JP2009238718A - プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009238718A JP2009238718A JP2008117461A JP2008117461A JP2009238718A JP 2009238718 A JP2009238718 A JP 2009238718A JP 2008117461 A JP2008117461 A JP 2008117461A JP 2008117461 A JP2008117461 A JP 2008117461A JP 2009238718 A JP2009238718 A JP 2009238718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma display
- display panel
- sealing
- gas
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
【課題】一対の基板の間に形成された気密空間内の表示部分に不純物を残留させることのないプラズマディスプレイパネルの製造方法の提供。
【解決手段】背面基板および前面基板を封着した後に、背面基板および前面基板の間に形成された気密空間内に残留する残留ガスを排気行程で気密空間の外に排出する。この排気工程では、背面基板および前面基板が封着温度以下の温度Q1まで昇温された状態で気密空間内に放電ガスを封入する。そのため、背面基板および前面基板は、その気密空間の不純物が高温である温度Q1に晒されているため、気密空間内を漂った状態となり、この状態で、時刻t2〜t3の時間で放電ガスを導入すると、気密空間を漂っていた不純物は基板内部空間の奥の隅に押し込まれる。
【選択図】図4
【解決手段】背面基板および前面基板を封着した後に、背面基板および前面基板の間に形成された気密空間内に残留する残留ガスを排気行程で気密空間の外に排出する。この排気工程では、背面基板および前面基板が封着温度以下の温度Q1まで昇温された状態で気密空間内に放電ガスを封入する。そのため、背面基板および前面基板は、その気密空間の不純物が高温である温度Q1に晒されているため、気密空間内を漂った状態となり、この状態で、時刻t2〜t3の時間で放電ガスを導入すると、気密空間を漂っていた不純物は基板内部空間の奥の隅に押し込まれる。
【選択図】図4
Description
本発明は、放電空間を挟んで一対の基板が対向配置されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法およびこの製造方法で製造されたプラズマディスプレイパネルに関する。
一般的に、プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向配置された一対のガラス基板である前面基板と背面基板とを備えている。前面基板の内面側には、複数の表示電極、複数のブラックストライプ、誘電体層およびMgO(酸化マグネシウム)などからなる保護膜などがそれぞれ設けられている。背面基板の内面側には、前面基板の表示電極と略直交する複数のアドレス電極、アドレス電極保護層、放電空間を複数個の放電セルに区画する隔壁、放電セル内部のそれぞれに充填された赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体層などがそれぞれ設けられている。そして、これら複数個の放電セル内には希ガスなどの放電ガスが注入されており、それぞれの放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示が可能とされている。
このようなプラズマディスプレイパネルを製造するにあたり、前面基板および背面基板を形成した後の工程に、前面基板と背面基板とを封着する封着工程、封着工程後の封着された前面基板と背面基板の間に形成された気密空間内に残留するガスを当該空間外に排出する排気工程、および排気工程後に当該空間内に放電ガスを封入するガス封入工程が設けられている。
封着工程は、アドレス電極保護層の外周縁部上に、放電空間の外周を囲う状態で低融点ガラスからなる封着材を設け、前面基板と背面基板とを対向させてそれぞれの基板端部を押さえつけた状態で熱処理することにより封着するものである。そして、排気工程では、封着された前面基板および背面基板の気密空間の空気を通気孔およびチップ管を介して排気するものである。ガス封入工程は、プラズマディスプレイの気密空間の内部圧力が所定値となる状態に通気孔およびチップ管を介して放電ガスを導入した後に当該チップ管を封止するものである。
封着工程は、アドレス電極保護層の外周縁部上に、放電空間の外周を囲う状態で低融点ガラスからなる封着材を設け、前面基板と背面基板とを対向させてそれぞれの基板端部を押さえつけた状態で熱処理することにより封着するものである。そして、排気工程では、封着された前面基板および背面基板の気密空間の空気を通気孔およびチップ管を介して排気するものである。ガス封入工程は、プラズマディスプレイの気密空間の内部圧力が所定値となる状態に通気孔およびチップ管を介して放電ガスを導入した後に当該チップ管を封止するものである。
以上の通り、排気工程の後にガス封入工程が実施されるが、従来では、真空排気しながら室温まで自然冷却し、パネル内に放電ガスを導入した後、管を閉じることでパネルを製造するものがある(特許文献1)。
しかしながら、特許文献1では、パネルの温度が室温あるいはそれに近い温度にある状態で放電ガスがパネル内に封入されるものであるので、パネルが高温から冷めていく過程で表示部分に残留する水又は有機物の分子等の不純物がそのままセル内壁に付着、残留することもある。
このため、パネルが冷めた状態で放電ガスをパネル内に封入しても、セル内壁に付着している不純物はそのまま残留することになる。この状態で製造されたパネルを作動させると、放電ガスの放電によりこの不純物が気化し、放電電圧を不安定なものにするなどの問題が一例として挙げられる。
このため、パネルが冷めた状態で放電ガスをパネル内に封入しても、セル内壁に付着している不純物はそのまま残留することになる。この状態で製造されたパネルを作動させると、放電ガスの放電によりこの不純物が気化し、放電電圧を不安定なものにするなどの問題が一例として挙げられる。
本発明は、前述したような問題点に鑑みて、一対の基板の間に形成された気密空間内の表示部分に不純物を残留させることのないプラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネルを提供することを1つの目的とする。
請求項1に記載の発明は、一対の基板が対向配置されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法であって、前記一対の基板同士を封着した後に、前記一対の基板の間に形成された気密空間内に残留する残留ガスを前記気密空間外に排出する排気工程を備え、この排気工程において、前記基板が封着温度以下に昇温された状態で前記気密空間内に放電ガスを封入することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
請求項8に記載の発明は、一対の基板が対向配置されたプラズマディスプレイパネルであって、前記一対の基板同士が封着されるとともに内部に気密空間が形成され、前記一対の基板の周辺部に、前記気密空間からの残留ガスの排気と前記気密空間への放電ガスの封入を行うためのガス流通管と、端部が封止されるとともに内部に空間が形成された封止部とをそれぞれ前記気密空間に連通するように設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
[第1の実施の形態]
本発明にかかる第1の実施の形態を図1から図4に基づいて説明する。
〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
図1は、本実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した斜視図である。図2は、プラズマディスプレイパネルの外観を示した正面図である。図3は、プラズマディスプレイパネルの裏面からみた斜視図である。なお、図1および図2において、各種電極および放電セルの寸法は説明の簡易化のため基板に対して相対的に大きく、それらの数は実際よりも大幅に省略して表示してある。また、図2においては、プラズマディスプレイパネルの正面視で、前面基板の内面側に設けられたシールフリットおよびガス導入部フリットを実線で表示し、その他の構成は適宜図示省略した。
