JP3526650B2 - Ｐｄｐの製造方法 - Google Patents
Ｐｄｐの製造方法Info
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- JP3526650B2 JP3526650B2 JP9670695A JP9670695A JP3526650B2 JP 3526650 B2 JP3526650 B2 JP 3526650B2 JP 9670695 A JP9670695 A JP 9670695A JP 9670695 A JP9670695 A JP 9670695A JP 3526650 B2 JP3526650 B2 JP 3526650B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- electrodes
- pdp
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＤＰ（プラズマディ
スプレイパネル）の製造方法に関する。ＰＤＰは、高速
表示の可能な薄型表示デバイスであり、ハイビジョン映
像用の大型カラー表示デバイスとして注目されている。
ＰＤＰの市場が拡がるにつれて、特性の安定した高品質
のＰＤＰを製造する技術の重要性が増している。
スプレイパネル）の製造方法に関する。ＰＤＰは、高速
表示の可能な薄型表示デバイスであり、ハイビジョン映
像用の大型カラー表示デバイスとして注目されている。
ＰＤＰの市場が拡がるにつれて、特性の安定した高品質
のＰＤＰを製造する技術の重要性が増している。
【０００２】
【従来の技術】図５はＰＤＰの外観を示す切欠き斜視図
である。図５において、ＰＤＰ１は、放電空間３０を挟
んで対向する一対の基板（通常はガラス板）１１，２１
を基体とする構造の表示パネルである。
である。図５において、ＰＤＰ１は、放電空間３０を挟
んで対向する一対の基板（通常はガラス板）１１，２１
を基体とする構造の表示パネルである。
【０００３】一方又は両方の基板１１，２１の内面上に
図示しない複数の電極が所定ピッチで配列されており、
これらの電極によって表示領域ＥＨが画定される。ま
た、電極は放電空間から基板の端縁部まで導出され、フ
レキシブル配線板によって外部の駆動回路と接続され
る。駆動回路との接続を可能とするため、各基板１１，
２１は、それぞれの両端縁が他方の基板の端縁より外側
に張り出すように、その大きさ及び対向配置位置が設定
される。
図示しない複数の電極が所定ピッチで配列されており、
これらの電極によって表示領域ＥＨが画定される。ま
た、電極は放電空間から基板の端縁部まで導出され、フ
レキシブル配線板によって外部の駆動回路と接続され
る。駆動回路との接続を可能とするため、各基板１１，
２１は、それぞれの両端縁が他方の基板の端縁より外側
に張り出すように、その大きさ及び対向配置位置が設定
される。
【０００４】ＰＤＰ１の製造に際しては、前面側の基板
１１及び背面側のガラス基板２１について別個に電極及
び他の構成部材を設けた後、一方の基板の表面に封止材
として枠状の低融点ガラス層４０を設けておく。そし
て、両基板１１，２１を重ね合わせ、互いに押し当てた
状態で４００〜４５０℃程度に加熱する。これにより、
基板１１，２１が融着により一体化されて放電空間３０
が形成される。
１１及び背面側のガラス基板２１について別個に電極及
び他の構成部材を設けた後、一方の基板の表面に封止材
として枠状の低融点ガラス層４０を設けておく。そし
て、両基板１１，２１を重ね合わせ、互いに押し当てた
状態で４００〜４５０℃程度に加熱する。これにより、
基板１１，２１が融着により一体化されて放電空間３０
が形成される。
【０００５】ガラス基板１１，２１の一体化に続いて、
放電空間３０の排気を行って放電ガスを充填する。この
ため、あらかじめ一方の基板（通常は背面側）２１には
直径５ｍｍ程度の貫通孔２５が設けられており、排気に
先立ってガラス基板２１の外面に数ｃｍ程度の長さのガ
ラス管（チップ管）６０が融着される。つまり放電空間
３０と真空ポンプ（又は放電ガスボンベ）とを接続する
ための配管の一部としてチップ管６０が取付けられ、貫
通孔２５とチップ管６０とを介して排気及びガス充填が
行われる。チップ管６０は、放電ガスを充填した後に通
気路を塞ぐように溶断され、その時点で放電空間３０が
完全に密閉される。
放電空間３０の排気を行って放電ガスを充填する。この
ため、あらかじめ一方の基板（通常は背面側）２１には
直径５ｍｍ程度の貫通孔２５が設けられており、排気に
先立ってガラス基板２１の外面に数ｃｍ程度の長さのガ
ラス管（チップ管）６０が融着される。つまり放電空間
３０と真空ポンプ（又は放電ガスボンベ）とを接続する
ための配管の一部としてチップ管６０が取付けられ、貫
通孔２５とチップ管６０とを介して排気及びガス充填が
行われる。チップ管６０は、放電ガスを充填した後に通
気路を塞ぐように溶断され、その時点で放電空間３０が
完全に密閉される。
【０００６】このようにして製造されるＰＤＰの内、放
電に壁電荷を利用するＡＣ型ＰＤＰでは、電極が放電空
間３０に対して誘電体（通常は低融点ガラス）で被覆さ
れている。
電に壁電荷を利用するＡＣ型ＰＤＰでは、電極が放電空
間３０に対して誘電体（通常は低融点ガラス）で被覆さ
れている。
【０００７】従来では、ＡＣ型ＰＤＰ１の製造に際し
て、電極がＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの金属薄膜からなる場
合には、電極の端部（すなわち放電空間３０の外側に導
出された部分）を含めて電極の全体を被覆するように誘
電体層を設けていた。そして、一対の基板を一体化して
放電空間を密閉した後の段階で、電極と外部との導電接
続を可能とするため、電極の端部を覆う誘電体層を取り
除いていた。
て、電極がＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの金属薄膜からなる場
合には、電極の端部（すなわち放電空間３０の外側に導
出された部分）を含めて電極の全体を被覆するように誘
電体層を設けていた。そして、一対の基板を一体化して
放電空間を密閉した後の段階で、電極と外部との導電接
続を可能とするため、電極の端部を覆う誘電体層を取り
除いていた。
【０００８】このように電極の全体を誘電体層で被覆し
ておくことにより、基板を封止するための熱処理での酸
化を防止することができる。つまり、誘電体層は、６０
０℃程度の熱に対する耐熱性を有しており、ＰＤＰの製
造段階において、電極（金属薄膜）の熱による変質を防
ぐ電極保護層として用いられる。
ておくことにより、基板を封止するための熱処理での酸
化を防止することができる。つまり、誘電体層は、６０
０℃程度の熱に対する耐熱性を有しており、ＰＤＰの製
造段階において、電極（金属薄膜）の熱による変質を防
ぐ電極保護層として用いられる。
【０００９】なお、電極が露出した状態で熱処理を行う
場合には、不活性雰囲気中で処理を行う必要があり、生
産性が大幅に低下してしまう。
場合には、不活性雰囲気中で処理を行う必要があり、生
産性が大幅に低下してしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＰＤＰ１に
おいては、放電空間３０に残留する不純物をできるだけ
少なくするのが望ましい。水分や炭酸ガスなどの不純物
が残存すると、放電特性が不安定になり、焼付きが生じ
易くなる。
おいては、放電空間３０に残留する不純物をできるだけ
少なくするのが望ましい。水分や炭酸ガスなどの不純物
が残存すると、放電特性が不安定になり、焼付きが生じ
易くなる。
【００１１】従来、放電空間３０の清浄化の効率を高め
るため、基板１１，２１を３５０℃程度に加熱した状態
で排気が行われていた。しかし、３５０℃程度の熱エネ
ルギーでは不純物を十分に除去することが困難であっ
た。
るため、基板１１，２１を３５０℃程度に加熱した状態
で排気が行われていた。しかし、３５０℃程度の熱エネ
ルギーでは不純物を十分に除去することが困難であっ
た。
【００１２】そこで、不純物を放電（プラズマ）によっ
て物理的及び化学的に除去することが考えられる。この
放電による清浄化は、特に内壁面が活性な状態であるベ
ーキング（真空熱処理）中に行なえばより効果的であ
る。
て物理的及び化学的に除去することが考えられる。この
放電による清浄化は、特に内壁面が活性な状態であるベ
ーキング（真空熱処理）中に行なえばより効果的であ
る。
【００１３】しかし、従来においては、排気工程段階で
は電極全体が誘電体層（絶縁層）で被覆されているの
で、放電による内部の清浄化を行うことができなかっ
た。本発明は、この問題に鑑みてなされたもので、電極
を変質させることなく、放電による放電空間の清浄化を
行って特性の安定したＰＤＰを製造することを目的とし
ている。
は電極全体が誘電体層（絶縁層）で被覆されているの
で、放電による内部の清浄化を行うことができなかっ
た。本発明は、この問題に鑑みてなされたもので、電極
を変質させることなく、放電による放電空間の清浄化を
行って特性の安定したＰＤＰを製造することを目的とし
ている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の方法
は、図１及び図２に示すように、第１の基板上に複数の
電極を配列し、前記各電極の全体を耐熱性保護層で被覆
した後に、前記第１の基板と第２の基板とを前記各電極
の端部が前記第２の基板の端縁から張り出すように対向
配置し、前記第１及び第２の基板を一体化して放電のた
めの内部空間を形成し、前記第１及び第２の基板を加熱
した状態で前記内部空間の排気を行うＰＤＰの製造方法
であって、前記耐熱性保護層の内の前記各電極の前記端
部を被覆する部分の層として導電性を有した層を形成し
ておき、前記内部空間の排気の途中の段階で前記内部空
間に放電ガスを導入し、前記導電性を有した層を介して
前記各電極に電圧を印加し、前記第１及び第２の基板が
加熱された状態の前記内部空間内で放電を生じさせた後
に、再び前記内部空間の排気を行って放電ガスを導入
し、前記内部空間を完全に密閉する方法である。
は、図１及び図２に示すように、第１の基板上に複数の
電極を配列し、前記各電極の全体を耐熱性保護層で被覆
した後に、前記第１の基板と第２の基板とを前記各電極
の端部が前記第２の基板の端縁から張り出すように対向
配置し、前記第１及び第２の基板を一体化して放電のた
めの内部空間を形成し、前記第１及び第２の基板を加熱
した状態で前記内部空間の排気を行うＰＤＰの製造方法
であって、前記耐熱性保護層の内の前記各電極の前記端
部を被覆する部分の層として導電性を有した層を形成し
ておき、前記内部空間の排気の途中の段階で前記内部空
間に放電ガスを導入し、前記導電性を有した層を介して
前記各電極に電圧を印加し、前記第１及び第２の基板が
加熱された状態の前記内部空間内で放電を生じさせた後
に、再び前記内部空間の排気を行って放電ガスを導入
し、前記内部空間を完全に密閉する方法である。
【００１５】請求項２の発明の方法は、前記導電性を有
した層を全ての前記電極の端部に跨がるように形成し、
前記導電性を有した層を介して全ての前記電極に一括に
前記電圧を印加して放電を生じさせ、前記内部空間を完
全に密閉した後に前記導電性を有した層を取り除くもの
である。
した層を全ての前記電極の端部に跨がるように形成し、
前記導電性を有した層を介して全ての前記電極に一括に
前記電圧を印加して放電を生じさせ、前記内部空間を完
全に密閉した後に前記導電性を有した層を取り除くもの
である。
【００１６】
【作用】ＰＤＰの製造途中において、電極の端部は、導
電性を有した耐熱性保護層によって外気と分断され、加
熱時の化学変化（酸化）による変質が防止される。
電性を有した耐熱性保護層によって外気と分断され、加
熱時の化学変化（酸化）による変質が防止される。
【００１７】導電性を有した耐熱性保護層を介して電極
と外部の電源とを電気的に接続することができるので、
電極を保護した状態で放電を生じさせることができる。
と外部の電源とを電気的に接続することができるので、
電極を保護した状態で放電を生じさせることができる。
【００１８】
【実施例】図１は本発明に係るＰＤＰ１の部分断面図、
図２はＰＤＰ１の要部平面図である。また、図３は本発
明に係るＰＤＰ１の分解斜視図であり、１つの画素ＥＧ
に対応する部分の基本的な構造を示している。なお、こ
れらの図において、図５に対応する構成要素には同一の
符号を付してある。
図２はＰＤＰ１の要部平面図である。また、図３は本発
明に係るＰＤＰ１の分解斜視図であり、１つの画素ＥＧ
に対応する部分の基本的な構造を示している。なお、こ
れらの図において、図５に対応する構成要素には同一の
符号を付してある。
【００１９】ＰＤＰ１は、図３のようにマトリクス表示
の単位発光領域ＥＵに一対の表示電極Ｘ，Ｙとアドレス
電極Ａとが対応する３電極構造の面放電型ＰＤＰであ
り、蛍光体の配置形態による分類の上で反射型と呼称さ
れている。
の単位発光領域ＥＵに一対の表示電極Ｘ，Ｙとアドレス
電極Ａとが対応する３電極構造の面放電型ＰＤＰであ
り、蛍光体の配置形態による分類の上で反射型と呼称さ
れている。
【００２０】面放電のための表示電極Ｘ，Ｙは、表示面
Ｈ側（前面側）のガラス基板１１上に設けられ、誘電体
層１７によって放電空間３０に対して被覆されている。
誘電体層１７の表面には、数千Å程度の厚さのＭｇＯ膜
１８が設けられている。放電空間３０は、ガラス基板１
１，２１の対向領域の周囲を融着する封止ガラス４０
（図１参照）によって密閉されている。
Ｈ側（前面側）のガラス基板１１上に設けられ、誘電体
層１７によって放電空間３０に対して被覆されている。
誘電体層１７の表面には、数千Å程度の厚さのＭｇＯ膜
１８が設けられている。放電空間３０は、ガラス基板１
１，２１の対向領域の周囲を融着する封止ガラス４０
（図１参照）によって密閉されている。
【００２１】また、表示電極Ｘ，Ｙは、放電空間３０に
対して表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範
囲とし且つ表示光の遮光を最小限とするため、ネサ膜な
どからなる幅の広い透明導電膜４１とその導電性を補う
ための幅の狭い３層構造（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）の金属膜
４２とから構成されている。
対して表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範
囲とし且つ表示光の遮光を最小限とするため、ネサ膜な
どからなる幅の広い透明導電膜４１とその導電性を補う
ための幅の狭い３層構造（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）の金属膜
４２とから構成されている。
【００２２】各表示電極Ｘ，Ｙの金属膜４２は、図１の
ように駆動系との接続のためにガラス基板１１の端縁部
まで導出され、なお且つ先端（図１の斜線を付した部
分）が図２のように接続端子４３として幅広に形成され
ている。
ように駆動系との接続のためにガラス基板１１の端縁部
まで導出され、なお且つ先端（図１の斜線を付した部
分）が図２のように接続端子４３として幅広に形成され
ている。
【００２３】一方、単位発光領域ＥＵを選択的に発光さ
せるためのアドレス電極Ａは、厚膜電極であって、背面
側のガラス基板２１上に表示電極Ｘ，Ｙと直交するよう
に一定ピッチで配列されている。各アドレス電極Ａの間
には、１２０〜１５０μｍ程度の高さを有したストライ
プ状の隔壁２９が設けられ、これによって放電空間３０
がライン方向に単位発光領域ＥＵ毎に区画され且つ放電
空間３０の間隙寸法が規定されている。
せるためのアドレス電極Ａは、厚膜電極であって、背面
側のガラス基板２１上に表示電極Ｘ，Ｙと直交するよう
に一定ピッチで配列されている。各アドレス電極Ａの間
には、１２０〜１５０μｍ程度の高さを有したストライ
プ状の隔壁２９が設けられ、これによって放電空間３０
がライン方向に単位発光領域ＥＵ毎に区画され且つ放電
空間３０の間隙寸法が規定されている。
【００２４】また、ガラス基板２１には、アドレス電極
Ａの上面及び隔壁２９の側面を含めて背面側の内面を被
覆するように、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色
の蛍光体２８が設けられている。各色の蛍光体２８は、
面放電時に放電空間３０内の放電ガスが放つ紫外線によ
って励起されて発光する。ＰＤＰ１では、Ｒ，Ｇ，Ｂの
組み合わせによるフルカラー表示が可能である。
Ａの上面及び隔壁２９の側面を含めて背面側の内面を被
覆するように、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色
の蛍光体２８が設けられている。各色の蛍光体２８は、
面放電時に放電空間３０内の放電ガスが放つ紫外線によ
って励起されて発光する。ＰＤＰ１では、Ｒ，Ｇ，Ｂの
組み合わせによるフルカラー表示が可能である。
【００２５】ＰＤＰ１の製造に際しては、表示電極Ｙ
を、低融点ガラスからなる誘電体層１７と導電性耐熱層
５０とによって保護する。導電性耐熱層５０は、例えば
銀ペースト又は銀と鉛ガラスと主成分とする導電性ペー
ストの焼成によって得られ、封止材４０の外側に位置す
る接続端子４３を被覆する。本実施例では、図２のよう
に表示電極Ｙを構成する全ての金属膜４２の先端の接続
端子４３に跨がるように導電性耐熱層５０を形成する。
これにより各表示電極Ｙに一括に電圧を印加することが
できる。なお、表示電極Ｘについては、全体を誘電体層
１７によって保護する。
を、低融点ガラスからなる誘電体層１７と導電性耐熱層
５０とによって保護する。導電性耐熱層５０は、例えば
銀ペースト又は銀と鉛ガラスと主成分とする導電性ペー
ストの焼成によって得られ、封止材４０の外側に位置す
る接続端子４３を被覆する。本実施例では、図２のよう
に表示電極Ｙを構成する全ての金属膜４２の先端の接続
端子４３に跨がるように導電性耐熱層５０を形成する。
これにより各表示電極Ｙに一括に電圧を印加することが
できる。なお、表示電極Ｘについては、全体を誘電体層
１７によって保護する。
【００２６】表示電極Ｘ，Ｙを被覆した後、誘電体層１
７の表面にＭｇＯ膜１８を真空蒸着によって形成する。
そして、表示電極Ｘ，Ｙを有するガラス基板１１と、別
途にアドレス電極Ａなどを設けた背面側のガラス基板２
１とを、接続端子４３がガラス基板２１の端縁から張り
出すように対向配置して一体化する。これにより、内部
に放電空間３０が形成される。ただし、この時点では放
電空間３０は大気状態である。
７の表面にＭｇＯ膜１８を真空蒸着によって形成する。
そして、表示電極Ｘ，Ｙを有するガラス基板１１と、別
途にアドレス電極Ａなどを設けた背面側のガラス基板２
１とを、接続端子４３がガラス基板２１の端縁から張り
出すように対向配置して一体化する。これにより、内部
に放電空間３０が形成される。ただし、この時点では放
電空間３０は大気状態である。
【００２７】次に、チップ管６０（図５参照）を介して
放電空間３０と排気装置とを接続し、真空排気及び３５
０℃のベーキング（加熱処理）を行う。このとき、加熱
に先立って導電性耐熱層５０に通電用プローブを取り付
けておく。
放電空間３０と排気装置とを接続し、真空排気及び３５
０℃のベーキング（加熱処理）を行う。このとき、加熱
に先立って導電性耐熱層５０に通電用プローブを取り付
けておく。
【００２８】ガラス基板１１の温度が３５０℃に達する
と、排気を中断して放電空間３０に放電ガスを導入す
る。放電ガスとしては、例えばネオンとキセノンと酸素
との混合ガスを用いる。また、ガス圧力は数十〜数百Ｔ
ｏｒｒの範囲内の適当な値とする。
と、排気を中断して放電空間３０に放電ガスを導入す
る。放電ガスとしては、例えばネオンとキセノンと酸素
との混合ガスを用いる。また、ガス圧力は数十〜数百Ｔ
ｏｒｒの範囲内の適当な値とする。
【００２９】そして、導電性耐熱層５０を介して全ての
表示電極Ｙに対して共通に電圧パルス（２００Ｖ、１０
ｋＨｚ）を印加し、ガラス基板１１を加熱状態に保った
状態で放電空間３０を清浄化するための放電を生じさせ
る。本実施例では、放電空間３０の前面側及び背面側の
両方の壁面を清浄化するため、図４のように表示電極Ｙ
とアドレス電極Ａとを電源８０に接続し、ガラス基板１
１，２１の対向方向の放電を生じさせる。ここで、アド
レス電極Ａについては、導電性耐熱層５０と同様の層又
はステンレス板などの冶具を短絡導体５５として用いる
ことによって、複数のアドレス電極Ａを一括して電源８
０に接続する。
表示電極Ｙに対して共通に電圧パルス（２００Ｖ、１０
ｋＨｚ）を印加し、ガラス基板１１を加熱状態に保った
状態で放電空間３０を清浄化するための放電を生じさせ
る。本実施例では、放電空間３０の前面側及び背面側の
両方の壁面を清浄化するため、図４のように表示電極Ｙ
とアドレス電極Ａとを電源８０に接続し、ガラス基板１
１，２１の対向方向の放電を生じさせる。ここで、アド
レス電極Ａについては、導電性耐熱層５０と同様の層又
はステンレス板などの冶具を短絡導体５５として用いる
ことによって、複数のアドレス電極Ａを一括して電源８
０に接続する。
【００３０】所定時間にわたって放電を続け、プラズマ
作用によって水分や炭素などの不純物を内壁面から遊離
させた後、再び排気を行って放電ガスとともに不純物を
排出する。その後、新たに放電ガスを導入してチップ管
６０を溶断し、放電空間３０を完全に密閉する。そし
て、硝酸溶液を用いて導電性耐熱層５０を除去し、表示
電極Ｙを電気的に分離する。これによりＰＤＰ１の組立
てが終了する。
作用によって水分や炭素などの不純物を内壁面から遊離
させた後、再び排気を行って放電ガスとともに不純物を
排出する。その後、新たに放電ガスを導入してチップ管
６０を溶断し、放電空間３０を完全に密閉する。そし
て、硝酸溶液を用いて導電性耐熱層５０を除去し、表示
電極Ｙを電気的に分離する。これによりＰＤＰ１の組立
てが終了する。
【００３１】上述の実施例においては面放電型のＰＤＰ
１を例示したが、本発明は対向放電型のＰＤＰにも適用
可能である。また、放電空間３０の排気と並行して放電
ガスを導入することもできる。その場合は、例えば放電
空間３０の対角の隅にそれぞれチップ管６０を取り付
け、一方を排気装置と接続し、他方を放電ガスの供給源
と接続すればよい。
１を例示したが、本発明は対向放電型のＰＤＰにも適用
可能である。また、放電空間３０の排気と並行して放電
ガスを導入することもできる。その場合は、例えば放電
空間３０の対角の隅にそれぞれチップ管６０を取り付
け、一方を排気装置と接続し、他方を放電ガスの供給源
と接続すればよい。
【００３２】
【発明の効果】請求項１及び請求項２の発明によれば、
電極を変質させることなく、放電による放電空間の清浄
化を行って特性の安定したＰＤＰを製造することができ
る。
電極を変質させることなく、放電による放電空間の清浄
化を行って特性の安定したＰＤＰを製造することができ
る。
【００３３】請求項２の発明によれば、製造途中におい
て表示領域の全域で放電を生じさせるための外部電源と
の接続が容易になる。
て表示領域の全域で放電を生じさせるための外部電源と
の接続が容易になる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの部分断面図である。
【図２】ＰＤＰの要部平面図である。
【図３】本発明に係るＰＤＰの分解斜視図である。
【図４】電圧の印加方法の一例を示す模式図である。
【図５】ＰＤＰの外観図である。
１ ＰＤＰ
１１ ガラス基板（第１の基板）
２２ ガラス基板（第２の基板）
１７ 誘電体層（耐熱性保護層）
３０ 放電空間（内部空間）
４３ 接続端子（電極の端部）
５０ 導電性耐熱層（耐熱性保護層、導電性を有した
層） Ｙ 表示電極（電極）
層） Ｙ 表示電極（電極）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−245138（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−203759（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−255575（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 9/38
H01J 11/00
H01J 11/02
Claims (2)
- 【請求項１】第１の基板上に複数の電極を配列し、前記
各電極の全体を耐熱性保護層で被覆した後に、前記第１
の基板と第２の基板とを前記各電極の端部が前記第２の
基板の端縁から張り出すように対向配置し、前記第１及
び第２の基板を一体化して放電のための内部空間を形成
し、前記第１及び第２の基板を加熱した状態で前記内部
空間の排気を行うＰＤＰの製造方法であって、 前記耐熱性保護層の内、前記各電極の前記端部を被覆す
る部分の層として導電性を有した層を形成しておき、 前記内部空間の排気の途中の段階で前記内部空間に放電
ガスを導入し、前記導電性を有した層を介して前記各電
極に電圧を印加し、前記第１及び第２の基板が加熱され
た状態の前記内部空間内で放電を生じさせた後に、 再び前記内部空間の排気を行って放電ガスを導入し、前
記内部空間を完全に密閉することを特徴とするＰＤＰの
製造方法。 - 【請求項２】前記導電性を有した層を全ての前記電極の
端部に跨がるように形成し、前記導電性を有した層を介
して全ての前記電極に一括に前記電圧を印加して放電を
生じさせ、 前記内部空間を完全に密閉した後に前記導電性を有した
層を取り除く、 請求項１記載のＰＤＰの製造方法。
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Applications Claiming Priority (1)
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