CN104928652A - 一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘 - Google Patents
一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104928652A CN104928652A CN201510209102.9A CN201510209102A CN104928652A CN 104928652 A CN104928652 A CN 104928652A CN 201510209102 A CN201510209102 A CN 201510209102A CN 104928652 A CN104928652 A CN 104928652A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heating disc
- temperature
- heating plate
- heat
- disc body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘，主要解决现有的加热盘及静电卡盘所存在的无法快速、准确控制晶圆温度的问题。它包括中心设有进气孔的加热盘。所述加热盘的表面设有凸台；所述加热盘的外圆制有气体回收孔。上述加热盘表面的凸台是按同心圆形规律分布的；上述凸台的尺寸从中间至边缘逐渐减小。在凸台与凸台的间隙形成导热介质的流动空间，从中间输送到加热盘的边缘区域带走热量，冷却后的气体会再次从加热盘中心流入，以实现导热介质的循环流动，达到精确控制晶圆温度的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种应用于半导体沉积设备的可控温加热盘的盘面结构。使用圆形分布的凸台盘面气体分布形式，以实现对晶圆温度的精确控制。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。
背景技术
半导体设备在沉积反应时往往需要使晶圆及腔室空间预热或维持在沉积反应所需要的温度，大多数半导体沉积设备都会使用加热盘或静电卡盘来实现给晶圆预热的目的，但因为沉积反应多是在真空条件下进行，真空环境因缺乏导热介质，热传导性能较差。往往无法快速将晶圆预热到所需温度，或是在沉积反应前无法均匀的将晶圆预热。在有射频参与的半导体镀膜设备中，当射频所激发的能量到达晶圆表面时，因为热传导介质的缺乏，往往又会使晶圆表面的温度快速升高，使得晶圆表面温度超出沉积所需温度，而使晶圆发生损坏。随着晶圆尺寸的逐渐增大，晶圆本身的温度均匀性直接决定着晶圆品质的好或坏，快速、准确的控温对生产效率的提高及产品良率的提高都是至关重要的。
现有的半导体沉积设备加热盘及静电卡盘大都只具有加热盘自身的温度调节及控温功能，对于晶圆的温度是无法达到精确控制的。然而沉积反应所最急需的确是对晶圆温度的快速、准确控制。只有将晶圆的温度快速、准确的维持在沉积反应所需的温度范围内，才能实现对产品良率及效率的提升。
发明内容
本发明以解决上述问题为目的，主要解决现有的加热盘及静电卡盘所存在的无法快速、准确控制晶圆温度的问题。本发明通过加热盘表面凸台结构在加热盘表面与晶圆间形成一定的气隙，并在其中通入热传导效果较好的导热气体作为传热介质，经加热盘的温度快速的传到晶圆，或是将晶圆的温度迅速的传至加热盘上导出。通过合理的盘面结构设计，使得导热介质能够快速均匀的在空隙中流动，及时实现加热盘及晶圆的热交换。
为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘，采用在加热盘表面设计一种圆形分布的凸台形式，中间作为气体导入的入口，盘面有圆形规律分布的凸台，在凸台与凸台的间隙形成导热介质的流动空间，导热介质通过凸台间隙从中间输送到加热盘的边缘区域，因导热介质在流动过程中会因压力损失而使流速降低，故在加热盘表面的凸台结构按介质压力损失规律，从中间至边缘凸台尺寸逐渐减小，使得中间至边缘的介质流动空间逐渐加大，以实现中心与边缘带走的热量相同，达到精确控制晶圆温度。气体最终会在加热盘外圆的小孔中从加热盘内部返回至导热介质冷却装置，并在其中实现冷却，以便将多余的热量带走。冷却后的气体会再次从加热盘中心流入，以实现导热介质的循环流动。
本发明的有益效果及特点：
通过一种圆形分布的表面凸台结构，在加热盘及晶圆之间形成一定的气隙空间，并在该气隙空间中通入热传导系数较高的导热介质，用以加强真空环境下的热传导效率。通过合理化设计的表面气体分布结构，使得导热介质能够直接、快速、均匀的分布在加热盘与晶圆之间，并依据介质流动所带来的压力及流速变化规律确定各个区域大小或凸台尺寸，来调节导热介质所带走的热量，以实现对晶圆温度的快速准确控制。进一步提高晶圆的成品率及半导体沉积设备的生产效率。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图中零件标号分别代表:
1、进气孔；2、凸台；3、气体回收孔；4、加热盘。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
具体实施方式
实施例
如图1所示，一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘，包括中心设有进气孔1的加热盘4。所述加热盘4的表面设有凸台2；所述加热盘4的外圆制有气体回收孔3。
上述加热盘4的表面所设有的凸台2是按同心圆形规律分布的。
上述凸台2的尺寸从中间至边缘逐渐减小。
工作原理：热传导介质从加热盘4中心的进气孔1进入加热盘4的表面，在中心一定空间用来释放气体进入时压力。所述加热盘4表面的同心圆形规律分布的凸台2与凸台2的间隙形成导热介质的流动空间，导热介质通过凸台2间隙从中间输送到加热盘的边缘区域，因导热介质在流动过程中会因压力损失而使流速降低，故在加热盘4表面的凸台2结构按介质压力损失规律，从中间至边缘凸台2尺寸逐渐减小，使得中间至边缘的介质流动空间逐渐加大，以实现中心与边缘带走的热量相同，达到精确控制晶圆温度。气体最终会在加热盘外圆的气体回收孔3中从加热盘内部返回至导热介质冷却装置，并在其中实现冷却，以便将多余的热量带走。冷却后的气体会再次从加热盘中心流入，以实现导热介质的循环流动。
上述加热盘4外圆的滞留区设计成封闭或开放式，使导热介质直接扩散至腔室空间而不收集介质重新进行循环。
Claims (3)
1.一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘，其特征在于：它包括中心设有进气孔的加热盘，所述加热盘的表面设有凸台；所述加热盘的外圆制有气体回收孔3。
2.如权利要求1所述的圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘，其特征在于：所述加热盘表面的凸台2是按同心圆形规律分布的。