本発明にかかる第1の実施の形態を図1から図4に基づいて説明する。
〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
図1は、本実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した斜視図である。図2は、プラズマディスプレイパネルの外観を示した正面図である。図3は、プラズマディスプレイパネルの裏面からみた斜視図である。なお、図1および図2において、各種電極および放電セルの寸法は説明の簡易化のため基板に対して相対的に大きく、それらの数は実際よりも大幅に省略して表示してある。また、図2においては、プラズマディスプレイパネルの正面視で、前面基板の内面側に設けられたシールフリットおよびガス導入部フリットを実線で表示し、その他の構成は適宜図示省略した。
図1および図2に示すように、1はプラズマディスプレイパネルであり、このプラズマディスプレイパネル1は、放電空間2を介して互いに対向配置された背面基板3および前面基板4と、封着部としてのシールフリット5と、ガス導入部フリット6とを備えている。
放電空間2は、図2に示すように、背面基板3および前面基板4の間に挟まれた空間の内部側に形成された平面視で略長方形状の空間であり、この放電空間2において、画像表示が実施される表示領域Iが形成されている。
背面基板3は、例えば歪点が比較的高い板状ガラス(例:旭硝子(株)製PD200)などを用いた平面略長方形状のガラス板である。この背面基板3は、図1および図2に示すように、複数のアドレス電極30と、誘電体層であるアドレス電極保護層31と、隔壁32と、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体層(33R,33G,33B)と、後述する排気工程およびガス封入工程に用いられる通気孔34およびガス流通管としてのチップ管35とを備えている。
放電空間2は、図2に示すように、背面基板3および前面基板4の間に挟まれた空間の内部側に形成された平面視で略長方形状の空間であり、この放電空間2において、画像表示が実施される表示領域Iが形成されている。
背面基板3は、例えば歪点が比較的高い板状ガラス(例:旭硝子(株)製PD200)などを用いた平面略長方形状のガラス板である。この背面基板3は、図1および図2に示すように、複数のアドレス電極30と、誘電体層であるアドレス電極保護層31と、隔壁32と、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体層(33R,33G,33B)と、後述する排気工程およびガス封入工程に用いられる通気孔34およびガス流通管としてのチップ管35とを備えている。
アドレス電極30は、例えばAl(アルミニウム)などの金属材料からなるストライプ状の複数の電極パターンであり、背面基板3の長手方向に略直交する方向(列方向)に沿って一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極30の一端は放電空間2の外部に延出しており、これにより図示しないアドレス電極引出部が形成されている。そして、このアドレス電極引出部には図示しないアドレス電極引出部用配線板が圧着されている。さらに、アドレス電極引出部用配線板には図示しない列電極駆動部が接続され、列電極駆動部を適宜制御することにより、それぞれのアドレス電極30に高電圧パルスが印加される。
アドレス電極保護層31は、ガラスペーストからなり、背面基板3の内面上における背面基板3および前面基板4が互いに重なる領域に対応する部位にアドレス電極30を覆う状態に設けられている。
アドレス電極保護層31は、ガラスペーストからなり、背面基板3の内面上における背面基板3および前面基板4が互いに重なる領域に対応する部位にアドレス電極30を覆う状態に設けられている。
隔壁32は、アドレス電極保護層31上において、例えばアドレス電極保護層31と同一成分のガラスペーストで井桁状に形成され、アドレス電極保護層31の周縁部よりも内側に形成されている。隔壁32は、放電空間2を含む背面基板3および前面基板4に挟まれた空間を井桁状に区画する。これにより、隔壁32のうち表示領域Iに対応する隔壁32により複数の矩形状の放電セル32Aが形成されている。これら複数の放電セル32A内部に、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体層(33R,33G,33B)が順に設けられている。蛍光体層(33R,33G,33B)は、それぞれの放電セル32Aで発生した紫外光により励起され、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の可視光を発光する。
なお、隔壁32のうち外側の隔壁32が製造工程で不均一な形状に形成された場合、当該領域における隔壁間には蛍光体層を設けずに捨てセルとする構成としてもよい。すなわち、隔壁32が形成された領域において、蛍光体層(33R,33G,33B)が形成され、後述する対となる透明電極40間の放電によって蛍光体層からの3原色光が発光される表示領域Iとしての放電空間2と、この放電空間の外周を囲み蛍光体層が設けられない図示しない非表示領域と、が設けられる。
なお、隔壁32のうち外側の隔壁32が製造工程で不均一な形状に形成された場合、当該領域における隔壁間には蛍光体層を設けずに捨てセルとする構成としてもよい。すなわち、隔壁32が形成された領域において、蛍光体層(33R,33G,33B)が形成され、後述する対となる透明電極40間の放電によって蛍光体層からの3原色光が発光される表示領域Iとしての放電空間2と、この放電空間の外周を囲み蛍光体層が設けられない図示しない非表示領域と、が設けられる。
通気孔34は、背面基板3の内部から外部へ向けて穿孔形成された貫通孔であり、図2および図3に示すように、背面基板3における隔壁32の外側かつ隔壁32の一角部近傍に設けられている。
チップ管35は、例えばガラス管であり、背面基板3の外面側に通気孔34に後述する封着工程にて、低融点ガラスなどによって取り付けられる。これら通気孔34およびチップ管35は、後述する排気およびガス封入に際して使用される。なお、図3において、チップ管35が背面基板3および前面基板4に比べて大きく描かれている。
チップ管35は、例えばガラス管であり、背面基板3の外面側に通気孔34に後述する封着工程にて、低融点ガラスなどによって取り付けられる。これら通気孔34およびチップ管35は、後述する排気およびガス封入に際して使用される。なお、図3において、チップ管35が背面基板3および前面基板4に比べて大きく描かれている。
前面基板4は、例えば背面基板3と同じ材料を用いた平面略長方形状のガラス板である。
この前面基板4は、背面基板3よりも長手方向に長くかつ背面基板3よりも当該長手方向と直行する方向に短く形成されている。そして、前面基板4は、図1に示すように、複数の透明電極40と、複数のバス電極対41と、複数のブラックストライプ42と、誘電体層43と、保護層44とを備えている。
複数の透明電極40は、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜でそれぞれ略T字形状に形成されている。これら透明電極40は、前面基板4内面上において、対向する背面基板3の所定の放電セル32Aに2つの透明電極40が対応する状態で一対ずつ配設されている。
この前面基板4は、背面基板3よりも長手方向に長くかつ背面基板3よりも当該長手方向と直行する方向に短く形成されている。そして、前面基板4は、図1に示すように、複数の透明電極40と、複数のバス電極対41と、複数のブラックストライプ42と、誘電体層43と、保護層44とを備えている。
複数の透明電極40は、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜でそれぞれ略T字形状に形成されている。これら透明電極40は、前面基板4内面上において、対向する背面基板3の所定の放電セル32Aに2つの透明電極40が対応する状態で一対ずつ配設されている。
複数のバス電極対41は、例えばAg(銀)を主成分とした金属材料からなる複数の電極対であり、それぞれアドレス電極30と略直交する方向(列方向)に沿って一定の間隔で配列されている。これらバス電極対41は、一対の透明電極40のそれぞれの一端部に積層した状態で接続され、それぞれのバス電極対41の一端は放電空間2の外部に延出して図示しないバス電極引出部が形成されている。そして、このバス電極引出部には図示しないバス電極引出部用配線板が圧着され、さらに、バス電極引出部用配線板には図示しない行電極駆動部が接続されている。この行電極駆動部を適宜制御することにより、それぞれの透明電極40に例えば400V以上の高電圧パルスが印加される。
