JPH04274127A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH04274127A JPH04274127A JP3596691A JP3596691A JPH04274127A JP H04274127 A JPH04274127 A JP H04274127A JP 3596691 A JP3596691 A JP 3596691A JP 3596691 A JP3596691 A JP 3596691A JP H04274127 A JPH04274127 A JP H04274127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- display panel
- plasma display
- oxide film
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 102100039169 [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 1, mitochondrial Human genes 0.000 description 4
- 101710126534 [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 1, mitochondrial Proteins 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
パネル(PDP)の製造方法に関する。
及び背面側の一対の透明基板を放電空間を設けて対向配
置し、格子状に対向する電極の交点で画定される放電セ
ルを選択的に発光可能に構成されている。放電空間には
、例えばNe(ネオン)に少量のXe(キセノン)を加
えた混合ガスが放電ガスとして充填される。
を行うAC型のPDPでは、電極の表面は低融点ガラス
などの誘電体層で覆われ、さらにその表面には誘電体層
を放電時のイオン衝撃から保護するための耐熱性の保護
膜が設けられる。
るために二次電子放出係数の大きいことが望ましい。こ
のため、保護膜は、MgO(酸化マグネシウム)などの
金属酸化膜とされ、材料となる化合物状態の金属酸化物
を電子ビーム加熱などによって蒸発させて誘電体層の表
面に結晶成長の形で堆積させる手法、いわゆる蒸着法に
よって形成される。
組成の上で酸素が不足することが知られている。このた
め、従来においては、蒸着を酸素雰囲気中で行っていた
。つまり、蒸着チャンバー内を所定の真空状態とした後
、酸素ガスを導入した状態で金属酸化物を蒸発させてい
た。
膜(金属酸化膜)の蒸着に際して、膜形成の条件となる
蒸着チャンバー内の酸素分圧を一定に保つことが困難で
あった。このため、金属酸化膜の組成及び結晶成長の向
きなどの膜質が不均一となり、放電特性にばらつきが生
じて表示動作が不安定となったり、PDPの寿命が短く
なるという問題があった。
影響を与える金属酸化膜の膜質を均一化することによっ
て、表示動作の安定化及びプラズマディスプレイパネル
の長寿命化を図ることを目的としている。
、上述の課題を解決するため、図1及び図2に示すよう
に、放電空間19と接する電極基板11,12の表面に
金属酸化膜21を有したプラズマディスプレイパネル1
の製造方法であって、金属21aを蒸発させつつ、膜形
成面15aに対して酸素21bのイオンビームIBを照
射するイオンアシスト蒸着法によって前記金属酸化膜2
1を形成する工程を含む。
イオンビームIBがイオン照射される。蒸気状態の金属
21aと酸素21bとが膜形成面15a上で化合し、こ
これにより膜質の均一な金属酸化膜21が形成される。
部断面図である。
面側のガラス基板12、各ガラス基板11,12の表面
に形成された複数の帯状のX電極13及びY電極14、
各電極13,14を覆う誘電体15と保護膜21、球状
のスペーサ18、スペーサ18で反射した光を遮光する
遮光マスク20、及び周囲を密封する封止ガラス17な
どから構成されている。図2において、ガラス基板11
の上面が表示面11Hとなる。
た放電空間19には、NeとXeとを混合した放電ガス
30が500〜600[Torr]程度の圧力となるよ
うに充填されている。
ず、表示側のガラス基板11上に、スパッタリング蒸着
によってクロム、銅、クロムを順に積層し、三層構造の
金属薄膜(膜厚は5000〜10000Å)を形成し、
この金属薄膜をフォトリソグラフィ法によってパターン
ニングしてX電極13を形成する。このとき、スペーサ
18を設ける位置に対応させて遮光マスク20を形成し
ておく。
板上に鉛ガラスなどの低融点ガラスペーストを塗布し、
580℃程度の温度で低融点ガラスペーストを焼成して
誘電体15(厚さは20μm程度)を形成する。
5上の適所にスペーサ18を点在させて載置し、熱処理
を行って誘電体15を軟化させ、スペーサ18を融着に
よって固定する。
体15を覆うようにガラス基板11の表面に酸化マグネ
シウムからなる保護膜21を蒸着する。保護膜21は、
スペーサ18の上部をも覆うが、保護膜21の厚みは4
000〜6000Åであってスペーサ18の直径(80
〜100μm)に比べて極めて小さいので、放電空間1
9の間隙寸法にほとんど影響を与えない。
11と、別にY電極14、誘電体15、及び保護膜21
を設けた背面側のガラス基板12とを、各X電極13と
各Y電極14とが格子状に対向するように重ね合わせ、
封止ガラス17による密封、及び放電ガス30の封入な
どを行ってPDP1を完成する。
成を示す図である。
部に設けられた電子ビーム加熱型の蒸発源41、ヒータ
ー45、及び冷陰極型のイオン銃48などから構成され
ている。
ント42、蒸発物質(ターゲット)としての粉末状のマ
グネシウム(Mg)21aを収納する耐熱容器(るつぼ
)43、熱電子流EBを偏向してターゲットに導く磁束
発生部44からなり、熱電子流EBのエネルギーによっ
てマグネシウム21aを加熱して蒸発させる。
ら調圧弁51を介して流入される酸素ガス21bをイオ
ン化し、酸素のイオンビームIBを射出する。
の蒸着について説明する。
ラス基板11又は12を、誘電体15が蒸発源41と対
向するようにチャンバー40内にて固定する。以下では
ガラス基板11に対して保護膜21の蒸着を行うものと
する。
40の排気を行い、チャンバー40内を5×10−5[
Torr]程度の真空状態とする。この真空状態の形成
と並行して、又は真空状態が形成された後に、ヒーター
45の熱輻射によってガラス基板11を加熱する。
すると、蒸発源41を作動させてマグネシウム21aを
蒸発させる。これと並行して、イオン銃48に一定の流
量で酸素ガス21bを供給し、500〜1500[eV
]のエネルギーをもつイオンビームIBを誘電体15の
表面(膜形成面)15aに向けて照射する。このとき、
照射イオン電流値は例えば50〜200[mA]程度と
される。
板11に到達したマグネシウム21aと、イオンビーム
IBとして入射した酸素イオンとが化合して酸化マグネ
シウムとなって膜形成面15a上に堆積する。このとき
、堆積速度が毎秒20Åとなるように、蒸発源41及び
調圧弁51の制御を行う。
に達して保護膜15の形成が終了すると、蒸発源41、
イオン銃48、及びヒーター45の作動を停止し、ガラ
ス基板11の温度がある程度下がるのを待ってチャンバ
ー40内を大気圧に戻し、ガラス基板11を取り出す。 そして、取り出したガラス基板11を後工程へ送る。
形成面に供給する場合には、従来のようにチャンバー内
に単に酸素を導入する場合に比べて、膜形成面の近傍の
酸素密度を一定化することが容易である。したがって、
イオンアシスト蒸着法によって形成された保護膜15は
、その組成及び結晶構造の上で膜質が均一となる。
式、イオンエネルギー、照射イオン電流、イオン束密度
などのイオン照射条件、蒸発源41の形式、チャンバー
40の構造、蒸発の制御条件は、ガラス基板11,12
の大きさや数などに応じて適宜選定することができる。
化膜の膜質を均一化することができ、表示動作の安定化
及びプラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ること
ができる。
ある。
ある。
2 ガラス基板(電極基板)19 放電空間 15a 膜形成面 21 保護膜(金属酸化膜) 21a マグネシウム(金属) 21b 酸素ガス(酸素) IB イオンビーム
