WO2024014528A1 - 電子デバイスの製造方法、導電性フィルム、第１積層体及び第２積層体 - Google Patents

電子デバイスの製造方法、導電性フィルム、第１積層体及び第２積層体 Download PDF

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WO2024014528A1
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conductive film
electronic device
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manufacturing
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征一 磯嶋
勝哉 坂寄
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大日本印刷株式会社
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates

Definitions

  • Embodiments of the present disclosure relate to a method for manufacturing an electronic device, a conductive film, a first laminate, and a second laminate.
  • Patent Document 1 proposes pressing the base material with a pin in order to shorten the time required for the separation process.
  • Embodiments of the present disclosure aim to increase the efficiency of electrostatic adsorption and/or the efficiency of separation.
  • Embodiments of the present disclosure relate to [1] to [22] below.
  • a method for manufacturing an electronic device comprising: A first laminate including a first surface and a second surface located on the opposite side of the first surface, the first laminate including at least a base material and a conductive film arranged from the first surface toward the second surface. 1.
  • a method for manufacturing an electronic device comprising a peeling step of peeling the conductive film from the base material.
  • the first laminate may include carrier glass located between the base material and the conductive film.
  • the peeling step may peel the combination of the carrier glass and the conductive film from the base material.
  • the peeling step may include peeling the conductive film from the carrier glass, and the method for manufacturing an electronic device may include peeling the conductive film from the carrier glass. It may also include a second peeling step of peeling it off from the material.
  • the carrier glass includes a first carrier surface facing the first surface and a carrier third surface facing the second surface. 2 sides, and the preparation step may include a step of forming the base material on the first surface of the carrier.
  • the step of forming the base material may include a step of applying a resin to the first surface of the carrier.
  • the conductive film includes a first surface facing the first surface and a film facing the second surface. and a second surface, and the first surface of the film may be constituted by an adhesive layer.
  • the conductive film includes a base first surface facing the first surface and a base facing the second surface.
  • the base may include a second surface, and an outer conductive layer located on the second surface of the base.
  • the outer conductive layer has a thickness of 1.0 ⁇ 10 13 ⁇ /sq. It may have the following surface resistivity.
  • the outer conductive layer has a resistance of 10.0 ⁇ /sq. It may have a surface resistivity higher than that.
  • the conductive film may include an inner conductive layer located on the first surface of the base.
  • the first laminate may include an intermediate layer located between the base material and the carrier glass.
  • the intermediate layer may include a resin
  • the peeling step may include an ultraviolet irradiation step of making ultraviolet rays incident on the second surface of the first laminate.
  • the conductive film may have an ultraviolet transmittance of 10% or more.
  • the standard deviation of the thickness of the conductive film measured at 10 locations may be 10 ⁇ m or less.
  • the method for manufacturing an electronic device may include an alignment step performed between the adsorption step and the vapor deposition step, and the alignment step
  • the method may include an observation step of observing the mask through the first laminate, and an adjustment step of adjusting the position of the mask with respect to the base material based on the result of the observation step.
  • the conductive film may have a total light transmittance of 40% or more.
  • the conductive film may have a haze of 20% or less.
  • the conductive film includes a first surface facing the first surface and a film facing the second surface. and a second surface of the film, and the second surface of the film may have a coefficient of dynamic friction of 0.26 or less.
  • the conductive film includes a first surface facing the first surface and a film facing the second surface. and a second surface of the film, and the second surface of the film may have a coefficient of static friction of 0.30 or less.
  • a conductive film used in the method for manufacturing an electronic device according to any one of [1] to [19], A base including a base first surface facing the first surface and a base second surface facing the second surface, and an outer conductive layer located on the base second surface,
  • the outer conductive layer has a resistance of 10.0 ⁇ /sq. More than 1.0 ⁇ 10 13 ⁇ /sq. It has a surface resistivity of
  • the conductive film has an ultraviolet transmittance of 10% or more, a total light transmittance of 40% or more, and a haze of 20% or less, A conductive film, wherein the standard deviation of the thickness of the conductive film measured at 10 points is 10 ⁇ m or less.
  • a first laminate including a first surface and a second surface located on the opposite side of the first surface, At least including a base material, a carrier glass, and a conductive film arranged from the first surface to the second surface,
  • the base material includes a resin
  • the conductive film includes a base including a base first surface facing the first surface and a base second surface facing the second surface, and an outer conductive layer located on the base second surface.
  • the outer conductive layer has a resistance of 10.0 ⁇ /sq. More than 1.0 ⁇ 10 13 ⁇ /sq.
  • the conductive film has a surface resistivity of The conductive film has an ultraviolet transmittance of 10% or more, a total light transmittance of 40% or more, and a haze of 20% or less,
  • the efficiency of electrostatic adsorption and/or the efficiency of separation can be increased.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of an electronic device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an electronic device.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of an electronic device group. It is a sectional view showing an example of a vapor deposition device. It is a top view showing an example of a mask device. It is a top view showing an example of a mask.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a first laminate.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a conductive film.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a conductive film. It is a sectional view showing an example of a preparation process of a 1st layered product.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a process of drawing the mask toward the first stacked body using magnetic force. It is a sectional view showing an example of a vapor deposition process. It is a sectional view showing an example of a separation process. It is a sectional view showing an example of a 2nd layered product. It is a sectional view showing an example of a peeling process.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method of adsorption evaluation.
  • 3 is a table showing the evaluation results of Examples A1 to A5.
  • 3 is a table showing the evaluation results of Comparative Examples A1 to A3.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a base material including alignment marks.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of an alignment mark.
  • FIG. 2 is a table showing the evaluation results of Examples C1 to C6.
  • FIG. 3 is a diagram showing a method of measuring a friction coefficient.
  • 3 is a table showing the evaluation results of Examples D1 to D5.
  • 3 is a table showing the evaluation results of Comparative Examples D1 to D4. It is a figure which shows the peeling method.
  • 3 is a table showing the evaluation results of Examples E1 to E6.
  • a certain structure such as a certain member or a certain region is “over” or “below” another structure such as another member or another region;
  • the terms “above” and “below”, or “above” and “below” include cases where one structure is in direct contact with another structure. Furthermore, it also includes a case where another structure is included between one structure and another structure, that is, a case where they are indirectly in contact with each other. Furthermore, unless otherwise specified, the terms “above”, “above”, “above”, or “bottom”, “lower side”, and “lower” may be used in reversed vertical directions.
  • the numerical range of the parameter is defined as any one upper limit value candidate and any one lower limit value. It may be configured by combining the candidates.
  • “Parameter B is, for example, greater than or equal to A1, may be greater than or equal to A2, may be greater than or equal to A3.
  • Parameter B may be, for example, less than or equal to A4, may be less than or equal to A5, and may be less than or equal to A6.
  • the numerical range of parameter B may be A1 or more and A4 or less, A1 or more and A5 or less, A1 or more and A6 or less, A2 or more and A4 or less, It may be A2 or more and A5 or less, A2 or more and A6 or less, A3 or more and A4 or less, A3 or more and A5 or less, or A3 or more and A6 or less.
  • a vapor deposition apparatus is used to form a layer of an organic material on a substrate when manufacturing an organic EL display device.
  • the use of the vapor deposition apparatus is not particularly limited, and the present embodiment can be applied to vapor deposition apparatus used for various purposes.
  • the vapor deposition apparatus of this embodiment may be used to form a layer of a device for displaying or projecting images and videos for expressing virtual reality, so-called VR, and augmented reality, so-called AR.
  • the vapor deposition apparatus of this embodiment may be used to form layers of display devices other than organic EL display devices, such as layers of liquid crystal display devices.
  • the vapor deposition apparatus of this embodiment may be used to form layers of electronic devices other than display devices, such as layers of pressure sensors.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the electronic device 100 when viewed along the normal direction of the base material of the electronic device 100.
  • viewing the object in parallel along the long axis in the normal direction of the surface of the material that is the basis of the base material, etc. is also referred to as plan view.
  • the electronic device 100 includes a base material and a plurality of elements 125 arranged along the in-plane direction of the base material.
  • the element 125 is, for example, a pixel.
  • the elements 125 may be arranged along two different directions.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the electronic device 100.
  • Electronic device 100 includes a base material 110, a TFT layer 115, and a plurality of elements 125.
  • the base material 110 includes a first base surface 111 and a second base surface 112.
  • the second surface 112 of the base material is located on the opposite side of the first surface 111 of the base material.
  • the TFT layer 115 is located on the first surface 111 of the base material.
  • TFT layer 115 may include multiple transistors 120 and multiple first electrodes 130. Each first electrode 130 is electrically connected to a corresponding transistor 120.
  • the plurality of elements 125 may include a plurality of organic layers 135 and a second electrode 140.
  • a device including an organic layer is also referred to as an organic device.
  • Each organic layer 135 is located on a corresponding first electrode 130.
  • a second electrode 140 is located on the organic layer 135.
  • the second electrode 140 may extend so as to overlap the plurality of first electrodes 130 and the plurality of organic layers 135 in a plan view.
  • the electronic device 100 is an organic EL display device
  • light is emitted from the organic layer 135 by applying a voltage between the first electrode 130 and the second electrode 140.
  • the voltage applied between the first electrode 130 and the second electrode 140 is controlled by the transistor 120.
  • the plurality of organic layers 135 may include a plurality of first organic layers 135A and a plurality of second organic layers 135B.
  • the plurality of organic layers 135 may include a plurality of third organic layers.
  • the first organic layer 135A, the second organic layer 135B, and the third organic layer are, for example, a red light-emitting layer, a blue light-emitting layer, and a green light-emitting layer.
  • the term "organic layer 135" and code will be used.
  • One element 125 may include at least one first sub-element 125A, at least one second sub-element 125B, and at least one third sub-element.
  • the first sub-element 125A includes a first organic layer 135A and a second electrode 140.
  • the second sub-element 125B includes a second organic layer 135B and a second electrode 140.
  • the third sub-element includes a third organic layer and a second electrode.
  • the organic layer 135 is formed by a vapor deposition process using a mask, which will be described later.
  • An element formed by using a mask is also referred to as a deposited layer.
  • the electronic device 100 may include a sealing layer 150 that covers the plurality of elements 125.
  • Encapsulation layer 150 protects element 125 from oxygen, water, and the like.
  • the sealing layer 150 may contain an inorganic material such as an inorganic compound. Inorganic compounds include silicon nitride and aluminum oxide.
  • the sealing layer 150 may contain an organic material such as acrylic resin or epoxy resin. Sealing layer 150 may include multiple layers. For example, the sealing layer 150 may include an organic layer containing an organic material and an inorganic layer containing an inorganic material.
  • the electronic device 100 may include an insulating layer 160 located between two adjacent first electrodes 130 in plan view.
  • Insulating layer 160 contains polyimide, for example.
  • the insulating layer 160 may overlap the end of the first electrode 130 in plan view.
  • an electronic device group 102 as shown in FIG. 3 may be manufactured.
  • Electronic device group 102 includes two or more electronic devices 100.
  • the electronic device group 102 may include the electronic devices 100 lined up in the first direction D1 and the second direction D2.
  • the second direction D2 is a direction orthogonal to the first direction D1.
  • Two or more electronic devices 100 may include one common base material 110.
  • the electronic device group 102 is located on one base material 110 and includes layers such as a first electrode 130, an organic layer 135, and a second electrode 140 that constitute two or more electronic devices 100. Good too.
  • the first direction D1 may be a direction in which a mask, which will be described later, extends.
  • the dimension A1 of the electronic device 100 in the first direction D1 is, for example, 10 mm or more, may be 30 mm or more, or may be 100 mm or more.
  • the dimension A1 is, for example, 1000 mm or less, may be 500 mm or less, or may be 200 mm or less.
  • the dimension A2 of the electronic device 100 in the second direction D2 is, for example, 10 mm or more, may be 20 mm or more, or may be 50 mm or more.
  • the dimension A2 is, for example, 500 mm or less, may be 200 mm or less, or may be 100 mm or less.
  • the electronic device group 102 includes a device area 103 in which a plurality of electronic devices 100 are located.
  • the device region 103 has a dimension G12 in the first direction D1 and a dimension G22 in the second direction D2.
  • the dimensions G12 and G22 of the device region 103 can be increased. This increases the number of electronic devices 100 formed on one base material 110. Thereby, the manufacturing cost of the electronic device 100 can be reduced.
  • the dimension G11 of the base material 110 in the first direction D1 is not particularly limited, but may be, for example, 5 mm or more, 100 mm or more, 300 mm or more, 500 mm or more, It may be 900 mm or more, 1200 mm or more, or 1300 mm or more.
  • the dimension G11 is, for example, 4000 mm or less, may be 3500 mm or less, may be 3000 mm or less, may be 2500 mm or less, or may be 1900 mm or less.
  • the dimension G21 of the base material 110 in the second direction D2 is not particularly limited, but may be, for example, 5 mm or more, 100 mm or more, 300 mm or more, 500 mm or more, It may be 1000 mm or more, 1500 mm or more, 2000 mm or more, or 3000 mm or more.
  • the dimension G21 is, for example, 4000 mm or less, may be 3500 mm or less, may be 2400 mm or less, or may be 2200 mm or less.
  • the dimensions of the conductive film 70 are also not particularly limited, but the dimensions of the conductive film 70 may be the same as the numerical range of the dimensions of the base material 110.
  • FIG. 4 is a diagram showing the vapor deposition apparatus 10.
  • the vapor deposition apparatus 10 performs a vapor deposition process of vapor depositing a vapor deposition material onto a base material 110 .
  • the vapor deposition apparatus 10 may include a vapor deposition source 6, a heater 8, and a mask device 15.
  • the vapor deposition apparatus 10 may further include exhaust means for creating a vacuum atmosphere inside the vapor deposition apparatus 10.
  • the vapor deposition source 6 is, for example, a crucible, and contains a vapor deposition material 7 such as an organic material.
  • the heater 8 heats the evaporation source 6 to evaporate the evaporation material 7 in a vacuum atmosphere.
  • the mask device 15 is arranged to face the crucible 6.
  • the mask device 15 includes at least one mask 50.
  • the mask device 15 may include a mask support 40 that supports the mask 50.
  • the mask support 40 may include a frame 41 including an opening 43.
  • the mask 50 may be fixed to the frame 41 so as to cross the opening 43 in plan view.
  • the frame 41 may support the mask 50 in a stretched state in its surface direction so as to suppress the mask 50 from bending.
  • the mask device 15 is arranged within the vapor deposition device 10 so that the mask 50 faces the first stacked body 170.
  • Mask 50 includes a substrate 55 and a plurality of through holes 56 passing through substrate 55. The through hole 56 allows the vapor deposition material 7 flying from the vapor deposition source 6 to pass through.
  • the surface of the mask 50 facing the first stacked body 170 will be referred to as a mask first surface 551.
  • the surface of the mask 50 located on the opposite side of the mask first surface 551 is referred to as a mask second surface 552.
  • the first laminate 170 includes a first surface 171 facing the mask 50 and a second surface 172 located on the opposite side of the first surface 171.
  • the first laminate 170 includes a TFT layer 115, a base material 110, a carrier glass 60, and a conductive film 70 arranged from a first surface 171 to a second surface 172.
  • the vapor deposition material 7 that has passed through the through hole 56 of the mask 50 adheres to the TFT layer 115 .
  • a vapor deposition layer having a shape and arrangement corresponding to the through holes 56 is formed on the TFT layer 115. If the vapor deposition material 7 is an organic material, an organic layer 135 is formed on the TFT layer 115.
  • the vapor deposition apparatus 10 includes an electrostatic chuck 4 that electrostatically attracts the first stacked body 170.
  • the electrostatic chuck 4 attracts the second surface 172 of the first stacked body 170 by electrostatic attraction.
  • electrostatic adsorption By using electrostatic adsorption, it is possible to suppress the base material 110 and the TFT layer 115 of the first stacked body 170 from being bent during the vapor deposition process. Thereby, the accuracy of the position and shape of the vapor deposition layer formed on the TFT layer 115 can be improved.
  • the electrostatic chuck 4 includes a dielectric material such as ceramic, and an electric circuit such as an electrode arranged inside the dielectric material.
  • the electrostatic chuck 4 may be of a Coulomb force type, a Johnson-Rahbek force type, or a gradient force type.
  • the dielectric includes an insulating material.
  • the Johnson-Rahbek force type electrostatic chuck is configured to allow a small current to flow through the gap between the dielectric and the second surface 172 of the first stack 170.
  • a gradient force type electrostatic chuck utilizes a gradient force generated due to a non-uniform electric field formed on an electrode. In this embodiment, it is preferable to use a gradient force type electrostatic chuck.
  • the vapor deposition apparatus 10 may include a magnet 5 located on the electrostatic chuck 4.
  • the magnet 5 can attract the mask 50 of the mask device 15 toward the first stacked body 170 by magnetic force. Thereby, the gap between the mask 50 and the first surface 171 of the first stacked body 170 can be reduced or eliminated. This makes it possible to suppress the occurrence of shadows during the vapor deposition process.
  • a shadow is a phenomenon in which the vapor deposition material 7 enters the gap between the mask 50 and the first stacked body 170, thereby making the thickness of the vapor deposition layer non-uniform.
  • the vapor deposition apparatus 10 may include a cooling plate located on the electrostatic chuck 4.
  • the cooling plate may be located between the electrostatic chuck 4 and the magnet 5.
  • FIG. 5 is a plan view showing an example of the mask device 15.
  • FIG. 6 is a plan view showing an example of the mask 50.
  • the mask device 15 may include two or more masks 50 arranged in the second direction D2.
  • the mask 50 includes a first end 51a, a second end 51b, and an intermediate portion 52.
  • the first end 51a and the second end 51b face each other in the first direction D1.
  • the intermediate portion 52 is located between the first end 51a and the second end 51b.
  • the intermediate portion 52 includes a group of through holes 53.
  • One through hole group 53 corresponds to one electronic device 100.
  • the plurality of first organic layers 135A included in one electronic device 100 are composed of a vapor deposition material that has passed through the plurality of through holes 56 of one through hole group 53.
  • Intermediate portion 52 includes at least one through-hole group 53 .
  • the intermediate portion 52 may include two or more through-hole groups 53 aligned in the first direction D1.
  • the substrate 55 of the mask 50 may contain metal.
  • the substrate 55 may include an iron alloy containing nickel.
  • the content of nickel in the iron alloy is, for example, 28% by mass or more, may be 30% by mass or more, or may be 34% by mass or more.
  • the content of nickel in the iron alloy is, for example, 54% by mass or less, may be 44% by mass or less, or may be 38% by mass or less.
  • the thickness of the mask 50 is, for example, 8 ⁇ m or more, may be 10 ⁇ m or more, may be 15 ⁇ m or more, or may be 20 ⁇ m or more.
  • the thickness of the mask 50 is, for example, 80 ⁇ m or less, may be 50 ⁇ m or less, may be 30 ⁇ m or less, or may be 25 ⁇ m or less.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the first laminate 170.
  • the carrier glass 60 includes a first carrier surface 61 facing a first surface 171 and a second carrier surface 62 facing a second surface 172. After the deposition process, carrier glass 60 is peeled off from substrate 110. By supporting the substrate 110 with the carrier glass 60 during the vapor deposition process, the flatness of the substrate 110 can be improved. Thereby, the accuracy of the position and shape of the vapor deposited layer can be improved.
  • the thickness of the carrier glass 60 is, for example, 300 ⁇ m or more, may be 500 ⁇ m or more, or may be 700 ⁇ m or more.
  • the thickness of the carrier glass 60 is, for example, 3000 ⁇ m or less, may be 2000 ⁇ m or less, or may be 1000 ⁇ m or less.
  • the base material 110 is located on the carrier first surface 61 of the carrier glass 60.
  • the first laminate 170 may include an intermediate layer 65 located between the carrier first surface 61 and the base material 110.
  • the base material 110 may contain resin.
  • the base material 110 may be a resin film containing resin.
  • the resin may be a polymer compound such as polyimide, silicone resin, epoxy resin, polyarylate, polyetheretherketone, polyphenyl ether, or the like.
  • the base material 110 may contain a biomass material or a recycled material within a range that does not conflict with the object.
  • the thickness of the base material 110 is, for example, 10 ⁇ m or more, may be 30 ⁇ m or more, or may be 50 ⁇ m or more.
  • the thickness of the base material 110 is, for example, 300 ⁇ m or less, may be 200 ⁇ m or less, or may be 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the base material 110 is calculated based on an image of the cross section of the sample of the electronic device 100. A scanning electron microscope is used as a device for taking images.
  • the intermediate layer 65 is a layer for facilitating peeling of the carrier glass 60 from the base material 110.
  • the intermediate layer 65 includes, for example, an ultraviolet curable resin. In this case, by irradiating the intermediate layer 65 with ultraviolet rays, the carrier glass 60 can be easily peeled off from the base material 110.
  • the ultraviolet curable resin includes acrylic resin, silicone resin, and the like.
  • the conductive film 70 includes a first film surface 71 facing a first surface 171 and a film second surface 72 facing a second surface 172.
  • the first film surface 71 may be in contact with the second carrier surface 62 of the carrier glass 60 .
  • the second film surface 72 may constitute the second surface 172 of the first laminate 170.
  • the conductive film 70 includes a layer having conductivity. Since the first laminate 170 includes the conductive film 70, the second surface 172 of the first laminate 170 can have conductivity. Therefore, the value of the voltage required when the electrostatic chuck 4 electrostatically attracts the second surface 172 of the first stacked body 170 can be reduced.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the conductive film 70.
  • the conductive film 70 includes at least a base 73 and an outer conductive layer 74.
  • the base 73 includes a first base surface 731 facing the first surface 71 of the film, that is, the first surface 171, and a second base surface 732 facing the second surface 72 of the film, that is, the second surface 172.
  • the outer conductive layer 74 is located on the second base surface 732.
  • the outer conductive layer 74 may constitute the second surface 72 of the film.
  • the conductive film 70 may include an adhesive layer 75 located on the first surface 731 of the base.
  • the adhesive layer 75 may constitute the first surface 71 of the film.
  • the base 73 may contain resin.
  • the base 73 may be a resin film containing resin.
  • the resin may be a polymer compound such as polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polyamideimide, polyether ether ketone, or the like.
  • the base 73 may contain biomass materials or recycled materials within a range that does not conflict with the object.
  • the thickness of the base 73 is, for example, 10 ⁇ m or more, may be 30 ⁇ m or more, or may be 50 ⁇ m or more.
  • the thickness of the base 73 is, for example, 300 ⁇ m or less, may be 200 ⁇ m or less, or may be 100 ⁇ m or less.
  • the outer conductive layer 74 includes a conductive material.
  • the outer conductive layer 74 may be configured to allow light to pass through the outer conductive layer 74.
  • outer conductive layer 74 may include a conductive polymer such as polythiophene, or a self-doped conductive polymer.
  • the conductive polymer is, for example, polythiophene, 3,4-ethylenedioxythiophene (PEDOT), polypyrrole, polyaniline, polyacetylene, or derivatives thereof.
  • Outer conductive layer 74 may include an oxide conductive material such as indium tin oxide, zinc oxide, antimony doped tin oxide, or the like.
  • the outer conductive layer 74 may include nanowires made of a conductive material.
  • the diameter of the nanowire is, for example, 1 ⁇ m or less, may be 500 nm or less, or may be 100 nm or less.
  • Nanowires may include metals or alloys such as gold, silver, copper, etc.
  • the thickness of the outer conductive layer 74 is, for example, 100 nm or more, may be 1 ⁇ m or more, or may be 3 ⁇ m or more.
  • the thickness of the outer conductive layer 74 is, for example, 15 ⁇ m or less, may be 10 ⁇ m or less, may be 8 ⁇ m or less, or may be 5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the outer conductive layer 74 is preferably 1 um or more, and more preferably 3 um or more.
  • the thickness of the outer conductive layer 74 is preferably 10 um or less, more preferably 8 um or less.
  • the surface resistivity of the outer conductive layer 74 is, for example, 1.0 ⁇ 10 13 ⁇ /sq. or less, and 1.0 ⁇ 10 12 ⁇ /sq. It may be less than 1.0 ⁇ 10 11 ⁇ /sq. It may be less than 1.0 ⁇ 10 10 ⁇ /sq. It may be less than 1.0 ⁇ 10 9 ⁇ /sq. It may be less than 1.0 ⁇ 10 8 ⁇ /sq. It may be less than 1.0 ⁇ 10 7 ⁇ /sq. It may be less than 1.0 ⁇ 10 6 ⁇ /sq. It may be the following.
  • the value of the voltage required when the electrostatic chuck 4 electrostatically attracts the second surface 172 of the first stacked body 170 can be reduced.
  • the surface resistivity is the surface resistance value per unit area (1 cm 2 ) of the outer conductive layer 74.
  • the lower limit of the surface resistivity of the outer conductive layer 74 may be defined.
  • the surface resistivity of the outer conductive layer 74 is, for example, 10.0 ⁇ /sq. or more, and 20.0 ⁇ /sq. It may be more than 30.0 ⁇ /sq. It may be more than 100.0 ⁇ /sq. It may be more than that.
  • the surface resistivity of the outer conductive layer 74 is measured using a sample of the conductive film 70.
  • the shape of the sample of the conductive film 70 is a rectangle having a long side of 80 mm and a short side of 50 mm in plan view.
  • a Loresta AX MCP-T370 type is used as the measuring instrument. Loresta AX MCP-T370 is compliant with JIS K7194:1994.
  • Hiresta UP MCP-HT450 model manufactured by Mitsubishi Chemical Analytic Tech is used as the measuring instrument.
  • a method of measuring surface resistivity using Loresta AX MCP-T370 type will be explained.
  • a sample of the conductive film 70 is placed on a glass plate with the outer conductive layer 74 positioned above.
  • all electrode pins of the ASP probe are brought into contact with the outer conductive layer 74.
  • the ASP probe is located at the center of the outer conductive layer 74 in plan view.
  • the adhesive layer 75 is a layer for increasing the adhesive strength of the conductive film 70 to the carrier glass 60.
  • the adhesive layer 75 includes, for example, silicone resin, acrylic resin, or the like.
  • the adhesive layer 75 may contain an ultraviolet curable resin.
  • the materials for the adhesive layer include those listed above, but acrylic resin is preferred since the material may transfer to glass.
  • the adhesive layer 75 may include a material whose adhesion strength decreases or disappears when a specific external energy (for example, laser light or ultraviolet light) is applied.
  • Types of laser light include excimer laser ArF (wavelength 193 nm), KrF (wavelength 248 nm), XeCl (wavelength 308 nm), YAG laser (wavelength 355 nm), green laser (wavelength 532 nm), IR laser (wavelength 1064 nm), CO2 laser. (wavelength: 10,600 nm).
  • laser light has a short wavelength, it has high energy and easily generates heat.
  • the wavelength of the laser beam is long, the materials that absorb the laser beam are limited, so the degree of freedom in selecting the material is low. Therefore, a laser beam of 300 nm to 400 nm is preferably used.
  • the adhesive layer 75 can be easily peeled off from the carrier glass 60 by irradiating the adhesive layer 75 with laser light or ultraviolet rays. Further, it may be removed by a method other than laser.
  • the thickness of the adhesive layer 75 is, for example, 1 ⁇ m or more, may be 10 ⁇ m or more, may be 15 ⁇ m or more, or may be 30 ⁇ m or more.
  • the thickness of the adhesive layer 75 is, for example, 300 ⁇ m or less, may be 200 ⁇ m or less, may be 100 ⁇ m or less, may be 50 ⁇ m or less, or may be 30 ⁇ m or less.
  • the thickness of the adhesive layer 75 is preferably 10 um or more and 50 um or less. Further, in order to physically peel off the adhesive layer 75, the thinner the adhesive layer 75 is, the easier it may be to peel off, so from this point of view, it is preferable that the thickness of the adhesive layer 75 is 10 um or more and 30 um or less.
  • the thicknesses of the constituent elements of the conductive film 70 are calculated based on the cross-sectional image of the sample of the conductive film 70.
  • a scanning electron microscope (SEM) is used when the thickness is on the order of ⁇ m
  • a scanning transmission electron microscope (STEM) is used when the thickness is on the order of nm.
  • the conductive film 70 may be transparent to ultraviolet rays. This makes it easier for the ultraviolet rays incident on the second film surface 72 of the first laminate 170 to reach the intermediate layer 65. Therefore, the step of peeling the carrier glass 60 from the base material 110 can be efficiently carried out.
  • the ultraviolet transmittance of the conductive film 70 is, for example, 10% or more, may be 30% or more, or may be 50% or more.
  • the ultraviolet transmittance of the conductive film 70 is, for example, 90% or less, may be 80% or less, or may be 70% or less.
  • the carrier glass 60 When the ultraviolet rays having a certain intensity reach the intermediate layer 65, the carrier glass 60 is peeled off from the base material 110.
  • the lower the ultraviolet transmittance of the conductive film 70 the higher the required value of the intensity of ultraviolet light incident on the second surface 72 of the film.
  • the higher the intensity of the ultraviolet light incident on the second film surface 72 the higher the risk that the resin layer included in the first laminate 170 will deteriorate. For example, it is conceivable that a part of the resin layer included in the first laminate 170 is destroyed and fine particles such as soot are generated. For example, fine particles may be generated in the intermediate layer 65 or the adhesive layer 75.
  • the conductive film 70 has an ultraviolet transmittance of 10% or more, generation of fine particles can be suppressed. In order to suppress the generation of fine particles, it is preferable that the conductive film 70 is high.
  • the ultraviolet transmittance of the conductive film 70 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.
  • the ultraviolet transmittance of the conductive film 70 is measured using a sample of the conductive film 70.
  • the shape of the sample of the conductive film 70 is a square having sides of 50 mm in plan view.
  • the measurement conditions are as follows.
  • a spectrophotometer manufactured by Shimadzu Corporation product name "UV-3100PC", light source: tungsten lamp and deuterium lamp
  • the light is incident on the second surface 72 of the film.
  • the average value of the ultraviolet transmittance of the three samples is adopted as the ultraviolet transmittance of the conductive film 70.
  • the thickness of the conductive film 70 is, for example, 20 ⁇ m or more, may be 30 ⁇ m or more, or may be 50 ⁇ m or more.
  • the thickness of the conductive film 70 is, for example, 150 ⁇ m or less, may be 100 ⁇ m or less, or may be 80 ⁇ m or less. Considering the environmental load and handling such as bonding and peeling, it is preferable that the thickness of the conductive film 70 is small.
  • the standard deviation of the thickness of the conductive film 70 is small. Thereby, it is possible to suppress the intensity of the ultraviolet light that passes through the first stacked body 170 and reaches the intermediate layer 65 from varying depending on the position. Thereby, the step of peeling the carrier glass 60 from the base material 110 can be carried out stably.
  • the standard deviation of the thickness of the conductive film 70 is, for example, 10 ⁇ m or less, may be 8 ⁇ m or less, may be 5 ⁇ m or less, or may be 3 ⁇ m or less.
  • the standard deviation of the thickness of the conductive film 70 is, for example, 0.1 ⁇ m or more, may be 0.5 ⁇ m or more, or may be 1.0 ⁇ m or more.
  • Standard deviation refers to the positive square root of the variance
  • variant refers to the arithmetic mean of the squares of the deviations (that is, the difference between each numerical value and the average value).
  • the standard deviation of the thickness of the conductive film 70 is calculated from the thicknesses of 10 samples of the conductive film 70. Ten samples are cut out from one conductive film 70. One side of each sample has a length of 30 mm or more. The positions of the ten samples are evenly distributed in the in-plane direction of one conductive film 70. The in-plane direction is a direction parallel to the in-plane direction of the conductive film 70. The thickness of the sample of the conductive film 70 is measured using a Digimatic Indicator "IDF-130" manufactured by Mitutoyo Co., Ltd.
  • the thickness and standard deviation of the conductive film 70 are measured by SEM observation of the cross section. can. In that case, the thickness at 10 arbitrary points on the cross section is measured, and the standard deviation is calculated from the 10 points.
  • the conductive film 70 may be transparent to visible light. Thereby, the position of the mask 50 with respect to the base material 110 can be efficiently adjusted in the alignment process described later.
  • the total light transmittance of the conductive film 70 is, for example, 40% or more, may be 50% or more, or may be 60% or more.
  • the total light transmittance of the conductive film 70 is, for example, 90% or less, may be 80% or less, or may be 70% or less.
  • the carrier glass 60 has alignment marks.
  • the alignment mark on carrier glass 60 is detected by light that passes through conductive film 70 and reaches carrier glass 60 .
  • the higher the total light transmittance of the conductive film 70 the more accurately the position, shape, etc. of the alignment mark can be detected.
  • the total light transmittance of the conductive film 70 may be 85% or more, 90% or more, or 95% or more.
  • the total light transmittance of the conductive film 70 may be 99% or less, or may be 97% or less.
  • the total light transmittance of the conductive film 70 is measured using a sample of the conductive film 70.
  • the shape of the sample of the conductive film 70 is a rectangle with a length of 50 mm and a width of 100 mm in plan view. Measurement of total light transmittance is performed in accordance with JIS K 7361-1:1997. The measurement conditions are as follows. As a measuring device, a haze meter (product name "HM-150") manufactured by Murakami Color Research Institute Co., Ltd. is used. The light is incident on the second surface 72 of the film. ⁇ Temperature: 25 ⁇ 4°C ⁇ Relative humidity: 50 ⁇ 10%RH - Number of samples: 3 The average value of the total light transmittance of the three samples is adopted as the total light transmittance of the conductive film 70.
  • the conductive film 70 may have low haze. Thereby, the position of the mask 50 with respect to the base material 110 can be efficiently adjusted in the alignment process described later.
  • the haze of the conductive film 70 is, for example, 20% or less, may be 15% or less, or may be 10% or less.
  • the haze of the conductive film 70 is, for example, 0.1% or more, may be 1% or more, or may be 3% or more.
  • the alignment mark on the carrier glass 60 is detected by light that passes through the conductive film 70 and reaches the carrier glass 60.
  • Haze is preferably 3% or less, more preferably 1% or less.
  • the haze of the conductive film 70 is measured using a sample of the conductive film 70.
  • the shape of the sample of the conductive film 70 is a rectangle with a length of 50 mm and a width of 100 mm in plan view. Haze measurement is performed in accordance with JIS K 7136:2000. The measurement conditions are as follows. As a measuring device, a haze meter (product name "HM-150") manufactured by Murakami Color Research Institute Co., Ltd. is used. The light is incident on the second surface 72 of the film. ⁇ Temperature: 25 ⁇ 4°C ⁇ Relative humidity: 50 ⁇ 10%RH - Number of samples: 3 The average value of haze in the three samples is adopted as the haze of the conductive film 70.
  • the thermal characteristics of the conductive film 70 will be explained.
  • the thermal conductivity of the conductive film 70 in the thickness direction is, for example, 0.05 W/m ⁇ K or more, and may be 0.10 W/m ⁇ K or more. The higher the thermal conductivity of the conductive film 70, the more easily the heat of the base material 110 is released through the conductive film 70 during the vapor deposition process.
  • the range of dimensions of the conductive film 70 in plan view the range of the dimensions G11 and G21 of the base material 110 described above can be adopted.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing another example of the conductive film 70.
  • conductive film 70 may include an inner conductive layer 76 located on base first surface 731 .
  • the inner conductive layer 76 may be located between the base first surface 731 and the adhesive layer 75.
  • the inner conductive layer 76 includes a conductive material.
  • Inner conductive layer 76 may be configured to allow light to pass through inner conductive layer 76 .
  • the material, structure, thickness, and surface resistivity of the inner conductive layer 76 the material, structure, thickness, and surface resistivity of the outer conductive layer 74 described above may be adopted.
  • the coefficient of dynamic friction of the second film surface 72 of the conductive film 70 is, for example, 0.26 or less, may be 0.20 or less, or may be 0.18 or less.
  • the coefficient of dynamic friction of the second film surface 72 of the conductive film 70 is, for example, 0.05 or more, may be 0.10 or more, or may be 0.12 or more.
  • the static friction coefficient of the second film surface 72 of the conductive film 70 is, for example, 0.30 or less, may be 0.25 or less, or may be 0.20 or less.
  • the static friction coefficient of the second film surface 72 of the conductive film 70 is, for example, 0.05 or more, may be 0.10 or more, or may be 0.15 or more.
  • the first stacked body 170 may move slightly with respect to the electrostatic chuck 4.
  • Friction occurs when the voltage of the electrodes of the electrostatic chuck 4 increases and the first stacked body 170 is attracted to the electrostatic chuck 4, and when the voltage of the electrodes of the electrostatic chuck 4 decreases and the first stacked body 170 is attracted to the electrostatic chuck 4. This is particularly likely to occur when the electrostatic chuck 4 is separated from the electrostatic chuck 4. If a large frictional force is generated between the conductive film 70 and the electrostatic chuck 4, it is conceivable that scratches will occur on the second film surface 72 of the conductive film 70.
  • the dynamic friction coefficient of the second film surface 72 is 0.25 or less, and the static friction coefficient of the film second surface 72 is 0.23 or less. More preferably, the dynamic friction coefficient of the second film surface 72 is 0.19 or less, and the static friction coefficient of the film second surface 72 is 0.23 or less.
  • the dynamic friction coefficient and static friction coefficient of the conductive film 70 are measured by using a test piece containing the conductive film 70 and the carrier glass 60.
  • the carrier glass 60 is a glass plate having a thickness of 700 ⁇ m.
  • the dynamic friction coefficient and static friction coefficient of the test piece are measured by the method specified with reference to JIS K 7125:1999.
  • the friction coefficient test method described in JIS K 7125:1999 is intended for plastic films and sheets, but in this embodiment, the test piece is a test piece consisting of a laminate including a conductive film 70 and a glass plate. It is said that The specimen is placed on a table consisting of a ceramic plate.
  • As the ceramic plate a ceramic plate manufactured by As One Co., Ltd. (product number PTC-SP ⁇ 210-4) is used.
  • the second film side 72 of the conductive film 70 of the test strip faces the table.
  • the dynamic friction coefficient and static friction coefficient of five test pieces are measured.
  • the average value of the dynamic friction coefficient and static friction coefficient of three test pieces selected from the five test pieces is adopted as the dynamic friction coefficient and static friction coefficient of the conductive film 70.
  • one test piece with the smallest dynamic friction coefficient and static friction coefficient and one test piece with the largest dynamic friction coefficient and static friction coefficient are not selected.
  • the outer conductive layer 74 of the conductive film 70 may contain a surface conditioner, as shown in the examples described below.
  • the surface conditioner can reduce the friction that occurs on the second film surface 72 of the conductive film 70, for example.
  • the surface conditioner may contain additives such as fluorine-based additives, silicone-based additives, and acrylic-based additives.
  • the maximum load of the scratch resistance test on the second film surface 72 of the conductive film 70 is, for example, 800 g or more, and may be 1000 g or more.
  • the maximum load of the scratch resistance test on the second film surface 72 of the conductive film 70 is, for example, 2000 g or less, and may be 1800 g or less. The higher the load of the scratch resistance test on the second surface 72 of the film, the more suppressed are the scratches on the second surface 72 of the film caused by friction.
  • the abrasion resistance test of the conductive film 70 is performed on the sample to be measured using a Gakushin type abrasion fastness tester "AB-301" manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.
  • a sample created by cutting out the conductive film 70 into a size of 5 cm x 10 cm is fixed on a glass plate with cellophane tape (registered trademark) so that there are no folds or wrinkles.
  • #0000 steel wool (Bonstar #0000 manufactured by Nippon Steel Wool Co., Ltd.)
  • the steel wool was fixed to a 1 cm x 1 cm jig under the conditions of a predetermined load, a moving speed of 100 mm/sec, and a moving distance of 50 mm.
  • the second surface 72 of the film is rubbed back and forth 10 times.
  • the surface of the center 30 mm, excluding the 10 mm range at both ends where the movement speed is unstable was observed from all angles under transparent light under fluorescent light to determine the presence or absence of scratches and the condition.
  • As the fluorescent lamp a 3-wavelength fluorescent lamp (model number: FHF32EX-NH) manufactured by Panasonic is used. The observation distance is 30 cm. The illuminance on the surface of the sample to be observed is 800 Lx or more and 1200 Lx or less. It is visually confirmed whether or not there are any scratches on the second surface 72 of the film. Increase the load step by step until scratches are identified.
  • the maximum value of the load at the stage where no scratches are confirmed is adopted as the hardness of the scratch resistance.
  • the measurement conditions are as follows. ⁇ Temperature: 25 ⁇ 4°C ⁇ Relative humidity: 50 ⁇ 10%RH ⁇ Number of samples: 3
  • the method for manufacturing the electronic device 100 includes a preparation step for preparing the first stacked body 170.
  • carrier glass 60 is prepared. Subsequently, as shown in FIG. 10, a base material forming step is performed in which a base material 110 is formed on the first surface 61 of the carrier. An intermediate layer 65 may be formed on the carrier first surface 61 before the base material forming step.
  • the base material forming step may include a coating step of coating the first surface 61 of the carrier with a resin.
  • Application methods include die coating, roll coating, slit coating, dip coating, spray coating, slide coating, bar coating, and gravure coating.
  • the base material forming step may include a drying step of drying the applied resin.
  • the drying step may include a step of heating the resin.
  • the heating temperature is, for example, 50°C or higher and 150°C or lower.
  • a TFT forming step is performed in which a TFT layer 115 is formed on the first surface 111 of the base material 110.
  • the TFT forming process includes at least a process of forming the transistor 120.
  • the TFT forming step may include a step of forming a connection portion connecting the transistor 120 and the first electrode 130, and a step of forming the first electrode 130.
  • the TFT forming step may include a step of forming an insulating layer 160.
  • an attaching step is performed in which the conductive film 70 is attached to the carrier second surface 62 of the carrier glass 60.
  • a separator 78 may be attached to the adhesive layer 75 of the conductive film 70 before being attached to the carrier glass 60.
  • the attaching step includes a step of peeling off the separator 78 from the adhesive layer 75 and a step of attaching the adhesive layer 75 to the carrier second surface 62 of the carrier glass 60. In this way, the first stacked body 170 is prepared.
  • the first stacked body 170 is carried into the above-described vapor deposition apparatus 10. Subsequently, an adsorption process is performed in the vapor deposition apparatus 10.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of the adsorption process.
  • the first stacked body 170 may be supported from below by the holder 2.
  • the first stacked body 170 is moved relatively toward the electrostatic chuck 4.
  • the first stacked body 170 may be raised, and the electrostatic chuck 4 may be lowered.
  • a voltage is applied to the electrodes of the electrostatic chuck 4.
  • the second surface 172 of the first stacked body 170 is electrostatically attracted to the electrostatic chuck 4 .
  • the voltage applied to the electrodes of the electrostatic chuck 4 in the adsorption step is also referred to as adsorption voltage.
  • the attraction voltage can be reduced. Thereby, damage to the TFT layer 115 due to the adsorption process can be suppressed.
  • a mask placement step is performed in which the mask 50 of the mask device 15 is brought close to or in contact with the first stacked body 170.
  • the mask placement step may include an alignment step of determining the position of the mask 50 in the in-plane direction of the first substrate surface 111 of the substrate 110.
  • the alignment process may include an observation process and an adjustment process.
  • the observation step the base material 110 and the mask 50 are observed.
  • the alignment mark on the base material 110 and the alignment mark on the mask 50 are observed using the camera 81.
  • the camera 81 may observe the mask 50 through the first stacked body 170. That is, the camera 81 may be placed above the second surface 172 of the first stacked body 170. In this case, the light incident on the camera 81 passes through the conductive film 70 of the first laminate 170. The light that enters the camera 81 may be visible light.
  • the conductive film 70 has transparency to visible light. Thereby, the intensity of the light that enters the camera 81 after passing through the conductive film 70 can be increased. Therefore, the positions of the alignment marks on the base material 110 and the positions of the alignment marks on the mask 50 can be observed with high accuracy.
  • the conductive film 70 has low haze, as described above. Thereby, the positions of the alignment marks on the base material 110 and the positions of the alignment marks on the mask 50 can be observed with high accuracy.
  • the position of the mask 50 with respect to the base material 110 is adjusted in the in-plane direction of the first surface 111 of the base material 110 based on the result of the observation step. For example, the mask 50 is moved relative to the base material 110 so that the position of the alignment mark on the base material 110 and the position of the alignment mark on the mask 50 match.
  • a step of moving the magnet 5 toward the first stacked body 170 is performed.
  • the magnet 5 draws the mask 50 toward the first stacked body 170 by magnetic force. Thereby, the gap between the mask 50 and the first surface 171 of the first stacked body 170 can be reduced or eliminated.
  • a vapor deposition process is performed in which a vapor deposition material is vapor deposited on the first surface 171 of the first stacked body 170 via the mask 50.
  • the mask 50 has a through hole 56 corresponding to the first organic layer 135A, the first organic layer 135A is formed on the TFT layer 115.
  • the separation step may include a first separation step and a second separation step.
  • the first separation step as shown in FIG. 17, the mask device 15 is separated from the first stacked body 170.
  • the first separation step may include a step of moving the magnet 5 away from the first stacked body 170.
  • the first stacked body 170 is separated from the electrostatic chuck 4.
  • the voltage of the electrode of the electrostatic chuck 4 is lowered. This reduces the electrostatic attraction force that the electrostatic chuck 4 exerts on the first stacked body 170.
  • the first stacked body 170 is moved relative to the electrostatic chuck 4 so that the first stacked body 170 is separated from the electrostatic chuck 4 . Thereby, the first stacked body 170 is separated from the electrostatic chuck 4.
  • the first stacked body 170 may be supported from below by the holder 2.
  • the voltage of the electrode of the electrostatic chuck 4 in the second separation step is also referred to as separation voltage.
  • the attraction voltage is reduced. Therefore, the difference between the adsorption voltage and the separation voltage can be reduced. Thereby, the time required for the second separation step can be reduced. Therefore, the time required to manufacture the electronic device 100 can be reduced.
  • the method for manufacturing the electronic device 100 may include a step of forming other organic layers such as the second organic layer 135B, and a step of forming the second electrode 140. These steps may be performed in a vapor deposition apparatus 10 different from the vapor deposition apparatus 10 for forming the first organic layer 135A.
  • the method for manufacturing electronic device 100 may include a step of forming sealing layer 150.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of the second laminate 180 manufactured by the above-described process.
  • the second laminate 180 includes a first laminate 170 , a plurality of elements 125 located on the first surface 171 of the first laminate 170 , and a sealing layer 150 covering the plurality of elements 125 .
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing an example of a peeling process.
  • the peeling step peels the combination of carrier glass 60 and conductive film 70 from base material 110.
  • the peeling process includes an ultraviolet irradiation process in which ultraviolet light L1 is incident on the second surface 172 of the first laminate 170.
  • the ultraviolet curable resin contained in the intermediate layer 65 By curing the ultraviolet curable resin contained in the intermediate layer 65, the combination of the carrier glass 60 and the conductive film 70 is peeled off from the base material 110. In this way, electronic device 100 is obtained.
  • the conductive film 70 is transparent to ultraviolet rays.
  • the intensity of the ultraviolet light L1 that enters the intermediate layer 65 after passing through the conductive film 70 can be increased. Therefore, the ultraviolet curable resin contained in the intermediate layer 65 can be appropriately cured.
  • the conductive film 70 is transparent to ultraviolet rays.
  • the intensity of the ultraviolet light L1 that enters the intermediate layer 65 after passing through the conductive film 70 can be increased. Therefore, the ultraviolet curable resin contained in the intermediate layer 65 can be appropriately cured.
  • the thickness of the conductive film 70 has a small standard deviation. That is, it is preferable that variations in the thickness of the conductive film 70 are suppressed. Thereby, the intensity of the ultraviolet light L1 that passes through the first laminate 170 and reaches the intermediate layer 65 can be suppressed from varying depending on the position. Thereby, the ultraviolet curable resin contained in the intermediate layer 65 can be appropriately cured regardless of the position.
  • FIGS. 20 and 21 are cross-sectional views showing other examples of the peeling process.
  • the peeling process peels the conductive film 70 from the carrier glass 60.
  • the peeling process includes an ultraviolet irradiation process in which ultraviolet light L2 is incident on the second surface 172 of the first laminate 170.
  • the conductive film 70 is peeled off from the carrier glass 60 by curing the ultraviolet curable resin contained in the adhesive layer 75 of the conductive film 70 .
  • a second peeling step is performed in which the carrier glass 60 is peeled from the base material 110.
  • the second peeling step includes an ultraviolet irradiation step in which ultraviolet light L3 is incident on the second carrier surface 62 of the carrier glass 60.
  • the carrier glass 60 is peeled off from the base material 110. In this way, electronic device 100 is obtained.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing an example of a vapor deposition apparatus.
  • the conductive film 70 may be located on the base material 110. That is, the first laminate 170 does not need to include the carrier glass 60.
  • the attraction voltage can be reduced. Therefore, the difference between the adsorption voltage and the separation voltage can be reduced. Thereby, the time required for the second separation step can be reduced. Therefore, the time required to manufacture the electronic device 100 can be reduced.
  • the base material 110 may include a rigid material.
  • base material 110 may include glass.
  • the thickness of the base material 110 is, for example, 100 ⁇ m or more, may be 300 ⁇ m or more, or may be 500 ⁇ m or more.
  • the thickness of the base material 110 is, for example, 3000 ⁇ m or less, may be 2000 ⁇ m or less, or may be 1000 ⁇ m or less.
  • Example A1 A conductive film 70 shown in FIG. 8 was prepared with a size of 200 mm x 250 mm.
  • a polyethylene terephthalate film manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name "Cosmoshine (registered trademark) A4360" having a thickness of 50 ⁇ m was used.
  • a UV curable resin DPHA
  • the thickness of the outer conductive layer 74 after the resin was cured was 5 ⁇ m.
  • Composition 1 was prepared.
  • the composition of the components constituting Composition 1 is shown below.
  • ⁇ Composition 1> ⁇ Dipentaerythritol hexaacrylate (product name “KAYARAD DPHA”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.): 100 parts by mass ⁇ Polymerization initiator (1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, product name “Omnirad 184”, manufactured by IGM Resins B.V.) ): 4 parts by mass ⁇ Surface conditioner (product name "BYK-UV3500", manufactured by BYK Chemie Japan Co., Ltd.): 0.5 parts by mass ⁇ Conductive polymer agent (PEDOT-containing photocurable resin composition, product name "BYK-UV3500”): 0.5 parts by mass "Beam Set MT-2", manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd.): 5 parts by mass / Methyl is
  • BYK-UV3500 is a silicone additive (polyether-modified polydimethylsiloxane having an acrylic group).
  • Composition 1 was applied onto the base 73 using a bar coater to form a coating film. Subsequently, the coating film was heated at 70° C. for 1 minute. This evaporated the solvent in the coating film. Subsequently, the coating film was irradiated with ultraviolet light. This cured the coating film.
  • the ultraviolet irradiation conditions were adjusted so that the integrated light amount was 100 mJ/cm 2 at an oxygen concentration of 200 ppm or less.
  • a light source H bulb manufactured by Fusion UV Systems Japan was used as the ultraviolet irradiation device.
  • the cured coating constitutes the outer conductive layer 74.
  • the surface resistivity of the outer conductive layer 74 was measured.
  • the surface resistivity is 1.0 ⁇ 10 9 ⁇ /sq. Met.
  • a sample of the conductive film 70 was produced.
  • the shape of the sample is a square with sides of 100 mm.
  • the adhesive layer 75 of the conductive film 70 constituting the sample was attached to the same square carrier glass 60 as the sample.
  • the thickness of carrier glass 60 was 700 ⁇ m.
  • the object containing the conductive film 70 sample and the carrier glass 60 is referred to as a laminate sample.
  • the laminate sample was adsorbed to an electrostatic chuck. Specifically, first, as shown in FIG. 23, the laminate sample was placed on a flat wooden board 85 (on a wooden desk) with the outer conductive layer 74 positioned above. Subsequently, an electrostatic chuck 4 was placed above the laminate sample. Specifically, a glass pillar 86 having a thickness of 1100 ⁇ m was used to support the outer peripheral portion of the electrostatic chuck 4 from below. By arranging the pillars 86, a gap is secured between the laminate sample and the electrostatic chuck 4. The outer conductive layer 74 of the laminate sample faces the electrostatic chuck 4 in the vertical direction.
  • adsorption voltage was applied to the electrodes of the electrostatic chuck 4, and it was confirmed whether the laminate sample was adsorbed to the electrostatic chuck 4.
  • the adsorption voltage was 1.0 kV, 1.25 kV, 1.5 kV or 2.5 kV.
  • the results of the adsorption evaluation are shown in FIG. 24A.
  • "OK” means that the laminate sample was adsorbed to the electrostatic chuck 4 within 60 seconds
  • "NG” means that the laminate sample was adsorbed to the electrostatic chuck 4 within 60 seconds. 4 means that it was not adsorbed.
  • Example A2 A conductive film 70 shown in FIG. 8 was prepared in the same manner as in Example A1, except that the outer conductive layer 74 was formed using Composition 2.
  • Composition 2 is the same as Composition 1 except that the composition of the conductive polymer agent is 3 parts by weight.
  • Example A1 the surface resistivity of the outer conductive layer 74 was measured.
  • the surface resistivity is 9.0 ⁇ 10 12 ⁇ /sq. Met.
  • Example A3 A conductive film 70 shown in FIG. 8 was prepared.
  • a polyethylene terephthalate film manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name "Cosmoshine (registered trademark) A4360" having a thickness of 125 ⁇ m was used.
  • Nanowires containing silver were used as the material for the outer conductive layer 74.
  • the thickness of the outer conductive layer 74 after the resin was cured was 100 nm.
  • composition 3 containing silver nanowires was prepared. Subsequently, composition 3 was applied onto base 73. The coating process was adjusted to give a coating weight of 10 mg/ m2 . Subsequently, the dispersion medium contained in Composition 3 was evaporated by performing a first drying step in which the applied Composition 3 was brought into contact with dry air. As a result, a plurality of silver nanowires were arranged on the base 73.
  • the drying process consists of a first process in which dry air at 50°C is circulated for 15 seconds at a flow rate of 0.5 m/s, and a second process in which dry air at 70°C is circulated for 30 seconds at a flow rate of 10 m/s after the first process. 2 processes.
  • Composition 4 containing a light-transmitting resin was prepared.
  • the composition of the components constituting Composition 4 is shown below.
  • ⁇ Composition 4> Mixture of pentaerythritol triacrylate and pentaerythritol tetraacrylate (product name "KAYARAD-PET-30", manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.): 5 parts by mass - Polymerization initiator (1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, product name "Omnirad 184”) ", manufactured by IGM Resins B.V.): 0.25 parts by mass, methyl ethyl ketone (MEK): 70 parts by mass, cyclohexanone: 24.75 parts by mass, methyl isobutyl ketone: 30 parts by mass.
  • composition 4 was applied to cover the silver nanowires on base 73 to form a coating film.
  • the solvent contained in the coating film was evaporated by implementing a second drying step in which the coating film was exposed to dry air.
  • the second drying step consists of a first process in which dry air at 50°C is passed for 15 seconds at a flow rate of 0.5 m/s, and after the first process, dry air at 70°C is passed at a flow rate of 10 m/s for 30 seconds. and a third process in which dry air at 80° C. is circulated for 30 seconds at a flow rate of 10 m/s.
  • the coating film was irradiated with ultraviolet light. This cured the coating film.
  • the ultraviolet irradiation conditions were adjusted so that the cumulative amount of light was 100 mJ/cm 2 . In this way, a light-transmitting resin layer having a thickness of 100 nm was formed.
  • the outer conductive layer 74 thus formed includes a light-transmitting resin layer and silver nanowires arranged in the light-transmitting resin layer.
  • Composition 3 containing silver nanowires will be explained.
  • Composition 3 is prepared by performing a nucleation step and a particle growth step to form particles.
  • Ethylene glycol (EG) is used as the reducing agent.
  • organic protective agent polyvinylpyrrolidone (PVP: average molecular weight 1.3 million, manufactured by Aldrich) is used.
  • the nucleation process will be explained. First, while stirring 100 mL of EG solution maintained at 160°C in the reaction vessel, 2.0 mL of silver nitrate EG solution (silver nitrate concentration: 1.0 mol/L) was poured into the reaction vessel at a constant flow rate for 1 minute. added. Subsequently, silver ions are reduced while holding the reaction solution in the reaction vessel at 160° C. for 10 minutes. This forms silver core particles. The reaction solution had a yellow color resulting from surface plasmon absorption of nano-sized silver particles. This indicates that silver ions were reduced and silver fine particles (core particles) were formed. Subsequently, 10.0 mL of a PVP EG solution (PVP concentration: 3.0 ⁇ 10 ⁇ 1 mol/L) was added to the reaction solution at a constant flow rate over 10 minutes.
  • a PVP EG solution PVP concentration: 3.0 ⁇ 10 ⁇ 1 mol/L
  • the reaction solution containing the core particles was maintained at 160° C. with stirring.
  • 100 mL of a silver nitrate EG solution (silver nitrate concentration: 1.0 ⁇ 10 -1 mol/L) and 100 mL of a PVP EG solution (PVP concentration: 3.0 ⁇ 10 -1 mol/L) were added using the double jet method. was added to the reaction solution over 120 minutes at a constant flow rate.
  • the fiber diameter and fiber length of the silver nanowires obtained through the particle growth process were measured.
  • the fiber diameter of the silver nanowires was 30 nm, and the fiber length was 15 ⁇ m.
  • the desalination water washing step carried out after the particle growth step will be explained.
  • the reaction solution was subjected to a desalting water washing treatment using an ultrafiltration membrane with a molecular weight cutoff of 0.2 ⁇ m, and the solvent was replaced with ethanol.
  • the reaction solution was concentrated to a volume of 100 mL. In this way, a silver nanowire dispersion liquid was prepared.
  • the silver nanowire dispersion was diluted with ethanol so that the silver nanowire concentration was 0.2% by mass. In this way, Composition 3 containing silver nanowires was obtained.
  • Example A1 the surface resistivity of the outer conductive layer 74 was measured.
  • the surface resistivity is 30 ⁇ /sq. Met.
  • Example A4 A conductive film 70 shown in FIG. 9 was prepared.
  • a polyethylene terephthalate film manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name "Cosmoshine (registered trademark) A4360" having a thickness of 50 ⁇ m was used.
  • Composition 1 was used as in Example A1.
  • the thickness of the outer conductive layer 74 was 5 ⁇ m.
  • polythiophene obtained from Composition 1 was used as in Example A1.
  • the thickness of the inner conductive layer 76 was 5 ⁇ m.
  • Example A1 the surface resistivity of the outer conductive layer 74 was measured.
  • the surface resistivity is 1.0 ⁇ 10 9 ⁇ /sq. Met.
  • Example A5 Similarly to Example A4, a conductive film 70 shown in FIG. 9 was prepared.
  • a polyimide film having a thickness of 25 ⁇ m (product name “Kapton (registered trademark) 100EN” manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd.) was used.
  • As the material for the outer conductive layer 74 and the material for the inner conductive layer 76 polythiophene obtained from Composition 5 was used.
  • Composition 5 is the same as Composition 1 except that the composition of the conductive polymer agent is 7 parts by weight.
  • Example A1 the surface resistivity of the outer conductive layer 74 was measured.
  • the surface resistivity is 8.5 ⁇ 10 5 ⁇ /sq. Met.
  • Comparative example A1 A layer of indium tin oxide was formed on carrier glass 60 (product name "EAGLE XG” (registered trademark) manufactured by Corning Incorporated). Subsequently, the surface resistivity of the indium tin oxide layer was measured as in Example A1. The surface resistivity is 8 ⁇ /sq. Met.
  • Comparative Example A1 a combination of carrier glass 60 and an indium tin oxide layer was used as a laminate sample, and adsorption evaluation and separation evaluation were performed in the same manner as in Example A1.
  • the thickness of carrier glass 60 was 700 ⁇ m. The results are shown in Figure 24B.
  • Comparative example A2 Using carrier glass 60 as a sample, adsorption evaluation and separation evaluation were performed in the same manner as in Example A1. The thickness of carrier glass 60 was 700 ⁇ m. The results are shown in Figure 24B.
  • Comparative example A3 A conductive film 70 shown in FIG. 8 was prepared in the same manner as in Example A1 except that composition 6 was used to form the outer conductive layer 74.
  • Composition 6 is the same as Composition 1 except that the composition of the conductive polymer agent is 2 parts by weight.
  • Example A1 the surface resistivity of the outer conductive layer 74 was measured.
  • the surface resistivity is 3.0 ⁇ 10 13 ⁇ /sq. Met.
  • the detection accuracy of the alignment mark 113 on the carrier glass 60 was evaluated using the configurations of Examples B1 to B5 and the configurations of Examples C1 to C6, which will be described later.
  • FIG. 25 is a plan view showing an example of carrier glass 60 including alignment marks 113.
  • the alignment marks 113 are located at the corners of the carrier glass 60.
  • alignment marks 113 are formed at each of the four corners of the carrier glass 60.
  • the alignment mark 113 may be located on the carrier first surface 61 or may be located on the carrier second surface 62.
  • FIG. 26 is a plan view showing an example of the alignment mark 113.
  • the alignment mark 113 may include a first portion 1131 having a width W1 in the first direction D1, and a second portion 1132 connected to the first portion 1131 and having a width W2 in the second direction D2.
  • the first portion 1131 may extend in the second direction D2.
  • the second portion 1132 may extend in the first direction D1.
  • the design value of the width W1 and the design value of the width W2 are both 50 ⁇ m, for example.
  • the position and shape of the alignment mark 113 may be calculated.
  • the widths W1 and W2 of the four alignment marks 113 located at the four corners of the carrier glass 60 may be measured by edge detection.
  • the coordinates of the center point 114 of the carrier glass 60 may be calculated.
  • FIG. 27 is a diagram showing a method for detecting the alignment mark 113.
  • a sample of a laminate including carrier glass 60 including alignment marks 113 and conductive film 70 is placed on stage 201 .
  • Carrier glass 60 faces stage 201.
  • Camera 202 located above conductive film 70 detects alignment mark 113 .
  • FIG. 28 is a table showing the evaluation results of the configurations, optical characteristics, and widths W1 and W2 of Examples B1 to B5.
  • Example B1 the alignment mark 113 was detected by the camera 202 without placing the conductive film 70 on the carrier glass 60.
  • Example B2 as shown in FIG. 27, the alignment mark 113 was detected by the camera 202 with the conductive film 70 placed on the carrier glass 60.
  • the conductive film 70 of Example B2 is the same as the conductive film 70 of Example A1 described above.
  • the alignment mark 113 was detected by the camera 202 with only the resin film corresponding to the base 73 placed on the carrier glass 60.
  • the total light transmittance and haze of the conductive film 70 of Example B2 and the resin films of Examples B3 to B5 were measured with a haze meter (product name "HM-150") manufactured by Murakami Color Research Institute Co., Ltd.
  • the widths W1 and W2 of the alignment mark 113 were measured by the method shown in FIG. 27.
  • the average value and 3 ⁇ of the widths W1 and W2 shown in FIG. 28 were calculated based on the measurement results of three samples. ⁇ is the standard deviation.
  • the conductive film 70 or the resin film has a total light transmittance of 80% or more and a haze of 4.0% or less
  • the difference between the average value of widths W1 and W2 and the design value is It was 0.5 ⁇ m or less, and 3 ⁇ was 1.0 ⁇ m or less.
  • the average values of widths W1 and W2 were significantly different from the designed values.
  • FIG. 29 is a table showing the configurations and optical characteristics of Examples C1 to C6, and the evaluation results of the detectability of the alignment mark 113.
  • Example C1 like Example B1, alignment mark 113 was detected by camera 202 without placing conductive film 70 on carrier glass 60.
  • the conductive film 70 of Example C2 is the same as the conductive film 70 of Example A1 described above.
  • the conductive films 70 of Examples C3-C6 are identical to the conductive film 70 of Example C2 except for the concentration of silicone particles contained in the outer conductive layer 74.
  • the transmittance and haze of the conductive film 70 are adjusted by adjusting the concentration of silicone particles. Silicone particles are a type of silicone additive.
  • the transmittance and haze of the conductive films 70 of Examples C2 to C6 were measured using a haze meter (product name "HM-150") manufactured by Murakami Color Research Institute Co., Ltd.
  • the widths W1 and W2 of the alignment mark 113 were measured by the method shown in FIG. 27.
  • the average value and 3 ⁇ of the widths W1 and W2 shown in FIG. 28 were calculated based on the measurement results of three samples.
  • "OK" in the "Detectability” row of FIG. 29 means that the difference between the average value of widths W1 and W2 and the design value was 0.5 ⁇ m or less, and 3 ⁇ was 1.0 ⁇ m or less.
  • "NG” in the "Detectability” row of FIG. 29 indicates that the difference between the average value of widths W1 and W2 and the design value is greater than 0.5 ⁇ m, or 3 ⁇ is greater than 1.0 ⁇ m. means.
  • FIG. 30 is a diagram showing a method of measuring the coefficient of friction.
  • a test piece 212 made of a laminate including a conductive film 70 and a carrier 60 is placed on a ceramic plate 218 on a table 211.
  • the second film surface 72 of the conductive film 70 of the test piece 212 faces the ceramic plate 218 .
  • a weight 213 is placed on the test piece 212.
  • a first end of the connecting member 215 is fixed to the substrate 212 by a jig 214.
  • a second end of the connecting member 215 is fixed to the load cell 216.
  • Load cell 216 applies vertical force F to connecting member 215 .
  • the upward force F is converted into a horizontal force by a pulley 217 in contact with the connecting member 215 and applied to the test specimen 212 .
  • the measurement conditions are as follows.
  • the average value of the dynamic friction coefficient and static friction coefficient of the five test pieces is adopted as the dynamic friction coefficient and static friction coefficient of the conductive film 70.
  • ⁇ Load cell 100N ⁇ Moving speed: 100mm/min
  • FIG. 31 is a table showing the structure, friction coefficient, and appearance evaluation results of Examples D1 to D5.
  • the configurations of Examples D1 to D5 are the same as those of Examples A1 to A5 described above.
  • FIG. 32 is a table showing the structure, friction coefficient, and appearance evaluation results of Comparative Examples D1 to D4.
  • the configurations of Comparative Examples D1 to D3 are the same as those of Comparative Examples A1 to A3 described above.
  • the configuration of Comparative Example D4 is the same as that of Comparative Example D3, except that the surface resistivity of the outer conductive layer 74 of the conductive film 70 is different.
  • the surface resistivity of the outer conductive layer 74 is adjusted by the content of the conductive polymer agent in the outer conductive layer 74.
  • FIG. 33 is a diagram showing a method of peeling the laminate including the conductive film 70 and the carrier 60 from the base material 110.
  • the laminate including the conductive film 70 and the carrier 60 and the base material 110 are joined by an intermediate layer 65 including an ultraviolet curable resin.
  • the ultraviolet light L1 irradiated onto the second film surface 72 of the conductive film 70 passes through the conductive film 70 and the carrier 60 and reaches the intermediate layer 65.
  • the laminate is peeled off from the base material 110 by curing the ultraviolet curable resin with the ultraviolet light L1.
  • FIG. 34 is a table showing the structure, ultraviolet transmittance, and peelability evaluation results of Examples E1 to E6.
  • the configurations of Examples E1 to E5 are the same as those of Examples A1 to A5 described above.
  • a structure in which two conductive films 70 of Example E3 were laminated was used. By laminating two conductive films 70 of Example E3, the ultraviolet transmittance of the structure of Example E6 was adjusted to 49%.
  • the ultraviolet transmittance was measured by a spectrophotometer manufactured by Shimadzu Corporation (product name "UV-3100PC", light source: tungsten lamp and deuterium lamp).
  • the intensity of ultraviolet light L1 when the laminate was peeled from the base material 110 was measured.
  • a solid-state UV laser LLO device manufactured by Optopia product name “LSL-10” was used.
  • greater means that the laminate was peeled from the base material 110 under conditions where the irradiation energy density was lower than 300 mJ/cm 2 .
  • not good means that it took an irradiation energy density higher than 300 mJ/ cm2 for the laminate to peel from the base material 110, or an irradiation energy higher than 300 mJ/ cm2. This means that the laminate did not peel off from the base material 110 even under these conditions.
  • soot was generated in the resin layer included in the conductive film 70.
  • the amount of soot is the smallest for "great”, the next smallest for "good”, and the largest for "not good”.
  • the items are rated "great,” “good,” and “not good” in descending order of the amount of soot.
  • the laminate when the conductive film 70 had an ultraviolet transmittance of 60% or more, the laminate was properly peeled off from the base material 110 and no soot was generated. When the conductive film 70 had an ultraviolet transmittance of 10% or more and less than 60%, the laminate was properly peeled off from the substrate 110, but a small amount of soot was generated. When the conductive film 70 had an ultraviolet transmittance of less than 10%, the laminate was not properly peeled from the substrate 110.
  • the evaluation results were explained when the thickness of the carrier glass 60 was 700 ⁇ m, but similar evaluation results were obtained when the thickness of the carrier glass 60 was 1000 ⁇ m, 500 ⁇ m, or 300 ⁇ m.

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Abstract

電子デバイスの製造方法は、第１面及び第１面の反対側に位置する第２面を含む第１積層体であって、第１面から第２面に向かって並ぶ基材及び導電性フィルムを少なくとも含む第１積層体を準備する準備工程と、静電チャックを用いて第１積層体の第２面を静電吸着する吸着工程と、マスクを介して第１積層体の第１面上に材料を蒸着させる蒸着工程と、導電性フィルムを基材から剥離させる剥離工程と、を備える。

Description

電子デバイスの製造方法、導電性フィルム、第１積層体及び第２積層体
　本開示の実施形態は、電子デバイスの製造方法、導電性フィルム、第１積層体及び第２積層体に関する。
　電子デバイスの素子を形成する方法として、素子を構成する材料を蒸着により基材に付着させる方法が知られている。蒸着工程において基材を保持する方法として、静電チャックを用いて基材を静電吸着する方法が知られている。静電チャックは、蒸着工程の後、基材から分離される。静電チャックの電圧が高いと、静電チャックを基材から分離する分離工程に要する時間が長くなる。特許文献１は、分離工程に要する時間を短縮するため、基材をピンで押すことを提案している。
特許第６９５６２４４号公報
　本開示の実施形態は、静電吸着の効率及び／又は分離の効率を高めることを目的とする。
　本開示の実施形態は、以下の［１］～［２２］に関する。
［１］　電子デバイスの製造方法であって、
　第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１積層体であって、前記第１面から前記第２面に向かって並ぶ基材及び導電性フィルムを少なくとも含む第１積層体を準備する準備工程と、
　静電チャックを用いて前記第１積層体の前記第２面を静電吸着する吸着工程と、
　マスクを介して前記第１積層体の前記第１面上に材料を蒸着させる蒸着工程と、
　前記導電性フィルムを前記基材から剥離させる剥離工程と、を備える、電子デバイスの製造方法。
［２］　［１］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記第１積層体は、前記基材と前記導電性フィルムとの間に位置するキャリアガラスを含んでいてもよい。
［３］　［２］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記剥離工程は、前記キャリアガラス及び前記導電性フィルムの組合せを前記基材から剥離させてもよい。
［４］　［２］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記剥離工程は、前記導電性フィルムを前記キャリアガラスから剥離させてもよく、前記電子デバイスの製造方法は、前記キャリアガラスを前記基材から剥離させる第２剥離工程を備えてもよい。
［５］　［２］～［４］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において、前記キャリアガラスは、前記第１面に向かうキャリア第１面と、前記第２面に向かうキャリア第２面と、を含んでもよく、前記準備工程は、前記キャリア第１面上に前記基材を形成する工程を含んでもよい。
［６］　［５］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記基材を形成する工程は、前記キャリア第１面に樹脂を塗布する工程を含んでもよい。
［７］　［１］～［６］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうフィルム第１面と、前記第２面に向かうフィルム第２面と、を含んでもよく、前記フィルム第１面は、粘着層によって構成されていてもよい。
［８］　［１］～［７］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうベース第１面と、前記第２面に向かうベース第２面と、を含むベースと、ベース第２面上に位置する外側導電層と、を含んでもよい。
［９］　［８］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記外側導電層は、１．０×１０１３Ω／ｓｑ．以下の表面抵抗率を有してもよい。
［１０］　［８］又は［９］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記外側導電層は、１０．０Ω／ｓｑ．以上の表面抵抗率を有してもよい。
［１１］　［８］～［１０］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電性フィルムは、ベース第１面上に位置する内側導電層を含んでもよい。
［１２］　［２］～［６］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において、前記第１積層体は、前記基材と前記キャリアガラスとの間に位置する中間層を含んでもよく、前記中間層は、樹脂を含んでもよく、前記剥離工程は、前記第１積層体の前記第２面に紫外線を入射させる紫外線照射工程を含んでもよい。
［１３］　［１２］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電性フィルムは、１０％以上の紫外線透過率を有してもよい。
［１４］　［１２］又は［１３］に記載の電子デバイスの製造方法において、１０箇所で測定された前記導電性フィルムの厚みの標準偏差が、１０μｍ以下であってもよい。
［１５］　［１］～［１４］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において、前記吸着工程と前記蒸着工程との間に実施されるアライメント工程を備えてもよく、前記アライメント工程は、前記第１積層体を介して前記マスクを観察する観察工程と、前記観察工程の結果に基づいて、前記基材に対する前記マスクの位置を調整する調整工程と、を含んでもよい。
［１６］　［１５］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電性フィルムは、４０％以上の全光線透過率を有してもよい。
［１７］　［１５］又は［１６］に記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電性フィルムは、２０％以下のヘイズを有してもよい。
［１８］　［１］～［１７］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうフィルム第１面と、前記第２面に向かうフィルム第２面と、を含んでもよく、前記フィルム第２面は、０．２６以下の動摩擦係数を有してもよい。
［１９］　［１］～［１８］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうフィルム第１面と、前記第２面に向かうフィルム第２面と、を含んでもよく、前記フィルム第２面は、０．３０以下の静摩擦係数を有してもよい。
［２０］　［１］～［１９］のいずれか１つに記載の電子デバイスの製造方法において用いられる導電性フィルムであって、
　前記第１面に向かうベース第１面と、前記第２面に向かうベース第２面と、を含むベースと、ベース第２面上に位置する外側導電層と、を含み、
　前記外側導電層は、１０．０Ω／ｓｑ．以上１．０×１０１３Ω／ｓｑ．以下の表面抵抗率を有し、
　前記導電性フィルムは、１０％以上の紫外線透過率、４０％以上の全光線透過率及び２０％以下のヘイズを有し、
　１０箇所で測定された前記導電性フィルムの厚みの標準偏差が、１０μｍ以下である、導電性フィルム。
［２１］　第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１積層体であって、
　前記第１面から前記第２面に向かって並ぶ基材、キャリアガラス及び導電性フィルムを少なくとも含み、
　前記基材は、樹脂を含み、
　前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうベース第１面と、前記第２面に向かうベース第２面と、を含むベースと、ベース第２面上に位置する外側導電層と、を含み、
　前記外側導電層は、１０．０Ω／ｓｑ．以上１．０×１０１３Ω／ｓｑ．以下の表面抵抗率を有し、
　前記導電性フィルムは、１０％以上の紫外線透過率、４０％以上の全光線透過率及び２０％以下のヘイズを有し、
　１０箇所で測定された前記導電性フィルムの厚みの標準偏差が、１０μｍ以下である、第１積層体。
［２２］　［２１］に記載の第１積層体と、
　前記第１積層体の前記第１面上に位置する複数の有機素子と、
　前記複数の有機素子を覆う封止層と、を備える、第２積層体。
　本開示の一実施形態によれば、静電吸着の効率及び／又は分離の効率を高めることができる。
電子デバイスの一例を示す平面図である。 電子デバイスの一例を示す断面図である。 電子デバイス群の一例を示す平面図である。 蒸着装置の一例を示す断面図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 マスクの一例を示す平面図である。 第１積層体の一例を示す断面図である。 導電性フィルムの一例を示す断面図である。 導電性フィルムの一例を示す断面図である。 第１積層体の準備工程の一例を示す断面図である。 第１積層体の準備工程の一例を示す断面図である。 第１積層体の準備工程の一例を示す断面図である。 吸着工程の一例を示す断面図である。 アライメント工程の一例を示す断面図である。 磁力を利用してマスクを第１積層体に向けて引き寄せる工程の一例を示す断面図である。 蒸着工程の一例を示す断面図である。 分離工程の一例を示す断面図である。 第２積層体の一例を示す断面図である。 剥離工程の一例を示す断面図である。 剥離工程の一例を示す断面図である。 第２剥離工程の一例を示す断面図である。 蒸着装置の一例を示す断面図である。 吸着評価の方法を示す断面図である。 実施例Ａ１～Ａ５の評価結果を示す表である。 比較例Ａ１～Ａ３の評価結果を示す表である。 アライメントマークを含む基材の一例を示す平面図である。 アライメントマークの一例を示す平面図である。 アライメントマークの検出方法を示す図である。 例Ｂ１～Ｂ５の評価結果を示す表である。 例Ｃ１～Ｃ６の評価結果を示す表である。 摩擦係数の測定方法を示す図である。 実施例Ｄ１～Ｄ５の評価結果を示す表である。 比較例Ｄ１～Ｄ４の評価結果を示す表である。 剥離方法を示す図である。 例Ｅ１～Ｅ６の評価結果を示す表である。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられてもよい。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
　本明細書において、あるパラメータに関して複数の上限値の候補及び複数の下限値の候補が挙げられている場合、そのパラメータの数値範囲は、任意の１つの上限値の候補と任意の１つの下限値の候補とを組み合わせることによって構成されてもよい。例えば、「パラメータＢは、例えばＡ１以上であり、Ａ２以上であってもよく、Ａ３以上であってもよい。パラメータＢは、例えばＡ４以下であり、Ａ５以下であってもよく、Ａ６以下であってもよい。」と記載されている場合を考える。この場合、パラメータＢの数値範囲は、Ａ１以上Ａ４以下であってもよく、Ａ１以上Ａ５以下であってもよく、Ａ１以上Ａ６以下であってもよく、Ａ２以上Ａ４以下であってもよく、Ａ２以上Ａ５以下であってもよく、Ａ２以上Ａ６以下であってもよく、Ａ３以上Ａ４以下であってもよく、Ａ３以上Ａ５以下であってもよく、Ａ３以上Ａ６以下であってもよい。
　本明細書の一実施形態においては、蒸着装置が、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料の層を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、蒸着装置の用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられる蒸着装置に対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の層を形成するために、本実施形態の蒸着装置を用いてもよい。また、液晶表示装置の層などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の層を形成するために、本実施形態の蒸着装置を用いてもよい。また、圧力センサの層などの、表示装置以外の電子デバイスの層を形成するために、本実施形態の蒸着装置を用いてもよい。
　本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
　まず、蒸着装置を用いることにより形成される有機材料の層を備える電子デバイス１００について説明する。図１は、電子デバイス１００の基材の法線方向に沿って見た場合の電子デバイス１００の一例を示す平面図である。以下の説明において、基材などの基礎となる物質の面の法線方向長軸に沿って平行に対象物を見ることを、平面視とも称する。
　電子デバイス１００は、基材と、基材の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１２５と、を含む。素子１２５は、例えば画素である。素子１２５は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。
　図２は、電子デバイス１００の一例を示す断面図である。電子デバイス１００は、基材１１０、ＴＦＴ層１１５及び複数の素子１２５を含む。基材１１０は、基材第１面１１１及び基材第２面１１２を含む。基材第２面１１２は、基材第１面１１１の反対側に位置する。ＴＦＴ層１１５は、基材第１面１１１に位置する。ＴＦＴ層１１５は、複数のトランジスタ１２０及び複数の第１電極１３０を含んでもよい。各第１電極１３０は、対応するトランジスタ１２０に電気的に接続されている。
　複数の素子１２５は、複数の有機層１３５と、第２電極１４０と、を含んでもよい。有機層を含む素子のことを、有機素子とも称する。各有機層１３５は、対応する第１電極１３０上に位置する。第２電極１４０は、有機層１３５上に位置する。第２電極１４０は、平面視において複数の第１電極１３０及び複数の有機層１３５に重なるように広がっていてもよい。電子デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１電極１３０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、有機層１３５から光が放出される。第１電極１３０と第２電極１４０との間に印加される電圧は、トランジスタ１２０によって制御される。
　図２に示すように、複数の有機層１３５は、複数の第１有機層１３５Ａと、複数の第２有機層１３５Ｂと、を含んでもよい。図示はしないが、複数の有機層１３５は、複数の第３有機層を含んでいてもよい。第１有機層１３５Ａ、第２有機層１３５Ｂ及び第３有機層は、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。第１有機層１３５Ａ、第２有機層１３５Ｂ及び第３有機層に共通する構成を説明する場合には、「有機層１３５」という用語及び符号を用いる。
　１つの素子１２５は、少なくとも１つの第１サブ素子１２５Ａと、少なくとも１つの第２サブ素子１２５Ｂと、少なくとも１つの第３サブ素子と、を含んでもよい。第１サブ素子１２５Ａは、第１有機層１３５Ａ及び第２電極１４０を含む。第２サブ素子１２５Ｂは、第２有機層１３５Ｂ及び第２電極１４０を含む。第３サブ素子は、第３有機層及び第２電極を含む。
　有機層１３５は、後述するマスクを用いる蒸着工程によって形成される。マスクを用いることにより形成される要素のことを、蒸着層とも称する。
　図２に示すように、電子デバイス１００は、複数の素子１２５を覆う封止層１５０を備えていてもよい。封止層１５０は、素子１２５を酸素、水などから保護する。封止層１５０は、無機化合物などの無機材料を含んでいてもよい。無機化合物は、窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどである。封止層１５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの有機材料を含んでいてもよい。封止層１５０は、複数の層を含んでいてもよい。例えば、封止層１５０は、有機材料を含む有機層と、無機材料を含む無機層と、を含んでいてもよい。
　電子デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１３０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、平面視において第１電極１３０の端に重なっていてもよい。
　電子デバイス１００の製造方法においては、図３に示すような電子デバイス群１０２が作製されてもよい。電子デバイス群１０２は、２つ以上の電子デバイス１００を含む。例えば、電子デバイス群１０２は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に並ぶ電子デバイス１００を含んでいてもよい。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に直交する方向である。２つ以上の電子デバイス１００は、共通の１枚の基材１１０を備えていてもよい。例えば、電子デバイス群１０２は、１枚の基材１１０の上に位置し、２つ以上の電子デバイス１００を構成する第１電極１３０、有機層１３５、第２電極１４０などの層を含んでいてもよい。電子デバイス群１０２を分割することにより、電子デバイス１００が得られる。第１方向Ｄ１は、後述するマスクが延びる方向であってもよい。
　第１方向Ｄ１における電子デバイス１００の寸法Ａ１は、例えば１０ｍｍ以上であり、３０ｍｍ以上であってもよく、１００ｍｍ以上であってもよい。寸法Ａ１は、例えば、１０００ｍｍ以下であり、５００ｍｍ以下であってもよく、２００ｍｍ以下であってもよい。
　第２方向Ｄ２における電子デバイス１００の寸法Ａ２は、例えば１０ｍｍ以上であり、２０ｍｍ以上であってもよく、５０ｍｍ以上であってもよい。寸法Ａ２は、例えば５００ｍｍ以下であり、２００ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍ以下であってもよい。
　電子デバイス群１０２は、複数の電子デバイス１００が位置するデバイス領域１０３を含む。デバイス領域１０３は、第１方向Ｄ１において寸法Ｇ１２を有し、第２方向Ｄ２において寸法Ｇ２２を有する。
　基材１１０を大型化することにより、デバイス領域１０３の寸法Ｇ１２及びＧ２２を大きくできる。これにより、１枚の基材１１０の上に形成される電子デバイス１００の数が増加する。これにより、電子デバイス１００の製造コストを低減できる。
　第１方向Ｄ１における基材１１０の寸法Ｇ１１は、特には限られないが、例えば５ｍｍ以上であり、１００ｍｍ以上であってもよく、３００ｍｍ以上であってもよく、５００ｍｍ以上であってもよく、９００ｍｍ以上であってもよく、１２００ｍｍ以上であってもよく、１３００ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｇ１１は、例えば４０００ｍｍ以下であり、３５００ｍｍ以下であってもよく、３０００ｍｍ以下であってもよく、２５００ｍｍ以下であってもよく、１９００ｍｍ以下であってもよい。
　第２方向Ｄ２における基材１１０の寸法Ｇ２１は、特には限られないが、例えば５ｍｍ以上であり、１００ｍｍ以上であってもよく、３００ｍｍ以上であってもよく、５００ｍｍ以上であってもよく、１０００ｍｍ以上であってもよく、１５００ｍｍ以上であってもよく、２０００ｍｍ以上であってもよく、３０００ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｇ２１は、例えば４０００ｍｍ以下であり、３５００ｍｍ以下であってもよく、２４００ｍｍ以下であってもよく、２２００ｍｍ以下であってもよい。
　後述する導電性フィルム７０の寸法も特には限られないが、導電性フィルム７０の寸法は、基材１１０の寸法の数値範囲と同一であってもよい。
　次に、有機層１３５を蒸着法によって形成する方法について説明する。図４は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、基材１１０に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。
　図４に示すように、蒸着装置１０は、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置１５を備えてもよい。蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼであり、有機材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置１５は、るつぼ６と対向するよう配置されている。
　図４に示すように、マスク装置１５は、少なくとも１つのマスク５０を備える。マスク装置１５は、マスク５０を支持するマスク支持体４０を備えてもよい。マスク支持体４０は、開口４３を含む枠４１を備えてもよい。マスク５０は、平面視において開口４３を横切るように枠４１に固定されていてもよい。枠４１は、マスク５０が撓むことを抑制するように、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。
　マスク装置１５は、図４に示すように、第１積層体１７０にマスク５０が対面するよう、蒸着装置１０内に配置されている。マスク５０は、基板５５と、基板５５を貫通する複数の貫通孔５６と、を含む。貫通孔５６は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる。以下の説明において、第１積層体１７０に面するマスク５０の面をマスク第１面５５１と称する。マスク第１面５５１の反対側に位置するマスク５０の面をマスク第２面５５２と称する。
　第１積層体１７０は、マスク５０に面する第１面１７１と、第１面１７１の反対側に位置する第２面１７２と、を含む。第１積層体１７０は、第１面１７１から第２面１７２に向かって並ぶＴＦＴ層１１５、基材１１０、キャリアガラス６０及び導電性フィルム７０を含む。マスク５０の貫通孔５６を通過した蒸着材料７は、ＴＦＴ層１１５に付着する。この結果、貫通孔５６に対応した形状及び配置を有する蒸着層がＴＦＴ層１１５上に形成される。蒸着材料７が有機材料である場合、有機層１３５がＴＦＴ層１１５上に形成される。
　蒸着装置１０は、第１積層体１７０を静電吸着する静電チャック４を備える。静電チャック４は、静電引力によって第１積層体１７０の第２面１７２を吸着する。静電吸着を利用することにより、蒸着工程におい第１積層体１７０の基材１１０及びＴＦＴ層１１５が撓むことを抑制できる。これにより、ＴＦＴ層１１５上に形成される蒸着層の位置及び形状の精度を高めることができる。
　静電チャック４は、セラミックなどの誘電体と、誘電体の内部に配置された電極などの電気回路と、を含む。静電チャック４は、クーロン力タイプのものであってもよく、ジョンソン・ラーベック力タイプのものであってもよく、グラジエント力タイプのものであってもよい。クーロン力タイプの静電チャックにおいては、誘電体が絶縁材料を含む。ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックは、誘電体と第１積層体１７０の第２面１７２との間の隙間に微小電流が流れるよう構成される。グラジエント力タイプの静電チャックは、電極に形成される不均一な電界に起因して生じるグラジエント力を利用する。本実施の形態においては、グラジエント力タイプの静電チャックが用いられることが好ましい。
　蒸着装置１０は、静電チャック４上に位置するマグネット５を備えていてもよい。マグネット５は、マスク装置１５のマスク５０を磁力によって第１積層体１７０に向けて引き寄せることができる。これにより、マスク５０と第１積層体１７０の第１面１７１との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができる。シャドーとは、マスク５０と第１積層体１７０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって蒸着層の厚みが不均一になる現象のことである。
　図示はしないが、蒸着装置１０は、静電チャック４上に位置する冷却板を備えていてもよい。冷却板は、静電チャック４とマグネット５との間に位置していてもよい。蒸着装置１０が冷却板を備えることにより、例えば、第１積層体１７０の基材１１０を冷却できる。
　図５及び図６を参照して、マスク装置１５について説明する。図５は、マスク装置１５の一例を示す平面図である。図６は、マスク５０の一例を示す平面図である。マスク装置１５は、第２方向Ｄ２に並ぶ２つ以上のマスク５０を備えてもよい。
　平面視において、マスク５０は、第１端部５１ａ、第２端部５１ｂ及び中間部５２を含む。第１端部５１ａと第２端部５１ｂは、第１方向Ｄ１において対向している。中間部５２は、第１端部５１ａと第２端部５１ｂの間に位置している。中間部５２は、貫通孔群５３を含んでいる。
　１つの貫通孔群５３は、１つの電子デバイス１００に対応する。例えば、１つの電子デバイス１００に含まれる複数の第１有機層１３５Ａは、１つの貫通孔群５３の複数の貫通孔５６を通った蒸着材料によって構成される。中間部５２は、少なくとも１つの貫通孔群５３を含む。中間部５２は、第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の貫通孔群５３を含んでもよい。
　マスク５０の基板５５は、金属を含んでいてもよい。例えば、基板５５は、ニッケルを含む鉄合金を含んでいてもよい。鉄合金におけるニッケルの含有量は、例えば２８質量％以上であり、３０質量％以上であってもよく、３４質量％以上であってもよい。鉄合金におけるニッケルの含有量は、例えば５４質量％以下であり、４４質量％以下であってもよく、３８質量％以下であってもよい。
　マスク５０の厚みは、例えば８μｍ以上であり、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよい。マスク５０の厚みは、例えば８０μｍ以下であり、５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよい。
　図７を参照して、第１積層体１７０について説明する。図７は、第１積層体１７０の一例を示す断面図である。
　キャリアガラス６０は、第１面１７１に向かうキャリア第１面６１と、第２面１７２に向かうキャリア第２面６２と、を含む。蒸着工程の後、キャリアガラス６０は基材１１０から剥離される。蒸着工程の間、キャリアガラス６０が基材１１０を支持することにより、基材１１０の平坦性を高めることができる。これにより、蒸着層の位置及び形状の精度を高めることができる。
　キャリアガラス６０の厚みは、例えば３００μｍ以上であり、５００μｍ以上であってもよく、７００μｍ以上であってもよい。キャリアガラス６０の厚みは、例えば３０００μｍ以下であり、２０００μｍ以下であってもよく、１０００μｍ以下であってもよい。
　基材１１０は、キャリアガラス６０のキャリア第１面６１上に位置する。第１積層体１７０は、キャリア第１面６１と基材１１０との間に位置する中間層６５を含んでいてもよい。
　基材１１０は、樹脂を含んでいてもよい。例えば、基材１１０は、樹脂を含む樹脂フィルムであってもよい。樹脂は、ポリイミド、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニルエーテルなどの高分子化合物であってもよい。基材１１０は、課題に反しない範囲でバイオマス材料やリサイクル材料を含んでいてもよい。
　基材１１０の厚みは、例えば１０μｍ以上であり、３０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。基材１１０の厚みは、例えば３００μｍ以下であり、２００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。基材１１０の厚みは、電子デバイス１００のサンプルの断面の画像に基づいて算出される。画像を撮影する装置としては、走査電子顕微鏡が用いられる。
　中間層６５は、基材１１０からのキャリアガラス６０の剥離を容易化するための層である。中間層６５は、例えば紫外線硬化性樹脂を含む。この場合、中間層６５に紫外線を照射することにより、キャリアガラス６０を基材１１０から剥離させ易くなる。紫外線硬化性樹脂は、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂などである。
　導電性フィルム７０は、第１面１７１に向かうフィルム第１面７１と、第２面１７２に向かうフィルム第２面７２と、を含む。フィルム第１面７１は、キャリアガラス６０のキャリア第２面６２に接していてもよい。フィルム第２面７２は、第１積層体１７０の第２面１７２を構成していてもよい。
　導電性フィルム７０は、導電性を有する層を含む。第１積層体１７０が導電性フィルム７０を含むことにより、第１積層体１７０の第２面１７２が導電性を有することができる。このため、静電チャック４が第１積層体１７０の第２面１７２を静電吸着するときに必要な電圧の値を低減できる。
　図８を参照して、導電性フィルム７０について詳細に説明する。図８は、導電性フィルム７０の一例を示す断面図である。
　導電性フィルム７０は、ベース７３及び外側導電層７４を少なくとも含む。ベース７３は、フィルム第１面７１に、すなわち第１面１７１に向かうベース第１面７３１と、フィルム第２面７２に、すなわち第２面１７２に向かうベース第２面７３２と、を含む。外側導電層７４は、ベース第２面７３２上に位置している。外側導電層７４が、フィルム第２面７２を構成していてもよい。導電性フィルム７０は、ベース第１面７３１上に位置する粘着層７５を含んでいてもよい。粘着層７５が、フィルム第１面７１を構成していてもよい。
　ベース７３は、樹脂を含んでいてもよい。例えば、ベース７３は、樹脂を含む樹脂フィルムであってもよい。樹脂は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトンなどの高分子化合物であってもよい。ベース７３は、課題に反しない範囲でバイオマス材料やリサイクル材料を含んでいてもよい。
　ベース７３の厚みは、例えば１０μｍ以上であり、３０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。ベース７３の厚みは、例えば３００μｍ以下であり、２００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。
　外側導電層７４は、導電性を有する材料を含む。外側導電層７４は、光が外側導電層７４を透過できるように構成されていてもよい。例えば、外側導電層７４は、ポリチオフェンなどの導電性ポリマー、又は及び自己ドープ型導電性ポリマーを含んでいてもよい。導電性ポリマーは、例えばポリチオフェン、３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンなど、又は、これらの誘導体等である。外側導電層７４は、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、アンチモンドープ酸化スズなどの酸化物導電材料を含んでいてもよい。
　外側導電層７４は、導電性を有する材料からなるナノワイヤを含んでいてもよい。ナノワイヤの直径は、例えば１μｍ以下であり、５００ｎｍ以下であってもよく、１００ｎｍ以下であってもよい。ナノワイヤは、金、銀、銅などの金属又は合金を含んでいてもよい。
　外側導電層７４の厚みは、例えば１００ｎｍ以上であり、１μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよい。外側導電層７４の厚みは、例えば１５μｍ以下であり、１０μｍ以下であってもよく、８ｕｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよい。硬度を出すためには、外側導電層７４の厚みが１ｕｍ以上であることが好ましく、３ｕｍ以上であることが更に好ましい。一方、外側導電層７４の厚みが大きすぎると、導電性フィルム７０にカールが生じることがある。この観点からは、外側導電層７４の厚みは、１０ｕｍ以下であることが好ましく、８ｕｍ以下であることが更に好ましい。
　外側導電層７４の表面抵抗率は、例えば１．０×１０１３Ω／ｓｑ．以下であり、１．０×１０１２Ω／ｓｑ．以下であってもよく、１．０×１０１１Ω／ｓｑ．以下であってもよく、１．０×１０１０Ω／ｓｑ．以下であってもよく、１．０×１０９Ω／ｓｑ．以下であってもよく、１．０×１０８Ω／ｓｑ．以下であってもよく、１．０×１０７Ω／ｓｑ．以下であってもよく、１．０×１０６Ω／ｓｑ．以下であってもよい。外側導電層７４の表面抵抗率を低減することにより、静電チャック４が第１積層体１７０の第２面１７２を静電吸着するときに必要な電圧の値を低減できる。表面抵抗率は、外側導電層７４の単位面積（１ｃｍ２）あたりの表面抵抗値である。
　一方、外側導電層７４の表面抵抗率が低すぎると、後述する実施例に示されるように、静電チャック４が第１積層体１７０から離れないという状況が生じる可能性がある。また、外側導電層７４の表面抵抗率が低すぎると、放電が生じる可能性もある。これらの点を考慮し、外側導電層７４の表面抵抗率の下限が規定されてもよい。外側導電層７４の表面抵抗率は、例えば１０．０Ω／ｓｑ．以上であり、２０．０Ω／ｓｑ．以上であってもよく、３０．０Ω／ｓｑ．以上であってもよく、１００．０Ω／ｓｑ．以上であってもよい。
　外側導電層７４の表面抵抗率は、導電性フィルム７０のサンプルを用いて測定される。導電性フィルム７０のサンプルの形状は、平面視において、８０ｍｍの長辺と、５０ｍｍの短辺とを有する長方形である。抵抗が１．０×１０－２Ω以上１．０×１０４Ω未満である場合、測定器として、ロレスタＡＸ　ＭＣＰ－Ｔ３７０型を用いる。ロレスタＡＸ　ＭＣＰ－Ｔ３７０型は、ＪＩＳ Ｋ７１９４：１９９４に準拠している。抵抗が１．０×１０４Ω以上１．０×１０１４Ω以下である場合、測定器として、三菱ケミカルアナリテック製のハイレスタＵＰ ＭＣＰ－ＨＴ４５０型を用いる。
・温度：２５±４℃
・相対湿度：５０±１０％ＲＨ
・プローブ：ＵＲＳプローブ（ハイレスタのとき）、ＡＳＰプローブ（ロレスタのとき）
・電極に印加される電圧：５００Ｖ
・測定モード：Ω／□（シート抵抗を測定するためのモード）
・測定のタイミング：電圧を印加してから１０秒後
・サンプルの数：３個
　３個のサンプルにおける表面抵抗率の平均値が、外側導電層７４の表面抵抗率として採用される。外側導電層７４がフィルム第２面７２を構成している場合、外側導電層７４の表面抵抗率が、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の表面抵抗率である。
　ロレスタＡＸ　ＭＣＰ－Ｔ３７０型を用いて表面抵抗率を測定する方法を説明する。まず、外側導電層７４が上方に位置する状態で、導電性フィルム７０のサンプルをガラス板上に配置する。続いて、ＡＳＰプローブの全ての電極ピンを、外側導電層７４に接触させる。この時、ＡＳＰプローブは、平面視における外側導電層７４の中心に位置する。
　測定モードとしてΩ／□を選択し、スタートボタンを押し、ホールドすると、測定結果が表示される。
　粘着層７５は、キャリアガラス６０に対する導電性フィルム７０の接着力を高めるための層である。粘着層７５は、例えばシリコーン系樹脂、アクリル系樹脂などを含む。粘着層７５は、紫外線硬化性樹脂を含んでいてもよい。粘着層の材料は上記したものを挙げることができるが、ガラスに材料が転移する場合があるためアクリル系樹脂が好ましい。粘着層７５は、特定の外的エネルギー（例えば、レーザー光や紫外線）を付与されることにより、密着力が低下又は消失する材料を含んでもよい。レーザー光の種類としては、エキシマレーザーＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）、ＹＡＧレーザー（波長３５５ｎｍ）、グリーンレーザー（波長５３２ｎｍ）、ＩＲレーザー（波長１０６４ｎｍ）、ＣＯ２レーザー（波長１０，６００ｎｍ）などが挙げられる。レーザー光の波長が短いと、高エネルギーのため熱が発生しやすい。レーザー光の波長が長いと、レーザー光を吸収する材料が限定されるため、材料の選択自由度が低い。そのため、３００ｎｍ～４００ｎｍのレーザー光が好適に用いられる。この波長の場合、粘着層７５にレーザー光や紫外線を照射することにより、粘着層７５をキャリアガラス６０から剥離させ易くなる。また、レーザー以外の方法で剥がしてもよい。
　粘着層７５の厚みは、例えば１μｍ以上であり、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、３０μｍ以上であってもよい。粘着層７５の厚みは、例えば３００μｍ以下であり、２００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよく、５０ｕｍ以下であってもよく、３０ｕｍ以下であってもよい。
　また、レーザーのためには粘着層７５の透過率が高い方がレーザー照射量が低くて済むため、粘着層７５の厚みは薄い方が良い。この観点においては、好ましくは、粘着層７５の厚みは１０ｕｍ以上５０ｕｍ以下である。
　また、粘着層７５を物理的に剥がすためには、より薄い方が剥離しやすい場合があるため、この観点においては、粘着層７５の厚みが１０ｕｍ以上３０ｕｍ以下であることが好ましい。
　ベース７３、外側導電層７４、粘着層７５などの、導電性フィルム７０の構成要素の厚みは、導電性フィルム７０のサンプルの断面の画像に基づいて算出される。画像を撮影する装置としては、厚みがμｍのオーダーの場合には走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）が用いられ、厚みがｎｍのオーダーの場合には走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）が用いられる。
　導電性フィルム７０の光学特性について説明する。
　導電性フィルム７０は、紫外線に対する透過性を有していてもよい。これにより、第１積層体１７０のフィルム第２面７２に入射した紫外線が、中間層６５に到達しやすくなる。このため、キャリアガラス６０を基材１１０から剥離させる工程を効率的に実施できる。
　導電性フィルム７０の紫外線透過率は、例えば１０％以上であり、３０％以上であってもよく、５０％以上であってもよい。導電性フィルム７０の紫外線透過率は、例えば９０％以下であり、８０％以下であってもよく７０％以下であってもよい。
　一定の強度を有する紫外線が中間層６５に到達することにより、キャリアガラス６０が基材１１０から剥離される。導電性フィルム７０の紫外線透過率が低いほど、フィルム第２面７２に入射される紫外線の強度の所要値が高くなる。フィルム第２面７２に入射される紫外線の強度が高いほど、第１積層体１７０に含まれる樹脂の層が劣化するリスクが高くなる。例えば、第１積層体１７０に含まれる樹脂の層の一部が破壊され、煤などの微細な粒子が生じることが考えられる。例えば、中間層６５又は粘着層７５に微細な粒子が生じることが考えられる。
　導電性フィルム７０が１０％以上の紫外線透過率を有することにより、微細な粒子の発生を抑制できる。微細な粒子の発生を抑制するためには、導電性フィルム７０が高いことが好ましい。導電性フィルム７０の紫外線透過率は、６０％以上であってもよく、７０％以上であってもよく、８０％以上であってもよい。
　導電性フィルム７０の紫外線透過率は、導電性フィルム７０のサンプルを用いて測定される。導電性フィルム７０のサンプルの形状は、平面視において、５０ｍｍの辺を有する正方形である。測定条件は下記のとおりである。測定器としては、島津製作所製の分光光度計（製品名「ＵＶ－３１００ＰＣ」、光源：タングステンランプおよび重水素ランプ）を用いる。光は、フィルム第２面７２に入射される。
・温度：２５±４℃
・相対湿度：５０±１０％ＲＨ
・光の波長：３５５ｎｍ
・サンプルの数：３個
　３個のサンプルにおける紫外線透過率の平均値が、導電性フィルム７０の紫外線透過率として採用される。
　導電性フィルム７０の厚みは、例えば２０μｍ以上であり、３０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。導電性フィルム７０の厚みは、例えば１５０μｍ以下であり、１００μｍ以下であってもよく、８０μｍ以下であってもよい。環境負荷および貼合、剥離等ハンドリングの観点からを考えると、導電性フィルム７０の厚みは小さいことが好ましい。
　導電性フィルム７０の厚みの標準偏差が小さいことが好ましい。これにより、第１積層体１７０を透過して中間層６５に到達する紫外線の強度が、位置に依存してばらつくことを抑制できる。これにより、キャリアガラス６０を基材１１０から剥離させる工程を安定に実施できる。導電性フィルム７０の厚みの標準偏差は、例えば１０μｍ以下であり、８μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよく、３μｍ以下であってもよい。導電性フィルム７０の厚みの標準偏差は、例えば０．１μｍ以上であり、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよい。標準偏差が所定値以上であることにより、フィルムの製造工程が安定化される。標準偏差の好ましい範囲は、０．５μｍ以上８μｍ以下であり、後述する実施例においても実現されていた。「標準偏差」とは、分散の正の平方根を示し、「分散」とは、偏差（すなわち、それぞれの数値と平均値との差）の二乗の相加平均を示す。
　導電性フィルム７０の厚みの標準偏差は、導電性フィルム７０の１０個のサンプルの厚みから算出される。１０個のサンプルは、１枚の導電性フィルム７０から切り出される。各サンプルの一辺は、３０ｍｍ以上の長さを有する。１０個のサンプルの位置は、１枚の導電性フィルム７０の面内方向において均等に分布している。面内方向とは、導電性フィルム７０の面方向に平行な方向である。導電性フィルム７０のサンプルの厚みは、デジマチックインジケーター「ＩＤＦ－１３０」、株式会社ミツトヨ製によって測定される。なお、導電性フィルム７０のフィルム第１面７１又はフィルム第２面７２に他の積層体が積層されている場合には、上記導電性フィルム７０の厚みおよび標準偏差は、断面のＳＥＭ観察により測定できる。その場合、断面の任意の１０点の厚みを測定し、その１０点から標準偏差が算出される。
　導電性フィルム７０は、可視光に対する透過性を有していてもよい。これにより、後述するアライメント工程において、基材１１０に対するマスク５０の位置の調整を効率的に実施できる。
　導電性フィルム７０の全光線透過率は、例えば４０％以上であり、５０％以上であってもよく、６０％以上であってもよい。導電性フィルム７０の全光線透過率は、例えば９０％以下であり、８０％以下であってもよく、７０％以下であってもよい。
　後述するように、キャリアガラス６０はアライメントマークを有する。キャリアガラス６０のアライメントマークは、導電性フィルム７０を透過してキャリアガラス６０に到達する光によって検出される。導電性フィルム７０の全光線透過率が高いほど、アライメントマークの位置、形状などが精度良く検出される。例えば、導電性フィルム７０の全光線透過率が高いほど、アライメントマークの幅の検出精度が高められる。導電性フィルム７０の全光線透過率は、８５％以上であってもよく、９０％以上であってもよく、９５％以上であってもよい。導電性フィルム７０の全光線透過率は、９９％以下であってもよく、９７％以下であってもよい。
　導電性フィルム７０の全光線透過率は、導電性フィルム７０のサンプルを用いて測定される。導電性フィルム７０のサンプルの形状は、平面視において、縦５０ｍｍ×横１００ｍｍ長方形である。全光線透過率の測定は、JIS K 7361-1:1997に準拠して実施される。測定条件は下記のとおりである。測定器としては、株式会社村上色彩技術研究所製のヘイズメーター（製品名「ＨＭ－１５０」）を用いる。光は、フィルム第２面７２に入射される。
・温度：２５±４℃
・相対湿度：５０±１０％ＲＨ
・サンプルの数：３個
　３個のサンプルにおける全光線透過率の平均値が、導電性フィルム７０の全光線透過率として採用される。
　導電性フィルム７０は、低いヘイズを有していてもよい。これにより、後述するアライメント工程において、基材１１０に対するマスク５０の位置の調整を効率的に実施できる。
　導電性フィルム７０のヘイズは、例えば２０％以下であり、１５％以下であってもよく、１０％以下であってもよい。導電性フィルム７０のヘイズは、例えば０．１％以上であり、１％以上であってもよく、３％以上であってもよい。
　上述のとおり、キャリアガラス６０のアライメントマークは、導電性フィルム７０を透過してキャリアガラス６０に到達する光によって検出される。導電性フィルム７０のヘイズが低いほど、アライメントマークの位置、形状などが精度良く検出される。例えば、導電性フィルム７０のヘイズが低いほど、アライメントマークの幅の検出精度が高められる。ヘイズは、好ましくは３％以下であり、更に好ましくは１％以下である。
　導電性フィルム７０のヘイズは、導電性フィルム７０のサンプルを用いて測定される。導電性フィルム７０のサンプルの形状は、平面視において、縦５０ｍｍ×横１００ｍｍ長方形である。ヘイズの測定は、JIS K 7136:2000に準拠して実施される。測定条件は下記のとおりである。測定器としては、株式会社村上色彩技術研究所製のヘイズメーター（製品名「ＨＭ－１５０」）を用いる。光は、フィルム第２面７２に入射される。
・温度：２５±４℃
・相対湿度：５０±１０％ＲＨ
・サンプルの数：３個
　３個のサンプルにおけるヘイズの平均値が、導電性フィルム７０のヘイズとして採用される。
　導電性フィルム７０の熱特性について説明する。
　厚み方向における導電性フィルム７０の熱伝導率は、例えば０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、０．１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってもよい。導電性フィルム７０の熱伝導率が大きいほど、蒸着工程において、基材１１０の熱が導電性フィルム７０を介して放出されやすくなる。
　平面視における導電性フィルム７０の寸法の範囲としては、上述の基材１１０の寸法Ｇ１１及び寸法Ｇ２１の範囲を採用できる。
　図９は、導電性フィルム７０のその他の例を示す断面図である。図９に示すように、導電性フィルム７０は、ベース第１面７３１上に位置する内側導電層７６を含んでいてもよい。内側導電層７６は、ベース第１面７３１と粘着層７５との間に位置していてもよい。
　内側導電層７６は、外側導電層７４と同様に、導電性を有する材料を含む。内側導電層７６は、光が内側導電層７６を透過できるように構成されていてもよい。内側導電層７６の材料、構造、厚み、表面抵抗率としては、上述の外側導電層７４の材料、構造、厚み、表面抵抗率が採用されてもよい。
　導電性フィルム７０の機械特性について説明する。
　導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の動摩擦係数は、例えば０．２６以下であり、０．２０以下であってもよく、０．１８以下であってもよい。導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の動摩擦係数は、例えば０．０５以上であり、０．１０以上であってもよく、０．１２以上であってもよい。
　導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の静摩擦係数は、例えば０．３０以下であり、０．２５以下であってもよく、０．２０以下であってもよい。導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の静摩擦係数は、例えば０．０５以上であり、０．１０以上であってもよく、０．１５以上であってもよい。
　静電チャック４と第１積層体１７０とが接触しているときに、第１積層体１７０が静電チャック４に対してわずかに動くことがある。第１積層体１７０が動くと、第１積層体１７０の導電性フィルム７０のフィルム第２面７２と静電チャック４との間に摩擦が生じる。摩擦は、静電チャック４の電極の電圧が増加して第１積層体１７０が静電チャック４に吸着される時、及び、静電チャック４の電極の電圧が低下して第１積層体１７０が静電チャック４から分離される時に特に生じやすい。導電性フィルム７０と静電チャック４との間に大きな摩擦力が生じると、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２に傷が生じることが考えられる。
　導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の動摩擦係数及び静摩擦係数が低いほど、摩擦力を低減できる。このため、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の傷が抑制される。フィルム第２面７２の動摩擦係数が０．２５以下であり、かつ、フィルム第２面７２の静摩擦係数が０．２３以下であることが、特に好ましい。さらに好ましいくは、フィルム第２面７２の動摩擦係数が０．１９以下であり、かつフィルム第２面７２の静摩擦係数が０．２３以下である。
　導電性フィルム７０の動摩擦係数及び静摩擦係数は、導電性フィルム７０及びキャリアガラス６０を含む試験片を用いることによって測定される。キャリアガラス６０は、７００μｍの厚みを有するガラス板である。試験片の動摩擦係数及び静摩擦係数は、JIS K 7125:1999を参考にして定められた方法によって測定される。JIS K 7125:1999に記載の摩擦係数試験方法は、プラスチックフィルム及びシートが対象とされているが、本実施の形態においては、導電性フィルム７０及びガラス板を含む積層体からなる試験片が対象とされる。試験片は、セラミック板からなるテーブルの上に置かれる。セラミック板としては、アズワン株式会社製のセラミックプレート（品番　PTC-SP□210-4）が用いられる。試験片の導電性フィルム７０のフィルム第２面７２が、テーブルに面する。５個の試験片の動摩擦係数及び静摩擦係数が測定される。５個の試験片から選択された３個の試験片における動摩擦係数及び静摩擦係数の平均値が、導電性フィルム７０の動摩擦係数及び静摩擦係数として採用される。５個の試験片のうち、最小の動摩擦係数及び静摩擦係数を有する１個の試験片、及び、最大の動摩擦係数及び静摩擦係数を有する１個の試験片は選択されない。
　導電性フィルム７０の外側導電層７４は、後述する実施例に示されるように、表面調整剤を含んでいてもよい。表面調整剤は、例えば、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２に生じる摩擦を低減できる。例えば、表面調整剤は、フッ素系添加剤、シリコーン系添加剤、アクリル系添加剤などの添加剤を含んでいてもよい。
　導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の耐擦傷性試験の最大荷重は、例えば８００ｇ以上であり、１０００ｇ以上であってもよい。導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の耐擦傷性試験の最大荷重は、例えば２０００ｇ以下であり、１８００ｇ以下であってもよい。フィルム第２面７２の耐擦傷性試験の荷重が高いほど、摩擦に起因するフィルム第２面７２の傷が抑制される。
　導電性フィルム７０の耐擦傷性の試験は、測定対象となるサンプルに対し、テスター産業株式会社製の学振型摩擦堅牢度試験機「ＡＢ－３０１」を用いることにより実施される。導電性フィルム７０を５ｃｍ×１０ｃｍの大きさに切り出すことにより作成されるサンプルが、ガラス板上に折れやシワがないようセロハンテープ（登録商標）で固定される。次いで、＃００００のスチールウール（日本スチールウール社製のボンスター＃００００）を用い、スチールウールを１ｃｍ×１ｃｍの治具に固定して、所定荷重、移動速度１００ｍｍ／秒、移動距離５０ｍｍの条件で、フィルム第２面７２を１０往復擦る。そして、耐擦傷性試験を行った積層体において、移動速度が不安定な両端１０ｍｍの範囲を除く中心３０ｍｍの範囲における表面を、蛍光灯下で透過であらゆる角度から観察し、傷の有無と状態を評価する。蛍光灯としては、Ｐａｎａｓｏｎｉｃ社の３波長蛍光灯（型番：ＦＨＦ３２ＥＸ－Ｎ－Ｈ）が用いられる。観察距離は３０ｃｍである。観察対象であるサンプルの表面上の照度は、８００Ｌｘ以上１２００Ｌｘ以下である。
　フィルム第２面７２に傷が生じているかどうかが目視で確認される。傷が確認されるまで、段階的に荷重を増加させる。傷が確認されない段階での荷重の最大値が、耐擦傷性の硬度として採用される。測定条件は下記のとおりである。
・温度：２５±４℃
・相対湿度：５０±１０％ＲＨ
・サンプルの数：３個
　次に、電子デバイス１００の製造方法を説明する。電子デバイス１００の製造方法は、第１積層体１７０を準備する準備工程を実施する。
　図１０～１２を参照して、準備工程の一例を説明する。まず、キャリアガラス６０を準備する。続いて、図１０に示すように、キャリア第１面６１上に基材１１０を形成する基材形成工程を実施する。基材形成工程の前に、キャリア第１面６１上に中間層６５が形成されていてもよい。
　基材形成工程は、キャリア第１面６１に樹脂を塗布する塗布工程を含んでいてもよい。塗布方法は、ダイコート法、ロールコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、スライドコート法、バーコート法、グラビアコート法などである。
　基材形成工程は、塗布された樹脂を乾燥する乾燥工程を含んでいてもよい。乾燥工程は、樹脂を加熱する工程を含んでいてもよい。加熱温度は、例えば５０℃以上１５０℃以下である。
　続いて、図１１に示すように、基材１１０の基材第１面１１１上にＴＦＴ層１１５を形成するＴＦＴ形成工程を実施する。ＴＦＴ形成工程は、トランジスタ１２０を形成する工程を少なくとも含む。ＴＦＴ形成工程は、トランジスタ１２０と第１電極１３０とを接続する接続部分を形成する工程、及び第１電極１３０を形成する工程を含んでいてもよい。ＴＦＴ形成工程は、絶縁層１６０を形成する工程を含んでいてもよい。
　続いて、図１２に示すように、導電性フィルム７０をキャリアガラス６０のキャリア第２面６２に貼り付ける貼付工程を実施する。キャリアガラス６０に貼り付けられる前の導電性フィルム７０の粘着層７５には、セパレータ７８が付けられていてもよい。この場合、貼付工程は、セパレータ７８を粘着層７５から剥がす工程と、粘着層７５をキャリアガラス６０のキャリア第２面６２に付ける工程と、を含む。このようにして、第１積層体１７０が準備される。
　続いて、第１積層体１７０を上述の蒸着装置１０に搬入する。続いて、蒸着装置１０において吸着工程を実施する。
　図１３は、吸着工程の一例を示す断面図である。吸着工程のとき、第１積層体１７０は、ホルダ２によって下方から支持されていてもよい。
　吸着工程においては、第１積層体１７０を静電チャック４に向けて相対的に移動させる。第１積層体１７０が上昇してもよく、静電チャック４が下降してもよい。第１積層体１７０が静電チャック４に近接又は接触した後、静電チャック４の電極に電圧を印加する。これにより、第１積層体１７０の第２面１７２が静電チャック４に静電吸着される。吸着工程において静電チャック４の電極に印加される電圧を、吸着電圧とも称する。本実施の形態においては、第１積層体１７０が外側導電層７４を含むので、吸着電圧を低減できる。これにより、吸着工程に起因してＴＦＴ層１１５がダメージを受けることを抑制できる。
　続いて、図１４に示すように、マスク装置１５のマスク５０を第１積層体１７０に近接又は接触させるマスク配置工程を実施する。マスク配置工程は、基材１１０の基材第１面１１１の面内方向におけるマスク５０の位置を定めるアライメント工程を含んでいてもよい。
　アライメント工程は、観察工程及び調整工程を含んでいてもよい。観察工程は、基材１１０及びマスク５０を観察する。例えば、観察工程は、カメラ８１を用いて、基材１１０のアライメントマーク及びマスク５０のアライメントマークを観察する。カメラ８１は、第１積層体１７０を介してマスク５０を観察してもよい。すなわち、カメラ８１は、第１積層体１７０の第２面１７２の上方に配置されていてもよい。この場合、カメラ８１に入射する光は、第１積層体１７０の導電性フィルム７０を通過する。カメラ８１に入射する光は、可視光であってもよい。
　好ましくは、上述のように、導電性フィルム７０が、可視光に対する透過性を有する。これにより、導電性フィルム７０を通過した後にカメラ８１に入射する光の強度を高めることができる。このため、基材１１０のアライメントマークの位置及びマスク５０のアライメントマークの位置を精度よく観察できる。
　好ましくは、上述のように、導電性フィルム７０が、低いヘイズを有する。これにより、基材１１０のアライメントマークの位置及びマスク５０のアライメントマークの位置を精度よく観察できる。
　調整工程は、観察工程の結果に基づいて、基材１１０の基材第１面１１１の面内方向において、基材１１０に対するマスク５０の位置を調整する。例えば、基材１１０のアライメントマークの位置とマスク５０のアライメントマークの位置とが一致するよう、マスク５０を基材１１０に対して相対的に移動させる。基材１１０のアライメントマークの位置及びマスク５０のアライメントマークの位置の観察精度が高いほど、基材１１０に対するマスク５０の位置を正確に調整できる。
　続いて、図１５に示すように、マグネット５を第１積層体１７０に向けて移動させる工程を実施する。マグネット５は、マスク５０を磁力によって第１積層体１７０に向けて引き寄せる。これにより、マスク５０と第１積層体１７０の第１面１７１との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。
　続いて、マスク５０を介して蒸着材料を第１積層体１７０の第１面１７１上に蒸着させる蒸着工程を実施する。マスク５０が第１有機層１３５Ａに対応する貫通孔５６を有する場合、ＴＦＴ層１１５上に第１有機層１３５Ａが形成される。
　続いて、図１７に示すように、分離工程を実施する。分離工程は、第１分離工程及び第２分離工程を含んでいてもよい。第１分離工程は、図１７に示すように、マスク装置１５を第１積層体１７０から分離する。第１分離工程は、マグネット５を第１積層体１７０から遠ざける工程を含んでいてもよい。
　第２分離工程は、第１積層体１７０を静電チャック４から分離する。第２分離工程においては、静電チャック４の電極の電圧を低下させる。これにより、静電チャック４が第１積層体１７０に及ぼす静電引力が低下する。また、第２分離工程においては、第１積層体１７０が静電チャック４から離れるように、第１積層体１７０を静電チャック４に対して相対的に移動させる。これにより、第１積層体１７０が静電チャック４から分離される。第２分離工程のとき、第１積層体１７０は、ホルダ２によって下方から支持されていてもよい。
　第２分離工程における静電チャック４の電極の電圧を、分離電圧とも称する。本実施の形態においては、第１積層体１７０が外側導電層７４を含むので、吸着電圧が低減されている。このため、吸着電圧と分離電圧の差を低減できる。これにより、第２分離工程に要する時間を低減できる。従って、電子デバイス１００の製造に要する時間を低減できる。
　電子デバイス１００の製造方法は、第２有機層１３５Ｂなどのその他の有機層を形成する工程や、第２電極１４０を形成する工程を備えていてもよい。これらの工程は、第１有機層１３５Ａを形成するための蒸着装置１０とは別の蒸着装置１０において実施されてもよい。電子デバイス１００の製造方法は、封止層１５０を形成する工程を備えていてもよい。
　図１８は、上述の工程によって製造された第２積層体１８０の一例を示す断面図である。第２積層体１８０は、第１積層体１７０と、第１積層体１７０の第１面１７１上に位置する複数の素子１２５と、複数の素子１２５を覆う封止層１５０と、を備える。
　続いて、導電性フィルム７０を基材１１０から剥離させる剥離工程を実施する。図１９は、剥離工程の一例を示す断面図である。図１９に示す例において、剥離工程は、キャリアガラス６０及び導電性フィルム７０の組合せを基材１１０から剥離させる。例えば、剥離工程は、第１積層体１７０の第２面１７２に紫外線Ｌ１を入射させる紫外線照射工程を含む。中間層６５に含まれる紫外線硬化性樹脂が硬化することにより、キャリアガラス６０及び導電性フィルム７０の組合せが基材１１０から剥離される。このようにして、電子デバイス１００が得られる。
　好ましくは、上述のように、導電性フィルム７０が、紫外線に対する透過性を有する。これにより、導電性フィルム７０を通過した後に中間層６５に入射する紫外線Ｌ１の強度を高めることができる。このため、中間層６５に含まれる紫外線硬化性樹脂を適切に硬化させることができる。
　好ましくは、上述のように、導電性フィルム７０が、紫外線に対する透過性を有する。これにより、導電性フィルム７０を通過した後に中間層６５に入射する紫外線Ｌ１の強度を高めることができる。このため、中間層６５に含まれる紫外線硬化性樹脂を適切に硬化させることができる。
　好ましくは、上述のように、導電性フィルム７０の厚みが、小さい標準偏差を有する。すなわち、導電性フィルム７０の厚みのばらつきが抑制されていることが好ましい。これにより、第１積層体１７０を透過して中間層６５に到達する紫外線Ｌ１の強度が、位置に依存してばらつくことを抑制できる。これにより、中間層６５に含まれる紫外線硬化性樹脂を位置に依らず適切に硬化させることができる。
　図２０～２１は、剥離工程のその他の例を示す断面図である。図２０に示す例において、剥離工程は、導電性フィルム７０をキャリアガラス６０から剥離させる。例えば、剥離工程は、第１積層体１７０の第２面１７２に紫外線Ｌ２を入射させる紫外線照射工程を含む。導電性フィルム７０の粘着層７５に含まれる紫外線硬化性樹脂が硬化することにより、導電性フィルム７０がキャリアガラス６０から剥離される。
　続いて、図２１に示すように、キャリアガラス６０を基材１１０から剥離させる第２剥離工程が実施される。例えば、第２剥離工程は、キャリアガラス６０のキャリア第２面６２に紫外線Ｌ３を入射させる紫外線照射工程を含む。中間層６５に含まれる紫外線硬化性樹脂が硬化することにより、キャリアガラス６０が基材１１０から剥離される。このようにして、電子デバイス１００が得られる。
　上述した一実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。
　図２２は、蒸着装置の一例を示す断面図である。図２２に示すように、第１積層体１７０において、基材１１０上に導電性フィルム７０が位置していてもよい。すなわち、第１積層体１７０がキャリアガラス６０を含んでいなくてもよい。
　図２２に示す例においても、第１積層体１７０が外側導電層７４を含むので、吸着電圧を低減できる。このため、吸着電圧と分離電圧の差を低減できる。これにより、第２分離工程に要する時間を低減できる。従って、電子デバイス１００の製造に要する時間を低減できる。
　図２２に示す例において、基材１１０は、剛性を有する材料を含んでいてもよい。例えば、基材１１０は、ガラスを含んでいてもよい。基材１１０の厚みは、例えば１００μｍ以上であり、３００μｍ以上であってもよく、５００μｍ以上であってもよい。基材１１０の厚みは、例えば３０００μｍ以下であり、２０００μｍ以下であってもよく、１０００μｍ以下であってもよい。
　次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
　実施例Ａ１
　図８に示す導電性フィルム７０を２００ｍｍ×２５０ｍｍサイズで準備した。ベース７３としては、５０μｍの厚みを有するポリエチレンテレフタレートのフィルム（東洋紡株式会社製　製品名「コスモシャイン（登録商標）Ａ４３６０」）を用いた。外側導電層７４の材料としては、ＵＶ硬化型樹脂（ＤＰＨＡ）にポリチオフェン系導電性ポリマーを配合したものを用いた。樹脂が硬化した後の外側導電層７４の厚みは、５μｍであった。
　外側導電層７４の形成方法を詳細に説明する。まず、組成物１を準備した。組成物１を構成する成分の組成を下記に示す。
＜組成物１＞
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（製品名「ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ」、日本化薬株式会社製）：１００質量部
・重合開始剤（１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１８４」、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）：４質量部
・表面調整剤（製品名「ＢＹＫ－ＵＶ３５００」、ビックケミー・ジャパン株式会社製）：０．５質量部
・導電性ポリマー剤（ＰＥＤＯＴ含有光硬化型樹脂組成物、製品名「ビームセットＭＴ－２」、荒川化学工業株式会社製）：５質量部
・メチルイソブチルケトン：２５０質量部
　ＢＹＫ－ＵＶ３５００は、シリコーン系添加剤（アクリル基を有するポリエーテル変成ポリジメチルシロキサン）である。
　続いて、バーコーターを用いてベース７３上に組成物１を塗布して、塗膜を形成した。続いて、塗膜を７０℃で１分間加熱した。これにより、塗膜中の溶剤を蒸発させた。続いて、塗膜に紫外線を照射した。これにより、塗膜を硬化させた。紫外線の照射条件は、酸素濃度が２００ｐｐｍ以下において積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２になるよう調整された。紫外線照射装置としては、フュージョンＵＶシステムズジャパン社製の光源Ｈバルブを用いた。硬化した塗膜が、外側導電層７４を構成する。
　外側導電層７４の表面抵抗率を測定した。表面抵抗率は１．０×１０９Ω／ｓｑ．であった。
　続いて、導電性フィルム７０のサンプルを作製した。サンプルの形状は、１００ｍｍの辺を有する正方形である。続いて、サンプルを構成する導電性フィルム７０の粘着層７５を、サンプルと同一の正方形のキャリアガラス６０に貼り付けた。キャリアガラス６０の厚みは、７００μｍであった。導電性フィルム７０のサンプル及びキャリアガラス６０を含む物体を、積層体サンプルと称する。
　続いて、吸着評価を実施した。吸着評価においては、積層体サンプルを静電チャックに吸着させた。具体的には、まず、図２３に示すように、外側導電層７４が上方に位置する状態で、積層体サンプルを平坦な木の板８５の上（木製の机上）に載置した。続いて、積層体サンプルの上方に静電チャック４を配置した。具体的には、１１００μｍの厚みを有するガラス製の柱８６を用いて、静電チャック４の外周部分を下方から支持した。柱８６を配置することにより、積層体サンプルと静電チャック４との間に隙間が確保される。積層体サンプルの外側導電層７４は、上下方向において静電チャック４に対向している。続いて、静電チャック４の電極に吸着電圧を印加し、積層体サンプルが静電チャック４に吸着されるかどうかを確認した。吸着電圧は、１．０ｋＶ、１．２５ｋＶ、１．５ｋＶ又は２．５ｋＶであった。吸着評価の結果を図２４Ａに示す。「吸着評価」の列において、「ＯＫ」は、６０秒以内に積層体サンプルが静電チャック４に吸着されたことを意味し、「ＮＧ」は、６０秒以内に積層体サンプルが静電チャック４に吸着されなかったことを意味する。
　続いて、分離評価を実施した。分離評価においては、静電チャック４の電極の電圧を、吸着電圧から０ｋＶに低下させたときに、積層体サンプルが静電チャック４から分離されるかどうかを確認した。分離評価の結果を図２４Ａに示す。「分離評価」の列において、「ＯＫ」は、６０秒以内に積層体サンプルが静電チャック４から分離されたことを意味する。特に、３０秒以内に積層体サンプルが静電チャック４から分離された例では、「分離評価」の列に「great」が記されている。「ＮＧ」は、６０秒以内に積層体サンプルが静電チャック４から分離されなかったことを意味する。分離評価が実施されなかった例では、「分離評価」の列に「－」が記されている。
　実施例Ａ２
　組成物２を用いて外側導電層７４を形成したこと以外は、実施例Ａ１の場合と同様に、図８に示す導電性フィルム７０を準備した。組成物２は、導電性ポリマー剤の組成が３質量部であること以外は、組成物１と同一である。
　実施例Ａ１の場合と同様に、外側導電層７４の表面抵抗率を測定した。表面抵抗率は９．０×１０１２Ω／ｓｑ．であった。
　続いて、実施例Ａ１の場合と同様に、吸着評価及び分離評価を実施した。結果を図２４Ａに示す。
　実施例Ａ３
　図８に示す導電性フィルム７０を準備した。ベース７３としては、１２５μｍの厚みを有するポリエチレンテレフタレートのフィルム（東洋紡株式会社製　製品名「コスモシャイン（登録商標）Ａ４３６０」）を用いた。外側導電層７４の材料としては、銀を含むナノワイヤを用いた。樹脂が硬化した後の外側導電層７４の厚みは、１００ｎｍであった。
　外側導電層７４の形成方法を詳細に説明する。まず、銀ナノワイヤを含む組成物３を準備した。続いて、ベース７３上に組成物３を塗布した。塗布プロセスは、塗布量が１０ｍｇ／ｍ２になるよう調整された。続いて、塗布された組成物３に乾燥空気を触れさせる第１乾燥工程を実施することにより、組成物３に含まれる分散媒を蒸発させた。これにより、ベース７３上に複数の銀ナノワイヤが配置された。乾燥工程は、０．５ｍ／ｓの流速で５０℃の乾燥空気を１５秒間流通させる第１プロセスと、第１プロセスの後、１０ｍ／ｓの流速で７０℃の乾燥空気を３０秒間流通させる第２プロセスと、を含む。
　続いて、光透過性樹脂を含む組成物４を準備した。組成物４を構成する成分の組成を下記に示す。
＜組成物４＞
・ペンタエリスリトールトリアクリレートとペンタエリスリトールテトラアクリレートの混合物（製品名「ＫＡＹＡＲＡＤ－ＰＥＴ－３０」、日本化薬株式会社製）：５質量部
・重合開始剤（１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、製品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１８４」、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）：０．２５質量部
・メチルエチルケトン（ＭＥＫ）：７０質量部
・シクロヘキサノン：２４．７５質量部
・メチルイソブチルケトン：３０質量部
　続いて、ベース７３上の銀ナノワイヤを覆うように組成物４を塗布して、塗膜を形成した。続いて、塗膜に乾燥空気を触れさせる第２乾燥工程を実施することにより、塗膜に含まれる溶剤を蒸発させた。第２乾燥工程は、０．５ｍ／ｓの流速で５０℃の乾燥空気を１５秒間流通させる第１プロセスと、第１プロセスの後、１０ｍ／ｓの流速で７０℃の乾燥空気を３０秒間流通させる第２プロセスと、１０ｍ／ｓの流速で８０℃の乾燥空気を３０秒間流通させる第３プロセスと、を含む。続いて、塗膜に紫外線を照射した。これにより、塗膜を硬化させた。紫外線の照射条件は、積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２になるよう調整された。このようにして、１００ｎｍの厚みを有する光透過性樹脂層を形成した。このようにして形成された外側導電層７４は、光透過性樹脂層と、光透過性樹脂層中に配置された銀ナノワイヤと、を含む。
　銀ナノワイヤを含む組成物３について説明する。組成物３は、核形成工程と粒子成長工程と実施して粒子を形成することにより、調製される。還元剤としては、エチレングリコール（ＥＧ）が使用される。有機保護剤としては、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ：平均分子量１３０万、アルドリッチ社製）が使用される。
　核形成工程について説明する。まず、反応容器内で１６０℃に保持したＥＧ液１００ｍＬを攪拌しながら、硝酸銀のＥＧ溶液（硝酸銀濃度：１．０モル／Ｌ）２．０ｍＬを、一定の流量で１分間かけて反応容器に加えた。続いて、反応容器中の反応液を１６０℃で１０分間保持しながら、銀イオンを還元させる。これにより、銀の核粒子が形成される。反応液は、ナノサイズの銀微粒子の表面プラズモン吸収に由来する黄色を呈していた。このことは、銀イオンが還元されて銀の微粒子（核粒子）が形成されたことを示している。続いて、ＰＶＰのＥＧ溶液（ＰＶＰ濃度：３．０×１０－１モル／Ｌ）１０．０ｍＬを一定の流量で１０分間かけて反応液に添加した。
　粒子成長工程について説明する。核形成工程の後、核粒子を含む反応液を、攪拌しながら１６０℃に保持した。続いて、硝酸銀のＥＧ溶液（硝酸銀濃度：１．０×１０－１モル／Ｌ）１００ｍＬと、ＰＶＰのＥＧ溶液（ＰＶＰ濃度：３．０×１０－１モル／Ｌ）１００ｍＬを、ダブルジェット法を用いて一定の流量で１２０分間かけて反応液に添加した。
　粒子成長工程において、３０分毎に反応液のサンプルを採取して電子顕微鏡でサンプルを観察した。核形成工程で形成された核粒子が、時間の経過に伴ってワイヤ状の形態に成長したことが確認された。粒子成長工程における新たな微粒子の生成は確認されなかった。
　粒子成長工程によって得られた銀ナノワイヤの繊維径および繊維長を測定した。銀ナノワイヤの繊維径は３０ｎｍであり、繊維長は１５μｍであった。
　粒子成長工程の後に実施された脱塩水洗工程について説明する。脱塩水洗工程においては、反応液を室温まで冷却した後、分画分子量０．２μｍの限外濾過膜を用いて脱塩水洗処理を反応液に施すとともに、溶媒をエタノールに置換した。続いて、液量が１００ｍＬになるように反応液を濃縮させた。これにより、銀ナノワイヤ分散液が調製された。続いて、銀ナノワイヤ濃度が０．２質量％となるように銀ナノワイヤ分散液をエタノールで希釈した。このようにして、銀ナノワイヤを含む組成物３が得られた。
　実施例Ａ１の場合と同様に、外側導電層７４の表面抵抗率を測定した。表面抵抗率は３０Ω／ｓｑ．であった。
　続いて、実施例Ａ１の場合と同様に、吸着評価及び分離評価を実施した。結果を図２４Ａに示す。
　実施例Ａ４
　図９に示す導電性フィルム７０を準備した。ベース７３としては、５０μｍの厚みを有するポリエチレンテレフタレートのフィルム（東洋紡株式会社製　製品名「コスモシャイン（登録商標）Ａ４３６０」）を用いた。外側導電層７４の材料としては、実施例Ａ１の場合と同様に、組成物１を用いた。外側導電層７４の厚みは、５μｍであった。内側導電層７６の材料としては、実施例Ａ１の場合と同様に、組成物１から得られたポリチオフェンを用いた。内側導電層７６の厚みは、５μｍであった。
　実施例Ａ１の場合と同様に、外側導電層７４の表面抵抗率を測定した。表面抵抗率は１．０×１０９Ω／ｓｑ．であった。
　続いて、実施例Ａ１の場合と同様に、吸着評価及び分離評価を実施した。結果を図２４Ａに示す。
　実施例Ａ５
　実施例Ａ４の場合と同様に、図９に示す導電性フィルム７０を準備した。ベース７３としては、２５μｍの厚みを有するポリイミドのフィルム（東レ・デュポン株式会社製　製品名「カプトン（登録商標）１００ＥＮ」）を用いた。外側導電層７４の材料及び内側導電層７６の材料としては、組成物５から得られたポリチオフェンを用いた。組成物５は、導電性ポリマー剤の組成が７質量部であること以外は、組成物１と同一である。
　実施例Ａ１の場合と同様に、外側導電層７４の表面抵抗率を測定した。表面抵抗率は８．５×１０５Ω／ｓｑ．であった。
　続いて、実施例Ａ１の場合と同様に、吸着評価及び分離評価を実施した。結果を図２４Ａに示す。
　比較例Ａ１
　キャリアガラス６０（コーニング社製　製品名「ＥＡＧＬＥ　ＸＧ」（登録商標）を使用）上に酸化インジウムスズの層を形成した。続いて、実施例Ａ１の場合と同様に、酸化インジウムスズの層の表面抵抗率を測定した。表面抵抗率は８Ω／ｓｑ．であった。
　比較例Ａ１においては、キャリアガラス６０と酸化インジウムスズの層との組み合わせを、積層体サンプルとして用いて、実施例Ａ１の場合と同様に、吸着評価及び分離評価を実施した。キャリアガラス６０の厚みは、７００μｍであった。結果を図２４Ｂに示す。
　比較例Ａ２
　キャリアガラス６０をサンプルとして用いて、実施例Ａ１の場合と同様に、吸着評価及び分離評価を実施した。キャリアガラス６０の厚みは、７００μｍであった。結果を図２４Ｂに示す。
　比較例Ａ３
　組成物６を用いて外側導電層７４を形成したこと以外は、実施例Ａ１の場合と同様に、図８に示す導電性フィルム７０を準備した。組成物６は、導電性ポリマー剤の組成が２質量部であること以外は、組成物１と同一である。
　実施例Ａ１の場合と同様に、外側導電層７４の表面抵抗率を測定した。表面抵抗率は３．０×１０１３Ω／ｓｑ．であった。
　続いて、実施例Ａ１の場合と同様に、吸着評価及び分離評価を実施した。結果を図２４Ｂに示す。
　図２４Ａに示すように、実施例Ａ１～Ａ５においては、積層体サンプルと静電チャックとの間において、適切な吸着及び分離が実現された。図２４Ｂに示すように、比較例Ａ１、Ａ３においては、吸着は実現されたが、分離が実現されなかった。比較例Ａ２においては、適切な吸着が実現されなかった。実施例Ａ１～Ａ５により、３０．０Ω／ｓｑ．以上１．０×１０１３Ω／ｓｑ．以下の表面抵抗率を有する外側導電層７４を用いることの有用性が証明された。
（アライメントマークの検出精度）
　後述する例Ｂ１～Ｂ５の構成及び例Ｃ１～Ｃ６の構成を用いて、キャリアガラス６０のアライメントマーク１１３の検出精度を評価した。
　図２５は、アライメントマーク１１３を含むキャリアガラス６０の一例を示す平面図である。キャリアガラス６０が長方形である場合、アライメントマーク１１３は、キャリアガラス６０の角に位置する。例えば、キャリアガラス６０の４つの角にそれぞれアライメントマーク１１３が形成されている。アライメントマーク１１３は、キャリア第１面６１に位置していてもよく、キャリア第２面６２に位置していてもよい。
　図２６は、アライメントマーク１１３の一例を示す平面図である。アライメントマーク１１３は、第１方向Ｄ１において幅Ｗ１を有する第１部分１１３１と、第１部分１１３１に接続され、第２方向Ｄ２において幅Ｗ２を有する第２部分１１３２と、を含んでいてもよい。第１部分１１３１は、第２方向Ｄ２に延びていてもよい。第２部分１１３２は、第１方向Ｄ１に延びていてもよい。幅Ｗ１の設計値及び幅Ｗ２の設計値は、例えば、いずれも５０μｍである。
　上述のアライメント工程においては、アライメントマーク１１３の位置及び形状が算出されてもよい。例えば、キャリアガラス６０の４つの角に位置する４つのアライメントマーク１１３の幅Ｗ１，Ｗ２が、エッジ検出によって測定されてもよい。
　４つのアライメントマーク１１３の検出結果に基づいて、キャリアガラス６０の中心点１１４の座標が算出されてもよい。
　図２７は、アライメントマーク１１３の検出方法を示す図である。アライメントマーク１１３を含むキャリアガラス６０と、導電性フィルム７０とを含む積層体のサンプルが、ステージ２０１上に配置される。キャリアガラス６０がステージ２０１に面する。導電性フィルム７０の上方に位置するカメラ２０２が、アライメントマーク１１３を検出する。
　図２８は、例Ｂ１～Ｂ５の構成及び光学特性並びに幅Ｗ１、Ｗ２の評価結果を示す表である。例Ｂ１においては、キャリアガラス６０上に導電性フィルム７０を配置しない状態で、アライメントマーク１１３がカメラ２０２によって検出された。例Ｂ２においては、図２７に示すように、キャリアガラス６０上に導電性フィルム７０が配置された状態で、アライメントマーク１１３がカメラ２０２によって検出された。例Ｂ２の導電性フィルム７０は、上述の実施例Ａ１の導電性フィルム７０と同一である。例Ｂ３～Ｂ５においては、ベース７３に相当する樹脂フィルムのみがキャリアガラス６０上に配置された状態で、アライメントマーク１１３がカメラ２０２によって検出された。
　例Ｂ２の導電性フィルム７０及び例Ｂ３～Ｂ５の樹脂フィルムの全光線透過率及びヘイズは、株式会社村上色彩技術研究所製のヘイズメーター（製品名「ＨＭ－１５０」）によって測定された。アライメントマーク１１３の幅Ｗ１、Ｗ２は、図２７に示す方法によって測定された。図２８に示す幅Ｗ１、Ｗ２の平均値及び３σは、３つのサンプルの測定結果に基づいて算出された。σは標準偏差である。
　図２８に示すように、導電性フィルム７０又は樹脂フィルムが、８０％以上の全光線透過率及び４．０％以下のヘイズを有する場合、幅Ｗ１、Ｗ２の平均値と設計値との差が０．５μｍ以下であり、３σが１．０μｍ以下であった。樹脂フィルムが２０％を超えるヘイズを有する場合、幅Ｗ１、Ｗ２の平均値が設計値から大きく異なっていた。
　図２９は、例Ｃ１～Ｃ６の構成及び光学特性並びにアライメントマーク１１３の検出性の評価結果を示す表である。例Ｃ１においては、例Ｂ１と同様に、キャリアガラス６０上に導電性フィルム７０を配置しない状態で、アライメントマーク１１３がカメラ２０２によって検出された。例Ｃ２の導電性フィルム７０は、上述の実施例Ａ１の導電性フィルム７０と同一である。例Ｃ３～Ｃ６の導電性フィルム７０は、外側導電層７４に含まれるシリコーン粒子の濃度以外は、例Ｃ２の導電性フィルム７０と同一である。例Ｃ３～Ｃ６においては、シリコーン粒子の濃度を調整することにより、導電性フィルム７０の透過率及びヘイズが調整されている。シリコーン粒子は、シリコーン系添加剤の一種である。
　例Ｃ２～Ｃ６の導電性フィルム７０の透過率及びヘイズは、株式会社村上色彩技術研究所製のヘイズメーター（製品名「ＨＭ－１５０」）によって測定された。アライメントマーク１１３の幅Ｗ１、Ｗ２は、図２７に示す方法によって測定された。図２８に示す幅Ｗ１、Ｗ２の平均値及び３σは、３つのサンプルの測定結果に基づいて算出された。図２９の「検出性」の行の「ＯＫ」は、幅Ｗ１、Ｗ２の平均値と設計値との差が０．５μｍ以下であり、３σが１．０μｍ以下であったことを意味する。図２９の「検出性」の行の「ＮＧ」は、幅Ｗ１、Ｗ２の平均値と設計値との差が０．５μｍよりも大きいか、又は、３σが１．０μｍよりも大きかったことを意味する。
（摩擦係数）
　後述する実施例Ｄ１～Ｄ５の構成及び比較例Ｄ１～Ｄ４の構成を用いて、摩擦係数及び外観を評価した。
　図３０は、摩擦係数の測定方法を示す図である。導電性フィルム７０及びキャリア６０を含む積層体からなる試験片２１２が、テーブル２１１上のセラミックス板２１８の上に置かれる。試験片２１２の導電性フィルム７０のフィルム第２面７２が、セラミックス板２１８に面する。試験片２１２の上には、錘２１３が置かれる。連結部材２１５の第１端が、ジグ２１４によって基板２１２に固定される。連結部材２１５の第２端が、ロードセル２１６に固定される。ロードセル２１６は、鉛直方向の力Ｆを連結部材２１５に加える。上向きの力Ｆが、連結部材２１５に接する滑車２１７によって水平方向の力に変換され、試験片２１２に加えられる。測定条件は下記のとおりである。５個の試験片における動摩擦係数及び静摩擦係数の平均値が、導電性フィルム７０の動摩擦係数及び静摩擦係数として採用される。
・温度：２５±４℃
・相対湿度：５０±１０％ＲＨ
・試験片の数：５個
・試験片のサイズ：１００ｍｍ×１００ｍｍ
・錘の質量：２００ｇ
・錘のサイズ：４０ｃｍ２（６３ｍｍ×６３ｍｍ）
・ロードセル：１００Ｎ
・移動速度：１００ｍｍ／分
　図３１は、実施例Ｄ１～Ｄ５の構成並びに摩擦係数及び外観の評価結果を示す表である。実施例Ｄ１～Ｄ５の構成は、上述の実施例Ａ１～Ａ５の構成と同一である。図３２は、比較例Ｄ１～Ｄ４の構成並びに摩擦係数及び外観の評価結果を示す表である。比較例Ｄ１～Ｄ３の構成は、上述の比較例Ａ１～Ａ３の構成と同一である。比較例Ｄ４の構成は、導電性フィルム７０の外側導電層７４の表面抵抗率が異なる点以外は、比較例Ｄ３の構成と同一である。外側導電層７４の表面抵抗率は、外側導電層７４における導電性ポリマー剤の含有率によって調整される。
　図３１及び図３２の「外観評価」の行において、「great」は、摩擦係数の測定の後、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２に目視で傷が確認されなかったことを意味する。「外観評価」の行において、「good」は、摩擦係数の測定の後、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２に目視で浅い傷のみが確認されたことを意味する。「外観評価」の行において、「not good」は、摩擦係数の測定の後、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２に目視で深い傷が確認されたことを意味する。
　図３１に示すように、導電性フィルム７０が、０．２６以下の動摩擦係数及び０．３０以下の静摩擦係数を有する場合、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２の傷が抑制された。図３２に示すように、導電性フィルム７０が、０．２６を超える動摩擦係数を有するか、又は、０．３０を超える静摩擦係数を有する場合、導電性フィルム７０のフィルム第２面７２に深い傷が形成された。
（基材の剥離性）
　後述する例Ｅ１～Ｅ６の構成を用いて、基材１１０と導電性フィルム７０及びキャリア６０を含む積層体との間の剥離性を評価した。
　図３３は、導電性フィルム７０及びキャリア６０を含む積層体を基材１１０から剥離する方法を示す図である。導電性フィルム７０及びキャリア６０を含む積層体と基材１１０とは、紫外線硬化性樹脂を含む中間層６５によって接合されている。導電性フィルム７０のフィルム第２面７２に照射された紫外線Ｌ１は、導電性フィルム７０及びキャリア６０を透過して中間層６５に到達する。紫外線硬化性樹脂が紫外線Ｌ１によって硬化されることにより、積層体が基材１１０から剥離される。
　図３４は、例Ｅ１～Ｅ６の構成及び紫外線透過率並びに剥離性の評価結果を示す表である。例Ｅ１～Ｅ５の構成は、上述の実施例Ａ１～Ａ５の構成と同一である。例Ｅ６の構成においては、例Ｅ３の導電性フィルム７０が２枚積層された構成物が用いられた。例Ｅ３の導電性フィルム７０が２枚積層されることにより、例Ｅ６の構成の紫外線透過率が４９％に調整された。
　紫外線透過率は、島津製作所製の分光光度計（製品名「ＵＶ－３１００ＰＣ」、光源：タングステンランプおよび重水素ランプ）によって測定された。
　剥離性の評価においては、積層体が基材１１０から剥離されるときの紫外線Ｌ１の強度を測定した。紫外線Ｌ１を生成するレーザー装置としては、オプトピア製の固体ＵＶレーザーＬＬＯ装置（製品名「ＬＳＬ－１０」）を用いた。図３４の「剥離性」の行において、「great」は、照射エネルギー密度が３００ｍＪ／ｃｍ２よりも低い条件下で積層体が基材１１０から剥離したことを意味する。「剥離性」の行において、「not good」は、積層体が基材１１０から剥離するのに、３００ｍＪ／ｃｍ２よりも高い照射エネルギー密度を要したか、３００ｍＪ／ｃｍ２よりも高い照射エネルギーの条件でも積層体が基材１１０から剥離しなかったことを意味する。
　剥離性の評価に加えて、導電性フィルム７０に含まれる樹脂の層に煤が生じたかどうかを確認した。図３４の「煤の抑制」の行において、煤の量は、「great」が最も少なく、「good」が次に少なく、「not good」が最も多い。除電ブラシで煤を回収し、量の大小を１０人が目視で確認した結果に基づいて、煤の量が少ない順に「great」、「good」、「not good」が付される。
　図３４に示すように、導電性フィルム７０が、６０％以上の紫外線透過率を有する場合、積層体が基材１１０から適切に剥離され、且つ煤も生じなかった。導電性フィルム７０が、１０％以上６０％未満の紫外線透過率を有する場合、積層体が基材１１０から適切に剥離されたが、煤がわずかに生じた。導電性フィルム７０が、１０％未満の紫外線透過率を有する場合、積層体が基材１１０から適切に剥離されなかった。
　上述の実施例においては、キャリアガラス６０の厚みが７００μｍの場合の評価結果を説明したが、キャリアガラス６０の厚みが１０００μｍ、５００μｍ又は３００μｍの場合にも同様の評価結果が得られている。
２　ホルダ
３　マスクホルダ
４　静電チャック
５　マグネット
７　蒸着材料
１０　蒸着装置
４１　枠
５０　マスク
５６　貫通孔
６０　キャリアガラス
６５　中間層
７０　導電性フィルム
７１　フィルム第１面
７２　フィルム第２面
７３　ベース
７３１　ベース第１面
７３２　ベース第２面
７４　外側導電層
７５　粘着層
７６　内側導電層
７７　ハードコート層
７８　セパレータ
８１　カメラ
１００　電子デバイス
１１０　基材
１１１　基材第１面
１１２　基材第２面
１１３　アライメントマーク
１１５　ＴＦＴ層
１２０　トランジスタ
１２５　素子
１３０　第１電極
１３５　有機層
１４０　第２電極
１５０　封止層
１６０　絶縁層
１７０　第１積層体
１７１　第１面
１７２　第２面
１８０　第２積層体
１８１　第３面
１８２　第４面
２０１　ステージ
２０２　カメラ
２１１　テーブル
２１２　試験片
２１３　錘
２１４　ジグ
２１５　連結部材
２１６　ロードセル
２１７　滑車

Claims (22)

  1. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１積層体であって、前記第１面から前記第２面に向かって並ぶ基材及び導電性フィルムを少なくとも含む第１積層体を準備する準備工程と、
    　静電チャックを用いて前記第１積層体の前記第２面を静電吸着する吸着工程と、
    　マスクを介して前記第１積層体の前記第１面上に材料を蒸着させる蒸着工程と、
    　前記導電性フィルムを前記基材から剥離させる剥離工程と、を備える、電子デバイスの製造方法。
  2. 　前記第１積層体は、前記基材と前記導電性フィルムとの間に位置するキャリアガラスを含む、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 　前記剥離工程は、前記キャリアガラス及び前記導電性フィルムの組合せを前記基材から剥離させる、請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
  4. 　前記剥離工程は、前記導電性フィルムを前記キャリアガラスから剥離させ、
    　前記電子デバイスの製造方法は、前記キャリアガラスを前記基材から剥離させる第２剥離工程を備える、請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
  5. 　前記キャリアガラスは、前記第１面に向かうキャリア第１面と、前記第２面に向かうキャリア第２面と、を含み、
    　前記準備工程は、前記キャリア第１面上に前記基材を形成する工程を含む、請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
  6. 　前記基材を形成する工程は、前記キャリア第１面に樹脂を塗布する工程を含む、請求項５に記載の電子デバイスの製造方法。
  7. 　前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうフィルム第１面と、前記第２面に向かうフィルム第２面と、を含み、
    　前記フィルム第１面は、粘着層によって構成されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  8. 　前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうベース第１面と、前記第２面に向かうベース第２面と、を含むベースと、ベース第２面上に位置する外側導電層と、を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  9. 　前記外側導電層は、１．０×１０１３Ω／ｓｑ．以下の表面抵抗率を有する、請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
  10. 　前記外側導電層は、１０．０Ω／ｓｑ．以上の表面抵抗率を有する、請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
  11. 　前記導電性フィルムは、前記ベース第１面上に位置する内側導電層を含む、請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
  12. 　前記第１積層体は、前記基材と前記キャリアガラスとの間に位置する中間層を含み、
    　前記中間層は、樹脂を含み、
    　前記剥離工程は、前記第１積層体の前記第２面に紫外線を入射させる紫外線照射工程を含む、請求項２～６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  13. 　前記導電性フィルムは、１０％以上の紫外線透過率を有する、請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法。
  14. 　１０箇所で測定された前記導電性フィルムの厚みの標準偏差が、１０μｍ以下である、請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法。
  15. 　前記吸着工程と前記蒸着工程との間に実施されるアライメント工程を備え、
    　前記アライメント工程は、前記第１積層体を介して前記マスクを観察する観察工程と、前記観察工程の結果に基づいて、前記基材に対する前記マスクの位置を調整する調整工程と、を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  16. 　前記導電性フィルムは、４０％以上の全光線透過率を有する、請求項１５に記載の電子デバイスの製造方法。
  17. 　前記導電性フィルムは、２０％以下のヘイズを有する、請求項１５に記載の電子デバイスの製造方法。
  18. 　前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうフィルム第１面と、前記第２面に向かうフィルム第２面と、を含み、
    　前記フィルム第２面は、０．２６以下の動摩擦係数を有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  19. 　前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうフィルム第１面と、前記第２面に向かうフィルム第２面と、を含み、
    　前記フィルム第２面は、０．３０以下の静摩擦係数を有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  20. 　請求項１～６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法において用いられる導電性フィルムであって、
    　前記第１面に向かうベース第１面と、前記第２面に向かうベース第２面と、を含むベースと、前記ベース第２面上に位置する外側導電層と、を含み、
    　前記外側導電層は、１０．０Ω／ｓｑ．以上１．０×１０１３Ω／ｓｑ．以下の表面抵抗率を有し、
    　前記導電性フィルムは、１０％以上の紫外線透過率、４０％以上の全光線透過率及び２０％以下のヘイズを有し、
    　１０箇所で測定された前記導電性フィルムの厚みの標準偏差が、１０μｍ以下である、導電性フィルム。
  21. 　第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１積層体であって、
    　前記第１面から前記第２面に向かって並ぶ基材、キャリアガラス及び導電性フィルムを少なくとも含み、
    　前記基材は、樹脂を含み、
    　前記導電性フィルムは、前記第１面に向かうベース第１面と、前記第２面に向かうベース第２面と、を含むベースと、ベース第２面上に位置する外側導電層と、を含み、
    　前記外側導電層は、１０．０Ω／ｓｑ．以上１．０×１０１３Ω／ｓｑ．以下の表面抵抗率を有し、
    　前記導電性フィルムは、１０％以上の紫外線透過率、４０％以上の全光線透過率及び２０％以下のヘイズを有し、
    　１０箇所で測定された前記導電性フィルムの厚みの標準偏差が、１０μｍ以下である、第１積層体。
  22. 　請求項２１に記載の第１積層体と、
    　前記第１積層体の前記第１面上に位置する複数の有機素子と、
    　前記複数の有機素子を覆う封止層と、を備える、第２積層体。
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