TW498392B - Gas discharge panel manufacturing method and gas discharge panel - Google Patents

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498392 A7 B7 五、發明說明（ 技術領域 本發明係有關於接合第_基 體放電板之製造方法，特別 基板所構成的氣 蚌及刭以… ]疋有關於具有當在兩基板定位 保持料特徵的氣體放電板之 造方法和其製造裝置。 衣 背景技術 迄今，作為氣體放電板之一例已知如第8圖所示交流 型之電裝顯示板（以下稱為PDP)。該圖係表示電裝顯示板 構成的一部份斜視圖（一部份透視）。 5亥電漿顯示板（PDP)包含有： 訂 弟1基板5，係複數根之顯示電極2、介電體層3及保護 層4形成於玻璃基板1之内表面上； 數據電極7，係複數根沿著與顯示電極2正交方向配置 介電體層8，係形成於玻璃基板6之内表面上； 外圍為12，係在每介電體層8上之一定位置區隔發光 領域的低熔點玻璃製之隔壁9並列所形成之第二基板1〇對 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 向配置之後’將外周端緣以由低熔點玻璃構成之封閉構件 11而封閉構成。 而且’藉隔壁9所區隔的各發光領域每個介電體層8上 塗敷用以實現彩色顯示之螢光體13，在外圍器12内以約 66500帕斯卡（帕）之壓力封入混合氣及氣構成的放電氣體 可是，如此的電漿顯示板，一般，將第一基板5及第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 發明說明（2) 二基板10分開製作的聯接構成。也就是說，首先，通常在 破璃的基板上形成顯示電極之後，在其上將介電體層狀的 塗敷燒成。接著，在介電體層上完成以電子束蒸鍍法等將 氧化鎂等之膜作為保護膜形成之第一基板5。 接著在另一玻璃基板上形成數據電極之後，在其上將 介電體層狀的形成，更且形成以一定的圖像由低熔點玻璃 構成之隔壁，接著將螢光體層狀的設置於其隔壁之間，最 後在玻璃基板周邊塗封閉構件（通常熔結（多孔）玻璃與黏 合劑混合者）之後，施行為除去該封閉構件之樹脂成份之 預燒成完成了第二基板。 如此作成之第一基板與第二基板一邊相互接觸配置於 一定位置固定原狀，一邊藉加熱封閉聯接，完成外圍器。 最後，一次將外圍器内部作成真空，以一定的溫度加 熱後’封入放電氣體完成氣體放電板。 可是，如此製作電漿顯示板的話，所完成的電漿顯示 板之中知道有放電起始電壓變高，或在發光中產生異常放 電現象等之問題。這個被認為係如下的原因。 首先，變成形成於第一基板保護膜之氧化鎂係由針狀 的分子所構成，面對玻璃基板大略垂直大體上有規律的排 列者，因此，在該分子之間水份或氣體粒子如吸附的話， 可不輕易除去。 一方面，在板完成後，保護膜在放電時暴露，在為變 成高溫之分子間吸附之水份或氣體分子緩慢的流出放電空 間而劣化氣體之純度。 498392 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 A7 ---------B7___ 五、發明說明（3 ) 再者’形成於第二基板之螢光體係非常極性的狀態。 因此同樣在螢光體水份或氣體分子也容易吸附，變成與保 護膜同樣的狀態。 認為因這樣的氣體純度之劣化而產生放電起始電壓上 升或發光中之異常放電。在此，雖除去水份與氣體分子兩 方較理想係當然的，特別是即使只除去水份，也能得到效 果。因此，第一基板其中係保護膜形成後，又第二基板其 中係周邊之封閉構件預燒成後，雖儘可能不暴露於大氣較 為理想，但實際之電漿顯示板製造其中，未考慮施行如此 微細之點係現狀。 發明概述 不過，本發明係提供一種可迴避因如此放電氣體之純 度劣化而起的板之特性劣化，實現優越的板特性之製造方 法及那樣的製造裝置作為目的。 為達成這樣的目的，有關於本發明氣體放電板之製造 方法係使用形成保護層之第一基板與形成營光體之第二基 板，具有將兩基板接觸配置於一定位置的定位步驟之氣體 放電板之製造方法其中，其特徵為在減壓狀態施行定位步 驟。 如此藉在減壓狀怨中施行定位步驟，定位時關在其内 部空間之水份或氣體分子的量變減低。因此，完成品之中 有放電起始電壓變高、或發光中產生異常放電現象等問題 之虞較少，變成可獲得板特性優越者。可是，雖變成放電 氣體最後才封入板之内部空間，但在封閉後水蒸氣等之不 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公髮）

AHW*«--------^---------AWI. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 發明說明（4) 純物亚不容易自該部份有效的排氣，特別是，定位在水墓 氣含有量未管理之大氣中施行時變為顯著。不過，藉在減 壓狀態中施行如發明之定位步驟，由於當定位時關在裏面 之水条氣量減低，可得如上述板特性優越之氣體放電板。 再者’在刖述定位步驟之前’將第一基板在第一減壓 至及/或將第_基板在第二減壓室一邊加熱一邊在減壓下 暴露後，其特徵為在第三減麼室中在減㈣態施行兩基板 之定位。 由此’第-基板及第二基板減壓狀態下之處理無需相 ^對向’可在各自的減壓室内施行’各基板保持的水份或 氣體分子自該基板分離之後’可確實的抑制所謂再度吸附 於彼此的基板之現象。因此，即使在做好的板中，也變成 使板特性更優越者。 另外，藉將各基板置於各自的減壓室個別的減壓環境 下，各基板在適當的條件下，可分離水份等。 再者，如置於各別的減壓室中在減壓狀態，各基板係 離間’所謂自第二基板發生之黏合劑消失氣體吸附於對方 側第一基板之可能性變成顯著的減低。 又，如此置於各自的減壓室在減壓狀態的話，由於各 基板表面之全面容易均一的暴露於減壓環境，變成容易除 去自基板内表面均一的水份等。 在此，前述第1基板係形成保護層之後以一定的溫户 加熱經第一基板燒成步驟而形成，該第一基板燒成步驟前 之第一基板係該第一基板燒成步驟其中可作成設置於前述 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 A7 ---_______B7___ 五、發明說明（5 ) ^ 1〜 -- 第一減壓室内者。 •在此，前述第二基板係經過營光體形成步驟 燒成步驟、密封材塗敷步驟與密封材預燒成步驟而妒成肚 密封材預燒成步驟前之第二基板可作成自密封材預燒 驟途中設置於前述第二減壓室内者。 &少 在此，將前述第一減壓室及第二減壓室減壓至Η% 以下較為理想。 者’本發明係使用形成保護層之第_基板與形成營 光體之第二基板，具有將兩基板接觸配置於一定位置之定 位步驟之氣體放電板之製造方法其中，其特徵為在乾氣^ 環境下施行定位步驟。 如此藉在乾氣體環境中施行定位步驟，變成在定位時 關在其内部空間之水份或氣體分子的量可減低。因此，= 成品之中有放電起始電壓變高，或在發光中產生異常放電 現象等問題之虞較少，變成可獲得板特性優越者。可是， 雖放電氣體最後封入板之内部空間，但封閉後水蒸氣等之 不純物並不容易自該部份有效的排氣，特別是，定位在水 蒸氣量含有量未管理之大氣中施行時變為顯著。不過，藉 在乾氣體環境中施行如本發明之定位步驟，由於當定位時 關在裏面之水蒸氣量減低’可獲得如上述板特性優越之氣 體放電板。 再者’在前述定位步驟之前，將第一基板在第一乾氣 體環境室及/或將第二基板在第二乾氣體環境室一邊加熱 一邊暴露於乾氣體環境下之後，其特徵為在第三乾氣體環 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公爱）—"------^ AWI I ^ ·11111---AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *經濟部4曰慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 境室中在乾氣體環境下施行兩基板之定位。 由此，第一基板及第二基板乾氣體環境下之處理無需 相互對向可在各自的乾氣體環境室内施行，各基板保持的 水份或氣體分子自該基板分離之後，能確實的抑制所謂再 度吸附於彼此基板之現象。因此，即使在做好的板也成為 板特性更優越者。 另外’藉將各基板置於各自乾氣體環境室分開的乾氣 體環境下’各基板在適當的條件，可分離水份等。 再者，各自的乾氣體環境室中如置於乾氣體環境的話 ，各基板被離間，所謂自第二基板發生之黏合劑消失氣體 吸附於對方側第一基板之可能性變成顯著的減低。 再者，如此置於各自的乾氣體環境室乾氣體環境狀態 的話，由於各基板表面之全面容易均一的暴露於乾氣體環 境’自基板内表面均一的除去水份等變為容易。 在此，前述第一基板係形成保護層之後經以一定的溫 度加熱之第一基板燒成步驟而形成，該第一基板燒成步驟 韵之第一基板可作成在該第一基板燒成步驟其中，設置於 前述第一乾氣體環境室内者。 在此，兩述第二基板係經螢光體形成步驟、螢光體燒 成步驟、密封材塗敷步驟與密封材預燒成步驟而形成，密 封材預燒成步驟前之第二基板可作成自密封材預燒成步驟 從開始設置於前述第二乾氣體環境室内者。 在此，4述第一乾氣體環境室及第二乾氣體環境室係 充滿攝氏零下30度以下露點規定之乾氣體較為理邦。 --------^---------^ f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Α7五、發明說明（7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者’將第-基板一邊加熱一邊置於減壓狀態，一方 面將第一基板置於乾氣體之環境下之後，也能施行定位 〇 根據如以上的製法，可得到内部空間之水蒸氣分壓在 100帕以下之氣體放電板。 又，如此由於可獲得内部空間之水蒸氣分壓非常低的 板’即使板的環境溫度降低’因水份影響致放電特性劣化 之程度也少。 再者，本發明係包含有第一基板搬送機構、第二基板 搬达機構與定位機構的氣體放電板之製造裝置，其特徵為 第一基板搬送機構、第二基板搬送機構與定位機構係分別 配置於分開的密閉室内，各密閉室包含有給氣及排氣機構 之至少任何一方。 由此第基板及第一基板之減壓狀態下或乾氣體 境下之處理無需相互對向可在相t程度隔離的地方施行 各基板保持之水份或氣體分子自該基板分離之後，可確〃 的抑制所謂再度吸附於彼此基板之現象。另外，藉將各基 板置於隔離的地方，各基板在適當的條件，能分離水份等 環 實 再者，各基板係隔離，變成所謂自第二基板發生之黏 劑消失氣體吸附於對方側第一基板之可能性顯著的減低 又，由於各基板表面之全面容易均一的暴露於減壓環 i兄或乾氣體，變成容易均一的自基板内表面除去水份等。 -裝·--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- Ψ. 10 4^8392 A7 41 經 濟 部 智- 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（8 ) 因此，可得到更優越的板特性之氣體放電板。 在此，在配置前述第一基板搬送機構與前述定位機構 之岫述各松閉室間以及配置前述第二基板搬送機構與前述 定位機構之前述各密閉室間之間具有連結部，前述連結部 内也可作成具有給氣及排氣機構至少任一方者。 圖式之簡單的說明 第1圖：簡化表示有關於第丨實施形態電漿顯示板製造 方法之剖面圖。 第2圖：簡化表示有關於第2實施形態電漿顯示板製造 方法之剖面圖。 第3圖·簡化表不有關於在第3實施形態電漿顯示板製 造方法之剖面圖。 第4圖：簡化表示有關於在第4實施形態電漿顯示板製 造方法之剖面圖。 第5圖：簡化表示有關於在第5實施形態電漿顯示板製 造方法之剖面圖。 第6圖：簡化表示有關於第6實施形態電漿顯示板製造 裝置之剖面圖。 第7圖·表不在面對第3、5實施形態比較例之製造方 法％行封閉時殘留於第_基板表面之有機系氣體之量特性 圖。 第8圖·簡化表示有關於習知的形態及本發明實施形 悲電漿顯示板之斷裂斜視圖。 為貫施發明之最佳實施形態 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 498392 A7 '-------B7 五、發明說明（9 ) 以下，利用圖式說明本發明之實施形態。 [第1實施形態] 帛1圖係簡化表示有關於實施形態電漿顯示板製造方 法之剖面圖。 另外，由於該時電装顯示板之全體構成與習知的形態 在基本上不能不同，在第丨圖中與第8圖彼此同一或相當的 令件，部份係附上同一符號（以下同樣）。 本發明為定位步驟及到定位為止之步驟具有特徵，利 用第1圖說明該等之步驟。 在第1圖中表示100係定位室，1〇1係第一基板搬入口 ，102係第二基板搬入口，1〇3係第丨基座，1〇4係對一加熱 器，105係第一基板支撐銷，1〇6係第一真空果。在此定位 至100係變成將該内部保持氣密的狀態那樣氣密性高的構 造。 第一基板5係在玻璃基板上以銀糊等形成顯示電極之 後燒成，在其上形成由低融點玻璃構成之介電體之後燒成 ，更且在其上以電子束蒸鍍法形成由氧化鎂構成之保護層 ’在疋位步驟之前以一定的溫度燒成。 一方面，第二基板10係在玻璃基板上以銀糊等形成導 址用電極之後燒成，在其上形成由低熔點玻璃構成的介電 體燒成後，更且在其上將由低熔點玻璃構成之隔壁形成一 定的形狀並燒成。 其次在隔壁間以一定之圖像形成螢光體並燒成。接著 將第二基板之周邊在與第一基板5重疊部位之周端部成為 本紙張尺度綱巾0國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） 12