Claims (1)
- 【請求項1】放電空間(19)と接する電極基板(11
)(12)の表面に金属酸化膜(21)を有したプラズ
マディスプレイパネル(1)の製造方法であって、金属
(21a)を蒸発させつつ、膜形成面(15a)に対し
て酸素(21b)のイオンビーム(IB)を照射するイ
オンアシスト蒸着法によって前記金属酸化膜(21)を
形成する工程を含むことを特徴とするプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3596691A JP3044072B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3596691A JP3044072B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04274127A true JPH04274127A (ja) | 1992-09-30 |
JP3044072B2 JP3044072B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=12456690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3596691A Expired - Lifetime JP3044072B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3044072B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594766A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | ガス放電表示素子の製造方法 |
KR100459883B1 (ko) * | 1998-07-22 | 2005-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 보호층 형성방법 |
CN108565132A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-09-21 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种具有金属氧化物纳米结构的纤维材料及其制备方法 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3596691A patent/JP3044072B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594766A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | ガス放電表示素子の製造方法 |
KR100459883B1 (ko) * | 1998-07-22 | 2005-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 보호층 형성방법 |
CN108565132A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-09-21 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种具有金属氧化物纳米结构的纤维材料及其制备方法 |
CN108565132B (zh) * | 2018-05-15 | 2019-09-27 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种具有金属氧化物纳米结构的纤维材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3044072B2 (ja) | 2000-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3149249B2 (ja) | Ac型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
JPH08287833A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
US8163085B2 (en) | Method and apparatus for forming protective layer | |
JP2793532B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2000001771A (ja) | 誘電体保護層の製造方法とその製造装置、並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネルと画像表示装置 | |
JP3044072B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
EP0000274B1 (en) | Gas discharge display memory panel | |
JP3015093B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP3126976B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
EP1763060A1 (en) | Image display unit and production method for image display unit | |
JP4249330B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 | |
US3764367A (en) | Television picture tube having an electron scattering prevention film | |
JP3207842B2 (ja) | Ac型プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP3775851B2 (ja) | 蒸着装置、保護膜製造方法 | |
JPH11135023A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP4788227B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2000215799A (ja) | Ac型プラズマディスプレイパネルの製造方法及び特性改善方法 | |
JPH09209131A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP2004031276A (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
JP2007026794A (ja) | 保護層用原材料 | |
JP2004273364A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JPH05182608A (ja) | 電界放出型電子管 | |
JP2010037608A (ja) | 成膜材料 | |
JP2008019473A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法および製造装置 | |
JP2809235B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示パネルの発光膜の成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000222 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313131 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090310 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090310 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |