JP2006332129A - 静電吸着電極および処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 静電吸着電極のガス流路における異常放電を防止するとともに、万一、ガス流路で異常放電が生じた場合でも容易に修理が可能な静電吸着電極を提供する。
【解決手段】 静電チャック５は、互いに分離可能な第１の基材３０と第２の基材３１とからなる組み合わせ構造を有している。第１の基材３０上の誘電体材料膜８内には、電極６ａが、第２の基材３１上の誘電体材料膜８内には、電極６ｂが、それぞれ埋設されている。第１の基材３０と第２の基材３１とを組み合わせた状態で、両者の間には第１の基材３０の周囲を囲むように間隙が形成され、この間隙が伝熱ガスを供給するガス供給スリット９ｃとして機能する。
【選択図】図３

Description

本発明は、静電吸着電極および処理装置に関し、詳細には、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等の製造過程において、ガラス基板等の基板を載置する為に使用される静電吸着電極および該静電吸着電極を備えた処理装置に関する。

ＦＰＤの製造過程では、被処理体であるガラス基板に対してドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のプラズマ処理が行なわれる。例えば、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下部電極）を配置し、下部電極として機能するサセプタ（基板載置台）にガラス基板を載置した後、処理ガスをチャンバー内に導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周波電力を印加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスのプラズマを形成してガラス基板に対してプラズマ処理を施す。この際、ガラス基板は、サセプタ上に設けられた静電吸着電極によって、例えばクーロン力を利用して吸着固定できるようになっている。

ところで、ガラス基板に対する伝熱を促進するため、Ｈｅ等の伝熱ガスをガラス基板の裏面側に供給することが行なわれている（例えば、特許文献１、特許文献２）。伝熱ガスは、サセプタ側から前記静電吸着電極を貫通して形成されたガス流路を介して、サセプタの表面と、そこに載置されたガラス基板の裏面との隙間に導入される。このガス流路には、Ａｌ等で構成されるサセプタの材質が露出しないように表面にアルマイト処理（陽極酸化処理）などが施されている。
特開平９−２５２０４７号公報（図１など） 特開平６−３４２８４３号公報（図４など）

下部電極でもあるサセプタから静電吸着電極を貫通するように形成されたガス流路において、アルマイト処理が不充分であるとその部分で異常放電が生じやすくなる。現実に、異常放電の大半が静電吸着電極のガス流路において発生している。また、静電吸着電極のガス流路内で異常放電が生じた場合や、使用中にアルマイトが少しずつ消耗し、絶縁性が低下した場合には、穴の内部の修理は事実上困難であることから、静電吸着電極の全体を交換しなければならないという問題があった。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、静電吸着電極のガス流路における異常放電を防止するとともに、万一、ガス流路で異常放電が生じた場合でも容易に修理が可能な静電吸着電極を提供することを課題とする。

上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、互いに分離可能な複数の基材により構成され、被処理体を載置する載置面を有しており、少なくとも二つの基材の間隙に、前記載置面に達し、被処理体の裏面に向けて伝熱媒体を供給する伝熱媒体流路を形成したことを特徴とする、静電吸着電極を提供する。

上記第１の観点の静電吸着電極において、少なくとも、前記伝熱媒体流路を形成する前記基材の表面が、絶縁材料により被覆されていてもよい。
また、前記伝熱媒体流路は、鉛直方向に対して角度をもって形成されていてもよい。

また、前記伝熱媒体流路により、前記載置面が、載置された被処理体の中央部に対応した中央載置領域と、周辺部に対応した周辺載置領域と、に分割されていてもよい。この場合、前記分割された載置面のそれぞれが、静電吸着面であってもよく、これらは独立して静電吸着機能を有していてもよい。
また、前記中央載置領域には、複数の凸部が形成されていてもよい。あるいは、前記中央載置領域には、複数の溝が形成されていてもよい。
さらに、前記周辺載置領域には、段部が形成されていてもよい。

本発明の第２の観点では、上記第１の観点の静電吸着電極を備えた処理装置を提供する。この処理装置は、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるものであってもよい。

本発明によれば、静電吸着電極を、互いに分離可能な複数の基材により構成するとともに、少なくとも二つの基材の間隙に、被処理体の裏面に向けて伝熱媒体を供給する伝熱媒体流路を形成したので、伝熱媒体流路のコンダクタンスが向上し、高い伝熱効率を得ることができる。
また、静電吸着電極を、互いに分離可能な複数の基材により形成し、その間に流路を形成したので、流路の絶縁を、例えば溶射によって容易に行えるようになり、異常放電を確実に防止できる。また、万一異常放電が発生しても、短時間かつ低コストでの修理が可能になる。さらに、静電吸着電極を複数の基材により構成することによって、いずれかの基材を交換するだけで電極表面パターンを任意に変更できる。従って、静電吸着電極表面のパターン依存により発生するエッチング処理などにおける処理むら（処理の不均一性）への対策が容易になる。

以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る静電吸着電極としての静電チャックを備えた処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。図１に示すように、プラズマエッチング装置１は、矩形をした被処理体であるＦＰＤ用ガラス基板などの基板Ｇに対してエッチングを行なう容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、蛍光表示管（Vacuum Fluorescent Display；ＶＦＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。なお、本発明の処理装置は、プラズマエッチング装置にのみ限定されるものではない。

このプラズマエッチング装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有している。このチャンバー２内の底部には絶縁材からなる角柱状の絶縁板３が設けられており、この絶縁板３の上には、基板Ｇを載置するためのサセプタ４が設けられている。基板載置台であるサセプタ４は、サセプタ基材４ａと、サセプタ基材４ａの上に設けられた静電チャック５と、を有している。

サセプタ基材４ａの外周には、絶縁膜７が形成されており、また、静電チャック５の上面には、セラミックス溶射膜などの誘電性材料膜８が設けられている。静電チャック５は、誘電性材料膜８に埋設された電極６に、直流電源２６から給電線２７を介して直流電圧を印加することにより、例えばクーロン力によって基板Ｇを静電吸着する。なお、静電チャック５の詳細な構造については後述する。

前記絶縁板３およびサセプタ基材４ａ、さらには前記静電チャック５には、これらを貫通するガス通路９が形成されている。このガス通路９を介して伝熱ガス、例えばＨｅガスなどが被処理体である基板Ｇの裏面に供給される。
すなわち、ガス通路９に供給された伝熱ガスは、サセプタ基材４ａと静電チャック５との境界に形成されたガス溜り９ａを介して一旦水平方向に拡散した後、静電チャック５内に形成されたガス供給連通穴９ｂ、ガス供給スリット９ｃを通り、静電チャック５の表面から基板Ｇの裏側に噴出する。このようにして、サセプタ４の冷熱が基板Ｇに伝達され、基板Ｇが所定の温度に維持される。

サセプタ基材４ａの内部には、冷媒室１０が設けられている。この冷媒室１０には、例えばフッ素系液体などの冷媒が冷媒導入管１０ａを介して導入され、かつ冷媒排出管１０ｂを介して排出されて循環することにより、その冷熱が前記伝熱ガスを介して基板Ｇに対して伝熱される。

前記サセプタ４の上方には、このサセプタ４と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド１１が設けられている。シャワーヘッド１１はチャンバー２の上部に支持されており、内部に内部空間１２を有するとともに、サセプタ４との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに一対の平行平板電極を構成している。

シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５には、バルブ１６、およびマスフローコントローラ１７を介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガス供給源１８からは、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、例えばハロゲン系のガス、Ｏ_２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。

前記チャンバー２の側壁下部には排気管１９が接続されており、この排気管１９には排気装置２０が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口２１と、この基板搬入出口２１を開閉するゲートバルブ２２とが設けられており、このゲートバルブ２２を開にした状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。

サセプタ４には、高周波電力を供給するための給電線２３が接続されており、この給電線２３には整合器２４および高周波電源２５が接続されている。高周波電源２５からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力がサセプタ４に供給される。

次に、図２〜図４を参照しながら、静電チャック５について詳細に説明を行なう。図２は、静電チャック５を上方からみた平面図であり、図３は、図２におけるＡ−Ａ’線矢視の断面図である。また、図４は、静電チャック５を分解した状態を示している。

静電チャック５は、図２に示す如く基板Ｇの形状に対応した平面視矩形の部材であり、基板Ｇの中央部に対応する内側載置領域５ａと、内側載置領域５ａを囲むように形成され、基板Ｇの周縁部に対応する外側載置領域５ｂとを有している。内側載置領域５ａと外側載置領域５ｂとは、ガス供給スリット９ｃを介して隔てられている。

図３および図４を参照するに、静電チャック５の内側載置領域５ａは、略テーパー状の側面を有する第１の基材３０の上面を構成しており、外側載置領域５ｂは、第１の基材３０が挿入されるすり鉢状の凹部を有する第２の基材３１の上面を構成している。つまり、静電チャック５は、互いに分離可能な第１の基材３０と第２の基材３１とからなる組み合わせ構造を有している。第１の基材３０と第２の基材３１とは共に例えばＡｌなどの金属やカーボンのような導電性の材質で構成されている。第２の基材３１の底面には、サセプタ基材４ａとの境界に前記ガス溜り９ａを構成するための凹部が形成されている。

前記のように、静電チャック５の誘電性材料膜８内には、電極６が埋設されている。より具体的には、第１の基材３０上の誘電体材料膜８ａ内には電極６ａが、第２の基材３１上の誘電体材料膜８ｂ内には電極６ｂが、それぞれ埋設されている。電極６ａは給電線２７から分岐した給電線２７ａに接続し、電極６ｂは給電線２７ｂに接続している。そして、これらの電極６ａ，６ｂに直流電源２６から直流電圧を印加することにより、例えばクーロン力によって基板Ｇを静電吸着する。本実施形態では、電極６ａ，６ｂに、１つの直流電源２６から給電線２７を介して同時給電する構成が採用される。このように構成することによって、サセプタ基材４ａまでは、従来の一体構造の静電チャックの構成をそのまま使用できるので、装置構成の大幅な変更を必要とせずに従来装置にそのまま装着できる。なお、電極６ａ，６ｂに、別々の直流電源から個別に給電する構成としてもよく、この場合、内側載置領域５ａと外側載置領域５ｂは、互いに独立して静電吸着機能を示すことができる。

誘電性材料膜８（８ａ，８ｂ）は、誘電性材料からなっていればその材料は問わず、また高絶縁性材料のみならず電荷の移動を許容する程度の導電性を有するものを含む。このような誘電性材料膜８は、耐久性および耐食性の観点からセラミックスで構成することが好ましい。この際のセラミックスは特に限定されるものではなく、典型的にはＡｌ_２Ｏ_３、Ｚｒ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４等の絶縁材料を挙げることができるが、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであってもよい。このような誘電体材料膜８は溶射により形成することが好ましい。また、溶射した後、研磨によって表面を平滑化してもよい。

図示の如く、内側載置領域５ａには多数の凸部５０が形成されており、一方、外側載置領域５ｂには、内側載置領域５ａを囲むように段部５１が形成されている。段部５１の頂面の高さは、凸部５０の高さ以上とすることが好ましい。凸部５０は、誘電性材料膜８の上の内側載置領域５ａに所定のパターンに分布して形成されており、基板Ｇはこれらの凸部５０の上端と、前記段部５１の上面とによって支持されるようになっている。これにより凸部５０はサセプタ４と基板Ｇとの間を離隔するスペーサーとして機能する。従って、凸部５０間の空間に伝熱ガスたとえばヘリウムガスを充満させて基板Ｇを一様に冷却することができ、基板Ｇの温度を一様にすることができるので、エッチング等のプラズマ処理を基板Ｇの全面にわたって均一に施すことができる。また、段部５１によって、伝熱ガスが周囲に拡散することを抑制できるので、伝熱ガスによる伝熱効率を高めることができる。さらに、サセプタ４上に付着した付着物が基板Ｇに悪影響を及ぼすことが防止される。

プラズマエッチング装置１においては、エッチングプロセスを繰り返すことにより、誘電性材料膜８の表面に基板Ｇからエッチングされた物質等の付着物が蓄積するが、凸部５０がスペーサーの役割をはたし、付着物が蓄積しても基板Ｇに接触し難く、これによりエッチングむらが生じたりする不都合が防止される。

凸部５０の配列パターンには特に制限はなく、例えば千鳥格子状等の配列であってもよい。凸部５０は、少なくともその上部を曲面形状や半球状に形成して、基板Ｇと点接触させることが好ましい。これにより、凸部５０と基板Ｇとの接触部分に付着物が付着し難くすることができる。

凸部５０は一般的に耐久性および耐食性が高い材料として知られているセラミックスで構成されている。凸部５０を構成するセラミックスは特に限定されるものではなく、典型的にはＡｌ_２Ｏ_３、Ｚｒ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４等の絶縁材料を挙げることができるが、ＳｉＣのようにある程度導電性を有するものであってもよい。凸部５０は溶射により形成することが好ましく、誘電性材料膜８と一体的に溶射形成することがより好ましい。

本実施形態では、第１の基材３０と第２の基材３１とを分離可能にしたことで、第１の基材３０を交換することにより、内側載置領域５ａの表面形状（表面パターン）を簡単に変更できる。つまり、凸部５０の分布パターンを任意に変更できるとともに、凸部５０を有するもの以外にも、例えば、第１の基材３０の上面に溝を有するものや、フラットな平面を有するものなどに変更できる。この場合、第２の基材３１は交換しなくてもよい。従って、エッチングの目的に応じて載置面の表面形状の選択の自由度を高めることができる。

また、熱による負荷を軽減するために、第１の基材３０と第２の基材３１とを異なる材質から選択することもできる。従来、高温仕様などの場合、サセプタ基材４ａの材質をカーボンなどの熱膨張係数の小さな材質に変更することにより、熱負荷による耐性を高めていた。しかし、従来の一体型の静電チャックの基材は、Ａｌなどの金属であったため、熱膨張率の小さなカーボンと大きなＡｌとの接合面で熱膨張率の差から部品干渉などが発生するという問題が存在していた。一方、静電チャックはその表面に誘電性材料膜８を溶射形成等することによって吸着機能を持たせる必要があるため、熱による基材の膨張は誘電性材料膜８の割れを引き起こす要因となる。本実施形態では、第１の基材３０と第２の基材３１とを分離可能な構成としたので、例えば、第１の基材３０には、誘電性材料膜８の割れを防ぐべく熱膨張の少ないカーボンを使用し、第２の基材３１には、サセプタ基材４ａの材質（Ａｌ）との間の熱応力を緩和すべく、同じ材質（Ａｌ）や、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）などの材質を選択することも可能になる。しかも、第１の基材３０と第２の基材３１との間には、ガス供給スリット９ｃが存在するので、熱応力を緩和することができる。これにより、高温耐性を改善することが可能になる。

第１の基材３０の下面は、第２の基材３１の凹部の底面に当接され、例えば螺子等の図示しない接合手段により固定されている。図３に示すように、第１の基材３０と第２の基材３１とを組み合わせた状態で、両者の間には間隙が形成され、前記のとおり、この間隙がガス供給スリット９ｃとして機能する。ガス供給スリット９ｃは、第１の基材３０の周囲を囲むように形成されている。このように、伝熱ガスの供給を狭隘な穴ではなくスリットを介して行なうことにより、流路のコンダクタンスを大幅に向上させることができ、伝熱効率を高めることができる。

なお、本実施形態では、ガス供給スリット９ｃは、傾斜した流路構造をしているが、これに限らず、第１の基材３０を円柱状に形成し、第２の基材３１を円筒状に形成して、両基材の間に垂直にガス供給スリットを形成してもよい。ただし、ガス流路は、スリットであるか穴であるかに関わらず、プラズマ処理時に基板Ｇの上方からみて下部電極が存在しない開口部となるため、流路が垂直に形成されている場合には、流路部分の直上の基板Ｇの領域では、エッチングむらが発生しやすい。本実施形態のようにガス供給スリット９ｃを傾斜させ、垂直な流路を極力少なくすることがエッチングむらを防止する観点から好ましい。ガス供給スリット９ｃの傾斜角度は、流路のコンダクタンスなども考慮すると、鉛直方向に対しておよそ４５°±１５°の範囲とすることが好ましい。

ガス供給スリット９ｃを構成する第１の基材３０および第２の基材３１の壁面は、Ａｌ等の材質が露出しないように、絶縁性の材料、例えばセラミックス溶射膜３２により被覆されている。このセラミックス溶射膜３２により、ガス供給スリット９ｃにおける異常放電が防止される。従来の静電チャックでは、伝熱ガスの流路が穴であったため、その内部をアルマイト処理することにより異常放電を防止していたが、狭い穴内に均一なアルマイト処理を施すことが難しいことに加え、アルマイトは劣化が進みやすく、確実に異常放電を防止することは困難であった。本実施形態では、第１の基材３０および第２の基材３１の壁面をセラミックス溶射膜３２で覆うことにより、絶縁性を向上させることができる。

セラミックス溶射膜３２は、第１の基材３０と第２の基材３１とを分離した状態で表面を溶射処理すればよいので、簡単に形成できる。従来のアルマイト処理による絶縁の場合、アルマイトの消耗による絶縁性の低下が問題となったが、セラミックス溶射膜３２では絶縁性の低下が起こりにくいので、確実にガス流路における異常放電を防止できる。また、万一、ガス供給スリット９ｃで異常放電が生じた場合でも、第１の基材３０と第２の基材３１とを分離して溶射により補修すればよいことから、修理が容易であり、異常放電の修理に伴うプラズマエッチング装置１のダウンタイムを短縮できる。

ガス供給スリット９ｃは、静電チャック５の載置面から第１の基材３０と第２の基材３１との接合部までを連通状態にしており、該接合部の近傍には、ガス供給スリット９ｃからのガスの漏出が起こらないように、シール手段であるＯリング３３が配備されて接合面のシール性が確保されている。また、Ｏリング３３の内側には、スパイラルシールドリング３４が配備され、第１の基材３０と第２の基材３１との同電位化を確保している。

前記のように、伝熱ガスは、ガス溜り９ａから、ガス供給連通穴９ｂを介してガス供給スリット９ｃへ供給される。図３および図４では、ガス供給連通穴９ｂを１つのみ図示しているが、ガス供給スリット９ｃに対して伝熱ガスを均等配分できるように、例えば４カ所以上にガス供給連通穴９ｂを設けることが好ましい。

各ガス供給連通穴９ｂには、放電防止部材３５が配備されている。図５（ａ）は放電防止部材３５の外観斜視図であり、同図（ｂ）は断面図である。放電防止部材３５は、合成樹脂などの絶縁体で構成されており、折曲したラビリンス構造の流路３５ａが複数形成されている。なお、現実の放電防止部材３５には、多数の流路３５ａが形成されているが、図５では極めて簡略化して図示している。このような構造を有する放電防止部材３５は、ガス供給連通穴９ｂに嵌め込まれ、その屈曲しかつ狭隘な流路構造によって、セラミックス溶射膜３２が形成されていないガス供給連通穴９ｂでの異常放電を防止するように作用するものである。

次に、このように構成されるプラズマエッチング装置１における処理動作について説明する。
まず、被処理体である基板Ｇは、ゲートバルブ２２が開放された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口２１を介してチャンバー２内へと搬入され、サセプタ４上に形成された静電チャック５上に載置される。この場合に、基板Ｇの受け渡しはサセプタ４の内部を挿通しサセプタ４から突出可能に設けられたリフターピン（図示せず）を介して行われる。その後、ゲートバルブ２２が閉じられ、排気装置２０によって、チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。

その後、バルブ１６が開放されて、処理ガス供給源１８から処理ガスがマスフローコントローラ１７によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管１５、ガス導入口１４を通ってシャワーヘッド１１の内部空間１２へ導入され、さらに吐出孔１３を通って基板Ｇに対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所定の値に維持される。

この状態で高周波電源２５から高周波電力が整合器２４を介してサセプタ４に印加され、これにより、下部電極としてのサセプタ４と上部電極としてのシャワーヘッド１１との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化し、これにより基板Ｇにエッチング処理が施される。この際、ガス供給スリット９ｃを介して伝熱ガスを基板Ｇの裏面側に供給することより、効率良く温度調節が行なわれる。

このようにしてエッチング処理を施した後、高周波電源２５からの高周波電力の印加を停止し、ガス導入を停止した後、チャンバー２内の圧力を所定の圧力まで減圧する。そして、ゲートバルブ２２が開放され、基板Ｇが基板搬入出口２１を介してチャンバー２内から図示しないロードロック室へ搬出されることにより基板Ｇのエッチング処理は終了する。このように、静電チャック５により基板Ｇを静電吸着するとともに、温度調節しながら、基板Ｇのエッチング処理を行うことができる。

なお、本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明の処理装置については、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示して説明したが、エッチング装置に限らず、アッシング、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができるし、上部電極に高周波電力を供給するタイプであっても、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。また、被処理基板はＦＰＤ用のガラス基板に限られず半導体ウエハであってもよい。

また、上記実施形態では、静電チャック５を、第１の基材３０と第２の基材３１との組み合わせ構造とし、基板Ｇの載置面を内側載置領域５ａと外側載置領域５ｂとに２分割したが、このような形態に限るものではない。
例えば、図６に示す静電チャック６０のように、ガス供給スリット６２とガス供給スリット６３とを２重に形成し、これらによって載置面が中心領域６１ａ、中間領域６１ｂ、周辺領域６１ｃの３つの領域に分割されるように、３重構造にすることも可能である。このようにすると、伝熱ガスのコンダクタンスをよりいっそう向上させることが可能になるとともに、載置面の形状パターンの選択の幅がさらに広がり、より高精度にエッチングなどの処理を行なうことができる。なお、図６の符号６４は、図２の符号５１に相当する段部である。

また、さらに別の実施形態では、図７に示す静電チャック７０のように、載置面に４つに区分された内側載置領域７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄが形成され、これらの周囲に周辺領域７１ｅが形成される分割構造となるようにガス供給スリット７２を形成してもよい。この場合も、伝熱ガスのコンダクタンスをよりいっそう向上させることが可能になるとともに、載置面の形状パターンの選択の幅が広がり、例えば、１枚の基板Ｇから４つのＦＰＤ製品を加工する、いわゆる４面取りを行なう場合などに有利である。つまり、基板Ｇの処理内容に応じて４つの内側載置領域７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄの表面形状を変化させることが可能になり、処理目的に応じて高精度なエッチングなどの処理を実現できる。なお、図７の符号７３は、図２の符号５１に相当する段部である。

本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図。 静電チャックの平面図。 図２のＡ−Ａ’線矢視の断面図。 第１の基材と第２の基材とを分離した状態を示す図面。 放電防止部材の説明に供する模式図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図。 別の実施形態に係る静電チャックの平面図。 さらに別の実施形態に係る静電チャックの平面図。

符号の説明

１ 処理装置（プラズマエッチング装置）
２ チャンバー（処理室）
３ 絶縁板
４ サセプタ
５ 静電チャック
６ 電極
８ 誘電性材料膜
１１ シャワーヘッド（ガス供給手段）
２０ 排気装置
３０ 第１の基材
３１ 第２の基材
３２ セラミックス溶射膜
３３ Ｏリング
３４ スパイラルシールドリング
３５ 放電防止部材
５０ 凸部

Claims (11)

1. 互いに分離可能な複数の基材により構成され、被処理体を載置する載置面を有しており、少なくとも二つの基材の間隙に、前記載置面に達し、被処理体の裏面に向けて伝熱媒体を供給する伝熱媒体流路を形成したことを特徴とする、静電吸着電極。
2. 少なくとも、前記伝熱媒体流路を形成する前記基材の表面が、絶縁材料により被覆されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電吸着電極。
3. 前記伝熱媒体流路は、鉛直方向に対して角度をもって形成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の静電吸着電極。
4. 前記伝熱媒体流路により、前記載置面が、載置された被処理体の中央部に対応した中央載置領域と、周辺部に対応した周辺載置領域と、に分割されていることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の静電吸着電極。
5. 前記分割された載置面のそれぞれが、静電吸着面であることを特徴とする、請求項４に記載の静電吸着電極。
6. 前記分割された載置面のそれぞれが、独立して静電吸着機能を有することを特徴とする、請求項４に記載の静電吸着電極。
7. 前記中央載置領域には、複数の凸部が形成されていることを特徴とする、請求項５または請求項６に記載の静電吸着電極。
8. 前記中央載置領域には、複数の溝が形成されていることを特徴とする、請求項５または請求項６に記載の静電吸着電極。
9. 前記周辺載置領域には、段部が形成されていることを特徴とする、請求項４から請求項８のいずれか１項に記載の静電吸着電極。
10. 請求項１から請求項９のいずれか１項に記載された静電吸着電極を備えた処理装置。
11. フラットパネルディスプレイの製造に用いられることを特徴とする、請求項１０に記載の処理装置。

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