複数のブラックストライプ42は、例えば黒色無機顔料などの可視光吸収性材料からなり、隣接するバス電極対41同士で挟まれたスペースに充填されてそれぞれストライプ状に形成されている。誘電体層43は、例えばガラスペーストからなり、前面基板4の内面側に設けられた複数の透明電極40、複数のバス電極対41および複数のブラックストライプ42を覆うように、背面基板3のアドレス電極保護層31と対向して設けられている。保護層44は、MgO(酸化マグネシウム)などで誘電体層43上の全面に形成され、誘電体層43を保護する。
シールフリット5は、例えば、低融点ガラス粉末にアクリルなどの樹脂とターピネオールなどの溶剤で混練したペーストを焼成凝固したものである。このシールフリット5は、図2に示すように、隔壁32の外周側を囲む状態、すなわち、背面基板3におけるアドレス電極保護層31の周縁側および前面基板4における保護層44の周縁側を連結する略矩形枠状に設けられ、背面基板3および前面基板4を封着する。これにより、シールフリット5で囲まれた内部に気密空間IIが形成されている。この気密空間IIの内部においては、例えば、内部圧力が6.7×104Pa(500Torr)程度の負圧状態で、He−Xe(ヘリウム−キセノン)系やNe−Xe(ネオン−キセノン)系の不活性ガスが充填されている。
ガス導入部フリット6は、シールフリット5と同様に、例えば、低融点ガラス粉末にアクリルなどの樹脂とターピネオールなどの溶剤で混練したペーストを焼成凝固したものである。なお、シールフリット5で用いる低融点ガラス粉末とガス導入部フリット6で用いる低融点ガラス粉末とを同じ低融点ガラス粉末とすると、シールフリット用ペースト及びガス導入部フリット用ペーストのペースト作成工程の一部を兼用化することができる。
このガス導入部フリット6は、気密空間IIの内側かつ隔壁32の外側の領域において、背面基板3および前面基板4同士を連結する状態で、通気孔34と通気孔34に対向する隔壁32の端部との間に設けられている。ガス導入部フリット6と、対向するシールフリット5の端部とで挟まれた領域に、ガス導入路60が形成されている。また、ガス導入部フリット6の他端側は、対向するシールフリット5の他長辺に当接されていない状態となっている。これにより、ガス導入路60のうちガス導入部フリット6の前記他端側と対応する部位に開口部61が形成されている。
〔プラズマディスプレイパネルの製造方法〕
次に、前述した構成のプラズマディスプレイパネル1の製造方法について図4に基づいて説明する。
次に、前述した構成のプラズマディスプレイパネル1の製造方法について図4に基づいて説明する。
まず、背面基板3の内面上に、複数のアドレス電極30と、アドレス電極保護層31と、隔壁32と、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体層(33R,33G,33B)と、通気孔34とを設けて、背面基板3を作製しておく。また、前面基板4の内面上に、複数の透明電極40と、複数のバス電極対41と、複数のブラックストライプ42と、誘電体層43と、保護層44とを設けて、前面基板4を作製しておく。
この後、封着工程に移行する。すなわち、背面基板3の前述した所定の位置にシールフリット5およびガス導入部フリット6となるガラスペーストを塗布し、背面基板3および前面基板4を前述した所定の位置関係において互いに対向させて貼り合わせる。そして、それぞれの基板端部を図示しないクリップなどで押さえつけた状態で、背面基板3を図示しない熱処理装置の載置面に載置する。
この状態において、シールフリット5およびガス導入部フリット6を熱処理(例えば、約450℃の封着温度での熱処理)することにより、低融点ガラスを溶解させ、それぞれの内部に含まれた樹脂や溶剤などを揮発させる。この揮発した樹脂や溶剤のガスや、水は、後述の通り、不純物として、通気孔34などを介してパネル外部に放出される。そして、シールフリット5およびガス導入部フリット6を室温まで冷却することにより低融点ガラスを凝固させて背面基板3および前面基板4を封着する。この時、同時に、チップ管35の一端面に低融点ガラスペーストを塗布し、これを背面基板3の通気孔34上に取り付ける。
この状態において、シールフリット5およびガス導入部フリット6を熱処理(例えば、約450℃の封着温度での熱処理)することにより、低融点ガラスを溶解させ、それぞれの内部に含まれた樹脂や溶剤などを揮発させる。この揮発した樹脂や溶剤のガスや、水は、後述の通り、不純物として、通気孔34などを介してパネル外部に放出される。そして、シールフリット5およびガス導入部フリット6を室温まで冷却することにより低融点ガラスを凝固させて背面基板3および前面基板4を封着する。この時、同時に、チップ管35の一端面に低融点ガラスペーストを塗布し、これを背面基板3の通気孔34上に取り付ける。
さらに、排気工程に移行する。封着された背面基板3および前面基板4を図示しない排気炉に投入する。排気行程では、背面基板3の通気孔34およびチップ管35を介して、気密空間IIの気体を不純物とともに外部に排出する。この行程は、図4に示されるタイムチャートに従って行われる。
図4に示される通り、時間0において排気炉の昇温を開始するとともに、気密空間IIの排気を開始する。時刻T1において、室温から温度Q1で昇温を停止する。ここで、排気工程で背面基板3および前面基板4が昇温される温度Q1は、背面基板3および前面基板4の封着温度以下であって、室温以上の温度である。例えば、温度Q1は隔壁32などに付着している不純物、例えば、水や有機物の分子が気化して離脱する温度であり、具体的には100℃以上の温度となる。
真空度Pは時刻t1でP1まで到達し、高真空となる。本実施形態では、時刻t1はT1より前でもよい。
排気は時刻t2で放電ガスの導入をはじめ、時刻t3でガス導入を停止する。このときの気密空間IIの内部圧力がP2(0<P2<大気圧)である。
その後、時刻T2より基板温度を降温せしめ、時刻T3でパネル温度が略室温にもどる
。その後、チップ管35の先端を加熱してチップ管35を溶融させ、チップ管35自体を封止(チップオフ)する。なお、時刻t3は、時刻t2よりも後になるように設定してもよい。
図4に示される通り、時間0において排気炉の昇温を開始するとともに、気密空間IIの排気を開始する。時刻T1において、室温から温度Q1で昇温を停止する。ここで、排気工程で背面基板3および前面基板4が昇温される温度Q1は、背面基板3および前面基板4の封着温度以下であって、室温以上の温度である。例えば、温度Q1は隔壁32などに付着している不純物、例えば、水や有機物の分子が気化して離脱する温度であり、具体的には100℃以上の温度となる。
真空度Pは時刻t1でP1まで到達し、高真空となる。本実施形態では、時刻t1はT1より前でもよい。
排気は時刻t2で放電ガスの導入をはじめ、時刻t3でガス導入を停止する。このときの気密空間IIの内部圧力がP2(0<P2<大気圧)である。
その後、時刻T2より基板温度を降温せしめ、時刻T3でパネル温度が略室温にもどる
。その後、チップ管35の先端を加熱してチップ管35を溶融させ、チップ管35自体を封止(チップオフ)する。なお、時刻t3は、時刻t2よりも後になるように設定してもよい。
この後、背面基板3におけるアドレス電極引出部にアドレス電極引出部用配線板を圧着し、さらにアドレス電極引出部用配線板に列電極駆動部を接続する。また、前面基板4におけるバス電極引出部にバス電極引出部用配線板を圧着し、さらにバス電極引出部用配線板に行電極駆動部を接続する。以上の工程を経ることにより、プラズマディスプレイパネル1が完成する。
従って、第1の実施の形態では、背面基板3および前面基板4を封着した後に、背面基板3および前面基板4の間に形成された気密空間II内に残留する残留ガスを排気行程で気密空間IIの外に排出する。この排気工程では、背面基板3および前面基板4が封着温度以下の温度Q1まで昇温された状態で気密空間II内に放電ガスを封入する。そのため、背面基板3および前面基板4は、その気密空間IIの不純物が高温である温度Q1に晒されているため、気密空間II内を漂った状態となり、この状態で、時刻t2〜t3の時間で放電ガスを導入すると、気密空間IIを漂っていた不純物は基板内部空間の奥の隅の非表示部分に押し込まれる。さらに、背面基板3および前面基板4の温度が室温近くに戻ったところで、チップ管35をチップオフするので、高温で背面基板3および前面基板4の内部空間を漂っていた不純物はパネル奥の隅の非表示部分に捕獲されたままとなる。第1の実施の形態では、以上の工程により、背面基板3および前面基板4の表示部分に存在した不純物を効率的に、かつ簡易な工程で取り除くことができる。そのため、表示部分に残る不純物が低減され、放電電圧を安定なものにできる。
そして、背面基板3および前面基板4の内部に放電ガスを封入する際の温度Q1は、背面基板3および前面基板4の内部に設けられた隔壁32などに付着している不純物が気化して離脱する温度とすることで、不純物を表示領域Iに設けられている隔壁32から容易に離脱して非表示領域Iに放電ガスによって押し込めることができる。そのため、より効率的に不純物を表示部分から取り除くことができる。
[第2の実施の形態]
本発明の第2の実施の形態を図5に基づいて説明する。第2の実施の形態はプラズマディスプレイパネル1の背面基板3の構造が第1の実施の形態とは異なるものであり、他のプラズマディスプレイパネル1の構造や製造方法は第1の実施の形態と同じである。ここで、第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同じ構成は同一符号を付して説明を省略する。
本発明の第2の実施の形態を図5に基づいて説明する。第2の実施の形態はプラズマディスプレイパネル1の背面基板3の構造が第1の実施の形態とは異なるものであり、他のプラズマディスプレイパネル1の構造や製造方法は第1の実施の形態と同じである。ここで、第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同じ構成は同一符号を付して説明を省略する。
図5において、プラズマディスプレイパネル1は背面基板3および前面基板4を有するものであり、その内部構造は図1および図2に示すものと同じである。
背面基板3には端部が封止された封止部としてのダミー排気管36が設けられ、このダミー排気管36は気密空間IIに連通する。ダミー排気管36は、好ましくは、チップ管35の位置に対して略対角となる位置に配置される。
ここで、ダミー排気管36は、その基端側では径が小さく、中央部から先端側にかけて径の大きな膨出先端部を有する形状であり、プラズマディスプレイパネル1の気密空間IIと同等の容積を有する。
背面基板3には端部が封止された封止部としてのダミー排気管36が設けられ、このダミー排気管36は気密空間IIに連通する。ダミー排気管36は、好ましくは、チップ管35の位置に対して略対角となる位置に配置される。
ここで、ダミー排気管36は、その基端側では径が小さく、中央部から先端側にかけて径の大きな膨出先端部を有する形状であり、プラズマディスプレイパネル1の気密空間IIと同等の容積を有する。
第2の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネル1の製造方法は第1の実施の形態と同じである。
第2の実施の形態では、排気工程は図4に示されるタイムチャートに従って行われる。
つまり、時間0において排気炉の昇温を開始し、プラズマディスプレイパネル1の内部の排気を開始する。時刻T1において、室温から温度Q1で昇温したら停止する。真空度Pは時刻t1で真空度P1の高真空となる。なお、時刻t1はT1より前でもよい。
第1の実施の形態と同様に、時刻t2で放電ガスの導入をはじめ、時刻t3でガス導入を停止する。このときの圧力が真空度P2である。その後、時刻T2より降温し、時刻T3でプラズマディスプレイパネル1の温度が略室温まで戻る。
その後、チップ管35をチップオフし、さらに、ダミー排気管36をチップオフして排気工程を完了する。なお、チップオフする順序は逆でもよい。また、ダミー排気管はそのまま残しても良い。
第2の実施の形態では、排気工程は図4に示されるタイムチャートに従って行われる。
つまり、時間0において排気炉の昇温を開始し、プラズマディスプレイパネル1の内部の排気を開始する。時刻T1において、室温から温度Q1で昇温したら停止する。真空度Pは時刻t1で真空度P1の高真空となる。なお、時刻t1はT1より前でもよい。
第1の実施の形態と同様に、時刻t2で放電ガスの導入をはじめ、時刻t3でガス導入を停止する。このときの圧力が真空度P2である。その後、時刻T2より降温し、時刻T3でプラズマディスプレイパネル1の温度が略室温まで戻る。
その後、チップ管35をチップオフし、さらに、ダミー排気管36をチップオフして排気工程を完了する。なお、チップオフする順序は逆でもよい。また、ダミー排気管はそのまま残しても良い。
従って、第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態の作用効果を奏することができる他、次の作用効果を奏することができる。
つまり、端部が閉じられたダミー排気管36を背面基板3に設けたから、排気工程で排出される不純物を背面基板3と前面基板4との間の気密空間IIからダミー排気管36に押し込むことができる。そのため、不純物がダミー排気管36の内部に留まり、その後のプラズマディスプレイパネル1の使用において、不純物が表示領域Iに戻ることが少ない。
さらに、ダミー排気管36をチップオフすることで、ダミー排気管36に押し込まれた不純物を、プラズマディスプレイパネル1から確実に除去することができる。
そして、ダミー排気管36は気密空間IIの容積以上の容積を有する構成とすれば、より多くの不純物をダミー排気管36で捕捉することができる。
つまり、端部が閉じられたダミー排気管36を背面基板3に設けたから、排気工程で排出される不純物を背面基板3と前面基板4との間の気密空間IIからダミー排気管36に押し込むことができる。そのため、不純物がダミー排気管36の内部に留まり、その後のプラズマディスプレイパネル1の使用において、不純物が表示領域Iに戻ることが少ない。
さらに、ダミー排気管36をチップオフすることで、ダミー排気管36に押し込まれた不純物を、プラズマディスプレイパネル1から確実に除去することができる。
そして、ダミー排気管36は気密空間IIの容積以上の容積を有する構成とすれば、より多くの不純物をダミー排気管36で捕捉することができる。
[第3の実施の形態]
本発明の第3の実施の形態を図6に基づいて説明する。第3の実施の形態は排気工程が前記実施の形態とは異なるものであり、他の工程やプラズマディスプレイパネル1自体の構造は前記実施の形態と同じである。
第3の実施の形態では、排気工程は図6に示されるタイムチャートに従って行われる。
図6において、第3の実施の形態では、真空度Pは時刻t1で真空度P1の高真空となる。その後、時刻t2〜t9の範囲で、酸素を含む放電ガスをプラズマディスプレイパネル1の気密空間IIに出し入れして不純物を除去する。この際、時刻t3〜t4,t7〜t8では、真空度PをP3(P1<P3<P2)とし、時刻t5〜t6,t9では、真空度PをP1とする。
そして、時刻t9〜t10までは真空度PをP1とし、高温の温度Q1の状態で放電ガスを時刻t10〜t11の間に導入する。これにより、表示領域Iにまだ残っている不純物を効率的に除去し、非表示部やダミー排気管36に不純物を追い込む。なお、図6では、時刻t11は温度QをQ1から低下させる時刻T2より前であるが、これは前後してもよい。
本発明の第3の実施の形態を図6に基づいて説明する。第3の実施の形態は排気工程が前記実施の形態とは異なるものであり、他の工程やプラズマディスプレイパネル1自体の構造は前記実施の形態と同じである。
第3の実施の形態では、排気工程は図6に示されるタイムチャートに従って行われる。
図6において、第3の実施の形態では、真空度Pは時刻t1で真空度P1の高真空となる。その後、時刻t2〜t9の範囲で、酸素を含む放電ガスをプラズマディスプレイパネル1の気密空間IIに出し入れして不純物を除去する。この際、時刻t3〜t4,t7〜t8では、真空度PをP3(P1<P3<P2)とし、時刻t5〜t6,t9では、真空度PをP1とする。
そして、時刻t9〜t10までは真空度PをP1とし、高温の温度Q1の状態で放電ガスを時刻t10〜t11の間に導入する。これにより、表示領域Iにまだ残っている不純物を効率的に除去し、非表示部やダミー排気管36に不純物を追い込む。なお、図6では、時刻t11は温度QをQ1から低下させる時刻T2より前であるが、これは前後してもよい。
従って、第3の実施の形態によれば、前記実施の形態の作用効果を奏することができる他、次の作用効果を奏することができる。
気密空間IIに酸素を含ませた放電ガスを、真空度Pを周期的に変化させることで出し入れするので、不純物をより効率的に表示領域Iから排除することができる。
