JPH0436924A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、発光の
ための混合ガスの組成変化を抑え、プラズマディスプレ
イパネルの表示動作の安定化及び長寿命化を図ることを
目的とし、 放電空間に充填されるペニングガスに接する蒸着膜を有
したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ペニングガスの１成分である気体をイオン化して照
射しつつ、前記蒸着膜の蒸着を行うことを特徴とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関
する。

プラズマディスプレイパネル（Ｆ　Ｄ　Ｐ　）は、薄い
奥行きで大型の表示画面を実現できるため、各種機器の
表示手段として広く利用されつつある。

それ故、より表示品質が安定し且つ長寿命であることが
望まれている。

〔従来の技術〕

周知のように、Ｉ）　Ｄ　Ｐは、表示側及び背面側の一
対の透明基板を放電空間を設けて対向配置し、格ｒ状に
対向する電極の交点で画定される放電セルを選択的に発
光可能に構成されている。

電極の表面には、低融点ガラスなどの誘電体層及び誘電
体を放電によるイオン衝撃から保護する保護膜が設りら
れる。

この保護膜は、放電開始電圧を下げるために２次電子放
出係数の大きな膜とされ、一般に、Ｍｇ０（酸化マグネ
シウム）などの間熱性酸化物の茎着によって形成される
。

また、放電空間には、ペニング効果により低い駆動電圧
で発光を生しる混合ガス、ずなわら、いわゆるペニング
ガスが充填される。

ペニングガスとしては、発光の主体となるＮｅ（ネオン
）に少量のＸｅ（キセノン）を加えた２種の単原子分子
（希ガス）からなる混合ガスが一般に用いられるが、他
にＸｅに代えてＡｒ（アルゴン）を加えたものなど、所
望の発光色やＰ　Ｉ）　Ｐの構造などに応じて種々の組
み合わせの混合ガスが用いられている。

従来においてば、Ｐ　ＩＩ）　ｒｉ）を使用するにつれ
て、ペニングガスを構成する気体分子が放電空間に対し
て露出した保護膜に吸着し、ペニングガスの組成が徐々
に変化する。例えば、上ｉ１のＮｅとＸｅとの混合ガス
をペニングガスとして用いた場合におい“ζ、特に少量
のＸｅが保護膜に吸着すると、ペニングガスの組成は大
きく変化する。

この組成変化のため、表示動作の累積時間が長くなるに
つれて放電開始電圧が上昇し、表示動作が不安定となっ
て表示品質が損なわれるという問題があった。

また、放電開始電圧が所定値を越えると表示動作が不能
となり、このためにＰ　ｌ）　Ｐの寿命が短いという問
題があった。

本発明は、上述の問題に鑑の、発光のための混合ガスの
組成変化を抑え、プラズマディスプレイパネルの表示動
作の安定化及び長寿命化を図ることを目的としている。

〔発明が解決しようとする課題〕

［課題を解決するための手段］ 本発明に係る製造方法は、上述の課題を解決するため、
第１図及び第２図に示すように、放電空間１９に充填さ
れるペニングガス３０に接する奈着膜２１を有したプラ
ズマデイスジ１／イパネル１の製造方法であって、前記
ペニングガス３０の１成分である気体３１をイオン化し
て照射しつつ、前記蒸着膜２１の奈着を行う。

〔作　用］ プラズマディスプレイパネル１の製造が完了した段階で
、放電空間１９に充填されたペニングガス３０と接する
ことになる蒸着膜２１は、ペニングガス３０の成分の１
つである気体３１のイオンの照射を受けつつ蒸着される
。

このイオン照射によって、蒸着中の膜内に気体３１の分
子がとり込まれ、予めガス吸着に対して飽和状態となっ
た蒸着膜２１が形成される。また、蒸着膜２１は、イオ
ンの衝突による物理的な清浄作用、ずなわら、いわゆる
スパンタフリーニング作用を受けつつ形成されるので、
その表面（放電空間１９に対する露出面）が平坦となり
、ガス吸着の起こりにくい性質をもった膜となる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。

