CN107026102B - 基板载置台和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板载置台，即使在第1部件与第2部件间存在微小间隙，也不会导致维护性的恶化和装置成本的增加，而能够确保从第1部件向第2部件的良好且均匀的热传递。在处理容器内对被处理基板实施处理的基板处理装置中载置基板的基板载置台包括：作为基座的金属制的第1部件；设置在第1部件之上的金属制的第2部件；设置在第2部件的表面的、载置基板的基板载置部；设置在第1部件的温度调节机构；由弹性体构成的弹性体片，插设于第1部件与第2部件之间，所述弹性体由有机材料形成；和螺钉，在插设有弹性体片的状态下将第1部件和第2部件的至少外周紧固，弹性体片填埋当第1部件和第2部件被紧固时形成在上述部件之间的微小间隙。

Description

基板载置台和基板处理装置
技术领域
本发明涉及载置基板的基板载置台和使用其的基板处理装置。
背景技术
在平板显示器(FPD)的制造过程中，对被处理基板进行蚀刻、溅射、CVD(化学气相沉积)等处理。
作为实施这样的处理的基板处理装置，例如已知有一种基板处理装置，在处理容器内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，在作为下部电极发挥作用的金属制的基板载置台载置被处理基板，在将腔室内保持为真空的状态下，对电极的至少一方施加高频电力而在电极间形成高频电场，利用该高频电场形成处理气体的等离子体来对被处理基板实施等离子体处理。
作为这样的基板处理装置的基板载置台大多使用具有使温度调节介质流动来进行温度调节的第1部件和设置在其之上的第2部件的层叠构造的基板载置台(例如专利文献1)。
作为这样的层叠构造的基板载置台，存在第1部件和第2部件使用不同种类的金属的情况，例如存在由铝构成设置有温度调节机构的第1部件、由不锈钢构成第2部件的情况。另外，为了防止腐食等，也有在第2部件的表面形成陶瓷覆膜的情况。在那样的情况下，由于加工特性和陶瓷覆膜，在第1部件和第2部件各自的表面产生弯曲。在这些由不同种类金属形成的部件间的弯曲的程度不同的情况下，有时不能使部件彼此充分地紧贴，在这些部件之间形成微小间隙而在该部分热传递变得不充分，热传递变得差且不均匀，从而基板载置台表面的温度产生不均。
基板载置面的温度的不均，能够通过提高连结两部件的连结螺钉的紧固扭矩或增加连结螺钉的个数来进行改善，但是在采用上述措施的情况下，维护性恶化，另外在增加连结螺钉的个数的情况下，还产生因真空片等而构造复杂化、装置成本提高的问题。
另一方面，在专利文献2、3中公开有在金属部件间插设凝胶状聚合物或者碳片作为热传导性片来提高两部件的热传导性的技术。但是，若使用凝胶状聚合物，由于一旦变形难以复原，所以不能反复使用，维护性差。另外，若使用碳片则不能随着微小间隙随着，因此不能将微小间隙充分填埋，热传递变得不充分且不均匀，难以消除基板载置台表面的温度的不均。另外，在碳片的情况下，还存在来自截断面的尘埃的问题。因此，作为解决上述问题的技术难以采用这些技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2001-267303号公报
专利文献2：特开2008-171899号公报
专利文献3：特开2000-299288号公报
发明内容
发明要解决的课题
因此，本发明的课题在于提供一种基板载置台和使用其的基板处理装置，该基板载置台，即使在第1部件和第2部件间存在微小间隙，也不导致维护性的恶化和装置成本的增加，而能够确保从第1部件向第2部件的良好且均匀的热传递。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的第1观点提供一种在处理容器内对被处理基板实施处理的基板处理装置中载置基板的基板载置台，其特征在于，包括：作为基座的金属制的第1部件；设置在所述第1部件之上的金属制的第2部件；设置在所述第2部件的表面的、载置基板的基板载置部；设置在所述第1部件的温度调节机构；由弹性体构成的弹性体片，插设在所述第1部件与所述第2部件之间，所述弹性体由有机材料形成；和紧固部件，在插设有所述弹性体片的状态下将所述第1部件和所述第2部件的至少外周紧固，所述弹性体片填埋利用所述紧固部件将所述第1部件和所述第2部件紧固时形成在所述第1部件和所述第2部件之间的微小间隙。
上述第1部件和上述第2部件由不同种类的金属构成的情况是优选的。还可以包括与上述第1部件连接的、用于供给高频电力的高频电源。上述温度调节机构能够包括：设置在上述第1部件的内部的温度调节介质流路；和对温度调节介质流路供给温度调节介质的温度调节介质供给部。上述基板载置部还可以包括用于静电吸附基板的静电吸盘。
优选上述弹性体片的杨氏模量为1～40MPa。优选构成上述弹性体片的材料是硅橡胶或者氟橡胶。
优选上述基板形成为矩形，上述第1部件、上述第2部件和上述弹性体片形成为与基板对应的矩形。在该情况下，优选上述弹性体片的长边相对于上述第1部件和上述第2部件的长边的比率和上述弹性体片的短边相对于上述第1部件和上述第2部件的短边的比率均大于0并小于1，另外，更优选为0.3以上0.9以下。
优选上述弹性体片在以初始的厚度为t0、以插设于上述第1部件与上述第2部件之间而被压扁的厚度为t1的情况下，由t1/t0×100(％)表示的压扁量为50～70％。
上述第1部件和上述第2部件的外周部和内侧部分被紧固部件紧固，在被这些紧固部件紧固时形成的多个微小间隙分别插设有上述弹性体片。
本发明的第2观点提供一种基板处理装置，其特征在于，包括：用于对被处理基板实施处理的处理容器；在上述处理容器内载置基板的上述第1观点的基板载置台；对上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和将从上述处理气体供给机构供给的上述处理气体导入上述处理容器内的处理气体导入部；和对上述处理容器内进行排气的排气机构。
发明效果
根据本发明，在第1部件与第2部件之间插设由弹性体构成的弹性体片，该弹性体由有机材料形成，在利用紧固部件将第1部件和第2部件紧固时，弹性体片填埋形成在第1部件和第2部件之间的微小间隙，由此即使在第1部件和第2部件间存在微小间隙，也不会导致维护性的恶化和装置成本的增加，而能够确保从第1部件向第2部件的良好且均匀的热传递。因此，能够以短时间使基板载置台的表面的温度稳定，并且，能够使基板载置台的表面的温度均匀。另外，弹性体片为弹性体而具有恢复性，因此能够反复使用，在这点上维护性也良好。
附图说明
图1是表示作为使用本发明的第1实施方式的基板载置台的基板处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置的截面图。
图2是用于说明弹性体片的形状和压扁量的图。
图3是表示在本发明的第1实施方式中在第1部件和第2部件之间没有插设弹性体片时的基板载置台表面的温度分布例的示意图。
图4是表示在本发明的第1实施方式中在第1部件和第2部件之间插设有弹性体片时的基板载置台表面的温度分布例的示意图。
图5是表示在没有设置弹性体片的情况和设置由弹性体片的情况下，实际测定基板载置台的表面温度的时间变化的结果的图。
图6是表示本发明的第2实施方式的基板载置台的截面图。
图7是表示在本发明的第2实施例中在第1部件和第2部件之间没有插设弹性体片时和插设有弹性体片时的基板载置台表面的温度分布例的示意图。
附图标记说明
1；等离子体蚀刻装置(基板处理装置)
2；腔室(处理容器)
4；基板载置台
5；绝缘部件
6；第1部件
7；第2部件
8；静电吸盘
9；侧壁绝缘部件
11；喷淋头
15：处理气体供给管
18：处理气体供给源
19：排气管
20：排气装置
21；搬入搬出口
25；高频电源
30、30′；弹性体片
31；外侧螺钉
32；冷却介质流路
33；冷却器
37；直流电源
40；控制部
41；内侧螺钉
G；基板。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，在所有附图中，对共通的部分标注共通的参照附图标记。
<第1实施方式>
首先，说明第1实施方式。
图1是表示作为使用本发明的第1实施方式的基板载置台的基板处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置的截面图。
如图1所示，该等离子体蚀刻装置1构成为对FPD用的矩形玻璃基板(以下简记为“基板”)G进行蚀刻的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。作为FPD例示有液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。
等离子体蚀刻装置1包括作为收纳被处理基板即基板G的处理容器的腔室2。腔室2例如由表面被耐酸铝处理(阳极氧化处理)的铝形成，与基板G的形状对应地形成为四角筒形状。
在腔室2内的底壁隔着由氧化铝等绝缘性陶瓷形成的绝缘部件5设置有载置基板G并且作为下部电极发挥作用的形成为矩形的基板载置台4。后述基板载置台4的详细构造。
在腔室2的上部或者上壁，与基板载置台4相对地设置有形成为矩形的喷淋头11，喷淋头11对腔室2内供给处理气体并作为上部电极发挥作用。喷淋头11在内部形成有使处理气体扩散的气体扩散空间12，并且在下表面或者在与基板载置台4相对的面形成有排出处理气体的多个排出孔13。该喷淋头11接地，与基板载置台4一起构成一对平行平板电极。
在喷淋头11的上表面设置有气体导入口14，处理气体供给管15与该气体导入口14，处理气体供给源18经由阀门16和质量流量控制器17与该处理气体供给管15连接。从处理气体供给源18供给用于蚀刻的处理气体。作为处理气体能够使用卤素类气体、O2气体、Ar气体等通常在该领域中使用的气体。
排气管19与腔室2的侧壁下部连接，在该排气管19连接排气装置20，并且，设置有未图示的压力调整阀。排气装置20具有涡轮分子泵等真空泵，由此能够将腔室2内排气抽真空至规定的真空度。在腔室2的侧壁形成有用于搬入搬出基板G的搬入搬出口21，并且设置有开闭该搬入搬出口21的闸阀22，在搬入搬出口21开放时，利用未图示的搬送机构，进行基板G对于腔室2的搬入搬出。
另外，等离子体蚀刻装置1包括控制部40，该控制部40具有用于控制等离子体蚀刻装置1的各构成部分的微处理器(计算机)。
接着，对基板载置台4的详细的构造进行说明。
基板载置台4包括：设置在绝缘部件5之上的、成为基座的第1部件6；设置在第1部件6之上的第2部件7；设置在第2部件7的表面的、作为基板载置部的静电吸盘8；和覆盖第1部件6、第2部件7及静电吸盘8的侧壁的侧壁绝缘部件9。第1部件6、第2部件7和静电吸盘8形成为与基板G的形状对应的矩形，基板载置台4的整体形成为四角板状或者柱状。第1部件6和第2部件7均为金属制，它们由不同种类的金属形成。例如第1部件6由铝形成，第2部件7由不锈钢形成。在第1部件6与第2部件7之间插设有弹性体片30，第1部件6和第2部件7的外周被作为紧固部件的多个外周螺钉31紧固。
在第1部件6设置有使作为温度调节介质的冷却介质流动的冷却介质流路32，冷却介质流路32被从作为温度调节介质供给部的冷却器33循环供给冷却介质。由此，第1部件6被温度调节为规定温度，从第1部件6经由弹性体片30向第2部件7进行热传递，经由第2部件7将基板G冷却。
另外，在第1部件6连接有用于供给高频电力的供电线23，在该供电线23连接有匹配器24和高频电源25。从高频电源25例如将13.56MHz的高频电力供给到第1部件6，在与作为上部电极发挥作用的喷淋头11之间形成高频电场来生成处理气体的等离子体。
第2部件7的上部形成为凸状，在其凸状部形成有静电吸盘8。静电吸盘8包括由绝缘体形成的主体34和在主体34的内部沿基板G的面内方向(即水平方向)设置的吸附电极35。吸附电极35能够采用板状、膜状、格子状、网状等各种形态。吸附电极35经由供电线36与直流电源37连接，对吸附电极35施加直流电压。向吸附电极35的供电由开关38接通和断开。而且，通过向吸附电极35施加直流电压，利用静电吸附力来吸附基板G。
侧壁绝缘部件9和静电吸盘8的主体34由氧化铝等绝缘性陶瓷构成。
在基板载置台4以相对于基板载置台4的上表面(即静电吸盘8的上表面)能够突出和没入的方式设置有用于进行基板G的交接的多个升降销(未图示)，基板G的交接对从基板载置台4的上表面向上方的状态的升降销进行。另外，在基板载置台4载置有基板G的状态下，对基板G与基板载置台4之间供给用于进行热传递的传热气体。作为传热气体能够适合使用热传递性高的He气体。
弹性体片30形成为与基板载置台4的形状对应的矩形，由弹性体构成构成，其中弹性体由有机材料形成。因此，弹性体片30容易弹性变形，利用外周螺钉31将第1部件6和第2部件7的外周部紧固时比较容易压扁，随着第1部件6的上表面和第2部件7的形状变形。由此，填埋形成在第1部件6与第2部件7之间的微小间隙，与第1部件6和第2部件7紧贴。另外，由于弹性体片30是弹性体，所以在解除外周螺钉31的紧固时恢复至原来的形状。
如上所述，由于弹性体片30填埋第1部件6与第2部件7之间的微小间隙，与第1部件6和第2部件7紧贴，所以第1部件6与第2部件7之间的热传递良好且均匀，能够以短时间使基板载置台4的表面(基板载置面)的温度均匀。另外，由于弹性体片30在变形后恢复为原来的形状，所以能够反复使用。
从如上所述填埋微小间隙的观点出发，优选弹性体片30的杨氏模量低，优选为1～40MPa的范围。更优选为1～10MPa的范围。另外，弹性体片30优选使用性、耐热性、耐寒性、耐化学性(耐化学腐蚀性)良好。从这样的观点出发，作为构成弹性体片30的材料适合使用硅橡胶、氟橡胶。这些材料任意者的杨氏模量均在1～40MPa的范围，一般使用的材料的杨氏模量为1～10MPa，具有适合的杨氏模量，弹性良好。另外，这些材料的使用性也良好，关于使用温度范围，硅橡胶为-70～200℃，氟橡胶为-10～230℃，耐热性、耐寒性也优异。
在基板载置台4中，对第1部件6施加高频(RF)电力，因此，从确保趋肤效应的RF路径的观点出发，如图2(a)、(b)所示，使弹性体片30的各边的长度比基板载置台4的第1部件6和第2部件7的各边的长度短。另外，如图2(b)所示，在使弹性体片30的长边的长度为a、短边的长度为b，使第1部件6和第2部件7的长边的长度为c、短边的长度为d时，从充分确保趋肤效应的RF路径的观点出发，优选a/c<1、b/d<1，另外，更优选a/c≤0.9、b/d≤0.9。另外，为了使第1部件6与第2部件7之间的热传递更良好且均匀，优选a/c>0、b/d>0，另外，更优选a/c≥0.3、b/d≥0.3。即，优选弹性体片30的长边相对于第1部件6和第2部件7的长边的比率和弹性体片30的短边相对于第1部件6和第2部件7的短边的比率均为0.3以上0.9以下。
另外，弹性体片30通过压扁来填埋第1部件6与第2部件7的微小间隙，但是，如图2(c)所示，在以初始厚度为t0、压扁的厚度为t1的情况下，由t1/t0×100(％)表示的压扁量少时，具有难以填埋第1部件6与第2部件7的微小间隙的倾向。另外，当压扁量过多时，外周螺钉31的紧固力过大。因此，弹性体片30的压扁量优选为50％以上70％以下。另外，弹性体片30的初始厚度t0优选为0.3～0.5mm。弹性体片30为0.3mm以下时，不能充分填埋微小间隙，另外，当弹性体片30比0.5mm厚时，外周螺钉31的紧固力变得过大。
接着，对如以上的方式构成的等离子体蚀刻装置1中的处理动作进行说明。以下的处理动作是基于控制部40的控制进行的。
首先，利用排气装置20将腔室2内排气成为规定的压力，开放闸阀22利用未图示的搬送机构从搬入搬出口21搬入基板G，在使未图示的升降销上升的状态下，在其之上接收基板G，通过使升降销下降，而使基板G载置在基板载置台4上。在使搬送装置从腔室2退避后，关闭闸阀22。
在该状态下，利用压力调整阀将腔室2内的压力调整为规定的真空度，并且，从处理气体供给源18经由处理气体供给管15和喷淋头11将处理气体供给至腔室2内。
然后，从高频电源25经由匹配器24对基板载置台4的第1部件6施加高频(RF)电力，在作为下部电极的基板载置台4与作为上部电极的喷淋头11之间产生高频电场而使腔室2内的处理气体等离子体化。此时，从直流电源37对静电吸盘8的吸附电极35施加直流电压，基板G经由等离子体被库仑力吸附固定在基板载置台4的表面的基板载置面。
在该状态下，利用腔室2内的等离子体进行基板G的蚀刻处理。
此时，从冷却器33对第1部件6的冷却介质流路32循环供给规定温度的冷却介质来对基板载置台4进行温度调节，控制基板G的温度。
但是，由于基板载置台4的第1部件6和第2部件7是对金属材料进行加工而制作的，所以在其表面产生弯曲。例如，在一个边的长度为1m以上的情况下，弯曲的制作误差为0.1mm左右。另外，即使通过在第2部件7的表面设置静电吸盘8，在第2部件7的表面也产生弯曲。由于第1部件6和第2部件7为不同种类金属而加工后的精度不同、或者仅在第2部件7的表面设置有静电吸盘8等，所以在第1部件6和第2部件7的表面产生弯曲的差。因此，如现有技术，将第1部件6和第2部件7直接用螺钉紧固时，在部件间产生微小间隙。微小间隙内为真空，因此微小间隙大的部分的热传递性差，相反，微小间隙小的部分的热传递性好。因此，因微小间隙而热传递变差，至基板载置台4的表面温度稳定为止需要花费时间，并且，在第1部件6与第2部件7之间不均匀地存在微小间隙的情况下，从第1部件6向第2部件7的热传递变得不均匀，在基板载置台4的表面(基板载置面)的面内温度产生不均。
例如，如图3(a)所示，在中央部的微小间隙的间隔大的情况下的基板载置台4的表面的温度，在螺钉固定的周缘部(边缘)变高，在间隙大的中央部(中心)变低，在中间部(中间)成为中间温度。而且，在间隙大的中央部热传递差，至温度稳定为止需要花费时间，另外，在面内温度产生不均。相反，如图3(b)所示，在中央部的微小间隙小的情况下的基板载置台4的表面的温度，在螺钉固定的周缘部(边缘)变高，在间隙小的中央部(中心)也变高，在中间部(中间)成为与图3(a)的情况同样的中间温度。如上所述，在图3(b)的情况下，虽然比图3(a)小但终究在面内温度产生不均。
在用于载置基板G的基板载置台4的表面温度的不均大的情况下，基板处理时的蚀刻速率的分布产生不均匀。另外，在间隙大的部分至温度稳定为止需要花费时间，对处理时间产生影响。另外，根据基板载置台4，例如如图3(a)的情况和图3(b)的情况所示，在第1部件6和第2部件7的弯曲(翘曲)存在个体差的情况下，根据装置不同而温度分布不同，成为装置间差异的主要原因。
基板载置台4的表面(基板载置面)的温度的不均能够通过提高连结两部件的螺钉的紧固扭矩或增加螺钉的个数来改善，但是，在采用上述措施的情况下，维护性恶化，另外，在增加连结螺钉的个数的情况下，还产生装置成本上升的问题。
因此，在本实施方式中，在基板载置台4中，在第1部件6与第2部件7之间插设弹性体片30。弹性体片30形成为与基板载置台4的形状对应的矩形，由有机材料所形成的弹性体(典型来说是橡胶)构成。因此，弹性体片30容易弹性变形，在利用外周螺钉31将第1部件6和第2部件7的外周部紧固时比较容易压扁，随着第1部件6的上表面和第2部件7的形状进行变形。因此，填埋形成于第1部件6和第2部件7之间的微小间隙，与第1部件6和第2部件7紧贴。另外，由于弹性体片30是弹性体，因此，在解除了外周螺钉31的紧固时恢复原来的形状。
这样，在利用外周螺钉31将第1部件6和第2部件7紧固时，弹性体片30变形而填埋它们之间的微小间隙，与第1部件6和第2部件7紧贴，由此该弹性体片30作为缓冲层发挥作用，第1部件6与第2部件7之间的热传递变得均匀，能够使基板载置台4的基板载置面的温度均匀。另外，微小间隙的部分的热传递变得良好，因此还能够缩短至基板载置台4的表面的温度稳定为止的时间。另外，即使第1部件6和第2部件7的弯曲(翘曲)具有偏差，通过弹性体片30与两部件紧贴，也能够消除基板载置台4的表面(基板载置面)的温度的个体差。例如，如图3(a)的情况和图3(b)的情况所示，即使在第1部件6和第2部件7的弯曲(翘曲)不同的情况下，如图4(a)和图4(b)所示通过插设弹性体片30，能够使两者的基板载置台4的表面的温度均匀，而且，能够使两者的表面温度自身的值和至温度稳定为止的时间相等。
另外，由于弹性体片30是弹性体具有恢复性，所以能够反复使用，能够确保良好的维护性。
如上所述，根据本实施方式，通过在第1部件6与第2部件7之间插设弹性体片30，能够良好且均匀地从第1部件6向第2部件7进行热传递，能够在短时间内使基板载置台4的表面的温度稳定，并且，能够使基板载置台4的表面的温度均匀。因此，不需要进行紧固螺钉的过剩的扭矩增大、螺钉的个数的增加，不会导致伴随此而产生的维护性的恶化和装置成本的增加。另外，由于弹性体片30能够反复使用，所以在这方面维护性良好。
为了利用弹性体片30容易填埋第1部件6与第2部件7的微小间隙，优选弹性体片30的杨氏模量低，优选在1～40MPa的范围。更优选在1～10MPa。另外，弹性体片30优选使用性、耐热性、耐寒性良好。当考虑这些时，作为弹性体片30适合采用硅橡胶、氟橡胶。这些材料的杨氏模量都在1～40MPa的范围，一般使用的材料的杨氏模量为1～10MPa，具有适合的杨氏模量，弹性良好。另外，这些材料的使用性好，关于使用温度范围，硅橡胶为-70～200℃，氟橡胶为-10～230℃，耐热性、耐寒性都优异。
作为插设于第1部件6与第2部件7之间的片，在设置有专利文献2中记载的散热凝胶片(凝胶状聚合物)的情况下，容易变形，热传导率高达2.1W/mK，因此能够实现良好且均匀的热传递，但是，由于不是弹性体，所以一旦变形则无法复原，难以反复使用，维护性差，使用性也差。另外，作为插设于第1部件6与第2部件7之间的片使用金属材料时，热传导率高，例如为铝(A5052)、不锈钢(SUS304)时分别为238W/mK、16.7W/mK，与第1部件6和第2部件7接触的部分的热传递性变得非常高，但是金属材料的杨氏模量非常高，例如为铝、不锈钢(SUS304)时分别为70000MPa、193000MPa，难以变形。因此，不能填埋第1部件6与第2部件7之间的微小间隙，不能确保热传递的均匀性。使用专利文献3中记载的碳片的情况也同样。
作为弹性体片30适合的硅橡胶、氟橡胶的热传导率分别为0.24W/mK、0.23W/mK，比散热凝胶片、金属材料的热传导率小。但是，在本实施方式中，弹性体片30与第1部件6和第2部件7紧贴，没有在真空状态下热传导率低的微小间隙，确保热传递的均匀性，并不要求那么大的热传导率。0.24W/mK等值自身比作为传热气体使用的He气体的热传导率0.14W/mK高，是为了与第1部件6和第2部件7紧贴来确保良好且均匀的热传递的充分的值。
此外，特氟龙(注册商标)等树脂与硅橡胶、氟橡胶同样由有机材料构成，使用性良好，但是杨氏模量为500MPa，较高，因此不能填埋第1部件6与第2部件7的微小间隙，难以作为弹性体片30使用。
另外，在基板载置台4中，弹性体片30的各边的长度比基板载置台4的第1部件6和第2部件7的各边的长度短，所以在被施加有在第1部件6施加的高频(RF)电力的情况下，能够确保趋肤效应的RF路径。另外，在以弹性体片30的长边的长度为a、短边的长度为b、第1部件6和第2部件7的长边的长度为c、短边的长度为d时，a/c<1、b/d<1，更优选a/c≤0.9、b/d≤0.9，由此能够充分确保趋肤效应的RF路径。另外，a/c>0、b/d>0，更优选a/c≧0.3、b/d≧0.3，由此，能够提高第1部件6和第2部件7之间的热传递的均匀性。
另外，弹性体片30因压扁而填埋第1部件6和第2部件7的微小间隙，但是，在以初始厚度为t0、压扁的厚度为t1的情况下，优选由t1/t0×100(％)表示的压扁量为50％以上70％以下。通过使压扁量为50％以上，容易填埋第1部件6与第2部件7的微小间隙，另外，通过使压扁量为70％以下，不需要使外周的螺钉的紧固力过剩地变大。另外，优选弹性体片30的初始厚度t0为0.3～0.5mm。在该范围时，弹性体片30能够充分填埋微小空间，没有螺钉的紧固力变得过大的问题。
接着，对于没有设置弹性体片30的情况和设置有弹性体片30的情况，对实际测定基板载置台4的表面温度的时间变化的结果进行说明。图5(a)、(b)是表示使等离子体着火后的基板载置台表面温度的时间变化的图，表示周缘部(边缘)、中央部(中心)、中间部(中间)的温度，图5(a)表示图3(a)所示的中央部的微小间隙的间隔大且没有设置弹性体片的情况，图5(b)表示图4(a)所示的中央部的微小间隙的间隔大且设置有弹性体片的情况。
在没有设置弹性体片的情况下，如图5(a)所示，第1部件与第2部件之间的热传递差且热传递不均匀，由此至温度稳定为止的时间长，在温度稳定后的面内均匀性也差。与此不同，在设置有弹性体片的情况下，如图5(b)所示，第1部件与第2部件之间的热传递变得良好，而且热传递变得均匀，因此至温度稳定为止的时间缩短，温度稳定后的面内均匀性也变得良好。
<第2实施方式>
接着，对第2实施方式进行说明。
图6是表示本发明的第2实施方式的基板载置台的截面图。在本实施方式中，是用于载置大型基板的基板载置台的例子，第1部件6与第2部件7之间，作为紧固部件除了外周螺钉31之外，在内侧部分具有从第1部件6的背面侧插入的内侧螺钉41，第1部件6和第2部件7被外周螺钉31和内侧螺钉41紧固。
此时，用外周螺钉31和内侧螺钉41将第1部件6和第2部件7直接紧固时，有时在紧固部以外的部分产生微小间隙。例如，如图7(a)所示，在外周螺钉31与内侧螺钉41之间的部分和内侧螺钉41与内侧螺钉41之间的部分产生微小间隙。在该情况下，外周螺钉31和内侧螺钉41的紧固部的热传递良好，它们之间的微小间隙的部分的热传递差。因此，基板载置台4的表面温度中，与紧固部对应的部分变高，与微小间隙对应的部分变低。
因此，在本实施方式中，在作为基板载置台4的构成部件的第1部件6和第2部件7之间产生微小间隙的部分，即外周螺钉31与内侧螺钉41之间的部分和内侧螺钉41与内侧螺钉41之间的部分，分别部分地插入弹性体片30′。弹性体片30′与第1实施方式的弹性体片30同样地构成。
如上所述，在使弹性体片30′插设在第1部件6与第2部件7之间产生微小间隙的部分的状态下，利用外周螺钉31和内侧螺钉41将第1部件6和第2部件7紧固，由此成为弹性体片30′与第1部件6和第2部件7紧贴的状态。
因此，该弹性体片30′作为缓冲层发挥作用，第1部件6与第2部件7之间的热传递变得均匀，如图7(b)所示，能够使基板载置台4的基板载置面的温度均匀。另外，微小间隙的部分的热传递变得良好，因此，能够缩短达到基板载置台4的表面的温度稳定为止的时间。
此时，与各部分对应的弹性体片30′的各边相对于该部分中的各边的长度的比率优选大于0小于1，另外，优选为0.3以上0.9以下。
<其它的应用>
此外、本发明不限于上述实施方式而能够在本发明的思想的范围内进行各种变形。例如，在上述实施方式中，对将本发明的基板载置台应用为作为平行平板型等离子体蚀刻装置的下部电极发挥作用的基板载置台的例子进行了说明，但是，不限于此，也可以应用于使用感应耦合型等其它等离子体生成机构的等离子体蚀刻装置的基板载置台，另外，不限于等离子体蚀刻，能够应用于等离子体灰化、等离子体CVD等的其它等离子体处理装置的基板载置台。而且，本发明不限于等离子体处理装置，能够应用于将基板载置在基板载置台进行处理的全部基板处理装置。
另外，在上述实施方式中，作为温度调节机构表示了使冷却介质在设置于第1部件的冷却介质流路流动的机构，但是，流动的介质不限于冷却介质，也可以为加热介质，另外，不限于使用这样的温度调节介质，也可以为使用热电元件或者加热器的温度调节机构。
而且，作为上述实施方式，表示作为基板载置部设置有静电吸盘的例子，但是，第2部件的表面自身也可以为基板载置部。
而且，在上述实施方式中对将本发明应用于FPD用的玻璃基板的例子进行了说明，但是，能够适合用于载置FPD用的玻璃基板以外的矩形基板的全部的矩形的基板载置台。另外，不限于矩形基板，当然也能够适用于载置半导体基板等其它的基板的基板载置台。

Claims (11)

1.一种在处理容器内对被处理基板实施处理的基板处理装置中载置基板的基板载置台，其特征在于，包括：
作为基座的金属制的第1部件；
设置在所述第1部件之上的金属制的第2部件；
设置在所述第2部件的表面的、载置基板的基板载置部；
设置在所述第1部件的温度调节机构；
由弹性体构成的弹性体片，插设在所述第1部件与所述第2部件之间，所述弹性体由有机材料形成；和
紧固部件，在插设有所述弹性体片的状态下将所述第1部件和所述第2部件的至少外周紧固，
所述弹性体片填埋利用所述紧固部件将所述第1部件和所述第2部件紧固时形成在所述第1部件和所述第2部件之间的微小间隙，
所述基板形成为矩形，所述第1部件、所述第2部件和所述弹性体片形成为与基板对应的矩形，
所述弹性体片的长边相对于所述第1部件和所述第2部件的长边的比率和所述弹性体片的短边相对于所述第1部件和所述第2部件的短边的比率均大于0并小于1。
2.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述第1部件和所述第2部件由不同种类的金属构成。
3.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述弹性体片的杨氏模量为1～40MPa。
4.如权利要求3所述的基板载置台，其特征在于：
构成所述弹性体片的材料是硅橡胶或者氟橡胶。
5.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述弹性体片的长边相对于所述第1部件和所述第2部件的长边的比率和所述弹性体片的短边相对于所述第1部件和所述第2部件的短边的比率均为0.3以上0.9以下。
6.如权利要求1至5任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述弹性体片在以初始的厚度为t0、以插设于所述第1部件与所述第2部件之间而被压扁的厚度为t1的情况下，由t1/t0×100(％)表示的压扁量为50～70％。
7.如权利要求1至5任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述第1部件和所述第2部件的外周部和内侧部分被紧固部件紧固，在被这些紧固部件紧固时形成的多个微小间隙分别插设有所述弹性体片。
8.如权利要求1至5任一项所述的基板载置台，其特征在于：
还包括与所述第1部件连接的、用于供给高频电力的高频电源。
9.如权利要求1至5任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述温度调节机构包括：设置在所述第1部件的内部的温度调节介质流路；和对温度调节介质流路供给温度调节介质的温度调节介质供给部。
10.如权利要求1至5任一项所述的基板载置台，其特征在于：
所述基板载置部包括用于静电吸附基板的静电吸盘。
11.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
用于对被处理基板实施处理的处理容器；
在所述处理容器内载置基板的权利要求1至权利要求10任一项记载的基板载置台；
对所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和
将从所述处理气体供给机构供给的所述处理气体导入所述处理容器内的处理气体导入部；和
对所述处理容器内进行排气的排气机构。
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