Aw-. --------1---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4^8392 A7 B7 # ♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇 封閉構成之糊（熔結（多孔）玻璃、黏合劑與溶劑之混合物） 以分配器等塗敷，為除去糊含有之樹脂成份而以一定的溫 度預燒成者。 在第1(1)圖中，自第一基板搬入口 ι〇1搬入第一基板5 ’暫時配置於第一基板支撐銷ι〇5上。接著自第二基板搬 入口 102搬入第二基板10，暫時配置於第一基座1〇3上之一 定位置。 接著將第一基板5與第二基板1〇之間隔在充分拉開的 狀悲，在第一真空泵1 〇6將定位室i 〇〇之内部作成減壓狀態 。藉作成這樣的減壓狀態，吸附於第一基板5及第二基板1〇 表面之水份或氣體分子自兩基板可除去。此外，此處的減 壓私度雖不用說當然是越高越理想，但在1333帕以下較為 理想，更且作成133帕以下更為理想。 此日守，將疋位室1 00内以第一加熱器i 加熱到譬如攝 氏350度程度時，可進一步促進水份或氣體分子（對放電氣 體來說變成不純物者）自基板分離。 接著如第1(2)圖所示，緩慢下降第一基板支撐銷1〇5 直到構成第一基板5構件的一部份接觸構成第二基板構件 的一部份，在此雖未圖示，但在第一基板5與第二基板1〇 將預先形成之定位t號以照相貞等—邊認^ _邊定位於一 定位置，結束定位步驟。 如此藉在減壓狀態中施行定位步驟，定位時變成可減 低關在其内部空間之水份或氣體分子之量。 因此，做好的電漿顯示板之中有放電起始電壓變高， 498392 A7 -------— B7 五、發明說明（11 ) 或在發光中產生異常放電現象箄門索 吃凡豕寺問喊之虞較少，成為可獲 得板特性優越之電漿顯示板。 料，在此雖未圖示，但定位步驟後，如保持減㈣ 態原狀移行至其次的封閉步驟時，因為最小限度的阻止水 份或氣體分子朝兩基板再吸附可形成外圍器，更是理想。 [第2實施形態] ~ 第2圖係本實施形態製造方法之特徵的步驟部份表示 圖。在此，冑第-基板5在與施行定位室之另_室減壓狀 恶下，自經過水份除去等之步驟（以該步驟施行之處理以 下稱為第一基板之燒成），表示作成如第一實施形態所述 定位之例。在第2圖其中表示110係第一基板燒成室，ιι3 係第二基座，114係第二加熱器，115係第一基板搬送臂， 116係第二泵。第一基板燒成室11〇係作成保持氣密那樣。 在第2( 1)圖中第一基板5係形成保護層後，自第一基 板搬入口 101朝第一基板燒成室11〇内搬入後，設置於第一 基板搬送臂115上之一定位置。 一方面，第二基板係周邊之封閉構件塗敷後，結束預 燒成，設置於定位室100内第一基底1〇3上之一定位置。 在此，將第一基板燒成室11〇内一邊以第二泵作減壓 狀態一邊使用第二加熱器114以一定的溫度加熱。此時即 使將定位室100内用第一泵106作成減壓狀態也可，另外雖 在第一加熱器104加熱也可，之後由於打開第一遮蔽器η 1 ’致第一基板燒成室110内與定位室100内可連通，相互的 室環境不會影響那樣真空度及室溫度等室之諸條件調整人 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） * 裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^-rDT · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 498392 A7 B7 五、發明說明（I2 適較為理想。 接著如第2(2)圖所示，打開第一遮蔽器lu，將載置 第一基板5之第一基板搬送臂115滑動於定位室1〇〇内，將 第一基板5載置於第一基板支撐銷1〇5上之後，將第一基板 搬迗臂115退回第一基板燒成室11〇並關閉第一遮蔽器ui 此外，在此第一基板搬送臂丨丨5雖未詳細說明，其載置 面在預先突出之狀態固定於第一基板支撐銷1〇5之上端高 度在$後使用以其原雨度平行移動的那樣機構系構成者 。由此，該臂之驅動系及其控制系因而作成更簡單的構成 。當然，只要在精確度好的第一基板支撐銷上載置第一基 板的話，即使任何的機構也無妨（關於以下的搬送臂也同樣）。 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

,經濟部t慧財產局員工消費合作社印製 在此與前述第1實施形態同樣將定位室n 〇減壓，另外 在過熱之後，結束一定之定位步驟。 如此在與施行第一基板5及第二基板1〇定位步驟室的 另一室減壓環境下，藉經過自基板表面除去吸附水份等步 驟热法只除去吸附於保護層分子的水份或氣體一旦自葉 板表面分離之水份或氣體分子等殘留於定位室内時，可防 止所謂再度吸附於第一基板或第二基板之現象。其結果， 變成可更加提高板特性。[第3實施形態] 第3圖係本實施形態製造方法特徵的步驟部份表示圖 。在第3圖中表示120係第二基板預燒成室，121係第二遮 蔽益’ 123係第三基座，124係第三加熱器，125係第二芙 本紙張尺用中家標準（CNS)A4規格（21Q χ 297公爱） 7~i5~~- •線. 498392 A7

五、發明說明（l3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 板搬送臂，i26係第三泵。在此，第二基板預燒成室12〇係 作成保持氣密那樣。 在第3(1)圖中，將塗敷封閉構件之糊於基板周邊之第 二基板10自第二基板搬入口 1〇2搬入，配置於第二基板搬 送臂125上之一定位置。接著以第三加熱器124將第二基板 預燒成室120内加熱，實施預燒成。 接著以超過預燒成之頂峯溫度以冷卻途中之一定溫度 ，藉第三泵126將第二基板預燒成室12〇内減壓。接著第二 基板10冷卻後，如第3(2)圖所示打開第二遮蔽器121，將 載置第二基板10之第二基板搬送臂125滑動於定位室1〇〇内 在第一基座103上之一定位置配置第二基板1〇。 在此定位室100係預先在減壓狀態也可，或加熱也可 。另外第二基板10之搬送係第二基板不一定未變成常溫也 無妨。 接著在第（3)，（4)圖係與第2實施形態第一基板5之燒 成步驟相同。 如此實施時，一般為除去第二基板1〇以預燒成步驟含 於封閉構件糊之樹脂成份，在環境中變成需要氧氣，雖不 能自預燒成步驟由開始就是減壓狀態，但藉除去樹脂成份 之後’將第二基板10保持減壓狀態，可減少水份或氣體分 子朝第二基板10吸附。 再者，本實施形態，第一基板及第二基板在減壓狀態 下之處理（在室110及室120内之處理）無需相互對向可在各 目的室内施行。因而’各基板保持之水份或氣體分子自該 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公爱) ---'-— -----------Aw· I ^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 498392

又，由於如此經過所謂將各基板在另一室内置於減壓 下之步驟’ S配合各基㈣性置於減壓環境及溫度環境， 變成也可更加提高板特性。也就是說H第—基板與 第二基板係其内表面狀態之不同致水份分離之溫度也不同 ，一般，在被内表面對水分子吸附性高的氧化鎂被覆的第 -基板之-方未加熱至更高的真空度及高溫度的活水份不 能充份的分離。因此’雖也考慮將第—基板及第二基板置 於同樣真空度及加熱溫度條件下，㈢當的條件齊備於第 一基板時，新產生了所謂形成於第二基板内表面之螢光體 粒子藉減壓泵之吸引力離散或封閉材變質之問題。而且， 如上述藉將各基板在各別室置於個別的減壓環境下，各基 板在適當的條件下，可分離水份等。 具體上，作為放置第一基板及第二基板減壓環境之條 件，著眼於水份之分離時作成與上述定位時以同樣1 333帕 以下較為理想，更且作成133帕以下更為理想。關於加熱 溫度，在第一基板作成攝氏500度前後較為理想。一方面 ，關於第二基板，由於作為封閉材使用的熔結（多孔）玻璃 之軟化點在攝氏450度前後那樣程度較為理想。 ^ ^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^落苦冬#〕|>產局員工消費合作社印製 而且’雖也考慮以同室内對向配置之狀態，施行第一 基板及第二基板之燒成以更簡化製造設備，但如此在同_ 的室内對向配置原狀施行兩基板之燒成時，在第2基板封

本紙張尺度適用中國國家標準（qsjs)A4規格（210 X 297公釐 498392 五、發明說明（i5) 閉材之預燒成中發生之有機黏合劑消失成份作為有機系之 成伤吸附於第一基板之内表面，在板完成後對放電氣體而 言作為不純物殘留之可能性變成非常的高。對此，只要如 本實施形態置於各別室減壓狀態的話，各基板係隔離，所 譯自彼此的基板發生之氣體特別是自第二基板發生之黏合 劑消失氣體吸附於對於側基板之可能性變為顯著的減低。 再者，只要如本實施形態置於各別室減壓狀態，由於 各基板表面之全面容易均一的暴露於減壓環境，自基板内 表面均一的除去水份等變為容易。 [第4實施形態] 本實施形態與第1實施形態同樣，為在定位步驟及到 達定位步驟時具有特徵，利用第4圖說明該等步驟。 在第4圖中構成雖與第丨圖大略相同，但代替第1圖之 第-泵106設置有乾空氣供給裝置13〇,同時設置排氣口 i3i 在第4(1)圖中’自第_基板搬人口⑻搬人第一基板$ 臨時配置於第-基板支撐銷1()5上。接著自第二基板搬入 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 口 1〇2搬入第二基板10臨時配置於第一基座1〇3上之一定位 置。 接著在第-基板5與第二基板1〇的間隔在充分拉開狀 態下，用乾空氣供給裝置13G供給乾空氣至定位室_之内 部° 在此乾空氣係表不充份的除去了氣體中水份之空氣。 作為其方法，或使用通過吸濕材中之空氣，或在液體氣等 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Qχ挪公爱, 498392 A7 Φ 經 濟 部 智产 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（i6) 之低溫液體中流人空氣，藉;東結除去空氣中之水份而獲得 。因流入這樣的乾空氣，可防止朝第一基板5及第二基板10 表面新的水份之吸附。由於該乾空氣之聚點越低水份吸附 量就越減少，雖不用說當然理想，但至少在攝氏零下…度 以下是較理想，更且在攝氏零下6〇度更為理想。 此時，將定位室100内以第一加熱器104譬如加熱到攝 氏3 50度权度時，可更進一步促進已經吸附於兩基板之水 伤或氣體分子自基板分離。 [第5實施形態] 本實施形態與第3實施形態相同，為定位步驟及到達 定位步驟時具有特徵，利用第5圖說明該等之步驟。 在此表示之構成係與第3圖所示第3實施形態大致同樣 構成，代替設置於各室之真空泵1〇6，116，126設置有乾 空氣供給裝置130，同時設置排氣口 131這一點是有所不同 在第5(1)圖中，自乾空氣供給裝置ι3〇經常一邊供給 乾空氣，一邊將塗敷封閉構件在第一基板燒成室11〇内供 給乾空氣一邊將塗敷封閉構件糊於基板周邊之第二基板1 〇 自第二基板搬入口 102搬入，配置於第二基板搬送臂125上 之一定位置。 接著用第二加熱器124加熱第二基板預燒成室12〇内， 實施預燒成。 一方面’第一基板5係形成保護層後，自第一基板搬 入口 101朝第一基板燒成室110内搬入後，設置於第一基板 本紙張尺度翻中國國家標準（CNS)A4規格⑽x 297公髮) 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 發明說明（17) 搬送臂115上之一定位置。 •此時’在第一基板燒成室内自乾空氣供給裝置13〇供 、、、口乾空氣。接著在第一基板燒成室丨丨〇内供給乾空氣以原 樣利用第二加熱器114以一定的溫度加熱。 接著在第二基板1〇冷卻後，如第5(2)圖所示打開第二 遮敝器121，將載置第二基板1〇之第二基板搬送臂125滑動 於定位室100内，將第二基板10配置於第一基座1〇3上之一 疋位置。在此，定位室100經常自乾空氣供給裝置13〇供給 乾空氣較為理想。 接著如在第5(3)圖所示打開第一遮蔽器lu，將載置 第一基板5之第一基板搬送臂115滑動於定位室1〇〇内，將 第一基板5載置於第一基板支撐銷1〇5上之後，將第一基板 搬送臂115送回第一基板燒成室11〇並關閉第一遮蔽器I" 其次，如在第5(4)圖所示在定位室1〇〇内一邊自乾空 氣供給裝置130供給乾空氣，一邊緩慢的下降第一基板支 撐銷105直到構成第一基板5構件之一部份接 板_件之-部份，在此雖未㈣，但在第-基板5^ 二基板10預先形成之定位符號以照相機等一邊認識一邊定 位於一定位置，結束定位步驟。 此外，又，在此雖未圖示，但如定位步驟後保持乾空 氣環境原狀過渡至接下來的封閉步驟時’為最小限度的阻 止朝兩基板之水份或氣體分子之再吸附而可形成外$哭， f异理相、。 w 498392 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（18 ) 如此實施時，由於在乾氣體環境中施行第一基板及第 二基板之燒成，定位前其中能減少朝兩基板之水份或氣體 分子之吸附。 再者，本實施形態係第一基板及第二基板乾氣體環境 下之處理（在室110及室120内之處理）無需相互對向可在個 別室内施行。因而，各基板保持之水份或氣體分子自該基 板分離之後，能確實的抑制所謂再度吸附於對方基板之現 象。因此，即使做好的電漿顯示板中也成為板特性更優越 者。再者，如此由於經過所謂將各基板在個別室内置於乾 氣體環境下之步驟，配合各基板特性之乾氣體種類，其流 量及置於溫度環境，變成也可更提高板特性。也就是說， 首先，由於第一基板與第二基板其内表面狀態之不同水份 分離的溫度也不同，在一般，被對内表面水份子吸附性高 的氧化鎂被覆的第一基板之一方與更低露點的氣體接觸及 未以高溫度加熱的活水份就無法充分的分離。因此，雖也 考慮將第一基板及第二基板置於乾氣體流量及加熱溫度條 件下，但在適當的條件齊備於第一基板時，所產生所謂形 成於第二基板内表面之螢光體粒子藉乾氣體流離散或封閉 材變質之問題。再者，第二基板雖配置#光體，但由於知 道該螢光體因氧氣缺損致熱的劣化，作為乾氣體係使用含 氧氣者較為理想。而且，如上述藉各基板在各別室置於個 別的減壓環i兄下，各基板在適當的條件下，可分離水份等 〇 可疋，雖也考慮在同一室内對向配置之狀態，施行第 μ氏張尺度i用標準（CNS)A4規^^-〇 χ 297公髮）h -------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 498392 A7 B7 五、發明說明（19) 一基板及第二基板之燒成以更簡化製造設備，但如此在同 一室内對向配置原樣施行兩基板之預燒成時，在第二基板 封閉材之預燒成中發生之有機黏合劑消失成份作為有機系 之成份吸附於第一基板之内表面，在板完成後面對放電氣 體作為不純物殘留之可能性變成極高。對此，如本實施形 態置於各別室乾氣體環境下的話，各基板係隔離，所謂自 彼此的基板發生之氣體吸附於對方側基板之可能性變成明 顯的減低。 再者，如本實施形態在各別室置於乾氣體環境下的話 ，由於各基板表面之全面均一的暴露於乾氣體較容易，則 自基板内表面均一的除去水份等變成容易。 [第6實施形態] 有關於本實施形態電漿顯示板之製造裝置，利用第6 圖予以說明。在第6圖其中包含有定位室丨〇〇，連結於定位 至1〇〇之第一基板燒成室110與第二基板預燒成室12〇，更 且可連結將定位後之基板搬出施行封閉之封閉爐15〇之構 造。 定位室100與第一基板燒成室no及第二基板預燒成室 120係連結於排氣泵141，雖未圖示，朝各室之連結部裝備 閥，各室可施行排氣。再者在各室係連結乾空氣供給配管 143，雖未圖示，自乾空氣供給裝置可供給乾空氣至各室 該等給排氣機能也敷設於連結至各室之搬入路14〇， 作為排氣機能可用輔助泵142實施，這個也在各搬入路配 本紙張尺錢财目國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公® y -----------#-裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22 498392 A7 B7 五、發明說明（2〇 經# 濟 部 智一 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 置閥作成可各別的排氣。再者，乾空氣供給也與各室同樣 的自乾空氣供給配管143供給。在此配置於各室及搬入姨 之乾玉氣供給配管係分別個別的設置闊。 在此雖未圖示’各室包含有如第3圖或第5圖所示基板 搬送機構，加熱機構，基板保持機構及遮蔽器等。 如此為在定位步驟及其之前步驟將基板減壓或作成乾 W 空氣環境，在自第一基板及第二基板完成後到封閉之間可 盡量減低吸附於基板之水份或氣體分子。 此外，有關的製造裝置其中，各室100，11〇，u〇雖 透過搬送路連結，但該搬送路部份設置中間室用以與外部 及各室隔離構成可控制其空間内之溫度或氣壓條件，自外 部搬入各基板時或自別的室搬入時或朝別的室搬出時，當 然可作成控制其中間室一旦基板接觸之環境。由此，因Z 内之減壓，乾氣體之露點及其量，溫度等之諸條件之控制 變成可更容易且迅速的施行，也可謀求電漿顯示板生產性 之提高。 在此，順便一提，在第7圖，表示在同一室内將第一 基板及第二基板對向配置施行兩基板之燒成的情形，在封 閉前與封閉後在第一基板内表面之各溫度放出之有機系 體量之合計值相對比較者（此外，測定這樣加熱出來= 體之方法稱為升溫分離氣體分析法）。 如該圖所示，測定有機系氣體在封閉後係封閉前之A 倍，認為係來自封閉材之氣體吸附者。因而，第一某板及 第二基板儘可能在離間之狀態燒成可以說較理想，如 氣 氣 1.2 實施 --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（21〇 x 297八祭 23 498392 A7 五、發明說明（2υ 形態在完全未對向離開的地方中燒成可以說最適合。 此外，上述實施形態主要的也可組合一邊將各第一基 板加熱-直置於減壓狀態-邊也可將第二基板置於乾氣體 之環境下。 如以上β兒明，有關於本發明氣體放電板之製造方法及 製造裝置係藉第-基板及第二基板保持於減壓環境或乾氣 體環境，可盡量減少吸附於基板之水份或氣體分子，能防 止板完成後放電氣體之劣化，其結果防止板之放電起始電 壓上升，同時有可能減低異常發光之效果。 產業上之利用領域 本發明可利用於以電漿顯示板為首之氣體放電板之製 造方法。

(請先閱背面之;t音？事項再填寫本IC 裝--------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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—W 戀濟部會慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（22) 元件標號對照 1…玻璃基板 110···第一基板燒成室 2…顯示電極 111…第一遮蔽器 3···介電體層 113…第二基座 4…保護層 114…第二加熱器 5···第一基板 115…第一基板搬送臂 6···玻璃基板 116···第二泵 7···數據電極 120···第二基板預燒成室 8···介電體層 121…第二遮蔽器 9···隔壁 123···第三基座 10…第二基板 124···第三加熱器 11…封閉構件 125···第二基板搬送臂 12…外圍器 126···第三泵 13…螢光體 130…乾空氣供給裝置 100···定位室 131…排氣口 10卜"第一基板搬入口 140…搬入路 102···第二基板搬入口 141…排氣泵 103···第一基座 142…輔助泵 104···第一加熱器 143…乾空氣供給裝置 105···第一基板支撐銷 106···第一真空泵 150…封閉爐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25

Claims (1)

1. A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 種氣版放包板之製造方法，係具有使用形成有保護 •層之第-基板與形成有螢光體之第二基板，且使兩基 板接觸並配置於一定位置之定位步驟者，其特徵在於 定位步驟係在減壓狀態施行。 〜 2·如申請專利範圍第i項氣體放電板之製造方法，其中： 在前述定位步驟之前，一邊將第一基板在第一減 C至及/或第一基板在第二減壓室加熱一邊暴露於減壓 下之後，在第三減壓室中在減壓狀態下施行兩基板之 定位。 3·如申請專利範圍第2項氣體放電板之製造方法，其中： 月〕述第一基板係在形成保護層之後經過以一定溫 度加熱之第一基板燒成步驟而形成，該第一基板燒成 步驟前之第一基板係在該第一基板燒成步驟中設置於 前述第一減壓室内。 4·如申巧專利範圍第2或3項氣體放電板之製造方法，其 中： 刚述第二基板係經過螢光體形成步驟，螢光體燒 成步驟、密封材塗敷步驟與密封材預燒成步驟而形成 ，在密封材預燒成步驟前之第二基板係在密封材預燒 成步驟之中途設置於前述第二減壓室内。 5·如申凊專利範圍第4項氣體放電板之製造方法，其中： 前述第一減壓室及第二減壓室係減壓至1333帕以 下。 本紙張尺度適國國家標準（CNS)A4 ϋ⑽χ 297公髮 ------ -26 - 裝--------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事硬再填寫本頁) A8 B8 C8 D8

   、申請專利範圍 6· 一種氣體放電板之製造方法，係具有使用形成有保護 層之第一基板與形成有螢光體之第二基板，且使兩基 板接觸並配置於一定位置之定位步驟者，其特徵在於 定位步驟係在乾氣體環境下施行 經濟部智慧財產局員工消，費合作·社印製 7·如申請專利範圍第6項氣體放電板之製造方法，其中： 在前述定位步驟之前，一邊將第一基板在第一乾 氣體環境室及/或第二基板在第二乾氣體環境室加熱一 邊暴露於乾氣體環境下之後，在第三乾氣體環境室 乾氣體環境下施行兩基板之定位。 8·如申請專利範圍第7項氣體放電板之製造方法，其中 前述第一基板係在形成保護層之後經過以一定 度加熱之第一基板燒成步驟而形成， 該第一基板燒成步驟前之第一基板係在該第一 板燒成步驟中設置於前述第一乾氣體環境室内。 9·如申請專利範圍第7或8項氣體放電板之製造方法， 中： / 刚述第二基板係經過螢光體形成步驟，螢光體 成步驟、密封材塗敷步驟與密封材預燒成步驟而形 中 基 其 燒 成 密封材預燒成步驟前之第二基板係自密封材預燒 成步驟開始時便設置於前述第二乾氣體環境室内。 10.如申請專利範圍第9項氣體放電板之製造方法，其中： 前述第一乾氣體環境室及第二乾氣體環境室係充 袭--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 27 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 498392 A8 B8 C8 ------^__ 六、申請專利範圍 滿規範於攝氏零下30度以下露點之乾氣體。 11.如申請專利範圍第丨或6項氣體放電板之製造方法，其 中·· 一方面一邊將第一基板加熱置於減壓狀態，一邊 將第二基板置於乾氣體環境下之後施行定位。 12· —種氣體放電板，係在申請專利範圍第2或7項形成之 氣體放電板，其特徵在於·· 内部空間之水蒸氣分壓在1〇〇帕以下。 13· —種氣體放電板之製造裝置，係包含有第一基板搬送 機構，第二基板搬送機構與定位機構者，其特徵在於 第一基板搬送機構，第二基板搬送機構與定位機 構係分別配置於分開之密閉室内，且 在各密閉室包含有給氣及排氣機構之中的至少一 個。 14_如申請專利範圍第13項氣體放電板之製造裝置，其中 箣述第一基板搬送機構與前述定位機構所配置之 前述各密閉空間及前述第二基板搬送機構與前述定位 機構所配置之前述各密閉室間之間具有連結部，且前 述連結部内具有給氣及排氣機構之中的至少一個。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐）

   丨丨丨 •丨 11 — ί I 訂· — -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # 28