JP2009093951A - 封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】エージングの時間を短縮してスループットを向上させることができる封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】背面基板2の内面に、紫外線硬化性樹脂からなる封着材20を塗布する塗布工程と、封着材20の内部に未硬化部分を残しつつ封着材20の少なくとも表面を硬化させるアッシング工程(仮硬化工程)と、背面基板2の内面に前面基板1を貼り合わせる封着工程と、を備え、アッシング工程では、背面基板2の内面側にプラズマアッシングを行い、このプラズマアッシング時に放出される紫外線により封着材20の少なくとも表面を硬化させて仮硬化膜20aを形成することを特徴とする。
【選択図】図5

Description

本発明は、封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法に関するものである。
従来から、プラズマディスプレイパネル(以下「PDP」という。)は表示装置の分野で広く利用されており、最近では大画面で高品質かつ低価格のPDPが要求されている。
PDPは、前面基板と背面基板とが封着材を介して貼り合わされ、内部に放電ガスが封入されたものである。PDPとして、前面基板に維持電極および走査電極が形成され、背面基板にアドレス電極が形成された3電極面放電型が主流となっている。走査電極とアドレス電極との間に電圧を印加して放電を発生させると、封入された放電ガスがプラズマ化して紫外線が放出される。この紫外線により、背面基板に形成された蛍光体が励起されて、可視光が放出されるようになっている。
この種のPDPにあっては、前面基板側の維持電極および走査電極上に誘電体膜が形成されており、さらにこの誘電体膜を保護するために、例えばMgOからなる保護膜が形成されている。この構成によれば、放電維持のために維持電極および走査電極に交流電圧を印加すると、放電ガスのプラズマ化により発生した陽イオンが前面基板に入射するが、維持電極および走査電極とそれら電極上の誘電体を保護膜により保護することができる。
ところで、両基板の封着材として、従来は低融点ガラスが採用されていたが、近時では樹脂材料を採用する技術が提案されている。封着材として樹脂材料を採用することで、パネル封着時の加熱条件および冷却条件が緩和されるため、パネル製造時間を大幅に短縮することが可能になる。
一方、封着材として樹脂材料を採用すると、パネル封着時の加熱により、樹脂材料自体または樹脂材料に含まれる水分や不純物ガスが、パネル内部に放出される虞がある。
ここで、前記保護膜は、パネル封着時に封着材から放出される水分や不純物ガスを吸着しやすい性質を有する。これにより、PDPの放電電圧が上昇するという問題がある。
そこで、例えば特許文献1に示すように、各基板を封着する封着材として紫外線硬化性樹脂材料を用いる技術が提案されている。この構成によれば、紫外線照射によって両基板を封着することが可能になり、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着材からの水分や不純物ガスの放出を低減させた上で、パネルの製造時間を短縮することができるとされている。
特開2002−75197号公報
両基板の封着は放電ガスを充填した封着室内で行うため、封着前に背面基板が配置された室内(仕込室内または封着室内)を真空排気する必要がある。この真空排気により、紫外線硬化性樹脂自体または紫外線硬化性樹脂に含まれる水分や不純物ガスが室内に放出され、室内や背面基板表面に付着してこれらが汚染されてしまうという問題がある。さらに両基板を封着する際に、背面基板から離脱した水分や不純物ガス等が、前面基板の保護膜に付着してしまい、前面基板も汚染されてしまうという問題がある。その結果、PDPのエージングに時間を要することになるという問題がある。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、エージングの時間を短縮してスループットを向上させることができる封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法を提供するものである。