第２図は本発明に係るＰ　Ｉ’ｌｌ　Ｐ　］の構造を示
す要部断面図である。

ＰＤＰｌは、表示側のガラス基板１１、背面側のガラス
基板１２、各ガラス基板１１．］、、２の表面に形成さ
れた複数の帯状のＸ電極１３及びＹ電極１４、各電極１
３．１４を覆う誘電体１５と保ａｌ膜２１　、球状のス
ベーナ１８、スベーザ１８で反射した光を遮光する遮光
マスク２０、及び周囲を密封する封止ガラス１７などか
ら構成されている。第２図において、ガラス基板１１の
上面が表示面１１１１となる。

スベーザ１８に、ｌ：って間隙手法が規定された放電空
間１９にば、ＮｅとＸｅとを混合したペニングガス３０
が５００〜６００　［Ｔｏｒｒ］程度の圧力となるよう
に充填されている。Ｐ　Ｉ）　Ｐ　１では、ペニングガ
ス３０中のＸｅの濃度は０．２％以１・とされている。

このようなＩ）　Ｄ　Ｐ　１の製造に際してυＪ、まず
、表示側のガラス基板ｌｌ上に、スパッタリング蒸着に
よってクロム、銅、クロムを順に積層し、層構造の金属
薄膜（膜厚は５０００〜１．００００人）を形成し、こ
の金属薄膜をフォトリソグラフィ法によってパターンニ
ングしてＸ電極１３を形成する。ごのとき、スベーザ１
８を設ける位置に対応させて遮光マスク２０を形成して
おく。

続けて、Ｘ電極１３をＩ貰うようにガラス基板−ｌｘに
鉛ガラスなどの低融点ガラスペーストを塗布し、５８０
°Ｃ程度の温度で低融点ガラスベーストを焼成して誘電
体１５（厚さは２０μｍ程度）を形成する。

次に、スクリーン印刷法によって誘電体１５ｊ：二の適
所にスベーザ１８を点在させて載置し、熱処理を行って
誘電体１５を軟化させ、スベーザ１８を融着によって固
定する。

そして、後述する蒸着装置２を用いて誘電体１５を覆う
ようにガラス基板１１の表面に酸化マグネシウムからな
る保護膜２１を蒸着する。保護膜２１ば、スベーザ１８
も」二部をも覆うが、保護膜２１の厚みは４０００〜６
０００人であっ゛でスベーザ１８の直径（１８０〜２０
０μｍ）に比べて極めて小さいので、放電空間】９の間
隙寸法にほとんど影響を１ｊ、えない。

その後、保護膜２１を茎着したガラス基板１１と、別に
Ｙ電極１４、誘電体１５、及び誘電体１６を覆う保護膜
２１を設けた背面側のガラス基板１２とを、各Ｘ電極１
３と各Ｙ電極１４とが格子状に対向するよ・うに重ね合
わせ、Ｊ：、ｊ止ガラス１７による密封、及びペニング
ガス３０の封入などを行い、ＰＤＰ　１を完成する。

第１図は本発明を実施するための蒸着装置２の概略の構
成を示す図である。

蒸着装置２は、チャンバー４０と、その内部に設けられ
た電子ビーム加熱型の蒸発源４１、ヒーター４５、及び
カウフマン型のイオン銃４８などから構成されている。

蒸発源４１は、熱電子を放出するフィラメント４２、蒸
発物質（ターゲツト）としてのＭｇＯを収納する耐熱容
器（るつぼ）４３、熱電子流Ｅ　Ｂを偏向してターゲツ
トに導く磁束発生部４４からなり、熱電子流ＥＢのエネ
ルギーによってＭ　ｇ　Ｏを加熱して蒸発させる。

一方、イオン銃４８は、Ｘｅガスポンへ５０から調圧弁
５１を介して流入されるＸｅをイオン化し、Ｘｅのイオ
ンビームＩＢを射出する。Ｘｃは、上述したように、Ｎ
ｅとともにペニングガス３０を構成する成分の１つであ
る。