そして、最後に、高温の温度Q1の状態で放電ガスを時刻t10〜t11の間に導入することで、表示領域Iにまだ残っている不純物を効率的に除去することができる。
気密空間IIに酸素を含ませた放電ガスを、真空度Pを周期的に変化させることで出し入れするので、不純物をより効率的に表示領域Iから排除することができる。
そして、最後に、高温の温度Q1の状態で放電ガスを時刻t10〜t11の間に導入することで、表示領域Iにまだ残っている不純物を効率的に除去することができる。
[第4の実施の形態]
本発明の第4の実施の形態を図7に基づいて説明する。第4の実施の形態は排気工程が前記実施の形態とは異なるものであり、他の工程やプラズマディスプレイパネル1自体の構造は前記実施の形態と同じである。
第4の実施の形態では、排気工程は図7に示されるタイムチャートに従って行われる。
図7において、第4の実施の形態では、真空度Pは時刻t1で真空度P1の高真空となり、プラズマディスプレイパネル1の温度Qは時刻T1で最高温度Q1に達する。その後、プラズマディスプレイパネル1の温度Qを時刻T2からT3の間にQ1からQ2まで下げ、この温度Q2の状態下で、時刻t2〜t3までの間に放電ガスを導入する。
本発明の第4の実施の形態を図7に基づいて説明する。第4の実施の形態は排気工程が前記実施の形態とは異なるものであり、他の工程やプラズマディスプレイパネル1自体の構造は前記実施の形態と同じである。
第4の実施の形態では、排気工程は図7に示されるタイムチャートに従って行われる。
図7において、第4の実施の形態では、真空度Pは時刻t1で真空度P1の高真空となり、プラズマディスプレイパネル1の温度Qは時刻T1で最高温度Q1に達する。その後、プラズマディスプレイパネル1の温度Qを時刻T2からT3の間にQ1からQ2まで下げ、この温度Q2の状態下で、時刻t2〜t3までの間に放電ガスを導入する。
従って、第4の実施の形態によれば、前記実施の形態の作用効果を奏することができる他、次の作用効果を奏することができる。
パネル加熱温度QをQ1からQ2まで一旦下げ、この温度Q2において時刻t2〜t3までの間に放電ガスを導入することにしたから、放電ガスの圧力により前面基板4と背面基板3の位置がずれることを低減できる。そして、温度Q2で放電ガスを導入するので、温度Q1で放電ガスを導入する前記実施の形態に比べて高温によるパネルへのストレスを与える時間を減らすことができる。
パネル加熱温度QをQ1からQ2まで一旦下げ、この温度Q2において時刻t2〜t3までの間に放電ガスを導入することにしたから、放電ガスの圧力により前面基板4と背面基板3の位置がずれることを低減できる。そして、温度Q2で放電ガスを導入するので、温度Q1で放電ガスを導入する前記実施の形態に比べて高温によるパネルへのストレスを与える時間を減らすことができる。
[第5の実施の形態]
本発明の第5の実施の形態を図8に基づいて説明する。第5の実施の形態は、封着工程の終了後、プラズマディスプレイパネル1をあまり温度低下させないで、引き続き、排気工程を行う点が前記実施の形態とは異なるものであり、他の工程やプラズマディスプレイパネル1自体の構造は前記実施の形態と同じである。
第5の実施の形態では、封着工程と排気工程は図8に示されるタイムチャートに従って行われる。
本発明の第5の実施の形態を図8に基づいて説明する。第5の実施の形態は、封着工程の終了後、プラズマディスプレイパネル1をあまり温度低下させないで、引き続き、排気工程を行う点が前記実施の形態とは異なるものであり、他の工程やプラズマディスプレイパネル1自体の構造は前記実施の形態と同じである。
第5の実施の形態では、封着工程と排気工程は図8に示されるタイムチャートに従って行われる。
図8において、封着工程では、背面基板3と前面基板4との貼り合わせまでの工程を室温で行い、その後の熱処理を温度Q0で行う。この熱処理のための温度Q0は排気行程での温度Q1より高く、例えば、約450℃である。温度Q0における熱処理は時刻T1からT2までの間に行われ、熱処理が終了した時刻T2からは背面基板3と前面基板4とを冷却する。時刻がT3となり、背面基板3および前面基板4の温度が温度Q1にまで下がったら、引き続き排気行程に移行する。
この排気行程では時刻T3において、プラズマディスプレイパネル1の内部の排気を開始する。真空度Pは時刻t1で真空度P1の高真空となる。時刻t2で放電ガスの導入をはじめ、時刻t3でガス導入を停止する。このときの圧力が真空度P2である。その後、時刻T4より降温し、時刻T5でプラズマディスプレイパネル1の温度が略室温まで戻る。
この排気行程では時刻T3において、プラズマディスプレイパネル1の内部の排気を開始する。真空度Pは時刻t1で真空度P1の高真空となる。時刻t2で放電ガスの導入をはじめ、時刻t3でガス導入を停止する。このときの圧力が真空度P2である。その後、時刻T4より降温し、時刻T5でプラズマディスプレイパネル1の温度が略室温まで戻る。
従って、第5の実施の形態によれば、前記実施の形態の作用効果を奏することができる他、次の作用効果を奏することができる。
封着工程の終了後、プラズマディスプレイパネル1が排気可能な温度Q1になった際に、引き続き、排気工程を行った。そのため、封着工程で加熱されたプラズマディスプレイパネル1が封着工程の終了に伴って不純物が固着するまで温度低下をすることがないので、気密空間IIに閉じ込められる不純物がより減少する。
封着工程の終了後、プラズマディスプレイパネル1が排気可能な温度Q1になった際に、引き続き、排気工程を行った。そのため、封着工程で加熱されたプラズマディスプレイパネル1が封着工程の終了に伴って不純物が固着するまで温度低下をすることがないので、気密空間IIに閉じ込められる不純物がより減少する。
[第6の実施の形態]
本発明の第6の実施の形態を図9に基づいて説明する。第6の実施の形態は封止部としてダミー排気管36に代えて行き止り通路7を設ける点で第2の実施の形態とは異なるものであり、他のプラズマディスプレイパネル1の構造や製造方法は第2の実施の形態と同じである。ここで、第6の実施の形態において、第2の実施の形態と同じ構成は同一符号を付して説明を省略する。
本発明の第6の実施の形態を図9に基づいて説明する。第6の実施の形態は封止部としてダミー排気管36に代えて行き止り通路7を設ける点で第2の実施の形態とは異なるものであり、他のプラズマディスプレイパネル1の構造や製造方法は第2の実施の形態と同じである。ここで、第6の実施の形態において、第2の実施の形態と同じ構成は同一符号を付して説明を省略する。
図9は図2に対応した図である。図9において、プラズマディスプレイパネル1は背面基板3および前面基板4を有するものであり、その内部の基本構造は図1および図2に示すものと略同じである。
第6の実施の形態では、前面基板4の輪郭に対応するように封着部としてのシールフリット5が略長方形に設けられており、このシールフリット5の内部に気密空間IIが形成されている。
この気密空間IIの内部にはシールフリット5の一方の短辺部と略平行にガス導入部フリット6が設けられており、このガス導入部フリット6とシールフリット5の一方の短辺との間にはガス導入路60が形成されている。このガス導入路60にはチップ管35と接続される通気孔34が気密空間IIの隅部に形成されている。
第6の実施の形態では、前面基板4の輪郭に対応するように封着部としてのシールフリット5が略長方形に設けられており、このシールフリット5の内部に気密空間IIが形成されている。
この気密空間IIの内部にはシールフリット5の一方の短辺部と略平行にガス導入部フリット6が設けられており、このガス導入部フリット6とシールフリット5の一方の短辺との間にはガス導入路60が形成されている。このガス導入路60にはチップ管35と接続される通気孔34が気密空間IIの隅部に形成されている。
気密空間IIの内部にはシールフリット5の他方の短辺部と略平行に気密空間IIを区画する構造物としての区画壁部71が配置されている。この区画壁部71は表示領域Iの外側に形成されるものであって、シールフリット5の他方の短辺部と平行な長寸部71Aと、この長寸部71Aの一端部とシールフリット5の他方の短辺部とを接続する短寸部71BとからL字状に形成されている。
ここで、区画壁部71とシールフリット5とを備えて構造物が構成されており、区画壁部71の外周部とシールフリット5の他方の短辺の内周部とで区画される空間から行き止り通路7が構成される。この行き止り通路7の入り口7Aは短寸部71Bとは反対側であって気密空間IIのチップ管35が設けられた隅部とは対角線上の隅部に設けられている。