上記目的を達成するため、本発明に係る封着パネルの製造方法は、第1基板および第2基板が、封着材を介して貼り合わされた封着パネルの製造方法であって、前記第2基板における前記第1基板との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる前記封着材を塗布する塗布工程と、前記封着材の内部に未硬化部分を残しつつ、前記封着材の少なくとも表面を硬化させる仮硬化工程と、前記第2基板の前記対向面に前記第1基板を貼り合わせる封着工程と、を備え、前記仮硬化工程では、前記第2基板の前記対向面側から紫外線照射を行い前記封着材の少なくとも表面を硬化させることを特徴とする。
この構成によれば、紫外線照射を行い封着材の少なくとも表面を硬化させることで、その内部に封着材の未硬化部分が閉じ込められることとなり、封着前に封着材自体または封着材中に含まれる水分や不純物ガスが放出されることを防ぐことができる。したがって、水分や不純物ガス等により室内や両基板が汚染されることを防ぐことができる。なお封着工程では、封着材の内部に閉じ込められた未硬化部分により第1基板と第2基板とを封着することができる。また上述したように、封着材に紫外線硬化性樹脂を用いることで、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができる。したがって、スループット向上および省エネルギーを実現することができる。
また、第1基板および第2基板が、封着材を介して貼り合わされた封着パネルの製造方法であって、前記第2基板における前記第1基板との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる前記封着材を塗布する塗布工程と、前記封着材の内部に未硬化部分を残しつつ、前記封着材の少なくとも表面を硬化させる仮硬化工程と、前記第2基板の前記対向面に前記第1基板を貼り合わせる封着工程と、を備え、前記仮硬化工程では、前記第2基板をプラズマ処理し、このプラズマ処理時に放出される紫外線により前記封着材の少なくとも表面を硬化させることを特徴とする。
この構成によれば、プラズマ処理時に放出される紫外線により、封着材の少なくとも表面を硬化させることで、その内部に封着材の未硬化部分が閉じ込められることとなり、封着前に封着材自体または封着材中に含まれる水分や不純物ガスが放出されることを防ぐことができる。したがって、水分や不純物ガス等により室内や両基板が汚染されることを防ぐことができる。なお封着工程では、封着材の内部に閉じ込められた未硬化部分により第1基板と第2基板とを封着することができる。また上述したように、封着材に紫外線硬化性樹脂を用いることで、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができる。
加えて、第2基板をプラズマ処理するため、封着材の仮硬化前に封着材自体または封着材中に含まれる水分や不純物ガスが放出された場合であっても、その水分や不純物ガス等による室内や第2基板の汚染を同時に除去することができる。したがって、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができるため、スループット向上および省エネルギーを実現することができる。
また、前記プラズマ処理は酸素ガスを導入して行う酸素プラズマアッシングであることを特徴とする。
この構成によれば、プラズマ処理として酸素ガスを導入した酸素プラズマアッシングを行うことで、励起された酸素により封着材から放出される水分や不純物ガス等を酸化させ、例えば各基板上や室内の汚染を効率的に除去することができる。
一方、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、上記封着パネルの製造方法を用いたことを特徴とする。
この構成によれば、スループット向上および省エネルギーを実現した低コストなプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
本発明によれば、封着材の少なくとも表面を硬化させることで、その内部に封着材の未硬化部分が閉じ込められることとなり、封着前に封着材自体または封着材中に含まれる水分や不純物ガスが放出されることを防ぐことができる。したがって、水分や不純物ガス等により室内や両基板汚染されることを防ぐことができる。なお封着工程では、封着材の内部に閉じ込められた未硬化部分により第1基板と第2基板とを封着することができる。また上述したように、封着材に紫外線硬化性樹脂を用いることで、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができる。したがって、スループット向上および省エネルギーを実現することができる。
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
なお、本明細書において基板の「内面」とは、当該基板の両表面のうち、当該基板と対をなす基板との対向面をいうものとする。
(プラズマディスプレイパネル)
図1は、3電極AC型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。このプラズマディスプレイパネル(以下「PDP」という。)100は、対向配置された背面基板2および前面基板1と、両基板1,2の間に形成された複数の放電室16とを備えている。
前面基板1の内面には、所定の間隔でストライプ状に表示電極12(走査電極12aおよび維持電極12b)が形成されている。この表示電極12は、ITO等の透明導電性材料とバス電極によって構成されている。この表示電極12を覆うように誘電体層13が形成され、その誘電体層13を覆うように保護膜14が形成されている。この保護膜14は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層13を保護するものであり、MgOやSrO等のアルカリ土類金属の酸化物によって構成されている。
一方、背面基板2の内面には、所定の間隔でストライプ状にアドレス電極11が形成されている。このアドレス電極11は、前記表示電極12と直交する方向に配置されている。このアドレス電極11と表示電極12との交点が、PDP100の画素になっている。
そのアドレス電極11を覆うように、誘電体層19が形成されている。また、隣接するアドレス電極11の間における誘電体層19の上面には、アドレス電極11と平行に隔壁(リブ)15が形成されている。さらに、隣接する隔壁15の間における誘電体層19の上面および隔壁15の側面に、蛍光体17が配設されている。この蛍光体17は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するものである。
図2(a)は、PDPの平面図である。上述した前面基板1と背面基板2とが、両基板1,2間の周縁部に配置された封着材20により貼り合わされている。
図2(b)は、図2(a)のA−A線における側面断面図である。図2(b)に示すように、前面基板1と背面基板2とが貼り合わされることにより、隣接する隔壁15の間に放電室16が形成されている。この放電室16の内部には、NeおよびXeの混合ガス等の放電ガスが封入されている。
そして、アドレス電極11と走査電極12aとの間に直流電圧を印加して対向放電を発生させ、さらに走査電極12aと維持電極12bとの間に交流電圧を印加して面放電を発生させる。すると、放電室16内に封入された放電ガスがプラズマ化して、真空紫外線が放射される。この紫外線によって蛍光体17が励起され、可視光が前面基板1から放出されるようになっている。
(封着材)
上述した封着材20の材料として、水分や不純物ガスの放出が少なく、パネル貼り合わせ強度を確保することが可能な材料を採用する必要がある。このような材料として、本実施形態では封着時に加熱を必要とせず、常温下で紫外線を照射することにより粘度が向上して硬化する紫外線硬化性樹脂を用いている。この紫外線硬化性樹脂として、エポキシ材料等が好適に用いられる。
(PDPの製造方法)
次に、本発明の封着パネルの製造方法として、PDPの製造方法について説明する。図3は、第1実施形態に係るPDPの製造方法のフローチャートである。PDPの製造工程は、パネル工程(S50)と、モジュール・セット工程(S52)との2つに大きく分けられる。そのパネル工程(S50)は、前面基板工程(S60)と、背面基板工程(S70)と、パネル化工程(S80)との3つに分けられる。
前面基板工程(S60)では、まず表示電極12となる透明電極を形成する(S62)。具体的には、ITOやSnO等の透明導電膜をスパッタ法等で形成し、パターニングして表示電極12を形成する。次に、透明導電膜からなる表示電極12の電気抵抗を低減するため、金属材料からなる補助電極(バス電極)をスパッタ法等により形成する(S63)。次に、各電極の保護と壁電荷の形成を目的として、誘電体層13を印刷法等により厚さ20〜40μmに形成し、焼成する(S64)。次に、誘電体層13の保護と二次電子放出効率の向上のため、保護膜14を電子ビーム蒸着法等により厚さ700〜1200nmに形成する(S66)。
図4は、PDPの製造装置のブロック図である。PDPの製造装置50は、前面基板ライン60の後端、背面基板ライン70の後端およびパネル化ライン80の前端が、搬送室55に接続されたものである。このPDPの製造装置50は、図3に示すPDPの製造プロセスのうち二点鎖線で囲われた範囲50を、真空中または制御された雰囲気中で連続して実施する真空一貫装置である。
前面基板ライン60には、誘電体層13までが形成された前面基板1を受け入れる前面板仕込室(真空排気室)61と、前面基板1を150〜350℃程度に加熱する加熱室62と、電子ビーム蒸着法により保護膜14を形成する成膜室64と、保護膜14を形成した後の前面基板1を一時的に待機させるバッファ室66とが設けられている。
一方、図3に示す背面基板工程(S70)では、Ag、Cr/Cu/CrまたはAlからなるアドレス電極11を形成する(S72)。次に、アドレス電極11を保護するため誘電体層19を形成する(S74)。次に、放電空間および蛍光体17の発光面積を増加させるため、隔壁15をサンドブラスト法等によって形成する(S75)。サンドブラスト法は、隔壁15の材料となるガラスペーストを基板上に塗布し、乾燥後にマスク材をパターニングし、アルミナやガラスビーズ等の研磨剤を高圧で吹き付けることにより、所定形状の隔壁15を形成する方法である。次に、スクリーン印刷法等により蛍光体17を塗布し、乾燥後に約500℃程度で焼成する(S76)。次に、背面基板2の内面に封着材20を塗布する(S77)。
また、図4に示すように、背面基板ライン70は、封着材20が塗布された背面基板2を受け入れる背面板仕込室(真空排気室)76と、背面基板2にアッシングを行うアッシング室78とが設けられている。なおアッシング室78を設けずに、背面板仕込室(真空排気室)76において背面基板2にアッシングを行うようにしてもよい。
(封着方法)
図5は、本実施形態の封着方法を示す工程図である。なお、図5においては、説明を分かり易くするため、各基板1,2上に形成される電極や保護膜等を省略し、各基板1,2と封着材20のみを示す。
まず、図5(a)に示すように、背面基板2の内面に封着材20を塗布する(塗布工程)。具体的には、ニードルディスペンス法やスクリーン印刷法等により、硬化前の紫外線硬化性樹脂を背面基板2の周縁部に連続的に塗布していく。
次に、封着材20が塗布された背面基板2を、図4に示す製造装置50の背面板仕込室76に搬入して、背面板仕込室76を真空排気する(S78:真空排気工程)。具体的には、背面板仕込室76内を1×10−4Pa以下程度まで減圧する。
ところで、上述の真空排気工程では、封着材20を構成する樹脂材料が封着材20から蒸発するとともに、封着材20に含まれる水分や不純物ガス(HやN、CO、CO等)が封着材20から離脱する。封着材20から離脱した水分や不純物ガスは、背面板仕込室76に滞留して背面基板2の内面に付着したり、背面基板2の搬送先である封着室82内に付着したりする場合がある。
そこで、背面基板2を背面板仕込室76からアッシング室78に搬送し、図5(b)に示すように背面基板2の表面(内面)にプラズマ処理を施す(アッシング工程(仮硬化工程))。具体的には、1×10−3Pa程度にまで減圧されたアッシング室78内にOガスを導入して、プロセス圧力を0.5〜1Paとして、出力20W程度で20分程度の酸素プラズマアッシングを行う。このように酸素プラズマアッシングを行うことで、アッシング室78内及び背面基板2の内面に付着した水分や不純物ガス等が、プラズマにより励起されたOガスにより酸化されて除去されるため、アッシング室78内及び背面基板2の内面を清浄化することができる。なお、アッシング工程で導入されるガスはOガスに限られず、HガスやNガス、Arガス等であってもよい。
また、酸素プラズマアッシングを行うと、アッシング室78内に紫外線が放出される。この紫外線が背面基板2の内面に塗布された封着材20に照射され、図5(b)に示すように封着材20の表面のみが硬化され、封着材20の表面に仮硬化膜20aが形成される。つまり、封着材20の表面は、仮硬化膜20aにより覆われるため、封着材20の内部は未硬化の液状体のまま閉じ込められることとなる。
ここで、仮硬化膜20aは、少なくとも封着材20の表面全面が硬化して封着材20の液状体が溢れ出ない程度の厚さに形成することが好ましい。
プラズマアッシング後に、アッシング室78内を1×10−4Pa以下程度まで減圧して、アッシング室78内に残存する水分や不純物ガス等を除去する。
図3に戻り、上述した前面基板1および背面基板2を貼り合わせるパネル化工程を行う(S80)。パネル化工程では、まず封着室82内を1×10−4Pa以下程度まで減圧する真空排気工程(S81)を経た後、封着室82(図4参照)内に放電ガスを導入する放電ガス導入工程(S82)を行い、その後両基板のアライメント工程(S83)と、封着工程(S84)とを行う。なお必要な場合には、短時間のエージング工程(S86)を行う。また、アライメント工程後に放電ガスを導入してもよい。
パネル化工程では、図4に示すように、保護膜14が形成された前面基板1と、アッシング室78内でアッシングされた背面基板2が、真空中または制御された雰囲気中に保持されたままの状態で、搬送室55を介して封着室82に搬送される。そして、封着後のパネルは、取出室84へ搬送されて取り出されることとなる。
放電ガス導入工程では、減圧された製造装置50内にNeおよびXeの混合ガス等の放電ガスを導入する。次に、アライメント工程では、真空槽の大気側に設置したCCDカメラにより前面基板1および背面基板2のアライメントマークを読み取り、両基板1,2の位置合わせを行う。
そして、封着工程では、位置合わせした両基板1,2を貼り合わせる。
この時、図5(c)に示すように、両基板1,2を重ね合わせることで、上述した仮硬化膜20a内に閉じ込められた封着材20の液状体が、例えば仮硬化膜20aの縁から溢れ出る。溢れ出た封着材20の液状体は、まず背面基板2の内面の周縁部に濡れ広がり、前面基板1の周縁部に付着する。
そして、両基板1,2の周縁部に均一に濡れ広がった時点で紫外線を照射し、封着材20を硬化させる。例えば、波長365nmの紫外線照射装置を用いて、6W・s/cmの条件で紫外線を照射する。これにより、封着材20により両基板1,2が封着される。なお、アッシング室78を別途に設けず、封着室82にてプラズマアッシングを行い、アッシング終了後に封着室82に放電ガスを充填して両基板1,2を封着してもよい。
本願の発明者は、従来方法で作成したPDPおよび本実施形態の方法で作成したPDPにつき、エージング試験を行った。
図6,7は、従来方法で作製したPDPのエージング試験の結果を示すグラフであり、図8は、本実施形態の方法で作製したPDPのエージング試験の結果を示すグラフであり、ともに横軸がエージング時間(min)、縦軸が放電電圧(V)を示している。従来技術に係るPDPの製造方法では、大気中で封着材を塗布し、真空排気した後に、酸素プラズマアッシングを行うことなく封着している。なお、真空排気時間が5時間の場合を図6に示し、5分間の場合を図7に示している。これらに対して、本実施形態に係る封着パネルの製造方法では、大気中で封着材を塗布した後、5時間真空排気し、出力10W、20分間の酸素プラズマアッシングを行い、さらに3分間排気している。また、PDPの保護膜としてMgOを400nm成膜し、放電ガスとしてNe−4%Xeを400Torr導入した。なお、本試験に用いた基板は、いずれも70mm×50mmのガラス基板である。
なお、Vf1は第1セルの放電開始電圧であり、Vfnは最終セルの放電開始電圧である。また、Vs1は第1セルの放電維持電圧であり、Vsnは最終セルの放電維持電圧である。
まず、図6と図7とにおいて、真空排気時間の違いによるエージング時間への影響を比較すると、図6に示すように封着材塗布後に5時間真空排気を行った場合、エージング開始前の放電開始電圧Vfおよび放電維持電圧Vsがともに図7に比べ高く、電圧が安定するまでに約30分を要している。一方、図7に示すように封着材塗布後に5分間真空排気を行ったものに関しては、5分程度で電圧が安定していることがわかる。これは、5時間の真空排気によって封着材自体または封着材内に含まれる水分や不純物ガスが放出されるが、それら水分や不純物ガス等がPDPの製造装置(例えば、背面板仕込室)内及び背面基板の表面に付着してしまい、封着時にパネル内に混入されたことが考えられる。
次に、従来方法で作成したPDPと本実施形態の方法で作成したPDPとでエージング時間の影響を比較すると、図8に示すように、本実施形態の方法で作成したPDPにおいては、図6に示す従来方法に比べ、エージング開始前の放電開始電圧Vfおよび放電維持電圧Vsがともに低くなっており、また30秒程度で放電電圧が安定していることがわかる。
これは、5時間の真空排気により封着材内から放出されて室内や背面基板に付着した水分や不純物ガス等が、酸素プラズマアッシングにより除去されたからであると考えられる。また、酸素プラズマアッシング時に放出される紫外線により封着材の表面が仮硬化され、封着材の液状体が仮硬化膜によって内部に閉じ込められたため、封着前における水分や不純物ガス等の放出が抑制されたからであると考えられる。
以上に詳述したように、本実施形態におけるPDPの製造方法では、背面基板2の内面に、紫外線硬化性樹脂からなる封着材20を塗布する塗布工程と、封着材の内部に未硬化部分を残しつつ、封着材20の少なくとも表面を硬化させるアッシング工程(仮硬化工程)と、背面基板2の内面側に前面基板1を貼り合わせる封着工程と、を備え、アッシング工程では、背面基板2の内面側に酸素プラズマアッシングを行い、この酸素プラズマアッシング時に放出される紫外線により封着材20の少なくとも表面を硬化させる構成とした。
この構成によれば、仮硬化工程において、酸素プラズマアッシング時に放出される紫外線により、封着材20の少なくとも表面を硬化させて仮硬化膜20aを形成することで、その内部に封着材20の未硬化部分が液状体として閉じ込められることとなり、封着前に封着材20自体または封着材20中に含まれる水分や不純物ガスが放出されることを防ぐことができる。したがって、製造中に水分や不純物ガス等により室内や両基板1,2が汚染されることを防ぐことができる。なお封着工程では、仮硬化膜20aの内部に閉じ込められた封着材20の液状体が溢れ出すことにより前面基板1と背面基板2とを封着することができる。
また、封着材20に紫外線硬化性樹脂を用いることで、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができる。
加えて、アッシング工程時に放出される紫外線により封着材20を硬化させるため、封着材20の仮硬化前に封着材20自体または封着材20中に含まれる水分や不純物ガス放出された場合であっても、その水分や不純物ガス等によりアッシング室78や背面基板2の汚染も同時に除去することができる。したがって、封着工程でのパネル内部の清浄化を不要にすることが可能になるとともに、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができるため、スループット向上および省エネルギーを実現して低コストのPDPを製造することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図9は、第2実施形態に係るPDPの製造方法のフローチャートである。
上述の第1実施形態においては、プラズマアッシング時に放出される紫外線により封着材の表面を仮硬化させたが、第2実施形態では、プラズマアッシングを行うことなく紫外線照射することにより封着材を仮硬化させる点で相違している。なお、第1実施形態と同様の部分については、その詳細な説明を省略する。
図9に示すように、封着材塗布工程(S77)において、背面基板2の内面に封着材20を塗布した後、仮硬化工程(S73)において、背面基板2の内面側から紫外線照射を行う。例えば、波長365nmの紫外線照射装置を用いて、常温下の大気中で1.2W・s/cmの条件(封着材20全体を硬化させる場合の1/5程度の出力)で紫外線を照射し、封着材20の少なくとも表面が硬化された仮硬化膜20a(図5(b)参照)を形成する。これにより、上述の第1実施形態と同様に、封着材20の表面は、仮硬化膜20aにより覆われるため、仮硬化膜20aの内部に封着材20が液状体のまま閉じ込められることとなる。
そして、仮硬化膜20aを形成した状態で製造装置50に搬送して、真空中または制御された雰囲気中で第1実施形態と同様のパネル化工程を行う。なお、本実施形態においては、図4に示す製造装置50にアッシング室78は設けなくともよい。
したがって、上述の実施の形態によれば、背面基板2の内面に、紫外線硬化性樹脂からなる封着材20を塗布する塗布工程と、封着材20の内部に未硬化部分を残しつつ、封着材20の少なくとも表面を硬化させる仮硬化工程と、背面基板2の内面に前面基板1を貼り合わせる封着工程と、を備え、仮硬化工程では、背面基板2の内面側から紫外線照射を行い少なくとも封着材20の表面を硬化させる構成とした。
この構成によれば、上述の第1実施形態と同様の効果を奏することに加え、背面基板2を製造装置50に搬入する前に封着材20の表面を仮硬化させるため、封着材20の液状体が内部に閉じ込められた状態で背面基板2が製造装置50に搬入されることとなる。そのため、製造装置50の背面板仕込室76内で真空排気を行っても、封着材20自体または封着材20中に含まれる水分や不純物ガス等が、背面板仕込室76内に放出されることを防ぐことができる。したがって、水分や不純物ガス等により製造装置50の室内や両基板1,2が汚染されることを防ぐことができる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
また、上記実施形態では本発明をプラズマディスプレイパネルに適用したが、本発明を電界放出ディスプレイパネルに適用することも可能である。電界放出ディスプレイパネルは、画素ごとに配置された電子放出源(エミッター)から真空中に電子を放ち、蛍光体にぶつけて発光させるものである。電界放出ディスプレイパネルとして、突起状の電子放出素子を備えたFED(Field Emission Display)や、表面伝導型の電子放出素子を備えたSED(Surface−Conduction Electron−Emitter Display)等が挙げられる。この電界放出ディスプレイパネルに本発明を適用した場合でも、エージング時間を短縮することが可能であり、また放電電圧の上昇を抑制することが可能である。
3電極AC型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。 (a)はPDPの平面図であり、(b)は(a)のA−A線における側面断面図である。 第1実施形態に係るPDPの製造方法のフローチャートである。 PDPの製造装置のブロック図である。 封着工程を示す工程図である。 従来におけるPDPのエージング試験の結果を示すグラフである。 従来におけるPDPのエージング試験の結果を示すグラフである。 本発明におけるPDPのエージング試験の結果を示すグラフである。 第2実施形態に係るPDPの製造方法のフローチャートである。
符号の説明
1…前面基板 2…背面基板 20…封着材 S66…保護膜形成工程 S73… 仮硬化工程 S79…アッシング工程(仮硬化工程) S77…封着材塗布工程 S84…封着工程

Claims (4)

  1. 第1基板および第2基板が、封着材を介して貼り合わされた封着パネルの製造方法であって、
    前記第2基板における前記第1基板との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる前記封着材を塗布する塗布工程と、
    前記封着材の内部に未硬化部分を残しつつ、前記封着材の少なくとも表面を硬化させる仮硬化工程と、
    前記第2基板の前記対向面に前記第1基板を貼り合わせる封着工程と、を備え、
    前記仮硬化工程では、前記第2基板の前記対向面側から紫外線照射を行い前記封着材の少なくとも表面を硬化させることを特徴とする封着パネルの製造方法。
  2. 第1基板および第2基板が、封着材を介して貼り合わされた封着パネルの製造方法であって、
    前記第2基板における前記第1基板との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる前記封着材を塗布する塗布工程と、
    前記封着材の内部に未硬化部分を残しつつ、前記封着材の少なくとも表面を硬化させる仮硬化工程と、
    前記第2基板の前記対向面に前記第1基板を貼り合わせる封着工程と、を備え、
    前記仮硬化工程では、前記第2基板をプラズマ処理し、このプラズマ処理時に放出される紫外線により前記封着材の少なくとも表面を硬化させることを特徴とする封着パネルの製造方法。
  3. 前記プラズマ処理は、酸素ガスを導入して行う酸素プラズマアッシングであることを特徴とする請求項2記載の封着パネルの製造方法。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の封着パネルの製造方法を用いたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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