次に、薄着装置２を用いて行う保護膜２１の蒸着につい
て説明する。

まず、誘電体１５を設置Ｊた後の所定数のガラス基板１
１又は１２を、誘電体１５が蒸発ａ４１と対向するよう
にチャンバー４０内にて固定する。

以１ζではガラス基板１１に対して保護膜２１の蒸着を
行うものとする。

次に、図外の真空ポンプによりチャンバー４０の排気を
行った後に、−旦、チャンバー４０の内部を酸素雰囲気
状態とし、再び排気を行ってチャンバー４０内を５　Ｘ
　ｌ　（］　″’［’Ｆｏｒｒ］程度の真空状態とする
。

この真空状態の形成と並行して、又は真空状態が形成さ
れた後に、ヒーター４５によってガラス基板ＩＩを加熱
する。

誘電体１５の表面温度が１５０°Ｃ程度に達すると、蒸
発ａ４１を作動させてＭｇＯを蒸発させる。

蒸発したＭｇＯは、芸気流Ｍ　Ｂとなってガラス２１．
：板１１に到達し、誘電体１５の表面１５ａ　（被蒸着
面）に堆積するように蒸着する。このとき、堆積速度が
毎秒２０人となるように、蒸発７１！４１の制御を行う
。

このようなＭｇＯの蒸着と並行して、イオン銃４８にｌ
　Ｏ〜２０　［ｓ　ｃ　ｃｒｎｌの流量でＸｅガス３１
を供給し、１０００〜１．５００［ｅＶ］のエネルギー
をもつイオンビームＩＢを誘電体１５の表面１５ａに向
けて照射する。

これにより、蒸着中のＭｇＯにＸｅが吸着し、保護膜１
５に予めＸｃがとり込まれる。

ＭｇＯの膜厚が上述の所定値に達し゛ζ保護膜１５の形
成が終了すると、蒸発源４】、イオン銃４８、及びヒー
ター４５の作動を停止し、ガラスノ吉板】１の温度があ
る程度下がるのを待ってチャンバー４０内を大気圧に戻
し、ガラス基板１１を取り出す。そして、取り出したガ
ラス基板１１を後工程へ送る。

以」二のようにして形成された保護膜１５は、放を空間
１９にペニングガス３０を封入した時点で、ペニングガ
ス３０と接することになるが、保護膜１５はその形成の
段階で既にＸｅの吸着が飽和状態となっているので、ペ
ニングガス３０中のＸｅの保護膜１５への吸着がほとん
ど起こらない。

また、イオンビームＩＢの照射により、蒸着面が物理的
に清浄化されつつＭｇＯの茄着が進行するので、保護膜
１５の表面ば密となる。したがって、ペニングガス３０
中のＮｃの保護膜１５への吸着も起ごりにくい。

実際に、本実施例の保護膜１５を設けたＰ　Ｉ）　Ｐｌ
の耐久試験を行ったとごろ、表示動作に伴うペニングガ
ス３０のガス成分の経時変化がほとんど無いことが６Ｍ
′Ｍ忍できた。

上述の実施例によれば、保護膜１５に予めＸ（！を吸着
させておくことにより、ペニングガス３０の成分の内、
特に微量成分であるために、その減少がペニングガス３
０の組成変化に大きく影響するＸｅの保護膜１５−・の
吸着を可及的に抑えるごとができ、ペニングガス３０の
組成変化がなく表示ＩＪ＋作が安定であり長寿命のｉ）
　Ｄ　Ｉ）　１を得ることができる。

上ｉＡＳの実施例において、茎発源４１及びイオン銃４
８の形式、構造、配置、蒸着の制御条件は適宜変更する
ごとができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、発光のための混合ガスの組成変化を抑
えることができ、プラズマディスプレイパネルの表示動
作の安定化及び長寿命化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施するだめの蒸着装置の概略の構成
を示す図、 第２図は本発明に係るＰＤＰの構造を示す要部断面図で
ある。 図において、 １はＦＤＰ（プラズマディスブレイバ不ル）、１９は放
電空間、 ２１は保護膜（蒸着膜）、 ３０はペニングガス、 ３１はＸｅガス（気体）である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）放電空間（１９）に充填されるペニングガス（３
   ０）に接する蒸着膜（２１）を有したプラズマディスプ
   レイパネル（１）の製造方法であって、 前記ペニングガス（３０）の１成分である気体（３１）
   をイオン化して照射しつつ、前記蒸着膜（２１）の蒸着
   を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
   製造方法。