区画壁部71はシールフリット5と同一材料で形成されている。
第6の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネル1の製造方法を第2の実施の形態と同様の行程で行う。
ここで、区画壁部71とシールフリット5とを備えて構造物が構成されており、区画壁部71の外周部とシールフリット5の他方の短辺の内周部とで区画される空間から行き止り通路7が構成される。この行き止り通路7の入り口7Aは短寸部71Bとは反対側であって気密空間IIのチップ管35が設けられた隅部とは対角線上の隅部に設けられている。
区画壁部71はシールフリット5と同一材料で形成されている。
第6の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネル1の製造方法を第2の実施の形態と同様の行程で行う。
従って、第6の実施の形態によれば、前記実施の形態の作用効果を奏することができる他、次の作用効果を奏することができる。
つまり、封止部として端部が閉じられた行き止り通路7を用いたから、第2の実施の形態で封止部として用いられるダミー排気管36と同様に、排気工程で排出される不純物を背面基板3と前面基板4との間の気密空間IIから行き止り通路7に押し込むことができる。そのため、不純物が行き止り通路7の内部に留まり、その後のプラズマディスプレイパネル1の使用において、不純物が表示領域Iに戻ることが少ない。
しかも、行き止り通路7はダミー排気管36に比べて、より低いコストと、より高い信頼性をもって、気化した不純物を表示領域Iから排除できる。
その上、外部に取り付けたダミー排気管36は破損しないように慎重に取り扱わなければならないが、第6の実施の形態では、パネル内部に行き止り通路7を形成するので、より高い信頼性をもって、気化した不純物を表示領域Iから排除できる。
また、行き止り通路7を形成するための区画壁部71をシールフリット5と同一材料で形成したから、材料を変更することなく、フリットパタンの形成と同じプロセスで行き止り通路7を形成することができる。したがって、行き止り通路7を簡易に、低コストで、わずかなプロセス追加のみで製造することができる。
行き止り通路7の入り口7Aをチップ管35が配置される隅部と対角線上の隅部に設けたから、隅部に配置されたチップ管35からガスが流出されるとともに、このガスがパネル内の不純物を取り込み、この不純物が取り込まれたガスが行き止り通路7に当該隅部と対角線上に配置された入り口7Aから補足されるので、表示領域Iから不純物がきれいに排除できる。
つまり、封止部として端部が閉じられた行き止り通路7を用いたから、第2の実施の形態で封止部として用いられるダミー排気管36と同様に、排気工程で排出される不純物を背面基板3と前面基板4との間の気密空間IIから行き止り通路7に押し込むことができる。そのため、不純物が行き止り通路7の内部に留まり、その後のプラズマディスプレイパネル1の使用において、不純物が表示領域Iに戻ることが少ない。
しかも、行き止り通路7はダミー排気管36に比べて、より低いコストと、より高い信頼性をもって、気化した不純物を表示領域Iから排除できる。
その上、外部に取り付けたダミー排気管36は破損しないように慎重に取り扱わなければならないが、第6の実施の形態では、パネル内部に行き止り通路7を形成するので、より高い信頼性をもって、気化した不純物を表示領域Iから排除できる。
また、行き止り通路7を形成するための区画壁部71をシールフリット5と同一材料で形成したから、材料を変更することなく、フリットパタンの形成と同じプロセスで行き止り通路7を形成することができる。したがって、行き止り通路7を簡易に、低コストで、わずかなプロセス追加のみで製造することができる。
行き止り通路7の入り口7Aをチップ管35が配置される隅部と対角線上の隅部に設けたから、隅部に配置されたチップ管35からガスが流出されるとともに、このガスがパネル内の不純物を取り込み、この不純物が取り込まれたガスが行き止り通路7に当該隅部と対角線上に配置された入り口7Aから補足されるので、表示領域Iから不純物がきれいに排除できる。
〔実施の形態の変形〕
なお、本発明は前述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
なお、本発明は前述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
前記第2の実施の形態では、封止部としてのダミー排気管36を、中央部から先端側にかけて径の大きな膨出先端部を有する形状とし、その容積をプラズマディスプレイパネル1の気密空間IIと同等としたが、本発明ではこの構成に限定されるものではなく、例えば、図10から図13に示される変形例も含まれる。
例えば、図10に示される通り、ダミー排気管361を普通の排気管と同じ形状としてもよい。これにより、ダミー排気管のコストを第2の実施の形態と比較して大幅に低減できる。
さらに、図11に示される通り、ダミー排気管362を、一端が閉じられた長い筒状に形成するものでもよい。このダミー排気管362では、その内部容積がダミー排気管36に比べて大きい。これにより、ダミー排気管362の容積を第2の実施の形態より増加させ、不純物の捕捉効果を高めることができる。そして、ダミー排気管362は、その基端部が背面基板3に対して立ち上がるように形成されているものの立ち上がり部分から先端部にかけて背面基板3と所定の寸法離れた状態で基板に沿って形成されている。そのため、第2の実施の形態に比べて、ダミー排気管362の製造が容易になり、製造コストを下げることができる。
例えば、図10に示される通り、ダミー排気管361を普通の排気管と同じ形状としてもよい。これにより、ダミー排気管のコストを第2の実施の形態と比較して大幅に低減できる。
さらに、図11に示される通り、ダミー排気管362を、一端が閉じられた長い筒状に形成するものでもよい。このダミー排気管362では、その内部容積がダミー排気管36に比べて大きい。これにより、ダミー排気管362の容積を第2の実施の形態より増加させ、不純物の捕捉効果を高めることができる。そして、ダミー排気管362は、その基端部が背面基板3に対して立ち上がるように形成されているものの立ち上がり部分から先端部にかけて背面基板3と所定の寸法離れた状態で基板に沿って形成されている。そのため、第2の実施の形態に比べて、ダミー排気管362の製造が容易になり、製造コストを下げることができる。
図12に示される通り、ダミー排気管363は、基端部が湾曲するとともに中間部から先端部にかけて背面基板3に沿うように形成されている。そのため、ダミー排気管363の長い部分が背面基板3に密着しているので、取り扱いが容易で、ダミー排気管363が破損することが少ない。
そして、図13に示される通り、ダミー排気管364は、その基端部から先端部にかけて背面基板3に沿うように形成されている。そのため、図12のダミー排気管363に比べて背面基板3からの突出部が少ないので取り扱いがより容易となり、取り扱い中に誤って破損することが少ない。なお、図13のダミー排気管364はチップオフすることがないが、他のダミー排気管361〜363は必要に応じてチップオフすることが可能である。
そして、図13に示される通り、ダミー排気管364は、その基端部から先端部にかけて背面基板3に沿うように形成されている。そのため、図12のダミー排気管363に比べて背面基板3からの突出部が少ないので取り扱いがより容易となり、取り扱い中に誤って破損することが少ない。なお、図13のダミー排気管364はチップオフすることがないが、他のダミー排気管361〜363は必要に応じてチップオフすることが可能である。
また、本発明では、行き止り通路7の構造が第6の実施の形態に限定されるものではなく、例えば、図14から図20に示される変形例も含まれる。
例えば、図14に示される通り、長寸部71Aを長くし、入り口7Aとは反対側をシールフリット5の長辺部に接続させて短寸部71Bを省略してもよい。この構成では、行き止り部7の流路を長く形成することができるので、大量の不純物を表示領域Iから排除することができる。
また、図15に示される通り、行き止り通路7をシールフリット5の長辺に沿って形成するものでもよく、この場合、図16に示される通り、図14と同様に、長寸部71Aを長くし、入り口7Aとは反対側をシールフリット5の短辺部に接続させて短寸部71Bを省略してもよい。シールフリット5の長辺に沿って行き止り通路7を形成することで、行き止り部7の流路を長く形成することができるので、大量の不純物を表示領域Iから排除することができる。
例えば、図14に示される通り、長寸部71Aを長くし、入り口7Aとは反対側をシールフリット5の長辺部に接続させて短寸部71Bを省略してもよい。この構成では、行き止り部7の流路を長く形成することができるので、大量の不純物を表示領域Iから排除することができる。
また、図15に示される通り、行き止り通路7をシールフリット5の長辺に沿って形成するものでもよく、この場合、図16に示される通り、図14と同様に、長寸部71Aを長くし、入り口7Aとは反対側をシールフリット5の短辺部に接続させて短寸部71Bを省略してもよい。シールフリット5の長辺に沿って行き止り通路7を形成することで、行き止り部7の流路を長く形成することができるので、大量の不純物を表示領域Iから排除することができる。
そして、行き止り通路7は1個の限定されるものではなく、複数個であってもよい。例えば、図17に示される通り、行き止り通路7をシールフリット5の一方の短辺に沿って複数、図17では3個形成するものでもよく、図18に示される通り、行き止り通路7をシールフリット5の一方の長辺に沿って複数、図18では4個形成するものでもよい。さらに、図19に示される通り、行き止り通路7をシールフリット5の長辺と短辺とに沿ってそれぞれ複数、図19では、長辺に4個、短辺に3個形成するものでもよく、さらには、図20に示される通り、行き止り通路7をシールフリット5の全ての辺に沿ってそれぞれ複数、図20では、シールフリット5の2つの長辺に4個ずつ、シールフリット5の一方の短辺に3個、他方の短辺に2個形成するものでもよい。これらの行き止り通路7の個数や大きさはパネル平面の面積に応じて適宜設定される。
さらに、本発明では、長寸部71Aをシールフリット5の長辺や短辺と平行に形成するものに限定されるものではなく、長寸部71Aを当該長辺や短辺に対して斜めに形成するものでもよく、あるいは平面形状が連続した山形形状や波形状としてもよい。
さらに、本発明では、長寸部71Aをシールフリット5の長辺や短辺と平行に形成するものに限定されるものではなく、長寸部71Aを当該長辺や短辺に対して斜めに形成するものでもよく、あるいは平面形状が連続した山形形状や波形状としてもよい。
前記各実施の形態では、通気孔34およびチップ管35を背面基板3のみに設ける構成を例示したが、これに限らず、前面基板4のみに設ける構成としてもよい。また、通気孔34およびチップ管35を背面基板3および前面基板4の双方にそれぞれ設ける構成や、複数の通気孔34およびチップ管35を背面基板3のみにそれぞれ設ける構成としてもよい。このような構成の場合、背面基板3および前面基板4の双方に設けられたそれぞれの通気孔34の近傍に前述したようなガス導入部フリットを設ければ、前記実施の形態と同様の作用効果を奏する、すなわち、プラズマディスプレイパネルの駆動時において振動音の発生を防止でき、かつ、正常な表示を行うことができる。さらに、排気工程およびガス封入工程を迅速に行うことができるので、製造時間の短縮化を図ることができる。
前記実施の形態では、背面基板3および前面基板4を平面略長方形状に形成する構成を例示したが、これに限らず、これらガラス基板の形状は平面略正方形でも平面略楕円形でもよい。また、背面基板3および前面基板4は必ずしも平面である必要もなく、例えば、前面基板4および背面基板3が基板と略直交する一方向に向けて反った状態に形成されてもよい。このような構成でも前記実施の形態と同様の作用効果を奏する、すなわち、パネル駆動時において振動音の発生を防止でき、かつ、正常な表示を行うことができる。
前記実施の形態では、隔壁32を井桁状に形成する構成を例示して説明したが、これに限らず、例えば、隔壁をストライプ状に形成する構成としてもよい。
〔実施の形態の作用効果〕
前述したように、前記実施の形態では、一対の背面基板3および前面基板4を備えたプラズマディスプレイパネル1を製造する方法であって、一対の背面基板3および前面基板4を封着した後に、一対の背面基板3および前面基板4の間に形成された気密空間II内に残留する残留ガスを気密空間IIの外に排出する排気工程を備え、この排気行程において、背面基板3および前面基板4が封着温度以下の温度Q1まで昇温された状態で気密空間II内に放電ガスを封入する構成とした。そのため、背面基板3および前面基板4は、その気密空間IIの不純物が高温である温度Q1に晒されているため、気密空間II内を漂っているが、この状態で、放電ガスを導入すると、気密空間IIを漂っていた不純物が内部空間の奥の隅の非表示部分に押し込まれることになり、背面基板3および前面基板4の表示部分に存在した不純物を効率的に、かつ簡易な工程で取り除くことができる。
前述したように、前記実施の形態では、一対の背面基板3および前面基板4を備えたプラズマディスプレイパネル1を製造する方法であって、一対の背面基板3および前面基板4を封着した後に、一対の背面基板3および前面基板4の間に形成された気密空間II内に残留する残留ガスを気密空間IIの外に排出する排気工程を備え、この排気行程において、背面基板3および前面基板4が封着温度以下の温度Q1まで昇温された状態で気密空間II内に放電ガスを封入する構成とした。そのため、背面基板3および前面基板4は、その気密空間IIの不純物が高温である温度Q1に晒されているため、気密空間II内を漂っているが、この状態で、放電ガスを導入すると、気密空間IIを漂っていた不純物が内部空間の奥の隅の非表示部分に押し込まれることになり、背面基板3および前面基板4の表示部分に存在した不純物を効率的に、かつ簡易な工程で取り除くことができる。
1 プラズマディスプレイパネル
3 背面基板
32 隔壁
34 通気孔
35 チップ管(ガス流通管)
4 前面基板
5 シールフリット(封着部、構造物)
7 行き止り通路
7A 入り口
71 区画壁部(構造物)
36 ダミー排気管(封止部)
361 ダミー排気管(封止部)
362 ダミー排気管(封止部)
363 ダミー排気管(封止部)
364 ダミー排気管(封止部)
I 表示領域
II 気密空間
3 背面基板
32 隔壁
34 通気孔
35 チップ管(ガス流通管)
4 前面基板
5 シールフリット(封着部、構造物)
7 行き止り通路
7A 入り口
71 区画壁部(構造物)
36 ダミー排気管(封止部)
361 ダミー排気管(封止部)
362 ダミー排気管(封止部)
363 ダミー排気管(封止部)
364 ダミー排気管(封止部)
I 表示領域
II 気密空間
Claims (14)
- 一対の基板が対向配置されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法であって、
前記一対の基板同士を封着した後に、前記一対の基板の間に形成された気密空間内に残留する残留ガスを前記気密空間外に排出する排気工程を備え、この排気工程において、前記基板が封着温度以下に昇温された状態で前記気密空間内に放電ガスを封入する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項1に記載されたプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記基板内に放電ガスを封入する際の温度は、前記一対の基板の内部に付着している不純物が気化する温度以上であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項2に記載されたプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記不純物は水又は有機物の分子であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載されたプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記一対の基板の周辺部に、前記気密空間からの残留ガスの排気と前記気密空間への放電ガスの封入を行うためのガス流通管と、端部が封止されたダミー排気管とをそれぞれ前記気密空間に連通するように設け、前記ガス流通管を介して残留ガスの排気と放電ガスの封入とを行い、放電ガスの封入後に前記ガス流通管を封止することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項4に記載されたプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記ダミー排気管は前記気密空間の容積以上の容積を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項4または請求項5に記載されたプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記放電ガスを前記気密空間に封入した後、前記一対の基板が室温近傍まで降温した際に、前記ダミー排気管の少なくとも一部を除去することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載されたプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記一対の基板の周辺部に、前記気密空間からの残留ガスの排気と前記気密空間への放電ガスの封入を行うためのガス流通管と、構造物で区画された行き止り通路とをそれぞれ前記気密空間に連通するように設け、前記ガス流通管を介して残留ガスの排気と放電ガスの封入とを行い、放電ガスの封入後に前記ガス流通管を封止することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 一対の基板が対向配置されたプラズマディスプレイパネルであって、
前記一対の基板同士が封着されるとともに内部に気密空間が形成され、前記一対の基板の周辺部に、前記気密空間からの残留ガスの排気と前記気密空間への放電ガスの封入を行うためのガス流通管と、端部が封止されるとともに内部に空間が形成された封止部とをそれぞれ前記気密空間に連通するように設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項8に記載されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記封止部は、端部が封止されたダミー排気管であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項8に記載されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記封止部は、構造物で区画された行き止り通路であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項10に記載されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記構造物は前記気密空間を区画する区画壁部と、前記一対の基板の周辺部を封着する封着部とを備え、前記行き止り通路は、前記区画壁部と前記封着部との間に設けられていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項10または請求項11に記載されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行き止り通路の入り口は、前記ガス流通管が配置される隅部と対角線上の隅部に設けられていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項11に記載されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行き止り通路を構成する構造物は、前記基板の短辺側または長辺側の前記封着部に沿って設けられていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 請求項11又は請求項13に記載されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行き止り通路を構成する構造物は、前記封着部と同一材料で形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008117461A JP2009238718A (ja) | 2008-03-03 | 2008-04-28 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008051849 | 2008-03-03 | ||
JP2008117461A JP2009238718A (ja) | 2008-03-03 | 2008-04-28 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009238718A true JP2009238718A (ja) | 2009-10-15 |
Family
ID=41252390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008117461A Pending JP2009238718A (ja) | 2008-03-03 | 2008-04-28 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009238718A (ja) |
-
2008
- 2008-04-28 JP JP2008117461A patent/JP2009238718A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3526650B2 (ja) | Pdpの製造方法 | |
WO2010061418A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP5373605B2 (ja) | 封着パネルの製造方法 | |
JP2000030618A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2006310050A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2009238718A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネル | |
JP2004055480A (ja) | フラットディスプレイパネル | |
JP2001325889A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2011187355A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
KR100867506B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 | |
JP4905364B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
KR100472501B1 (ko) | 배기시간을 단축하는 플라즈마 디스플레이 패널의 조립공정 | |
JP4760178B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
KR20070091376A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 | |
KR20060082528A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 | |
KR100745169B1 (ko) | 방전을 이용한 디스플레이 패널의 가스 배기/주입방법 | |
KR100634697B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 | |
KR100609513B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 | |
JP3356095B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
KR100647635B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 | |
JP5325812B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
KR100396759B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법 | |
KR100625481B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 | |
JP2009093951A (ja) | 封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2006261047A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |