 第１図は本発明を実施するための蒸着装置の概略の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 第２図は本発明に係るPDPの構造を示す要部断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １……PDP（プラズマディスプレイパネル） 19……放電空間、 21……保護膜（蒸着膜） 30……ペニングガス 31……Xeガス（気体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/02
Claims (2)
- 【請求項１】放電空間に充填される主ガスと副ガスとか
らなるペニングガスに接する保護膜を有したプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法であって、 前記副ガスをイオン化して照射しつつ蒸着によって前記
保護膜を形成する ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項２】放電空間に充填されるキセノンを副ガスと
したペニングガスに接する保護膜を有したプラズマディ
スプレイパネルの製造方法であって、 キセノンをイオン化して照射しつつ蒸着によって前記保
護膜を形成する ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14417590A JP3126976B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14417590A JP3126976B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0436924A JPH0436924A (ja) | 1992-02-06 |
| JP3126976B2 true JP3126976B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=15355954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14417590A Expired - Fee Related JP3126976B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3126976B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4715037B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2011-07-06 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2008027608A (ja) | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Advanced Pdp Development Corp | プラズマディスプレイパネル |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP14417590A patent/JP3126976B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0436924A (ja) | 1992-02-06 |
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