3.如权利要求1所述的圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘，其特征在于：所述凸台的尺寸从中间至边缘逐渐减小。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510209102.9A CN104928652A (zh) | 2015-04-27 | 2015-04-27 | 一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510209102.9A CN104928652A (zh) | 2015-04-27 | 2015-04-27 | 一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104928652A true CN104928652A (zh) | 2015-09-23 |
Family
ID=54116071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510209102.9A Pending CN104928652A (zh) | 2015-04-27 | 2015-04-27 | 一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104928652A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109932875A (zh) * | 2017-12-18 | 2019-06-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 加热盘及应用其的等离子去胶机、等离子去胶方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1192265A (zh) * | 1995-06-07 | 1998-09-02 | 布鲁克斯自动化公司 | 用惰性气体进行基片热调整的装置与方法 |
| CN101604654A (zh) * | 2008-06-13 | 2009-12-16 | 佳能安内华股份有限公司 | 基板支撑装置和等离子体处理设备 |
| CN101681870A (zh) * | 2007-03-12 | 2010-03-24 | 东京毅力科创株式会社 | 用于提高衬底内处理均匀性的动态温度背部气体控制 |
| CN201817546U (zh) * | 2010-10-28 | 2011-05-04 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 衬底支撑基座和应用该衬底支撑基座的化学气相沉积设备 |
| CN102468205A (zh) * | 2010-11-18 | 2012-05-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘及具有它的晶片处理设备 |
-
2015
- 2015-04-27 CN CN201510209102.9A patent/CN104928652A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1192265A (zh) * | 1995-06-07 | 1998-09-02 | 布鲁克斯自动化公司 | 用惰性气体进行基片热调整的装置与方法 |
| CN101681870A (zh) * | 2007-03-12 | 2010-03-24 | 东京毅力科创株式会社 | 用于提高衬底内处理均匀性的动态温度背部气体控制 |
| CN101604654A (zh) * | 2008-06-13 | 2009-12-16 | 佳能安内华股份有限公司 | 基板支撑装置和等离子体处理设备 |
| CN201817546U (zh) * | 2010-10-28 | 2011-05-04 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 衬底支撑基座和应用该衬底支撑基座的化学气相沉积设备 |
| CN102468205A (zh) * | 2010-11-18 | 2012-05-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘及具有它的晶片处理设备 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109932875A (zh) * | 2017-12-18 | 2019-06-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 加热盘及应用其的等离子去胶机、等离子去胶方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104988472B (zh) | 半导体镀膜设备控温系统 | |
| CN104911544B (zh) | 控温盘 | |
| CN104878370A (zh) | 一种分体式可控温加热盘结构 | |
| US9980415B2 (en) | Configurable double-sided modular jet impingement assemblies for electronics cooling | |
| CN104835762A (zh) | 一种窗花形表面结构的可控温加热盘 | |
| CN102645117B (zh) | 微细通道冷却器 | |
| TW200303977A (en) | Surface processing apparatus | |
| CN108183282B (zh) | 一种基于均热板的电池模组热管理装置 | |
| CN104167399A (zh) | 错位复杂微通道微型换热器 | |
| CN104928651A (zh) | 一种温流室出气的可控温加热盘 | |
| CN110556319B (zh) | 加热器、半导体加工腔室及加工设备 | |
| CN102623889B (zh) | 应用于半导体激光器的液体制冷器的制备方法及其制冷装置 | |
| CN104928652A (zh) | 一种圆形分布的凸台表面结构的可控温加热盘 | |
| CN104835761A (zh) | 一种边缘出气的可控温加热盘 | |
| CN105047543A (zh) | 一种涡旋形表面结构的可控温加热盘 | |
| CN104835763A (zh) | 一种花瓣形表面结构的可控温加热盘 | |
| CN203983257U (zh) | 错位复杂微通道微型换热器 | |
| CN104835764A (zh) | 一种蜘蛛网形表面结构的可控温加热盘 | |
| CN104835765A (zh) | 一种多边形分布的凸台表面结构的可控温加热盘 | |
| CN104862673A (zh) | 一种中心出气的可控温加热盘 | |
| US8925622B2 (en) | Cooling plate | |
| CN106611733B (zh) | 一种多进口空腔加热支撑架 | |
| CN104835766B (zh) | 一种雪花形表面结构的可控温加热盘 | |
| KR20140134435A (ko) | 유전자 증폭 시스템 | |
| CN206907749U (zh) | 一种承载装置及半导体加工设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150923 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |